JP2005033678A - ゲートドライブ回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】
より確実に半導体スイッチング素子を過電流から保護することができるゲートドライブ回路を提供する。
【解決手段】
直列に接続され相補的にオン・オフ駆動される一対の半導体スイッチング素子1、2からなる直列体を、直流電源の正・負極間に少なくとも1回路以上接続した出力部と、半導体スイッチング素子1、2を絶縁された制御回路3からの駆動信号6、7によりオン・オフ駆動するゲートドライブ回路4、5と、半導体スイッチング素子1、2のコレクタ・エミッタ間電圧を監視することにより過電流を検出する過電流検出手段とから成り、過電流発生時、過電流が検出された半導体スイッチング素子のゲートドライブ信号を停止し、該検出結果を過電流検出信号8、9として前記制御回路に出力すると同時に、対を成す半導体スイッチング素子のゲートドライブ信号も即座に停止させる。
【選択図】 図1
より確実に半導体スイッチング素子を過電流から保護することができるゲートドライブ回路を提供する。
【解決手段】
直列に接続され相補的にオン・オフ駆動される一対の半導体スイッチング素子1、2からなる直列体を、直流電源の正・負極間に少なくとも1回路以上接続した出力部と、半導体スイッチング素子1、2を絶縁された制御回路3からの駆動信号6、7によりオン・オフ駆動するゲートドライブ回路4、5と、半導体スイッチング素子1、2のコレクタ・エミッタ間電圧を監視することにより過電流を検出する過電流検出手段とから成り、過電流発生時、過電流が検出された半導体スイッチング素子のゲートドライブ信号を停止し、該検出結果を過電流検出信号8、9として前記制御回路に出力すると同時に、対を成す半導体スイッチング素子のゲートドライブ信号も即座に停止させる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電力変換装置における半導体スイッチング素子の過電流保護機能を備えたゲートドライブ回路に関する。
図3は半導体スイッチング素子の過電流保護機能を備えた従来のゲートドライブ回路の構成を示すブロック図である(例えば、特許文献1を参照)。
図3において、1および2は対で直列体(アーム)を構成している半導体スイッチング素子であり、3は制御回路、4および5は制御回路3からの駆動信号6、7を整形して半導体スイッチング素子1、2をオン・オフさせるゲートドライブ回路、8および9は過電流検出信号、11および12は過電流検出手段の過電流検出用抵抗である。また、Pは直流電源の正極、Nは前記直流電源の負極を示している。ここで、制御回路3およびゲートドライブ回路4、5の間はそれぞれ図示しないフォトカプラにより絶縁されている。
半導体スイッチング素子1(または2)に直列に接続された過電流検出用抵抗11(または12)の両端の電圧降下により過電流を検出すると、ゲートドライブ回路4(または5)は前記過電流を検出した半導体スイッチング素子1(または2)をオフさせると共に、制御回路3へ過電流検出信号8(または9)を出力し、制御回路3にて前記過電流検出信号をラッチし、電力変換装置の運転を停止させることにより、すなわち、制御回路3からの駆動信号6、7を停止させることにより、半導体スイッチング素子1、2を保護していた。
半導体スイッチング素子1(または2)に直列に接続された過電流検出用抵抗11(または12)の両端の電圧降下により過電流を検出すると、ゲートドライブ回路4(または5)は前記過電流を検出した半導体スイッチング素子1(または2)をオフさせると共に、制御回路3へ過電流検出信号8(または9)を出力し、制御回路3にて前記過電流検出信号をラッチし、電力変換装置の運転を停止させることにより、すなわち、制御回路3からの駆動信号6、7を停止させることにより、半導体スイッチング素子1、2を保護していた。
しかしながら、従来のゲートドライブ回路は、半導体スイッチング素子1(または2)に直列に接続した過電流検出用抵抗11(または12)の両端の電圧降下により過電流を検出し、制御回路3へ過電流検出信号8(または9)を出力し、制御回路3にてラッチし、運転を停止させる、すなわち、制御回路3からの駆動信号6、7を停止させることで、対を成す半導体スイッチング素子のゲートドライブ信号を停止させていたが、半導体スイッチング素子に並列挿入されたダイオードの逆回復電流による誤動作あるいはノイズによる誤動作を防ぐ為に設けられた図示しない遅延回路による遅れや、過電流検出手段から制御回路3への信号の遅れなどのため、対を成す半導体スイッチング素子のゲートドライブ信号が停止するまでの時間が長くなり、その結果アーム短絡が発生し半導体スイッチング素子が劣化または破壊してしまい、信頼性の高い電力変換装置を得ることが出来ないという問題があった。
