JP2005017362A - 液晶装置の製造方法及び液晶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】製造工程を複雑化することなく、配向膜上の液晶分子のプレチルト角を容易に調整できるようにする。
【解決手段】少なくとも一対の基板間に液晶を注入した液晶装置１に対して（Ｓ１〜Ｓ１３）、加熱処理或いは加湿処理を施して配向膜１６，２２上の液晶分子５０ａのプレチルト角θｐを調整する後工程を実施する（Ｓ１４）。液晶分子５０ａのプレチルト角θｐの調整を、製造工程の途中ではなく、一対の基板間に液晶を注入した液晶装置１が製造された後に行うので、製造工程を複雑にすることなく、又、実際のプレチルト角θｐに対応する調整を行うことができ、良好な電気光学特性を得ることができる。
【選択図】図５

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置の製造方法及び液晶装置に関する。特に、配向膜上の液晶分子のプレチルト角の調整を、液晶装置の基本構造が製造された後に行う液晶装置の製造方法及び液晶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶装置は、液晶に電圧を印加するための電極を形成するとともにその上に配向処理を施した一対の基板を枠状のシール材を介して接合し、この両基板間のシール材で囲まれた領域に液晶を封入して製造される。液晶装置の製造において、配向処理は、ほとんどの場合、基板上にポリイミド等からなる配向膜を形成し、その膜面を所定の方向にラビングすることによって行なわれる。
【０００３】
ところで、液晶素子の電気光学特性は、使用する液晶物質、液晶分子の配向状態等の種々の条件によって決定されるが、その条件の一つとして、配向膜面に対する液晶分子のプレチルト角がある。例えばプレチルト角が小さいと、微少な横電界の影響により液晶分子が意図する方向と逆方向に捩じれてしまう配向不良が生じ易い。
【０００４】
一般に、プレチルト角の設定は、配向膜として多く採用されているポリイミド系材料の選択、及びラビング処理等の配向処理によって行われる。
【０００５】
又、例えば特許文献１に開示されているように、基板上に配向膜を塗布した後の焼成処理において、予め実験等から求められている、配向膜の焼成温度と液晶分子のプレチルト角との関係に基づいて配向膜の焼成温度を設定することで、プレチルト角の適正化を図る技術も提案されている。
【０００６】
【特許文献１】
特開２００３−５７６５６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、配向膜の材料の選択、及び配向処理を緻密に行っても、或いは特許分限１に開示されているように、配向膜の焼成処理における焼成温度を緻密に制御しても、実際に液晶が注入されるのは、その後の工程であるため、液晶を注入した後のプレチルト角が、当初予定したような適正領域に収まるとは限らない。
【０００８】
又、従来のものでは、互いに対向する素子基板と対向基板との対向面に配設されている配向膜に対して、個々に配向処理、或いは配向膜の焼成時の温度管理を行わなければならず、製造工程が煩雑化し、製品コスが高くなる問題がある。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑み、製造工程が複雑化せず、実際の液晶分子のプレチルト角を容易に調整することのできる液晶装置の製造方法及び液晶装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明は、少なくとも一対の基板間に液晶を注入した液晶装置に対して、加熱処理或いは加湿処理を施して配向膜上の液晶分子のプレチルト角を調整する後工程を実施することを特徴とする。
【００１１】
本発明のこのような構成によれば、少なくとも基本構造を製造済みの液晶装置に対して、加熱処理或いは加湿処理を施すことで、プレチルト角を調整するようにしたので、実際のプレチルト角に対応する調整を行うことができ、良好な電気光学特性を得ることができる。又、液晶装置全体を加熱処理或いは加湿処理するので作業効率が良い。
【００１２】
本発明は、少なくとも一対の基板間に液晶を注入した液晶装置に対して、配向膜上の液晶分子のプレチルト角を測定する工程と、上記プレチルト角と基準プレチルト角とを比較する工程と、上記プレチルト角が上記基準プレチルト角よりも大きい場合は加熱処理を行い又該プレチルト角が上記基準プレチルト角よりも小さい場合は加湿処理を行う工程とからなる後工程を実施することを特徴とする。
【００１３】
本発明のこのような構成によれば、少なくとも一対の基板間に液晶を注入した液晶装置に設けられている液晶分子のプレチルト角が基準プレチルト角から外れている場合にのみ、加熱処理或いは加湿処理を施せばよいので作業効率が一層向上する。又、液晶分子のプレチルト角が基準プレチルト角から外れている場合は、加熱処理或いは加湿処理を施すことで、プレチルト角を調整するようにしたので、実際のプレチルト角に対応する調整を行うことができ、良好な電気光学特性を得ることができる。更に、液晶装置全体を加熱処理或いは加湿処理するので作業効率が良い。
