JP2005026481A - 多層基板用基材、多層基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高精度な位置合わせを行え、しかも、アライメント後のプロセスでアライメントずれを生じることがないようにすること。
【解決手段】多層基板用基材１０の各々に設けられている磁気的なアライメントマーク１２とプレス板５０に設けられている磁気手段５１との相互の磁気的吸引によって多層基板用基材相互の位置合わせを行う。
【選択図】 図２
【解決手段】多層基板用基材１０の各々に設けられている磁気的なアライメントマーク１２とプレス板５０に設けられている磁気手段５１との相互の磁気的吸引によって多層基板用基材相互の位置合わせを行う。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、多層基板用基材、多層基板およびその製造方法に関し、特に、電子部品を実装する配線板、パッケージ基板として用いられる多層基板およびその製造方法および多層基板用基材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の軽薄短小化、半導体チップや部品の小型化、端子の狭ピッチ化に伴い、電子部品を実装する配線基板やパッケージ基板にも実装面積の縮小や配線の精細化が進んでいる。同時に、情報関連機器では、信号周波数の広帯域化に対応して部品間を接続する配線の短距離化が求められており、高密度、高性能を達成するためのプリント基板の多層化は必要不可欠の技術となっている。
【０００３】
多層基板には、絶縁性基材に形成されたバイアホールに充填された導電性ペーストによって層間導通を得るもの（例えば、特許文献１、２）、絶縁性基材をポリイミド等の可撓性樹脂フィルムで構成したもの（例えば、特許文献２、３）等がある。
【０００４】
多層基板の高密度化に伴い配線基板に形成される回路パターンの微細化が進み、積層数が多くなる傾向がある。多層基板では、多層基板用基材の積層精度（位置合わせ精度）が、多層基板の性能を左右するから、積層数の増加に伴い、積層精度が高い積層方法の開発が望まれている。
【０００５】
配線基板の多層積層は、積層対象の全ての多層基板用基材に位置合わせ用の基準穴をあけ、この基準穴にガイドピンを通して位置合わせを行うピンラミネーション法（例えば、非特許文献１）や切り欠き等を用いた位置合わせ法によって位置合わせを行い、その後に、加熱可能な真空プレス装置を用いて一括積層を行う。
【０００６】
【特許文献１】
特開平６−３０２９５７号公報
【特許文献２】
特開平９−８２８３５号公報
【特許文献３】
特開２００２−３５３６２１号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ピンラミネーション法（ピンガイド方式）による位置合わせは、図１１に示されているように、多層基板用基材１０１に貫通形成されている基準穴１０２とガイドピン１０３との間のクリアランスδ、基準穴１０２やガイドピン１０３の加工精度の影響を受け、高精度な位置合わせ（アライメント精度）に限界がある。
【０００８】
また、ピンラミネーション法等の従来法では、多層基板用基材がポリイミド等の可撓性樹脂フィルムで構成され、変形し易いものの場合、アライメント時の多層基板用基材の変形によってアライメント精度が低下する傾向がある。また、ピンラミネーション法等の従来法では、アライメント後のプロセスの自由度が低く、アライメント後のプロセス、搬送時にアライメントずれが生じる虞れがあり、アライメント精度にばらつきが生じる。
【０００９】
この発明は、上述の如き問題点を解消するためになされたもので、クリアランス等の機械的な影響を受けることがなく、多層基板用基材がポリイミド等、変形し易いものであっても高精度な位置合わせを行え、しかも、アライメント後のプロセスの自由度が高く、アライメント後のプロセスでアライメントずれを生じることがない多層基板用基材、多層基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、この発明による多層基板用基材は、強磁性体材料によるアライメントマークを有する。
【００１１】
また、この発明による多層基板用基材は、アライメント用ビアホールを有し、当該アライメント用ビアホールに強磁性体材料によるフィラを含む導電性ペーストが充填されている。
【００１２】
また、この発明による多層基板用基材は、反磁性体材料によるアライメントマークを有する。
【００１３】
また、この発明による多層基板用基材は、アライメント用の誘導コイルを形成されている。
【００１４】
上述の目的を達成するために、この発明による多層基板は、上述の発明による多層基板用基材を複数枚積層されたものである。
【００１５】
また、上述の目的を達成するために、この発明による多層基板の製造方法は、上述の発明による多層基板用基材を複数枚積層された多層基板の製造方法であって、磁気手段を有する一対のプレス板間に複数枚の多層基板用基材を配置し、当該多層基板用基材の各々に設けられているアライメントマーク、アライメント用ビアホールの導電性ペーストあるいはアライメント用の誘導コイルと前記プレス板の磁気手段との相互の磁気的引力または斥力によって前記多層基板用基材相互の位置合わせを行い、この位置合わせ状態で、前記プレス板によって前記多層基板用基材を加圧積層する。
【００１６】
また、この発明による多層基板の製造方法は、上述の発明による多層基板用基材を複数枚積層された多層基板の製造方法であって、磁気手段を有する一対のプレス板間に、基材間に磁気透過性の保護フィルムを挟まれた複数枚の多層基板用基材を配置し、当該多層基板用基材の各々に設けられているアライメントマーク、アライメント用ビアホールの導電性ペーストあるいはアライメント用の誘導コイルと前記プレス板の磁気手段との相互の磁気的引力または斥力によって前記多層基板用基材相互の位置合わせを行い、この位置合わせ状態で、前記保護フィルムを抜き取り、この後に前記プレス板によって前記多層基板用基材を加圧積層する。
【００１７】
これらの発明による多層基板用基材、多層基板およびその製造方法によれば、多層基板用基材の各々に設けられているアライメントマーク、アライメント用ビアホールの導電性ペーストあるいはアライメント用の誘導コイルとプレス板に設けられている磁気手段との相互の磁気的引力または斥力によって多層基板用基材相互の位置合わせを行うから、ピンアライメント法におけるようなクリアランス等の機械的な影響を受けることがなく位置合わせを行うことができる。しかも、多層基板用基材がポリイミド等、変形し易いものであっても、位置合わせ時に多層基板用基材が変形する虞れがなく、高精度な位置合わせを行うことができる。
【００１８】
そして、この磁気的作用による位置合わせ状態で、プレス板によって多層基板用基材を加圧積層して多層基板を得ることができるから、アライメント後のプロセスの自由度が高く、アライメント後のプロセスでアライメントずれを生じることがない。
