JP2005020002A - レーザ発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 インコヒーレント発光デバイスにより得られた光を垂直レーザ共振器構造体への入力として使用することによりレーザ光を発生させる配置であって、垂直レーザ共振器構造体を基板のインコヒーレント発光デバイスと共通の面上に設置する改良型配置を提供すること。
【解決手段】 本発明によるレーザ発光装置は、基板の片面上に、発光層を有するインコヒーレント発光デバイスを含む。該発光層に電場を印加すると光が発生し、これが該発光デバイスから光学的透明層を通して伝送されて、該発光デバイスから伝送された光を受光するように配置された垂直レーザ共振器構造体に入り、レーザ光を発生する。
【選択図】 図2
【解決手段】 本発明によるレーザ発光装置は、基板の片面上に、発光層を有するインコヒーレント発光デバイスを含む。該発光層に電場を印加すると光が発生し、これが該発光デバイスから光学的透明層を通して伝送されて、該発光デバイスから伝送された光を受光するように配置された垂直レーザ共振器構造体に入り、レーザ光を発生する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、発光デバイスの分野、特に有機系固体レーザに関する。
ここ数年、有機系固体レーザの製造における興味が増しつつある。レイジング材料は高分子又は低分子のいずれかであり、そして、微小空洞共振器(Kozlovら、米国特許第6160828号)、導波路、リングマイクロレーザ及び分布帰還型のような種々の共振器構造が採用されてきた(例えば、G. Kranzelbinderら、Rep. Prog. Phys. 63, 729 [2000]及びM. Diaz-Garciaらの米国特許第5881083号も参照)。これらの構造体のすべてにまつわる問題は、レイジングを達成するために、別のレーザ源を使用する光ポンピングによって当該共振器を励起しなければならないことである。レーザ共振器を電気的にポンピングする方がはるかに好ましい。その方が、一般に、よりコンパクトで変調し易い構造体となるからである。
電気ポンプ式有機レーザの実現に対する主な障壁は、有機材料のキャリヤ移動度が、典型的には10-5cm2/(V-s)程度と小さいことである。キャリヤ移動度がこのように小さいと、いくつかの問題が生じる。典型的には、キャリヤ移動度の小さいデバイスには、電圧降下及び抵抗加熱が大きくならないように、薄い層を使用しなければならないという制約がある。このような薄い層は、レイジングモードが高減衰性(lossy)カソード及びアノードに貫入することになり、レイジング閾値が大きく上昇する原因となる(V.G. Kozlovら、J. Appl. Phys. 84, 4096 [1998])。有機材料における電子-正孔再結合はランジュバンの再結合(そのレートはキャリヤ移動度に比例する)に支配されるので、キャリヤ移動度が低いと、一重項励起子よりも電荷キャリヤが数オーダー多くなり、その結果の1つとして、電荷誘導型(ポラロン)吸収が顕著な損失機構となり得ることになる(N. Tesslerら、Appl. Phys. Lett. 74, 2764, [1999])。レーザデバイスの内部量子効率が5%であると仮定し、これまで報告されている最も低いレイジング閾値〜100W/cm2(M. Berggrenら、Nature 389, 466, [1997])を使用し、そして上述の損失機構を無視した場合、電気ポンプ式レイジング閾値の下限値は1000A/cm2となる。上述の損失機構を含めると、当該レイジング閾値は1000A/cm2をはるかに上回ることになり、その値は、有機デバイスが支持することができる電流密度としてこれまで報告されているものの最高値となってしまう(N. Tessler, Adv. Mater. 19, 64 [1998])。
これらの問題を避ける方法の一つは、レイジング媒質として、非晶質有機材料の代わりに結晶質有機材料を使用することである。有機系レーザの利点の一つとして、当該材料が典型的には非晶質であるため、当該デバイスを安価に形成することができ、また任意の基板上での材料成長が可能である点が挙げられる。単結晶型有機レーザの場合、これらの利点が共に失われてしまう。
無機(M.D. McGeheeら、Appl. Phys. Lett. 72, 1536[1998])又は有機(Berggrenら、米国特許第5881089号)を問わず、発光ダイオード(LED)で有機レーザ共振器をポンピングするという他の提案がいくつかある。McGeheeら(M.D. McGeheeら、Appl. Phys. Lett. 72, 1536[1998])は、InGaN系LEDを使用してレーザポンピングを試みるためには閾値を少なくとも1オーダー低下させる必要があったと述べている。Berggrenらは、全有機系一体型レーザであって、デバイスの一区分(有機LED部)がインコヒーレント輻射線を提供し、隣接区分(レーザ共振器)が光ダウンコンバージョン、利得および光フィードバックを提供するものの製造を提案している。Berggrenらは、レイジング共振器が、フェーセット付導波路、分布帰還型導波路共振器、分布ブラッグレフレクター型導波路共振器または光格子型共振器のいずれかでなければならないと述べている。Berggrenらは、当該デバイスの有機発光ダイオード(OLED)セクションのデータ(その電流-電圧特性および電圧-輝度特性)を示したにすぎない。デバイスのレイジング特性に関しては、約620nmにおいてコヒーレント輻射線が得られたとのコメントがあるにすぎない。Berggrenらは、デバイスのレイジング作用に関するさらなる詳細事項については何ら提供していないので、当該デバイスのOLEDセクションからの励起によって当該デバイスがレイジングされたのかどうかについて決定することは困難である。したがって、本発明者らが知っている限り、レーザ共振器をインコヒーレント光源によって励起したことついて記載した文献はない。
本発明の目的は、インコヒーレント発光デバイスにより得られた光を垂直レーザ共振器構造体への入力として使用することによりレーザ光を発生させる配置であって、垂直レーザ共振器構造体を基板のインコヒーレント発光デバイスと共通の面上に設置する改良型配置を提供することにある。
上記目的は、レーザ発光装置であって、
(a)光学的透明層と、
(b)インコヒーレント発光デバイスであって、
(1)該光学的透明層の片面上に配置された第1透明電極;
(2)該第1電極に隣接した発光層であって、該インコヒーレント発光デバイスから該第1透明電極および該光学的透明層を通して出ていくように伝送されるポンプビーム光を発生させるための発光層;ならびに
(3)該発光層に隣接した第2電極
を含むインコヒーレント発光デバイスと、
(c)該光学的透明層の反対面上に、該インコヒーレント発光デバイスから該光学的透明層を通して伝送された該ポンプビーム光を受光するように配置された垂直レーザ共振器構造体であって、
(1)該インコヒーレント発光デバイスからの光を受光するための第1手段であって、所定の波長域にわたり主として透過性または反射性である第1手段;
(2)該インコヒーレント発光デバイスからの光および該第1受光手段からの光を受光してレーザ光を発生させるための有機活性層;ならびに
(3)該有機活性層からの光を該有機活性層へ反射し返すための第2手段であって、該第1手段および該第2手段の組合せによりレーザ光を透過せしめるもの
を含む垂直レーザ共振器構造体と、
(d)該第2電極または該第2手段のいずれかに隣接して配置された基板と
を含んで成るレーザ発光装置によって達成される。
(a)光学的透明層と、
(b)インコヒーレント発光デバイスであって、
(1)該光学的透明層の片面上に配置された第1透明電極;
(2)該第1電極に隣接した発光層であって、該インコヒーレント発光デバイスから該第1透明電極および該光学的透明層を通して出ていくように伝送されるポンプビーム光を発生させるための発光層;ならびに
(3)該発光層に隣接した第2電極
を含むインコヒーレント発光デバイスと、
(c)該光学的透明層の反対面上に、該インコヒーレント発光デバイスから該光学的透明層を通して伝送された該ポンプビーム光を受光するように配置された垂直レーザ共振器構造体であって、
(1)該インコヒーレント発光デバイスからの光を受光するための第1手段であって、所定の波長域にわたり主として透過性または反射性である第1手段;
(2)該インコヒーレント発光デバイスからの光および該第1受光手段からの光を受光してレーザ光を発生させるための有機活性層;ならびに
(3)該有機活性層からの光を該有機活性層へ反射し返すための第2手段であって、該第1手段および該第2手段の組合せによりレーザ光を透過せしめるもの
を含む垂直レーザ共振器構造体と、
(d)該第2電極または該第2手段のいずれかに隣接して配置された基板と
を含んで成るレーザ発光装置によって達成される。
