JP2005057110A - マルチ荷電ビームレンズおよびそれを用いた荷電ビーム露光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 3枚以上の電極基板が間に絶縁体を挟んで積み重ねられているマルチ荷電ビームレンズにおいて、少なくとも1枚の電極基板の、前記絶縁体と接する部位を電圧印加部から絶縁する。
【選択図】 図1
Description
このシステムによるマルチ荷電ビーム露光装置においてはマルチ荷電ビームレンズのレンズ数により荷電ビームの本数が決まるため、レンズ数がスループットを決定する大きな要因となる。このためレンズの小型化および高密度化を進めながら如何にレンズ性能を高めていくかが、マルチ荷電ビーム露光装置の性能向上における重要なファクターのひとつである。
非特許文献1は、マイクロメカニクス技術により作製した電極をSiの結晶異方性エッチングにより作製したV溝とファイバとを陽極接合することで、静電単一レンズである3枚の電極からなる3次元構造体を形成することを開示している。Siには、メンブレン枠とメンブレンと該メンブレンに電子ビームが通過する開口を設ける。
また、非特許文献2は、陽極接合法を利用してSiとパイレックスガラスが複数積層して接合された構造体を開示するもので、アライメントされたマイクロカラム用電子レンズを作製する。
また、非特許文献3は、レンズ開口配列を有する3枚電極でアインツェルレンズ配列にした構成を開示する。このように構成した静電型レンズでは、一般的に3枚の電極のうち中央の電極に電圧を印加し、他の2枚を接地することでレンズ作用を得ることができる。
A.D. Feinerman等(J. Vac. Sci. Technol. A 10(4), p611, 1992) K.Y. Lee等(J. Vac. Sci. Technol. B12 (6), p3425, 1994) Sasaki(J. Vac. Sci. Technol. 19, 963 (1981))
すなわち、電極が絶縁体にとって背後電極となる構成であり、また、絶縁体と真空領域と電極との境界からなる三重点における電界電子放出による電子の発生、絶縁体表面における二次電子なだれ現象などにより、絶縁体表面における沿面放電が生じやすい。この沿面放電により、電子レンズの動作電圧の低下や、動作信頼性の低下が生じる可能性がある。
本発明は、以上の背景に鑑みてなされたものであり、より沿面放電の生じにくい高性能で信頼性の高いマルチ荷電ビームレンズの提供を目的とする。
[実施形態1] マルチ荷電ビームレンズであって、
荷電ビームを通す複数の開口を有する少なくとも3枚の電極基板と、前記少なくとも3枚の電極基板の間に配置された絶縁体とを備え、
前記少なくとも3枚の電極基板のうち少なくとも1枚の電極基板が、電圧印加部と、絶縁部とにより構成され、
前記電極基板の前記絶縁体と接している部位と前記電圧印加部とが前記絶縁部を介して配置されていることを特徴とするマルチ荷電ビームレンズ。
[実施形態2] 前記電極基板の前記絶縁体と接している部位が前記絶縁部であることを特徴とする実施形態1に記載のマルチ荷電ビームレンズ。
[実施形態4] 前記半導体部が絶縁層で覆われていることを特徴とする実施形態3に記載のマルチ荷電ビームレンズ。
ここで、基板の材料は、導体、半導体、絶縁体のいずれでもよい。導体または半導体基板を用いる場合は、基板表面を前記絶縁部となる絶縁層で覆い、電圧印加部および半導体部はその絶縁層上に形成するとよい。前記半導体部を覆う絶縁層は、この半導体部の表面を酸化することにより、前記絶縁部となる絶縁層とは別に形成することができる。
[実施形態6] 前記導電体膜は貴金属であることを特徴とする実施形態5に記載のマルチ荷電ビームレンズ。この実施形態6によれば、金属膜が酸化することなく電圧印加部を導電体として保持することが可能となる。
[実施形態8] 前記電極基板の材料がシリコンであることを特徴とする実施形態1乃至実施形態7に記載のマルチ荷電ビームレンズ。この実施形態8によれば、基板材料にシリコンを用いることで、反応性イオンエッチングや強アルカリによるウエットエッチングを行うことができ、容易に加工を行うことができる。
[実施形態9] 前記少なくとも3枚の電極基板は、位置決め用の凹部を有し、前記絶縁体は、前記凹部に配置されていることを特徴とする実施形態1乃至実施形態8のいずれか1つに記載のマルチ荷電ビームレンズ。この実施形態9によれば、電極基板間の沿面放電を生じにくくしたマルチ荷電ビームレンズを位置合わせしながら容易に組み立てることが可能となる。
[実施形態11] 前記絶縁体の形状が円柱であることを特徴とする実施形態1乃至実施形態10のいずれか1項に記載のマルチ荷電ビームレンズ。
実施形態10または実施形態11によれば、電極基板間の沿面放電を生じにくくしたマルチ荷電ビームレンズを高精度に位置合わせしながら容易に組み立てることが可能となる。
前記荷電ビーム露光装置が、
荷電ビームを放射する荷電粒子源と、
前記荷電粒子源の中間像を複数形成する第1の電子光学系と、
前記第1の電子光学系によって形成される複数の中間像をウエハ上に投影する第2の電子光学系と、
前記ウエハを保持し所定の位置に駆動して位置決めする位置決め装置とを有し、
