JP2005044870A - ボンディング装置および半導体装置の実装方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】本発明のボンディング装置は、上クランパでキャリアテープの裏面を吸着固定し、下クランパはキャリアテープの主面に対して接触しない程度に最小限の間隙を有して前記上クランパによるキャリアテープの吸着固定をサポ
ートするようにしたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
【発明の属する分野】
本発明は、テープ基板に形成された配線パターンに半導体チップをフェイスダウンボンディングするボンディング装置およびその装置を用いた半導体装置の実装方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
テープ基板の一定間隔に設けられた複数のリード(テープ基板の開口部の周囲に形成されたフィンガー)に半導体チップをフェィスダウンボンディングするボンディング装置が知られている。
この従来のボンディング装置の動作を図5(a)〜(d)に示す。
図5(a)は、キャリアテープがキャリアテープの左右に設けられたローダ、及びアンローダによるキャリアテープ搬送手段(図示されない)により、所定の位置に配置された状態のボンディング装置の様子を示すものである。同(b)は、所定の位置に配置されたキャリアテープをキャリアテープの上下に配置された上下のクランパにより挟み込まれ固定された状態のボンディング装置の様子を示すものである。同図(c)はステージ上に搭載された半導体チップがキャリアテープの配線パターンと位置合わせされ、前記配線パターンの近くまで上昇し、キャリアテープの上方に配置されたツールがテープ基板の裏面近くまで下降した状態のボンディング装置の様子を示す。同図(d)は前記ステージが速度を緩めて更に上昇し半導体チップと接合する位置で停止するのと同期して前記ツールも速度を緩めて更に下降しフィンガー部を加圧する状態のボンディング装置の状態を示すものである。このとき半導体チップはステージに内蔵されているヒーターにより、前記フィンガーもツールに内蔵されたヒーターにより加熱され、キャリアテープのフィンガーと半導体チップのバンプが加熱加圧され溶融接合される。
(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平8−264593号公報(2頁2欄[0002]、[0003]、図5、6)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来のボンディング装置は、キャリアテープのリードのファイン化のために、半導体チップと接合するリードはテープ基板に接着されている(テープ基板の半導体チップが接合する領域に開口部を有しない)COF(chip on film)構造にすると、キャリアテープが上下のクランパにより固定されているので、キャリアテープが熱による伸びを阻害し、キャリアテープ表面にシワが発生する、更にキャリアテープが伸びないことにより、接合時の半導体チップのバンプとリードの位置合わせができない、更に半導体チップと同サイズまたはそれ以上のツールにより加圧するため、キャリアテープが歪んでしまう、更にクランプすることによりキャリアテープにキズが生じてしまう、更にクランパに加熱機構がないためキャリアテープの累積ピッチを合わせることができないという問題点が生じてしまう。
【0005】
そこで、本発明は上述した点に鑑み、COF構造のキャリアテープに半導体チップをフェイスダウンボンディングするのに、キャリアテープのシワの発生がない、キャリアテープのリードと半導体チップの位置合わせが精度よくでき、更に、キャリアテープの歪みのない接合を実現し、更にキャリアテープにキズが生じることがない、更にキャリアテープの累積ピッチを合わせることができるボンディング装置と半導体装置の実装方法を提供することを目的とするものである。
【0006】
【課題を解決する手段】
本発明のボンディング装置は、テープ基板の主面に配線パターンが繰り返し形成されたキャリアテープを所定の位置に搬送するキャリアテープ搬送手段と、前記所定の位置に搬送された前記キャリアテープの上方に載置された前記半導体チップの形状よりも大きい上クランパ開口部を有する上クランパが下降して、前記キャリアテープの裏面を吸着固定するとともに、上記上クランパの下降と同期してキャリアテープの下方に載置された下クランパが上昇し、前記キャリアテープの主面に対して接触しない最小限の間隙を有して前記上クランパによるキャリアテープの吸着固定をサポートするキャリアテープクランプ手段と、加熱部を有するステージ上に半導体チップを載置する半導体チップ載置手段と、前記クランプ手段によりクランプされた前記キャリアテープの主面に形成された前記配線パターンとステージ上に載置された所定の温度に加熱された半導体チップとを位置合わせする半導体チップ位置合わせ手段と、前記半導体チップ位置合わせ手段により位置合わせされた半導体チップが載置されたステージが前記キャリアテープの接合面まで上昇し、停止するステージ上昇手段と、前記所定の位置に搬送された前記キャリアテープの上方に載置された前記上クランパの上クランパ開口部よりも小さい形状を有するツールが下降し、前記キャリアテープクランプ手段によりクランプされた前記キャリアテープの裏面を加圧加熱して、キャリアテープの主面に形成された配線パターンと半導体チップをフェイスダウンボンディングするツール接合手段とを備えたことを特徴とする。
