JP2005053900A

JP2005053900A - ピロメテン化合物、それを用いた発光素子材料ならびに発光素子

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Publication number: JP2005053900A
Application number: JP2004209554A
Authority: JP
Inventors: Takenori Fujiwara; 健典藤原; Seiichiro Murase; 清一郎村瀬; Takeshi Tominaga; 剛富永
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 2003-07-23
Filing date: 2004-07-16
Publication date: 2005-03-03
Anticipated expiration: 2024-07-16
Also published as: JP4710268B2

Abstract

【課題】真空蒸着時に分解せずに成膜でき、発光効率が高く、色純度に優れ、素子寿命が長い発光素子を可能にする新規ピロメテン化合物、およびそれを用いた発光素子を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示されるピロメテン化合物であり、該化合物が有する分解温度が昇華温度より高いことを特徴とするピロメテン化合物。
【化１】

（Ｒ^１〜Ｒ^４は同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基、隣接置換基との間に形成される縮合環および脂肪族環の中から選ばれる。Ａｒ^１〜Ａｒ^５はアリール基を表す。）
【選択図】なし

Description

本発明は、蛍光色素として有用なピロメテン化合物およびそれを用いた発光素子に関するものである。

陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する際に発光するという有機積層薄膜発光素子の研究が近年活発に行われている。この素子は、薄型、低駆動電圧下での高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによる多色発光が特徴であり注目を集めている。

この研究はコダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらが有機積層薄膜素子が高輝度に発光することを示して以来、多くの研究機関が検討を行っている。コダック社の研究グループが提示した有機積層薄膜発光素子の代表的な構成は、ＩＴＯガラス基板上に正孔輸送性のジアミン化合物、発光層である８−ヒドロキシキノリンアルミニウム、そして陰極としてＭｇ：Ａｇを順次設けたものであり、１０Ｖ程度の駆動電圧で１０００ｃｄ／ｍ^２の緑色発光が可能であった（例えば、非特許文献１参照。）。現在の有機積層薄膜発光素子は、上記の素子構成要素の他に電子輸送層を設けているものなど構成を変えているものもある。

多色発光の中でも赤色発光は、有用なる発光色として研究が進められている。従来、ビス（ジイソプロピルフェニル）ペリレンなどのペリレン系、ペリノン系、ポルフィリン系、Ｅｕ錯体などが赤色発光材料として知られている（例えば、非特許文献２参照。）。

また、赤色発光を得る手法として、ホスト材料の中に微量の赤色蛍光材料をドーパントとして混入させる方法も検討されている。ホスト材料としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（１０−ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、ジアリールブタジエン誘導体、スチルベン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体などがあげられ、その中にドーパントとして４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−Ｈ−ピラン、金属フタロシアニン（ＭｇＰｃ、ＡｌＰｃＣｌなど）化合物、スクアリリウム化合物、ビオラントロン化合物を存在させることによって赤色発光を取り出していた。

また、発光材料、特にドーパントとして、高輝度発光を示す化合物のピロメテン化合物が知られている（例えば、特許文献１参照。）。また、ピロメテン骨格に芳香環等を導入することにより、赤色発光を示すことも知られており、電流効率は最大のもので、５．１ｃｄ／Ａである（例えば、特許文献２参照。）。
"Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．"，５１（１２）２１，ｐ．９１３（１９８７） "Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．"，ｐ．１２６７（１９９１）特開平９−１１８８８０号公報特開２００３−１２６７６号公報

現在、さらなる発光効率や素子寿命の向上、消費電力の低下が求められており、従来技術に用いられる発光材料（ホスト材料、ドーパント材料）では、それらの特性が不十分である。特に、素子寿命は、長時間の通電による素子からの発熱により結晶化し、素子寿命が短くなってしまうものである。一方、この結晶化を抑えるためにアモルファス性を付与した材料は、昇華性が悪いために発光材料の真空蒸着温度（昇華温度と同義）が分解温度よりも高くなってしまい、真空蒸着時に分解や重合などの変性が起こってしまうという問題がある。また、フルカラーディスプレイに必要な三原色の内、緑色発光においては高性能の発光材料が見い出されているが、青色や赤色、特に赤色においては十分な特性、とりわけ高輝度、高色純度、長寿命である発光材料は得られていなかった。

本発明は、かかる従来技術の問題を解決し、真空蒸着時に分解せずに成膜でき、発光効率が高く、色純度に優れ、素子寿命が長い発光素子を可能にする新規ピロメテン化合物、およびそれを用いた発光素子を提供する。

すなわち本発明は、一般式（１）で示されるピロメテン化合物であり、該化合物が有する分解温度が昇華温度より高いことを特徴とするピロメテン化合物である。

（Ｒ^１〜Ｒ^４は同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基、隣接置換基との間に形成される縮合環および脂肪族環の中から選ばれる。Ａｒ^１〜Ａｒ^５はアリール基を表す。）
さらに本発明は陽極と陰極の間に発光層が存在し、電気エネルギーにより発光する発光素子であって、該発光素子が一般式（１）で示されるピロメテン化合物を含むことを特徴とする発光素子である。

本発明は、発光素子等に利用可能な高蛍光性のピロメテン化合物を提供できる。また、本発明のピロメテン化合物を用いることにより、真空蒸着時に分解や重合などの変性が起こらず、発光効率かつ高色純度かつ長寿命の発光素子を提供できる。

一般的なピロメテン化合物は下記一般式（５）で示される。

Ｒ^２０、Ｒ^２１およびＬは同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基、隣接置換基との間に形成される縮合環および脂肪族環の中から選ばれる。Ｍはｍ価の金属を表し、ホウ素、ベリリウム、マグネシウム、クロム、鉄、ニッケル、銅、亜鉛、白金、アルミニウムから選ばれる少なくとも一種である。Ａｒ^６〜Ａｒ^１０はアリール基を表す。

