JP2005012233A - Ｉｉｉ族窒化物膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】低転位のIII族窒化物膜を簡易に製造する方法を提供する。
【解決手段】第１のＡｌ含有窒化物からなる基材１上に、第２の窒化物からなる互いに孤立した複数の島状結晶部２−１〜２−４を形成する。そして、この島状結晶部２−１〜２−４を核としてエピタキシャル成長させることにより、前記第２の窒化物と異なる第３の窒化物から窒化物膜３を製造する。
【選択図】図２

Description

本発明は、III族窒化物膜の製造方法、詳しくは、発光ダイオード素子などの半導体発光素子又は高速ＩＣチップなどの半導体素子を構成する下地膜として好適に用いることのできる、III族窒化物膜の製造方法に関する。

III族窒化物膜は、発光ダイオード素子などの半導体発光素子を構成する半導体膜として用いられており、近年においては、携帯電話などに用いられる高速ＩＣチップなどの半導体素子を構成する半導体膜としても注目を浴びている。

上記のようなIII族窒化物膜は、通常ＭＯＣＶＤ法によって形成される。具体的には、前記III族窒化物膜を形成すべき基板を、所定の反応管内に設けられたサセプタ上に設置させるとともに、このサセプタ内あるいはサセプタ外に設置された加熱機構に埋め込まれたヒータによって１０００℃以上にまで加熱する。そして、前記反応管内に所定の原料ガスをキャリアガスとともに導入し、前記基板上に供給する。

すると、前記基板上で熱化学反応が生じて、前記各原料ガスは構成元素に分解されるとともに、これら構成元素同士が互いに反応し、目的とするIII族窒化物膜が前記基板上に堆積されて製造されるものである。

しかしながら、III族窒化物膜の成分組成が変化すると、その格子定数が比較的大きく変化する。このため、基板を構成する材料の格子定数との差が大きくなって、基板との界面にミスフィット転位が比較的多量に形成されてしまう場合がある。

このような状態において前記III族窒化物膜のエピタキシャル成長を実施すると、前記ミスフィット転位の伝搬により膜中に約〜１０^１０／ｃｍ^２オーダの密度で、多量の転位が生成されてしまう場合が生じる。その結果、前記III族窒化物膜の結晶性が劣化し、電気的及び光学的な特性をも劣化させてしまうという問題があった。

かかる問題を回避すべく、基板上にＳｉＯ_２などからなるストリップ状のマスクを形成し、このマスク上にIII族窒化物膜を横方向エピタキシャル成長させることが試みられている。この方法によれば、基板との界面で発生したミスフィット転位は、前記マスク面上において基板と平行な横方向にのみ伝搬され、基板と垂直な縦方向へは伝搬されないので、前記マスクの、ストリップ状の部分間において低転位のIII族窒化物膜を形成することができるものである。

しかしながら、この方法はＳｉＯ_２マスクを作製する際において、エッチングを含むフォトリソグラフィ工程を必要とするため、III族窒化物膜の製造時の工程が増加して複雑になるという問題があった。

本発明は、低転位のIII族窒化物膜を簡易に製造する方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成すべく、本発明は、
ＣＶＤ法により、III族窒化物膜を製造する方法であって、第１のＡｌ含有窒化物からなる基材上に、第２の窒化物からなる互いに孤立した複数の島状結晶部を形成し、この島状結晶部を核としてエピタキシャル成長させることにより、前記第２の窒化物と異なる第３の窒化物から窒化物膜を製造することを特徴とする、窒化物膜の製造方法に関する。

本発明において、上記「基材」という文言は、第１のＡｌ含有窒化物からなる基板の他に、第１のＡｌ含有窒化物からなる所定の下地膜をも含むものである。

本発明者らは、上記のようなＳｉＯ_２マスクを用いることなく、簡易な工程により低転位のIII族窒化物膜を形成すべく、鋭意検討を行った。

図１〜３は、本発明の製造方法を説明するための概念図である。

最初に、目的とするIII族窒化物膜を形成すべき、第１のＡｌ含有窒化物からなる基材１上に、第２の窒化物からなる複数の島状結晶部２−１〜２−４を形成する。そして、図２に示すように、島状結晶部２−１〜２−４をエピタキシャル成長の核として、これら島状結晶部より前記第２の窒化物と異なる第３の窒化物からなるIII族窒化物膜３Ａをエピタキシャル成長させ、図３に示すように、目的とするIII族窒化物膜３を得るものである。