【0007】
上記の本発明のボンディング装置、上クランパでキャリアテープの裏面を吸着固定し、下クランパはキャリアテープの主面に対して接触しない程度に最小限の間隙を有して前記上クランパによるキャリアテープの吸着固定をサポートするようにしたので、キャリアテープのシワの発生がなくなり、且つキャリアテープのリードと半導体チップの位置合わせが精度よくでき、更にキャリアテープにキズの発生がなく信頼性の高いCOFを製造できるボンディング装置を提供するものである。
【0008】
更に本発明のボンディング装置は、テープ基板の主面に配線パターンが繰り返し形成されたキャリアテープを所定の位置に搬送するキャリアテープ搬送手段と、前記所定の位置に搬送された前記キャリアテープの上方に載置された開口部を有しない上クランパが下降して、前記キャリアテープの裏面を吸着固定するとともに、上記上クランパの下降と同期して前記キャリアテープの下方に載置された前記半導体チップの形状よりも大きい開口部を有する下クランパが上昇し、前記キャリアテープの主面に対して接触しない最小限の間隙を有して前記上クランパによるキャリアテープの吸着固定をサポートするキャリアテープクランプ手段と、加熱部を有するステージ上に半導体チップを載置する半導体チップ載置手段と、前記キャリアテープクランプ手段によりクランプされた前記キャリアテープの主面に形成された前記配線パターンとステージ上に載置された所定の温度に加熱された半導体チップとを位置合わせする半導体チップ位置合わせ手段と、前記半導体チップ位置合わせ手段により位置合わせがされた半導体チップが載置されたステージがキャリアテープの接合面まで上昇し、停止するステージ上昇手段と、
前記所定の位置に搬送された前記キャリアテープ及び前記上クランパの上方に載置されたツールが下降して、前記ツールが前記上クランパの他方の面を加熱加圧することにより、前記上クランパ一方の面に吸着固定されたキャリアテープの主面に形成された配線パターンに前記半導体チップをフェイスダウンボンディングするツール接合手段とを備えたことを特徴とするボンディング装置。
【0009】
上記の本発明のボンディング装置は、上クランパでキャリアテープの裏面を吸着固定し、下クランパはキャリアテープの主面に対して接触しない程度に最小限の間隙を有して前記上クランパによるキャリアテープの吸着固定をサポートするようにしたので、キャリアテープのシワの発生がなくなり、且つキャリアテープのリードと半導体チップの位置合わせが精度よくでき、更に、上クランパは開口部を有しないようにし、前記ツールの下降により前記ツールと前記上クランパと前記上クランパで吸着固定された前記キャリアテープが一体となって下降するようにしたので、歪みのない、更にキャリアテープにキズの発生がなく信頼性の高いCOFを製造できるボンディング装置を提供するものである。
【0010】
更に本発明のボンディング装置は、請求項1、または2において、上記のツールの形状は下クランパの開口部よりも大きいことを特徴とする。
【0011】
上記の本発明のボンディング装置は、上記のツールの形状は下クランパの開口部よりも大きくしたので、キャリアテープの歪みをより少なくし、信頼性の高いCOFを製造できるボンディング装置を提供するものである。
【0012】
更に本発明のボンディング装置は、請求項1、または2において、上記の下クランパの前記キャリアテープの主面に対して接触しない最小限の間隙は0.75mm以下にしたことを特徴とする。
【0013】
上記の本発明のボンディング装置は、上記の下クランパの前記キャリアテープの主面に対して接触しない最小限の間隙は0.75mm以下にしたので、キャリアテープのシワの発生がなくなり、且つキャリアテープのリードと半導体チップの位置合わせが精度よくでき、信頼性の高いCOFを製造できるボンディング装置を提供するものである。
【0014】
更に本発明のボンディング装置は、請求項1、または2において、上記上クランパには加熱部を有することを特徴とする。
【0015】
上記の本発明のボンディング装置は、上記上クランパには加熱部を有することにより、ツールによる加熱、加圧の前にキャリアテープのリードが加熱され、信頼性の高い接合を可能とするとともにキャリアテープの累積ピッチを合わせることができるボンディング装置を提供するものである。
【0016】
更に本発明のボンディング装置は、請求項2において、上記上クランパにはバネ機構を有することを特徴とする。
【0017】