そこで、本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、より確実に半導体スイッチング素子を過電流から保護することができるゲートドライブ回路を提供することを目的とするものである。
そこで、本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、より確実に半導体スイッチング素子を過電流から保護することができるゲートドライブ回路を提供することを目的とするものである。
上記問題を解決するため、請求項1に記載の発明は、直列に接続され相補的にオン・オフ駆動される一対の半導体スイッチング素子からなる直列体を、直流電源の正・負極間に少なくとも1回路以上接続した出力部と、前記直流電源の負極側に接続された第1の半導体スイッチング素子を、絶縁された制御回路からの信号によりオン・オフ駆動する第1のゲートドライブ回路と、前記直流電源の正極側に接続された第2の半導体スイッチング素子を、前記絶縁された制御回路からの信号によりオン・オフ駆動する第2のゲートドライブ回路と、前記第1の半導体スイッチング素子を流れる過電流を検出する第1の過電流検出手段と、前記第2の半導体スイッチング素子を流れる過電流を検出する第2の過電流検出手段と、を備えた電力変換装置において、前記第1の過電流検出手段または前記第2の過電流検出手段により過電流が検出されると、前記第1の半導体スイッチング素子または前記第2の半導体スイッチング素子のうち、過電流が検出された半導体スイッチング素子のゲートドライブ信号を停止し、該検出結果を過電流検出信号として前記絶縁された制御回路に出力すると同時に、即座に対を成す半導体スイッチング素子のゲートドライブ信号を停止させることを特徴とするものである。
請求項2に記載の発明は、前記第1の過電流検出手段および前記第2の過電流検出手段は、第1の半導体スイッチング素子および前記第2の半導体スイッチング素子のコレクタ・エミッタ間電圧を監視することにより過電流の検出を行なうことを特徴とするものである。
請求項2に記載の発明は、前記第1の過電流検出手段および前記第2の過電流検出手段は、第1の半導体スイッチング素子および前記第2の半導体スイッチング素子のコレクタ・エミッタ間電圧を監視することにより過電流の検出を行なうことを特徴とするものである。
本発明のゲートドライブ回路によれば、直列に接続され相補的にオン・オフ駆動される一対の半導体スイッチング素子からなる直列体を、直流電源の正・負極間に少なくとも1回路以上接続した出力部と、前記直流電源の負極側に接続された第1の半導体スイッチング素子を、前記絶縁された制御回路からの信号によりオン・オフ駆動する第1のゲートドライブ回路と、前記直流電源の正極側に接続された第2の半導体スイッチング素子を、絶縁された前記制御回路からの信号によりオン・オフ駆動する第2のゲートドライブ回路と、前記第1の半導体スイッチング素子を流れる過電流を検出する第1の過電流検出手段と、前記第2の半導体スイッチング素子を流れる過電流を検出する第2の過電流検出手段と、を備えた電力変換装置において、前記第1の過電流検出手段または前記第2の過電流検出手段により過電流が検出されると、前記第1の半導体スイッチング素子または前記第2の半導体スイッチング素子のうち、過電流が検出された半導体スイッチング素子のゲートドライブ信号を停止し、該検出結果を過電流検出信号として前記絶縁された制御回路に出力すると同時に、即座に対を成す半導体スイッチング素子のゲートドライブ信号を停止させているので、過電流が発生した場合、従来技術の場合よりも早く、対を成す半導体スイッチング素子のゲートドライブ信号を停止することができ、ノイズ耐量を損なうことなく、より確実に半導体スイッチング素子を過電流から保護することができる。当然、半導体スイッチング素子の破壊による交換も減ることから、メンテナンス費用も少なくなる。