すなわち、基材１上に形成された島状結晶部２−１〜２−４は、その大きさが微細であり、初期成長段階においては、初期核を中心に三次元成長するため、基材１の貫通転位の方向を横方向へ曲げる役割を持つ。したがって、基材１中に比較的多量の貫通転位が存在している場合においても、島状結晶部２−１〜２−４において、基板面垂直方向に伝搬する貫通転位は大幅に減少する。

このため、このような島状結晶部２−１〜２−４をエピタキシャル成長の核とし、これらの島状結晶部からエピタキシャル成長させて、前記島状結晶部と異なる窒化物からなるIII族窒化物膜を作製することにより、島状結晶部２−１〜２−４の低転位の性質を受け継いで、極めて低転位のIII族窒化物膜３を形成することができる。

また、これらの島状結晶部上に成長したIII族窒化物膜の初期成長過程においては、横方向成長が促進されるため、初期成長過程における低転位化がさらに促進される。

このような傾向は、上記基材又は下地膜１の（００２）Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が９０秒以下の場合、より顕著となる。

なお、上記島状結晶部は、ＣＶＤ法などにおいて成膜条件を適宜制御することによって作製することができるが、その成長原理としては以下の３つが考えられる。

第１の原理としては、基材を構成する第１のＡｌ含有窒化物と島状結晶部を構成する第２の窒化物との格子定数差に起因するものである。すなわち、第１のＡｌ含有窒化物と比較して第２の窒化物の格子定数が大きい場合において、前記第１のＡｌ含有窒化物から構成される基材上に、前記第２の窒化物から構成される膜を作製しようとすると、その膜はＳＫモードに従って成長する。その結果、実際には第２の窒化物は一様な膜として成長せずに、所定の核を中心として３次元成長し、最終的に島状の結晶部が得られるものである。

第２の原理としては、第１のＡｌ含有窒化物から構成される基材主面の酸化に起因するものである。すなわち、前記基材の主面が酸化されて部分的に酸化膜が形成されている場合において、前記基材上に第２の窒化物から構成される膜を作製しようとすると、前記第２の窒化物は、前記基材主面の、酸化膜が形成されている部分を除いた窒化物の露出部分において選択的に堆積し、凝集するようになる。その結果、第２の窒化物は一様な膜として成長せずに、前記露出した窒化物部分を核として３次元成長し、その結果、島状の結晶部が得られるものである。

第３の原理としては、組成ゆらぎに起因した凝集によるものである。すなわち、基材を構成する第１のＡｌ含有窒化物は、その構成元素が基材中において均一に分布しているものではなく、ある程度の偏りを持って分布しており完全に均一な状態とはなっていない。したがって、このような基材上に、第２の窒化物から構成される膜を作製しようとすると、前記第２の窒化物中の構成元素は、基材中の組成分布に応じて選択的に堆積し、凝集するようになる。その結果、第２の窒化物は一様な膜として成長せずに、部分的に凝集して３次元成長した島状の結晶部として構成されるものである。

また、上述したように、第３の窒化物からなる窒化物膜は島状結晶部を核としてエピタキシャル成長するが、図２からも明らかなように、前記窒化物膜は、前記島状結晶部のみを中心としてエピタキシャル成長するものではなく、ある程度の割合で基材上にも直接的に成長し、膜形成に寄与するものである。

さらに、第３の窒化物から構成される窒化物膜は、単層の場合のみならず、ひずみ超格子などの複数の窒化物層が積層された多層膜構造をも含むものである。さらには、厚さ方向に組成が連続的又はステップ状に傾斜した組成傾斜膜などをも含む。

上記製造方法によって得たIII族窒化物膜は、特に、高速ＩＣチップなどの半導体素子、あるいは発光ダイオード素子などを構成する半導体膜として用いることができる。その結果、半導体発光素子の発光効率や半導体素子の高速応答性などが著しく改善される。

