JP2005019430A - ウエハーチップのポストバンプ形成方法、および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウエハー1上に厚肉のレジスト膜5を形成して、各配線パターン部4の外部端子用部6が内奥に露呈する筒状開口部を形成し、該ウエハー1を垂直状態で保持して開口部が横向きになるようにし、横向き中心線の周りに回動運動させながら、メッキ液10を開口部内へ横向きでかつ連続した糸状の多数本として噴射させ、開口部内で厚肉のメッキを析出・積層させて、ポストバンプ11とする。また上記ポストバンプ形成用メッキの前に、外部端子用部6上のメッキ膜と筒状開口部内周面のメッキ膜8bとでカップ状メッキ部8を形成しておく。
【選択図】 図18
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハーの状態下で配線パターンのバンプ形成箇所即ち外部端子用部分に、ポスト状(柱状)のバンプ(以下ポストバンプという)をメッキで形成する方法、およびそれに用いる装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体パッケージに関する小型・軽量化への技術の進歩は目ざましい。従来一般には、リードフレーム上にウエハーチップを搭載し、ワイヤーボンディグ等で配線されてきているが、近時はさらに微細・軽量化のために、ウエハーレベルCSP(Chip Size Package,Chip Scale Package)が提唱・実用化されてきている。
【0003】
ウエハーレベルCSPの技術は、上記の如くウエハーの状態下でパッケージ加工を実施するもので、ウエハーの平坦性、精度の安定性から加工精度が高く、小型・微細化を図りやすく、またウエハー単位での加工で歩留りがよくて低コスト化も図れる等の特徴がある。特に配線プロセスでの高精度、微細加工が可能となり、小型・微細化の程度はリードフレームを用いるものに比べると、現行技術でも20倍程度と言われている。
【0004】
このウエハーレベルCSPを実用化する上で重要なポイントの一つは、ウエハーの配線パターンの一部に、如何にしてポストバンプを高速で効率よく形成するかの生産手段の完成である。この基本技術は、多層化されたウエハーの表面に予め厚さ約5μm程度の例えば銅膜よる配線パターンを形成して、その外部端子用箇所以外を厚さ約120μm程度のレジスト膜を形成し、そこで形成された円筒状開口部内に厚く例えば銅、ニッケルまたはスズ等のメッキを析出・積層させ、円柱状のポストバンプを形成している。
【0005】
その具体的なメッキ処理手段として、従来は例えば特開平11−92949号公報の図1と類似の通称「カップ法」が行われている。これは、カップ状をしたメッキ処理槽の内底寄りに、カソードに接続したウエハーを水平状に保持させ、そのメッキ処理槽内へ上方の液供給部からメッキ液を供給し、ウエハーの各上向きの開口部へ平均的にメッキ液を流入させて、開口部内奥に露呈した外部端子用箇所に、徐々にメッキを析出・積層させて、円柱状のポストバンプを形成させるものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記カップ法よるメッキ手段は、上方へ向いた円筒状開口部にメッキ液を流入させるものであるから、下方を向いた開口部へ下方からメッキ液を噴流させるものに比べれば、内部に有ったエアーや電解メッキで発生した水素ガス等を上方へ逃がしやすく、メッキムラが生じ難くて歩留りも良好になり易い、と言える。
【0007】
しかしながらこの方法では、次のような問題点がある。
イ)開口部が下方を向いたものに比べると、内部のエアーや発生した水素ガス等を逃がしやすいものの、上部から開口部内へ流入するメッキ液で内部のエアーやガスが遮られて残留するおそれがある。
【0008】
ロ)ウエハーにはプリント基板のスルホールのような貫通孔が無いために、円筒状開口部内へのメッキ液の流入・流出は緩慢にならざるを得ず、開口部内のメッキ液の入れ替わりが早く行えず、メッキ効率が良好とは言えない。
【0009】
ハ)ポストバンプ用メッキが析出される配線パターンの外部端子用箇所は大きさが例えば外径が120μm程度で、表面積が微小なものであるため、被メッキ箇所の表面積の大きさで決まる通電可能な電流をあまり大きくできない。そのため、微電流を長時間流してのメッキ処理となり、例えば外径約120μm、高さ約120μmのポストバンプを例えば銅メッキで形成するのに、現行では約120分以上も要しており、作業手順に遅延が生じたり、長時間加工を解決するのに過大・膨大な設備が必要になったりしている。
【0010】
ニ)さらに、上記カップ法よるメッキ手段は、ウエハーを水平状態でメッキ処理するものであるため、メッキ処理装置や搬送装置等のライン全体の設置スペースが大きくなっている。
【0011】
このように、従来のウエハーレベルCSPの生産手段では、断線やリーク等による製品の信頼性や、生産効率、過大・膨大な設備が必要となる等の問題点が残っている。本発明は、上記ウエハーレベルCSPで、メッキ処理によるポストバンプの形成を短時間で効率よく行えると共に、エアー溜まりや発生したガスの排出をスムーズに行えて、より高精度で安定したCSPを歩留りよく生産でき、かつ生産スペースの縮小化も図れるウエハーレベルCSPでのバンプ形成方法、および装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
