JP2005029897A - 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置およびターゲット装置 - Google Patents
真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置およびターゲット装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005029897A JP2005029897A JP2004287003A JP2004287003A JP2005029897A JP 2005029897 A JP2005029897 A JP 2005029897A JP 2004287003 A JP2004287003 A JP 2004287003A JP 2004287003 A JP2004287003 A JP 2004287003A JP 2005029897 A JP2005029897 A JP 2005029897A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- sprayed
- vacuum
- component
- forming apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】真空成膜装置用部品1は、部品本体2と、この部品本体2の表面に形成された溶射膜3とを具備する。溶射膜3は、局部山頂の平均間隔Sが50〜150μmの範囲、最大谷深さRvおよび最大山高さRpがそれぞれ20〜70μmの範囲の表面粗さを有する。ターゲット装置は同様な溶射膜を有する。
【選択図】図1
Description
まず、図7に示したスパッタリング装置のアースシールド13、上部防着板14、下部防着板15およびプラテンリング17を、SUS 304製基材の表面にプラズマ溶射法で厚さ250μmのAl溶射膜と厚さ100μmのTi溶射膜を順に形成した作製した。これら各部品を使用して、マグネトロンスパッタリング装置を構成した。
上記した実施例1と同様にして、表2に示すAl溶射膜とTi溶射膜の積層膜を形成した各部品を用いて、それぞれマグネトロンスパッタリング装置を構成した。溶射膜の最表面の表面粗さおよび各溶射膜の硬度は表2に示す通りである。溶射膜の表面粗さは粉末粒径により調整した。溶射膜の硬度はアニール条件により調整した。
まず、溶射原料として粉末粒径が40〜150μmの範囲で粒径分布が異なるTi溶射原料を複数用意した。これらTi溶射原料を用いて、図7に示したスパッタリング装置のアースシールド13、上部防着板14、下部防着板15およびプラテンリング17の各部品(SUS304製基材)に対して、プラズマ溶射法で厚さ200μmのTi溶射膜をそれぞれ形成した。次いで、Ti溶射面をクリーニング処理した後、真空中にて300〜500℃×3hrの条件で熱処理を施した。各Ti溶射膜の表面粗さは表3に示す通りである。
溶射原料として粉末粒径が40〜120μmの範囲で粒径分布が異なるAl溶射原料を複数用意した。これらAl溶射原料を用いて、図7に示したスパッタリング装置のアースシールド13、上部防着板14、下部防着板15およびプラテンリング17の各部品(SUS 304製基材)に対して、プラズマ溶射法で厚さ200μmのAl溶射膜をそれぞれ形成した。次いで、Al溶射面をクリーニング処理した後、真空中にて300〜500℃×3hrの条件で熱処理を施した。各Al溶射膜の表面粗さは表4に示す通りである。
溶射原料として粉末粒径が40〜150μmの範囲で粒径分布が異なるTi溶射原料を複数用意した。これらTi溶射原料を用いて、図7に示したスパッタリング装置のアースシールド13、上部防着板14、下部防着板15およびプラテンリング17の各部品(SUS 304製基材)に対して、プラズマ溶射法で厚さ200μmのAl溶射膜を形成し、さらにプラズマ溶射法で厚さ80μmのTi溶射膜を形成した。次いで、Ti溶射面をクリーニング処理した後、真空中にて300〜500℃×3hrの条件でアニーリング処理を施した。これら各溶射膜の硬度を表5に示す。
溶射原料として粉末粒径が40〜120μmの範囲で粒径分布が異なるAl溶射原料を複数用意した。Al溶射原料を用いて、図7に示したスパッタリング装置のアースシールド13、上部防着板14、下部防着板15およびプラテンリング17の各部品(SUS 304製基材)に対して、プラズマ溶射法で厚さ200μmのAl溶射膜を形成し、さらにその上にプラズマ溶射法で厚さ100μmのW溶射膜を形成した。次いで、W溶射面をクリーニング処理した後、真空中にて300〜500℃×3hrの条件でアニーリング処理を施した。これら各溶射膜の硬度を表6に示す。
図7に示したスパッタリング装置のアースシールド13、上部防着板14、下部防着板15およびプラテンリング17の各部品(SUS 304製基材)に対して、表7に示す各溶射膜をプラズマ溶射法でそれぞれ形成した。次いで、各溶射面をクリーニング処理した後、表7に示す条件でアニーリング処理を施した。これら各溶射膜の表面粗さおよび硬度は表7に示す通りである。
図7に示したスパッタリング装置のアースシールド13、上部防着板14、下部防着板15およびプラテンリング17の各部品に対して、表8に示す2層積層構造の各溶射膜(下層はAl溶射膜)をそれぞれ形成した。次いで、各溶射面をクリーニング処理した後、表8に示す条件でアニーリング処理を施した。これら各溶射膜の表面粗さおよび硬度は表8に示す通りである。
図7に示したスパッタリング装置のアースシールド13、上部防着板14、下部防着板15およびプラテンリング17の各部品に対して、表9に示す2層積層構造の各溶射膜(下層はCu溶射膜)をそれぞれ形成した。次いで、各溶射面をクリーニング処理した後、表9に示す条件でアニーリング処理を施した。これら各溶射膜の表面粗さおよび硬度は表9に示す通りである。