【００１４】
本発明は、少なくとも一対の基板間に液晶を注入した液晶装置に対して、配向膜上の液晶分子のプレチルト角を測定する工程と、上記プレチルト角と基準プレチルト角を中心とする許容領域とを比較する工程と、上記プレチルト角が上記基準プレチルト角を中心とする許容領域よりも大きい場合は加熱処理を行い又該プレチルト角が上記基準プレチルト角を中心とする許容領域よりも小さい場合は加湿処理を行う工程とからなる後工程を実施することを特徴とする。
【００１５】
本発明のこのような構成によれば、少なくとも一対の基板間に液晶を注入した液晶装置に設けられている液晶分子のプレチルト角が基準プレチルト角を中心とする許容領域から外れている場合にのみ、加熱処理或いは加湿処理を施せばよいので作業効率が一層向上する。又、液晶分子のプレチルト角が基準プレチルト角を中心とする許容領域から外れている場合は、加熱処理或いは加湿処理を施して液晶分子のプレチルト角が適正領域に収まるように調整するので、実際のプレチルト角に対応する調整を行うことができ、良好な電気光学特性を得ることができる。更に、液晶装置全体を加熱処理或いは加湿処理するので作業効率が良い。
【００１６】
又、本発明では、上記加熱処理は上記プレチルト角と上記基準プレチルト角との差分が大きくなるに従い長い処理時間に設定されることを特徴とする。
【００１７】
このような構成によれば、加熱処理時間を、プレチルト角と基準プレチルト角との差分に基づき、加熱処理時間を、その差分が大きくなるほど長く設定することで、プレチルト角を基準プレチルト角により近づけることができる。
【００１８】
又、本発明では、上記加湿処理は上記基準プレチルト角と上記プレチルト角との差分が大きくなるに従い長い処理時間に設定されることを特徴とする。
【００１９】
このような構成によれば、加湿処理時間を、基準プレチルト角とプレチルト角との差分に基づき、加湿処理時間を、その差分が大きいほど長く設定することで、プレチルト角を基準プレチルト角により近づけることができる。
【００２０】
又、本発明では、上記加熱処理を一定加熱温度の基で行うようにすることで、プレチルト角と基準プレチルト角との差分に応じた加熱処理の調整を時間のみで行うことができるため管理が容易になる。
【００２１】
又、本発明では、上記加湿処理を一定加湿度の基で行うようにすることで、基準プレチルト角とプレチルト角との差分に応じた加湿処理の調整を時間のみで行うことができるため管理が容易になる。
【００２２】
更に、本発明では、少なくとも一対の基板間に液晶を注入した液晶装置に対し、プレチルト角を調整する加熱処理或いは加湿処理を施す後工程を行うので、良好な電気光学特性を示す液晶装置を得ることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の一実施の形態を説明する。図１は素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図、図２は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図１のＨ−Ｈ’線の位置で切断して示す断面図、図３は液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図、図４は一つの画素に着目した液晶装置の模式的断面図、図５は液晶装置の組立工程を示すフローチャート、図６はプレチルト角の調整工程を示すフローチャート、図７の（ａ）は加熱処理の説明図、同図（ｂ）は加湿処理の説明図、図８の（ａ）は加熱処理におけるプレチルト角と加熱時間との関係を示す特性図、同図（ｂ）は加湿処理におけるプレチルト角と加湿時間との関係を示す特性図、図９の（ａ）は加熱処理による液晶分子のプレチルト角の変位を示す説明図、同図（ｂ）は加湿処理による液晶分子のプレチルト角の変位を示す説明図である。
【００２４】
先ず、図１〜図４の図面を参照して液晶装置１の構造について説明する。図１、図２に示すように、液晶装置１は、透明な素子基板１０と透明な対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。素子基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。素子基板１０上には画素を構成する画素電極等が、マトリクス状に配置される。
【００２５】
図３に示すように、素子基板１０上の画素領域においては、複数本の走査線３ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線３ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線３ａとデータ線６ａの各交差部分に対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素電極９ａが接続される。