A 本発明に係るウエハーチップのバンプ形成方法の第1は、
各配線パターン部4が形成されたウエハー1上に厚肉のレジスト膜5を形成して、各配線パターン部4の外部端子用部6が内奥に露呈する筒状開口部7を形成し、
次に、該ウエハー1を垂直状態で保持して、上記筒状開口部7が横向きになるようにし、メッキ液10を上記開口部7内へ横向きでかつ連続した糸状の多数本として噴射させ、
開口部7内で外部端子用部6にポストバンプ形成用のメッキを析出・積層させて、該外部端子用部6から延長するポスト状メッキ部を形成し、
その後にレジスト膜5を剥離・エッチング処理することにより、ウエハーチップのポストバンプ11を形成するようにしたものである。
【0013】
B 本発明に係るウエハーチップのバンプ形成方法の第2は、
各配線パターン部4が形成されたウエハー1上に厚肉のレジスト膜5を形成して、各配線パターン部4の外部端子用部6が内奥に露呈する筒状開口部7を形成し、
次に、該ウエハー1の裏面を除く全面にメッキ膜8aを施した後、表面に付着したメッキを除去して、上記外部端子用部6上のメッキ膜と筒状開口部7内周面のメッキ膜8bとでカップ状メッキ部8を形成し、
次に、該ウエハー1を垂直状態で保持して、上記筒状開口部7が横向きになるようにし、メッキ液10を上記開口部7内へ横向きでかつ連続した糸状の多数本として噴射させ、
開口部7内で上記外部端子用部6上のメッキ膜と内周面のメッキ膜8bとにポストバンプ形成用のメッキを析出・積層させて、外部端子用部6から延長するポスト状メッキ部を形成し、
その後にレジスト膜5を剥離・エッチング処理することにより、ウエハーチップのポストバンプ11を形成するようにしたものである。
【0014】
C 本発明に係るウエハーチップのバンプ形成装置の第1は、
メッキ処理槽9内に、ウエハー保持部12とメッキ液噴流部13とを横線上に対向状に設けると共に、両者12,13を合体・離脱可能とするスラスト機構18を備えたもので、
上記ウエハー保持部12は、垂直状にした状態のウエハー1を周縁部で保持可能なウエハー保持部材15と、ウエハー1の周縁寄り部分に接触すると共に、外部のカソード用接合リード部17に接触するカソード部16を有し、
上記メッキ液噴流部13は、メッキ液供給用の圧力タンク20の前部に、アノード用接合リード部22に接続すると共に、メッキ液10を連続した糸状で多数本を噴流可能に多数の小孔をもつメッキ液噴流部材21を設けたものである。
【0015】
D 本発明に係るウエハーチップのバンプ形成装置の第2は、
メッキ処理槽9内に、ウエハー保持部12とメッキ液噴流部13とを横線上に対向状に設けると共に、両者12,13を合体・離脱可能とするスラスト機構18を備えたもので、
上記ウエハー保持部12は、垂直状にした状態のウエハー1を周縁部で保持可能なウエハー保持部材15と、ウエハー1の周縁寄り部分に接触すると共に、外部のカソード用接合リード部17に接触するカソード部16を有し、
上記メッキ液噴流部13は、メッキ液供給用の圧力タンク20の前部に、アノード用接合リード部22に接続すると共に、メッキ液10を連続した糸状で多数本を噴流可能に多数の小孔をもつメッキ液噴流部材21を設け、
かつ該メッキ液噴流部材21を、中央部寄りほどウエハー1との間隔が小さくなるように断面を湾曲状のものに形成したものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
上記構成において、本発明の方法の第1のものの特徴は、ウエハー1上でレジスト膜5による円筒状開口部7の内奥に、配線パターン部(再配線回路)4の外部端子用部6(導体パッド用部分)が露呈しているので(例えば図10参照)、その部分に直接にポストバンプ形成用のメッキ膜を析出させ徐々に積層することで(例えば図11・図12参照)、ポストバンプ11を形成するようにしたものである(例えば図13参照)。
【0017】
また上記方法の第2のものの特徴は、レジスト膜5で円筒状開口部7を形成されたウエハー1に、直ぐにポストバンプ形成用のメッキ処理するのではなく、上記と異なり該開口部7の内周面にも、例えば無電解メッキで薄い円筒状のメッキ膜8bを形成しておき(例えば図17参照)、その後にポストバンプ形成用のメッキ膜を徐々に析出・積層させることにより(例えば図18・図19参照)、ポストバンプ11を形成するようにしたものである(例えば図20参照)。
【0018】
上記方法の発明の第1および第2のもので、当初のウエハー1は従来のものと同様に、ポストバンプ形成用のメッキ処理を施す前に予め多層化し、かつウエハー1表面には例えば銅膜による配線パターン部4が形成してある(例えば図9・図14参照)。これは、例えばスパッタまたはメッキにて厚さ5μm程度に銅膜を形成し、それをパターンエッチング等により配線パターン部4と外部端子用部6を形成しておけばよい。
【0019】
そして該ウエハー1面上で、各配線パターン部4の外部端子用部6以外を厚いレジスト膜5で覆うが(例えば図10・図15参照)、該レジスト膜5には、厚膜ドライフィルムを用いることが望ましいが、高粘度の液状レジストを用いることも可能である。その厚みは通常、120μmないし150μm程度にしておくのがよい。