垂直レーザ共振器が、インコヒーレント発光デバイスからのインコヒーレント光を受光するのに特に適しており、かつ、基板の片面上に当該インコヒーレント発光体と共に統合した場合に、該基板の反対面上に他のシステム要素を統合することを可能にすることが見出された。本発明のさらなる利点は、トップレフレクターおよびボトムレフレクターの双方のために高反射率誘電体多層ミラーを組み込んだ垂直レーザ共振器設計を使用し、かつ、当該活性材料を低分子量有機材料からなるものとしたことである。その結果、レーザ共振器の閾値が非常に小さくなった。これは、1)活性容量が小さいこと;2)極低損失型高反射率誘電体ミラーを使用したこと;3)レイジング媒質が、ボトム誘電体スタック上に非常に均一に付着できる低分子量有機材料からなること;および4)レイジング媒質が、ホスト有機材料(インコヒーレント輻射線を吸収する)と低体積百分率ドーパント有機材料(レーザ光を放出する)とからなるため、量子効率が高くなり、かつ、散乱/吸収損失が減少すること、の結果である。さらに、まったく意外なことに、ポンプ光線の横断面積およびパルス幅が(マイクロ秒のオーダーで)顕著に増加した結果、閾値パワー密度が数オーダー低下したことが見出された。垂直レーザ共振器の閾値が非常に低くなった結果、該共振器を励起させるために高パワー密度デバイス(合焦レーザ光)を使用する必要がなくなった。その結果、非合焦OLED輻射線のような低パワー密度デバイスが、レーザ共振器をポンピングするための光源として十分使用することができる。単一基板の片面上で有機系レーザ共振器とOLEDポンプ光源とを組み合わせたことにより、広範な波長域にわたり光出力を調整することができる安価な多目的レーザ光源が得られる。
二区分系電気駆動式有機固体レーザ装置の構成および性能を十分に認識するため、図1に示した従来型の有機レーザ共振器100について説明する。
図1に示した従来技術の有機レーザ共振器デバイス100は透明基板105を有し、その上にミラー層110が形成されている。透明基板105はガラスまたは石英であることができ、一方、ミラー層110は分布型ブラッグレフレクター(DBR)誘電体ミラースタックである。DBRミラーはλ/4厚誘電体層からなる。ここで、λはDBRミラー反射ストップバンドの中心波長を表し、スタックは高屈折率層と低屈折率層との交互層である。DBRミラーの反射率は典型的には99%を超える。DBRミラーの形成に用いられる典型的な誘電体は、低屈折率材料にはSiO2、そして高屈折率材料にはTiO2またはTa2O5である。ミラー層110の上には有機活性層115が形成される。有機活性層115は、低分子量有機材料または共役高分子有機材料のいずれかから構成することができる。低分子量有機材料は、典型的には、高真空系熱蒸発法により付着され、一方、共役高分子は、通常は、スピンキャスト法により形成される。有機活性層115の上には、熱蒸発法により金属120が付着される。典型的な金属は銀またはアルミニウムであり、その反射率は90%を上回る。デバイス100を励起するため、有機活性層115は、入射光線125によって光ポンピングされる。入射光線125は活性層115に高い光エネルギー密度を供給しなければならないため、典型的には、入射光源としてレーザを適当なレンズと組み合わせて使用する。有機活性層115は入射ポンプビームを吸収し、そのエネルギーの一部をより長い波長の光として放出する。長波長光の中には望ましくない自然放出として放出されるものもあるが、誘導放出130として放出される部分は、層面の法線方向に向かい、ボトムミラー層110および透明基板105を通してデバイスから出てくる。
図1に示した従来技術の有機レーザ共振器デバイス100は透明基板105を有し、その上にミラー層110が形成されている。透明基板105はガラスまたは石英であることができ、一方、ミラー層110は分布型ブラッグレフレクター(DBR)誘電体ミラースタックである。DBRミラーはλ/4厚誘電体層からなる。ここで、λはDBRミラー反射ストップバンドの中心波長を表し、スタックは高屈折率層と低屈折率層との交互層である。DBRミラーの反射率は典型的には99%を超える。DBRミラーの形成に用いられる典型的な誘電体は、低屈折率材料にはSiO2、そして高屈折率材料にはTiO2またはTa2O5である。ミラー層110の上には有機活性層115が形成される。有機活性層115は、低分子量有機材料または共役高分子有機材料のいずれかから構成することができる。低分子量有機材料は、典型的には、高真空系熱蒸発法により付着され、一方、共役高分子は、通常は、スピンキャスト法により形成される。有機活性層115の上には、熱蒸発法により金属120が付着される。典型的な金属は銀またはアルミニウムであり、その反射率は90%を上回る。デバイス100を励起するため、有機活性層115は、入射光線125によって光ポンピングされる。入射光線125は活性層115に高い光エネルギー密度を供給しなければならないため、典型的には、入射光源としてレーザを適当なレンズと組み合わせて使用する。有機活性層115は入射ポンプビームを吸収し、そのエネルギーの一部をより長い波長の光として放出する。長波長光の中には望ましくない自然放出として放出されるものもあるが、誘導放出130として放出される部分は、層面の法線方向に向かい、ボトムミラー層110および透明基板105を通してデバイスから出てくる。
有機レーザ共振器デバイス100の励起閾値は、いくつかの因子によって高くなる。レフレクターの一つとして金属層を使用すると、レーザ共振器の内部での周回毎にレーザ光の約10%が失われる。さらに、活性層の約150nm以内に金属を設けると、活性材料の蛍光が顕著に消光する場合がある(K.B. Kahen, Appl. Phys. Lett. 78, 1649 (2001))。また、活性材料として共役ポリマーを使用することも典型的である。これらの材料はスピンキャスト法で付着されるため、活性層の表面上に良好な厚さの均一性を達成することが困難である。厚さが不均一であると、デバイスの横方向位置の関数として周回位相に差が生じてしまう。その結果、弱め合い干渉が生じることがあり、その場合には閾値が高くなってしまう。共役ポリマー系活性層(ホスト-ドーパント混合系を使用しないもの)についてさらに別の問題は、レイジング波長において活性材料からなお有意な吸収が存在することである。
図2は、本発明の一態様による有機固体レーザ装置200の略横断面図である。該装置は2つのセクションからなる。第1セクション201は垂直レーザ共振器であるが、従来型とは次の点で異なる。すなわち、有機発光ダイオード(OLED)231インコヒーレント光源と垂直レーザ共振器201との間に光学的透明層205が配設されている点、そしてレフレクター210および220が共にDBRミラーであり、かつ、活性層215が、ホスト-ドーパント材料系を使用する有機材料から形成されている点である。好適な態様では、光学的透明層205は、OLEDインコヒーレント光源と適合する光学的透明絶縁平坦化層、例えば二酸化珪素、であるが、OLEDインコヒーレント光源と適合する光学的フラット層であってその上にDBRミラーを成長させ得るものであれば、どのような層であってもよい。DBRミラー210は、光学的透明層205の上に付着される。当該誘電体層については正確な厚さを得ることが重要であるため、常用のスパッタ法または電子ビーム(e−ビーム)付着法によって成長させることが好ましい。ボトムDBRミラー210は、レーザ光230の波長において、その反射率が99.9%より高くなり、かつ、OLED光225の90%超を透過するように、高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層とを交互に組み合わせたものからなる。DBRミラー210は、励起波長λ1において高い反射率を得るため、λ/4厚の高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層とを交互に組み合わせたものからなり、追加の高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層とを交互に組み合わせたものを、OLED光225について幅広い透過極大が得られるように付着させる。DBRミラー210の上に有機活性層215を付着させるが、これは、常用の高真空系(10-6トル)熱蒸着法または溶液からのスピンキャスト法によって形成することができる。低い閾値を得るため、有機活性層215の厚さを、λ/2(λは励起波長)の整数倍にすることが好ましい。整数倍が1または2である場合に最低閾値が得られる。有機活性層215はホストおよびドーパントの有機分子を含む。有機分子は低分子量のものであることが好ましい。現在のところ、低分子系の方がより均一に付着できるためである。本発明に用いられるホスト材料は、OLED光225を十分に吸収し、かつ、その励起エネルギーの大部分をフェルスター型エネルギー移動によりドーパント材料へ移動させることができる材料の中から選択される。当業者であれば、ホスト分子とドーパント分子の間の無放射エネルギー移動に関するフェルスター型エネルギー移動の概念を知っている。赤色発光レーザに有用なホスト-ドーパントの組合せの一例として、ホスト材料をアルミニウムトリス(8-ヒドロキシキノリン)(Alq)とし、赤色発光ドーパントを4-(ジシアノメチレン)-2-t-ブチル-6-(1,1,7,7-テトラメチルジュロリジル-9-エニル)-4H-ピラン(DCJTB)としたものが挙げられる。有機活性層215の上にはDBRミラー220が付着される。それも常用のe−ビーム付着法で付着されるが、この場合は、付着工程中有機物の温度が75℃未満に保たれることが好ましい。トップDBRミラー220は、レーザ光230の波長において、その反射率が98%より高くなり、かつ、OLED光225の90%超を反射するように、高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層とを交互に組み合わせたものからなる。したがって、λ/4厚(λは所望の励起波長付近で選ばれる)の高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層とを交互に付着させる他に、OLED光225について幅広い反射極大が得られるように追加の高屈折率誘電体層と低屈折率誘電体層とを交互に付着させる。具体的には、OLED光225のうち有機活性層215ホスト材料が吸収する部分を反射することだけが必要とされる。