これらの置換基の内、アルキル基とは例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基などの飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。また、シクロアルキル基とは例えばシクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ノルボルニル、アダマンチルなどの飽和脂環式炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。また、アラルキル基とは例えばベンジル基、フェニルエチル基などの脂肪族炭化水素を介した芳香族炭化水素基を示し、脂肪族炭化水素と芳香族炭化水素はいずれも無置換でも置換されていてもかまわない。また、アルケニル基とは例えばビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの二重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。また、シクロアルケニル基とは例えばシクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキセン基などの二重結合を含む不飽和脂環式炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。また、アルキニル基とは例えばアセチレニル基などの三重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。また、アルコキシ基とは例えばメトキシ基などのエーテル結合を介した脂肪族炭化水素基を示し、脂肪族炭化水素基は無置換でも置換されていてもかまわない。また、アルキルチオ基とはアルコキシ基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。また、アリールエーテル基とは例えばフェノキシ基などのエーテル結合を介した芳香族炭化水素基を示し、芳香族炭化水素基は無置換でも置換されていてもかまわない。また、アリールチオエーテル基とはアリールエーテル基のエーテル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。また、アリール基とは例えばフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、ターフェニル基、ピレニル基などの芳香族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。また、複素環基とは例えばフリル基、チエニル基、オキサゾリル基、ピリジル基、キノリル基、カルバゾリル基などの炭素以外の原子を有する環状構造基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。ハロゲンとはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素を示す。ハロアルカン、ハロアルケン、ハロアルキンとは例えばトリフルオロメチル基などの、前述のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基の一部あるいは全部が、前述のハロゲンで置換されたものを示し、残りの部分は無置換でも置換されていてもかまわない。アルデヒド基、カルボニル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基には脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環などで置換されたものも含み、さらに脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環は無置換でも置換されていてもかまわない。シリル基とは例えばトリメチルシリル基などのケイ素化合物基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。シロキサニル基とは例えばトリメチルシロキサニル基などのエーテル結合を介したケイ素化合物基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわない。隣接置換基との間に形成される縮合環または脂肪族環は無置換でも置換されていてもかまわない。

また、一般式（５）で表される化合物の中で、本発明は分解温度が昇華温度より高いピロメテン化合物の一般式（１）で示されるホウ素錯体であり、蛍光量子収率が高いので、好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^４は同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基、隣接置換基との間に形成される縮合環および脂肪族環の中から選ばれる。Ａｒ^１〜Ａｒ^５はアリール基を表す。

これらの置換基については上記一般式（５）の説明と同様である。

上記Ａｒ^１〜Ａｒ^４は無置換または置換アリール基を示すが、これらのＡｒ^１〜Ａｒ^４のうち少なくとも１つ、好ましくは２つ以上、さらに好ましくはすべてがメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するフェニル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から少なくとも１つの置換基を有するフェノキシ基で置換されていると、真空蒸着温度よりも高い耐熱性を維持し、かつ、薄膜中での分散性が向上し、高輝度発光が得られる。特に、発光特性と耐熱性の点から、Ａｒ^１〜Ａｒ^４はメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基が置換していることが好ましい。

上記Ａｒ^５は無置換または置換アリール基を示すが、発光特性と耐熱性の点から下記の構造であることが好ましい。Ａｒ^５は、Ａｒ^１〜Ａｒ^４のうち少なくとも１つが、無置換あるいはメトキシ基、ｔ−ブチル基の中から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するフェニル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から少なくとも１つの置換基を有するフェノキシ基の中から選ばれる１つ以上の置換基で置換されているとき、下記一般式（２）で表されることが好ましい。

Ｒ^５〜Ｒ^９はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、メチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するフェニル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から少なくとも１つの置換基を有するフェノキシ基の中から選ばれる。

また、上記Ａｒ^５は、Ａｒ^１〜Ａｒ^４のうち少なくとも１つが、メチル基、メトキシ基の中から選ばれる１つ以上の置換基で置換されているとき、Ａｒ^５が下記一般式（３）で表されることが好ましい。

Ｒ^１１〜Ｒ^１３はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、メチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するフェニル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から少なくとも１つの置換基を有するフェノキシ基の中から選ばれる。Ｒ^１０とＲ^１４はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、メトキシ基、ｔ−ブチル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するフェニル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から少なくとも１つの置換基を有するフェノキシ基の中から選ばれるが、Ｒ^１０とＲ^１４が同時に水素となるときは、Ｒ^１１〜Ｒ^１３の少なくとも１つはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するフェニル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から少なくとも１つの置換基を有するフェノキシ基から選ばれる。

また、上記のＡｒ^５は、Ａｒ^１〜Ａｒ^４のうち少なくとも１つがｔ−ブチル基で置換されているとき、Ａｒ^５が下記一般式（４）で表されることが好ましい。

Ｒ^１６〜Ｒ^１８はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、メチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基、無置換あるいはメトキシ基、ｔ−ブチル基の中から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するフェニル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から少なくとも１つの置換基を有するフェノキシ基の中から選ばれる。Ｒ^１５とＲ^１９はそれぞれ同じであっても、異なっていてもよく、水素、メトキシ基、ｔ−ブチル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するフェニル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から少なくとも１つの置換基を有するフェノキシ基から選ばれる。

材料の入手しやすさや、合成の容易さを考えると上記一般式（１）のＲ^３およびＲ^４はともにフッ素であることが好ましい。上記のようなピロメテン化合物として具体的には以下のような化合物があげられる。