前記第1の電子光学系が、
実施形態1乃至実施形態11のいずれか1項に記載のマルチ荷電ビームレンズを有する
ことを特徴とする荷電ビーム露光装置。
この実施形態12による、荷電ビーム露光装置は、前記マルチ荷電ビームレンズが沿面放電の生じにくい高性能で信頼性の高いものであるため、高い信頼性を有する。
[第1の実施例]
図1は、本発明の一実施例に係るマルチ荷電ビームレンズの構造を模式的に示す断面図である。このマルチ荷電ビームレンズ100は、3枚の電極基板110a、110b、110cを絶縁体160を介して配置した構造を有する。3枚の電極基板110a、110b、110cにはそれぞれ開口部130a、130b、130c、電圧印加部140a、140b、140c、絶縁部150a、150b、150c、組み立て用溝120a、120b、120cが形成されており、これらの溝120a、120b、120c間に絶縁体160を配置することにより、3枚の電極基板110a、110b、110cが互いに位置決めされる。この実施例では、上部電極基板の電圧印加部140a、中間電極基板の電圧印加部140b、下部電極基板の電圧印加部140cのうち上部電極基板電圧印加部140aと下部電極基板電圧印加部140cとに同一電位が与えられる。
中間電極基板の電圧印加部分140bには、図1に示すように、典型的には、上部電極基板の電圧印加部分140aおよび下部電極基板の電圧印加部分140cの電位に対して負の電位が与えられる。
この実施例では、マルチ荷電ビームレンズ100は、3枚の電極基板で構成されているが、電極基板の枚数は、3枚に限られるものではなく、他の枚数であってもよい。
以上の工程により得られた電極基板の組み立て用溝120に絶縁体160(図1)を配置し、さらに電極基板110を重ねていくことで図1に示したマルチ荷電ビームレンズ100を得ることができる。
なお、図1に示す模式的な断面図においては、4つの開口部からなる、4つの電子レンズが示されているが、電子レンズは、1次元又は2次元において設計仕様に応じた個数だけ配置されうる。典型的なマルチ荷電ビームレンズにおいては、数100〜数1000個の電子レンズが2次元状に配置されうる。
21、22、23、24は磁界レンズアレイであって、3×3に配列された同一形状の開孔を有する磁性体円板MDを間隔を置いて上下に配置し、共通のコイルCCによって励磁したものである。その結果、各開口部分が各磁界レンズMLの磁極となり、設計上レンズ磁界を発生させる。
5は、ウエハ4を載置し、光軸AX(Z軸)と直交するXY方向とZ軸回りの回転方向に移動可能なステージであって、ステージ基準板6が固設されている。
7は、電子ビームによってステージ基準板6上のマークが照射された際に生じる反射電子を検出する反射電子検出器である。
101は、電子銃が形成する電子源(クロスオーバ像)である。この電子源101から放射される電子ビームは、コンデンサーレンズ102によって略平行な電子ビームとなる。本実施例のコンデンサーレンズ102は、3枚の開口電極からなる静電レンズである。
この時、複数の中間像がウエハ4に投影される際の光学特性のうち、像の回転と倍率は、ブランカーアレイ上の各中間像の位置を調整できる偏向器アレイ105、106で調整でき、焦点位置は、カラム毎に設けられたダイナミックフォーカスレンズ(静電もしくは磁界レンズ)108、109で調整できる。
この実施例は、絶縁層で覆われた半導体部が絶縁体と接している構造を採用した具体例を提供する。図7は、本発明の第2の実施例に係るマルチ荷電ビームレンズの構造を模式的に示す断面図である。
このマルチ荷電ビームレンズ700は、3枚の電極基板710a、710b、710cを絶縁体780を介して配置した構造を有する。3枚の電極基板710a、710b、710cにはそれぞれ開口部730a、730b、730c、電圧印加部740a、740b、740c、絶縁部750a、750b、750c、組み立て用溝720a、720b、720c、半導体部760a、760b、760c、絶縁層770a、770b、770cが形成されており、これらの溝720a、720b、720c間に絶縁体780を配置することにより、3枚の電極基板710a、710b、710cが互いに位置決めされる。
ここで、各電極基板の絶縁体780と接している部位(この場合は溝720a、720b、720cのエッジ部分)と電圧印加部740a、740b、740cは絶縁部750a、750b、750c、半導体部760a、760b、760c、絶縁層770a、770b、770c、を介して配置されており、絶縁体780の表面で起こる沿面放電を低減することができる。
この実施例では、マルチ荷電ビームレンズ700は、3枚の電極基板で構成されているが、電極基板の枚数は、3枚に限られるものではなく、他の枚数であってもよい。
なお、3枚以上の電極基板でマルチ荷電ビームレンズを構成する場合においても、上記と同様の方法を適用してマルチ荷電ビームレンズを作製することができる。
ここで例示的に説明したマルチ荷電ビームレンズも、第1の実施例と同様に、図3に例示的に示す電子ビーム露光装置のような荷電ビーム露光装置に適用することができ、そのような荷電ビーム露光装置は半導体デバイス等のデバイスの製造に好適である。
