|
EP2575144B1
(en)
*
|
2003-09-05 |
2017-07-12 |
Carl Zeiss Microscopy GmbH |
Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements
|
|
JP2007019192A
(ja)
*
|
2005-07-06 |
2007-01-25 |
Canon Inc |
荷電ビームレンズ、及び荷電ビーム露光装置
|
|
JP4745739B2
(ja)
*
|
2005-07-06 |
2011-08-10 |
キヤノン株式会社 |
静電レンズ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
|
|
JP5663717B2
(ja)
*
|
2005-09-06 |
2015-02-04 |
カール ツァイス マイクロスコピー ゲーエムベーハーCarl Zeiss Microscopy Gmbh |
荷電粒子システム
|
|
JP2007231324A
(ja)
*
|
2006-02-28 |
2007-09-13 |
Canon Inc |
マルチ荷電ビーム加工装置
|
|
KR101252001B1
(ko)
*
|
2006-06-15 |
2013-04-08 |
삼성디스플레이 주식회사 |
액정 표시 장치 및 그 제조 방법
|
|
JP5048283B2
(ja)
*
|
2006-07-20 |
2012-10-17 |
キヤノン株式会社 |
偏向器アレイ、描画装置およびデバイス製造方法
|
|
TWI479530B
(zh)
*
|
2008-10-01 |
2015-04-01 |
Mapper Lithography Ip Bv |
靜電透鏡結構、靜電透鏡陣列、帶電粒子的子束微影系統以及製造絕緣結構的方法
|
|
NL2004872A
(en)
*
|
2009-06-18 |
2010-12-20 |
Asml Netherlands Bv |
Lithographic projection apparatus.
|
|
JP5669636B2
(ja)
*
|
2011-03-15 |
2015-02-12 |
キヤノン株式会社 |
荷電粒子線レンズおよびそれを用いた露光装置
|
|
NL2007392C2
(en)
|
2011-09-12 |
2013-03-13 |
Mapper Lithography Ip Bv |
Assembly for providing an aligned stack of two or more modules and a lithography system or a microscopy system comprising such an assembly.
|
|
NL2006868C2
(en)
*
|
2011-05-30 |
2012-12-03 |
Mapper Lithography Ip Bv |
Charged particle multi-beamlet apparatus.
|
|
JP5777445B2
(ja)
*
|
2011-08-12 |
2015-09-09 |
キヤノン株式会社 |
荷電粒子線描画装置及び物品の製造方法
|
|
JP5813123B2
(ja)
*
|
2011-09-30 |
2015-11-17 |
京セラ株式会社 |
静電レンズおよびそれを用いた荷電粒子ビーム装置
|
|
JP2013084638A
(ja)
|
2011-10-05 |
2013-05-09 |
Canon Inc |
静電レンズ
|
|
EP2629317B1
(en)
*
|
2012-02-20 |
2015-01-28 |
ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH |
Charged particle beam device with dynamic focus and method of operating thereof
|
|
JP5970213B2
(ja)
*
|
2012-03-19 |
2016-08-17 |
株式会社ニューフレアテクノロジー |
マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
|
|
WO2013142068A1
(en)
*
|
2012-03-19 |
2013-09-26 |
Kla-Tencor Corporation |
Pillar-supported array of micro electron lenses
|
|
US10586625B2
(en)
|
2012-05-14 |
2020-03-10 |
Asml Netherlands B.V. |
Vacuum chamber arrangement for charged particle beam generator
|
|
US11348756B2
(en)
|
2012-05-14 |
2022-05-31 |
Asml Netherlands B.V. |
Aberration correction in charged particle system
|
|
US9824851B2
(en)
*
|
2013-01-20 |
2017-11-21 |
William M. Tong |
Charge drain coating for electron-optical MEMS
|
|
CN105874559B
(zh)
|
2013-11-14 |
2018-11-23 |
迈普尔平版印刷Ip有限公司 |
多电极电子光学系统
|
|
DE102015202172B4
(de)
|
2015-02-06 |
2017-01-19 |
Carl Zeiss Microscopy Gmbh |
Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts
|
|
KR20160102588A
(ko)
*
|
2015-02-20 |
2016-08-31 |
선문대학교 산학협력단 |
나노구조 팁의 전자빔의 밀도를 향상시키는 전자방출원을 구비한 초소형전자칼럼
|
|
US10242839B2
(en)
*
|
2017-05-05 |
2019-03-26 |
Kla-Tencor Corporation |
Reduced Coulomb interactions in a multi-beam column
|
|
KR102460680B1
(ko)
|
2017-10-02 |
2022-10-28 |
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. |
하전 입자 빔들을 사용하는 장치
|
|
DE102018202421B3
(de)
|
2018-02-16 |
2019-07-11 |
Carl Zeiss Microscopy Gmbh |
Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