本発明のピロメテン化合物は、例えば以下の方法により製造することができる。

下記一般式（６）で表される化合物と一般式（７）で表される化合物をオキシ塩化リン存在下、１，２−ジクロロエタン中で加熱した後、下記一般式（８）で表される化合物をトリエチルアミン存在下、１，２−ジクロロエタン中で反応させることにより、一般式（１）の化合物を得ることができる。ここで、Ａｒ^１〜Ａｒ^５、Ｒ^１〜Ｒ^４は前記と同じである。Ｊはハロゲンを表す。

また、本発明の一般式（１）で表されるピロメテン化合物は、真空蒸着温度、つまり昇華温度よりも分解温度が高いことがよい。昇華温度は分解温度よりも１０℃以上、さらに好ましくは２０℃以上、さらに好ましくは３０℃以上高いことが、真空蒸着プロセスの許容幅が広がる点から好ましい。真空蒸着温度より分解温度が低いと、成膜中に分解や重合などの変性が起こってしまうという問題が生じる。特に、一般式（１）で表されるピロメテン化合物をドーパント材料として用いる場合、ホスト材料などに比べて蒸着源の中で長時間加熱されるので、耐熱性が高いことが好ましい。また、蒸着源の中で溶融すると、昇華性が低下して変性する可能性が高いので、融点は高いことが好ましい。融点は２００℃以上、好ましくは２５０℃以上、さらに好ましくは３００℃以上である。

本発明において、一般式（１）で表されるピロメテン化合物は発光素子材料として、好適に用いられる。

本発明の発光素子材料は、一般式（１）で表されるピロメテン化合物のみからなるものであっても良いし、材料のハンドリング性等の理由により、適宜、その他の材料を添加しても良い。

次に、本発明の発光素子について詳細に説明する。陽極は、光を取り出すために透光性であれば良く、使用する素材としては、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）などの導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性ポリマなど特に限定されるものでないが、ＩＴＯガラスやネサガラスを用いることが特に望ましい。

透明電極である陽極の抵抗は、素子の発光に十分な電流が供給できればよいので限定されないが、素子の消費電力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば、３００Ω／□以下のＩＴＯ基板であれば素子電極として機能するが、現在では１０Ω／□程度の基板の供給も可能になっていることから、低抵抗品を使用することが特に望ましい。ＩＴＯの厚みは、抵抗値に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常１００〜３００ｎｍの間で用いられることが多い。また、ガラス基板はソーダライムガラス、無アルカリガラスなどが用いられ、また厚みも機械的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、０．５ｍｍ以上あれば十分である。ガラスの材質については、ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカリガラスが好ましいが、ＳｉＯ_２などのバリアコートを施したソーダライムガラスなど市販されているガラスを使用できる。ＩＴＯ膜形成方法は、電子線ビーム法、スパッタリング法、化学反応法などを使用することができ、特に制限を受けるものではない。

陰極に使用する素材は、電子を本有機物層に効率良く注入できる物質であれば特に限定されず、例えば、白金、金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウムなどを使用することができる。電子注入効率をあげて素子特性を向上させるためには、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウムまたはこれらの低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかし、これらの低仕事関数金属は、一般に大気中で不安定であることが多く、例えば、有機層に微量のリチウムやマグネシウム（例えば、真空蒸着の膜厚計表示で１ｎｍ以下）をドーピングして安定性の高い電極を使用する方法が好ましい例として挙げることができるが、フッ化リチウムのような無機塩の使用も可能であることから特にこれらに限定されるものではない。さらに、電極保護のために、白金、金、銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、インジウムなどの金属、またはこれらの金属を用いた合金、そしてシリカ、チタニア、窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコール、塩化ビニル、炭化水素系高分子などを積層することが好ましい例として挙げられる。これらの電極の作製法についてもも、抵抗加熱、電子線ビーム、スパッタリング、イオンプレーティング、コーティングなど、導通を取ることができれば特に制限されない。

本発明の発光素子に含まれる発光素子材料としては、自ら発光するもの、その発光を助けるもののいずれかに該当し、発光に関与している化合物を指すものである。具体的には、正孔輸送材料、発光材料、電子輸送材料などが該当する。

また、本発明の発光素子は発光素子用材料を含む層により形成され、例えば、１）正孔輸送層／発光層、２）正孔輸送層／発光層／電子輸送層、３）発光層／電子輸送層、そして、４）以上の組合わせ物質を一層に混合した形態のいずれであってもよい。即ち、素子構成としては、上記１）〜３）の多層積層構造の他に４）のように発光材料単独または発光材料と正孔輸送材料や電子輸送材料を含む層を一層設けるだけでもよい。

正孔輸送層は、正孔輸送材料の一種または二種以上を積層、混合するか正孔輸送性物質と高分子結着剤の混合物により形成することができる。正孔輸送性物質としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミンなどのトリフェニルアミン類、ビス（Ｎ−アリルカルバゾール）またはビス（Ｎ−アルキルカルバゾール）類、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、オキサジアゾール誘導体やフタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体に代表される複素環化合物、ポリマー系では前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリシランなどが好ましく使用される。ただし、素子作製に必要な薄膜を形成し、陽極から正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であれば特に限定されるものではない。

本発明における発光層は、発光材料（ホスト材料、ドーパント材料）により形成され、これはホスト材料とドーパント材料との混合物であっても、ホスト材料単独であっても、いずれでもよい。ホスト材料とドーパント材料は、それぞれ一種類であっても、複数の組み合わせであっても、いずれでもよい。ドーパント材料はホスト材料の全体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれであってもよい。ドーパント材料は積層されていても、分散されていても、いずれであってもよい。

本発明ピロメテン化合物は発光材料として好適に用いられる。ホスト材料として用いてもよいが、蛍光量子収率が高いことや、発光スペクトルの半値幅が小さいことから、ドーパント材料として好適に用いられる。