以上説明したように、本発明によれば、ＭＯＣＶＤ法などを用いた簡易な方法によって、低転位で結晶性に優れたIII族窒化物膜を形成することができる。したがって、前記III族窒化物膜から半導体素子を構成することによって、素子全体の結晶性を改善し、良好な素子特性を付与できるようになる。

発明の実施するための最良の形態

以下、本発明を、発明の実施の形態に基づいて詳細に説明する。
本発明においては、第１のＡｌ含有窒化物からなる基材上に、第２の窒化物からなる互いに独立した複数の島状結晶部を形成することが必要である。この島状結晶部の大きさについて、これを核として目的とする第３の窒化物からなる窒化物膜を製造することができれば特には限定されない。

しかしながら、前記島状結晶部の上面の平均面積は大きいほど好ましく、実用的には１００μｍ^２程度である。また、前記島状結晶部の上面の平均面積の下限は０．０００１μｍ^２であることが好ましく、さらには１μｍ^２であることが好ましい。これによって、目的とする低転位の窒化物膜を比較的短時間で効率よく作製することができる。

なお、目的とするIII族窒化物膜のエピタキシャル成長条件は、前記基材を構成する前記第１のＡｌ含有窒化物の種類、前記島状結晶部を構成する前記第２の窒化物の種類、及び前記窒化物膜を構成する前記第３の窒化物の種類、並びに島状結晶部の大きさなどに依存して適宜に選択する。

また、前記第２の窒化物及び前記第３の窒化物は互いに異なることが必要である。また、前記第１のＡｌ含有窒化物は、前記第２の窒化物又は前記第３の窒化物と同じ材料及び組成の窒化物から構成しても良い。

また、本発明において、前記島状結晶部を構成する第２の窒化物のＡｌ組成が、前記基材を構成する第１のＡｌ含有窒化物のＡｌ組成よりも大きいことが好ましい。これにより、ＣＶＤ法などによって、前記第２の窒化物からなる薄膜を比較的薄く形成しようとした場合において、この薄膜に対し、前記基材から圧縮応力が作用するようになる。したがって、前記薄膜は一様な膜を形成することなくＳＫモードに従って成長し、前記圧縮応力によって分断され、上述したような島状を呈するようになる。

結果として、第１のＡｌ含有窒化物及び第２の窒化物を適宜に選択するのみで、目的とする島状結晶部を従来のＣＶＤ法のみで簡易に形成することができるものである。

具体的には、前記第２の窒化物がＡｌ_ｘ１Ｇａ_ｘ２Ｉｎ_ｘ３Ｎ（ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＝１，ｘ１，ｘ２，ｘ３≧０）なる組成を有するとともに、前記第１のＡｌ含有窒化物はＡｌ_ｙ１Ｇａ_ｙ２Ｉｎ_ｙ３Ｎ（ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＝１，ｙ１＞０，ｙ２，ｙ３≧０）なる組成を有する場合においては、前記第２の窒化物のＡｌ組成ｘ１と前記第１のＡｌ含有窒化物のＡｌ組成ｙ１とが、ｘ１≦ｙ１−０．１なる関係を満たすことが好ましい。これによって、目的とするIII族窒化物膜中の転位密度を１０^１０／ｃｍ^２以下にまで低減することができる。

さらに、ｘ１≦ｙ１−０．５なる関係を満足することによって、目的とするIII族窒化物膜の転位密度を１０^９／ｃｍ^２以下、さらには１０^８／ｃｍ^２以下にまで簡易に低減することができる。

なお、上述した組成は、第２の窒化物から構成される島状結晶部中、及び第１のＡｌ含有窒化物から構成される基材中の平均的な組成を意味し、特に、前記基材中においてはその厚さ方向において連続的あるいはステップ状に変化していても良い。また、ひずみ超格子などの形態で、組成が周期的に変化するように構成されていても良い。

第１の窒化物〜第３の窒化物は、必要に応じてＧｅ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｐ、及びＢなどの添加元素を含むことができる。また、意識的に添加した元素に限らず、成膜条件、原料、及び反応管材質に含まれる微量不純物Ｏ又はＣを含むこともできる。