次に上記説明した電子ビーム露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図9は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ2(EBデータ変換)では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。
本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の微小デバイスを低コストに製造することができる。
110a、b、c 電極基板
130a、b、c 開口部
140a、b、c 電圧印加部
150a、b、c 絶縁部
160 絶縁体
201 シリコンウエハ
202 マスク
203 導電体膜
204 マスク
220 組み立て用溝
230 レンズ開口
250 絶縁部
1 マルチソースモジュール
21、22、23、24 磁界レンズアレイ
3 主偏向器
4 ウエハ(被露光基板)
5 ステージ
6 ステージ基準板
101 電子源
102 コンデンサーレンズ
103 アパーチャアレイ
104 レンズアレイ
105、106 偏向器アレイ
107 ブランカーアレイ
108、109 ダイナミックフォーカスレンズ
41 ブランカーアレイ制御回路
42 偏向器アレイ制御回路
43 D_FOCUS制御回路
44 主偏向制御回路
45 反射電子検出回路
46 磁界レンズアレイ制御回路
47 ステージ駆動制御回路
48 主制御系
700 マルチ荷電ビームレンズ
710a、b、c 電極基板
720a、b、c 組み立て用溝
730a、b、c 開口部
740a、b、c 電圧印加部
750a、b、c 絶縁部
760a、b、c 半導体部
770a、b、c 絶縁層
780 絶縁体
800 SOIウエハ
801 シリコン層
802 二酸化シリコン層
803 シリコン層
804 マスク
805 マスク
806 犠牲層
807 導電体膜
808 電圧印加部
810 電極基板
821 組み立て用溝
822 組み立て用溝
830 レンズ開口
860 半導体部
870 絶縁層
MLA 磁界レンズアレイ
ML 磁界レンズ
MD 磁性体円板
CC 共通コイル
Claims (13)
- 荷電ビームを通す複数の開口を有する少なくとも3枚の基板が間に絶縁体を挟んで積み重ねられているマルチ荷電ビームレンズであって、
前記少なくとも3枚の基板のうち少なくとも1枚の基板が電圧印加部と絶縁部とを備え、該基板の前記絶縁体と接している部位と前記電圧印加部との間に絶縁部が配置されている
ことを特徴とするマルチ荷電ビームレンズ。 - 前記基板の前記絶縁体と接している部位が前記絶縁部であることを特徴とする請求項1に記載のマルチ荷電ビームレンズ。
- 前記少なくとも1枚の基板が前記電圧印加部と絶縁された半導体部をさらに備え、該半導体部が前記絶縁体と接していることを特徴とする請求項1に記載のマルチ荷電ビームレンズ。
- 前記半導体部が絶縁層で覆われていることを特徴とする請求項3に記載のマルチ荷電ビームレンズ。
- 前記電圧印加部は前記基板の上に導電体膜を形成したものであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のマルチ荷電ビームレンズ。
- 前記導電体膜は貴金属であることを特徴とする請求項5に記載のマルチ荷電ビームレンズ。
- 前記絶縁部が二酸化シリコンであることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載のマルチ荷電ビームレンズ。
- 前記基板の材料が導体または半導体であることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のマルチ荷電ビームレンズ。
- 前記少なくとも3枚の電極基板は、前記絶縁体との接触面に位置決め用の凹部を有し、前記絶縁体は、前記凹部に配置されていることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のマルチ荷電ビームレンズ。
- 前記凹部の形状が溝であることを特徴とする請求項9に記載のマルチ荷電ビームレンズ。
- 前記絶縁体の形状が円柱であることを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれか1項に記載のマルチ荷電ビームレンズ。
- 荷電ビームを用いて被露光基板を露光する荷電ビーム露光装置であって、
荷電ビームを放射する荷電粒子源と、
前記荷電粒子源の中間像を複数形成する第1の電子光学系と、
前記第1の電子光学系によって形成される複数の中間像を被露光基板上に投影する第2の電子光学系と、
前記被露光基板を保持し所定の位置に駆動して位置決めする位置決め装置とを有し、
前記第1の電子光学系が、請求項1乃至請求項11のいずれか1項に記載のマルチ荷電ビームレンズを用いたものである
ことを特徴とする荷電ビーム露光装置。 - 請求項12に記載の荷電ビーム露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (3)
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