ドーピング量は、多すぎると濃度消光現象が起きるため、ホスト物質に対して１０重量％以下で用いることが好ましく、更に好ましくは２重量％以下である。ドーピング方法としては、ホスト材料との共蒸着法によって形成することができるが、ホスト材料と予め混合してから同時に蒸着しても良い。また、ドーパント材料はホスト材料の全体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれであってもよい。ドーパント材料は積層されていても、分散されていても、いずれであってもよい。さらに、ピロメテン化合物は、極めて微量でも発光することから微量のピロメテン化合物をホスト材料にサンドイッチ状に挟んで使用することも可能である。この場合、一層でも二層以上ホスト材料と積層しても良い。発光材料に添加するドーパント材料は、前記ピロメテン化合物一種のみに限る必要はなく、複数のピロメテン化合物を混合して用いたり、既知のドーパント材料の一種類以上をピロメテン化合物と混合して用いてもよい。具体的には従来から知られている、ビス（ジイソプロピルフェニル）ペリレンテトラカルボン酸イミドなどのナフタルイミド誘導体、ペリノン誘導体、アセチルアセトンやベンゾイルアセトンとフェナントロリンなどを配位子とするＥｕ錯体などの希土類錯体、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランやその類縁体、マグネシウムフタロシアニン、アルミニウムクロロフタロシアニンなどの金属フタロシアニン誘導体、ローダミン化合物、デアザフラビン誘導体、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体、フェノキサジン誘導体、オキサジン化合物、ポルフィリン白金錯体やトリス（２−フェニルピリジル）イリジウム錯体、トリス｛２−（２−チオフェニル）ピリジル｝イリジウム錯体などのイリジウム錯体などを共存させることができるが特にこれらに限定されるものではない。

ホスト材料としては特に限定されるものではないが、以前から発光体として知られていたアントラセンやピレンなどの縮合環誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムをはじめとする金属キレート化オキシノイド化合物、ビススチリルアントラセン誘導体やジスチリルベンゼン誘導体などのビススチリル誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、ピロロピロール誘導体、４，４’−ビス（カルバゾリル−Ｎ−イル）−４，４’−ジフェニルやＮ，Ｎ’−ジフェニル−３，３’−ビスカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミンなどのトリフェニルアミン化合物、インドール誘導体、トリアゾール、オキサジアゾール、イミダゾールなどのアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体、ナフチリジン誘導体、ビピリジン、ターピリジンなどのオリゴピリジン誘導体、ポルフィリン白金錯体やトリス（２−フェニルピリジル）イリジウム錯体、トリス｛２−（２−チオフェニル）ピリジル｝イリジウム錯体などのイリジウム錯体など、ポリマー系では、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、そして、ポリチオフェン誘導体などが使用できる。

本発明における電子輸送性材料としては、電界を与えられた電極間において陰極からの電子を効率良く輸送することが必要で、電子注入効率が高く、注入された電子を効率良く輸送することが望ましい。そのためには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発生しにくい物質であることが要求される。このような条件を満たす物質として、８−ヒドロキシキノリンアルミニウムに代表されるキノリノール誘導体化合物、トロポロン化合物、フラボノール化合物、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、ナフタレン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ビススチリル誘導体、ピラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体、芳香族リンオキサイド化合物などがあるが特に限定されるものではない。これらの電子輸送材料は単独でも用いられるが、異なる電子輸送材料と積層または混合して使用しても構わない。

正孔阻止層とは、電界を与えられた電極間において陽極からの正孔が陰極からの電子と再結合することなく移動するのを防止するための層であり、各層を構成する材料の種類によっては、この層を挿入することにより正孔と電子の再結合確率が増加し、発光効率の向上が望める場合がある。したがって、正孔阻止性材料としては正孔輸送性材料よりも最高占有分子軌道レベルがエネルギー的に低く、隣接する層を構成する材料とエキサイプレックスを生成しにくいことが望まれる。陽極からの正孔の移動を効率よく阻止できる化合物が好ましく、電子輸送能の高い材料が正孔阻止能も高いことから、上記電子輸送材料が好ましい例として挙げられる。

以上の正孔輸送層、発光層、電子輸送層、正孔阻止層は単独または二種類以上の材料を積層、混合するか、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キシレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させて用いることも可能である。

発光材料の薄膜形成方法は、抵抗加熱真空蒸着、電子ビーム真空蒸着、スパッタリング、分子積層法、コーティング法など特に限定されるものではないが、通常は、抵抗加熱真空蒸着、電子ビーム真空蒸着が特性面で好ましい。層の厚みは、発光材料の抵抗値にもよるので限定することはできないが、１〜１０００ｎｍの間から選ばれる。

電気エネルギーとは主に直流電流を指すが、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電力、寿命を考慮するとできるだけ低いエネルギーで最大の輝度が得られるようにするべきである。

本発明におけるマトリクスとは、表示のための画素が格子状に配置されたものをいい、画素の集合で文字や画像を表示する。画素の形状、サイズは用途によって決まる。例えばパソコン、モニター、テレビの画像および文字表示には、通常一辺が３００μｍ以下の四角形の画素が用いられるし、表示パネルのような大型ディスプレイの場合は、一辺がｍｍオーダーの画素を用いることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、緑、青の画素を並べて表示させる。この場合、典型的にはデルタタイプとストライプタイプがある。そして、このマトリクスの駆動方法としては、線順次駆動方法やアクティブマトリックスのどちらでもよい。線順次駆動の方が構造が簡単であるという利点があるが、動作特性を考慮した場合、アクティブマトリックスの方が優れる場合があるので、これも用途によって使い分けることが必要である。

本発明におけるセグメントタイプとは、予め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、決められた領域を発光させることになる。例えば、デジタル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ機器や電磁調理器などの動作状態表示、自動車のパネル表示などがあげられる。そして、前記マトリクス表示とセグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよい。