上記の本発明のボンディング装置は、上記上クランパにはバネ機構を有するようにしたので、前記上クランパがスムースに下降することができ安定した接合が可能となり、接合が終了し、ツールが上昇すると上クランパはバネにより元の位置に戻るボンディング装置を提供するものである。
【0018】
更に、本発明の半導体装置の実装方法は、テープ基板の主面に配線パターンが繰り返し形成されたキャリアテープを所定の位置に搬送する工程と、
前記所定の位置に搬送された前記キャリアテープの上方に載置された前記半導体チップの形状よりも大きい上クランパ開口部を有する上クランパが下降して、前記キャリアテープの裏面を吸着固定するとともに、上記上クランパの下降と同期してキャリアテープの下方に載置された下クランパが上昇し、前記キャリアテープの主面に対して接触しない最小限の間隙を有して前記上クランパによるキャリアテープの吸着固定をサポートする工程と、
加熱部を有するステージ上に半導体チップを載置する半導体チップ載置手段と、前記クランプ手段によりクランプされた前記キャリアテープの主面に形成された前記配線パターンとステージ上に載置された所定の温度に加熱された半導体チップとを位置合わせする工程と、前記半導体チップ位置合わせ手段により位置合わせされた半導体チップが載置されたステージが前記キャリアテープの接合面まで上昇し、停止する工程と、前記所定の位置に搬送された前記キャリアテープの上方に載置された前記上クランパの上クランパ開口部よりも小さい形状を有するツールが下降し、前記キャリアテープクランプ手段によりクランプされた前記キャリアテープの裏面を加圧加熱して、キャリアテープの主面に形成された配線パターンと半導体チップをフェイスダウンボンディングする工程とからなることを特徴とする。
【0019】
上記の本発明の半導体装置の実装方法は、上クランパでキャリアテープの裏面を吸着固定し、下クランパはキャリアテープの主面に対して接触しない程度に最小限の間隙を有して前記上クランパによるキャリアテープの吸着固定をサポートするようにしたので、キャリアテープのシワの発生がなくなり、且つキャリアテープのリードと半導体チップの位置合わせが精度よくでき、信頼性の高いCOF構造の半導体装置を提供するものである。
【0020】
更に、本発明の半導体装置の実装方法は、テープ基板の主面に配線パターンが繰り返し形成されたキャリアテープを所定の位置に搬送する工程と、前記所定の位置に搬送された前記キャリアテープの上方に載置された開口部を有しない上クランパが下降して、前記キャリアテープの裏面を吸着固定するとともに、上記上クランパの下降と同期して前記キャリアテープの下方に載置された前記半導体チップの形状よりも大きい開口部を有する下クランパが上昇し、前記キャリアテープの主面に対して接触しない最小限の間隙を有して前記上クランパによるキャリアテープの吸着固定をサポートする工程と、加熱部を有するステージ上に半導体チップを載置する半導体チップ載置手段と、前記キャリアテープクランプ手段によりクランプされた前記キャリアテープの主面に形成された前記配線パターンとステージ上に載置された所定の温度に加熱された半導体チップとを位置合わせする半導体チップ位置合わせ手段と、前記半導体チップ位置合わせ手段により位置合わせがされた半導体チップが載置されたステージがキャリアテープの接合面まで上昇し、停止するステージ上昇手段と、前記所定の位置に搬送された前記キャリアテープの上方に載置された前記半導体チップの形状よりも大きい形状を有するツールが下降し、前記ツールにより前記上クランパの他方の面を加圧加熱して、キャリアテープの主面に形成された配線パターンと半導体チップをフェイスダウンボンディングする工程とからなることを特徴とする。
【0021】
上記の本発明の半導体装置の実装方法は、上クランパでキャリアテープの裏面を吸着固定し、下クランパはキャリアテープの主面に対して接触しない程度に最小限の間隙を有して前記上クランパによるキャリアテープの吸着固定をサポートするようにしたので、キャリアテープのシワの発生がなくなり、且つキャリアテープのリードと半導体チップの位置合わせが精度よくでき、更に、上クランパは開口部を有しないようにして前記ツールによる加熱、加圧を前記上クランパの一方の面を介して行うようにしたので、キャリアテープの歪みのない、信頼性の高いCOF構造の半導体装置の実装方を提供するものである
【0022】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例について図を用いて説明する。
【0023】
(実施例1)
図1(a)〜(d)は本発明の第1のボンディング装置の動作の様子を示すものである。
【0024】
図1(a)は、キャリアテープ3がキャリアテープ3の左右に設けられたローダ、及びアンローダによるキャリアテープ搬送手段(図示されない)により、所定の位置に配置された状態のボンディング装置の様子を示すものである。
【0025】