また、この発明による多層基板の製造方法は、前記磁界発生手段は、前記プレス板の平行方向の所定位置に設けた永久磁石または誘導コイルを有し、前記プレス板の法線方向へ指向性の磁界を発生させる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に添付の図を参照してこの発明の実施形態を詳細に説明する。
【００２０】
図１はこの発明による多層基板用基材の実施形態１を示している。
多層基板用基材１０は、絶縁層１１上の所定位置（最低２箇所）に、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏあるいはそれらの合金などの強磁性体材料によるアライメントマーク１２を形成されている。アライメントマーク１２は、Ｎｉ膜、Ｆｅ膜、Ｃｏ膜あるいはそれらの合金膜を、エッチング、蒸着、スパッタリングすることにより、絶縁層１１上に形成することができる。アライメントマーク１２の形状は、円形、矩形等、適当な形状が選ばれればよい。
【００２１】
絶縁層１１は、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム等の可撓性を有する樹脂フィルムや、熱可塑性ポリイミドあるいは熱可塑性ポリイミドに熱硬化機能を付与したフィルム、液晶ポリマ等の熱可塑性樹脂により構成されている。
【００２２】
つぎに、実施形態１の多層基板用基材による多層基板およびその製造方法を図２（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００２３】
図２（ａ）に示されているように、磁石あるいは電磁コイルなどによる高指向性のボタン状の磁気手段（磁界発生手段）５１を最低２箇所の所定位置に埋め込まれた一対のホットプレス板５０間に複数枚の多層基板用基材１０をラフアライメント状態で重ね合わせてセットする。
【００２４】
ここでの磁気手段５１の個数は、積層対象の一枚の多層基板用基材１０に設けられているアライメントマーク１２の設置個数と同数である。また、磁気手段５１の高指向方向（主磁力線方向）は、複数枚の多層基板用基材１０の貫層方向（図にて上下方向）である。
【００２５】
つぎに、対をなすホットプレス板５０を互いに接近させ、プレス板間隔を狭める。磁気手段５１が電磁コイルである場合には、コイル通電によって電磁コイルを励磁させる。これにより、図２（ｂ）に示されているように、磁気手段５１の磁界Ｍが一対のホットプレス板５０間にセットされている複数枚の多層基板用基材１０の各々のアライメントマーク１２に磁気的引力を発生する。
【００２６】
各多層基板用基材１０のアライメントマーク１２は、最も磁力が強い磁気手段５１の中心に磁気的に吸引される。この結果、多層基板用基材１０の各々のアライメントマーク１２とホットプレス板５０の磁気手段５１との相互の磁気的吸引によって多層基板用基材１０相互の位置合わせが行われる。
【００２７】
そして、この磁気的吸引状態を維持することにより、アライメントずれの発生を防ぐクランプ作用が得られる。
【００２８】
上述の磁気的吸引状態で、すなわち位置合わせ状態で、図２（ｃ）に示されているように、ホットプレス板５０によって多層基板用基材１０を加熱・加圧積層する。これにより、複数枚の多層基板用基材１０を積層接着してなる多層基板が得られる。
【００２９】
上述した製造方法で適用されるアライメント法は、マグネット法と呼ばれるべきものであり、ピンアライメント法などの機械的な手法とは異なり、アライメント精度は、多層基板用基材１０にエッチング等によってアライメントマーク１２を作成する段階で決まり、ピンアライメント法におけるようなクリアランス等の機械的な影響を受けることがなく高精度に位置合わせを行うことができる。
【００３０】
しかも、多層基板用基材１０がポリイミド等、変形し易いものであっても、位置合わせ時に多層基板用基材が変形する虞れがなく、高精度な位置合わせを行うことができる。また、アライメントがずれても、再磁界発生によってアライメントを再度取ることができる。
【００３１】
そして、上述したように、磁気的作用による位置合わせ状態で、ホットプレス板５０によって多層基板用基材１０を加熱・加圧積層して多層基板を得ることができるから、アライメント後のプロセスの自由度が高く、アライメント後のプロセスでアライメントずれを生じることがない。
【００３２】
また、図３に示されているように、基材１０が水平方向から外れるような多様な任意の角度姿勢を有する場合でも、アライメントを取ることができる。
【００３３】
図４はこの発明による多層基板用基材の実施形態２を示している。
多層基板用基材２０は、絶縁層２１を貫通するアライメント用ビアホール２２を最低２箇所の所定位置に形成されている。アライメント用ビアホール２２には、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏあるいはそれらの合金などの強磁性体材料によるフィラを含む導電性ペースト２３が穴埋め充填されている。
【００３４】
この実施形態でも、絶縁層２１は、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム等の可撓性を有する樹脂フィルムや、熱可塑性ポリイミドあるいは熱可塑性ポリイミドに熱硬化機能を付与したフィルム、液晶ポリマ等の熱可塑性樹脂により構成することができる。
【００３５】
つぎに、実施形態２の多層基板用基材による多層基板およびその製造方法を図５（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００３６】
図５（ａ）に示されているように、磁石あるいは電磁コイルなどによる高指向性のピン状の磁気手段（磁界発生手段）５２を最低２箇所の所定位置に埋め込まれた一対のホットプレス板５０間に複数枚の多層基板用基材２０をラフアライメント状態で重ね合わせてセットする。
【００３７】
ここでの磁気手段５２の個数は、積層対象の一枚の多層基板用基材２０に設けられているアライメント用ビアホール２２の個数と同数である。また、磁気手段５２の高指向方向（主磁力線方向）は、複数枚の多層基板用基材２０の貫層方向（図にて上下方向）である。
【００３８】
つぎに、対をなすホットプレス板５０を互いに接近させ、プレス板間隔を狭める。磁気手段５２が電磁コイルである場合には、コイル通電によって電磁コイルを励磁させる。これにより、図５（ｂ）に示されているように、磁気手段５２の磁界Ｍが一対のホットプレス板５０間にセットされている複数枚の多層基板用基材２０の各々のアライメント用ビアホール２２の導電性ペースト２３に磁気的吸引力として作用する。
【００３９】
各多層基板用基材２０の導電性ペースト２３は、最も磁力が強い磁気手段５２の中心に磁気的に吸引される。この結果、多層基板用基材２０の各々のアライメント用の導電性ペースト２３とホットプレス板５０の磁気手段５２との相互の磁気的吸引によって多層基板用基材２０相互の位置合わせが行われる。
【００４０】
そして、この磁気的吸引状態を維持することにより、アライメントずれの発生を防ぐクランプ作用が得られる。
【００４１】
