JP2005063679A

JP2005063679A - 有機電界発光素子

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Publication number: JP2005063679A
Application number: JP2003207082A
Authority: JP
Inventors: Akira Nishio; 亮西尾; Naoyuki Nishikawa; 尚之西川; Shinsuke Umegaki; 真祐梅垣
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2003-08-11
Filing date: 2003-08-11
Publication date: 2005-03-10
Also published as: US7261953B2; US20050037235A1

Abstract

【課題】構造を簡略でき、低電圧駆動で高輝度の有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】一対の電極間に、一般式（１）で表される化合物を含有する層を有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式（１）
【化１】

一般式（１）中、Ａ^１およびＡ^２はそれぞれ独立に芳香族環を表し、それぞれチオフェン環の２，３，４，５位のいずれの位置に置換していても良い。Ｂはハメットの置換基定数σｐ値が正の置換基、Ｃはハメットの置換基定数σｐ値が負の置換基を表す。ｎ１およびｎ２はそれぞれ０、１、又は２を表す。ただしｎ１およびｎ２は共に０になることは無い。
【選択図】なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機発光素子に関し、詳しくは、素子構造を簡略することができる有機発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶化合物を利用した発光素子の研究が行われており、特にこの種の発光素子においては、低電圧の駆動で高速の応答性や高輝度を達成できる素子が要望されている。その一環として、例えば、液晶化合物の配向特性を利用する技術としては特許文献１には、液晶の配向状態を温度と電圧に制御し、それにより発光輝度をコントロールすることが記載されている。
【０００３】
また、非特許文献１には、ホスト液晶化合物に蛍光色素をドープした層（単層）を有し、ホスト液晶化合物を電荷輸送剤として用いることが記載されており、非特許文献２には、液晶化合物に蛍光色素を混入して発光させる有機発光が記載され、また非特許文献３には、３層構造の発光素子の例が記載されている。
【０００４】
しかしながら、特許文献１における技術は、液晶層にキャリア輸送剤、発光剤等の複数の成分を添加する必要があり、素子構造が複雑となる問題がある。
また、非特許文献１の技術では、蛍光色素に液晶性がないため、ホスト液晶化合物を電荷輸送剤として用いるために素子構造が複雑となる問題がある。非特許文献２も、非特許文献１の技術同様、素子構造が複雑となる問題がある。非特許文献３は、３層構造の素子であることから、素子構造が複雑となる。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−１７０６８５号公報
【非特許文献１】
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．７３，Ｎｏ．１１１４Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ（１９９８）１５９５
【非特許文献２】
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．７７，Ｎｏ．１１１１Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ（２０００）１５８７
【非特許文献３】
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．７２，Ｎｏ．２１２５ＭａｙＡＹ（１９９８）２６３９
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、構造を簡略でき、低電圧駆動で高輝度の有機電界発光素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するために、本発明者らは、一対の電極間に一般式（１）で表される化合物を含む層を有することを特徴とする有機電界発光素子を想到するに至った。
【０００８】
一般式（１）
【化３】

【０００９】
一般式（１）中、Ａ^１およびＡ^２はそれぞれ独立に芳香族環を表し、それぞれチオフェン環の２，３，４，５位のいずれの位置に置換していても良い。Ｂはハメットの置換基定数σｐ値が正の置換基、Ｃはハメットの置換基定数σｐ値が負の置換基、Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立にアルキル基を表す。ｎ１およびｎ２は０，１または２の整数を表す。ただしｎ１およびｎ２は共に０になることは無い。
【００１０】
さらに本発明の態様として好ましくは、一般式（１）で表される化合物が、一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする有機電界発光素子である。
【００１１】
一般式（２）
【化４】