有機固体レーザ発光装置の第2OLED231セクションは、スペクトルの所定領域内でインコヒーレント光を発生する1または2以上の電気駆動式有機発光ダイオードデバイスである。OLEDデバイスの一例については、譲受人共通のHungらの米国特許第6172459号明細書およびその中の引用文献を参照されたい。当該開示事項を本明細書の一部とする。
有機発光ダイオード231は、基板235aに隣接して、好ましくはその上に、形成され、基板上には電極240、例えばアノードが形成される。基板235aは、当該技術分野で記載されているOLEDデバイスの構築に適した任意の材料、例えばガラスまたは石英であることができ、また、電極240はインジウム錫酸化物(ITO)または高仕事関数金属(例、Au)で構成することができる。電極は蒸発法(熱もしくはe−ビーム)またはスパッタ法で付着させることができる。電極240の上には有機正孔輸送層245が形成され、有機正孔輸送層245の上には有機発光層250が形成され、そして有機発光層250の上には有機電子輸送層255が形成される。これら3層の一例として、有機正孔輸送層245を4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(NPB)のようなジアミン層とし、有機発光層250を未ドープ型9,10-ビス(2-ナフタレニル)アントラセン(ADN)とし、そして有機電子輸送層255をAlqとした有用な構造体が挙げられる。これらの有機物は、典型的には、高真空系熱蒸発法によって調製される。好適な厚さは、NPBについては40〜250nm、ADNについては10〜50nm、そしてAlqについては10〜200nmの範囲内にある。第2透明電極260(カソード)は、有機電子輸送層255の上に、仕事関数が4.0eV未満となるように選ばれた材料から形成される。好適な透明電極260は、MgAgであってMg-Agの体積比が10:1であるものである。それは常用の熱蒸着法で形成させることができる。本カソードは、OLED光225を垂直レーザ共振器201へと通過させることができるよう透明でなければならないため、金属系カソードの好適な厚さは15nm未満である。カソードの上に光学的透明層205を形成させ、そして光学的透明層205の上に垂直共振器レーザ201を形成させる。OLED構造体には、当該技術分野で知られているように、正孔注入層や電子注入層といった追加の層を含めてもよい。当該技術分野でよく理解されているように、有機発光層250がポンプビーム光を発生させるのに必要な電場を提供するように電極間に電圧Vを印加することができる。ポンプビーム光は、有機発光ダイオードデバイスから透過して出てくる。電圧Vは、連続電圧であってもパルス形態であってもよい。
典型的なバイアス条件下で、電子(負電荷キャリヤ)が透明電極260から有機電子輸送層255へ注入され、そして正孔(正電荷キャリヤ)が電極240から有機正孔輸送層245へ注入される。電子と正孔は対応する有機層255および245を通って有機発光層250へ輸送される。有機発光層250において、電子と正孔が、有機正孔輸送層245と有機発光層250との接合部付近で主として再結合する。再結合の結果、有機発光層250から光が放出される。有機発光層250で発生した光のうち、約50%は基板235aの方向へ直接放出されるが、残る50%は透明電極260に向けて直接放出される。透明電極260は部分透明であり、当該光に光学的透明層205を通過させて垂直レーザ共振器を光ポンピングさせることができる。電極240および/またはその下の基板を反射性にし、基板に向けて放出された光部分についても当該デバイスで反射させて光学的透明層205を通過させることができる。
有機発光ダイオード231から出た後、OLED光225はボトムDBRミラー210を通して垂直レーザ共振器201に入る。ボトムDBRミラーの設計の結果、当該光の大部分は有機活性層215へと通過する。構造により、有機活性層215はOLED光225の一部を吸収する。吸収されなかった光の部分のうち(有機活性層の吸収長が小さすぎる場合)、OLED光225の残りの部分はDBRミラー220に入り、これにより当該光の大部分が反射されて有機活性層215へ返され第2パスとなる。第2パスの間、OLED光225の追加の部分が有機活性層215によって吸収される。フェルスター型エネルギー移動機構により、ホストに吸収された光エネルギーはドーパント分子へ無放射移動される。ドーパントは高い放出量子効率を有することが好ましい。無放射移動エネルギーの大部分が、より長い波長の光として再放出されることになるからである。例えば、OLED発光材料としてADNを、活性層ホストとしてAlqを、そして活性層ドーパントとしてDCJTBを使用した場合、放出されるOLED光は青色となり、Alqは主として青色を吸収し、そしてDCJTBは赤色を放出する。垂直レーザ共振器201は赤色光に対し、特にトップおよびボトムDBRミラー(210および220)の反射率が最高となる波長に対し、高Q共振器となるように設計される。当業者であれば、正味の利得が最高となる特定波長においてレイジングが起こる概念を知っている。当該波長において、レーザ光230はトップおよびボトムDBRミラー(210および220)の間で何回も反射してから、主にトップDBRミラー220を通して(ボトムDBRミラー210のミラー損失がトップDBRミラー220のそれよりはるかに小さくなるように設計されているため)放出される。
この態様では、垂直レーザ共振器201と有機発光ダイオード231とが組み合わされて単一基板の片面上に形成された集積デバイスをなし、有機発光ダイオード231が基板235aの上に配置され、そして垂直レーザ共振器201が有機発光ダイオード201の上に、光学的透明層205によってそれから隔離されて配置されている。
図3を参照する。本発明の別態様では、基板235bが透明で、そして垂直レーザ共振器201に隣接して配置され、好ましくは垂直レーザ共振器201が透明基板235bの上に形成され、透明基板235bを通して光が放出される。透明電極はアノードとして図示されている。
図2または図3のいずれの態様においても、有機固体レーザ装置200は、有機固体レーザ装置200を動作させ、これにパワーを供給するための手段を提供するパッシブまたはアクティブマトリックス回路をも含む、それぞれ基板235aまたは透明基板235bの上に形成される。このような回路は、当該技術分野では周知であり、例えば、OLEDおよびLCD表示装置において使用されている。このように、共通の基板235aまたは透明基板235bの上に、独立制御型レーザ発光体のアレイが形成される。その上、よく知られているように、寸法の異なるレーザ共振器を形成させ、また活性層のホストとドーパントの組合せを変更することにより、周波数の異なる光を放出するレーザを製造してもよい。有機発光ダイオード231は、異なる発光材料を使用することにより異なる色を放出することができる。垂直レーザ共振器201の片面側のDBRミラー210の一部として光学的透明層205を創出することもできる。
図12を参照する。図2の態様として示した本発明の有機固体レーザ装置200は、まず基板235aを用意し、その基板235aの上に、集積回路産業において周知のフォトリソフラフィ法および付着法を使用して、所望の回路234(反射性電極240、例えばアノードを含む)のすべてを形成させることによって形成することができる。次いで、当該技術分野で知られているようなトップ発光体構成において電極240の上に有機材料層を形成させて有機発光ダイオード231を形成させる。有機材料層の上に透明電極260(例、カソード)を形成させる。透明電極260は、OLED発光要素のための共通電極であってもよい。透明電極260の上に光学的透明層205を形成させる。この光学的透明層205は、透明電極260を保護すると共に、その上に垂直レーザ共振器201の各要素を形成することができる層を形成することができる。次いで、光学的透明層205の上に垂直レーザ共振器201を形成させる。有機固体レーザ装置200は、追加の層またはガラスカバー(図示なし)で封入され、そして、例えばOLEDディスプレイに有用な技法で、基板に結合される。当該技術分野で知られているように回路234の上に追加の絶縁層および平坦化層(図示なし)が配設された場合、電極240、有機発光ダイオード231および透明電極260が回路234を越えて延在してもよい。電極240および有機発光ダイオード231を必要に応じて画素化することにより独立制御可能な発光体を形成してもよい。