【0020】
上記の如く配線パターン部4の外部端子用部6以外を、厚いレジスト膜5で覆うことで、外部端子用部6上に筒状の開口部7が形成される。該開口部7は、例えば露光・現像・エッチング等で開口すればよく、また開口部7の大きさは、通常は内径が100μmないし120μm程度としておくことが望ましい。これにより、上記本発明の第1のものではその内奥に外部端子用部6が露呈し(上記図10参照)、また本発明の第2のものでは内奥の外部端子用部6に加えて、開口部7の内周面に形成された円筒状のメッキ膜8bも被メッキ箇所として露呈している(例えば上記17参照)。
【0021】
次に上記ウエハー1に、後記のようなポストバンプ形成装置にてポストバンプ形成用のメッキ処理を行うが、その際にウエハー1はメッキ処理槽9内で、垂直状態でカソード部16に接続させて保持しておく。これで、ウエハー1上は各開口部7が横向きになっており、そこへ側方からメッキ液10が開口部7内へ噴射されることになる(例えば図1参照)。
【0022】
上記メッキ液10は、アノード部22と接続したメッキ液噴流部13から、カソード部16と接続したウエハー1の開口部7内へ向けて、連続した糸状に繋がった状態で、言わばジェット流のように噴流させることにより、電気的にも繋がった状態にしておく(例えば図1・図3・図4参照)。
【0023】
上記処理を受ける際のウエハー1は、メッキの均一化を図るために、横向き中心線xの周りに回転回動をさせながら行うことが望ましく、この回転は正・逆の回転であることがより望ましい。また同じ理由で、ウエハー1側またはメッキ液噴流部材21側のいずれかが、微震動するようにしておくことが望ましい。さらに、カソード側のウエハー1とアノード側のメッキ液噴流部材21との間隔は、ウエハー1の種類・用途等に応じて調節可能としておくのがよい。
【0024】
上記ポストバンプ形成用のメッキ処理により、方法の発明の第1のものでは、垂直状に保持されて開口部7が横向きになったウエハー1に対して、連続した糸状の多数本のメッキ液10が横向きに噴流し、各開口部7の内奥に露呈した外部端子用部6に向けて、メッキ液10がジェット噴流のように噴出される。
【0025】
これにより、メッキ液10は各円筒状開口部7内の空気や発生した水素ガス等を、開口部7の内周上部壁に沿って押し出すと共に(例えば図3参照)、内奥で露呈している外部端子用部6にぶつかった後に内周壁に沿って流出していく。即ちメッキ液10は、各開口部7内で強制的に入れ替わり・交換されると共に、内部にエアー溜まりやガス溜まりが生じないから、外部端子用部6にメッキが効率よく析出し積層されることになり、短時間でポストバンプ11が形成されることになる。このポストバンプ形成用のメッキは銅が一般的であるが、その他の金属メッキでもよいことは勿論である。
【0026】
さらに上記ウエハー1は、横向きの中心軸xの周りに回動しながら、多数本のメッキ液10の噴流を受けるので、各開口部7にはメッキ液が均一に流入して内奥の外部端子用部6に均一にぶつかることになる。これで各開口部7内奥の外部端子用部6に、より均一にメッキが析出・積層され、ポストバンプ11が形成されていく。
【0027】
また、上記の如くカソード側のウエハー1とアノード側のメッキ液噴流部材21との間隔を調節可能としたり、ウエハー1側またはメッキ液噴流部材21側のいずれかを微震動させながらメッキ処理を行う場合には、メッキ処理の一層の効率化と均一化を図れることになる。
【0028】
後は、レジスト膜5を剥離してポストバンプ11の高さとほぼ同じ厚みに封止樹脂膜41を形成し(例えば図13参照)、またはレジスト膜5を封止樹脂膜41として利用してもよい。
【0029】
他方、上記方法の発明の第2のものでは、上記第1のものと同様に各円筒状開口部7内奥に外部端子用部6上にメッキ膜が露呈しているが、ここではそれに加えて、各開口部7内周面にも筒状メッキ膜8bが形成されている(例えば図17参照)。即ち被メッキ箇所は、上記第1のものが円板状であるのに対して、ここでは開口部7の内周面が加わったコップ状であり、その表面積が大きくなっている。
【0030】
このウエハー1も、上記方法の発明の第1の場合のメッキ処理と同様に、横向きで中心線xの周りに回動しながら、開口部7内へ向けて連続した糸状の多数本のメッキ液10の噴流、言わばメッキ液のジェット噴流を受けることになる。
【0031】
これで、上記第1の場合と同様に、開口部内でメッキ液の交換が十分に行われると共に、内部にエアー溜まり(ガス溜まり)が生じず、外部端子用部6上のメッキ膜にメッキ液が効率よくかつ均一にぶつかることで、効率よくかつ均一にメッキが析出・積層していくが、それだけではない。
【0032】
ここではそれに加えて、各開口部7内周面の筒状メッキ膜8bも露呈して被メッキ箇所の表面積が増大しており、この部分へもメッキが析出・積層されることになり(例えば図18参照)、この広い表面積の被メッキ箇所から効率的にポストバンプ11が形成される。
【0033】
即ち、被メッキ箇所の表面積は、外部端子用部6の半径をrとし、ポストバンプ11の高さを例えば直径と同じ寸法2rとした場合に、外部端子用部6だけの面積はπr2 であり、内周面の筒状メッキ膜8bの面積は4πr2 となる。つまり、この方法の発明の第2のものは、開口部7内で被メッキ箇所の表面積は、外部端子用部6の面積πr2 と内周面の筒状メッキ膜8bの面積4πr2 との和の5πr2 になり、上記第1の発明での外部端子用部6だけの表面積πr2 の5倍になっている。