【００１２】
一般式（２）中、Ａ^１およびＡ^２はそれぞれ独立に芳香族環を表し、Ｂはハメットの置換基定数σｐ値が正の置換基、Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立にアルキル基を表す。ｎ１およびｎ２は０，１または２の整数を表す。ただし、ｎ１およびｎ２は共に０になることは無い。
【００１３】
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間（好ましくは少なくとも一方が透明電極である電極間）に、一般式（１）又は（２）で表される化合物（本明細書において本発明の化合物と称することがある）を含有する層を有する。また本発明において、一般式（１）又は（２）で表される化合物は、液晶性を示すことが好ましい。さらに本発明では、有機電界発光素子がさらに加熱手段を有し、液晶温度まで加熱する手段を有することが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の有機電界発光素子（本発明の素子、又は発光素子と称することがある）について詳細に説明する。
【００１５】
Ａ^１およびＡ^２はそれぞれ独立に芳香族環を表し、Ａ^１およびＡ^２のうちのいずれか一方が炭素数５乃至１０の芳香族環、例えば１，４−フェニレン、チオフェン−２，５−ジイル、２，６−ナフタレン、チアゾール−２，５−ジイル、ピリジン−２，３−ジイル、ベンゾフラン−２，５−ジイル、ベンゾフラン−２，６−ジイル、ベンゾチオフェン−２，５−ジイル、ベンゾチオフェン−２，６−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ピラジン−２，５−ジイル、ピリダジン−３，６−ジイル等が好ましい例として挙げられ、１，４−フェニレン、２，６−ナフタレン、チオフェン−２，５−ジイルが更に好ましい。また、Ａ^１およびＡ^２のうちのいずれか一方が２，６−ナフタレンである場合がより好ましい。特に好ましくはＡ^１が１，４−フェニレン且つＡ^２が２，６−ナフタレン、またはＡ^１が２，６−ナフタレン且つＡ^２が１，４−フェニレンである。なお、Ａ^１およびＡ^２は置換基を有していても良く、好ましい例としては炭素数１乃至８のアルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子等が挙げられ、更に好ましくは炭素数１乃至４のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅ−ブチル基等）等が挙げられる。
【００１６】
本発明では、一般式（１）のＡ^１がチオフェン環の２位に置換し、Ａ^２がチオフェン環の５位に置換している場合が好ましく、一般式（１）で表される化合物が一般式（２）で表される化合物であることがより好ましい。
【００１７】
一般式（１）において、Ｃはハメットの置換基定数σｐ値が負の置換基をそれぞれ表す。具体的には、置換アミノ基、又はアルコキシ基等の電子供与性基を表す。この中で特に直鎖状のアルキル基を置換基として有する置換アミノ基が好ましい。
【００１８】
一般式（１）または（２）において、Ｂはハメットの置換基定数σｐ値が正の置換基を表し、具体的にはエステル基（―ＣＯＯＲ^３）、スルホニル基（−ＳＯ_２Ｒ^３）又はスルホキシ基（−ＳＯ_３Ｒ^３）、または下記に示す置換基等が好ましく、これらの中でエステル基がより好ましい。（ただしＲ^３は炭素数１乃至１６のアルキル基を表し、炭素数１乃至１２の直鎖アルキル基であることが好ましい。）
【００１９】
【化５】

【００２０】
ハメットの置換基定数σｐ値について説明する。ハメット則は、ベンゼン誘導体の反応又は平衡に及ぼす置換基の影響を定量的に論ずるために１９３５年Ｌ．Ｐ．Ｈａｍｍｅｔｔにより提唱された経験則である。ハメット則に求められた置換基定数にはσｐ値とσｍ値があり、これらの値は多くの一般的な成書に見出すことができるが、例えば、Ｊ．Ａ．Ｄｅａｎ編、「Ｌａｎｇｅ’ｓＨａｎｄｂｏｏｋｏｆＣｈｅｍｉｓｔｒｙ」第１２版、１９７９年（ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ）や「化学の領域」増刊、１２２号、９６〜１０３頁、１９７９年（南光堂）が本発明において採用できる。
【００２１】
前記一般式（２）において、Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立にアルキル基を表し、好ましくはそれぞれ独立に直鎖アルキル基、より好ましくは炭素数１乃至６の直鎖アルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基等）である。
【００２２】
本発明において、一般式（１）又は（２）中、チオフェン基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、炭素数１乃至８のアルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子が好ましく、炭素数１乃至４のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等）が特に好ましい。
【００２３】
本発明の一般式（１）または（２）で表される液晶化合物の好ましい具体例を以下に示す。
【００２４】
【化６】