上述の磁気的吸引状態で、すなわち位置合わせ状態で、図５（ｃ）に示されているように、ホットプレス板５０によって多層基板用基材２０を加熱・加圧積層する。これにより、複数枚の多層基板用基材２０を積層接着してなる多層基板が得られる。
【００４２】
上述した製造方法で適用されるアライメント法も、マグネット法と呼ばれるべきものであり、ピンアライメント法などの機械的な手法とは異なり、アライメント精度は、多層基板用基材２０にアライメント用ビアホール２２を作成する段階で決まり、ピンアライメント法におけるようなクリアランス等の機械的な影響を受けることがなく高精度に位置合わせを行うことができる。
【００４３】
しかも、多層基板用基材２０がポリイミド等、変形し易いものであっても、位置合わせ時に多層基板用基材が変形する虞れがなく、高精度な位置合わせを行うことができる。また、アライメントがずれても、再磁界発生によってアライメントを再度取ることができる。
【００４４】
そして、上述したように、磁気的作用による位置合わせ状態で、ホットプレス板５０によって多層基板用基材２０を加熱・加圧積層して多層基板を得ることができるから、アライメント後のプロセスの自由度が高く、アライメント後のプロセスでアライメントずれを生じることがない。
【００４５】
図６はこの発明による多層基板用基材の実施形態３を示している。
多層基板用基材３０は、絶縁層３１上の所定位置（最低２箇所）に、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの反磁性体材料によるリング状のアライメントマーク３２を形成されている。アライメントマーク３２は、絶縁層３１の片面に形成される回路（銅箔等）と同じものでよく、回路形成のためのエッチングによって形成することができる。
【００４６】
この実施形態でも、絶縁層３１は、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム等の可撓性を有する樹脂フィルムや、熱可塑性ポリイミドあるいは熱可塑性ポリイミドに熱硬化機能を付与したフィルム、液晶ポリマ等の熱可塑性樹脂により構成することができる。
【００４７】
つぎに、実施形態３の多層基板用基材による多層基板およびその製造方法を図７（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００４８】
図７（ａ）に示されているように、磁石あるいは電磁コイルなどによる高指向性のピン状の磁気手段（磁界発生手段）５２を最低２箇所の所定位置に埋め込まれた一対のホットプレス板５０間に複数枚の多層基板用基材３０をラフアライメント状態で重ね合わせてセットする。
【００４９】
ここでの磁気手段５２の個数は、積層対象の一枚の多層基板用基材３０に設けられているアライメントマーク３２の設置個数と同数である。また、磁気手段５２の高指向方向（主磁力線方向）は、複数枚の多層基板用基材３０の貫層方向（図にて上下方向）である。
【００５０】
つぎに、対をなすホットプレス板５０を互いに接近させ、プレス板間隔を狭める。磁気手段５２が電磁コイルである場合には、コイル通電によって電磁コイルを励磁させる。これにより、図７（ｂ）に示されているように、磁気手段５２の磁界Ｍが一対のホットプレス板５０間にセットされている複数枚の多層基板用基材３０の各々のアライメントマーク３２に磁気的反発力として作用する。
【００５１】
この磁気的反発によって各多層基板用基材３０のリング状のアライメントマーク３２の中心が磁気手段５２の中心に整合する。この結果、多層基板用基材３０の各々のアライメントマーク３２とホットプレス板５０の磁気手段５２との相互の磁気的反発によって多層基板用基材３０相互の位置合わせが行われる。
【００５２】
そして、この磁気的反発状態を維持することにより、アライメントずれの発生を防ぐクランプ作用が得られる。
【００５３】
上述の磁気的反発状態で、すなわち位置合わせ状態で、図７（ｃ）に示されているように、ホットプレス板５０によって多層基板用基材３０を加熱・加圧積層する。これにより、複数枚の多層基板用基材３０を積層接着してなる多層基板が得られる。
【００５４】
上述した製造方法で適用されるアライメント法も、マグネット法と呼ばれるべきものであり、ピンアライメント法などの機械的な手法とは異なり、アライメント精度は、多層基板用基材３０にエッチング等によってアライメントマーク３２を作成する段階で決まり、ピンアライメント法におけるようなクリアランス等の機械的な影響を受けることがなく高精度に位置合わせを行うことができる。
【００５５】
しかも、多層基板用基材３０がポリイミド等、変形し易いものであっても、位置合わせ時に多層基板用基材が変形する虞れがなく、高精度な位置合わせを行うことができる。また、アライメントがずれても、再磁界発生によってアライメントを再度取ることができる。
【００５６】
そして、上述したように、磁気的作用による位置合わせ状態で、ホットプレス板５０によって多層基板用基材３０を加熱・加圧積層して多層基板を得ることができるから、アライメント後のプロセスの自由度が高く、アライメント後のプロセスでアライメントずれを生じることがない。
【００５７】
図８はこの発明による多層基板用基材の実施形態４を示している。
多層基板用基材４０は、絶縁層４１上の所定位置（最低２箇所）に、エッチング、蒸着、スパッタリング等によって誘導コイル４２を形成されている。
【００５８】
この実施形態でも、絶縁層４１は、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム等の可撓性を有する樹脂フィルムや、熱可塑性ポリイミドあるいは熱可塑性ポリイミドに熱硬化機能を付与したフィルム、液晶ポリマ等の熱可塑性樹脂により構成することができる。
【００５９】
つぎに、実施形態４の多層基板用基材による多層基板およびその製造方法を図９（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００６０】
図９（ａ）に示されているように、磁石あるいは電磁コイルなどによる高指向性のピン状の磁気手段（磁界発生手段）５２を最低２箇所の所定位置に埋め込まれた一対のホットプレス板５０間に複数枚の多層基板用基材４０をラフアライメント状態で重ね合わせてセットする。
【００６１】
ここでの磁気手段５２の個数は、積層対象の一枚の多層基板用基材４０に設けられている誘導コイル４２の設置個数と同数である。また、磁気手段５２の高指向方向（主磁力線方向）は、複数枚の多層基板用基材４０の貫層方向（図にて上下方向）である。
【００６２】
つぎに、対をなすホットプレス板５０を互いに接近させ、プレス板間隔を狭める。磁気手段５２が電磁コイルである場合には、コイル通電によって電磁コイルを励磁させる。これにより、図９（ｂ）に示されているように、磁気手段５２の磁界Ｍが一対のホットプレス板５０間にセットされている複数枚の多層基板用基材４０の各々のアライメントマーク１２に作用する。
【００６３】
各多層基板用基材４０の誘導コイル４２は、最も磁力が強い磁気手段５２の中心に磁気的に吸引される。この結果、多層基板用基材４０の各々の誘導コイル４２とホットプレス板５０の磁気手段５２との相互の磁気的吸引によって多層基板用基材４０相互の位置合わせが行われる。
