JP2005012160A - 発光装置及び全方向性反射器 - Google Patents

発光装置及び全方向性反射器 Download PDF

Info

Publication number
JP2005012160A
JP2005012160A JP2003396811A JP2003396811A JP2005012160A JP 2005012160 A JP2005012160 A JP 2005012160A JP 2003396811 A JP2003396811 A JP 2003396811A JP 2003396811 A JP2003396811 A JP 2003396811A JP 2005012160 A JP2005012160 A JP 2005012160A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
conversion member
wavelength conversion
emitting device
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003396811A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4181975B2 (ja
Inventor
Chung-Hsiang Lin
仲相 林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KANKIN KIGYO YUGENKOSHI
Original Assignee
KANKIN KIGYO YUGENKOSHI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KANKIN KIGYO YUGENKOSHI filed Critical KANKIN KIGYO YUGENKOSHI
Publication of JP2005012160A publication Critical patent/JP2005012160A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4181975B2 publication Critical patent/JP4181975B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/1225Basic optical elements, e.g. light-guiding paths comprising photonic band-gap structures or photonic lattices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】 従来の欠点を克服することができる全方向性反射器及びそれを備えた発光装置を提供する。
【解決手段】 発光装置は、第1の波長範囲の1次光を発生する光発生ユニット51と、光発生ユニット51に結合され、1次光の一部を第2の波長範囲の2次光に変換する波長変換部材4と、波長変換部材4に結合された全方向性フォトニック結晶からなり、2次光及び1次光のうち波長変換部材4によって変換されなかった残部を受ける少なくとも1個の全方向性反射器6と、を含む。全方向性反射器6は、1次光の残部を、いかなる入射角度及び偏光であっても、実質的に全反射して波長変換部材4に戻す反射性を具える。
【選択図】 図2

Description

本発明は、全方向性1次元フォトニック結晶並びにそれから形成された発光装置及び全方向性反射器に関する。
米国特許第5813753号には、反射サイドウォールを備えた凹部内に位置する紫外線/青色LEDと、LEDを囲み凹部を埋め込む光伝達材と、光伝達材内に広がった形状の燐蛍光体材と、光伝達材の表面側に形成された長波域(LWP)フィルタと、を有する光発生装置が開示されている。