図7に示したスパッタリング装置のアースシールド13、上部防着板14、下部防着板15およびプラテンリング17の各部品(SUS 304製基材)に対して、表10に示す2層積層構造の各溶射膜(下層はNi溶射膜)をプラズマ溶射法でそれぞれ形成した。次いで、各溶射面をクリーニング処理した後、表10に示す条件でアニーリング処理を施した。これら各溶射膜の表面粗さおよび硬度は表10に示す通りである。なお、各溶射膜の形成条件は実施例7と同一とした。
図7に示したスパッタリング装置のアースシールド13、上部防着板14、下部防着板15およびプラテンリング17の各部品(SUS 304製基材)に対して、プラズマ溶射法で厚さ約200μmのTi溶射膜をそれぞれ形成した。また、ターゲット11としては高純度Tiを使用し、またバッキングプレート12にはAlを使用した。ターゲット11の外周部の非エロージョン領域、およびバッキングプレート12の表面にも、同様にプラズマ溶射法で厚さ約200μmのTi溶射膜を形成した。
Claims (13)
- 真空成膜装置の構成部品であって、
部品本体と、
前記部品本体の表面に形成され、JIS B 0601-1994で規定する局部山頂の平均間隔Sが50〜150μmの範囲、最大谷深さRvおよび最大山高さRpがそれぞれ20〜70μmの範囲である表面粗さを有する溶射膜と
を具備することを特徴とする真空成膜装置用部品。 - 請求項1記載の真空成膜装置用部品において、
前記溶射膜は成膜材料との熱膨張率の差が15×10-6/K以下の金属材料からなる被膜を有することを特徴とする真空成膜装置用部品。 - 請求項1または請求項2記載の真空成膜装置用部品において、
前記溶射膜は前記部品本体との熱膨張率の差が20×10-6/K以下の金属材料からなる被膜を有することを特徴とする真空成膜装置用部品。 - 請求項1記載の真空成膜装置用部品において、
前記溶射膜は異なる材料からなる2層以上の被膜を有することを特徴とする真空成膜装置用部品。 - 請求項4記載の真空成膜装置用部品において、
前記溶射膜は、前記部品本体上に形成され、軟金属材料からなる応力緩和層と、前記応力緩和層上に形成され、成膜材料との熱膨張率差が15×10-6/K以下の金属材料からなる熱膨張緩和層とを有することを特徴とする真空成膜装置用部品。 - 請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載の真空成膜装置用部品において、
前記溶射膜は、ビッカース硬さがHv30以下のAl系溶射膜、ビッカース硬さがHv100以下のCu系溶射膜、ビッカース硬さがHv200以下のNi系溶射膜、ビッカース硬さがHv300以下のTi系溶射膜、ビッカース硬さがHv300以下のMo系溶射膜、およびビッカース硬さがHv500以下のW系溶射膜から選ばれる少なくとも1つの被膜を有することを特徴とする真空成膜装置用部品。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか1項記載の真空成膜装置用部品において、
前記溶射膜は50〜500μmの範囲の厚さを有することを特徴とする真空成膜装置用部品。 - 請求項5記載の真空成膜装置用部品において、
前記応力緩和層は100〜300μmの範囲の厚さを有し、かつ前記熱膨張緩和層は50〜150μmの範囲の厚さを有することを特徴とする真空成膜装置用部品。 - 真空容器と、
前記真空容器内に配置される被成膜試料保持部と、
前記真空容器内に前記被成膜試料保持部と対向して配置される成膜源と、
前記成膜源を保持する成膜源保持部と、
前記被成膜試料保持部または前記成膜源保持部の周囲に配置された防着部品とを具備し、
前記被成膜試料保持部、前記成膜源保持部および前記防着部品から選ばれる少なくとも1つが、請求項1ないし請求項8のいずれか1項記載の真空成膜装置用部品からなることを特徴とする真空成膜装置。 - 請求項9記載の真空成膜装置において、
前記真空成膜装置用部品の表面に形成された前記溶射膜は、前記成膜源を構成する少なくとも1種の金属材料を含む被膜を有することを特徴とする真空成膜装置。 - 請求項9または請求項10記載の真空成膜装置において、
前記成膜装置はスパッタリング装置であることを特徴とする真空成膜装置。 - ターゲット本体と、
前記ターゲット本体の非エロージョン領域に形成され、JIS B 0601-1994で規定する局部山頂の平均間隔Sが50〜150μmの範囲、最大谷深さRvおよび最大山高さRpがそれぞれ20〜70μmの範囲である表面粗さを有する溶射膜と
を具備することを特徴とするターゲット装置。 - ターゲットと、
前記ターゲットを保持するバッキングプレート本体と、前記バッキングプレート本体の表面に形成され、JIS B 0601-1994で規定する局部山頂の平均間隔Sが50〜150μmの範囲、最大谷深さRvおよび最大山高さRpがそれぞれ20〜70μmの範囲である表面粗さを有する溶射膜とを備えるパッキングプレートと
を具備することを特徴とするターゲット装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004287003A JP4686159B2 (ja) | 1999-12-28 | 2004-09-30 | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置およびターゲット装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP37568699 | 1999-12-28 | ||
JP37568799 | 1999-12-28 | ||