図13を参照する。図3の別態様では、まず透明基板235bを用意し、その透明基板235bの上に、上述したように、透明電極260の一部260aを含む所望の回路234のすべてを形成させる。(この部分260aは、光が通って放出されることがないため、透明である必要はなく、導電性を高くすることができる。)次いで、透明基板235bの上に、透明電極の一部260aに隣接するように垂直レーザ共振器201の要素が形成される。隣接電極の上ではない垂直レーザ共振器要素の上に、光学的透明層205を形成させ、バイアを形成する。光学的透明層205の上と透明電極260の隣接部分260aの上に透明導電性材料の追加層を付着させて、透明電極260を完成させる。次いで、有機発光ダイオード231を含む有機材料の層を付着させ、その後ボトム発光体構成における第2反射性電極240を付着させる。第2電極240は共通電極とすることができ、一方、透明電極260および有機発光ダイオード231を必要に応じて画素化することにより独立制御可能な発光体を形成することができる。透明電極および反射性電極のための材料については、当該技術分野では周知である。その後、上述したように、有機固体レーザ装置200を封入してシールする。
以下の例は、本発明をさらに理解するために提示するものであって、本発明を限定するものと解釈してはならない。
例1
図2および図3に記載した有機固体レーザデバイスの一般的なレイジング特性を決定するため、予備洗浄した10.16cm(4インチ)のSi基板上に垂直レーザ共振器構造体を形成した。該基板上に、常用のe−ビーム付着法で、ボトムDBRミラーを付着させた。該ミラーは、高屈折率Ta2O5層と低屈折率SiO2層とを交互させてなるものとした。得られたミラーは600〜720nmの間の反射率ストップバンドが99%を超え、その中心波長660nmにおける反射率は99.999%を超えた。ボトムDBRミラーの上には、高真空熱蒸発法により、Alqに1%のDCJTBをドープしてなる厚さ200nmの活性層を付着させた。最後に、低温e−ビーム付着法により、Si基板の測定温度が72℃未満に保たれるように、トップDBRミラーを付着させた。該ミラーは、高屈折率TiO2層と低屈折率SiO2層とを交互させてなるものとした。得られたミラーは665〜775nmの間の反射率ストップバンドが99%を超え、その中心波長720nmにおける反射率は99.9%を超えた。活性層の厚さを、当該垂直レーザ共振器構造体のレイジング波長λ1が約690nmとなるように選定した。より具体的には、活性層の厚さをλ1/2nとなるように選定した。ここで、n(=1.691)は690nmにおける活性層の屈折率測定値である。
例1
図2および図3に記載した有機固体レーザデバイスの一般的なレイジング特性を決定するため、予備洗浄した10.16cm(4インチ)のSi基板上に垂直レーザ共振器構造体を形成した。該基板上に、常用のe−ビーム付着法で、ボトムDBRミラーを付着させた。該ミラーは、高屈折率Ta2O5層と低屈折率SiO2層とを交互させてなるものとした。得られたミラーは600〜720nmの間の反射率ストップバンドが99%を超え、その中心波長660nmにおける反射率は99.999%を超えた。ボトムDBRミラーの上には、高真空熱蒸発法により、Alqに1%のDCJTBをドープしてなる厚さ200nmの活性層を付着させた。最後に、低温e−ビーム付着法により、Si基板の測定温度が72℃未満に保たれるように、トップDBRミラーを付着させた。該ミラーは、高屈折率TiO2層と低屈折率SiO2層とを交互させてなるものとした。得られたミラーは665〜775nmの間の反射率ストップバンドが99%を超え、その中心波長720nmにおける反射率は99.9%を超えた。活性層の厚さを、当該垂直レーザ共振器構造体のレイジング波長λ1が約690nmとなるように選定した。より具体的には、活性層の厚さをλ1/2nとなるように選定した。ここで、n(=1.691)は690nmにおける活性層の屈折率測定値である。
垂直レーザ共振器構造体を、青色GaNレーザダイオード(λ=419nm)を用いて光ポンピングした。ダイオードを、関数発生器(HP)により8Vにおいて反復速度4KHzで駆動させ、50nsのパルスを発生させた。8Vにおいて、該ダイオードの出力は約30mWcwであることが測定された。160mmレンズを使用して、ポンプビームを垂直レーザ共振器構造体の表面上に法線方向に合焦させ、スポット寸法測定値62μmにした。パルスのエネルギーを、校正済中性濃度フィルタを使用して変化させた。共振器法線方向(全角約16°の受光錐による)における放出スペクトルを、ダブルモノクロメータ(Spex)で周波数分散させて、冷却式光電子増倍管(Hamamatsu)で検出した。
図4に、684nmにおけるレーザ遷移と626nmにおける自然放出との双方について入力励起パワーに対する出力パワーの依存性をlog-logでプロットしたグラフを示す。626nmにおける自然放出ピークは、反射率ストップバンド(665〜775nm)を超えるトップDBRミラーの反射率の急低下による。このため、626nmにおいて、トップスタックの反射率測定値は約3%である。図面からわかるように、レイジング遷移のみが低励起エネルギーの場合にパワープロットにキンクを示すが、どちらの遷移も、高パワー密度においては消光現象によりロールオフする。一層顕著なことは、閾値ポンプパワー密度が約0.06W/cm2(または3nJ/cm2)と、これまで文献に報告されていた最低閾値より数オーダーも小さいことである(M. Berggrenら、Nature 389, 466 (1997)およびT. Granlundら、Chem. Phys. Lett. 288, 879 (1998))。最後に、本図は、レイジング遷移の傾きが自然放出特徴の傾きより大きいこと(0.75に対して0.91)を示している。パワープロットに含まれるキンクおよびレイジング遷移の勾配が大きいことの他に、レイジングの別の証拠を図5に示す。図5は、684nm付近のレイジングピークの高解像度スペクトルを示す。該ピークのFWHMは0.4nmであって、モノクロメータの解像度限界にあるため、当該レイジング遷移は少なくともこの狭さである。他方、626nmにおける自然放出ピークのFWHM測定値は7nmである。どちらのピークも、入力パワーとして0.6W/cm2(レイジング閾値より高いオーダー)において測定した。
本例は、本発明による設計の垂直レーザ共振器構造体を採用することにより、極めて低いレイジング閾値が得られることを例証するものである。このような低い閾値の結果、インコヒーレント光源を使用してレーザ共振器を励起することが可能となる。
例2
本例では、例1に記載したものと類似の垂直レーザ共振器構造体について説明する。これらの共振器(Si基板付き)を、660nmで励起するように公称設計して構築した。共振器Aの活性層厚はλ1/2n(=195nm)とし、共振器Bの活性層厚はλ1/n(=390nm)とし、そして共振器Cの活性層厚は2λ1/n(=780nm)とした。3つの活性層は、いずれもAlqに1%DCJTBをドープしてなるものとした。トップおよびボトムDBRミラーは3種類とも同一とし、以下のように構築した。ボトムDBRミラーは、高屈折率TiO2層と低屈折率SiO2層とを交互させてなるものとした。得られたミラーは580〜750nmの間の反射率ストップバンドが99%を超え、その中心波長665nmにおける反射率は99.999%を超えた。さらに、該ミラーは445nmを中心とする幅広い反射率極大を有し、そのピーク反射率は92%を超えた。トップDBRミラーは、高屈折率TiO2層と低屈折率SiO2層とを交互させてなるものとした。得られたミラーは625〜745nmの間の反射率ストップバンドが99%を超え、その中心波長685nmにおける反射率は99.9%を超えた。さらに、該ミラーは445nmを中心とする幅広い透過極大を有し、その平均透過率は97%を超えた。