以下、実施例および比較例をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。なお、下記の各実施例にある化合物の番号は前記に記載した化合物の番号を指すものである。また構造分析に関する評価方法を下記に示す。

^１Ｈ−ＮＭＲは超伝導ＦＴＮＭＲＥＸ−２７０（日本電子（株）製）を用い、重クロロホルム溶液にて測定を行った。

元素分析は、ＣＨＮコーダーＭＴ−３型（柳本製作所（株）製）、イオンクロマトグラフィーＤＸ３２０（日本ダイオネクス（株）製）およびシーケンシャル型ＩＣＰ発光分光分析装置ＳＰＳ４０００（セイコーインスツルメンツ（株）製）を用いて測定を行った。

マススペクトルはＪＭＳ−ＤＸ３０３（日本電子（株）製）を用いて測定を行った。

融点の測定は、示差走査熱量計（島津製作所（株）製ＤＳＣ−５０）により、窒素雰囲気中、昇温速度２℃／分で測定した。

蛍光スペクトルはＦ−２５００形蛍光分光光度計（日立製作所（株）製）を用いた。

輝度は輝度計（トプコン社製、ＢＭ−８）を視野角０．２度、レスポンス１ｍｓの条件で用いて測定した。

素子寿命の指標として輝度半減時間を下記のように測定した。４ｍＡ／ｃｍ^２の一定電流で発光させ、その後、発光輝度が半減した時間を測定した。

真空度１×１０^−４Ｐａ以下で、蒸着源の温度を１０℃ずつ上げていき、蒸着膜の堆積速度が０．１ｎｍ／秒以上になった時の蒸着源の温度を昇華温度とした。使用した蒸着源は、窒化アルミニウム製のルツボで、円筒状で容量は１０ｃｃのものを用いた。ルツボの底に熱電対があり、ルツボ底部の温度を測定した。

ピロメテン化合物の分解試験は、上記昇華温度において窒素雰囲気下で２４時間加熱して、加熱前後でのＨＰＬＣ純度変化が１％以上のものを分解したと判断した。つまり、この測定で分解していない材料は、分解温度が昇華温度より高い。

ＨＰＬＣの測定は、（株）島津製作所製ＣＬＡＳＳ−ＶＰを用い、流速は１．０ｍｌ／ｍｉｎ、カラムは関東化学（株）製マイティシルＲＰ−８ＧＰ、カラム温度４５℃、解析は２５４ｎｍで行った。

下記実施例、比較例で使用する材料を下記に示す。

実施例１
化合物〔３〕の合成方法
１，２−ジクロロエタン３０ｍｌ中に、２−（４−ｔ−ブチルベンゾイル）−３，５−ビス（４−メチルフェニル）ピロール４．１ｇ（０．０１モル）、２，４−ビス（４−メチルフェニル）ピロール２．５ｇ（０．０１モル）、オキシ塩化リン１．５ｇを入れ、加熱環流下１２時間反応させた。室温に冷却した後、ジイソプロピルエチルアミン５．２ｇ、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体５．６ｇを加え、６時間撹拌した。５０ｍｌの水を加え、ジクロロメタンを投入後、有機層を抽出し、濃縮して、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーによる精製をした後、さらに昇華精製を行い、赤紫色粉末４．３ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：1.07(s，9H)，2.13(s，6H)，2.39(s，6H)，6.47(t，4H)，6.63(s，8H)，6.75(d，2H)，7.23(d，4H)，7.80(d，4H)
また、元素分析結果は、組成式Ｃ_４７Ｈ_４３ＢＦ_２Ｎ_２として以下のとおりであった。なお括弧内は理論値である。Ｃ：８２．３％（８２．５％）、Ｈ：６．３％（６．３％）、Ｂ：１．６％（１．６％）、Ｆ：６．３％（５．６％）、Ｎ：４．２％（４．１％）。

また、マススペクトルより、目的物の主な分子イオンピークはｍ／Ｚ＝６８４であった。以上のことから、上記生成物である赤紫色粉末は、化合物〔３〕であることが確認された。ピロメテン化合物の分解試験結果、融点、昇華温度は表１に示した。

実施例２
化合物〔４〕の合成方法
２−（２，６−ジメトキシベンゾイル）−３，５−ビス（４−メチルフェニル）ピロール４．１ｇ（０．０１モル）、２，４−ビス（４−メチルフェニル）ピロール２．５ｇを用い、化合物〔３〕と同様に合成した。赤紫色粉末０．７ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：2.14(s，6H)，2.37(s，6H)，3.50(s，6H)，5.61(d，2H)，6.35(s，2H)，6.35(t，1H)，6.55(q，8H)，7.22(d，4H)，7.82(d，4H)
また、元素分析結果は、組成式Ｃ_４５Ｈ_３９ＢＦ_２Ｎ_２Ｏ_２として以下のとおりであった。なお括弧内は理論値である。Ｃ：７８．６％（７８．５％）、Ｈ：５．７％（５．７％）、Ｂ：１．６％（１．６％）、Ｆ：５．４％（５．５％）、Ｎ：４．２％（４．１％）。

また、マススペクトルより、目的物の主な分子イオンピークはｍ／Ｚ＝６８７であった。以上のことから、上記生成物である赤紫色粉末は、化合物〔４〕であることが確認された。ピロメテン化合物の分解試験結果、融点、昇華温度は表１に示した。