上記のキャリアテープ3の平面形状は図3(a)、(b)に示す如く、前記配線パターン2が繰り返し形成されており、それぞれの前記配線パターン2のリード16に半導体チップ4が接合されるものであり、断面形状は同図(c)に示す如く、半導体チップ4が接合する配線パターン2のリード16にはテープ基板1が存在する。すなわち、COF構造のキャリアテープ3である。このCOF構造のキャリアテープ3は、テープ基板1の開口部に形成されたリード16(フィンガー)に半導体チップ4を接合するフィンガータイプのキャリアテープ3と較べて、リード16のファイン化が実現できる特徴を有している。すなわち、フィンガータイプのキャリアテープ3は、リード16(フィンガー)を細くし、ピッチを小さくするとリード16(フィンガー)の機械的強度が弱くなり、曲がって変形してしまい、ファイン化に限界が生じる。それに対して、COF構造のキャリアテープ3は上述の如くリード16にはテープ基板1に接着されているのでファィン化が可能となる。
【0026】
図1(a)において、所定の位置に配置されたキャリアテープ3に上方には前記半導体チップ4の形状よりも大きい上クランパ開口部7を有する前記上クランパ5が、更に上方に前記ツール13が配置されており、前記キャリアテープの下方には前記半導体チップ4の形状よりも大きい下クランパ開口部8を有する前記下クランパ6が、更に下方に前記半導体チップ4が搭載された前記ステージ12が配置されている。前記ステージ12上への前記半導体チップ4の搭載は図示されていない半導体チップ4搭載手段により行われる。前記ステージ12はヒーター10が内蔵されており、この前記ヒーター10により、前記半導体チップ4は加熱される。前記半導体チップ4が金バンプ15であり、キャリアテープ3のリード16がスズめっき層が形成されている金―スズ共晶合金よる接合の場合は、前記半導体チップ4は350℃〜400℃に加熱される。
前記キャリアテープ3の前記上クランパ5と下クランパ6との間隙はそれぞれ5mm位に設定されており、前記キャリアテープ3がキャリアテープ3に左右に配置されているローダ、アンローダによる搬送手段(図示されていない)により所定の場所に搬送される際、キャリアテープ3が前記上、下クランパ6に接触しないようにする。
【0027】
図1(b)は同図(a)に示された状態ののち、前記上クランパ5が下降し、それと同期して下クランパ6も上昇する。前記上クランパ5が前記キャリアテープ3の裏面と接触し、吸着固定される。このとき、前記下クランパ6は前記キャリアテープ3の主面と接触しない最小限の間隙を有して停止し、前記上クランパ5による前記キャリアテープ3の吸着固定をサポートする。上クランパ5の吸着固定は、図4に示すように、上クランパ5の開口部周辺の近くに設けられた複数の吸着孔14(孔はポーラスな物質で形成されていてもよい。)により、真空吸着される。
吸着孔14は図4の如く、上クランパ開口部7の周辺で、長手方向の2辺に、しかも開口部の近傍に設けることが前記ツール13によりキャリアテープ3が加圧されたときてこの原理で吸着孔14に対する負荷が小さくなることとなる。図4においては、上クランパ5に2箇所ヒーター10が設けられており、このヒーター10によりキャリアテープ3が加熱され、ボンディング時のツール13に内蔵されたヒーター10による加熱とともに前記キャリアテープ3の加熱をする働きをする。
【0028】
図1(c)は、前記上クランパ5により吸着固定されたキャリアテープ3のリード16の位置をカメラ等の光学的手段(図示されていない)により読み取り、その結果に基づいて、前記ステージ12をX,Y,Z方向に作動して前記キャリアテープ3のリード16位置と前記半導体チップ4のバンプ15の位置を合わせる半導体チップ4位置合わせ手段(図示されていない)により、前記半導体チップ4はキャリアテープ3のリード16と位置合わせされ、その後、ステージ12上昇手段(図示されない)により前記半導体チップ4は前記キャリアテープ3の主面近傍まで高速で上昇し、前記ステージ12(半導体チップ4)の上昇と同期して、前記キャリアテープ3の上方に配置されたツール13がテープ基板1の裏面近くまで高速で下降した状態のボンディング装置を示したものである。
【0029】
図1(d)は前記ステージ12が速度を緩めて更に上昇し半導体チップ4と接合する位置で停止する、それと同期して前記ツール13も速度を緩めて更に下降しキャリアテープ3の裏面を加圧する。このとき半導体チップ4はステージ12に内蔵されているヒーター10により400℃近くに加熱され、前記キャリアテープ3のリード16もツール13に内蔵されたヒーター10と上クランパ5に内蔵されたヒーター10により100℃に加熱され、キャリアテープ3のリード16と半導体チップ4のバンプ15が加熱加圧され溶融接合される。
溶融接合後は、前記上クランパ5の真空穴を大気圧に戻し、ステージ12と下クランパ6は所定の位置まで下降し、前記上クランパ5と前記ツール13は所定の位置まで上昇し、以上の動作が繰り返し行われ、順次キャリアテープ3に半導体チップ4が接合される。
【0030】