本例では、例1に記載したものと類似の垂直レーザ共振器構造体について説明する。これらの共振器(Si基板付き)を、660nmで励起するように公称設計して構築した。共振器Aの活性層厚はλ1/2n(=195nm)とし、共振器Bの活性層厚はλ1/n(=390nm)とし、そして共振器Cの活性層厚は2λ1/n(=780nm)とした。3つの活性層は、いずれもAlqに1%DCJTBをドープしてなるものとした。トップおよびボトムDBRミラーは3種類とも同一とし、以下のように構築した。ボトムDBRミラーは、高屈折率TiO2層と低屈折率SiO2層とを交互させてなるものとした。得られたミラーは580〜750nmの間の反射率ストップバンドが99%を超え、その中心波長665nmにおける反射率は99.999%を超えた。さらに、該ミラーは445nmを中心とする幅広い反射率極大を有し、そのピーク反射率は92%を超えた。トップDBRミラーは、高屈折率TiO2層と低屈折率SiO2層とを交互させてなるものとした。得られたミラーは625〜745nmの間の反射率ストップバンドが99%を超え、その中心波長685nmにおける反射率は99.9%を超えた。さらに、該ミラーは445nmを中心とする幅広い透過極大を有し、その平均透過率は97%を超えた。
図6に、共振器A(活性層厚195nm)および共振器C(活性層厚780nm)について入力励起パワーに対する出力パワーの依存性をlog-logでプロットしたグラフを示す。励起源はGaNレーザダイオードとし、8Vにおいて反復速度5KHzで駆動させ、幅50nsのパルスを発生させた。共振器AおよびCについて、レイジング遷移はそれぞれ671.5nmおよび681nmにおいて起こった。本図は、微小空洞共振器に含まれる活性層が厚いほど、レイジング遷移がより顕著になることを示している。この微小空洞共振器の観察は、従前よりYokoyamaら(H. Yokoyamaら、Appl. Phys. Lett. 58, 2598 (1991))が指摘しており、当該垂直共振器がレーザ光を発生していることの追加の証拠となる。Yokoyamaらの結果と一致するように、本図は、活性層厚が195nmから780nmへと変化する際に閾値パワー密度が増加(0.07W/cm2から0.22W/cm2)することを示している。共振器Cの場合に、閾値パワー密度が高勾配遷移領域の端部において取得されたことに留意すべきである。おそらくは、遷移領域内のどこかで閾値が起きている。
共振器Aについて、図7に、入力励起パワー7W/cm2(レイジング閾値の2オーダー上の大きさ)の場合の、671.5nmにおけるレイジング遷移と約594nmにおける自然放出ピークのスペクトルを示す。同様に、自然放出ピークは、トップDBRミラーの反射率においてその反射率ストップバンド(625〜745nm)を越えて急低下することによるように見える。先と同様に、そのFWHMは約7nmである。本図は、共振器の放出スペクトルが、分光的に狭い高利得レーザ遷移により完全に支配されていることを示している。
図8に、共振器B(活性層厚390nm)について、3種類の入力ビーム励起条件(共振器B1、B2およびB3と称する)において、入力励起パワーに対する出力パワーの依存性をlog-logでプロットしたグラフを示す。共振器B1〜B3は、3種類のレーザポンプビーム条件をさす:B1)反復速度10KHz、パルス幅10nsおよび円形ビームスポット62μm;B2)反復速度4KHz、パルス幅50nsおよび正方形スポット幅2.5mm;ならびにB3)反復速度4KHz、パルス幅2μsおよび正方形スポット幅2.5mm。これらをいずれもGaNレーザダイオードで励起し、動作電圧についてはそれぞれ8V、8Vおよび7Vとした(7Vは約22mWcwに相当する)。これら3種の共振器のレイジング波長は666nm付近にあった。本図の一般的傾向は、閾値パワー密度が、ビームスポット寸法およびパルス幅のどちらの増加によっても低下するということである(以下に定量化する)。図8と図6の結果を比較すると、共振器B1の閾値パワー密度(0.14W/cm2)が共振器A(0.07W/cm2)および共振器C(0.22W/cm2)と一致しているように見える。その結果、ポンプビームのパルス幅が10nsから50nsへ変化しても影響はない(あったとしても小さい)ように見える。共振器B1と共振器B2を比較すると、入力ビームスポットを2000倍増加させたことにより、閾値が35分の1に低下したことがわかる。これら2つの条件について、閾値上下のlog-logパワー-曲線勾配が非常に類似していることに留意することが重要である:共振器B1について0.68および0.96;共振器B2について0.71および0.91(共振器Aの対応する勾配は0.76および0.92であった)。次に、共振器B2と共振器B3を比較すると、パルス幅を50nsから2μsへ増加させると、閾値パワー密度が0.0004W/cm2へとさらに10分の1に低下することがわかる。顕著なことに、閾値上方のlog-logパワー-曲線勾配は0.92でほぼ一定であるが、閾値下方の勾配は1.24へ顕著に増加する(レイジング遷移領域となる)。これらの結果の両方を組み合わせると(共振器B1および共振器B3を比較すると)、スポットサイズを3×10-5から0.063cm2へ増加させ、かつ、ポンプビーム幅を50nsから2μsへ増加させたときに、閾値パワー密度の大きさが2オーダーを超えて低下する。最後に、共振器B3について、そのパワー変換効率(レーザパワー出力をポンプビームパワー入力で割った値)を、閾値入力パワー密度より1オーダー高いところで約0.06%であると決定した。したがって、1μWの赤色出力パワーを得るのに1.67mWの青色入力パワーが必要となる。トップDBRミラーの反射率を低下させ、かつ、レイジングモードに横方向の閉じ込めを多少付与することにより、パワー変換効率数を相当に上昇させることができるはずである。
本例は、まったく意外なことに、ポンプビームパルス幅およびビームサイズを増加させることにより、レイジング閾値パワー密度を顕著に低下させることができ、このためさらにOLED駆動式(電気ポンピング式)レーザ共振器が実現可能となることを例証するものである。
例3
本例は、図2に示した態様の一例である。ここで、有機発光ダイオード231由来のインコヒーレント光出力225を使用して垂直レーザ共振器201を駆動させる。垂直レーザ共振器構造体としては例2に記載したような共振器AおよびBを使用した。一方、OLEDデバイスは以下のように構築した。
a)厚さ85nmのITO被覆ガラス系透明アノードを、市販の洗剤中で超音波処理し、脱イオン水でリンスし、トルエン蒸気中で脱脂し、そして強酸化剤に接触させた。
b)該ITOアノード上に、常用の熱蒸着法で、厚さ150nmのNPB正孔輸送層を付着させた。
c)該NPB層上に、常用の熱蒸着法で、厚さ30nmのADN発光層を付着させた。
d)該発光層上に、常用の熱蒸着法で、厚さ20nmのAlq電子輸送層を付着させた。
e)該電子輸送層上に、常用の熱蒸着法で、厚さ100nmのMg-Agカソードを付着させた。Mg:Agの体積比は10:1とした。
本例は、図2に示した態様の一例である。ここで、有機発光ダイオード231由来のインコヒーレント光出力225を使用して垂直レーザ共振器201を駆動させる。垂直レーザ共振器構造体としては例2に記載したような共振器AおよびBを使用した。一方、OLEDデバイスは以下のように構築した。
a)厚さ85nmのITO被覆ガラス系透明アノードを、市販の洗剤中で超音波処理し、脱イオン水でリンスし、トルエン蒸気中で脱脂し、そして強酸化剤に接触させた。
b)該ITOアノード上に、常用の熱蒸着法で、厚さ150nmのNPB正孔輸送層を付着させた。
c)該NPB層上に、常用の熱蒸着法で、厚さ30nmのADN発光層を付着させた。
d)該発光層上に、常用の熱蒸着法で、厚さ20nmのAlq電子輸送層を付着させた。
e)該電子輸送層上に、常用の熱蒸着法で、厚さ100nmのMg-Agカソードを付着させた。Mg:Agの体積比は10:1とした。
OLEDデバイスを、高インピーダンス負荷へ0から24Vを供給することができる増幅器(Avtech)を直列に配した関数発生器(HP)によって電気的に駆動した。OLEDデバイスに供給される電流をモニターするため、OLEDに直列に27オームの抵抗器を配置して、その電圧を100MHzデジタルオシロスコープ(Textronics)で測定した。一対の60mmレンズを使用して、垂直レーザ共振器構造体の表面に対して法線方向にOLED画素(3mm×3mm)からの出力を1:1画像化した。
cw駆動電流20mA/cm2において、OLEDデバイスの放射輝度測定値(法線観察方向において集光)は1.46W/(Sr−m2)であった。図9に、OLEDの相対放射輝度の分光プロットを示す。本図からわかるように、ピーク放射輝度は448nmに位置する。Alq吸収係数は450nmにおいて急速に低下し始めるので、レーザ共振器にはOLED出力の一部しか吸収されない。
図10に、OLEDデバイスによって得られたインコヒーレント光で駆動した共振器Aのレーザ出力のスペクトルを示す。閾値をちょうど上回るOLED電流において結果を得た。図5について使用したものより解像度が若干低い(0.40nmではなく0.55nm)モノクロメータによってスペクトルを測定した。その結果、レーザ線のFWHMは0.55nmである。また、62μmのスポットに合焦された50ns幅のレーザパルスで駆動した共振器Aについて、図10について使用したモノクロメータがスペクトル幅0.55nmを測定したことについても留意すべきである。したがって、レイジング遷移の狭さは、幅広い(時間および面積において)インコヒーレントな入力ポンプビームにすることによっては影響されない。