【００２６】
画像信号が供給されるデータ線（ソース線）６ａは列方向の全ＴＦＴ３０のソースに共通接続される。尚、データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても良く、或いは、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。
【００２７】
又、行方向の全ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、対応する位置のＴＦＴ３０のドレインに接続されている。
【００２８】
ＴＦＴ３０は走査線３ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。又、画素電極９ａと並列に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００２９】
液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することで、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光を出射する。
【００３０】
次に、ひとつの画素に着目して液晶装置１の構成を更に詳しく説明する。図４に示すように、素子基板１０には、格子状に溝１１が形成されている。この溝１１上に下側遮光膜１２及び第１層間絶縁膜１３を介してＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造をなすＴＦＴ３０が形成されている。又、溝１１によって、ＴＦＴ基板の液晶５０との境界面が平坦化される。
【００３１】
ＴＦＴ３０は、チャネル領域１ａ′、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅが形成された半導体層１ａと、この半導体層１ａ上にゲート絶縁膜２を介して設けたゲート電極をなす走査線３ａとを有している。走査線３ａは、ゲート電極となる部分において幅広に形成されており、チャネル領域１ａ′は、半導体層１ａと走査線３ａとが対向する領域に構成される。
【００３２】
又、素子基板１０上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａが設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿って後述するデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。そして、下側遮光膜１２は、これらのデータ線６ａ及び走査線３ａに沿って、各画素に対応して格子状に設けられている。この遮光膜１２によって、反射光がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅに入射することが防止される。
【００３３】
下側遮光膜１２は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｂ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。
【００３４】
更に、ＴＦＴ３０上には第２層間絶縁膜１４が積層され、第２層間絶縁膜１４上には走査線３ａ及びデータ線６ａ方向に延びる島状の第１中間導電層１５が形成されている。第１中間導電層１５上には誘電体膜１７を介して容量線１８が対向配置されている。
【００３５】
第１中間導電層１５は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極（下部容量電極）として作用し、容量線１８の一部は固定電位側容量電極（上部容量電極１８ａ）として作用する。
【００３６】
容量線１８は、上部容量電極１８ａと遮光層１８ｂの多層構造であり、第１中間導電層１５に対し、誘電体膜１７を介して対向配置されることで蓄積容量（図３の蓄積容量７０）を構成すると共に、光の内部反射を防止する遮光機能を有する。半導体層に比較的近接した位置に中間導電層１５を形成しており、光の乱反射を効率よく防止することができる。
【００３７】
容量線１８は、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる上部容量電極１８ａと高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる遮光層１８ｂとが積層された多層構造である。例えば、容量線１８は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタルのいずれかのシリサイドからなる遮光層１８ｂとＮ型ポリシリコンによる上部容量電極１８ａとのポリサイドによって構成される。これにより、容量線１８は、内蔵遮光膜を構成すると共に固定電位側容量電極としても機能する。