【００２５】
【化７】

【００２６】
本発明の化合物の合成は、公知の合成法により合成できるが、特願２００３−０２６７１２号に記載の合成方法によって合成できる。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２７】
本発明の発光素子は、一対の電極（陽極、陰極）間に本発明の化合物を含有する層を有し、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えものであっても良い。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることができる。本発明の化合物を含有する層は、該化合物を主成分として含有し、かつ該化合物自身が発光する層（発光層）として機能することが好ましい。
【００２８】
本発明の化合物を含有する層は、一般式（１）又は（２）で表される化合物を少なくとも一種を含有し、適宜発光を最適化するための添加物等を混合してよい。該層における本発明の化合物の含有量は特に限定されないが、該化合物を主成分として含有することが好ましい。本発明の化合物の混合物を本発明の素子に用いる場合は、特に該化合物と、高分子媒体、該液晶化合物と粒状物／シール剤等のスペーサー、該液晶化合物と配向制御剤、該液晶化合物と他の液晶性化合物（例えば４−シアノー４’−ペンチルビフェニル等）の組み合せが好ましい。
【００２９】
本発明の化合物は、発光性能の最適化、及び／又は素子構造を簡便化する等の目的のためには、液晶性を示すことが好ましく、さらに好ましくはスメクチック相、ネマチック相、特に好ましくはスメクチック相を示すものが好ましい。スメクチック相を示す液晶化合物は、ネマチック相またはそれ以外の液晶相と比較して強い輝度で発光させる事が可能であり、液晶発光素子として有効である。
【００３０】
一般式（１）又は（２）で表される化合物を含有する層には、該化合物の他に必要に応じてバインダーとしての高分子媒体、スペーサーとしての粒状物又はシール剤等を含有できる。前記高分子媒体としてはＰＭＭＡ等のアクリル系高分子、フッ素化ポリイミド等のイミド系高分子、ポリカーボネート等の例を挙げることができる。前記粒状物としてはガラスビーズ、プラスチックビーズ、又はアルミナビーズの他、発光層の塗布液を形成する際に用いられる溶剤等に溶解しない架橋された透明な硬化樹脂等が挙げられる。前記シール剤は、エポキシ樹脂、硬化剤、増粘剤等からなり、シール剤中に分散した硬化剤を溶かす事で反応、硬化させるものである。
【００３１】
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。その具体例としては、カルバゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、ピラゾリン、ピラゾロン、フェニレンジアミン、アリールアミン、アミノ置換カルコン、スチリルアントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、シラザン、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマーおよびポリマー、ポリチオフェンなどの導電性高分子オリゴマーおよびポリマー、カーボン膜や上記の誘導体などが挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は材質により特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であっても良いし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、インクジェット法、印刷法、転写法、前記正孔注入材料、正孔輸送材料を溶媒に溶解、または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【００３２】
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入され得た正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。その具体例としては、トリアゾール、トリアジン、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレンペリレンなどの芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体や上記の誘導体などが挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であっても良いし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、インクジェット法、印刷法、転写法、前記電子注入材料、電子輸送材料を溶媒に溶解、または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入・輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【００３３】