さらに、前記第1の過電流検出手段および前記第2の過電流検出手段は、第1の半導体スイッチング素子および前記第2の半導体スイッチング素子のコレクタ・エミッタ間電圧を監視することにより過電流の検出を行なっているので、半導体スイッチング素子の特性変化によるゲート電圧不足やベース電流不足などの過電流以外の原因による故障からも半導体スイッチング素子を保護することができ、また、抵抗による電圧低下を利用した過電流検出手段より検出電圧を高くすることが出来るので、ノイズによる誤動作も少ない。しかも、これらは簡単な回路を追加することによって実現できるため、低コストで高信頼度、高寿命の電力変換装置を得ることができる。
さらに、前記第1の過電流検出手段および前記第2の過電流検出手段は、第1の半導体スイッチング素子および前記第2の半導体スイッチング素子のコレクタ・エミッタ間電圧を監視することにより過電流の検出を行なっているので、半導体スイッチング素子の特性変化によるゲート電圧不足やベース電流不足などの過電流以外の原因による故障からも半導体スイッチング素子を保護することができ、また、抵抗による電圧低下を利用した過電流検出手段より検出電圧を高くすることが出来るので、ノイズによる誤動作も少ない。しかも、これらは簡単な回路を追加することによって実現できるため、低コストで高信頼度、高寿命の電力変換装置を得ることができる。
以下、本発明の具体的実施例について、図に基づいて説明する。
図1は本発明の具体的実施例の構成を示すブロック図である。図1において、半導体スイッチング素子の過電流保護機能を備えた従来のゲートドライブ回路の構成を示すブロック図(図3)と同一機能の構成要素に対しては同じ符号を用いている。なお、半導体スイッチング素子1,2としては、トランジスタ、MOSFET,IGBTなどがある。
半導体スイッチング素子1(または2)のゲートドライブ回路4(または5)が過電流を検出すると、ゲートドライブ回路4(または5)の内部で過電流を検出した半導体スイッチング素子1(または2)のゲートドライブ信号を停止し、過電流を検出した半導体スイッチング素子1(または2)をオフする。同時に、過電流検出信号8(または9)は対を成す相手側のゲートドライブ回路5(または4)へ出力され、対を成した相手側ゲートドライブ回路5(または4)において、半導体スイッチング素子2(または1)のゲートドライブ信号を即座に停止し、対を成した相手側の半導体スイッチング素子2(または1)がオンしないようにする。また、過電流検出信号8(または9)は、制御回路3へも出力され、制御回路3でラッチされた後、電力変換装置の運転を停止、すなわち、駆動信号6、7を停止する。
本発明の具体的実施例の構成を示すブロック図(図1)と、半導体スイッチング素子の過電流保護機能を備えた従来のゲートドライブ回路の構成を示すブロック図(図3)の構成上の違いは、過電流検出信号8(または9)を制御回路3へ出力すると同時に、対を成す相手側ゲートドライブ回路5(または4)へ出力する構成となっている点と、抵抗の電圧降下ではなく半導体スイッチング素子のコレクタ・エミッタ間電圧で過電流を検出している点である。
半導体スイッチング素子1(または2)のゲートドライブ回路4(または5)が過電流を検出すると、ゲートドライブ回路4(または5)の内部で過電流を検出した半導体スイッチング素子1(または2)のゲートドライブ信号を停止し、過電流を検出した半導体スイッチング素子1(または2)をオフする。同時に、過電流検出信号8(または9)は対を成す相手側のゲートドライブ回路5(または4)へ出力され、対を成した相手側ゲートドライブ回路5(または4)において、半導体スイッチング素子2(または1)のゲートドライブ信号を即座に停止し、対を成した相手側の半導体スイッチング素子2(または1)がオンしないようにする。また、過電流検出信号8(または9)は、制御回路3へも出力され、制御回路3でラッチされた後、電力変換装置の運転を停止、すなわち、駆動信号6、7を停止する。
本発明の具体的実施例の構成を示すブロック図(図1)と、半導体スイッチング素子の過電流保護機能を備えた従来のゲートドライブ回路の構成を示すブロック図(図3)の構成上の違いは、過電流検出信号8(または9)を制御回路3へ出力すると同時に、対を成す相手側ゲートドライブ回路5(または4)へ出力する構成となっている点と、抵抗の電圧降下ではなく半導体スイッチング素子のコレクタ・エミッタ間電圧で過電流を検出している点である。
次に、本発明の実施例の具体的回路および動作について図を用いて説明する。
図2は本発明のゲートドライブ回路の詳細を示すブロック図である。
図2において、13および14は過電流検出手段、15および16はコンパレータ、17および18はNANDゲート、19および20は3入力ANDゲート、