【００３８】
第１中間導電層１５は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。第１中間導電層１５は、画素電位側容量電極としての機能の他、内蔵遮光膜としての容量線１８とＴＦＴ３０との間に配置される光吸収層としての機能を有し、更に、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能を有する。尚、第１中間導電層１５も、容量線１８と同様に、金属或いは合金を含む単一層膜若しくは多層膜から構成してもよい。
【００３９】
下部容量電極としての第１中間導電層１５と上部容量電極１８ａを構成する容量線１８との間に配置される誘電体膜１７は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ）膜、ＬＴＯ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜１７は薄い程よい。
【００４０】
又、容量線１８は、画素電極９ａが配置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。かかる定電位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号を走査線３ａに供給するための後述の走査線駆動回路６３や画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路を制御する後述のデータ線駆動回路６１に供給される正電源や負電源の定電位源でも良く、又、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも良い。更に、下側遮光膜１２についても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量線１８と同様に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続すると良い。
【００４１】
又、データ線６ａとソース領域１ｄを電気的に接続するために、第１中間導電層１５と同一層で形成される第２中間導電層１５ｂが形成されている。第２中間導電層１５ｂは第２層間絶縁膜１４及び絶縁膜２を貫通するコンタクトホール２４ａを介してソース領域１ｄに電気的に接続されている。
【００４２】
容量線１８上に第３層間絶縁膜１９が配置され、第３層間絶縁膜１９上にデータ線６ａが積層される。データ線６ａは、第３層間絶縁膜１９及び誘電体膜１７を貫通するコンタクトホール２４ｂを介してソース領域１ｄに電気的に接続される。
【００４３】
データ線６ａ上には第４層間絶縁膜２５を介して画素電極９ａが積層されている。画素電極９ａは、第４層間絶縁膜２５、第３層間絶縁膜１９、誘電体膜１７を貫通するコンタクトホール２６ｂにより第１中間導電層１５に電気的に接続される。そして、第１中間導電層１５は第２層間絶縁膜１４及び絶縁膜２を貫通するコンタクトホール２６ａを介してドレイン領域１ｅに電気的に接続される。画素電極９ａ上にはポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜１６が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【００４４】
走査線３ａ（ゲート電極）にＯＮ信号が供給されることで、チャネル領域１ａ′が導通状態となり、ソース領域１ｄとドレイン領域１ｅとが接続されて、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに与えられる。
【００４５】
一方、対向基板２０には、素子基板のデータ線６ａ、走査線３ａ及びＴＦＴ３０の形成領域に対向する領域、即ち各画素の非表示領域において第１遮光膜２３が設けられている。この第１遮光膜２３によって、対向基板２０側からの入射光がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ′、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅに入射することが防止される。又、第１遮光膜２３上に、対向電極（共通電極）２１が基板２０全面に亘って形成されている。更に、対向電極２１上にポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜２２が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【００４６】
又、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０が封入されている。これにより、ＴＦＴ３０は所定のタイミングでデータ線６ａから供給される画像信号を画素電極９ａに書き込む。書き込まれた画素電極９ａと対向電極２１との電位差分に応じて液晶５０の分子集合の配向や秩序が変化して、光を変調し、階調表示を可能にする。