実施例３
化合物〔２４〕の合成方法
２−ベンゾイル−３，５−ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ピロール４．４ｇ、２，４−ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ピロール３．３ｇを用い、化合物〔３〕と同様に合成した。赤色粉末４．４ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：1.18(s，18H)，1.35(s，18H)，6.40(t，2H)，6.53-6.66(m，7H)，6.77-6.84(m，6H)，7.46(d，4H)，7.86(d，4H)
また、元素分析結果は、組成式Ｃ_５５Ｈ_５９ＢＦ_２Ｎ_２として以下のとおりであった。なお括弧内は理論値である。Ｃ：８３．１％（８２．９％）、Ｈ：７．７％（７．５％）、Ｂ：１．３％（１．４％）、Ｆ：４．３％（４．８％）、Ｎ：３．５％（３．５％）。

また、マススペクトルより、目的物の主な分子イオンピークはｍ／Ｚ＝７９６であった。以上のことから、上記生成物である赤色粉末は、化合物〔２４〕であることが確認された。ピロメテン化合物の分解試験結果、融点、昇華温度は表１に示した。

実施例４
化合物〔２５〕の合成方法
２−（４−メチルベンゾイル）−３，５−ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ピロール４．５ｇ、２，４−ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ピロール３．３ｇを用い、化合物〔３〕と同様に合成した。赤色粉末４ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：1.20(s，18H)，1.35(s，18H)，1.94(s，3H)，6.22(d，2H)，6.52(s，2H)，6.68(q，6H)，6.86(d，4H)，7.45(d，4H)，7.85(d，4H)
また、元素分析結果は、組成式Ｃ_５６Ｈ_６１ＢＦ_２Ｎ_２として以下のとおりであった。なお括弧内は理論値である。Ｃ：８３．２％（８２．９％）、Ｈ：７．６％（７．６％）、Ｂ：１．３％（１．３３％）、Ｆ：４．０％（４．７％）、Ｎ：３．６％（３．５％）。

また、マススペクトルより、目的物の主な分子イオンピークはｍ／Ｚ＝８１０であった。以上のことから、上記生成物である赤色粉末は、化合物〔２５〕であることが確認された。ピロメテン化合物の分解試験結果、融点、昇華温度は表１に示した。

実施例５
化合物〔２６〕の合成方法
２−（４−メトキシベンゾイル）−３，５−ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ピロール４．７ｇ、２，４−ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ピロール３．３ｇを用い、化合物〔３〕と同様に合成した。赤色粉末５ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：1.20(s，18H)，1.35(s，18H)，3.51(s，3H)，5.94(d，2H)，6.54(s，2H)，6.69(t，6H)，6.89(d，4H)，7.45(d，4H)，7.85(d，4H)
また、元素分析結果は、組成式Ｃ_５６Ｈ_６１ＢＦ_２Ｎ_２Ｏとして以下のとおりであった。なお括弧内は理論値である。Ｃ：８１．３％（８１．３％）、Ｈ：７．５％（７．４％）、Ｂ：１．３％（１．３％）、Ｆ：５．３％（４．６％）、Ｎ：３．４％（３．４％）。

また、マススペクトルより、目的物の主な分子イオンピークはｍ／Ｚ＝８２６であった。以上のことから、上記生成物である赤色粉末は、化合物〔２６〕であることが確認された。ピロメテン化合物の分解試験結果、融点、昇華温度は表１に示した。

実施例６
化合物〔２９〕の合成方法
２−（２，６−ジメトキシベンゾイル）−３，５−ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ピロール５．０ｇ、２，４−ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ピロール３．３ｇを用い、化合物〔３〕と同様に合成した。赤紫色粉末０．３ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：1.20(s，18H)，1.35(s，18H)，3.50(s，6H)，5.56(d，2H)，6.40-6.48(m，3H)，6.72(d，4H)，6.85(d，4H)，7.43(d，4H)，7.87(d，4H)
また、元素分析結果は、組成式Ｃ_５７Ｈ_６３ＢＦ_２Ｎ_２Ｏ_２として以下のとおりであった。なお括弧内は理論値である。Ｃ：７９．９％（７９．９％）、Ｈ：７．５％（７．４％）、Ｂ：１．２％（１．３％）、Ｆ：４．０％（４．４％）、Ｎ：３．４％（３．３％）。

また、マススペクトルより、目的物の主な分子イオンピークはｍ／Ｚ＝８５６であった。以上のことから、上記生成物である赤紫色粉末は、化合物〔２９〕であることが確認された。ピロメテン化合物の分解試験結果、融点、昇華温度は表１に示した。

比較例１
ドーパント材料である下記に示すＤＰＴ１のピロメテン化合物の分解試験結果、融点、昇華温度を表１に示した。

比較例２
ドーパント材料である下記に示すＤＰＴ２のピロメテン化合物の分解試験結果、融点、昇華温度を表１に示した。

実施例７
化合物〔３〕を用いた発光素子を次のように作製した。ＩＴＯ透明導電膜を１５０ｎｍ堆積させたガラス基板（旭硝子（株）製、１５Ω／□、電子ビーム蒸着品）を３０×４０ｍｍに切断、エッチングを行った。得られた基板をアセトン、“セミコクリン５６”で各々１５分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。続いてイソプロピルアルコールで１５分間超音波洗浄してから熱メタノールに１５分間浸漬させて乾燥させた。この基板を素子を作製する直前に１時間ＵＶ−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５×１０^−５Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔注入材料として、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を１０ｎｍ蒸着した。次に、正孔輸送材料としてＮ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミン（ＨＴＬ１）を５０ｎｍ蒸着した。次にホスト材料として前記ＨＳＴ１、ドーパンド材料として化合物〔３〕を用いて、ドーパント濃度が１ｗｔ％になるように４０ｎｍの厚さに共蒸着し、電子輸送材料として前記ＥＴＬ１を３５ｎｍの厚さに積層した。次に電子注入材料として、リチウムを０．５ｎｍ、銀を１５０ｎｍ蒸着して陰極とし、５×５ｍｍ角の素子を作製した。ここで言う膜厚は水晶発振式膜厚モニター表示値である。この発光素子に１０ｍＡ／ｃｍ^２で電流を流したときの発光スペクトルは、ピーク波長が６１０ｎｍ、発光効率は４．８ｃｄ／Ａの赤色発光が得られた。この素子は、１０００時間たっても輝度半減に至らなかった。