図1に、米国特許第6155699号に開示されている従来の発光装置10を示す。この発光装置10は、凹部12を区画する容器11と、凹部12内に置かれた発光ダイオード13と、発光ダイオード13を被包するドーム形状の被包層14と、被包層14を囲む分布ブラッグ反射型(DBR)鏡15と、DBR鏡15を囲む波長変換部材16と、波長変換部材16を被包するレンズ17と、を有している。DBR鏡15は、この技術分野では、空間的に周期的に誘電率が変化し、周波的フォトニックバンドギャップ性を示す多層誘電体構造であると知られている。周波的フォトニックバンドギャップ性は、誘電体構造内である周波数帯域内の光の伝播を妨げ、光全体を反射する性質である。波長変換部材16は、通常、燐蛍光体材料から形成されており、このような燐蛍光体材料としては、この技術分野では、短波長の1次光(例えば、不可視光や紫外/青色光)を吸収し、長波長の2次光(例えば、可視光や白色光)に変換するものが知られている。DBR鏡15は、波長変換部材16に向かう1次光の大部分を透過させる透過性と、波長変換部材16により生成された2次光が被包層14に入射しないようにする反射性とを具えている。一般に、発光ダイオード13は、被包層14及びDBR鏡15を透過し、後に波長変換部材16に含まれる燐蛍光体材料によって2次光に変換される1次光を出射する。2次光の一部は、レンズ17を介して発光装置10から放出される。この一方で、2次光の残りは、DBR鏡15に衝突し、被包層14に入射しないように、反射により波長変換部材16側に戻される。この結果、発光装置10の効率が高められる。
2次光に変換される1次光の量は、波長変換部材16内の燐蛍光体材料の濃度及び量子効率に依存しているため、多くの1次光は、変換されずに波長変換部材16及びレンズ17を透過して外部に抜けてしまう。この結果、発光装置10の効率及び2次光の質(色温度、色純度等)が低下すると共に、1次光が紫外線の場合には環境に害ともなり得る。そこで、発光装置10の効率を向上させるべく、1次光の2次光への変換効率を向上させる必要性がある。
前述のDBR鏡及びLWPフィルタは、高屈折率層及び低屈折率層の組み合わせからなる誘電体構造を有する。従来のDBR鏡及びLWPフィルタは、それらの表面の法線からの広い傾斜角度の入射光に対しては、良好に反射させたり透過させたりすることができていないことが知られている。
米国特許第6130780号明細書(特許文献1)には、全方向性のフォトニックバンドギャップを有する全方向性の1次元フォトニック結晶からなり、入射光の周波数(波長)が当該フォトニックバンドギャップ内に入れば、いかなる入射角度及び偏光であっても全反射することができる全方向性反射器が開示されている。この開示された反射器は、高屈折率層及び低屈折率層の組み合わせから構成されている。ここで、2つの誘電体材料の間の屈折率の差異は、全方向性のフォトニックバンドギャップが得られる程度に大きくなければならない。
米国特許第6130780号明細書 米国特許第6155699号明細書 米国特許第5813753号明細書
本発明は、上述の従来の欠点を克服することができる全方向性反射器及びそれを備えた発光装置を提供することを目的とする。
本願の第1の発明に係る発光装置は、第1の波長範囲の1次光を発生する光発生ユニットと、前記光発生ユニットに結合され、前記1次光の一部を第2の波長範囲の2次光に変換する波長変換部材と、前記波長変換部材に結合された全方向性フォトニック結晶からなり、前記2次光及び前記1次光のうち前記波長変換部材によって変換されなかった残部を受ける少なくとも1個の全方向性反射器と、を有することを特徴とする。全方向性反射器は、例えば、空間的に周期的に誘電率が変化する全方向性結晶の誘電体構造を有し、互いに屈折率及び厚さが異なる少なくとも2層の誘電体層を備えた誘電体ユニットを少なくとも1個含み、全方向性反射器は、2次光を透過させる透過性と、1次光の残部を、いかなる入射角度及び偏光であっても、実質的に全反射して波長変換部材に戻す反射性とを具える。
本願の第2の発明に係る全方向性反射器は、空間的に周期的に誘電率が変化する全方向性結晶の誘電体構造を有する。前記誘電体構造は、互いに屈折率及び厚さが異なる少なくとも3層の誘電体層を備えた誘電体ユニットを少なくとも1個含み、全方向性反射器は、第1の波長範囲の1次光を実質的に全反射する反射性及び前記第1の波長範囲外の第2の波長範囲の2次光を透過させる透過性を示す散乱性を具える。
本発明によれば、高い効率で所望の光を発生させることができる。
簡潔のために、説明を通して同様の要素には同一の符号が付されている。