【００４７】
図１、図２に示すように、対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜４２が設けられている。遮光膜４２は、例えば第１遮光膜２３と同一、或いは異なる遮光性材料によって形成されている。
【００４８】
又、遮光膜４２の外側の領域で、且つ、素子基板１０と対向基板２０との間に、液晶５０を封入するシール材４１が形成されている。シール材４１は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、素子基板１０と対向基板２０とを相互に固着する。シール材４１は、素子基板１０の１辺の一部において欠落しており、この欠落部位と、その上下に張り合わされている両基板１０，２０とで、液晶注入口７８が形成される。この液晶注入口７８は、シール材４１で区画された内部に液晶５０を注入するためのもので、液晶５０の注入が完了した後は、封止材７９で封止される。
【００４９】
又、素子基板１０のシール材４１の外側の領域には、データ線駆動回路６１及び実装端子６２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられている。素子基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路６３間を接続するための複数の配線６４が設けられている。又、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間を電気的に導通させるための導通材６５が設けられている。
【００５０】
次に、このように構成された液晶装置１の組立工程について、図５のフローチャートを参照しながら説明する。尚、素子基板１０と対向基板２０とは別個に製造される。
【００５１】
先ず、ステップＳ１，Ｓ６において、組立ライン上に所定に形成された素子基板１０、対向基板２０が投入されると、続く、ステップＳ２，Ｓ７で、各基板１０，２０の対向面に、配向膜１６，２２となるポリイミド溶液を、印刷等の手段により塗布し、続く、ステップＳ３，Ｓ８で、配向膜１６，２２を焼成する。
【００５２】
次いで、ステップＳ４，Ｓ９へ進み、配向膜１６，２２上の液晶が所定方向に配向されるように、各配向膜１６，２２に対してラビング処理を施す。
【００５３】
次いで、素子基板１０側の組立工程では、ステップＳ５において、素子基板１０上の外周部に枠状にシール材４１をシルク印刷、ディスペンス等の手段により塗布すると共に、導通材６５を形成する（図１参照）。
【００５４】
その後、ステップＳ１０へ進み、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、ステップＳ１１で、アライメントを施しながら圧着し、シール材４１を、加熱、或いは紫外線照射等の手段により硬化させる。
【００５５】
そして、ステップＳ１２へ進み、シール材４１の一部に切欠き形成した液晶注入口７８（図１参照）から液晶５０を注入し、注入が完了した後、液晶注入口７８を封止材７９で封止する。
【００５６】
次いで、ステップＳ１３へ進み、液晶５０を一旦等方相まで加熱し、ネマチック相に急冷することで液晶を再配列する等方処理を施す。
【００５７】
そして、所定に等方処理が終了した後、ステップＳ１４へ進み、各液晶装置１に設けた、液晶５０を構成する液晶分子５０ａのプレチルト角θｐを調整する。
【００５８】
プレチルト角の調整工程は、図６に示すフローチャートに従って行われる。先ず、ステップＳ２１において、液晶分子５０ａのプレチルト角θｐ（図９参照）を測定する。尚、このプレチルト角の測定方法としては、液晶装置１を回転させながら透過する測定光の入射角と透過率の関係からプレチルト角を求める、クリスタルローテーション法が広く知られている。
【００５９】
この場合、計測されるプレチルト角θｐは、各配向膜１６，２２上の液晶分子５０ａが有するプレチルト角の和として検出されるため、例えば、配向膜１６，２２の一方の液晶分子５０ａのプレチルト角θｐが小さく、又、他方の液晶分子５０ａのプレチルト角θｐが大きい場合は、互いに相殺した状態のプレチルト角θｐが測定される。
【００６０】
そして、ステップＳ２２，２３で、プレチルト角θｐが、予め設定されている基準プレチルト角θｏを中心とする許容領域±θｋ（図９参照）に収まっているか否かを調べる。すなわち、ステップＳ２２では、測定したプレチルト角θｐと、基準プレチルト角θｏにプラス側許容値θｋを加算した値（θｐ＋θｋ）とを比較し、θｐ＞θｐ＋θｋのプレチルト角θｐが許容領域を上回っているときは、ステップＳ２４へ進む。
【００６１】
一方、ステップＳ２３では、測定したプレチルト角θｐと、基準プレチルト角θｏにマイナス側許容値θｋを減算した値（θｐ−θｋ）とを比較し、θｐ＜θｏ−θｋのプレチルト角θｐが許容領域を下回っているときは、ステップＳ２４へ進む。