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの陰極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性などを考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓなど）またはそのフッ化物、その酸化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａなど）またはそのフッ化物、その酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金、またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金、またはそれらの混合金属、インジウム、イッテルビウムなどの希土類金属が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金、またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金、またはそれらの混合金属などである。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させても良い。陽極および陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
【００３４】
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００３５】
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜が形成される。
陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【００３６】
次に上記した本発明の化合物を含有する層を発光層として用いた素子の具体例を図面に基づき説明する。図１は本発明の素子の一実施の形態を示す概略的断面構成図である。図１において、１０Ａはガラス、１２は透明電極、１４Ａは発光層であり、発光層１４Ａには、本発明の化合物がセル中に注入されている。透明電極１２としては基板１０に蒸着により形成されたＩＴＯ電極が好ましい。特に基板１０がガラス、透明電極１２がＩＴＯ電極の場合が最も好ましい。
【００３７】
図２は本発明の素子の他の実施の形態を示す概略的断面構成図である。図２において、１０Ｂは可撓性基板、１２は透明電極、１４Ｂは発光層である。可撓性基板１０Ｂとしては、高分子フィルム等が好ましく用いられ、例えば、透明性及び平滑性に優れたトリアセチルセルロース、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリアミノ酸エステル、芳香族ポリアミド等の耐熱樹脂、ポリスチレン、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、ポリアクリルアミド、ポリエチレン、ポリプロピレン等のビニル系ポリマー、ポリフッ化ビニリデン等の含フッ素樹脂及びそれらの変性体等から形成されたプラスチックフィルム等が使用できるが、特に、トリアセチルセルロースフィルムは透明性に優れ、光学的に異方性が無い点で好適に用いられる。その厚みは、通常は５乃至１０００μｍ程度のものが好適に用いられる。発光層１０Ｂは、液晶化合物、高分子媒体の他にスペーサーとしてのガラスビーズ等が含有されている。透明電極１２は図１の場合と同様である。
【００３８】
図３は、本発明の素子の更に他の実施の形態を示す概略的断面構成図である。
図３において、１０Ａはガラス、１２は透明電極、１４Ａは発光層、１６は垂直配向層である。１２は透明電極、１４Ａの発光層は、図１の場合と同様である。
【００３９】
図４は、本発明の素子の更に他の実施の形態を示す概略的断面構成図である。
図４において、１０Ａはガラス、１２は透明電極、１７はホール輸送層、１４Ａは発光層、１８は電子輸送層、１９は金属電極である。
【００４０】
上記した素子において、発光層に液晶性を有する一般式（１）の化合物を用いた場合について説明する。この素子の場合、外部電場の印加を液晶相を示す温度範囲で行う、あるいは外部電場の印加下において等方相まで加温した後に液晶相まで冷却させることが好ましいが、特に外部電場の印加を液晶相を示す温度範囲で行うことが好ましい。発光層では、蛍光色素等を添加することなく、簡略化した素子構造で低電圧の駆動で高輝度の素子を提供できる。
【００４１】
以下、本発明の実施例を用いて更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４２】
（実施例１）
図１に示す構造の素子を作製した。ＩＴＯ電極（厚さ：３０ｎｍ、抵抗値：２００Ω／□）を形成した厚さ１．１ｍｍのガラス板を相対向するように５μｍの間隙を介して貼り合わされたセル（ＥＨＣ社製の透明電極セル）に下記の化合物１を注入した。基板を６７℃に加熱し、前記ＩＴＯ電極に直流電圧（１００Ｖ）をかけたところ、この素子は、１０ｃｄ／ｍ^３以上の輝度で１０時間以上を発光し続けた。
【００４３】
【化８】