上記の図1(a)〜(d)に示される本発明のボンディング装置は、同図(b)〜(d)において、上クランパ5でキャリアテープ3の裏面を吸着固定し、下クランパ6はキャリアテープ3の主面に対して接触しない程度に最小限の間隙を有して前記上クランパ5によるキャリアテープ3の吸着固定をサポートするようにしたので、キャリアテープ3の温度変化による伸びが自由となり、キャリアテープ3のシワの発生がなくなり、且つキャリアテープ3が加熱されたときのリード16の位置精度のバラツキも少なく、前記リード16と半導体チップ4の位置合わせが精度よくでき、キャリアテープのキズの発生のない、信頼性の高いCOF構造の半導体装置の実装を可能になる。
更に、同図(d)において、前記ツール13のキャリアテープ3と対向する形状の大きさは前記上クランパ開口部7の形状よりも小さく、前記下クランパ6の形状よりも大きくしたので、前記ツール13がキャリアテープ3を加圧したときに前記下クランパ6との重なり部9でキャリアテープ3が保持され、重なり部9がストッパーの役割を果たす構造にしたことと、且つ下クランパ6と前記キャリアテープ3の主面との間隙は接触しないように最小限にしたことにより、キャリアテープ3の歪みをより少なくしている。前記下クランパ6と前記キャリアテープ3の主面との間隙が0.75mmまではゆがみを少ないものが得られ、0.5mm以下にするとよりゆがみの少ないものが得られる。
更に、上クランパ5には、上クランパ開口部7の近傍にクランパヒータ10を設けたので、キャリアテープ3が所定の温度に加熱され、キャリアテープ3の累積ピッチを合わせることができる。
【0031】
(実施例2)
図2(a)〜(d)は本発明の第2のボンディング装置の動作の様子を示すものである。
【0032】
図2(a)は、キャリアテープ3がキャリアテープの左右に設けられたローダ、及びアンローダによるキャリアテープ3搬送手段(図示されない)により、所定の位置に配置された状態のボンディング装置の様子を示すものである。
上記のキャリアテープ3の平面形状は図3(a)、(b)に示すCOF構造のものを用いる。
【0033】
図2(a)において、所定の位置に配置されたキャリアテープ3に上方には開口部のない前記上クランパ5が、更に上方に前記ツール13が配置されており、前記キャリアテープの下方には前記半導体チップ4の形状よりも大きい下クランパ開口部8を有する前記下クランパ6が、更に下方に前記半導体チップ4が搭載された前記ステージ12が配置されている。
前記上クランパ5にはバネ機構11とヒーター10が内蔵されている。前記バネ機構11は一方端は上クランパ5に固定され、他方端はボンディングの筐体に固定されているので、上クランパ5の一方面を加圧すると前記上クランパ5は前記キャリアテープ3の裏面に向かって下降する働きを有するものである。
前記ステージ12上への前記半導体チップ4の搭載は図示されていない半導体チップ4搭載手段により行われる。前記ステージ12はヒーター10が内蔵されており、この前記ヒーター10により、前記半導体チップ4は加熱される。前記半導体チップ4が金バンプ15であり、キャリアテープ3のリード16がスズめっき層が形成されている金―スズ共晶合金よる接合の場合は、前記半導体チップ4は350℃〜400℃に加熱される。
前記キャリアテープ3の前記上クランパ5と前記下クランパ6との間隙はそれぞれ5mm位に設定されており、前記キャリアテープ3が前記キャリアテープ3の左右に配置されたローダ、アンローダによる搬送手段(図示されていない)により所定の場所に搬送される際、キャリアテープ3が前記上、下クランパ6に接触しないようにする。
【0034】
図2(b)は同図(a)に示された状態ののち、前記ツール13が下降し、前記ツール13により前記上クランパ5の一方面を加圧すると前記上クランパ5が下降してキャリアテープ3の裏面と接触し、吸着固定される。前記キャリアテープ3が前記上クランパ5に吸着固定する際、前記上クランパ5の下降と同期して前記下クランパ6も上昇し、前記キャリアテープ3の主面と接触しない最小限の間隙を有して停止し、前記上クランパ5による前記キャリアテープ3の吸着固定をサポートする。
上クランパ5の吸着固定は、上クランパ5に形成された複数の吸着孔14で行われるが、前記上クランパ5には前記上クランパ開口部7がないので適宜の場所に前記吸着孔14を形成することができる。
【0035】
図2(c)は、前記上クランパ5により吸着固定されたキャリアテープ3のリード16の位置をカメラ等の光学的手段(図示されていない)により読み取り、その結果に基づいて、前記ステージ12をX,Y,Z方向に作動して前記キャリアテープ3のリード16位置と前記半導体チップ4のバンプ15の位置を合わせる半導体チップ4位置合わせ手段(図示されていない)により、前記半導体チップ4はキャリアテープ3のリード16と位置合わせされ、その後、ステージ12上昇手段(図示されない)により前記半導体チップ4は前記キャリアテープ3の主面近傍まで高速で上昇した状態のボンディング装置の動作の様子を示したものである。
【0036】
図2(d)は前記ステージ12が速度を緩めて更に上昇し半導体チップ4と接合する位置で停止する。この停止位置は、前記半導体チップ4の面と前記下クランパ6の前記キャリアテープと対向する面が一直線になるようにする。
