JP2005037255A - パターン寸法測定方法およびパターン寸法測定装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 パターン寸法測定方法は、レジストパターンに電子線を一定の時間以上照射して前記レジストパターン寸法を測定するステップと、前記一定の時間以上照射したレジストパターンのシュリンク量により、前記測定したレジストパターン寸法を補正して真の前記レジストパターン寸法を求めるステップとを包含しており、前記一定の時間は、前記電子線照射により前記シュリンク量が実質的に一定となる時間であることを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
図1は、実施の形態1に係るパターン寸法測定装置100の構成を示すブロック図である。パターン寸法測定装置100は、レジストパターン寸法測定部21を備えている。レジストパターン寸法測定部21は、被加工膜上に形成されたレジストパターンの所定の箇所に電子線を一定の時間以上照射してレジストパターン寸法を測定する。
図5は、実施の形態2に係るパターン寸法測定装置200の構成を示すブロック図である。パターン寸法測定装置200は、選択部26を備えている。選択部26は、レジストパターンに電子線を照射したとき、レジストパターンが実質的にシュリンクしないような電子線の加速電圧および電流を選択する。
図8は、実施の形態3に係るパターン寸法測定装置300の構成を示すブロック図である。パターン寸法測定装置300は、パターン寸法測定部30を備えている。パターン寸法測定部30は、被加工膜上に形成されたレジストパターンの所定の箇所に電子線を照射して、そのパターン寸法を測定する。
22 補正部
23 転写部
24 被加工膜寸法測定部
25 寸法シフト量取得部
26 選択部
27 パターン寸法測定部
28 転写部
29 被加工膜寸法測定部
30 パターン寸法測定部
31 転写部
32 被加工膜寸法測定部
Claims (12)
- レジストパターンに電子線を一定の時間以上照射して前記レジストパターン寸法を測定するステップと、
前記一定の時間以上照射したレジストパターンのシュリンク量により、前記測定したレジストパターン寸法を補正して真の前記レジストパターン寸法を求めるステップとを包含しており、
前記一定の時間は、前記電子線照射により前記シュリンク量が実質的に一定となる時間であることを特徴とするパターン寸法測定方法。 - 被加工膜上に形成されたレジストパターンの所定の箇所に電子線を一定の時間以上照射して前記レジストパターン寸法を測定する第1ステップと、
前記第1ステップにおいて測定したレジストパターンをマスクとして前記被加工膜をエッチングし、前記レジストパターンを前記被加工膜に転写する第2ステップと、
前記被加工膜における、前記レジストパターンの前記所定の箇所と同一の箇所に電子線を照射して前記被加工膜の寸法を測定する第3ステップと、
少なくとも、前記一定の時間以上照射したレジストパターンのシュリンク量により、前記測定したレジストパターン寸法を補正して真の前記レジストパターン寸法を求めるか、または前記第1ステップにおいて測定したレジストパターン寸法と前記第3ステップにおいて測定した前記被加工膜の寸法に基づいて加工による寸法シフト量を求める第4ステップとを包含しており、
前記一定の時間は、前記電子線照射により前記シュリンク量が実質的に一定となる時間であることを特徴とするパターン寸法測定方法。 - レジストパターンに電子線を照射したとき、前記レジストパターンが実質的にシュリンクしないような前記電子線の加速電圧および電流を選択するステップと、
前記選択した加速電圧および電流の電子線を前記レジストパターンに照射して、そのパターン寸法を測定するステップとを包含することを特徴とするパターン寸法測定方法。 - 被加工膜上に形成されたレジストパターンに電子線を照射したとき、前記レジストパターンが実質的にシュリンクしないような前記電子線の加速電圧および電流を選択する第1ステップと、
前記選択した加速電圧および電流の電子線を前記レジストパターンの所定の箇所に照射して、そのパターン寸法を測定する第2ステップと、
前記第2ステップにおいて測定したレジストパターンをマスクとして前記被加工膜をエッチングし、前記レジストパターンを前記被加工膜に転写する第3ステップと、