さらに、基材を構成する第１のＡｌ含有窒化物は、（００２）Ｘ線ロッキングカーブにおける半値幅が９０秒以下、さらには５０秒以下であることが好ましい。これによって、第３の窒化物からなる窒化物膜中の低転位化をさらに促進することができる。また、同様の観点から、前記基材の表面粗さＲａは２Å以下であることが好ましい。

上記基材が下地膜を意味する場合、この下地膜を支持するための下地基材としては、サファイア単結晶、ＺｎＯ単結晶、ＬｉＡｌＯ_２単結晶、ＬｉＧａＯ_２単結晶、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４単結晶、ＭｇＯ単結晶などの酸化物単結晶、Ｓｉ単結晶、ＳｉＣ単結晶などのIV族あるいはIV−IV族単結晶、ＧａＡｓ単結晶、ＡｌＮ単結晶、ＧａＮ単結晶、及びＡｌＧａＮ単結晶などのIII−Ｖ族単結晶、ＺｒＢ_２などのホウ化物単結晶などの、公知の基板材料から構成することができる。

さらに、上述した単結晶からなる下地基材上に、ＺｎＯ単結晶、ＭｇＯ単結晶などの酸化物単結晶、Ｓｉ単結晶、ＳｉＣ単結晶などのIV族あるいはIV−IV族単結晶、ＧａＡｓ単結晶、ＩｎＰ単結晶などのIII−Ｖ族単結晶、あるいはこれらの混晶からなるエピタキシャル成長膜を具えるエピタキシャル基板を用いることもできる。

特にサファイア単結晶を用いる場合について、すなわち、基材を直接的にサファイア単結晶から構成する場合、又はサファイア単結晶から下地基材を構成し、この下地基材上にエピタキシャル膜を形成してエピタキシャル基板を作製し、これを基材として用いる場合、前記サファイア単結晶基材などの主面に対して表面窒化処理を施すことが好ましい。

前記表面窒化処理は、前記サファイア単結晶基材をアンモニアなどの窒素含有雰囲気中に配置し、所定時間加熱することによって実施する。そして、窒素濃度や窒化温度、窒化時間を適宜に制御することによって、前記主面に形成される窒化層の厚さを制御する。

前述したように、第３の窒化物からなる窒化物膜は、ある程度の割合で基材上に直接的に形成されるので、このようにして表面窒化層が形成されたサファイア単結晶を基材として用いることにより、前記窒化物の結晶性をさらに向上させることができる。但し、このような表面窒化処理を行なわくとも、本発明の目的を十分に発揮することができる。

図４は、上述した本発明の製造方法に従って製造したIII族窒化物膜を具える半導体発光素子の一例を示す断面図である。

図４に示す半導体発光素子１０は、基板１１と、例えばＡｌＮからなる下地層１２と、例えば、ｎ−ＡｌＧａＮからなる第１の導電層１３とを含む。さらに、第１の導電層１３上において、例えば、ｎ−ＡｌＧａＮからなる第１のクラッド層１４と、この第１のクラッド層１４上に形成された、例えば、ｉ−ＡｌＧａＮからなる発光層１５と、この発光層１５上に形成された、例えば、ｐ−ＡｌＧａＮからなる第２のクラッド層１６と、この第２のクラッド層１６上に形成された、例えば、ｐ−ＡｌＧａＮからなる第２の導電層１７を具えている。

第１の導電層１３の一部は露出しており、この露出した表面には、例えば、Ａｌ／Ｔｉなる構成のｎ−電極１８が形成されている。そして、第２の導電層１７上には、例えば、Ａｕ／Ｎｉなる構成のｐ−電極１９が形成されている。

図４に示す半導体発光素子１０において、例えば、基板１１を本発明における基材と見做し、この基板１１上に上述したような島状結晶部を形成した後、この島状結晶部を核としてエピタキシャル成長させることにより、下地層１２を形成する。すると、本発明に従って、下地層１２中の転位は著しく低減され、その結果、下地層１２の結晶性を向上させることができる。したがって、下地層１２上に形成された、第１の導電層１３などの結晶性も改善されるため、半導体発光素子１０の発光効率を向上させることができる。