【００４４】
上記化合物１はモノトロピックな液晶性を示し、Ｃは固体状態、Ｓ_Ｘ１およびＳ_Ｘ _２はスメクチック相、Ｉは等方相を示す。
【００４５】
（実施例２）
図１に示す構造の素子を作製した。ＩＴＯ電極（厚さ：３０ｎｍ、抵抗値：２００Ω／□）を形成した厚さ１．１ｍｍのガラス板を相対向するように５μｍの間隙を介して貼り合わされたセル（ＥＨＣ社製の透明電極セル）に下記の化合物２を注入した。化合物Ａは、７０℃でスメクチックＣ相を示す。基板を７５℃に加熱し、前記ＩＴＯ電極に直流電圧（１００Ｖ）をかけたところ、この素子は、２０ｃｄ／ｍ^３以上の輝度で１０時間以上を発光し続けた。
【００４６】
【化９】

【００４７】
上記化合物２はエナンチオトロピックな液晶性を示し、Ｃは固体状態、Ｓ_ＣはスメクチックＣ相、Ｓ_ＡはスメクチックＡ相、Ｉは等方相を示す。
【００４８】
（実施例３）
図３に示す素子を作製した。厚さ１５０μｍの垂直向膜、厚さ３０ｎｍのＩＴＯ電極を形成した厚さ１．１ｍｍのガラス板を相対向するように５μｍの間隙を介して貼り合わされたセル（ＥＨＣ社製の透明電極セル）に上記の化合物２を注入した。このＩＴＯ電極に直流電圧（１００Ｖ）をかけたところ、この素子は、実施例１の素子と比較して輝度が３倍（６０ｃｄ／ｍ^３）向上した。また、この輝度で１０時間以上発光し続けた。
【００４９】
（実施例４）
実施例２において、発光層の温度条件を変更したところ、固体状態（６０℃）、および等方相（９０℃）では発光せず、液晶状態で選択的に発光した。
【００５０】
（実施例５）
図２に示す素子を作製した。厚さ２００μｍのフレキシブルな透明プラスチック基板であるＴＡＣ（トリアセチルセルロース）上に蒸着によってＩＴＯ電極層を形成した基板を形成した。この基板の電極層上に前記化合物１（１００質量部）に５μｍ径のガラスビーズ１０質量部配合した液晶組成物を塗布し、この塗布面に厚さ２００μｍのフレキシブルな透明プラスチック基板であるＴＡＣ（トリアセチルセルロース）上に、蒸着によって形成したＩＴＯ電極層面が接するようにして素子を形成した。この素子において、ＩＴＯ電極層間のギャップは、ほぼガラスビーズの径（５μｍ）であった。このＩＴＯ電極に直流電圧（５０Ｖ）をかけたところ発光し続けた。また、素子全体がフレキシブルであるため、素子を多少曲げても安定して発光した。
【００５１】
（実施例６）
図４に示す素子を作成した。厚さ３０ｎｍのＩＴＯ電極を形成した厚さ１．１ｍｍのガラス板の上に、厚さ４０ｎｍのＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）−ベンジジン）、厚さ３０ｎｍの化合物２、厚さ３０ｎｍのＡｌｑ（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）、フッ化リチウムを５ｎｍ蒸着した後、アルミニウムを５００ｎｍ蒸着して素子を作成した。このＩＴＯ電極とアルミニウム電極間に直流電圧（１１Ｖ）をかけたところ、１６６６ｃｄ／ｍ^２で発光した（電流密度は１５９ｍＡ／ｃｍ^２、外部発光効率は０．３％であった。）。
【００５２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、特定の構造を有する有機化合物層を複数層有する必要がなく、構造を簡略化させた素子でも発光させる事が可能である。また、この簡略化させた素子では発光層に蛍光色素等を添加する必要がないため、発光層を空気に触れないようにシールしなくともよく、この点からも素子構造を簡略できる。また、両電極にＩＴＯ電極等の透明電極を用いると、電極を区別することなく使用でき、利便性が高く、さらに表裏両面から発光を取り出すことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の発光素子の実施の形態を示す概略的断面構成図である。
【図２】本発明の発光素子の他の実施の形態を示す概略的断面構成図である。
【図３】本発明の発光素子の更に他の実施の形態を示す概略的断面構成図である。
【図４】本発明の発光素子の更に他の実施の形態を示す概略的断面構成図である。
【符号の説明】
１０Ａ、１０Ｂ液晶組成物
１２透明電極
１４Ａ、１４Ｂ発光層
１６垂直配向層
１７ホール輸送層
１８電子輸送層
１９金属電極

Claims

一対の電極間に、一般式（１）で表される化合物を含有する層を有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式（１）

一般式（１）中、Ａ^１およびＡ^２はそれぞれ独立に芳香族環を表し、それぞれチオフェン環の２，３，４，５位のいずれの位置に置換していても良い。Ｂはハメットの置換基定数σｐ値が正の置換基、Ｃはハメットの置換基定数σｐ値が負の置換基を表す。ｎ１およびｎ２はそれぞれ０、１、又は２を表す。ただしｎ１およびｎ２は共に０になることは無い。
一般式（１）で表される化合物が、一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
一般式（２）

般式（２）中、Ａ^１およびＡ^２はそれぞれ独立に芳香族環を表し、Ｂはハメットの置換基定数σｐ値が正の置換基、Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立にアルキル基を表す。ｎ１およびｎ２は０、１、又は２を表す。ただしｎ１およびｎ２は共に０になることは無い。
前記一般式（１）又は（２）が液晶性を示すことを特徴とする請求項１又は２に記載の有機電界発光素子。
さらに加熱手段を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の有機電界発光素子。