前記ステージ12の上昇と同期して前記ツール13も速度を緩めて更に下降し前記上クランパ5を加圧すると、前記上クランパ5の一方の面に吸着固定された前記キャリアテープ3の主面が前記下クランパ6の前記キャリアテープと対向する面と前記半導体チップ4の面と接触し、更に加圧される。
このとき半導体チップ4はステージ12に内蔵されているヒーター10により400℃近くに加熱され、前記キャリアテープ3のリード16もツール13に内蔵されたヒーター10と上クランパ5に内蔵されたヒーター10により100℃に加熱され、キャリアテープ3のリード16(スズ層)と半導体チップ4のバンプ15(金バンプ15)が溶融接合される。
溶融接合後は、前記上クランパ5の真空穴を大気圧に戻し、ステージ12と下クランパ6は所定の位置まで下降し、前記上クランパ5と前記ツール13は所定の位置まで上昇し、以上の動作が繰り返し行われ、順次キャリアテープ3に半導体チップ4が接合される。
【0037】
なお、上記の図2(b)において、前記上クランパ5の下降は前記ツール13の下降による前記上クランパ5の他方の面を加圧して行なっているが、前記ツール13の下降によらない別の手段で行っても良い。
【0038】
上記の図2(a)〜(d)に示される本発明のボンディング装置は、同図(b)〜(d)において、上クランパ5でキャリアテープ3の裏面を吸着固定し、下クランパ6はキャリアテープ3の主面に対して接触しない程度の最小限の間隙を有して前記上クランパ5によるキャリアテープ3の吸着固定をサポートするようにしたので、キャリアテープ3の温度変化による伸びが自由となり、キャリアテープ3のシワの発生がなくなり、且つキャリアテープ3が加熱されたときのリード16の位置精度のバラツキも少なく、前記リード16と半導体チップ4の位置合わせが精度よくでき、キャリアテープのキズの発生のない、信頼性の高いCOF構造の半導体装置の実装を可能にした。
更に、同図(d)において、前記ツール13の下降により前記上クランパ5の他方の面を加圧し、前記上クランパ5と前記上クランパ5の一方の面に吸着固定された前記キャリアテープ3が一体となって下降し、接合時には前記キャリアテープ3の主面が前記下クランパ6の前記キャリアテープと対向する面と前記半導体チップ4の面と接触し、更に加圧されるので、キャリアテープ3のゆがみの発生はなくなる。
更に、上クランパ5にはバネ機構11が内蔵されているので、前記上クランパ5がスムースに下降することができ安定した接合が可能となり、接合が終了し、ツール13が上昇すると上クランパ5はバネの復元力により自動的に元の位置に戻る事ができる。
更に、上クランパ5には、キャリアテープのリード16の近傍と対向する箇所にクランパヒータ10を設けたので、キャリアテープ3が所定の温度に加熱され、キャリアテープ3の累積ピッチを合わせることができる。
【発明の効果】
【0039】
本発明のボンディング装置および半導体装置の実装方法は、COF構造の実装において、上クランパでキャリアテープの裏面を吸着固定し、下クランパはキャリアテープの主面に対して接触しない程度に最小限の間隙を有して前記上クランパによるキャリアテープの吸着固定をサポートするようにしたので、キャリアテープのシワの発生がなくなり、且つキャリアテープのリードと半導体チップの位置合わせが精度よくでき、キャリアテープのキズの発生のない、ボンディング装置と半導体装置の実装方法を提供するものである。
【0040】
更に、本発明のボンディング装置および半導体装置の実装方法は、上クランパでキャリアテープの裏面を吸着固定し、下クランパはキャリアテープの主面に対して接触しない程度に最小限の間隙を有して前記上クランパによるキャリアテープの吸着固定をサポートするようにしたので、キャリアテープのシワの発生がなくなり、且つキャリアテープのリードと半導体チップの位置合わせが精度よくでき、更に、上クランパは開口部を有しないようにし、前記ツールの下降により前記ツールと前記上クランパと前記上クランパで吸着固定された前記キャリアテープが一体となって下降するようにしたので、歪みのないCOF構造の実装を可能とした。
【0041】
更に、本発明のボンディング装置は、上記のツールの形状は下クランパの開口部よりも大きくしたので、キャリアテープの歪みをより少なくし、信頼性の高いCOFを製造できるボンディング装置を提供するものである。
【0042】
更に、本発明のボンディング装置は、上記の下クランパの前記キャリアテープの主面に対して接触しない最小限の間隙は0.75mm以下にしたので、キャリアテープのシワの発生がなくなり、且つキャリアテープのリードと半導体チップの位置合わせが精度よくでき、信頼性の高いCOFを製造できるボンディング装置を提供するものである。
【0043】
更に、本発明のボンディング装置は、上記上クランパには加熱部を有することにより、ツールによる加熱、加圧の前にキャリアテープのリードが加熱され、信頼性の高い接合を可能とするとともにキャリアテープの累積ピッチを合わせることができるボンディング装置を提供するものである。