実施例８〜２６、比較例３〜５
正孔注入材料、正孔輸送材料、ホスト材料、ドーパント材料、電子輸送材料、電子注入材料を表２に示した材料を用い、それ以外は実施例７と同様に発光素子の作製を行った。結果を表２、表３に示す。

実施例２７
ホスト材料をＨＳＴ９、ドーパンド材料を化合物〔２４〕とした以外は、実施例７と同様に発光素子作製を行った。この発光素子に１０ｍＡ／ｃｍ^２で電流を流したときの発光スペクトルは、ピーク波長が６１７ｎｍ、発光効率は５．２ｃｄ／Ａの赤色発光が得られた。

実施例２８
ホスト材料をＨＳＴ１０、ドーパンド材料を化合物〔２５〕、電子輸送材料をＥＴＬ９とした以外は、実施例７と同様に発光素子作製を行った。この発光素子に１０ｍＡ／ｃｍ^２で電流を流したときの発光スペクトルは、ピーク波長が６１４ｎｍ、発光効率は５．５ｃｄ／Ａの赤色発光が得られた。

実施例２９
ホスト材料をＨＳＴ１１、ドーパンド材料を化合物〔４〕とした以外は、実施例７と同様に発光素子作製を行った。この発光素子に１０ｍＡ／ｃｍ^２で電流を流したときの発光スペクトルは、ピーク波長が６１６ｎｍ、発光効率は４．０ｃｄ／Ａの赤色発光が得られた。

実施例３０
正孔輸送材料をＨＴＬ３とした以外は、実施例７と同様に発光素子作製を行った。この発光素子に１０ｍＡ／ｃｍ^２で電流を流したときの発光スペクトルは、ピーク波長が６１０ｎｍ、発光効率は５．７ｃｄ／Ａの赤色発光が得られた。

実施例３１
正孔輸送材料をＨＴＬ４とした以外は、実施例７と同様に発光素子作製を行った。この発光素子に１０ｍＡ／ｃｍ^２で電流を流したときの発光スペクトルは、ピーク波長が６０９ｎｍ、発光効率は５．４ｃｄ／Ａの赤色発光が得られた。

実施例３２
電子輸送材料をＥＴＬ２、電子注入材料を酸化リチウムとした以外は、実施例７と同様に発光素子作製を行った。この発光素子に１０ｍＡ／ｃｍ^２で電流を流したときの発光スペクトルは、ピーク波長が６１０ｎｍ、発光効率は５．５ｃｄ／Ａの赤色発光が得られた。

実施例３３
正孔輸送材料を５０ｎｍ蒸着するまでは実施例７と同様に発光素子作製を行い、次にホスト材料としてＨＳＴ３、ドーパンド材料として化合物〔２４〕を用いて、ドーパント濃度が１ｗｔ％になるように４０ｎｍの厚さに共蒸着し、電子輸送材料としてＨＳＴ３を１０ｎｍの厚さに蒸着し、さらに、電子輸送材料としてＥＴＬ４を１５ｎｍの厚さに積層した。次に電子注入材料として、リチウムを０．５ｎｍ、銀を１５０ｎｍ蒸着して陰極とし、５×５ｍｍ角の素子を作製した。この発光素子に１０ｍＡ／ｃｍ^２で電流を流したときの発光スペクトルは、ピーク波長が６１７ｎｍ、発光効率は６．２ｃｄ／Ａの赤色発光が得られた。

実施例３４
ホスト材料を[３]、ドーパント材料を用いないとした以外は、実施例７と同様に発光素子作製を行った。この発光素子に１０ｍＡ／ｃｍ^２で電流を流したときの発光スペクトルは、ピーク波長が６１５ｎｍ、発光効率は１．５ｃｄ／Ａの赤色発光が得られた。

実施例３５
正孔輸送材料を５０ｎｍ蒸着するまでは実施例７と同様に発光素子作製を行い、次にホスト材料としてＨＳＴ３、ドーパンド材料として化合物〔２６〕を用いて、ドーパント濃度が１ｗｔ％になるように１０ｎｍの厚さに共蒸着し、さらに、ホスト材料として下記に示すＨＳＴ１２、ドーパント材料として下記に示すＤＰＴ３を用いて、ドーパント濃度が２ｗｔ％になるように１５ｎｍの厚さに共蒸着し、電子輸送材料としてＥＴＬ１を３５ｎｍの厚さに積層した。次に電子注入材料として、リチウムを０．５ｎｍ、銀を１５０ｎｍ蒸着して陰極とし、５×５ｍｍ角の素子を作製した。この発光素子に１０ｍＡ／ｃｍ^２で電流を流したときの、発光効率は７．０ｃｄ／Ａの白色発光が得られた。