【0034】
表面積が広くなったことで、この広い表面積に対応して大きな電流を流すことができ、かつ内奥の外部端子用部6と内周面の筒状メッキ膜8bの両方からメッキが析出・積層されていくから(例えば上記図18参照)、ポストバンプ11の形成がより効率的かつ短時間で行えることになる。なおこの表面積の和は、ポストバンプ11の高さが大きくなると一層大きくなる。
【0035】
後は、レジスト膜5を剥離してポストバンプ11の高さとほぼ同じ厚みに封止樹脂膜41を形成し(例えば図20参照)、またはレジスト膜5を封止樹脂膜41として利用してもよい。
【0036】
次に、本発明のポストバンプ形成装置の第1のものについて説明すると、ウエハー1を垂直状態で支持するようにウエハー保持部12を設け、それで横向きになった円筒状開口部7に向けてメッキ液10が横向きに噴流するように、対向位置に圧力タンク20・メッキ液噴流部13を設けてある。またそのウエハー保持部12は、ウエハー1の周縁部を保持するもので、例えば両側に設けた一対のウエハー保持部材15によって挟み込むようにすれば、自動化する上で好適である(例えば図5参照)。
【0037】
メッキ処理槽9におけるカソードは、ウエハー1側が回動するので、例えばウエハー1周縁寄りに露出した環状金属部分に接触するカソード接点部25の位置は動かぬようにしておき、該カソード接点部25を接点ボールまたはローラを介して、リング状のカソード接合リード部17に点または線接触可能としておくのがよい(例えば図2・図4参照)。アノードは、メッキ液噴流部材21からなるメッキ液噴流部13に、アノード接合リード部に接続しておけばよい(例えば図5・図6参照)。
【0038】
この装置でのメッキ液噴流部13は、上記方法の発明の第1および第2で述べた如く、メッキ液10が連続する糸状になって、言わばジェット噴流として多数本が各開口部7へ向けて勢いよく噴出するように、例えば圧力タンク20の前部に、ある程度の厚みをもつ板状のものに、微細な小孔31を多数個形成したもの(例えば図5参照)を設けておくのがよい。ここでの板厚は例えば約2.0mm程度、小孔31の内径は例えば0.5〜1.5mm程度としておくことが望ましいが、これに限るものではない。
【0039】
上記板状のものは、板厚との関係から所望の小孔を形成することが加工技術上難しいなら、同じように小孔を形成した2枚以上の板を、小孔の位置を合わせて接合してもよい。また小孔31の形状は、円形のものに限らず長円形状のものであってもよいし、さらに小孔31のメッキ液10の流入側の内径を少し大きめに形成しておいてもよい。
【0040】
またメッキ液噴流部13は上記の板状のものに限らず、上記板状のものの板厚と同程度の長さで、小径の小孔31をもつパイプを、多数本接合して板状にしたものとしてもよい(例えば図6参照)。
【0041】
これで、該メッキ液噴流部13の小孔31を通過したメッキ液10は、ウエハー1の各開口部7内へ糸状のジェット噴流のように流入し、アノード側のメッキ液噴流部13とカソード側のウエハー1の被メッキ箇所を電気的に接続すると共に、各開口部7内で強制的に入れ替わってイオン交換が活発に行なわれるから、開口部7内でポストバンプ形成用のメッキ処理が効率的に行われて、ポストバンプ11が形成されていくことになる。
【0042】
また、ウエハー1を垂直状態に支持して横向き中心線x上で正または正・逆回動可能とする回動機構19を設けておく。これにより、連続した糸状になった多数本のメッキ液が、各開口部7へ向けて均一に流入し、かつ開口部7に露呈した被メッキ箇所に均一にぶつかることになる。そのため、上記の如く各開口部内で析出・積層されて形成されるポストバンプ11は、均一な品質のものになる。
【0043】
さらに、従来のウエハーを水平状態で保持して搬送しメッキ処理するものと異なり、ウエハーを垂直状態のままで搬送しメッキ処理するようにしておく。これにより、ポストバンプ形成用メッキの装置および搬送装置の設置スペースが小さくなるし、前・後の処理工程との移動距離も少なくなるから、処理のスピード化も図れることになる。
【0044】
なお、ウエハー1の用途や種類に対応可能とするために、上記の如くカソード側のウエハー1とアノード側のメッキ液噴流部材21との間隔を調節用の例えば調節ボルト(図示略)設けておくことが望ましく、またメッキのより一層の均一化を図るために、ウエハー1側またはメッキ液噴流部材21側のいずれかに、バイブレーター機構(図示略)を設けておくのがよい。
【0045】
さらに、本発明のポストバンプ形成装置の第2のものでは、上記本発明の装置の第1のものに加えて、板状のメッキ液噴流部材21を、中央寄り部分ほどウエハー1との間隔が小さくなるように、板状のメッキ液噴流部材21の断面を湾曲状のものに形成してある(例えば図7参照)。
【0046】
これは、カソード側をウエハー1の周縁寄り部分に設けてあるので、ウエハー1の周辺寄り部分ほど電流が流れ易くメッキがよく付くが、ウエハー1が大径の場合にも中央寄り部分と周辺寄り部分とでメッキが不均一となるのを防止するためである。ここでの板状のメッキ液噴流部材21は、中央寄り部分ほどウエハー1に近く、周辺寄り部分ほどウエハー1から離れるような形状としてあるから、例えば8〜12インチのような大径のウエハー1でも、中央寄り部分と周辺寄り部分とのメッキの付き具合は均一なものとなる。