【００６４】
そして、この磁気的吸引状態を維持することにより、アライメントずれの発生を防ぐクランプ作用が得られる。
【００６５】
上述の磁気的吸引状態で、すなわち位置合わせ状態で、図９（ｃ）に示されているように、ホットプレス板５０によって多層基板用基材４０を加熱・加圧積層する。これにより、複数枚の多層基板用基材４０を積層接着してなる多層基板が得られる。
【００６６】
上述した製造方法で適用されるアライメント法も、マグネット法と呼ばれるべきものであり、ピンアライメント法などの機械的な手法とは異なり、アライメント精度は、多層基板用基材４０にエッチング等によって誘導コイル４２を作成する段階で決まり、ピンアライメント法におけるようなクリアランス等の機械的な影響を受けることがなく高精度に位置合わせを行うことができる。
【００６７】
しかも、多層基板用基材４０がポリイミド等、変形し易いものであっても、位置合わせ時に多層基板用基材が変形する虞れがなく、高精度な位置合わせを行うことができる。また、アライメントがずれても、再磁界発生によってアライメントを再度取ることができる。
【００６８】
そして、上述したように、磁気的作用による位置合わせ状態で、ホットプレス板５０によって多層基板用基材４０を加熱・加圧積層して多層基板を得ることができるから、アライメント後のプロセスの自由度が高く、アライメント後のプロセスでアライメントずれを生じることがない。
【００６９】
図１０（ａ）〜（ｃ）は、実施形態２の多層基板用基材による多層基板の製造方法の他の実施形態を示している。
【００７０】
図１０（ａ）に示されているように、磁石あるいは電磁コイルなどによる高指向性のピン状の磁気手段（磁界発生手段）５２を最低２箇所の所定位置に埋め込まれた一対のホットプレス板５０間に、基材２０間に磁気透過性の保護フィルム６１を挟まれた複数枚の多層基板用基材２０をラフアライメント状態で重ね合わせてセットする。
【００７１】
つぎに、対をなすホットプレス板５０を互いに接近させ、プレス板間隔を狭める。磁気手段５２が電磁コイルである場合には、コイル通電によって電磁コイルを励磁させる。これにより、磁気手段５２の磁界Ｍが一対のホットプレス板５０間にセットされている複数枚の多層基板用基材２０の各々のアライメント用ビアホール２２の導電性ペースト２３に磁気的吸引力として作用する。
【００７２】
各多層基板用基材２０の導電性ペースト２３は、最も磁力が強い磁気手段５２の中心に磁気的に吸引される。この結果、多層基板用基材２０の各々のアライメント用の導電性ペースト２３とホットプレス板５０の磁気手段５２との相互の磁気的吸引によって多層基板用基材２０相互の位置合わせが行われる。
【００７３】
そして、この磁気的吸引状態を維持し、アライメントずれの発生を防ぐクランプ状態で、図１０（ｂ）に示されているように、保護フィルム６１を横方向に抜き取る。保護フィルム６１は、磁気的作用を受けないので、抜き取りが可能であり、このプロセスまで、保護フィルム６１を受けておくことができ、歩留まりがよくなる。
【００７４】
上述の磁気的吸引状態で、すなわち位置合わせ状態で、図１０（ｃ）に示されているように、ホットプレス板５０によって多層基板用基材２０を加熱・加圧積層する。これにより、複数枚の多層基板用基材２０を積層接着してなる多層基板が得られる。
【００７５】
上述の保護フィルム６１のように、磁気的作用を受けないシートを設けることができ、換言すれば、抜き取りを必要とするシートには磁性材を設けないことによりが可能であり、このプロセスまで、保護フィルム６１を受けておくことができ、自由度が高いプロセス、製品設計が可能になる。
【００７６】
なお、この実施形態は、実施形態２の多層基板用基材２０による多層基板の製造方法に限られることはなく、実施形態１、３、４の多層基板用基材１０、３０、４０による多層基板の製造方法にも、同様に適用できる。
【００７７】
【発明の効果】
以上の説明から理解される如く、この発明による多層基板用基材、多層基板およびその製造方法によれば、多層基板用基材がポリイミド等、変形し易いものであっても高精度な位置合わせを行え、しかも、アライメント後のプロセスの自由度が高く、アライメント後のプロセスでアライメントずれを生じることがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による多層基板用基材の実施形態１を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は実施形態１の多層基板用基材による多層基板およびその製造方法を示す説明図である。
【図３】この発明による多層基板の製造方法を示す斜視図である。
【図４】この発明による多層基板用基材の実施形態２を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は実施形態２の多層基板用基材による多層基板およびその製造方法を示す説明図である。
【図６】この発明による多層基板用基材の実施形態３を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は実施形態３の多層基板用基材による多層基板およびその製造方法を示す説明図である。
【図８】この発明による多層基板用基材の実施形態４を示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は実施形態４の多層基板用基材による多層基板およびその製造方法を示す説明図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は実施形態２の多層基板用基材による多層基板の製造方法の他の実施形態を示す説明図である。
【図１１】従来のピンアライメント法を示す説明図である。
【符号の説明】
１０ 多層基板用基材
１１ 絶縁層
１２ アライメントマーク
２０ 多層基板用基材
２１ 絶縁層
２２ アライメント用ビアホール
２３ 導電性ペースト
３０ 多層基板用基材
３１ 絶縁層
３２ アライメントマーク
４０ 多層基板用基材
４１ 絶縁層
４２ 誘導コイル
５０ ホットプレス板
５１、５２ 磁気手段
６１ 保護フィルム
【発明の属する技術分野】
この発明は、多層基板用基材、多層基板およびその製造方法に関し、特に、電子部品を実装する配線板、パッケージ基板として用いられる多層基板およびその製造方法および多層基板用基材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の軽薄短小化、半導体チップや部品の小型化、端子の狭ピッチ化に伴い、電子部品を実装する配線基板やパッケージ基板にも実装面積の縮小や配線の精細化が進んでいる。同時に、情報関連機器では、信号周波数の広帯域化に対応して部品間を接続する配線の短距離化が求められており、高密度、高性能を達成するためのプリント基板の多層化は必要不可欠の技術となっている。
【０００３】