なお、この場合においては、基板１１と、この基板上に形成された島状結晶部とによって、本発明のエピタキシャル成長用基板が構成される。

また、例えば、下地層１２を新たに本発明の基材と見做し、この下地層１２上に上述したような島状結晶部を形成した後、この島状結晶部を核としてエピタキシャル成長させることにより、第１の導電層１３を形成する。本発明に従って、第１の導電層１３中の転位は著しく低減され、その結果、第１の導電層の結晶性を向上させることができる。したがって、第１の導電層１３上に形成された、第１のクラッド層１４などの結晶性も改善されるため、この場合においても、半導体発光素子１０の発光効率を向上させることができる。

なお、下地層や、導電層、及びクラッド層などは公知のＭＯＣＶＤ法における公知の成膜条件に従って作製することができる。但し、島状結晶部よりエピタキシャル成長させて、例えば、上述したように、下地層１２又は第１の導電層１３を形成する場合は、前記島状結晶部の大きさなどを考慮して、成膜条件を適宜に調節する。

以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
（実施例１）
Ｃ面サファイア単結晶から下地基材を構成し、これを石英製の反応管内に設置されたサセプタ上に載置した後、吸引固定した。次いで、前記サセプタ内のヒータにより、前記下地基材をその表面温度が１２００℃になるまで加熱した。次いで、反応管内にアンモニアガス（ＮＨ_３）を導入し、５分保持した。

次いで、Ａｌ供給原料としてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、窒素供給原料としてＮＨ_３を用い、これら原料ガスを水素キャリアガスとともに、ＴＭＡ／ＮＨ_３＝０．５ｓｃｃｍ／３５０ｓｃｃｍとなるようにして前記反応管内に導入するとともに、前記下地基材上に供給した。そして、６０分間エピタキシャル成長させることによって、ＡｌＮ膜を厚さ１μｍに形成し、前記サファイア単結晶下地基材及び前記ＡｌＮエピタキシャル膜から構成される基材を得た。なお、前記ＡｌＮエピタキシャル膜の結晶性を評価したところ、５０秒のＸ線ロッキングカーブ半値幅が得られた。

次いで、基材の表面温度を１０７０℃に設定し、Ｇａ供給原料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を追加導入し、前記原料供給ガスの流量比をＴＭＡ／ＴＭＧ／ＮＨ_３＝０．１ｓｃｃｍ／０．９ｓｃｃｍ／３０００ｓｃｃｍとなるようにして、前記ＡｌＮエピタキシャル膜上に供給することにより、上面の平均面積が１μｍ^２である、Ａｌ_０．１Ｇａ_０．９Ｎからなる島状結晶部を複数形成した。

次いで、基材の表面温度を１２００℃に変更して、前記島状結晶部を核とし、前記原料供給ガスの流量比をＴＭＡ／ＴＭＧ／ＮＨ_３＝０．９５ｓｃｃｍ／０．０５ｓｃｃｍ／３５０ｓｃｃｍとなるように供給してエピタキシャル成長させ、Ａｌ_０．９５Ｇａ_０．０５Ｎ膜を厚さ１μｍに形成した。このＡｌ_０．９５Ｇａ_０．０５Ｎ膜の転位密度をＴＥＭ観察して測定したところ、１×１０^９／ｃｍ^２であった。

（実施例２）
前記下地基材温度をその表面温度が９００℃となるように加熱してＡｌＮエピタキシャル膜を作製した以外は、実施例１と同様にして島状結晶部を作製し、Ａｌ_０．９５Ｇａ_０．０５Ｎ膜を作製した。前記Ａｌ_０．９５Ｇａ_０．０５Ｎ膜の結晶性をＸ線回折によって調べたところ、約３００秒のロッキングカーブ半値幅が得られた。また前記Ａｌ_０．９５Ｇａ_０．０５Ｎ膜の転位密度をＴＥＭ観察によって測定したところ、８×１０^９／ｃｍ^２であった。

（比較例）
島状結晶部を形成しなかった以外は、実施例と同様にしてＡｌ_０．９５Ｇａ_０．０５Ｎ膜を作製した。このＡｌ_０．９５Ｇａ_０．０５Ｎ膜の転位密度をＴＥＭ観察によって測定したところ、５×１０^１０／ｃｍ^２であった。