【0047】
【実施例】
図1ないし図20は、本発明に係るウエハーのポストバンプ形成方法の各工程およびそれに用いる装置で実施例を示すものである。
【0048】
まず、本発明の方法の第1のものにおいて、ここでのウエハー1は従来のこの種のものと同様で、図9で示すように積層化されており、絶縁層3を介してその表面に、ここでは無電解銅メッキにより、厚さ約5μmで多数の配線パターン部4が形成されて、の一側部は約120μmφの外部端子用部6になっている。図で、2はLSI端子パッドを示す。
【0049】
上記各配線パターン部4が形成されたウエハー1表面に、図10で示す如く、上記外部端子用部6以外を厚いレジスト膜5で覆い、内奥に外部端子用部6だけが露呈するように、ここではエッチング処理にて筒状の開口部7を形成する。このレジスト膜5には、膜厚が約120μmの専用のドライフィルムを用いるものとし、ここではポリイミド樹脂製としてある。
【0050】
上記ウエハー1を、図1で示すように垂直状態でメッキ処理槽9内で保持させて、ポストバンプ形成用のメッキ処理を行う。そのメッキ処理を行う装置は、図1ないし図8で示す構成のものであり、ウエハー1を垂直状態に保持可能なウエハー保持部12と、それと対向状に設けたメッキ液噴流部13とを有する。
【0051】
ウエハー保持部12は、回動円板14にウエハー1の周縁部を両側から挟んで保持・固定するもので、ここでは自動化を可能とするため図5で示すように、内側に保持用の溝部29をもつ一対のウエハー保持部材15を、開・閉可能にウエハー1の両側に設けてあり、前工程から運ばれてきたウエハー1を両側から挟んで保持し、回動円板14の内側面に固定する。またここでは下部にも、同じく溝部37付きの下部支持部材36を、上・下動可能に設けてウエハー1下部を支承可能としてある。
【0052】
さらに上記ウエハー保持部12は、ここでは図1で示す如く、回動円板14に正・逆回動可能なモーター26を連結してあり、ウエハー1を横向き中心線xの周りに回動可能に支承すると共に、別に設けたスラスト機構18としてのモーター27により、中心線xと同方向へ前進・後退可能として、メッキ処理時に前進して図1で示す如くメッキ液噴流部13側と合体可能とし、ウエハー1の取付け・取外し時に図2で示す如く後退するようにしてある。
【0053】
またウエハー保持部12には、カソード部16として、図4で示すように、ウエハー1の側縁寄りで露出した環状の金属露出部に当接可能に、等間隔状に円柱状のカソード接点部25を設けて、該カソード接点部25の他側部に密封型の接点ボール30を保持させてある。そして該接点ボール30は、ウエハー保持部12がメッキ液流体部13と合体時に、圧力タンク20のカバー部24に設けた環状で断面半円形の接点板32と接触して転動可能としてあり、該環状接点板32はカソード接合用リード部17に接続してある。
【0054】
アノード部22は、上記図4で示すように、後記メッキ液噴流部13の円板状のメッキ液噴流部材21の周縁の一部に、アノード接合リード部23を接続してある。なお、上記カソード部16やアノード部22は、ウエハー1やメッキ液噴流部材21の周縁部寄り位置に配置して、メッキ処理時に影とならないようにしておく。
【0055】
そのメッキ液噴流部13は上記のように、圧力タンク20からのメッキ液10が、連続した糸状になって言わばジェット噴流のように、多数本がウエハー1の開口部7へ向けて噴出する構造にしてある。即ち、図3や図5で示すように、ここでは厚さ約2.0mmのチタン板製で円板状のメッキ液噴流部材21に、内径約1.0mmのメッキ液噴流用の小孔31を千鳥足状に多数個配置したものを、圧力タンク20の前部に設けてある。また該小孔31の内周面とその周辺には、ここでは白金メッキを施してある。この白金メッキの代わりに、白金箔をクラッドしてもよい。
【0056】
該メッキ液噴流部材21の小孔31の内径や圧力タンク20の圧力等は、ウエハー1の円筒状開口部7の内径・深さ等にも関係するが、メッキ液10が上記のようにメッキ液噴流部材21からウエハー1の開口部7内へ向けて、連続した糸状に噴流するようにしてある。この断続しないメッキ液10により、メッキ液噴流部材21とウエハー1の開口部7内の外部端子用部6や筒状メッキ膜8bとの間が電気的に接続されることになる。
【0057】
上記メッキ処理槽9内での処理を受けることにより、ウエハー1は、横向き中心線の周りに回動しながら、連続した糸状で噴流してくるメッキ液10を各円筒状開口部7に受けて、開口部7内奥に露呈した外部端子用部6にポストバンプ形成用のここでは銅メッキが析出・積層され、円柱状のポストバンプ11が形成されていく。後は図13で示すように、上記レジスト膜5を剥離・エッチングして除去し、封止樹脂膜41で外周を被覆すればよい。なお上記ウエハー1とメッキ液噴流部材21との両者の間隔は、ここでは図示は省略するが調節ネジで調節可能としてある。
【0058】