21、22、23および24は絶縁のためのフォトカプラである。
制御回路3からの駆動信号6はフォトカプラ21を通じてゲートドライブ回路4に伝わり、整形された駆動信号6Aとなり、3入力ANDゲート19に入力される。駆動信号6Aは駆動時が「H」である。3入力ANDゲート19の他の2つの入力信号がいずれも「H」の場合のみ、3入力ANDゲート19の出力は「H」となり、ゲートドライブ信号6Bが「H」となり、半導体スイッチング素子1がオンし、半導体スイッチング素子1に電流が流れる。
半導体スイッチング素子1に過電流が流れようとすると、半導体スイッチング素子1のコレクタ・エミッタ間電圧が上昇し、飽和電圧以上の所定の閾値(図2に記載のVref)を越えると過電流検出手段13のコンパレータ15の出力は「H」となる。
一方、半導体スイッチング素子1がオフしている場合も、コレクタ・エミッタ間電圧は高い電圧になっている為、コンパレータ15の出力は同じく「H」となる。この両者を区別するため、NANDゲート17により駆動信号6Aが有る(「H」)時のみ、過電流検出信号8が出力する、すなわち、NANDゲート17の出力が「L」になるようにしている。この過電流検出信号8は3入力ANDゲート19の入力を「L」にするため、3入力ANDゲート19の出力は「L」となり、ゲートドライブ信号6Bが「L」のまま停止し、すなわち駆動信号6Aがブロックされ、半導体スイッチング素子1はオフする。また、この過電流検出信号8はフォトカプラ24を通じて、即座に対を成している半導体スイッチング素子2のゲートドライブ回路5に入力され、3入力ANDゲート20の入力を「L」にするため、3入力ANDゲート20の出力は駆動信号7の有無にかかわらず「L」、すなわち、ゲートドライブ信号7Bが「L」のまま停止し、半導体スイッチング素子1がオンすることを防いでいる。
さらに過電流検出信号8は、図示しないフォトカプラを通じて制御回路3に伝えられ、ラッチ処理され駆動信号6、7が停止される。
以上述べたように、直列に接続され相補的にオン・オフ駆動される一対の半導体スイッチング素子からなる直列体を、直流電源の正・負極間に少なくとも1回路以上接続した出力部と、前記直流電源の負極側に接続された半導体スイッチング素子2を、絶縁された制御回路3からの信号によりオン・オフ駆動するゲートドライブ回路5と、前記直流電源の正極側に接続された半導体スイッチング素子1を、絶縁された制御回路3からの信号によりオン・オフ駆動するゲートドライブ回路4と、半導体スイッチング素子2を流れる過電流を検出する過電流検出手段14と、半導体スイッチング素子1を流れる過電流を検出する過電流検出手段13と、を備えた電力変換装置において、過電流検出手段14または過電流検出手段13により過電流が検出されると、半導体スイッチング素子2または半導体スイッチング素子1のうち、過電流が検出された半導体スイッチング素子のゲートドライブ信号を停止し、該検出結果を過電流検出信号として絶縁された制御回路3に出力すると同時に、即座に対を成す半導体スイッチング素子のゲートドライブ信号を停止させているので、過電流が発生した場合従来技術よりも早く、対を成すスイッチング素子のゲートドライブ信号を停止することが可能となり、アーム短絡を防止できるため、より確実にスイッチング素子を保護することができる。また、ゲートドライブ回路4、5では過電流検出信号8をラッチしていないため、ノイズによる誤動作でラッチしてしまう心配が無く、ノイズ耐量を劣化させることがない。さらに、過電流検出手段14および過電流検出手段15は、半導体スイッチング素子2および半導体スイッチング素子1のコレクタ・エミッタ間電圧を監視することにより過電流の検出を行なっているので、ゲート電圧不足またはベース電流不足などの過電流以外の原因による劣化や故障からも半導体スイッチング素子1、2を保護することができる。また、抵抗による電圧低下を利用した過電流検出手段より検出電圧を高くすることが出来るので、ノイズによる誤検出も少ない。しかも、これらは簡単な回路を追加することによって実現できるため、低コストで信頼性の高い電力変換装置を得ることができる。
図2は本発明のゲートドライブ回路の詳細を示すブロック図である。
図2において、13および14は過電流検出手段、15および16はコンパレータ、17および18はNANDゲート、19および20は3入力ANDゲート、
21、22、23および24は絶縁のためのフォトカプラである。