【００６２】
又、θｏ−θｋ≦θｐ≦θｐ＋θｋの許容領域±θｋにプレチルト角θｐが収まっているときは、そのままルーチンを終了する。
【００６３】
尚、プレチルト角θｐを、より厳密に調整しようとする場合は、ステップＳ２２，２３において、許容領域±θｋを設けず、プレチルト角θｐと基準プレチルト角θｏとの比較により、加熱処理、或いは加湿処理の有無を判定するようにしても良い。
【００６４】
実験によれば、液晶装置１をある温度以上で加熱すると、配向膜１６，２２上の液晶分子５０ａのプレチルト角θｐが小さくなる方向へ変位し、又、ある湿度以上で加湿するとプレチルト角θｐが大きくなる方向へ変位する現象が確認された。本実施の形態では、この現象に着目し、プレチルト角θｐがθｐ＞θｐ＋θｋのときは、ステップＳ２４で加熱処理を施して、プレチルト角θｐが小さくなる方向へ調整する。又、θｐ＜θｏ−θｋのときは、ステップＳ２５へ進み、加湿処理を施して、プレチルト角θｐが大きくなる方向へ調整する。
【００６５】
尚、ロット毎に同一のプレチルト角θｐが検出される場合は、任意に抽出した液晶装置１でプレチルト角θｐを測定し、そのプレチルト角θｐが、許容領域±θｋから外れている場合は、ロット毎に加熱処理、或いは加湿処理を行うようにしても良い。この場合、加熱処理、或いは加湿処理は、分断前の大判パネルの状態で行っても良く、又、分断後に行っても良い。
【００６６】
ステップＳ２４で実行される加熱処理は、例えば、図７（ａ）に示すような加熱炉８１に液晶装置１を投入し、所定時間加熱することで行う。又、ステップＳ２５で実行される加湿処理は、例えば、同図（ｂ）に示すような加湿室８６に液晶装置１を投入し、所定時間加湿することで行う。
【００６７】
加熱炉８１に投入された液晶装置１の加熱温度と加熱時間、及び、加湿室８６に投入された液晶装置１の湿度及び加湿時間は、パーソナルコンピュータ等で構成されたコントローラ８２，８７にて監視される。
【００６８】
先ず、加熱処理について説明する。加熱監視用コントローラ８２では、入力された測定したプレチルト角θｐと、基準プレチルト角θｏとの差分Δθに基づき、図８（ａ）に示す加熱特性を参照して、加熱時間ｔを決定する。同図に示す加熱特性は、予め実験等から求めて加熱監視用コントローラ８２の記憶手段に記憶されている。
【００６９】
本実施の形態では、加熱温度を一定（例えば８０℃）とし、加熱時間ｔを可変設定することで、プレチルト角を調整するようにしている。従って、図８（ａ）の特性では、プレチルト角θｐと、基準プレチルト角θｏとの差分が、＋Δθ１，＋Δθ２，＋Δθ３…と大きくなるに従い、加熱時間が次第に長い値に設定される。尚、この場合、プレチルト角θｐと、基準プレチルト角θｏとの差分に応じ、加熱温度と加熱時間とを可変設定することでプレチルト角を調整するようにしても良い。但し、本実施の形態のように、加熱温度を一定とすれば、加熱処理は加熱時間の調整のみで良くなるため管理が容易となる。
【００７０】
加熱監視用コントローラ８２では、先ず、加熱炉８１に配設されている温度センサ８３で検出した炉内温度に基づき、駆動手段８４を介して、加熱炉８１に配設されているヒータエレメント８５を加熱し、設定温度に上昇するまで炉内を予熱する。そして、設定温度に達した後、液晶装置１を投入し、差分Δθに基づいて設定した加熱時間ｔだけ加熱させる。その間、温度センサ８３で検出した炉内温度に基づき、ヒータエレメント８５の加熱温度を制御し、炉内を一定温度に保持する。そして、設定時間に到達した後、液晶装置１を加熱炉８１から取り出し、常温に戻して、加熱処理を終了する。
【００７１】
次に、加湿処理について説明する。加湿監視用コントローラ８７では、入力されたプレチルト角θｐと、基準プレチルト角θｏとの差分Δθに基づき、図８（ｂ）に示すような加湿特性を参照して、加湿時間ｔを決定する。同図に示す加湿特性は、予め実験等から求めて加湿監視用コントローラ８７の記憶手段に記憶されている。
【００７２】
本実施の形態では、加湿室８６の環境を一定（例えば湿度９０％、温度５０℃）とし、加湿時間ｔを可変設定することで、プレチルト角θｐを調整するようにしている。図８（ｂ）の特性では、プレチルト角θｐと、基準プレチルト角θｏとの差分が、−Δθ１，−Δθ２，−Δθ３…と小さくなるに従い、加湿時間ｔが次第に長い値に設定される。尚、この場合、加湿温度、加湿時間、及び室温との少なくとも２つを可変設定することでプレチルト角を調整するようにしても良い。但し、本実施の形態のように、加湿室８６内の環境を一定にしておけば、加湿処理は加湿時間のみの調整で良くなるため管理が容易となる。
【００７３】