図2及び図3は、本発明の第1の実施形態に係る発光装置を示す図である。この発光装置は、少なくとも1個の光発生素子51を備え第1の波長範囲の1次光を発生する光発生ユニット51、この光発生ユニット51に結合され1次光の一部を第2の波長範囲の2次光に変換する波長変換部材4、この波長変換部材4を間に挟む第1及び第2のガラス基板31及び32、並びに、第1及び第2のガラス基板31及び32を間に挟み、2次光及び波長変換部材4によって変換されなかった1次光の残部を受ける第1及び第2の全方向性反射器6を有している。第1及び第2の全方向性反射器6は、いずれも、全方向性1次元フォトニック結晶から形成されており、2次光を透過させる透過性と、1次光の残部を、いかなる入射角度及び偏光であっても、実質的に全反射して波長変換部材4に戻す反射性とを具えている。また、第1及び第2の全方向性反射器6は、いずれも、空間的に周期的に誘電率が変化する誘電体構造であり、また、互いに屈折率及び膜厚が異なる第1、第2及び第3の誘電体層611、612、613を少なくとも含む誘電体ユニット61を少なくとも1個有している。第2の誘電体層612は、第1及び第3の誘電体層611及び613に挟まれており、その屈折率は第1及び第3の誘電体層611及び613のものよりも低い。第3の誘電体層613の屈折率は、第1の誘電体層611のものよりも低い。なお、誘電体構造中の光の伝播は、主に誘電体構造中の各誘電体層の屈折率及び厚さに影響を受ける。このように、第1及び第3の誘電体層611及び613に挟まれている第2の誘電体層612の屈折率は、第1及び第3の誘電体層611及び613のものよりも必ずしも低い必要はない。
波長変換部材4は、対向する上面41及び下面42を備えている。光発生ユニット51の光発生素子511は、波長変換部材4の下面42にはめ込まれている。第2のガラス基板32は、波長変換部材4の下面42に貼り付けられており、光発生ユニット51を覆っている。第1のガラス基板31は、波長変換部材4の上面41に貼り付けられている。第1及び第2の全方向性反射器6は、夫々第1及び第2のガラス基板31、32に貼り付けられている。
例えば、光発生ユニット51として紫外線LEDチップを用い、波長変換部材4として燐蛍光体を用いることで、本発明の発光装置は、白色光を発生させることができる。
第1の実施形態では、第1の誘電体層611はTiO2から形成され、第3の誘電体層613はTa25から形成され、第2の誘電体層612はSiO2から形成されている。本発明における反射器6に用いることができる他の誘電体材料は、例えば、Al23、MgO、ZrO2、MgF2、BaF2及びCaF2である。図10は、第1、第2及び第3の誘電体層611、612及び613から形成された全方向性1次元フォトニック結晶のフォトニックバンド構造(周波数対波ベクトルky)を示すグラフである。このフォトニック結晶は、結晶間隔が110.0nmのとき、周波数0.298(c/a)及び0.295(c/a)(つまり、図10中の点201及び202に相当する周波数)の間で、369nmから373nmの範囲の波長の入射光に対して全方向性フォトニックバンドギャップを備えている。波ベクトル(ky)並びに波偏光TE及びTMの定義は、米国特許第6130780号明細書に記載されている。
第1の実施形態では、第1及び第2の全方向性反射器6は、いずれも、図10に示すバンド構造を備えた誘電体ユニット61を14個有しており、14個の誘電体ユニット61は周期的に積層されている。
図11は、入射波が空気中から来たときの全ての入射角度及び偏光を考慮したときの波長に対する全方向性反射器6の平均反射率及び平均透過率を示すグラフである。波長366nmから378nmでの反射率は99%にも及んでおり、図10に示す全方向性フォトニックバンドギャップの予測と一致している。
全方向性反射器の動作の最適化に関し、図4は、入射光が波長変換部材4から来たときの波長に対する平均反射率及び平均透過率を示すグラフである。図4には、TiO2/SiO2/Ta25(three-some)からなる全方向性反射器6における関係と、TiO2/SiO2(pair)からなる全方向性反射器における関係とを比較して示している。TiO2/SiO2/Ta25の全方向性反射器6の波長ピークは、TiO2/SiO2の全方向性反射器のそれよりも狭く、TiO2/SiO2/Ta25の全方向性反射器6は、紫外領域内の光等の1次光を波長変換部材4に戻す反射率を低下させることなく、可視領域の2次光を透過させる効率が高い。