制御回路3からの駆動信号6はフォトカプラ21を通じてゲートドライブ回路4に伝わり、整形された駆動信号6Aとなり、3入力ANDゲート19に入力される。駆動信号6Aは駆動時が「H」である。3入力ANDゲート19の他の2つの入力信号がいずれも「H」の場合のみ、3入力ANDゲート19の出力は「H」となり、ゲートドライブ信号6Bが「H」となり、半導体スイッチング素子1がオンし、半導体スイッチング素子1に電流が流れる。
半導体スイッチング素子1に過電流が流れようとすると、半導体スイッチング素子1のコレクタ・エミッタ間電圧が上昇し、飽和電圧以上の所定の閾値(図2に記載のVref)を越えると過電流検出手段13のコンパレータ15の出力は「H」となる。
一方、半導体スイッチング素子1がオフしている場合も、コレクタ・エミッタ間電圧は高い電圧になっている為、コンパレータ15の出力は同じく「H」となる。この両者を区別するため、NANDゲート17により駆動信号6Aが有る(「H」)時のみ、過電流検出信号8が出力する、すなわち、NANDゲート17の出力が「L」になるようにしている。この過電流検出信号8は3入力ANDゲート19の入力を「L」にするため、3入力ANDゲート19の出力は「L」となり、ゲートドライブ信号6Bが「L」のまま停止し、すなわち駆動信号6Aがブロックされ、半導体スイッチング素子1はオフする。また、この過電流検出信号8はフォトカプラ24を通じて、即座に対を成している半導体スイッチング素子2のゲートドライブ回路5に入力され、3入力ANDゲート20の入力を「L」にするため、3入力ANDゲート20の出力は駆動信号7の有無にかかわらず「L」、すなわち、ゲートドライブ信号7Bが「L」のまま停止し、半導体スイッチング素子1がオンすることを防いでいる。
さらに過電流検出信号8は、図示しないフォトカプラを通じて制御回路3に伝えられ、ラッチ処理され駆動信号6、7が停止される。
以上述べたように、直列に接続され相補的にオン・オフ駆動される一対の半導体スイッチング素子からなる直列体を、直流電源の正・負極間に少なくとも1回路以上接続した出力部と、前記直流電源の負極側に接続された半導体スイッチング素子2を、絶縁された制御回路3からの信号によりオン・オフ駆動するゲートドライブ回路5と、前記直流電源の正極側に接続された半導体スイッチング素子1を、絶縁された制御回路3からの信号によりオン・オフ駆動するゲートドライブ回路4と、半導体スイッチング素子2を流れる過電流を検出する過電流検出手段14と、半導体スイッチング素子1を流れる過電流を検出する過電流検出手段13と、を備えた電力変換装置において、過電流検出手段14または過電流検出手段13により過電流が検出されると、半導体スイッチング素子2または半導体スイッチング素子1のうち、過電流が検出された半導体スイッチング素子のゲートドライブ信号を停止し、該検出結果を過電流検出信号として絶縁された制御回路3に出力すると同時に、即座に対を成す半導体スイッチング素子のゲートドライブ信号を停止させているので、過電流が発生した場合従来技術よりも早く、対を成すスイッチング素子のゲートドライブ信号を停止することが可能となり、アーム短絡を防止できるため、より確実にスイッチング素子を保護することができる。また、ゲートドライブ回路4、5では過電流検出信号8をラッチしていないため、ノイズによる誤動作でラッチしてしまう心配が無く、ノイズ耐量を劣化させることがない。さらに、過電流検出手段14および過電流検出手段15は、半導体スイッチング素子2および半導体スイッチング素子1のコレクタ・エミッタ間電圧を監視することにより過電流の検出を行なっているので、ゲート電圧不足またはベース電流不足などの過電流以外の原因による劣化や故障からも半導体スイッチング素子1、2を保護することができる。また、抵抗による電圧低下を利用した過電流検出手段より検出電圧を高くすることが出来るので、ノイズによる誤検出も少ない。しかも、これらは簡単な回路を追加することによって実現できるため、低コストで信頼性の高い電力変換装置を得ることができる。
本発明は分野および用途を問わずアームを構成している半導体スイッチング素子を用いた装置に適用可能である。
1、2 半導体スイッチング素子
3 制御回路
4、5 ゲートドライブ回路
6、6A、7、7A 駆動信号
6B、7A ゲートドライブ信号
8、9 過電流検出信号
11、12 過電流検出用抵抗
13、14 過電流検出手段
15、16 コンパレータ
17、18 NANDゲート