前記被加工膜における、前記レジストパターンの所定の箇所と同一の箇所に電子線を照射して前記被加工膜の寸法を測定する第4ステップとを包含することを特徴とするパターン寸法測定方法。 - 被加工膜上に形成されたレジストパターンの所定の箇所に電子線を照射して、そのパターン寸法を測定するステップと、
前記測定したレジストパターンをマスクとして前記被加工膜をエッチングし、前記レジストパターンを前記被加工膜に転写するステップと、
前記被加工膜における、前記レジストパターンの所定の箇所と異なる箇所に電子線を照射して前記被加工膜の寸法を測定するステップとを包含することを特徴とするパターン寸法測定方法。 - 前記レジストパターンを形成するレジストは、化学増幅型レジストである、請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のパターン寸法測定方法。
- レジストパターンに電子線を一定の時間以上照射して前記レジストパターン寸法を測定する測定手段と、
前記一定の時間以上照射したレジストパターンのシュリンク量により、前記測定したレジストパターン寸法を補正して真の前記レジストパターン寸法を求める補正手段とを具備しており、
前記一定の時間は、前記電子線照射により前記シュリンク量が実質的に一定となる時間であることを特徴とするパターン寸法測定装置。 - 被加工膜上に形成されたレジストパターンの所定の箇所に電子線を一定の時間以上照射して前記レジストパターン寸法を測定するレジストパターン寸法測定手段と、
前記レジストパターン寸法測定手段によって測定されたレジストパターンをマスクとして前記被加工膜をエッチングし、前記レジストパターンを前記被加工膜に転写する転写手段と、
前記被加工膜における、前記レジストパターンの前記所定の箇所と同一の箇所に電子線を照射して前記被加工膜の寸法を測定する被加工膜寸法測定手段と、
少なくとも、前記一定の時間以上照射したレジストパターンのシュリンク量により、前記測定したレジストパターン寸法を補正して真の前記レジストパターン寸法を求めるか、または前記第1ステップにおいて測定したレジストパターン寸法と前記第3ステップにおいて測定した前記被加工膜の寸法に基づいて加工による寸法シフト量を求める手段とを具備しており、
前記一定の時間は、前記電子線照射により前記シュリンク量が実質的に一定となる時間であることを特徴とするパターン寸法測定装置。 - レジストパターンに電子線を照射したとき、前記レジストパターンが実質的にシュリンクしないような前記電子線の加速電圧および電流を選択する選択手段と、
前記選択した加速電圧および電流の電子線を前記レジストパターンに照射して、そのパターン寸法を測定する測定手段とを具備することを特徴とするパターン寸法測定装置。 - 被加工膜上に形成されたレジストパターンに電子線を照射したとき、前記レジストパターンが実質的にシュリンクしないような前記電子線の加速電圧および電流を選択する選択手段と、
前記選択した加速電圧および電流の電子線を前記レジストパターンの所定の箇所に照射して、そのパターン寸法を測定するパターン寸法測定手段と、
前記パターン寸法測定手段が測定したレジストパターンをマスクとして前記被加工膜をエッチングし、前記レジストパターンを前記被加工膜に転写する転写手段と、
前記被加工膜における、前記レジストパターンの所定の箇所と同一の箇所に電子線を照射して前記被加工膜の寸法を測定する被加工膜寸法測定手段とを具備することを特徴とするパターン寸法測定装置。 - 被加工膜上に形成されたレジストパターンの所定の箇所に電子線を照射して、そのパターン寸法を測定するパターン寸法測定手段と、
前記測定したレジストパターンをマスクとして前記被加工膜をエッチングし、前記レジストパターンを前記被加工膜に転写する転写手段と、
前記被加工膜における、前記レジストパターンの所定の箇所と異なる箇所に電子線を照射して前記被加工膜の寸法を測定する被加工膜寸法測定手段とを具備することを特徴とするパターン寸法測定装置。 - 前記レジストパターンを形成するレジストは、化学増幅型レジストである、請求項7ないし請求項11のいずれかに記載のパターン寸法測定装置。
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