実施例３６
化合物〔５１〕の合成方法
１，２−ジクロロエタン２０ｍｌ中に、２−ベンゾイル−３，５−ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ピロール２．０ｇ（０．０４７モル）、２，４−ビス（４−メトキシフェニル）ピロール２．５ｇ（０．０４７モル）、オキシ塩化リン０．７２ｇを入れ、加熱環流下１２時間反応させた。室温に冷却した後、ジイソプロピルエチルアミン４．８ｇ、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体５．３ｇを加え、６時間撹拌した。２０ｍｌの水を加え、ジクロロメタンを投入後、有機層を抽出し、濃縮して、シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィーによる精製をした後、さらに昇華精製を行い、赤色粉末１．９ｇを得た。得られた粉末の^１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通りであった。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣl_３（d=ppm））：1.19(s，9H)，1.35(s，9H)，3.66(s，3H)，3.85(s，3H)，6.36(d，2H)，6.44-6.52(dd，4H)，6.62-6.68(m，5H)，6.80-6.86(m，4H)，6.97(d，2H)，7.45(d，2H)，7.83-7.92(dd，4H)
また、元素分析結果は、組成式Ｃ_４９Ｈ_４７Ｏ_２ＢＦ_２Ｎ_２として以下のとおりであった。なお括弧内は理論値である。Ｃ：７９．３％（７９．０％）、Ｈ：６．４％（６．３％）、Ｏ：４．４％（４．３％）、Ｂ：１．４％（１．５％）、Ｆ：４．３％（５．１％）、Ｎ：３．９％（３．８％）。

また、マススペクトルより、目的物の主な分子イオンピークはｍ／Ｚ＝７４４であった。以上のことから、上記生成物である赤色粉末は、化合物〔５１〕であることが確認された。

次に、ドーパント材料に化合物〔５１〕を用いた以外は、実施例７と同様に発光素子作製を行った。この発光素子を１０ｍＡ／ｃｍ^２で駆動したところ、発光スペクトルのピーク波長が６２７ｎｍ、発光効率が４．２ｃｄ／Ａの赤色発光が得られた。この素子は、１０００時間たっても輝度半減に至らなかった。

また、化合物〔５１〕の昇華温度は２６０℃であり、該昇華温度では分解しなかった。

比較例６
ＩＴＯ付きガラス基板を真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５×１０^−５Ｐａ以下になるまで排気するまでは、実施例７と同様に行い、抵抗加熱法によって、まず正孔輸送材料として４，４’−ビス（Ｎ−（ｍ−トリル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）を５０ｎｍ蒸着した。次にホスト材料としてＨＳＴ１、ドーパンド材料として化合物ＤＰＴ２を用いて、ドーパント濃度が１ｗｔ％になるように１５ｎｍの厚さに共蒸着し、ホスト材料を３５ｎｍの厚さに積層した。次にリチウムを０．５ｎｍ、銀を１５０ｎｍ蒸着して陰極とし、５×５ｍｍ角の素子を作製した。この発光素子からの発光スペクトルは、ピーク波長が６１８ｎｍ、発光効率は４．２ｃｄ／Ａの赤色発光が得られた。輝度半減時間は２００時間であった。

表１〜３から、本発明のピロメテン化合物を用いることで、真空蒸着時に分解や重合などの変性が起こらず、従来より高発光効率かつ長寿命の赤色発光素子が得られた。

Claims

一般式（１）で示されるピロメテン化合物であり、該化合物が有する分解温度が昇華温度より高いことを特徴とするピロメテン化合物。

（Ｒ^１〜Ｒ^４は同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基、隣接置換基との間に形成される縮合環および脂肪族環の中から選ばれる。Ａｒ^１〜Ａｒ^５はアリール基を表す。）
一般式（１）のＡｒ^１〜Ａｒ^４のうち少なくとも１つが、無置換あるいはメトキシ基、ｔ−ブチル基の中から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するフェニル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から少なくとも１つの置換基を有するフェノキシ基の中から選ばれる１つ以上の置換基で置換されており、Ａｒ^５が下記一般式（２）で表されることを特徴とする請求項１記載のピロメテン化合物。

（Ｒ^５〜Ｒ^９はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、メチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するフェニル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から少なくとも１つの置換基を有するフェノキシ基の中から選ばれる。）
一般式（１）のＡｒ^１〜Ａｒ^４のうち少なくとも１つが、メチル基、メトキシ基の中から選ばれる１つ以上の置換基で置換されており、Ａｒ^５が下記一般式（３）で表されることを特徴とする請求項１記載のピロメテン化合物。

（Ｒ^１１〜Ｒ^１３はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、メチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するフェニル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から少なくとも１つの置換基を有するフェノキシ基の中から選ばれる。Ｒ^１０とＲ^１４はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、メトキシ基、ｔ−ブチル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するフェニル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から少なくとも１つの置換基を有するフェノキシ基の中から選ばれるが、Ｒ^１０とＲ^１４が同時に水素となるときは、Ｒ^１１〜Ｒ^１３の少なくとも１つはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するフェニル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から少なくとも１つの置換基を有するフェノキシ基から選ばれる。）
一般式（１）のＡｒ^１〜Ａｒ^４のうち少なくとも１つが、ｔ−ブチル基で置換されており、Ａｒ^５が下記一般式（４）で表されることを特徴とする請求項１記載のピロメテン化合物。

（Ｒ^１６〜Ｒ^１８はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、メチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基、無置換あるいはメトキシ基、ｔ−ブチル基の中から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するフェニル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から少なくとも１つの置換基を有するフェノキシ基の中から選ばれる。Ｒ^１５とＲ^１９はそれぞれ同じであっても、異なっていてもよく、水素、メトキシ基、ｔ−ブチル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から選ばれる少なくとも１つの置換基を有するフェニル基、無置換あるいはメチル基、メトキシ基、ｔ−ブチル基の中から少なくとも１つの置換基を有するフェノキシ基から選ばれる。）
Ｒ^５とＲ^６がともにフッ素であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載のピロメテン化合物。
融点が２００℃以上である請求項１〜５のいずれか記載のピロメテン化合物。
請求項１〜６のいずれか記載のピロメテン化合物を用いることを特徴とする発光素子材料。
陽極と陰極の間に少なくとも発光層が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該発光素子が請求項７記載の発光素子材料を含むことを特徴とする発光素子。
前記発光素子材料がドーパント材料であることを特徴とする請求項８記載の発光素子。