JP2005020031A - 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、複数のスルーホール28が形成され、一方の面でスルーホール28上を通り電気的に独立した複数の配線22が形成されたテープキャリア40を用意する第1工程と、配線22に対して無電解メッキを施す第2工程と、テープキャリア40に半導体チップ10をフェースダウン実装し、配線22の表面、側面及び先端面を被覆する第3工程と、半導体チップ10よりも外側であって配線22を避ける位置でテープキャリア40を打ち抜く第4工程と、を含む。
【選択図】 図1
Description
前記配線に対して無電解メッキを施す第2工程と、
前記基板に少なくとも一つの半導体チップをフェースダウン実装し、前記配線における前記基板との非接触面全面を樹脂で被覆する第3工程と、
前記半導体チップよりも外側であって前記配線を避ける位置で前記基板を打ち抜く第4工程と、
を含む。本発明によれば、無電解メッキを適用して配線にメッキを施すことができる。また、第4工程で配線を避ける位置で基板が打ち抜かれるので、配線が切断されることがなく、切断面が露出することもない。なお、配線は、第3工程で樹脂にて被覆される。こうして、得られた半導体装置によれば、配線の端面が露出していないので、湿気の進入経路を遮断することができる。また、電解メッキを施すときには必要であったメッキリードがないので、配線の設計効率が向上して多ピン(多グリッド)の半導体装置(特にCSP)を容易に設計することができる。さらに、メッキリードがないので、不要なリードに信号を伝えることがなく、伝送特性が向上する。
(2)この製造方法において、
前記第3工程で、前記樹脂としての接着剤に導電粒子が含有されてなる異方性導電材料を介して前記半導体チップをフェースダウン実装し、前記配線における前記基板との非接触面全面を覆って前記異方性導電材料を設けることで前記配線を被覆してもよい。これによれば、半導体チップを簡単に実装することができ、実装するときに同時に配線の被覆も可能になる。
(3)この製造方法において、
前記スルーホール内の導電部材を介して前記配線に電気的に導通する複数の外部端子を設ける工程をさらに含んでもよい。
(4)この製造方法において、
それぞれの前記配線の一方の端部は前記半導体チップのいずれかの電極と接合され、他方の端部は前記スルーホール内の導電部材を介していずれかの前記外部端子と接合されてもよい。こうすることで、配線の両端に、半導体チップの電極と外部端子とが接合されるので、信号の伝送が必要な経路のみに配線が形成されることになり、伝送特性が向上する。
(5)この製造方法において、
前記第3工程で前記基板に複数の半導体チップをフェースダウン実装し、前記第4工程でそれぞれの半導体チップごとに前記基板を打ち抜いてもよい。こうすることで、半導体装置の生産性が向上する。
(6)この製造方法において、
前記基板は、テープキャリアであってもよい。
(7)本発明に係る半導体装置は、上記方法により製造される。
(8)本発明に係る半導体装置は、複数のスルーホールが形成され、一方の面で各々の前記スルーホールに対して電気的に接続されて無電解メッキが施されている配線が形成された基板と、
接着剤に導電粒子が含有されてなり、前記配線における前記基板との非接触面全面を覆う異方性導電材料と、
前記異方性導電材料を介して前記基板にフェースダウン実装された半導体チップと、
前記スルーホール内の導電部材を介して前記配線に電気的に導通する複数の外部端子と、
を含む。本発明によれば、配線の端面が露出していないので、湿気の進入経路を遮断することができる。また、電解メッキを施すときには必要であったメッキリードがないので、配線の設計効率が向上して多ピン化(多グリッド化)が可能である。さらに、メッキリードがないので、不要なリードに信号を伝えることがなく、伝送特性が向上する。
(9)この半導体装置において、
それぞれの前記配線の一方の端部は前記半導体チップのいずれかの電極と接合され、他方の端部は前記スルーホール内の導電部材を介していずれかの前記外部端子と接合されてもよい。こうすることで、配線の両端に、半導体チップの電極と外部端子とが接合されるので、信号の伝送が必要な経路のみに配線が形成されることになり、伝送特性が向上する。
(10)本発明に係るテープキャリアは、複数のスルーホールが形成されたテープ状の基板と、前記基板の一方の面で前記スルーホール上を通り電気的に独立しており無電解メッキが施されている複数の配線と、を含み、前記配線は、複数の半導体装置のために複数の配線パターンを構成する。本発明によれば、電気的に独立しているにもかかわらず、無電解メッキを適用することで、複数の配線がメッキされている。
(11)本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が搭載されている。
(12)本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を備える。
上述した基板20は、それよりも大きい基板(基材)を打ち抜いて形成することができる。本実施の形態では、図3に示すテープキャリア40を用意する。テープキャリア40には、打ち抜きによって、複数の基板20を得られるようになっている。すなわち、テープキャリア40には、複数の基板20に対応する複数の配線パターン42を構成する複数の配線22が形成されている。テープキャリア40は、配線22にメッキ層30が形成されていない点を除き、複数の基板20(図1及び図2参照)の構成を含む。
次に、テープキャリア40に形成された配線22に、無電解メッキを施して、図1に示すようにメッキ層30を形成する。