さらに、本発明の方法の第2のものの実施例では、図14で示す如くウエハー1は、上記第1の発明のものと同様に積層化されたものであり、絶縁層3を介したその表面に、ここではスパッターにより厚さ約5μmで多数の配線回路パターンが形成され、かつその一側部に外径約120μmの外部端子用部6が形成されている。
【0059】
上記ウエハー1の表面に、ここでも図15で示すように、外部端子用部6以外を厚いレジスト膜5で覆って筒状の開口部7を形成し、その内奥に外部端子用部6が露呈するようにする。このレジスト膜5も、ここでは膜厚を約120μmの専用のドライフィルムを用いた。
【0060】
そして、次が上記第1の発明と異なる所であるが、円筒状開口部7が形成されたウエハー1に、直ぐにポストバンプ形成用のメッキ処理をするのではない。即ちその前に、図16で示す如く、ウエハー1裏面をレジスト膜40にて被覆した状態で、その以外の全面にここでは厚さ約5μmの無電解銅メッキ膜8aを施して、開口部7内周面にも薄い銅メッキ膜8bを形成する。
【0061】
その後、レジスト膜5表面の銅メッキ膜8aをここでは研磨して、図17で示す如く、円筒状開口部7内に内奥と内周面とでコップ形状をなすメッキ部8を形成する。上記研磨の代わりに、剥離液にてレジスト膜5表面の銅メッキ膜8aだけを剥離してもよい。この状態で、次にポストバンプ形成用のメッキ処理を行うことになる。
【0062】
ここでのメッキ処理装置も、上記方法の第1のものの実施例で示したのと同じものを用いて、ウエハー1を中心線xの周りに回動させながら、各円筒状開口部7内に連続した糸状で噴流する多数本のメッキ液10を、言わばジェット噴流のように受けてメッキ処理する。
【0063】
しかしここでの被メッキ箇所は、上記第1の発明の場合の開口部7内奥に露呈した外部端子用部6だけではなく、開口部7内周面の筒状メッキ膜8bが増えてカップ状となっており、被メッキ箇所の表面積が大きくなっている。
【0064】
即ち、外部端子用部6の外径をここでは120μmとし、円筒状開口部7の高さも120μmとしたので、被メッキ箇所であるカップ状メッキ部8の表面積は5πr2 の56520μm2 となる。同じ外径の外部端子用部6だけでは表面積がπr2 の11304μm2 であるから、5倍の表面積を有している。
【0065】
そのため、上記第1の場合のメッキ処理に加えて、この広い表面積に最大で約5倍の電流を流してメッキ処理を行なえると共に、図18で示すように外部端子用部6上のメッキ膜と筒状メッキ膜8bの両方の表面に、徐々にメッキが析出・積層されていくから、図19で示す如くポストバンプ11は一層効率よくかつ短時間で形成される。
【0066】
実験値によれば、20A/スケアー/Dm2 で問題なくメッキ処理ができており、これは従来のコップ法が約5A/スケアー/Dm2 のスピードであったのに比べて、4倍のスピードが得られたことになる。現に上記ポストバンプ11を約6分でメッキ形成することができており、これは従来のカップ法では約120分を要したのに比べると、約20倍のスピードが得られたことを示している。
【0067】
後は上記と同様に、レジスト膜5を剥離・エッチングすることで、図19で示す如く外部端子用部6にポストバンプ11が完成する。
【0068】
そしてまた、ポストバンプ形成装置の第2のものの実施例としては、上記本発明の装置の第1のものと異なる点は、板状のメッキ液噴流部材21を、図7で示すように、中央寄り部分ほどウエハー1との間隔が小さく、周縁寄り部分ほどウエハー1との間隔が大きくなるように、メッキ液噴流部材21の断面形状がほぼ円弧状に形成してある。
【0069】
これは上記の如く、カソード側はウエハー1の周縁寄り部分に接触するように設けてあるので、ウエハー1の周辺寄り部分ほど電流が流れ易く、メッキがよく付くことになるが、ここでは板状のメッキ液噴流部材21を中央寄り部分ほどウエハー1に近く、周辺寄り部分ほどウエハー1から離れるようにして、大径のウエハー1でもメッキの付き具合が均一になるようにしてある。
【0070】
なお、図で24は短円筒状のカバー部を示し、ウエハー保持部12がメッキ液噴流部13と合体時に短円筒状のメッキ処理室を形成するもので、圧力タンク20の前部に設けてあり、かつ開口部7から流出したメッキ液10を外部へ排出する排液孔39を有している。また33は外部カバーを示し、メッキ液10を受け圧力タンク20へ戻して循環可能としてある。34はリザーブ槽、35は圧力タンクへの液循環ポンプ、38はポストバンプ11先端に接合させる半田ボールを示す。上記で示した材質・寸法等はいずれも例示であって、これに限定するものでないことは勿論である。
【0071】
【発明の効果】
以上から明らかな如く、本発明に係るウエハーのポストバンプ形成方法、および装置によれば、ウエハーレベルCSPで、ポストバンプのメッキ形成を短時間で効率よく行えると共に、エアー溜まりや発生したガスの排出をスムーズに行えて、高精度に安定したCSPを歩留りよく生産でき、かつ生産スペースの縮小化を図ることもできる。
【0072】
即ち、従来のウエハーレベルCSPでポストバンプのメッキ形成は、いわゆるカップ法で行われているが、開口部内にエアーやガスが残留するおそれがあったり、メッキ液の入れ替わり・交換が活発ではなく、また被メッキ箇所の表面積が小さくて大きな電流を流せない等で、例えば外径約120μm、高さ約120μmのポストバンプをメッキにて形成するのに約120分以上も要しており、非効率なものであった。さらに断線やリークが生じるおそれがある等で品質上の信頼性に問題があると共に、過大・膨大な設備が必要で、設置スペースにも問題点があった。