【0044】
更に、本発明のボンディング装置は、上記上クランパにはバネ機構を有するようにしたので、前記上クランパがスムースに下降することができ安定した接合が可能となり、接合が終了し、ツールが上昇すると上クランパはバネにより元の位置に戻るという利点を有するボンディング装置を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(d)は本発明の第1のボンディング装置の動作の様子を示すものである。
【図2】(a)〜(d)は本発明の第2のボンディング装置の動作の様子を示すものである。
【図3】(a)は本発明のキャリアテープの平面図を、(b)は(a)の部分拡大平面図を、(c)は断面図を示すものである。
【図4】本発明の上クランパでキャリアテープを吸着固定する様子を示す平面図である。
【図5】従来のボンディング装置の動作の様子を示すものである。
【符号の説明】
1 テープ基板
2 配線パターン
3 キャリアテープ
4 半導体チップ
5 上クランパ
6 下クランパ
7 上クランパ開口部
8 下クランパ開口部
9 重なり部
10 クランパヒータ
11 バネ機構
12 ステージ
13 ツール
14 吸着孔
15 バンプ
16 リード
Claims (8)
- テープ基板の主面に配線パターンが繰り返し形成されたキャリアテープを所定の位置に搬送するキャリアテープ搬送手段と、前記所定の位置に搬送された前記キャリアテープの上方に載置された前記半導体チップの形状よりも大きい上クランパ開口部を有する上クランパが下降して、前記キャリアテープの裏面を吸着固定するとともに、上記上クランパの下降と同期してキャリアテープの下方に載置された下クランパが上昇し、前記キャリアテープの主面に対して接触しない最小限の間隙を有して前記上クランパによるキャリアテープの吸着固定をサポートするキャリアテープクランプ手段と、加熱部を有するステージ上に半導体チップを載置する半導体チップ載置手段と、前記クランプ手段によりクランプされた前記キャリアテープの主面に形成された前記配線パターンとステージ上に載置された所定の温度に加熱された半導体チップとを位置合わせする半導体チップ位置合わせ手段と、前記半導体チップ位置合わせ手段により位置合わせされた半導体チップが載置されたステージが前記キャリアテープの接合面まで上昇し、停止するステージ上昇手段と、前記所定の位置に搬送された前記キャリアテープの上方に載置された前記上クランパの上クランパ開口部よりも小さい形状を有するツールが下降し、前記キャリアテープクランプ手段によりクランプされた前記キャリアテープの裏面を加圧加熱して、キャリアテープの主面に形成された配線パターンと半導体チップをフェイスダウンボンディングするツール接合手段とを備えたことを特徴とするボンディング装置。
- テープ基板の主面に配線パターンが繰り返し形成されたキャリアテープを所定の位置に搬送するキャリアテープ搬送手段と、前記所定の位置に搬送された前記キャリアテープの上方に載置された開口部を有しない上クランパが下降して、前記キャリアテープの裏面を吸着固定するとともに、上記上クランパの下降と同期して前記キャリアテープの下方に載置された前記半導体チップの形状よりも大きい開口部を有する下クランパが上昇し、前記キャリアテープの主面に対して接触しない最小限の間隙を有して前記上クランパによるキャリアテープの吸着固定をサポートするキャリアテープクランプ手段と、加熱部を有するステージ上に半導体チップを載置する半導体チップ載置手段と、前記キャリアテープクランプ手段によりクランプされた前記キャリアテープの主面に形成された前記配線パターンとステージ上に載置された所定の温度に加熱された半導体チップとを位置合わせする半導体チップ位置合わせ手段と、前記半導体チップ位置合わせ手段により位置合わせがされた半導体チップが載置されたステージがキャリアテープの接合面まで上昇し、停止するステージ上昇手段と、
前記所定の位置に搬送された前記キャリアテープ及び前記上クランパの上方に載置されたツールが下降して、前記ツールが前記上クランパの他方の面を加熱加圧することにより、前記上クランパ一方の面に吸着固定されたキャリアテープの主面に形成された配線パターンに前記半導体チップをフェイスダウンボンディングするツール接合手段とを備えたことを特徴とするボンディング装置。 - 上記のツールの形状は下クランパの開口部よりも大きいことを特徴とする請求項1、または2に記載のボンディング装置。
- 上記の下クランパの前記キャリアテープの主面に対して接触しない最小限の間隙は0.75mm以下にしたことを特徴とする請求項1、または2に記載のボンディング装置。
- 上記上クランパには加熱部を有することを特徴とする請求項1、または2に記載のボンディング装置。
- 上記上クランパにはバネ機構を有することを特徴とする請求項2記載のボンディング装置。