加湿監視用コントローラ８７では、先ず、加湿室８６に配設されている温度センサ８３で検出した室内温度、及び湿度センサ８８で検出した室内湿度に基づき、駆動手段８９を介して、ヒータ等により加熱した蒸気を加湿室８６に供給し、加湿室８６内の環境が予め設定した状態（例えば湿度９０％、温度５０℃）に達するまで昇温、及び加湿する。そして、加湿室８６内が予め設定した環境に達した後、液晶装置１を投入し、差分Δθに基づいて設定した加湿時間ｔだけ加湿させる。
【００７４】
その間、温度センサ８３で検出した室内温度、及び湿度センサ８８で検出した室内湿度に基づき、駆動手段８９による加温、加湿を制御し、加湿室８６を一定環境に保持する。そして、設定時間に到達した後、液晶装置１を加湿室８６から取り出し、常温に戻して、加湿処理を終了する。
【００７５】
このように、本実施の形態では、液晶装置１の基本構造の製造が完成した後に、液晶分子５０ａのプレチルト角θｐを調整するようにしたので、素子基板１０側と対向基板２０側とに対して、個々にプレチルト角θｐを調整する処理を施す従来のものに比し、プレチルト角θｐの調整が容易で、プレチルト角θｐの均一化を実現することができる。又、互いに対向する配向膜１６，２２上のプレチルト角θｐを個別に調整する必要がないので作業効率がよい。
【００７６】
尚、この液晶装置は、投射光学系を介してスクリーン等に拡大投影するプロジェクターや、リアプロジェクター等の投射型表示装置に適用するのに好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図１】素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図
【図２】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図１のＨ−Ｈ’線の位置で切断して示す断面図
【図３】液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図
【図４】一つの画素に着目した液晶装置の模式的断面図
【図５】液晶装置の組立工程を示すフローチャート
【図６】プレチルト角の調整工程を示すフローチャート
【図７】（ａ）は加熱処理の説明図、（ｂ）は加湿処理の説明図
【図８】（ａ）は加熱処理におけるプレチルト角と加熱時間との関係を示す特性図、（ｂ）は加湿処理におけるプレチルト角と加湿時間との関係を示す特性図
【図９】（ａ）は加熱処理による液晶分子のプレチルト角の変位を示す説明図、（ｂ）は加湿処理による液晶分子のプレチルト角の変位を示す説明図
【符号の説明】
１ 液晶装置、１６，２２ 配向膜、５０ａ 液晶分子、θｏ 基準プレチルト角、θｐ プレチルト角、Δθ 差分、±θｋ 許容領域

Claims (8)

1. 少なくとも一対の基板間に液晶を注入した液晶装置に対して、
   加熱処理或いは加湿処理を施して配向膜上の液晶分子のプレチルト角を調整する後工程を実施することを特徴とする液晶装置の製造方法。
2. 少なくとも一対の基板間に液晶を注入した液晶装置に対して、
   配向膜上の液晶分子のプレチルト角を測定する工程と、
   上記プレチルト角と基準プレチルト角とを比較する工程と、
   上記プレチルト角が上記基準プレチルト角よりも大きい場合は加熱処理を行い又該プレチルト角が上記基準プレチルト角よりも小さい場合は加湿処理を行う工程とからなる後工程を実施することを特徴とする液晶装置の製造方法。
3. 少なくとも一対の基板間に液晶を注入した液晶装置に対して、
   配向膜上の液晶分子のプレチルト角を測定する工程と、
   上記プレチルト角と基準プレチルト角を中心とする許容領域とを比較する工程と、
   上記プレチルト角が上記基準プレチルト角を中心とする許容領域よりも大きい場合は加熱処理を行い又該プレチルト角が上記基準プレチルト角を中心とする許容領域よりも小さい場合は加湿処理を行う工程とからなる後工程を実施することを特徴とする液晶装置の製造方法。
4. 上記加熱処理は上記プレチルト角と上記基準プレチルト角との差分が大きくなるに従い長い処理時間に設定されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法。
5. 上記加湿処理は上記基準プレチルト角と上記プレチルト角との差分が大きくなるに従い長い処理時間に設定されることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法。
6. 上記加熱処理は一定加熱温度の基で行われることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法。
7. 上記加湿処理は一定加湿度の基で行われることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法。
8. 上記請求項１乃至７の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法によって製造したことを特徴とする液晶装置。

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