図11に、電気ポンピング式有機固体レーザデバイス(共振器Bは垂直レーザ共振器構造体である)についてOLED電流密度に対するレーザ出力パワーの依存性をlog-logでプロットしたグラフを示す。2種類の電流パルス幅(2μsおよび8μs)について結果を得た。どちらの場合も反復速度は4KHzである。各log-logパワー曲線は3つの線形区分(および対応する2つのキンク)を示す。log-logパワープロットの第1の線形部分の高勾配は、小OLED駆動電流の場合に1μsのオーダーにあるOLEDデバイスのRC時定数の非線形効果によるものである。2μsパルス駆動式デバイスの場合、中間および上方の線形区分の勾配は、それぞれ1.22および1.04となり、先に例2において共振器B3(同一のレーザ共振器であるが、ビーム形状およびパルス幅をOLED出力にほぼ調和させたレーザ入力ビームで駆動したもの)について報告した勾配1.24および0.92に非常に近くなる。レーザ駆動式垂直レーザ共振器とOLED駆動式垂直レーザ共振器との間でパワー勾配が類似していることは、パワー曲線特性が、ポンプビームパワー源のコヒーレンシーまたは分光特性のいずれにも左右されないことを示している。8μsパルス駆動式デバイスの場合、図11は、2μsパルス駆動式デバイスと同様の挙動をし、その中間および上方区分の線形勾配がそれぞれ1.13および0.98であることを示している。本図はまた、閾値電流が、2μsパルス駆動式デバイスおよび8μsパルス駆動式デバイスについて、それぞれ約0.5および0.3A/cm2であることも示している。
双方の態様で開示したように(図2および図3において示したように)、インコヒーレント発光デバイスからのインコヒーレント光を受光するためには垂直レーザ共振器が特に適している。レーザ共振器とインコヒーレント発光デバイスの双方が、単一基板の共通面上に構築される。このため、基板の反対面上に他のシステム要素を集積することが可能となる。
100 従来型有機レーザ共振器デバイス
105 透明基板
110 ミラー層
115 有機活性層
120 金属
125 入射光線
130 誘導放出
105 透明基板
110 ミラー層
115 有機活性層
120 金属
125 入射光線
130 誘導放出
Claims (11)
- レーザ発光装置であって、
(a)光学的透明層と、
(b)インコヒーレント発光デバイスであって、
(1)該光学的透明層の片面上に配置された第1透明電極;
(2)該第1電極に隣接した発光層であって、該インコヒーレント発光デバイスから該第1透明電極および該光学的透明層を通して出ていくように伝送されるポンプビーム光を発生させるための発光層;ならびに
(3)該発光層に隣接した第2電極
を含むインコヒーレント発光デバイスと、
(c)該光学的透明層の反対面上に、該インコヒーレント発光デバイスから該光学的透明層を通して伝送された該ポンプビーム光を受光するように配置された垂直レーザ共振器構造体であって、
(1)該インコヒーレント発光デバイスからの光を受光するための第1手段であって、所定の波長域にわたり主として透過性または反射性である第1手段;
(2)該インコヒーレント発光デバイスからの光および該第1受光手段からの光を受光してレーザ光を発生させるための有機活性層;ならびに
(3)該有機活性層からの光を該有機活性層へ反射し返すための第2手段であって、該第1手段および該第2手段の組合せによりレーザ光を透過せしめるもの
を含む垂直レーザ共振器構造体と、
(d)該第2電極または該第2手段のいずれかに隣接して配置された基板と
を含んで成るレーザ発光装置。 - 該第2電極が該基板上に配置されている、請求項1に記載のレーザ発光装置。
- 該第2電極が反射性である、請求項2に記載のレーザ発光装置。
- 該基板が反射性である、請求項2に記載のレーザ発光装置。
- 該有機活性層からの光を該有機活性層へ反射し返すための該第2手段を通して該レーザ光が放出される、請求項2に記載のレーザ発光装置。
- 該有機活性層からの光を該有機活性層へ反射し返すための該第2手段が該基板上に配置されている、請求項1に記載のレーザ発光装置。
- 該基板が透明である、請求項6に記載のレーザ発光装置。
- 該レーザ光が該基板を通して放出される、請求項6に記載のレーザ発光装置。
- 該垂直レーザ共振器構造体が、スペクトルの所定の範囲内のレーザ光を発生させるように選ばれている、請求項1に記載のレーザ発光装置。
- 該ポンプビーム光の横断面積を増加させ、かつ、数マイクロ秒のオーダーのパルス幅を有するポンプビーム光を提供することにより、閾値パワー密度の低下を可能にする、請求項1に記載のレーザ発光装置。
- レーザ発光装置であって、
(a)光学的透明層と、
(b)インコヒーレント発光デバイスであって、
(1)該光学的透明層の片面上に配置された第1透明電極;
(2)該第1電極に隣接した発光層であって、該インコヒーレント発光デバイスから該第1透明電極および該光学的透明層を通して出ていくように伝送されるポンプビーム光を発生させるための発光層;ならびに
(3)該発光層に隣接した第2電極
を含むインコヒーレント発光デバイスと、
(c)該光学的透明層の反対面上に、該有機発光デバイスから該光学的透明層を通して伝送された該ポンプビーム光を受光するように配置された垂直レーザ共振器構造体であって、
(1)該有機発光デバイスからの光を受光し、かつ、透過するための第1DBRミラーであって、所定の波長域にわたりレーザ光に対して反射性である第1DBRミラー;
(2)該第1DBRミラーからの透過光を受光してレーザ光を発生させるための有機活性層;ならびに
(3)透過OLED光および該有機活性層からのレーザ光を該有機活性層へ反射し返すための第2DBRミラーであって、レーザ光を透過させるもの
を含む垂直レーザ共振器構造体と、
(d)該第2電極または該第2DBRミラーのいずれかに隣接して配置された基板と
を含んで成るレーザ発光装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008182245A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 有機半導体レーザー及びその製造方法 |
DE102008011654A1 (de) | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Denso Corp., Kariya | Laservorrichtung |
KR20120050466A (ko) * | 2009-07-29 | 2012-05-18 | 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 | 유기 레이저 |
Families Citing this family (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6888305B2 (en) * | 2001-11-06 | 2005-05-03 | Universal Display Corporation | Encapsulation structure that acts as a multilayer mirror |
FR2833758B1 (fr) * | 2001-12-13 | 2004-12-10 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'emission de lumiere a micro-cavite et procede de fabrication de ce dispositif |
US6947459B2 (en) * | 2002-11-25 | 2005-09-20 | Eastman Kodak Company | Organic vertical cavity laser and imaging system |
JP2004327634A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ発振器 |
DE102004004781A1 (de) * | 2004-01-30 | 2005-08-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement |
KR20070011301A (ko) * | 2004-03-05 | 2007-01-24 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자 및 표시 장치 |
US7889774B2 (en) * | 2004-03-05 | 2011-02-15 | The Trustees Of Princeton University | Organic polariton laser |
GB0418333D0 (en) * | 2004-08-17 | 2004-09-22 | Cambridge Display Tech Ltd | Enhanced emission of light from organic light emitting diodes |
DE102005045589A1 (de) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Epistar Corp. | Flüssigkristalldisplay |
US7545840B2 (en) * | 2004-12-06 | 2009-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser element and method for manufacturing the same |
JP5062952B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザ発振器 |
US20070091967A1 (en) * | 2005-10-06 | 2007-04-26 | Xiaoming Tao | Laser emitting material, method for making the same and use thereof |
JP4548329B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 面発光型半導体レーザ |
JP4518018B2 (ja) * | 2005-12-20 | 2010-08-04 | 株式会社デンソー | 多波長レーザ装置 |
JP2007173393A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Denso Corp | レーザ装置 |
US7724796B2 (en) * | 2006-08-29 | 2010-05-25 | The Trustees Of Princeton University | Organic laser |
US9063117B2 (en) * | 2007-02-21 | 2015-06-23 | Paul L. Gourley | Micro-optical cavity with fluidic transport chip for bioparticle analysis |
US20080234669A1 (en) * | 2007-03-19 | 2008-09-25 | Kauvar Arielle N B | Method and device for treating skin by superficial coagulation |
DE102007028821A1 (de) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Technische Universität Dresden | Organisches, Weißlicht nach oben emittierendes Bauelement |
DE102007058952A1 (de) | 2007-09-24 | 2009-04-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
WO2009120394A2 (en) * | 2008-01-04 | 2009-10-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for forming structures of polymer nanobeads |
WO2010017441A2 (en) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for simultaneous lateral and vertical patterning of molecular organic films |
WO2010028390A2 (en) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for super radiant laser action in half wavelength thick organic semiconductor microcavities |
US7936802B2 (en) * | 2008-10-21 | 2011-05-03 | Case Western Reserve University | Co-extruded multilayer polymers films for all-polymer lasers |
JP5521478B2 (ja) * | 2008-10-22 | 2014-06-11 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法及び窒化物半導体発光素子 |
US8963262B2 (en) | 2009-08-07 | 2015-02-24 | Massachusettes Institute Of Technology | Method and apparatus for forming MEMS device |
US8739390B2 (en) * | 2008-12-16 | 2014-06-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for microcontact printing of MEMS |
KR100995067B1 (ko) * | 2009-01-21 | 2010-11-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
WO2012037445A2 (en) | 2010-09-17 | 2012-03-22 | Drexel University | Novel applications for alliform carbon |
WO2012058652A2 (en) | 2010-10-29 | 2012-05-03 | Drexel University | Tunable electro-optic filter stack |
JP2010232424A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Fujitsu Ltd | 半導体光増幅装置及び光モジュール |
US20100294951A1 (en) * | 2009-05-22 | 2010-11-25 | Jeremy Parra | Sensitive gas-phase flourimeter at ambient pressure for nitrogen dioxide |
EP2267818B1 (en) * | 2009-06-22 | 2017-03-22 | Novaled GmbH | Organic lighting device |
US9166375B2 (en) | 2009-09-22 | 2015-10-20 | Palo Alto Research Center Incorporated | Vertical surface emitting semiconductor device |
US8000371B2 (en) * | 2009-09-22 | 2011-08-16 | Palo Alto Research Center Incorporated | Vertical surface emitting semiconductor device |
US20140061617A1 (en) * | 2011-04-05 | 2014-03-06 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Method and apparatus for integrating an infrared (hr) pholovoltaic cell on a thin photovoltaic cell |
KR101970022B1 (ko) * | 2011-04-05 | 2019-08-13 | 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 아이엔씨. | 적어도 부분적으로 투명한 일면 발광 oled 조명 및 ir 감지 광전지 패널을 갖는 창을 제공하기 위한 방법 및 장치 |
US9112331B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-08-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Surface emitting laser incorporating third reflector |
US9124062B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-09-01 | Palo Alto Research Center Incorporated | Optically pumped surface emitting lasers incorporating high reflectivity/bandwidth limited reflector |
US9112332B2 (en) | 2012-06-14 | 2015-08-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Electron beam pumped vertical cavity surface emitting laser |
CN103915571A (zh) * | 2014-01-27 | 2014-07-09 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种amoled显示面板及膜层制作方法、显示装置 |
US9614346B2 (en) * | 2014-04-13 | 2017-04-04 | Hong Kong Baptist University | Organic laser for measurement |
CN104022231B (zh) * | 2014-06-27 | 2016-08-24 | 云南大学 | 透明金属电极及其有机电致发光顶发射器件 |
CN104993376B (zh) * | 2015-07-07 | 2018-03-23 | 中国科学院半导体研究所 | 适用于激光显示的消相干准三维光子晶体超辐射光源 |
US10324500B2 (en) * | 2017-01-06 | 2019-06-18 | Microsoft Technology Licensing, Llc | High strength hinge mechanism |
US10986435B2 (en) | 2017-04-18 | 2021-04-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Electrostatic acoustic transducer utilized in a hearing aid or audio processing system |
JP2021536700A (ja) * | 2018-09-07 | 2021-12-27 | グラフオーディオ・インコーポレイテッド | 透明な静電式変換器 |
EP4066335A4 (en) * | 2019-11-27 | 2023-09-06 | KOALA Tech Inc. | ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND ORGANIC SEMICONDUCTOR LASER DIODE |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5369657A (en) * | 1992-09-15 | 1994-11-29 | Texas Instruments Incorporated | Silicon-based microlaser by doped thin films |
US5966393A (en) * | 1996-12-13 | 1999-10-12 | The Regents Of The University Of California | Hybrid light-emitting sources for efficient and cost effective white lighting and for full-color applications |
DE69827246T2 (de) | 1997-05-09 | 2006-01-26 | The Trustees Of Princeton University | Organische laser |
US6160828A (en) * | 1997-07-18 | 2000-12-12 | The Trustees Of Princeton University | Organic vertical-cavity surface-emitting laser |
US5881089A (en) * | 1997-05-13 | 1999-03-09 | Lucent Technologies Inc. | Article comprising an organic laser |
US5881083A (en) * | 1997-07-03 | 1999-03-09 | The Regents Of The University Of California | Conjugated polymers as materials for solid state laser |
US6160273A (en) * | 1998-07-15 | 2000-12-12 | Xerox Corporation | Diode pumped solid state edge emitting light source |
US6172459B1 (en) * | 1998-07-28 | 2001-01-09 | Eastman Kodak Company | Electron-injecting layer providing a modified interface between an organic light-emitting structure and a cathode buffer layer |
US20020118710A1 (en) * | 2000-01-07 | 2002-08-29 | Kopp Victor Il?Apos;Ich | Thin-film large-area coherent light source, filter and amplifier apparatus and method |
JP2002324674A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-11-08 | Seiko Epson Corp | 発光装置、表示装置、ならびに電子機器 |
US6658037B2 (en) * | 2001-04-11 | 2003-12-02 | Eastman Kodak Company | Incoherent light-emitting device apparatus for driving vertical laser cavity |
US6888305B2 (en) * | 2001-11-06 | 2005-05-03 | Universal Display Corporation | Encapsulation structure that acts as a multilayer mirror |
-
2003
- 2003-06-24 US US10/602,143 patent/US6879618B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-06-14 EP EP04076752A patent/EP1503469A3/en not_active Withdrawn
- 2004-06-23 KR KR1020040047145A patent/KR20050001375A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-06-24 JP JP2004186748A patent/JP2005020002A/ja active Pending
- 2004-06-24 CN CNA2004100694606A patent/CN1574519A/zh active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008182245A (ja) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 有機半導体レーザー及びその製造方法 |
DE102008011654A1 (de) | 2007-03-01 | 2008-09-04 | Denso Corp., Kariya | Laservorrichtung |
KR20120050466A (ko) * | 2009-07-29 | 2012-05-18 | 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 | 유기 레이저 |
JP2013501358A (ja) * | 2009-07-29 | 2013-01-10 | ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミシガン | 有機レーザ |
KR102463472B1 (ko) * | 2009-07-29 | 2022-11-03 | 더 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간 | 유기 레이저 |
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