|
|
DE102018202428B3
(de)
|
2018-02-16 |
2019-05-09 |
Carl Zeiss Microscopy Gmbh |
Vielstrahl-Teilchenmikroskop
|
|
CN112055886A
(zh)
|
2018-02-27 |
2020-12-08 |
卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 |
带电粒子多束系统及方法
|
|
US10811215B2
(en)
|
2018-05-21 |
2020-10-20 |
Carl Zeiss Multisem Gmbh |
Charged particle beam system
|
|
DE102018115012A1
(de)
*
|
2018-06-21 |
2019-12-24 |
Carl Zeiss Microscopy Gmbh |
Teilchenstrahlsystem
|
|
DE102018007455B4
(de)
|
2018-09-21 |
2020-07-09 |
Carl Zeiss Multisem Gmbh |
Verfahren zum Detektorabgleich bei der Abbildung von Objekten mittels eines Mehrstrahl-Teilchenmikroskops, System sowie Computerprogrammprodukt
|
|
DE102018007652B4
(de)
|
2018-09-27 |
2021-03-25 |
Carl Zeiss Multisem Gmbh |
Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen
|
|
DE102018124044B3
(de)
|
2018-09-28 |
2020-02-06 |
Carl Zeiss Microscopy Gmbh |
Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
|
|
DE102018124219A1
(de)
|
2018-10-01 |
2020-04-02 |
Carl Zeiss Microscopy Gmbh |
Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben eines solchen
|
|
CN111477530B
(zh)
|
2019-01-24 |
2023-05-05 |
卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 |
利用多束粒子显微镜对3d样本成像的方法
|
|
TWI743626B
(zh)
|
2019-01-24 |
2021-10-21 |
德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 |
包含多束粒子顯微鏡的系統、對3d樣本逐層成像之方法及電腦程式產品
|
|
DE102019004124B4
(de)
|
2019-06-13 |
2024-03-21 |
Carl Zeiss Multisem Gmbh |
Teilchenstrahl-System zur azimutalen Ablenkung von Einzel-Teilchenstrahlen sowie seine Verwendung und Verfahren zur Azimut-Korrektur bei einem Teilchenstrahl-System
|
|
DE102019005362A1
(de)
|
2019-07-31 |
2021-02-04 |
Carl Zeiss Multisem Gmbh |
Verfahren zum Betreiben eines Vielzahl-Teilchenstrahlsystems unter Veränderung der numerischen Apertur, zugehöriges Computerprogrammprodukt und Vielzahl-Teilchenstrahlsystem
|
|
DE102019008249B3
(de)
|
2019-11-27 |
2020-11-19 |
Carl Zeiss Multisem Gmbh |
Teilchenstrahl-System mit einer Multistrahl-Ablenkeinrichtung und einem Strahlfänger, Verfahren zum Betreiben des Teilchenstrahl-Systems und zugehöriges Computerprogrammprodukt
|
|
WO2021156198A1
(en)
|
2020-02-04 |
2021-08-12 |
Carl Zeiss Multisem Gmbh |
Multi-beam digital scan and image acquisition
|
|
JP7409946B2
(ja)
*
|
2020-04-13 |
2024-01-09 |
株式会社ニューフレアテクノロジー |
マルチ荷電粒子ビーム照射装置及びマルチ荷電粒子ビーム検査装置
|
|
TW202220012A
(zh)
|
2020-09-30 |
2022-05-16 |
德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 |
在可調工作距離附近具快速自動對焦之多重粒子束顯微鏡及相關方法
|
|
DE102021200799B3
(de)
|
2021-01-29 |
2022-03-31 |
Carl Zeiss Multisem Gmbh |
Verfahren mit verbesserter Fokuseinstellung unter Berücksichtigung eines Bildebenenkipps in einem Vielzahl-Teilchenstrahlmikroskop
|
|
DE102021116969B3
(de)
|
2021-07-01 |
2022-09-22 |
Carl Zeiss Multisem Gmbh |
Verfahren zur bereichsweisen Probeninspektion mittels eines Vielstrahl-Teilchenmikroskopes, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenmikroskop zur Halbleiterprobeninspektion
|
|
US20230041174A1
(en)
*
|
2021-08-08 |
2023-02-09 |
ViaMEMS Technologies, Inc. |
Electrostatic devices to influence beams of charged particles
|