- テープ基板の主面に配線パターンが繰り返し形成されたキャリアテープを所定の位置に搬送する工程と、前記所定の位置に搬送された前記キャリアテープの上方に載置された前記半導体チップの形状よりも大きい上クランパ開口部を有する上クランパが下降して、前記キャリアテープの裏面を吸着固定するとともに、上記上クランパの下降と同期してキャリアテープの下方に載置された下クランパが上昇し、前記キャリアテープの主面に対して接触しない最小限の間隙を有して前記上クランパによるキャリアテープの吸着固定をサポートする工程と、加熱部を有するステージ上に半導体チップを載置する半導体チップ載置手段と、前記クランプ手段によりクランプされた前記キャリアテープの主面に形成された前記配線パターンとステージ上に載置された所定の温度に加熱された半導体チップとを位置合わせする工程と、前記半導体チップ位置合わせ手段により位置合わせされた半導体チップが載置されたステージが前記キャリアテープの接合面まで上昇し、停止する工程と、前記所定の位置に搬送された前記キャリアテープの上方に載置された前記上クランパの上クランパ開口部よりも小さい形状を有するツールが下降し、前記キャリアテープクランプ手段によりクランプされた前記キャリアテープの裏面を加圧加熱して、キャリアテープの主面に形成された配線パターンと半導体チップをフェイスダウンボンディングする工程とからなることを特徴とする半導体装置の実装方法
- テープ基板の主面に配線パターンが繰り返し形成されたキャリアテープを所定の位置に搬送する工程と、
前記所定の位置に搬送された前記キャリアテープの上方に載置された開口部を有しない上クランパが下降して、前記キャリアテープの裏面を吸着固定するとともに、上記上クランパの下降と同期して前記キャリアテープの下方に載置された前記半導体チップの形状よりも大きい開口部を有する下クランパが上昇し、前記キャリアテープの主面に対して接触しない最小限の間隙を有して前記上クランパによるキャリアテープの吸着固定をサポートする工程と、加熱部を有するステージ上に半導体チップを載置する半導体チップ載置手段と、前記キャリアテープクランプ手段によりクランプされた前記キャリアテープの主面に形成された前記配線パターンとステージ上に載置された所定の温度に加熱された半導体チップとを位置合わせする半導体チップ位置合わせ手段と、前記半導体チップ位置合わせ手段により位置合わせがされた半導体チップが載置されたステージがキャリアテープの接合面まで上昇し、停止するステージ上昇手段と、前記所定の位置に搬送された前記キャリアテープの上方に載置された前記半導体チップの形状よりも大きい形状を有するツールが下降し、前記ツールにより前記上クランパの他方の面を加圧加熱して、キャリアテープの主面に形成された配線パターンと半導体チップをフェイスダウンボンディングする工程とからなることを特徴とする半導体装置の実装方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003200749A JP4098178B2 (ja) | 2003-07-23 | 2003-07-23 | ボンディング装置および半導体装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003200749A JP4098178B2 (ja) | 2003-07-23 | 2003-07-23 | ボンディング装置および半導体装置の実装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005044870A true JP2005044870A (ja) | 2005-02-17 |
JP4098178B2 JP4098178B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4098178B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009111376A (ja) * | 2007-10-12 | 2009-05-21 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用フィルム状接着剤及びその接着剤を用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 |
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JP2013229613A (ja) * | 2008-03-26 | 2013-11-07 | Hitachi Chemical Co Ltd | 半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法 |
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A621 | Written request for application examination |
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