テープキャリア40に形成されたそれぞれの配線パターン42に、半導体チップ10をフェースダウン実装する。例えば、図1に示すように、異方性導電材料32を使用することができる。異方性導電材料32は、半導体チップ10における電極12が形成された面に予め設けておいても良いし、テープキャリア40における配線22が形成された面に予め設けておいても良い。個々の配線パターン42ごとに覆うように異方性導電材料32を設けてもよいし、複数の配線パターン42を覆うように異方性導電材料32を設けてもよい。
図4に示すように、それぞれの半導体チップ10よりも外側であって、配線22を避ける位置で、テープキャリア40を打ち抜く。打ち抜き形状は、特に限定されないが、半導体チップ10の平面形状の相似形としてもよい。打ち抜きのために、切断治具44、46を使用することができる。こうして、半導体装置1を連続して製造することができる。
Claims (12)
- 複数のスルーホールが形成され、一方の面で各々の前記スルーホールに対して電気的に接続された配線が形成された基板を用意する第1工程と、
前記配線に対して無電解メッキを施す第2工程と、
前記基板に少なくとも一つの半導体チップをフェースダウン実装し、前記配線における前記基板との非接触面全面を樹脂で被覆する第3工程と、
前記半導体チップよりも外側であって前記配線を避ける位置で前記基板を打ち抜く第4工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第3工程で、前記樹脂としての接着剤に導電粒子が含有されてなる異方性導電材料を介して前記半導体チップをフェースダウン実装し、前記配線における前記基板との非接触面全面を覆って前記異方性導電材料を設けることで前記配線を被覆する半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は請求項2記載の半導体装置の製造方法において、
前記スルーホール内の導電部材を介して前記配線に電気的に導通する複数の外部端子を設ける工程をさらに含む半導体装置の製造方法。 - 請求項3記載の半導体装置の製造方法において、
それぞれの前記配線の一方の端部は前記半導体チップのいずれかの電極と接合され、他方の端部は前記スルーホール内の導電部材を介していずれかの前記外部端子と接合される半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第3工程で前記基板に複数の半導体チップをフェースダウン実装し、前記第4工程でそれぞれの半導体チップごとに前記基板を打ち抜く半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の半導体装置の製造方法において、
前記基板は、テープキャリアである半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の方法により製造された半導体装置。
- 複数のスルーホールが形成され、一方の面で各々の前記スルーホールに対して電気的に接続されて無電解メッキが施されている配線が形成された基板と、
接着剤に導電粒子が含有されてなり、前記配線における前記基板との非接触面全面を覆う異方性導電材料と、
前記異方性導電材料を介して前記基板にフェースダウン実装された半導体チップと、
前記スルーホール内の導電部材を介して前記配線に電気的に導通する複数の外部端子と、
を含む半導体装置。 - 請求項8記載の半導体装置において、
それぞれの前記配線の一方の端部は前記半導体チップのいずれかの電極と接合され、他方の端部は前記スルーホール内の導電部材を介していずれかの前記外部端子と接合される半導体装置。 - 複数のスルーホールが形成されたテープ状の基板と、前記基板の一方の面で前記スルーホール上を通り電気的に独立しており無電解メッキが施されている複数の配線と、を含み、前記配線は、複数の半導体装置のために複数の配線パターンを構成するテープキャリア。
- 請求項7から請求項9のいずれかに記載の半導体装置が搭載された回路基板。
- 請求項7から請求項9のいずれかに記載の半導体装置を備える電子機器。
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JP2004299995A JP2005020031A (ja) | 2004-10-14 | 2004-10-14 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
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JP2004299995A Withdrawn JP2005020031A (ja) | 2004-10-14 | 2004-10-14 | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
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JP2007115862A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Nec Corp | 半導体パッケージ |
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2004
- 2004-10-14 JP JP2004299995A patent/JP2005020031A/ja not_active Withdrawn
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