JP2004287003A JP4686159B2 (ja) | 1999-12-28 | 2004-09-30 | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置およびターゲット装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000399263A Division JP4551561B2 (ja) | 1999-12-28 | 2000-12-27 | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、およびターゲット装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005029897A true JP2005029897A (ja) | 2005-02-03 |
JP4686159B2 JP4686159B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=34222058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004287003A Expired - Lifetime JP4686159B2 (ja) | 1999-12-28 | 2004-09-30 | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置およびターゲット装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4686159B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007100218A (ja) * | 2006-12-18 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、およびターゲットとバッキングプレート |
JP2008291299A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Texas Instr Japan Ltd | メタル成膜装置におけるメタル膜剥離防止構造及び当該構造を用いる半導体装置の製造方法 |
JPWO2010027073A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2012-02-02 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
JP2017024278A (ja) * | 2015-07-23 | 2017-02-02 | 積水化学工業株式会社 | バリア性シートおよび建造物 |
CN113265631A (zh) * | 2020-02-14 | 2021-08-17 | 日本爱发科泰克能株式会社 | 合金熔射膜以及成膜装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0762519A (ja) * | 1993-08-27 | 1995-03-07 | Toyota Motor Corp | シリンダブロックの製造方法 |
JPH09272965A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-21 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、およびターゲット、バッキングプレート |
JPH11345780A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-12-14 | Canon Inc | 真空処理装置および真空処理方法、並びに該方法によって作成される電子写真感光体 |
WO2001048260A1 (fr) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pieces pour dispositifs de formation de film sous vide |
-
2004
- 2004-09-30 JP JP2004287003A patent/JP4686159B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0762519A (ja) * | 1993-08-27 | 1995-03-07 | Toyota Motor Corp | シリンダブロックの製造方法 |
JPH09272965A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-21 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、およびターゲット、バッキングプレート |
JPH11345780A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-12-14 | Canon Inc | 真空処理装置および真空処理方法、並びに該方法によって作成される電子写真感光体 |
WO2001048260A1 (fr) * | 1999-12-28 | 2001-07-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pieces pour dispositifs de formation de film sous vide |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007100218A (ja) * | 2006-12-18 | 2007-04-19 | Toshiba Corp | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、およびターゲットとバッキングプレート |
JP2008291299A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Texas Instr Japan Ltd | メタル成膜装置におけるメタル膜剥離防止構造及び当該構造を用いる半導体装置の製造方法 |