【0073】
これに対して本発明ではウエハーレベルCSPにおいて、
a)ウエハーを垂直状態に支持して各円筒状開口部を横向きし、連続した糸状の多数本のメッキ液が横向きに開口部内へ向けて噴出し、メッキ処理が行われるようにしてある。そのため、メッキ液が言わばジェット噴流のように各開口部へ向けて流入し、各開口部内で強制的に入れ替わり、イオン交換を活発化できると共に、エアー溜まりやガス溜まりが生じぬようにできるから、効率よくかつ短時間でメッキが析出・積層でき、ポストバンプを形成できるようになる。
【0074】
b)垂直状態に支持したウエハーが、横向きの中心軸の周りに回動しながら、上記の如く連続した糸状の多数本のメッキ液の噴流を受けるものであるから、各開口部にはメッキ液が均等に流入して、内奥の外部端子用部分に均一にぶつかることになる。そのため、各開口部の外部端子用部分へ均一にメッキが析出・積層でき、均一な品質のポストバンプを形成できるようになる。
【0075】
c)また本発明の方法の第2のものでは、上記方法の第1の場合に加えて、次の効果がある。
即ち、開口部内周面にも円筒状に予めメッキ膜を形成して、内奥の外部端子用部状のメッキ膜に加えて、内周面もポストバンプ形成用のメッキ処理を受けるようにしてある。これで、各開口部内で露呈した被メッキ箇所はコップ状であり、その表面積は外部端子用部分だけの場合と比較して数倍になり、この増大した表面積に対応して大きな電流を流すことができ、しかも外部端子用部分と筒状メッキ膜部分の両メッキ膜上にメッキが析出・積層されることなるから、ポストバンプの形成をより一層効率的かつ短時間に行えるようになる。
【0076】
d)本発明の装置の第1のものでは、ウエハー保持部をウエハーを垂直状態に保持できると共に、横向きの中心線の周りに回動可能な構造とし、かつ横向きになった円筒状開口部の対向位置に、メッキ液が連続した糸状になって多数本が噴流する、言わばジェット噴流となって噴出するような構造のメッキ液噴流部としてある。これにより、上記方法に関しての説明からも明らかな如く、ウエハーの各開口部内の被メッキ箇所に、効率よくかつ均一にポストバンプを形成することができるものである。
【0077】
e)しかも上記のように、ウエハーを垂直状態に保持してメッキ処理する構造としたので、ウエハーを垂直状態で搬送してメッキ処理できることになり、ポストバンプ形成装置や前・後の工程、搬送装置等を小型化して、設置スペースを少なくできるし、移動距離も少なくなるからこの面でも処理スピードを向上させることができる。
【0078】
f)カソード接点を実施例のような構造としてあれば、回動するウエハーとの間で、ウエハーに磨耗・損傷を与えることなく十分にカソード機能を発揮させることができる。またメッキ液噴流部を、ある程度の厚さをもつ金属板に多数の小孔をもつ板状のものとし、またある程度の長さをもつ金属パイプを多数本接合して板状としたものにすれば、メッキ液を連続した糸状の多数本として均一に噴流させることが容易となる。上記小孔やパイプを千鳥足状に配置すれば、ウエハー側の回動に伴って各開口部内の被メッキ箇所へ均等にメッキ液を噴流できる。
【0079】
g)他方、本発明の装置の第2のものでは、上記装置の第1のものに加えて、メッキ液噴流部材を周辺寄り部分ほどウエハーとの間隔が大きくなり、中央寄り部分ほどウエハーとの間隔が小さくなるように、断面形状をほぼ円弧状に湾曲した形状としてある。これによって、例えば12〜18インチのような大径のウエハーでも、周辺寄り部分でと中央寄り部分とのメッキの付き具合が同じようになり、全体に均一なメッキ膜が形成されて、より均一なポストバンプを形成できることになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るウエハーチップのポストバンプ形成方法の実施に用いる装置の一実施例で、ポストバンプ形成用メッキ時の状態を示す一部切欠き正面図である。
【図2】図1で示した装置で、ウエハー保持部を後退させた状態の一部切欠き正面図である。
【図3】図1で示した装置で、ポストバンプ形成用メッキ処理時の一部拡大正面図である。
【図4】図1で示した装置で用いたカソード部とアノード部を示す一部拡大正面図である。
【図5】図1で示した装置で用いたメッキ液噴流部材を示す斜視図である。
【図6】メッキ液噴流部材の他の例を示す一部の斜視図である。
【図7】メッキ液噴流部材のさらに他の形状を示す縦断正面図である。
【図8】図1で示した装置で用いたウエハー保持部を示す拡大正面図である。
【図9】本発明の第1の方法の実施例で、ウエハーの絶縁層上に配線パターン部が形成された段階の拡大縦断面図である。
【図10】図9で示したものに、レジスト膜で筒状開口部を形成した段階の拡大縦断面図である。
【図11】図10で示したものに、ポストバンプ形成用メッキ処理中の段階の拡大縦断面図である。
【図12】図11で示したメッキ処理により、ポストバンプが形成された段階の拡大縦断面図である。
【図13】図12で示したものから、レジスト膜を剥離後の状態を示す拡大縦断面図である。
【図14】本発明の第2の方法の実施例で、ウエハーの絶縁層上に配線パターン部が形成された段階の拡大縦断面図である。