多層基板には、絶縁性基材に形成されたバイアホールに充填された導電性ペーストによって層間導通を得るもの（例えば、特許文献１、２）、絶縁性基材をポリイミド等の可撓性樹脂フィルムで構成したもの（例えば、特許文献２、３）等がある。
【０００４】
多層基板の高密度化に伴い配線基板に形成される回路パターンの微細化が進み、積層数が多くなる傾向がある。多層基板では、多層基板用基材の積層精度（位置合わせ精度）が、多層基板の性能を左右するから、積層数の増加に伴い、積層精度が高い積層方法の開発が望まれている。
【０００５】
配線基板の多層積層は、積層対象の全ての多層基板用基材に位置合わせ用の基準穴をあけ、この基準穴にガイドピンを通して位置合わせを行うピンラミネーション法（例えば、非特許文献１）や切り欠き等を用いた位置合わせ法によって位置合わせを行い、その後に、加熱可能な真空プレス装置を用いて一括積層を行う。
【０００６】
【特許文献１】
特開平６−３０２９５７号公報
【特許文献２】
特開平９−８２８３５号公報
【特許文献３】
特開２００２−３５３６２１号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ピンラミネーション法（ピンガイド方式）による位置合わせは、図１１に示されているように、多層基板用基材１０１に貫通形成されている基準穴１０２とガイドピン１０３との間のクリアランスδ、基準穴１０２やガイドピン１０３の加工精度の影響を受け、高精度な位置合わせ（アライメント精度）に限界がある。
【０００８】
また、ピンラミネーション法等の従来法では、多層基板用基材がポリイミド等の可撓性樹脂フィルムで構成され、変形し易いものの場合、アライメント時の多層基板用基材の変形によってアライメント精度が低下する傾向がある。また、ピンラミネーション法等の従来法では、アライメント後のプロセスの自由度が低く、アライメント後のプロセス、搬送時にアライメントずれが生じる虞れがあり、アライメント精度にばらつきが生じる。
【０００９】
この発明は、上述の如き問題点を解消するためになされたもので、クリアランス等の機械的な影響を受けることがなく、多層基板用基材がポリイミド等、変形し易いものであっても高精度な位置合わせを行え、しかも、アライメント後のプロセスの自由度が高く、アライメント後のプロセスでアライメントずれを生じることがない多層基板用基材、多層基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、この発明による多層基板用基材は、強磁性体材料によるアライメントマークを有する。
【００１１】
また、この発明による多層基板用基材は、アライメント用ビアホールを有し、当該アライメント用ビアホールに強磁性体材料によるフィラを含む導電性ペーストが充填されている。
【００１２】
また、この発明による多層基板用基材は、反磁性体材料によるアライメントマークを有する。
【００１３】
また、この発明による多層基板用基材は、アライメント用の誘導コイルを形成されている。
【００１４】
上述の目的を達成するために、この発明による多層基板は、上述の発明による多層基板用基材を複数枚積層されたものである。
【００１５】
また、上述の目的を達成するために、この発明による多層基板の製造方法は、上述の発明による多層基板用基材を複数枚積層された多層基板の製造方法であって、磁気手段を有する一対のプレス板間に複数枚の多層基板用基材を配置し、当該多層基板用基材の各々に設けられているアライメントマーク、アライメント用ビアホールの導電性ペーストあるいはアライメント用の誘導コイルと前記プレス板の磁気手段との相互の磁気的引力または斥力によって前記多層基板用基材相互の位置合わせを行い、この位置合わせ状態で、前記プレス板によって前記多層基板用基材を加圧積層する。
【００１６】
また、この発明による多層基板の製造方法は、上述の発明による多層基板用基材を複数枚積層された多層基板の製造方法であって、磁気手段を有する一対のプレス板間に、基材間に磁気透過性の保護フィルムを挟まれた複数枚の多層基板用基材を配置し、当該多層基板用基材の各々に設けられているアライメントマーク、アライメント用ビアホールの導電性ペーストあるいはアライメント用の誘導コイルと前記プレス板の磁気手段との相互の磁気的引力または斥力によって前記多層基板用基材相互の位置合わせを行い、この位置合わせ状態で、前記保護フィルムを抜き取り、この後に前記プレス板によって前記多層基板用基材を加圧積層する。
【００１７】
これらの発明による多層基板用基材、多層基板およびその製造方法によれば、多層基板用基材の各々に設けられているアライメントマーク、アライメント用ビアホールの導電性ペーストあるいはアライメント用の誘導コイルとプレス板に設けられている磁気手段との相互の磁気的引力または斥力によって多層基板用基材相互の位置合わせを行うから、ピンアライメント法におけるようなクリアランス等の機械的な影響を受けることがなく位置合わせを行うことができる。しかも、多層基板用基材がポリイミド等、変形し易いものであっても、位置合わせ時に多層基板用基材が変形する虞れがなく、高精度な位置合わせを行うことができる。
【００１８】
そして、この磁気的作用による位置合わせ状態で、プレス板によって多層基板用基材を加圧積層して多層基板を得ることができるから、アライメント後のプロセスの自由度が高く、アライメント後のプロセスでアライメントずれを生じることがない。
また、この発明による多層基板の製造方法は、前記磁界発生手段は、前記プレス板の平行方向の所定位置に設けた永久磁石または誘導コイルを有し、前記プレス板の法線方向へ指向性の磁界を発生させる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に添付の図を参照してこの発明の実施形態を詳細に説明する。
【００２０】
図１はこの発明による多層基板用基材の実施形態１を示している。
多層基板用基材１０は、絶縁層１１上の所定位置（最低２箇所）に、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏあるいはそれらの合金などの強磁性体材料によるアライメントマーク１２を形成されている。アライメントマーク１２は、Ｎｉ膜、Ｆｅ膜、Ｃｏ膜あるいはそれらの合金膜を、エッチング、蒸着、スパッタリングすることにより、絶縁層１１上に形成することができる。アライメントマーク１２の形状は、円形、矩形等、適当な形状が選ばれればよい。
【００２１】
絶縁層１１は、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム等の可撓性を有する樹脂フィルムや、熱可塑性ポリイミドあるいは熱可塑性ポリイミドに熱硬化機能を付与したフィルム、液晶ポリマ等の熱可塑性樹脂により構成されている。
【００２２】
つぎに、実施形態１の多層基板用基材による多層基板およびその製造方法を図２（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００２３】
図２（ａ）に示されているように、磁石あるいは電磁コイルなどによる高指向性のボタン状の磁気手段（磁界発生手段）５１を最低２箇所の所定位置に埋め込まれた一対のホットプレス板５０間に複数枚の多層基板用基材１０をラフアライメント状態で重ね合わせてセットする。