19、20 3入力ANDゲート
21、22、23、24 フォトカプラ
3 制御回路
4、5 ゲートドライブ回路
6、6A、7、7A 駆動信号
6B、7A ゲートドライブ信号
8、9 過電流検出信号
11、12 過電流検出用抵抗
13、14 過電流検出手段
15、16 コンパレータ
17、18 NANDゲート
19、20 3入力ANDゲート
21、22、23、24 フォトカプラ
Claims (2)
- 直列に接続され相補的にオン・オフ駆動される一対の半導体スイッチング素子からなる直列体を、直流電源の正・負極間に少なくとも1回路以上接続した出力部と、
前記直流電源の負極側に接続された第1の半導体スイッチング素子を、絶縁された制御回路からの信号によりオン・オフ駆動する第1のゲートドライブ回路と、
前記直流電源の正極側に接続された第2の半導体スイッチング素子を、前記絶縁された制御回路からの信号によりオン・オフ駆動する第2のゲートドライブ回路と、
前記第1の半導体スイッチング素子を流れる過電流を検出する第1の過電流検出手段と、
前記第2の半導体スイッチング素子を流れる過電流を検出する第2の過電流検出手段と、
を備えた電力変換装置において、
前記第1の過電流検出手段または前記第2の過電流検出手段により過電流が検出されると、前記第1の半導体スイッチング素子または前記第2の半導体スイッチング素子のうち、過電流が検出された半導体スイッチング素子のゲートドライブ信号を停止し、該検出結果を過電流検出信号として前記絶縁された制御回路に出力すると同時に、即座に対を成す半導体スイッチング素子のゲートドライブ信号を停止させることを特徴とするゲートドライブ回路。 - 前記第1の過電流検出手段および前記第2の過電流検出手段は、第1の半導体スイッチング素子および前記第2の半導体スイッチング素子のコレクタ・エミッタ間電圧を監視することにより過電流の検出を行なうことを特徴とする請求項1に記載のゲートドライブ回路。
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Cited By (10)
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JP2007295184A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 電力供給制御装置 |
JP2008236907A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 電力変換装置のゲート制御回路及びゲート制御方法 |
JP2009060358A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Denso Corp | 過電流保護回路及び電力変換システム |
JP2010233252A (ja) * | 2010-06-24 | 2010-10-14 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 内燃機関制御装置 |
JP2011166576A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Denso Corp | 貫通電流防止回路および車両用モータ駆動回路 |
JP2013183308A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Denso Corp | スイッチング素子の駆動回路 |
WO2015121931A1 (ja) * | 2014-02-12 | 2015-08-20 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP2017085895A (ja) * | 2017-02-20 | 2017-05-18 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置の駆動回路 |
WO2021070495A1 (ja) * | 2019-10-11 | 2021-04-15 | 富士電機株式会社 | スイッチング制御回路、駆動制御装置及びスイッチング制御方法 |
JP2021176253A (ja) * | 2020-05-01 | 2021-11-04 | 株式会社デンソー | ゲート駆動装置および複合ゲート駆動装置 |