【図15】図14で示したものに、レジスト膜で筒状開口部を形成した段階の拡大縦断面図である。
【図16】図14で示したものに、裏面を除く全面に薄いメッキ膜を形成した段階の拡大縦断面図である。
【図17】図16で示したものから、レジスト膜表面の薄いメッキ膜を剥離した段階の拡大縦断面図である。
【図18】図17で示したものに、ポストバンプ形成用メッキ処理中の段階の拡大縦断面図である。
【図19】図18で示したメッキ処理により、ポストバンプが形成された段階の拡大縦断面図である。
【図20】図19で示したものから、レジスト膜を剥離後の状態を示す拡大縦断面図である。
【符号の説明】
1−ウエハー
2−LSL端子パッド
3−絶縁層
4−配線パターン部
5−レジスト膜
6−外部端子用部
7−開口部
8−カップ状メッキ部
8a−メッキ膜
8b−筒状メッキ膜
9−メッキ処理槽
10−メッキ液
11−ポストバンプ
12−ウエハー保持部
13−メッキ液噴流部
14−回動円板
15−ウエハー保持部
16−カソード部
17−カソード接合リード部
18−スラスト機構
19−回動機構
20−圧力タンク
21−メッキ液噴流部材
22−アノード部
23−アノード接合リード部
24−カバー部
25−カソード接点部
26−モーター
27−モーター
28−ガイド棒
29−溝部
30−接点ボール
31−小孔
32−環状接点板
33−外部カバー
34−リザーブ槽
35−ポンプ
36−下部支持部材
37−溝部
38−半田ボール
39−排液孔
40−レジスト膜
41−封止樹脂
x−中心線
Claims (6)
- 各配線パターン部4が形成されたウエハー1上に厚肉のレジスト膜5を形成して、各配線パターン部4の外部端子用部6が内奥に露呈する筒状開口部7を形成し、
次に、該ウエハー1を垂直状態で保持して、上記筒状開口部7が横向きになるようにし、メッキ液10を上記開口部7内へ横向きでかつ連続した糸状の多数本として噴射させ、
開口部7内で外部端子用部6にポストバンプ形成用のメッキを析出・積層させて、該外部端子用部6から延長するポスト状メッキ部を形成し、
その後にレジスト膜5を剥離・エッチング処理することにより、ウエハーチップのポストバンプ11を形成することを特徴とする、ウエハーチップのポストバンプ形成方法。 - 各配線パターン部4が形成されたウエハー1上に厚肉のレジスト膜5を形成して、各配線パターン部4の外部端子用部6が内奥に露呈する筒状開口部7を形成し、
次に、該ウエハー1の裏面を除く全面にメッキ膜8aを施した後、表面に付着したメッキを除去して、上記外部端子用部6上のメッキ膜と筒状開口部7内周面のメッキ膜8bとでカップ状メッキ部8を形成し、
次に、該ウエハー1を垂直状態で保持して、上記筒状開口部7が横向きになるようにし、メッキ液10を上記開口部7内へ横向きでかつ連続した糸状の多数本として噴射させ、
開口部7内で上記外部端子用部6上のメッキ膜と内周面のメッキ膜8bとにポストバンプ形成用のメッキを析出・積層させて、外部端子用部6から延長するポスト状メッキ部を形成し、
その後にレジスト膜5を剥離・エッチング処理することにより、ウエハーチップのポストバンプ11を形成することを特徴とする、ウエハーチップのポストバンプ形成方法。 - ウエハー1に横向きの中心線xの周りに回転運動を加えながら、メッキ液を噴流してポストバンプ形成用のメッキ処理を行うようにした、請求項1または2に記載のウエハーチップのポストバンプ形成方法。
- メッキ処理槽9内に、ウエハー保持部12とメッキ液噴流部13とを横線上に対向状に設けると共に、両者12,13を合体・離脱可能とするスラスト機構18を備えたもので、
上記ウエハー保持部12は、垂直状にした状態のウエハー1を周縁部で保持可能なウエハー保持部材15と、ウエハー1の周縁寄り部分に接触すると共に、外部のカソード用接合リード部17に接触するカソード部16を有し、
上記メッキ液噴流部13は、メッキ液供給用の圧力タンク20の前部に、アノード用接合リード部22に接続すると共に、メッキ液10を連続した糸状で多数本を噴流可能に多数の小孔をもつメッキ液噴流部材21を設けたことを特徴とする、ウエハーチップのポストバンプ形成装置。 - メッキ処理槽9内に、ウエハー保持部12とメッキ液噴流部13とを横線上に対向状に設けると共に、両者12,13を合体・離脱可能とするスラスト機構18を備えたもので、
上記ウエハー保持部12は、垂直状にした状態のウエハー1を周縁部で保持可能なウエハー保持部材15と、ウエハー1の周縁寄り部分に接触すると共に、外部のカソード用接合リード部17に接触するカソード部16を有し、
上記メッキ液噴流部13は、メッキ液供給用の圧力タンク20の前部に、アノード用接合リード部22に接続すると共に、メッキ液10を連続した糸状で多数本を噴流可能に多数の小孔をもつメッキ液噴流部材21を設け、
かつ該メッキ液噴流部材21を、中央部寄りほどウエハー1との間隔が小さくなるように断面を湾曲状のものに形成したことを特徴とする、ウエハーチップのポストバンプ形成装置。 - ウエハー保持部12を回動可能とする回動機構19を備えた、請求項4または5に記載のウエハーチップのポストバンプ形成装置。
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