【００２４】
ここでの磁気手段５１の個数は、積層対象の一枚の多層基板用基材１０に設けられているアライメントマーク１２の設置個数と同数である。また、磁気手段５１の高指向方向（主磁力線方向）は、複数枚の多層基板用基材１０の貫層方向（図にて上下方向）である。
【００２５】
つぎに、対をなすホットプレス板５０を互いに接近させ、プレス板間隔を狭める。磁気手段５１が電磁コイルである場合には、コイル通電によって電磁コイルを励磁させる。これにより、図２（ｂ）に示されているように、磁気手段５１の磁界Ｍが一対のホットプレス板５０間にセットされている複数枚の多層基板用基材１０の各々のアライメントマーク１２に磁気的引力を発生する。
【００２６】
各多層基板用基材１０のアライメントマーク１２は、最も磁力が強い磁気手段５１の中心に磁気的に吸引される。この結果、多層基板用基材１０の各々のアライメントマーク１２とホットプレス板５０の磁気手段５１との相互の磁気的吸引によって多層基板用基材１０相互の位置合わせが行われる。
【００２７】
そして、この磁気的吸引状態を維持することにより、アライメントずれの発生を防ぐクランプ作用が得られる。
【００２８】
上述の磁気的吸引状態で、すなわち位置合わせ状態で、図２（ｃ）に示されているように、ホットプレス板５０によって多層基板用基材１０を加熱・加圧積層する。これにより、複数枚の多層基板用基材１０を積層接着してなる多層基板が得られる。
【００２９】
上述した製造方法で適用されるアライメント法は、マグネット法と呼ばれるべきものであり、ピンアライメント法などの機械的な手法とは異なり、アライメント精度は、多層基板用基材１０にエッチング等によってアライメントマーク１２を作成する段階で決まり、ピンアライメント法におけるようなクリアランス等の機械的な影響を受けることがなく高精度に位置合わせを行うことができる。
【００３０】
しかも、多層基板用基材１０がポリイミド等、変形し易いものであっても、位置合わせ時に多層基板用基材が変形する虞れがなく、高精度な位置合わせを行うことができる。また、アライメントがずれても、再磁界発生によってアライメントを再度取ることができる。
【００３１】
そして、上述したように、磁気的作用による位置合わせ状態で、ホットプレス板５０によって多層基板用基材１０を加熱・加圧積層して多層基板を得ることができるから、アライメント後のプロセスの自由度が高く、アライメント後のプロセスでアライメントずれを生じることがない。
【００３２】
また、図３に示されているように、基材１０が水平方向から外れるような多様な任意の角度姿勢を有する場合でも、アライメントを取ることができる。
【００３３】
図４はこの発明による多層基板用基材の実施形態２を示している。
多層基板用基材２０は、絶縁層２１を貫通するアライメント用ビアホール２２を最低２箇所の所定位置に形成されている。アライメント用ビアホール２２には、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏあるいはそれらの合金などの強磁性体材料によるフィラを含む導電性ペースト２３が穴埋め充填されている。
【００３４】
この実施形態でも、絶縁層２１は、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム等の可撓性を有する樹脂フィルムや、熱可塑性ポリイミドあるいは熱可塑性ポリイミドに熱硬化機能を付与したフィルム、液晶ポリマ等の熱可塑性樹脂により構成することができる。
【００３５】
つぎに、実施形態２の多層基板用基材による多層基板およびその製造方法を図５（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００３６】
図５（ａ）に示されているように、磁石あるいは電磁コイルなどによる高指向性のピン状の磁気手段（磁界発生手段）５２を最低２箇所の所定位置に埋め込まれた一対のホットプレス板５０間に複数枚の多層基板用基材２０をラフアライメント状態で重ね合わせてセットする。
【００３７】
ここでの磁気手段５２の個数は、積層対象の一枚の多層基板用基材２０に設けられているアライメント用ビアホール２２の個数と同数である。また、磁気手段５２の高指向方向（主磁力線方向）は、複数枚の多層基板用基材２０の貫層方向（図にて上下方向）である。
【００３８】
つぎに、対をなすホットプレス板５０を互いに接近させ、プレス板間隔を狭める。磁気手段５２が電磁コイルである場合には、コイル通電によって電磁コイルを励磁させる。これにより、図５（ｂ）に示されているように、磁気手段５２の磁界Ｍが一対のホットプレス板５０間にセットされている複数枚の多層基板用基材２０の各々のアライメント用ビアホール２２の導電性ペースト２３に磁気的吸引力として作用する。
【００３９】
各多層基板用基材２０の導電性ペースト２３は、最も磁力が強い磁気手段５２の中心に磁気的に吸引される。この結果、多層基板用基材２０の各々のアライメント用の導電性ペースト２３とホットプレス板５０の磁気手段５２との相互の磁気的吸引によって多層基板用基材２０相互の位置合わせが行われる。
【００４０】
そして、この磁気的吸引状態を維持することにより、アライメントずれの発生を防ぐクランプ作用が得られる。
【００４１】
上述の磁気的吸引状態で、すなわち位置合わせ状態で、図５（ｃ）に示されているように、ホットプレス板５０によって多層基板用基材２０を加熱・加圧積層する。これにより、複数枚の多層基板用基材２０を積層接着してなる多層基板が得られる。
【００４２】
上述した製造方法で適用されるアライメント法も、マグネット法と呼ばれるべきものであり、ピンアライメント法などの機械的な手法とは異なり、アライメント精度は、多層基板用基材２０にアライメント用ビアホール２２を作成する段階で決まり、ピンアライメント法におけるようなクリアランス等の機械的な影響を受けることがなく高精度に位置合わせを行うことができる。
【００４３】
しかも、多層基板用基材２０がポリイミド等、変形し易いものであっても、位置合わせ時に多層基板用基材が変形する虞れがなく、高精度な位置合わせを行うことができる。また、アライメントがずれても、再磁界発生によってアライメントを再度取ることができる。
【００４４】
そして、上述したように、磁気的作用による位置合わせ状態で、ホットプレス板５０によって多層基板用基材２０を加熱・加圧積層して多層基板を得ることができるから、アライメント後のプロセスの自由度が高く、アライメント後のプロセスでアライメントずれを生じることがない。
【００４５】
図６はこの発明による多層基板用基材の実施形態３を示している。
多層基板用基材３０は、絶縁層３１上の所定位置（最低２箇所）に、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの反磁性体材料によるリング状のアライメントマーク３２を形成されている。アライメントマーク３２は、絶縁層３１の片面に形成される回路（銅箔等）と同じものでよく、回路形成のためのエッチングによって形成することができる。