以上、実施例及び比較例から明らかなように、本発明の製造方法に従って作製したIII族窒化物膜は、転位密度が１０^１０／ｃｍ^２以下まで低減されるとともに、良好な結晶性を有することが分かる。

したがって、本発明の製造方法により作製したIII族窒化物膜から半導体発光素子などを構成することによって、その発光効率を向上させることができる。同様に、上記III族窒化物膜から高速ＩＣチップなどの半導体素子を構成することによって、その応答特性を良好なものとすることができる。

以上、具体例を挙げながら、発明の実施の形態に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記発明の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない範囲であらゆる変更や変形が可能である。

例えば、上記実施例においては、基材上に島状結晶部を形成する工程と、この島状結晶部を核として窒化物膜をエピタキシャル成長させる工程とを同じ装置を用いて実施しているが、異なる装置を用いることもできる。さらに、上記実施例などにおいては、基材上に直接島状結晶部を成長させる場合について述べているが、前記基材上において、温度、流量、圧力、原料供給量、及び添加ガス量などの成膜条件を適宜制御することによって、バッファ層又はひずみ超格子などの多層膜構造を形成し、このバッファ層などを介して島状結晶部を作製することもできる。

本発明のIII族窒化物膜の製造方法を説明するための概念図である。 同じく、本発明のIII族窒化物膜の製造方法を説明するための概念図である。 同じく、本発明のIII族窒化物膜の製造方法を説明するための概念図である。 本発明の製造方法に従って製造したIII族窒化物膜を具える半導体発光素子の一例を示す構成図である。

符号の説明

１ 基材
２−１〜２−４ 島状結晶部
３Ａ、３ III族窒化物膜

Claims (9)

1. ＣＶＤ法により、III族窒化物膜を製造する方法であって、第１のＡｌ含有窒化物からなる基材上に、第２の窒化物からなる互いに孤立した複数の島状結晶部を形成し、この島状結晶部を核としてエピタキシャル成長させることにより、前記第２の窒化物と異なる第３の窒化物から窒化物膜を製造することを特徴とする、窒化物膜の製造方法。
2. 前記島状結晶部の上面の平均面積が、０．０００１μｍ^２〜１００μｍ^２であることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物膜の製造方法。
3. 前記第２の窒化物のＡｌ組成が、前記第１のＡｌ含有窒化物のＡｌ組成よりも小さいことを特徴とする、請求項１又は２に記載の窒化物膜の製造方法。
4. 前記第２の窒化物はＡｌ_ｘ１Ｇａ_ｘ２Ｉｎ_ｘ３Ｎ（ｘ１＋ｘ２＋ｘ３＝１，ｘ１，ｘ２，ｘ３≧０）なる組成を有するとともに、前記第１のＡｌ含有窒化物はＡｌ_ｙ１Ｇａ_ｙ２Ｉｎ_ｙ３Ｎ（ｙ１＋ｙ２＋ｙ３＝１，ｙ１＞０，ｙ２，ｙ３≧０）なる組成を有し、前記第２の窒化物のＡｌ組成ｘ１と前記第１のＡｌ含有窒化物のＡｌ組成ｙ１とが、ｘ１≦ｙ１−０．１なる関係を満たすことを特徴とする、請求項３に記載の窒化物膜の製造方法。
5. 前記第３の窒化物からなる窒化物膜中の転位密度が１０^１０／ｃｍ^２以下であることを特徴とする、請求項４に記載の窒化物膜の製造方法。
6. 前記第２の窒化物のＡｌ組成ｘ１と前記第１のＡｌ含有窒化物のＡｌ組成ｙ１とが、ｘ１≦ｙ１−０．５なる関係を満たすことを特徴とする、請求項４に記載の窒化物膜の製造方法。
7. 前記第３の窒化物からなる窒化物膜中の転位密度が１０^９／ｃｍ^２以下であることを特徴とする、請求項６に記載の窒化物膜の製造方法。
8. 前記第１のＡｌ含有窒化物の（００２）Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が９０秒以下であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一に記載の窒化物膜の製造方法。
9. 請求項１〜８のいずれか一に記載の製造方法によって作製されたIII族窒化物膜を具えることを特徴とする、半導体素子。

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