JP2005064326A - 半導体ウェハ加工における半導体ウェハのデバイス面保護膜形成方法 - Google Patents
半導体ウェハ加工における半導体ウェハのデバイス面保護膜形成方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 半導体ウェハ12にデバイスを作成後のスピンエッチング工程において半導体ウェハ12のデバイス面11をエッチング液から保護するための保護膜の形成方法において、デバイス面11にエッチング液が浸み込まないように、コーティングによって被膜形成し得る高分子化合物を用いて保護膜10を形成し、保護膜10をパターニングによって半導体ウェハ12の周囲より小さく、且つデバイス面11を保護するように形成する。その後にスピンエッチングして半導体ウェハ12の裏面を研磨処理する。
【選択図】 図3
Description
前記保護膜としてコーティングによって被膜形成し得る高分子化合物を用い、前記保護膜を、パターニングによって、前記半導体ウェハの周囲より小さく且つ前記デバイス面を保護するように形成することを特徴とする。
図1は本実施形態に係る半導体ウェハデバイス保護材が半導体ウェハデバイス面に形成された様子を示す断面図である。図1において、12は半導体ウェハ、11は半導体ウェハ12上のデバイス面、10はデバイス面11を保護するための保護材(保護膜)である。
保護材10の特性は、耐薬品性に優れ、形成後精度良く外周部のみ選択的に除去可能であり、研磨処理工程後容易に除去可能なものであることが好ましい。例えば、環化ゴム系の樹脂は常温でコーティングでき、エッチング液に対する耐性に優れているため好ましい。
図6は、本発明の第2実施形態の概略図である。本実施形態が第1実施形態と異なる点は、デバイス面保護層において、ウェハデバイス面とデバイス面保護層の密着性を向上させるために密着向上層70を有し、その上にデバイス面保護層10を形成する二層構造になっている点である。
11 デバイス面
12 半導体ウェハ
20 光
21 フォトマスク
22 デバイス領域
40 エッチング液
41 ウェハ固定台
42 回転軸
70 密着向上層
Claims (6)
- 半導体ウェハにデバイスを作成後のスピンエッチング工程で該半導体ウェハのデバイス面をエッチング液から保護するための保護膜の形成方法において、
前記保護膜としてコーティングによって被膜形成し得る高分子化合物を用い、前記保護膜を、パターニングによって、前記半導体ウェハの周囲より小さく且つ前記デバイス面を保護するように形成することを特徴とする半導体ウェハのデバイス面保護膜形成方法。 - 前記保護膜は環化ゴム系のコーティング材であることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス面保護膜形成方法。
- 前記保護膜は感光基を有したパターニングが可能な環化ゴム系のコーティング材であることを特徴とする請求項1又は2に記載のデバイス面保護膜形成方法。
- 前記デバイス面と前記保護膜との密着性を向上させるための密着向上層を、前記デバイス面と前記デバイス面保護膜との間に有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のデバイス面保護膜形成方法。
- 前記密着向上層はポリエーテルアミド樹脂を含むことを特徴とする請求項4に記載のデバイス面保護膜形成方法。
- デバイスを形成してなる半導体ウェハの一主面に、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のデバイス面保護膜形成方法により保護膜を形成した後に、前記保護膜形成側と反対側の半導体ウェハの主面をスピンエッチングすることを特徴とする半導体ウェハ研磨処理方法。
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