【００４６】
この実施形態でも、絶縁層３１は、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム等の可撓性を有する樹脂フィルムや、熱可塑性ポリイミドあるいは熱可塑性ポリイミドに熱硬化機能を付与したフィルム、液晶ポリマ等の熱可塑性樹脂により構成することができる。
【００４７】
つぎに、実施形態３の多層基板用基材による多層基板およびその製造方法を図７（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００４８】
図７（ａ）に示されているように、磁石あるいは電磁コイルなどによる高指向性のピン状の磁気手段（磁界発生手段）５２を最低２箇所の所定位置に埋め込まれた一対のホットプレス板５０間に複数枚の多層基板用基材３０をラフアライメント状態で重ね合わせてセットする。
【００４９】
ここでの磁気手段５２の個数は、積層対象の一枚の多層基板用基材３０に設けられているアライメントマーク３２の設置個数と同数である。また、磁気手段５２の高指向方向（主磁力線方向）は、複数枚の多層基板用基材３０の貫層方向（図にて上下方向）である。
【００５０】
つぎに、対をなすホットプレス板５０を互いに接近させ、プレス板間隔を狭める。磁気手段５２が電磁コイルである場合には、コイル通電によって電磁コイルを励磁させる。これにより、図７（ｂ）に示されているように、磁気手段５２の磁界Ｍが一対のホットプレス板５０間にセットされている複数枚の多層基板用基材３０の各々のアライメントマーク３２に磁気的反発力として作用する。
【００５１】
この磁気的反発によって各多層基板用基材３０のリング状のアライメントマーク３２の中心が磁気手段５２の中心に整合する。この結果、多層基板用基材３０の各々のアライメントマーク３２とホットプレス板５０の磁気手段５２との相互の磁気的反発によって多層基板用基材３０相互の位置合わせが行われる。
【００５２】
そして、この磁気的反発状態を維持することにより、アライメントずれの発生を防ぐクランプ作用が得られる。
【００５３】
上述の磁気的反発状態で、すなわち位置合わせ状態で、図７（ｃ）に示されているように、ホットプレス板５０によって多層基板用基材３０を加熱・加圧積層する。これにより、複数枚の多層基板用基材３０を積層接着してなる多層基板が得られる。
【００５４】
上述した製造方法で適用されるアライメント法も、マグネット法と呼ばれるべきものであり、ピンアライメント法などの機械的な手法とは異なり、アライメント精度は、多層基板用基材３０にエッチング等によってアライメントマーク３２を作成する段階で決まり、ピンアライメント法におけるようなクリアランス等の機械的な影響を受けることがなく高精度に位置合わせを行うことができる。
【００５５】
しかも、多層基板用基材３０がポリイミド等、変形し易いものであっても、位置合わせ時に多層基板用基材が変形する虞れがなく、高精度な位置合わせを行うことができる。また、アライメントがずれても、再磁界発生によってアライメントを再度取ることができる。
【００５６】
そして、上述したように、磁気的作用による位置合わせ状態で、ホットプレス板５０によって多層基板用基材３０を加熱・加圧積層して多層基板を得ることができるから、アライメント後のプロセスの自由度が高く、アライメント後のプロセスでアライメントずれを生じることがない。
【００５７】
図８はこの発明による多層基板用基材の実施形態４を示している。
多層基板用基材４０は、絶縁層４１上の所定位置（最低２箇所）に、エッチング、蒸着、スパッタリング等によって誘導コイル４２を形成されている。
【００５８】
この実施形態でも、絶縁層４１は、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム等の可撓性を有する樹脂フィルムや、熱可塑性ポリイミドあるいは熱可塑性ポリイミドに熱硬化機能を付与したフィルム、液晶ポリマ等の熱可塑性樹脂により構成することができる。
【００５９】
つぎに、実施形態４の多層基板用基材による多層基板およびその製造方法を図９（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００６０】
図９（ａ）に示されているように、磁石あるいは電磁コイルなどによる高指向性のピン状の磁気手段（磁界発生手段）５２を最低２箇所の所定位置に埋め込まれた一対のホットプレス板５０間に複数枚の多層基板用基材４０をラフアライメント状態で重ね合わせてセットする。
【００６１】
ここでの磁気手段５２の個数は、積層対象の一枚の多層基板用基材４０に設けられている誘導コイル４２の設置個数と同数である。また、磁気手段５２の高指向方向（主磁力線方向）は、複数枚の多層基板用基材４０の貫層方向（図にて上下方向）である。
【００６２】
つぎに、対をなすホットプレス板５０を互いに接近させ、プレス板間隔を狭める。磁気手段５２が電磁コイルである場合には、コイル通電によって電磁コイルを励磁させる。これにより、図９（ｂ）に示されているように、磁気手段５２の磁界Ｍが一対のホットプレス板５０間にセットされている複数枚の多層基板用基材４０の各々のアライメントマーク１２に作用する。
【００６３】
各多層基板用基材４０の誘導コイル４２は、最も磁力が強い磁気手段５２の中心に磁気的に吸引される。この結果、多層基板用基材４０の各々の誘導コイル４２とホットプレス板５０の磁気手段５２との相互の磁気的吸引によって多層基板用基材４０相互の位置合わせが行われる。
【００６４】
そして、この磁気的吸引状態を維持することにより、アライメントずれの発生を防ぐクランプ作用が得られる。
【００６５】
上述の磁気的吸引状態で、すなわち位置合わせ状態で、図９（ｃ）に示されているように、ホットプレス板５０によって多層基板用基材４０を加熱・加圧積層する。これにより、複数枚の多層基板用基材４０を積層接着してなる多層基板が得られる。
【００６６】
上述した製造方法で適用されるアライメント法も、マグネット法と呼ばれるべきものであり、ピンアライメント法などの機械的な手法とは異なり、アライメント精度は、多層基板用基材４０にエッチング等によって誘導コイル４２を作成する段階で決まり、ピンアライメント法におけるようなクリアランス等の機械的な影響を受けることがなく高精度に位置合わせを行うことができる。
【００６７】
しかも、多層基板用基材４０がポリイミド等、変形し易いものであっても、位置合わせ時に多層基板用基材が変形する虞れがなく、高精度な位置合わせを行うことができる。また、アライメントがずれても、再磁界発生によってアライメントを再度取ることができる。
【００６８】
そして、上述したように、磁気的作用による位置合わせ状態で、ホットプレス板５０によって多層基板用基材４０を加熱・加圧積層して多層基板を得ることができるから、アライメント後のプロセスの自由度が高く、アライメント後のプロセスでアライメントずれを生じることがない。
【００６９】
図１０（ａ）〜（ｃ）は、実施形態２の多層基板用基材による多層基板の製造方法の他の実施形態を示している。
【００７０】