JP4623055B2 (ja) * | 2007-05-23 | 2011-02-02 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | メタル成膜装置におけるメタル膜剥離防止構造及び当該構造を用いる半導体装置の製造方法 |
JPWO2010027073A1 (ja) * | 2008-09-05 | 2012-02-02 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
JP5566891B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2014-08-06 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置用部品及び半導体製造装置 |
JP2017024278A (ja) * | 2015-07-23 | 2017-02-02 | 積水化学工業株式会社 | バリア性シートおよび建造物 |
CN113265631A (zh) * | 2020-02-14 | 2021-08-17 | 日本爱发科泰克能株式会社 | 合金熔射膜以及成膜装置 |
CN113265631B (zh) * | 2020-02-14 | 2023-05-02 | 日本爱发科泰克能株式会社 | 合金熔射膜以及成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4686159B2 (ja) | 2011-05-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100418331B1 (ko) | 진공 성막 장치용 부품 및 그것을 이용한 진공 성막 장치,및 타깃 장치 | |
JP4546447B2 (ja) | 耐プラズマエロージョン性に優れる溶射皮膜被覆部材およびその製造方法 | |
JP5558807B2 (ja) | 真空成膜装置用部品及び真空成膜装置 | |
JP4551561B2 (ja) | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、およびターゲット装置 | |
JP4894158B2 (ja) | 真空装置用部品 | |
JPH09272965A (ja) | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、およびターゲット、バッキングプレート | |
JP4546448B2 (ja) | 耐プラズマエロージョン性に優れる溶射皮膜被覆部材およびその製造方法 | |
JP2004232016A (ja) | 真空成膜装置用部品およびそれを用いた真空成膜装置 | |
JP4686159B2 (ja) | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置およびターゲット装置 | |
CN102465258A (zh) | 镀膜件及其制备方法 | |
JP4769181B2 (ja) | ターゲットとバッキングプレート | |
JP5111697B2 (ja) | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置 | |
JP4820508B2 (ja) | スパッタリングターゲットとその製造方法、スパッタリング装置、薄膜の製造方法、電子部品の製造方法 | |
JP5355678B2 (ja) | 真空成膜装置用部品の製造方法 | |
JP5269942B2 (ja) | 真空成膜装置用部品の製造方法 | |
WO2022014175A1 (ja) | 研磨布用ドレッサー | |
JP4851700B2 (ja) | 真空成膜装置用部品及び真空成膜装置 | |
JP5059993B2 (ja) | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置、ターゲット装置および真空成膜方法 | |
JP4604640B2 (ja) | 真空装置用部品及びその製造方法並びにそれを用いた装置 | |
JP4825366B2 (ja) | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置 | |
JP4647249B2 (ja) | 薄膜形成装置用部品およびその製造方法 | |
JP5254277B2 (ja) | 真空成膜装置用部品の製造方法 | |
JP5269920B2 (ja) | 真空成膜装置用部品の製造方法 | |
JP2004083960A (ja) | 真空成膜装置用部品とそれを用いた真空成膜装置 | |
JP2010031317A (ja) | 真空装置用部品及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070827 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101026 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101227 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20101227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110118 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110214 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4686159 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |