JP2002324674A - 発光装置、表示装置、ならびに電子機器 - Google Patents
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Abstract
を効率よく利用することができる発光装置、ならびに該
発光装置を用いた表示装置および電子機器を提供する。 【解決手段】 発光装置100は、基板10と、基板1
0上に形成された発光素子部110とを含む。発光素子
部110は、エレクトロルミネッセンスによって光が発
生する第1発光層20と、第1発光層20に電界を印加
するための一対の電極層30,50と、第1発光層20
で発生した光を吸収し、該吸収した光より長い波長の光
が発生する第2発光層40と、第2発光層40の上下に
形成された一対の誘電体多層膜90a,90bと、を含
む。誘電体多層膜90a,90bによって反射される光
の波長帯域は、第2発光層40で発生した光の波長帯域
を含む。
Description
ルミネッセンス)を用いた発光装置、該発光装置を用い
た表示装置ならびに電子機器に関する。
(エレクトロルミネッセンス)を用いたEL発光素子に
おいては、発光が等方的に行われて指向性が悪いため、
特定の方向についてみると、光の強度が弱く、出射光を
高い効率で利用することができないという難点を有す
る。
強度を大きくし、光を効率よく利用することができる発
光装置を提供することにある。
いた表示装置、ならびに電子機器を提供することにあ
る。
板と、前記基板上に形成された発光素子部とを含み、前
記発光素子部は、エレクトロルミネッセンスによって光
が発生する第1発光層と、前記第1発光層に電界を印加
するための一対の電極層と、前記第1発光層で発生した
光を吸収し、該吸収した光より長い波長の光が発生する
第2発光層と、前記第2発光層の上下に形成された一対
の誘電体多層膜と、を含み、前記誘電体多層膜によって
反射される光の波長帯域は、前記第2発光層で発生した
光の波長帯域を含む。
層にてエレクトロルミネッセンスによって発生した光
が、前記第2発光層に吸収された後、該吸収された光よ
り長い波長の光が前記第2発光層で生じる。この光が前
記誘電体多層膜を経て前記基板側へと出射する。これに
より、光励起によって、効率良く発光可能な装置を得る
ことができる。
る光の波長帯域が、前記第2発光層で発生した光の波長
帯域を含むことにより、前記第2発光層で発生した光が
前記誘電体多層膜間に閉じ込められて、前記基板の表面
と交差する方向への光伝播が制御される。このため、前
記基板の表面と交差する方向において、発光スペクトル
幅の非常に狭い光を高効率で得ることができる。また、
前記第2発光層で発生した光を前記基板と交差する方向
に出射させることができ、いわゆる面発光を達成するこ
とができる。
0)の態様をとることができる。
帯域と、前記第2発光層で吸収される光の波長帯域が少
なくとも一部重複することができる。この構成によれ
ば、前記第1発光層で発生した光を前記第2発光層で効
率良く吸収することができる。
帯域における発光強度のピークの波長を、前記第1発光
層で発生する光の波長帯域における発光強度のピークの
波長よりも長くすることができる。
2誘電体多層膜からなり、前記第1誘電体多層膜は、前
記第2誘電体多層膜よりも、前記第1発光層に近い側に
形成され、前記第1誘電体多層膜の反射率は、前記第2
誘電体多層膜の反射率より大きくすることができる。
した光を、前記第2発光層側から前記基板への向きに出
射させることができる。
ネッセンスによって発光する有機発光材料を含むことが
できる。
びドーパント材料を含み、前記ホスト材料は、前記第1
発光層で発生した光を吸収し、その結果生じる励起状態
が前記ドーパント材料に移動することにより、前記ドー
パント材料を励起させ、前記励起された前記ドーパント
材料は、前記ホスト材料が吸収した光より長い波長の光
を放出することができる。
含み、前記有機発光材料は、前記第1発光層で発生した
光を吸収し、その結果励起された前記有機発光材料が、
前記吸収した光より長い波長の光を放出することができ
る。
播方向と、前記第2発光層から出射する光の伝播方向と
がほぼ等しくすることができる。
た光を集光する光学部材を含むことができる。
れていることにより、前記第1発光層から出射した光を
集光させた後、前記第2発光層に入射させることができ
る。このため、光の利用効率の向上を図ることができ
る。
層と前記第2発光層との間に形成されることができる。
分布型のレンズ層からなることができる。
向に伝播する光を規制するフォトニクス結晶を含むこと
ができる。
が、前記第2発光層中に形成されていることにより、前
記第2発光層において前記基板の面方向に伝播する光の
発生を規制することができる。さらに、前記第1発光層
で発生した光を効率良く利用することができる。
において前記第1および第2発光層や前記誘電体多層膜
などが積層されている面に平行な方向をいう。
ピッチが前記第2発光層で発生する光の波長に基づいて
規定されることができる。
複数の発光素子部にそれぞれ含まれる前記第2発光層
は、それぞれ発生する光の波長が異なることができる。
レベルに形成できる。
それぞれ、バンクによって分離させることができる。
プレイ等の表示装置に適用することができる。さらに、
この表示装置各種の電子機器に適用することができる。
あるいは、本発明の発光装置を各種の電子機器に適用す
ることができる。かかる表示装置および電子機器の具体
例については後述する。
用いることができる材料の一部を例示する。これらの材
料は、公知の材料の一部を示したにすぎず、例示したも
の以外の材料を選択できることはもちろんである。
発光層の材料は、所定の波長の光を得るために公知の化
合物から選択される。第1および第2発光層の材料とし
ては、有機化合物および無機化合物のいずれでもよい
が、種類の豊富さや成膜性の点から有機化合物であるこ
とが好ましい。
りも、第2発光層で発生する光の波長のほうが長くなる
ように、第1および第2発光層それぞれに用いる材料を
選択する。好ましくは、第1発光層で発生する光の波長
帯域と、第2発光層で吸収される光の波長帯域とが少な
くとも一部重複するように、第1および第2発光層それ
ぞれに用いる材料を選択する。より好ましくは、1段階
でエネルギー遷移が終了する材料を用いる。
ウム−8−ヒドロキシキノリナート)およびTPD(ト
リフェニル/ジアミン誘導体)を用いて形成することが
できる。この場合、Alqは電子輸送層および発光層と
しての機能を有し、TPDは正孔輸送層としての機能を
有する。
ドープしたAlqから形成することができる。この場
合、DCM2はドーパント材料としての機能を有し、A
lqはホスト材料としての機能を有する。あるいは、ペ
ンタセンをドープしたPTCDA(ペリレンテトラカル
ボン酸二無水物)から第2発光層を形成することができ
る。この場合、ペンタセンはドーパント材料としての機
能を有し、PTCDAはホスト材料としての機能を有す
る。
電体多層膜は、屈折率が互いに異なる材料が交互に積層
された構造を有する。このような積層構造としては、例
えば酸化シリコン層(SiO2)と窒化シリコン層(S
iNx)とが交互に積層された層構造が挙げられる。そ
の他、例えば、TiO2、Ta2O5、MgF2、およびZ
nSから選択される2層を交互に積層して誘電体多層膜
を形成することができる。
い(例えば4eV以下)電子注入性金属、合金電気伝導
性化合物およびこれらの混合物を用いることができる。
このような電極物質としては、例えば特開平8−248
276号公報に開示されたものを用いることができる。
4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物またはこれ
らの混合物を用いることができる。陽極として光学的に
透明な材料を用いる場合には、CuI,ITO,SnO
2,ZnOなどの導電性透明材料を用いることができ、
透明性を必要としない場合には金などの金属を用いるこ
とができる。
成することができる。たとえば、発光装置の各層は、そ
の材質によって好適な成膜方法が選択され、具体的に
は、蒸着法、スピンコート法、LB法、インクジェット
法などを例示できる。
装置100を模式的に示す断面図である。図2(a)
は、図1に示す第1発光層20で発生する光、ならびに
第2発光層40にて吸収される光および発生する光の波
長帯域の一例を模式的に示す図であり、図2(b)は、
図1に示す第1および第2誘電体多層膜90a,90b
により反射される光の波長帯域の一例を模式的に示す図
である。
上に形成された発光素子部110とを含む。発光素子部
110は、陰極50、第1発光層20、陽極30、第2
発光層40、および第1および第2誘電体多層膜90
a,90bを含む。
ンスによって発光可能な材料から形成される。第1発光
層20を構成する材料としては、前述した材料を用いる
ことができる。
0に電界を印加するために設けられる。陽極30および
陰極50によって第1発光層20に電界が印加される
と、エレクトロルミネッセンスによって光が生じる。第
1発光層20で発生した光は陽極30および第1誘電体
多層膜90aを経て、第2発光層40で吸収される。
が好ましい。このような透明電極の材料としては、IT
Oなど前述した材料を用いることができる。
る。陰極50を第1発光層20上に形成することによ
り、第2発光層40で発生した光が陰極50で吸収され
るのを防ぐことができる。
が形成されている。さらに、第2発光層40の上下に
は、一対の誘電体多層膜(第1および第2誘電体多層膜
90a,90b)が形成されている。
生した光を吸収した後、この吸収した光より長い波長の
光を発生する。すなわち、図2(a)に示すように、第
2発光層40で発生する光の波長帯域42における発光
強度のピークの波長が、第1発光層20で発生する光の
波長帯域21における発光強度のピークの波長よりも長
い。
帯域21と、第2発光層40で吸収する光の波長帯域4
1とは、少なくとも一部重複することが必要である。こ
の構成によれば、第1発光層20で発生した光を第2発
光層40で効率良く吸収することができる。第1発光層
20で発生する光を第2発光層40でより効率良く吸収
させるためには、図2(a)に示すように、第1発光層
20で発生する光の波長帯域21と、第2発光層40で
吸収する光の波長帯域41とがほぼ一致するのがより好
ましい。
いては、第2発光層40は、ホスト材料およびドーパン
ト材料を含む。ホスト材料は、第1発光層20で発生し
た光を吸収し、その結果生じる励起状態を前記ドーパン
ト材料にフェルスタ移動(使用する材料によってはフェ
ルスタ移動およびDexter移動)させる。その結果励起さ
れた前記ドーパント材料が、よりエネルギー準位の低い
状態へと遷移する際に、前記ドーパント材料は、前記ホ
スト材料が吸収した光より長い波長の光を放出する。
びドーパント材料としては、例えば、ホスト材料にAl
q、ドーパント材料にDCM2をそれぞれ用いた場合が
挙げられる。
ント材料を用いる代わりに、第1発光層20で発光した
光を吸収し、かつ吸収した光より長い波長の光を放出す
る単一の有機発光材料を用いて第2発光層40を形成し
てもよい。かかる有機発光材料は、第1発光層20で発
生した光を吸収することにより励起され、この励起され
た前記有機発光材料がよりエネルギー準位の低い状態へ
と遷移する際に、前記吸収した光より長い波長の光を放
出する。
bは、例えば、酸化シリコン層と窒化シリコン層の積層
のように、屈折率が互いに異なる材料が交互に積層され
た構造からなる。この交互に積層される各層は、厚さが
ほぼλ/(4n)(λは第2発光層40で発生する光の
波長帯域42内にある所定波長,nは膜の屈折率)とな
るように形成される。
bは、所定の波長帯域内にある波長の光を反射する。す
なわち、所定の波長帯域とは、第1および第2誘電体多
層膜90a,90bによって反射される光の波長帯域を
いう。第1および第2誘電体多層膜90a,90bによ
って反射される光の波長帯域は、第2発光層40で発生
する光の波長帯域に基づいて規定される。したがって、
例えば図2(b)に示すように、第1および第2誘電体
多層膜90a,90bによって反射される光の反射率9
1が、第2発光層40で発生する光の波長帯域42に含
まれるように、第1および第2誘電体多層膜90a,9
0bが形成される。この構成によれば、第2発光層40
で発生した光を、第1および第2誘電体多層膜90a,
90b間に閉じ込めることができるため、所定波長での
発光効率を高めることができる。発光効率をさらに高め
るためには、第1および第2誘電体多層膜90a,90
bによって反射される光の波長帯域が、第2発光層40
で発生する光の波長帯域とほぼ一致することがより好ま
しい。
0においては、第1誘電体多層膜90aの反射率が、第
2誘電体多層膜90bの反射率よりも大きくなるよう
に、第1および第2誘電体多層膜90a,90bが形成
されている。ここで、第1誘電体多層膜90aとは、一
対の誘電体多層膜のうち、第1発光層20に近い側に形
成されている誘電体多層膜をいう。この構成によれば、
第2発光層40で発生した光を、第2発光層40側から
基板10への向きに出射させることができる。
発光層40で発生した光が第1および第2誘電体多層膜
90a,90bで閉じ込められることにより、基板10
表面と交差する方向への光伝播が制御される。
は、第1発光層20から出射する光の伝播方向と、第2
発光層40から出射する光の伝播方向とがほぼ等しくな
るように形成されている。
00の動作について説明する。
されることにより、陰極50から電子が、陽極30から
ホールが、それぞれ第1発光層20内に注入される。発
光層20内で、この電子とホールとが再結合されること
により励起子が生成され、この励起子が失活する際に光
が生じる。
た光は、第1発光層20から出射し、陽極30および第
1誘電体多層膜90aを経て、第2発光層40へと入射
する。ここで、第2発光層40に入射した光は、第2発
光層40に含まれるホスト材料に吸収され、その結果発
生した励起状態がドーパント材料にフェルスタ移動する
ことにより、前記ドーパント材料が励起される。この励
起された前記ドーパント材料がよりエネルギー準位の低
い状態へと遷移する際に光が生じる。ここで生じる光
は、前記ホスト材料が吸収した光より長い波長を有す
る。この第2発光層40で発生した光は、第1および第
2誘電体多層膜90a,90b間に閉じ込められた後、
第2発光層40から基板10の方向へと光が出射する。
置100によれば、第1発光層20にてエレクトロルミ
ネッセンスによって発生した光が、第2発光層40に吸
収された後、該吸収された光より長い波長の光が第2発
光層40で生じる。すなわち、第1発光層20に注入さ
れた電荷が光へと効率的に変換された後、この光によっ
て第2発光層40に含まれる材料が励起された後、該材
料が励起状態からよりエネルギー準位の低い状態へと遷
移する際に、第1発光層20にて発生した光よりも波長
が長い光を放出する。この光が第1および第2誘電体多
層膜90a,90bを経て基板10側へと出射する。こ
れにより、光励起によって、効率良く発光可能な装置を
得ることができる。
れば、第1および第2誘電体多層膜90a,90bによ
って反射される光の波長帯域が、第2発光層40で発生
した光の波長帯域を含むことにより、第2発光層40で
発生した光が第2誘電体多層膜90a,90b間に閉じ
込められて、基板10表面と交差する方向への光伝播が
制御される。すなわち、第1および第2誘電体多層膜9
0a,90bによって、基板10表面と交差する方向へ
の光の自然放出が制約される。このため、基板10表面
と交差する方向において、発光スペクトル幅の非常に狭
い光を高効率で得ることができる。また、基板10表面
と交差する方向に光を出射させることができ、いわゆる
面発光を達成することができる。
隣接して第1誘電体多層膜90aが形成されている。し
たがって、第2発光層40が陰極50から離れて形成さ
れていることによって、陰極50による第2発光層40
で発生する光の吸収を少なくすることができる。
100をたとえばディスプレイに用いる場合には、光の
利用効率を向上させるため、基板10側へと光を出射さ
せる必要がある。本実施の形態にかかる発光装置100
では、第1誘電体多層膜90aの反射率が第2誘電体多
層膜90bの反射率よりも大きくなるように形成されて
いるので、基板10側へと優先的に光を出射させること
ができるため、光の利用効率を高めることができる。こ
れにより、本実施の形態にかかる発光装置100をディ
スプレイに適用することができる。
装置200を模式的に示す断面図である。
上に形成された発光素子部210とを含む。発光装置2
00は、陽極30と第1誘電体多層膜90aとの間に、
第1発光層20から出射した光を集光する光学部材が設
けられている点で、第1の実施形態にかかる発光装置1
00と異なる。その他の部分の構成は、第1の実施形態
にかかる発光装置100と同様であるため、説明を省略
する。
した光を集光する光学部材としての機能を有する。レン
ズ層80は、高屈折率部80aおよび低屈折率部80b
から構成され、屈折率分布型のレンズとしての機能を有
する。ここで、高屈折率部80aの屈折率は低屈折率部
80bの屈折率より大きい。高屈折率部80aは凸状形
状を有し、第1誘電体多層膜90a上に形成されてい
る。また、低屈折率部80bは高屈折率部80aを埋め
込むように形成されている。このレンズ層80の製造方
法としては、例えば以下の方法が挙げられる。
へ、ディスペンサノズルまたはインクジェットヘッドに
よって樹脂の液状物を射出し、該液状物を第1誘電体多
層膜90a上に配置させた後硬化させることにより、高
屈折率部80aを形成する。ここで用いる樹脂の液状物
は、前記熱硬化性樹脂または紫外線硬化型樹脂の前駆体
を含む液状物であることが望ましい。ここで、前記液状
物の性質に応じて前記液状物を硬化させる。つづいて、
高屈折率部80aを埋め込むように低屈折率部80bを
積層する。以上の工程により、高屈折率部80aおよび
低屈折率部80bからなるレンズ層80を形成する。
として、ゲルマニウムを添加した石英ガラスを用いる。
この石英ガラスからなる層に紫外線を照射して屈折率の
高い部分を作製する。ここで、石英ガラス層のうち、紫
外線照射により屈折率が大きくなった部分が高屈折率部
80aとなり、残りの部分が低屈折率部80bとなる。
以上の工程により、レンズ層80が形成される。
光する光学部材はレンズ層80に限定されず、第1発光
層20から出射した光を集光する機能を有する部材であ
ればよい。
00の動作について説明する。
されることにより、陰極50から電子が、陽極30から
ホールが、それぞれ第1発光層20内に注入される。発
光層20内で、この電子とホールとが再結合されること
により励起子が生成され、この励起子が失活する際に光
が生じる。
た光は、第1発光層20から出射した後、レンズ層80
に入射し、高屈折率部80aによって集光された後、第
1誘電体多層膜90aを経て、第2発光層40へと入射
する。この後の動作および作用は、第1の実施の形態の
発光装置100と同様であるため、説明を省略する。
置200は、第1の実施の形態の発光装置100とほぼ
同様の作用および効果を有するのに加えて、第1発光層
20と第2発光層40との間にレンズ層80が形成され
ていることにより、第1発光層20から出射した光を集
光させた後、第2発光層40に入射させることができ
る。このため、光の利用効率の向上を図ることができ
る。
装置300を模式的に示す断面図であり、図5は、図4
におけるA−A線に沿った断面図である。
板10と、基板10上に形成された発光素子部310と
を含む。発光装置300は、第2発光層40中にフォト
ニクス結晶70が設けられている点で、第1の実施形態
にかかる発光装置100と異なる。その他の部分の構成
は、第1の実施形態にかかる発光装置100と同様であ
るため、説明を省略する。
晶70は所定のピッチで配列している。本実施の形態の
発光装置300においては、図4および図5に示すよう
に、フォトニクス結晶70が千鳥格子状に配列している
例を示す。フォトニクス結晶70のピッチは、第2発光
層40で発生する光の波長に基づいて規定される。第2
発光層40における実効屈折率をneffとすると、フォ
トニクス結晶70のピッチdは、d=λ/4neffとな
るように形成される。ここで、λは第2発光層40で発
生する光の波長帯域42内にある光の所定波長、neff
=n1×n2/(n1+n2)であり、n1,n2はそれぞ
れ、フォトニクス結晶を構成する2種の媒質の屈折率で
ある。このように、フォトニクス結晶70のピッチを、
第2発光層40で発生する光の波長に基づいて規定する
ことにより、第2発光層40において基板10の面方向
に伝播する光を規制することができる。なお、基板10
の面方向とは、基板10において第1および第2発光層
20,40や第1および第2誘電体多層膜90a,90
bなどが積層されている面に平行な方向をいう。
定されるものではなく、公知の方法を用いることができ
る。その代表例を以下に例示する。
び現像して、レジスト層をパターニングすることによ
り、フォトニクス結晶を作成する。ポリメチルメタクリ
レートあるいはノボラック系樹脂などのレジストを用い
たパターニングの技術としては、例えば特開平6−22
4115号公報、同7−20637号公報などがある。
よりパターニングする技術としては、例えば特開平7−
181689号公報および同1−221741号公報な
どがある。さらに、レーザアブレーションを利用して、
ガラス基板上にポリメチルメタクリレートあるいは酸化
チタンからなるフォトニクス結晶を形成する技術とし
て、例えば特開平10−59743号公報がある。
201907号公報)、紫外線硬化型樹脂を用いたスタ
ンピング(特願平10−279439号)、電子線硬化
型樹脂を用いたスタンピング(特開平7−235075
号公報)などのスタンピングによって、フォトニクス結
晶70を形成することができる。
選択的に除去してパターニングし、フォトニクス結晶7
0を形成することができる。
ついて述べたが、要するに、フォトニクス結晶は互いに
異なる屈折率を有する少なくとも2の領域から構成され
ていればよく、例えば、屈折率の異なる2種の材料によ
り2の領域を形成する方法、一種の材料を部分的に変性
させるなどして、屈折率の異なる2の領域を形成する方
法、などにより形成することができる。
発光装置300の動作は、第2発光層40において、フ
ォトニクス結晶70によって基板10の面方向に伝播す
る光を規制する点以外は、第1の実施の形態にかかる発
光装置100と同様であるので、説明を省略する。
発光装置300は、第1の実施の形態にかかる発光装置
100と同様の作用および効果を有するのに加えて、第
2発光層40で発生する光の波長に基づいて規定された
フォトニクス結晶70が、第2発光層40中に形成され
ていることにより、第2発光層40において基板10の
面方向に伝播する光を規制することができる。これによ
り、基板10の面方向に伝播する光の発生を規制するこ
とができる。さらに、第1発光層20で発生した光を効
率良く利用することができる。
装置400を模式的に示す断面図である。
0と、基板10上に形成された発光素子部410,42
0とを含む。発光装置400は、基板10上に複数の発
光素子部(発光素子部410,420)が設けられてい
る点で、第1の実施形態にかかる発光装置100と異な
る。その他の部分の構成は、第1の実施形態にかかる発
光装置100と同様であるため、説明を省略する。
板10上に形成され、基板10上に形成されたバンク1
2によって分離されている。発光素子部410,420
にはそれぞれ、第2発光層40,140が形成されてい
る。なお、本実施の形態においては、発光素子部41
0,420において第2発光層40,140以外の層は
それぞれ同一工程にて形成される。
形成されている。第2発光層40,140にはそれぞ
れ、発光波長が異なる発光材料が含まれる。このため、
第2発光層40,140でそれぞれ発生する光の波長が
異なる。ここで、発光素子部410,420に形成され
る誘電体多層膜の膜厚は、第2発光層40,140でそ
れぞれ発生する光の波長に基づいて規定される。このた
め、発光素子部410,420にそれぞれ形成される誘
電体多層膜は、第2発光層40,140でそれぞれ発生
する光の波長に対応させた膜厚にする必要がある。した
がって、第2発光層40,140でそれぞれ発生する光
の波長が大きく異なる場合には、発光素子部410,4
20にそれぞれ形成される誘電体多層膜の膜厚の差が大
きくなる場合がある。
する誘電体多層膜90a,90bの高反射帯域を広くと
れば、この誘電体多層膜90a,90bを発光素子部4
10,420にて共通で用いることもできる。
る誘電体多層膜90a,90bの高反射率帯域を広くと
って、この誘電体多層膜90a,90bを発光素子部4
10,420にて共通で用いることもできる。
発光装置400の動作は、第1の実施の形態にかかる発
光装置100と同様であるので、説明を省略する。
発光装置400は、第1の実施の形態にかかる発光装置
100と同様の効果を有する。さらに、発光素子部41
0,420を構成する誘電体多層膜90a,90bの高
反射率帯域を広くとって、この誘電体多層膜90a,9
0bを発光素子部410,420にて共通で用いる場
合、発光素子部410,420を形成する際に、第2発
光層40,140のみをインクジェット法等を用いてそ
れぞれ個別に形成することができる。
いて、第1発光層20を構成する発光材料として有機化
合物を用いる場合、必要に応じて、陽極30と第1発光
層20との間にホール輸送層を設けることができる。ホ
ール輸送層の材料としては、公知の光伝導材料のホール
注入材料として用いられているもの、あるいは有機発光
装置のホール注入層に使用されている公知のものの中か
ら選択して用いることができる。ホール輸送層の材料
は、ホールの注入あるいは電子の障壁性のいずれかの機
能を有するものであり、有機物あるいは無機物のいずれ
でもよい。その具体例としては、例えば、特開平8−2
48276号公報に開示されているものを例示すること
ができる。
層20との間に電子輸送層を設けることができる。電子
輸送層の材料としては、陰極50より注入された電子
を、第1発光層20に伝達する機能を有していればよ
く、その材料は公知の物質から選択することができる。
その具体例としては、例えば、特開平8−248276
号公報に開示されたものを例示することができる。
本発明を適用した第5の実施形態にかかる表示装置50
0を含む電子機器の一例を示す斜視図である。表示装置
500は、前記第1の実施の形態に係る発光装置100
を含む。また、発光装置100を含む表示装置500を
電子機器に適用することができる。
発光装置100に限らず、前述の発光装置102、なら
びに第2〜第4の実施形態にかかる発光装置200〜4
00を適用することができる。
る電子ブック1000の構成を示す斜視図である。電子
ブック1000は、ブック形状のフレーム32と、この
フレーム32に開閉可能なカバー33とを有する。フレ
ーム32には、その表面に表示面を露出された状態で表
示装置500が設けられ、さらに,操作部35が設けら
れている。フレーム32の内部には、コントローラ、カ
ウンタ、およびメモリ(図示せず)が内蔵されている。
本実施の形態では、表示装置500は、電子インクを薄
膜素子に充填して形成した画素部と、この画素部と一体
に備えられかつ集積化された周辺回路(図示せず)とを
備える。この周辺回路は、デコーダ式のスキャンドライ
バおよびデータドライバを備える。
るパーソナルコンピュータ1100の構成を示す斜視図
である。このパーソナルコンピュータ1100は、キー
ボード1102を備えた本体部1104と、上述した表
示装置500を備えた表示ユニットから構成される。
る携帯電話1200の構成を示す斜視図である。図9に
おいて、携帯電話1200は、複数の操作ボタン120
2のほか、受話口1204、送話口1206とともに、
上述した表示装置500を備える。
たるディジタルスチルカメラ1300の構成を示す斜視
図である。図10においては、ディジタルスチルカメラ
1300の構成とともに、ディジタルスチルカメラ13
00と外部機器との接続についても簡易的に示す。
ィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ1
300は、被写体の光像をCCDによる撮像素子により
光電変換して撮像信号を生成する。ここで、ディジタル
スチルカメラ1300の背面には、上述した表示装置5
00が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示
を行なう構成を有する。すなわち、表示装置500は、
被写体を表示するファインダとして機能する。また、ケ
ース1302の観察側(図10においては裏面側)に
は、光学レンズやCCD等を含んだ受光ユニット130
4が設けられている。ここで、撮影者が表示装置500
に表示された被写体像を確認して、シャッタボタン13
06を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号
が回路基板1308のメモリに転送され格納される。ま
た、このディジタルスチルカメラ1300においては、
ケース1302の側面にビデオ信号出力端子1312
と、データ通信用の入出力素子1314とが設けられて
いる。そして、図10に示すように、ビデオ信号出力素
子1312にはテレビモニタ1430が、データ通信用
の入出力素子1314にはパーソナルコンピュータ14
40が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所
定の操作によって、回路基板1308のメモリに格納さ
れた撮像信号が、テレビモニタ1430やパーソナルコ
ンピュータ1440に出力される構成となっている。
たる電子ペーパー1400の構成を示す斜視図である。
図11において、電子ペーパー1400は、紙と同様の
質感および柔軟性を有するリライタブルシートからなる
本体1401と、上述した表示装置500とを備えた表
示ユニットから構成される。
たる電子ノート1402の構成を示す斜視図である。図
12において、電子ノート1402は、図11に示す電
子ペーパー1400が複数枚束ねられ、カバー1403
に挟まれて構成されている。また、電子ノート1402
は、カバー1403に表示データ入力手段を設けること
により、束ねられた状態で電子ペーパー1400の表示
内容を変更することができる。
ブック1000、図8に示すパーソナルコンピュータ1
100、図9に示す携帯電話1200、図10に示すデ
ィジタルスチルカメラ1300、図11に示す電子ペー
パー1400、および図12に示す電子ノート1402
のほか、液晶テレビや、ビューファインダ型またはモニ
タ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション
装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、
ワークステーション、テレビ電話、POS端末、ICカ
ード、ミニディスクプレーヤ、タッチパネルを備えた機
器等が例示できる。そして、これらの各種電子機器の表
示部として、上述した表示装置500が適用可能である
のは言うまでもない。
模式的に示す断面図である。
る光、ならびに第2発光層にて吸収される光および発生
する光の波長帯域の一例を模式的に示す図であり、図2
(b)は、図1に示す誘電体多層膜により反射される光
の波長帯域の一例を模式的に示す図である。
模式的に示す断面図である。
模式的に示す断面図である。
模式的に示す図である。
模式的に示す断面図である。
例たる電子ブックの構成を示す斜視図である。
例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図であ
る。
例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
一例たるディジタルスチルカメラの背面側の構成を示す
斜視図である。
一例たる電子ペーパーの構成を示す斜視図である。
一例たる電子ノートの構成を示す斜視図である。
って反射される光の反射率 110,210,310,410 発光素子部 100,200,300,400 EL装置 500 表示装置 1000 電子ブック 1100 パーソナルコンピュータ 1102 キーボード 1104 本体部 1200 携帯電話 1202 操作ボタン 1204 受話口 1206 送話口 1300 ディジタルスチルカメラ 1302 ケース 1304 受光ユニット 1306 シャッタボタン 1308 回路基板 1312 ビデオ信号出力端子 1314 データ通信用の入出力素子 1400 電子ペーパー 1401 本体 1402 電子ノート 1403 カバー 1430 テレビモニタ 1440 パーソナルコンピュータ
Claims (20)
- 【請求項1】 基板と、前記基板上に形成された発光素
子部とを含み、 前記発光素子部は、 エレクトロルミネッセンスによって光が発生する第1発
光層と、 前記第1発光層に電界を印加するための一対の電極層
と、 前記第1発光層で発生した光を吸収し、該吸収した光よ
り長い波長の光が発生する第2発光層と、 前記第2発光層の上下に形成された一対の誘電体多層膜
と、を含み、 前記誘電体多層膜によって反射される光の波長帯域は、
前記第2発光層で発生した光の波長帯域を含む、発光装
置。 - 【請求項2】 請求項1において、 前記第2発光層で発生した光は、前記基板と交差する方
向に出射する、発光装置。 - 【請求項3】 請求項1または2において、 前記第1発光層で発生する光の波長帯域と、前記第2発
光層で吸収される光の波長帯域が少なくとも一部重複す
る、発光装置。 - 【請求項4】 請求項1〜3のいずれかにおいて、 前記第2発光層で発生する光の波長帯域における発光強
度のピークの波長が、前記第1発光層で発生する光の波
長帯域における発光強度のピークの波長よりも長い、発
光装置。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかにおいて、 前記誘電体多層膜は、第1および第2誘電体多層膜から
なり、 前記第1誘電体多層膜は、前記第2誘電体多層膜より
も、前記第1発光層に近い側に形成され、 前記第1誘電体多層膜の反射率は、前記第2誘電体多層
膜の反射率より大きい、発光装置。 - 【請求項6】 請求項1〜5のいずれかにおいて、 前記第1発光層は、エレクトロルミネッセンスによって
発光する有機発光材料を含む、発光装置。 - 【請求項7】 請求項1〜6のいずれかにおいて、 前記第2発光層は、ホスト材料およびドーパント材料を
含み、 前記ホスト材料は、前記第1発光層で発生した光を吸収
し、その結果生じる励起状態が前記ドーパント材料に移
動することにより、前記ドーパント材料を励起させ、 前記励起された前記ドーパント材料は、前記ホスト材料
が吸収した光より長い波長の光を放出する、発光装置。 - 【請求項8】 請求項1〜6のいずれかにおいて、 前記第2発光層は、有機発光材料を含み、 前記有機発光材料は、前記第1発光層で発生した光を吸
収し、その結果励起された前記有機発光材料が、前記吸
収した光より長い波長の光を放出する、発光装置。 - 【請求項9】 請求項1〜8のいずれかにおいて、 前記第1発光層から出射する光の伝播方向と、前記第2
発光層から出射する光の伝播方向とがほぼ等しい、発光
装置。 - 【請求項10】 請求項1〜9のいずれかにおいて、 さらに、前記第1発光層から出射した光を集光する光学
部材を含む、発光装置。 - 【請求項11】 請求項10において、 前記光学部材は、前記第1発光層と前記第2発光層との
間に形成される、発光装置。 - 【請求項12】 請求項10または11において、 前記光学部材は、屈折率分布型のレンズ層からなる、発
光装置。 - 【請求項13】 請求項1〜12のいずれかにおいて、 前記第2発光層は、前記基板の面方向に伝播する光を規
制するフォトニクス結晶を含む、発光装置。 - 【請求項14】 請求項13において、 前記フォトニクス結晶は、そのピッチが前記第2発光層
で発生する光の波長に基づいて規定される、発光装置。 - 【請求項15】 請求項1〜14のいずれかにおいて、 前記発光素子部を複数含み、前記複数の発光素子部にそ
れぞれ含まれる前記第2発光層は、それぞれ発生する光
の波長が異なる、発光装置。 - 【請求項16】 請求項15において、 前記複数の第2発光層は、同一レベルに形成されてい
る、発光装置。 - 【請求項17】 請求項15または16において、 前記複数の発光素子部はそれぞれ、バンクによって分離
されている、発光装置。 - 【請求項18】 請求項1ないし17のいずれかに記載
の発光装置を用いた、表示装置。 - 【請求項19】 請求項18に記載の表示装置を用い
た、電子機器。 - 【請求項20】 請求項1ないし19のいずれかに記載
の発光装置を用いた、電子機器。
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