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2003
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Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007295184A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 電力供給制御装置 |
JP2008236907A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 電力変換装置のゲート制御回路及びゲート制御方法 |
JP2009060358A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Denso Corp | 過電流保護回路及び電力変換システム |
JP2011166576A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Denso Corp | 貫通電流防止回路および車両用モータ駆動回路 |
JP2010233252A (ja) * | 2010-06-24 | 2010-10-14 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 内燃機関制御装置 |
JP2013183308A (ja) * | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Denso Corp | スイッチング素子の駆動回路 |
JPWO2015121931A1 (ja) * | 2014-02-12 | 2017-03-30 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP6099776B2 (ja) * | 2014-02-12 | 2017-03-22 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
WO2015121931A1 (ja) * | 2014-02-12 | 2015-08-20 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
US9712044B2 (en) | 2014-02-12 | 2017-07-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Power converter |
JP2017085895A (ja) * | 2017-02-20 | 2017-05-18 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置の駆動回路 |
WO2021070495A1 (ja) * | 2019-10-11 | 2021-04-15 | 富士電機株式会社 | スイッチング制御回路、駆動制御装置及びスイッチング制御方法 |
JPWO2021070495A1 (ja) * | 2019-10-11 | 2021-04-15 | ||
CN113632336A (zh) * | 2019-10-11 | 2021-11-09 | 富士电机株式会社 | 开关控制电路、驱动控制装置及开关控制方法 |
JP7099643B2 (ja) | 2019-10-11 | 2022-07-12 | 富士電機株式会社 | スイッチング制御回路、駆動制御装置及びスイッチング制御方法 |
US12021441B2 (en) | 2019-10-11 | 2024-06-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | Switching control circuit, drive control device, and switching control method |
JP2021176253A (ja) * | 2020-05-01 | 2021-11-04 | 株式会社デンソー | ゲート駆動装置および複合ゲート駆動装置 |
JP7327269B2 (ja) | 2020-05-01 | 2023-08-16 | 株式会社デンソー | ゲート駆動装置および複合ゲート駆動装置 |
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