図１０（ａ）に示されているように、磁石あるいは電磁コイルなどによる高指向性のピン状の磁気手段（磁界発生手段）５２を最低２箇所の所定位置に埋め込まれた一対のホットプレス板５０間に、基材２０間に磁気透過性の保護フィルム６１を挟まれた複数枚の多層基板用基材２０をラフアライメント状態で重ね合わせてセットする。
【００７１】
つぎに、対をなすホットプレス板５０を互いに接近させ、プレス板間隔を狭める。磁気手段５２が電磁コイルである場合には、コイル通電によって電磁コイルを励磁させる。これにより、磁気手段５２の磁界Ｍが一対のホットプレス板５０間にセットされている複数枚の多層基板用基材２０の各々のアライメント用ビアホール２２の導電性ペースト２３に磁気的吸引力として作用する。
【００７２】
各多層基板用基材２０の導電性ペースト２３は、最も磁力が強い磁気手段５２の中心に磁気的に吸引される。この結果、多層基板用基材２０の各々のアライメント用の導電性ペースト２３とホットプレス板５０の磁気手段５２との相互の磁気的吸引によって多層基板用基材２０相互の位置合わせが行われる。
【００７３】
そして、この磁気的吸引状態を維持し、アライメントずれの発生を防ぐクランプ状態で、図１０（ｂ）に示されているように、保護フィルム６１を横方向に抜き取る。保護フィルム６１は、磁気的作用を受けないので、抜き取りが可能であり、このプロセスまで、保護フィルム６１を受けておくことができ、歩留まりがよくなる。
【００７４】
上述の磁気的吸引状態で、すなわち位置合わせ状態で、図１０（ｃ）に示されているように、ホットプレス板５０によって多層基板用基材２０を加熱・加圧積層する。これにより、複数枚の多層基板用基材２０を積層接着してなる多層基板が得られる。
【００７５】
上述の保護フィルム６１のように、磁気的作用を受けないシートを設けることができ、換言すれば、抜き取りを必要とするシートには磁性材を設けないことによりが可能であり、このプロセスまで、保護フィルム６１を受けておくことができ、自由度が高いプロセス、製品設計が可能になる。
【００７６】
なお、この実施形態は、実施形態２の多層基板用基材２０による多層基板の製造方法に限られることはなく、実施形態１、３、４の多層基板用基材１０、３０、４０による多層基板の製造方法にも、同様に適用できる。
【００７７】
【発明の効果】
以上の説明から理解される如く、この発明による多層基板用基材、多層基板およびその製造方法によれば、多層基板用基材がポリイミド等、変形し易いものであっても高精度な位置合わせを行え、しかも、アライメント後のプロセスの自由度が高く、アライメント後のプロセスでアライメントずれを生じることがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による多層基板用基材の実施形態１を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は実施形態１の多層基板用基材による多層基板およびその製造方法を示す説明図である。
【図３】この発明による多層基板の製造方法を示す斜視図である。
【図４】この発明による多層基板用基材の実施形態２を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は実施形態２の多層基板用基材による多層基板およびその製造方法を示す説明図である。
【図６】この発明による多層基板用基材の実施形態３を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は実施形態３の多層基板用基材による多層基板およびその製造方法を示す説明図である。
【図８】この発明による多層基板用基材の実施形態４を示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は実施形態４の多層基板用基材による多層基板およびその製造方法を示す説明図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は実施形態２の多層基板用基材による多層基板の製造方法の他の実施形態を示す説明図である。
【図１１】従来のピンアライメント法を示す説明図である。
【符号の説明】
１０ 多層基板用基材
１１ 絶縁層
１２ アライメントマーク
２０ 多層基板用基材
２１ 絶縁層
２２ アライメント用ビアホール
２３ 導電性ペースト
３０ 多層基板用基材
３１ 絶縁層
３２ アライメントマーク
４０ 多層基板用基材
４１ 絶縁層
４２ 誘導コイル
５０ ホットプレス板
５１、５２ 磁気手段
６１ 保護フィルム
Claims (9)
- 強磁性体材料によるアライメントマークを有する多層基板用基材。
- アライメント用ビアホールを有し、当該アライメント用ビアホールに強磁性体材料によるフィラを含む導電性ペーストが充填されている多層基板用基材。
- 反磁性体材料によるアライメントマークを有する多層基板用基材。
- アライメント手段が、上記基材の複数箇所に設けられている多層基板用基材。
- アライメント用の誘導コイルを有する多層基板用基材。
- 請求項１〜５の何れか１項記載の多層基板用基材が複数枚積層された多層基板。
- 請求項１〜５の何れか１項記載の多層基板用基材が複数枚積層された多層基板の製造方法であって、
磁界発生手段を有する一対のプレス板間に複数枚の多層基板用基材を配置し、当該多層基板用基材の各々に設けられているアライメントマーク、またはアライメント用ビアホールの導電性ペーストまたはアライメント用の誘導コイルと前記プレス板の磁気手段との相互の磁気的引力または斥力によって前記多層基板用基材相互の位置決めを行い、
この位置合わせ状態で、前記プレス板によって前記多層基板用基材を加圧する多層基板の製造方法。 - 請求項１〜５の何れか１項記載の多層基板用基材を複数枚積層した多層基板の製造方法であって、
磁気手段を有する一対のプレス板間に、それぞれ磁気透過性の保護フィルムを有する複数枚の多層基板用基材を配置し、当該多層基板用基材の各々に設けられているアライメントマークまたはアライメント用ビアホールの導電性ペーストまたはアライメント用の誘導コイルと前記プレス板の磁気手段との相互の磁気的引力または斥力によって前記多層基板用基材相互の位置決めを行い、
この位置決め状態で、前記保護フィルムを抜き取り、前記保護フィルム抜き取り後に前記プレス板によって前記多層基板用基材を加圧する多層基板の製造方法。 - 前記磁界発生手段は、前記プレス板の平行方向の所定位置に設けた永久磁石または誘導コイルを有し、前記プレス板の法線方向へ指向性の磁界を発生させる請求項６、あるいは７の多層基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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2003
- 2003-07-02 JP JP2003190720A patent/JP2005026481A/ja active Pending
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