光発生素子511は、有機発光ダイオード又は高分子発光ダイオードのような350nm〜470nmの波長範囲の1次光を出射する発光ダイオードの形をとっている。波長変換部材4は、その中に燐蛍光体の粒子のような蛍光材料が分散した透明樹脂母材を有する。第1の実施形態では、波長変換部材4は、1:20の比率で混ぜ合わされた蛍光体及びシリコーンの混合物である。蛍光体は3原色(赤、緑及び青)からなり、1次光を400nm〜700nmの波長範囲内の2次光に変換することができる。
従来、1次光及び2次光を反射して波長変換部材に戻すために発光ユニットの底部には反射金属層が設けられている。しかしながら、1次光が紫外領域内のものであると、反射金属層が1次光の一部を吸収してしまい、逆に発光装置の効率が低下してしまう。再度図2を参照すると、本実施形態では、1次光は、反射金属層に吸収される代わりに、第2の全方向性反射器6により全反射される。更に、反射金属層71が、2次光を反射して波長変換部材4に戻すために、第2の全方向性反射器6の下面に貼り付けられている。従って、反射金属層71と結合した第2の全方向性反射器6は発光装置の効率を更に高めることができる。なお、第2の全方向性反射器6の主な機能は、1次光を全反射して波長変換部材4に戻すことである。このように、第2の全方向性反射器6は、2つの材料のみ(例えばTiO2/SiO2)からなる全方向性1次元フォトニック結晶から形成することができる。
図5は、本発明の第2の実施形態に係る発光装置を示す断面図である。第2の実施形態は、波長変換部材4及び第1の全方向性反射器6の形状が概してドーム形状となっていることを除いて、第1の実施形態と同様である。波長変換部材4及び第1の全方向性反射器6がこのような形状となっていることにより、2次光の透過率が向上し、発光装置の効率がさらに高められる。
図6及び図7は、本発明の第3の実施形態に係る発光装置を示す断面図である。第3の実施形態は、波長変換部材4が対向する上面41及び下面42並びに対向する左側面及び右側面43を備えている点で第1の実施形態と相違している。光発生ユニット51は、波長変換部材4の左側面43にはめ込まれた複数の光発生素子511の左列と、波長変換部材4の右側面43にはめ込まれた複数の光発生素子511の右列とを有する。第2のガラス基板32は波長変換部材4の下面42に貼り付けられている。第1のガラス基板31は波長変換部材4の上面41に貼り付けられている。第1及び第2の全方向性反射器6は、夫々第1及び第2のガラス基板31、32に貼り付けられている。左反射金属層及び右反射金属層72が波長変換部材4の左側面及び右側面43に貼り付けられており、夫々光発生素子511の左列及び右列を覆っている。
図8は、本発明の第4の実施形態に係る発光装置を示す断面図である。第4の実施形態は、下記の点を除き第1の実施形態と同様である。先ず、光発生素子511及び第2の全方向性反射器6が、全方向性反射器6の上面601が各光発生素子511の下面501に貼り付けられるようにして、波長変換部材4の下面42にはめ込まれ、第2の全方向性反射器6の上面601に対向する第2の全方向性反射器6の下面602が、波長変換部材4の下面42と同一面とされている。また、反射金属層72が波長変換部材4の下面42に貼り付けられ、反射器6の下面602を覆っている。第2のガラス基板32は、反射金属層71に貼り付けられると共に、反射金属層71を覆っている。
図9は、本発明の第5の実施形態に係る発光装置を示す断面図である。第5の実施形態は、下記の点を除き第4の実施形態と同様である。先ず、第2のガラス基板32が波長変換部材4の下面42に貼り付けられ、全方向性反射器6の下面602を覆っている。また、反射金属層71が第2のガラス基板32に貼り付けられると共に、第2のガラス基板32を覆っている。
本発明に係る発光装置に設けられた全方向性反射器6の構造は、光発生ユニット51から発せられた1次光のいかなる入射角度及び偏光に対しても、波長変換部材4へ戻す全反射を可能とするため、前述の従来の技術で生じていたような欠点が排除される。
3層構造の全方向性1次元フォトニック結晶、つまり、屈折率及び膜厚が相違する第1、第2及び第3の誘電体層611、612及び613によって、これを備えた全方向性反射器は、2層構造の全方向性反射器よりも、波長に対する反射率の関係(図4参照)において狭い波長ピークを得ることができる。
なお、以上説明した発明に関し、本発明の思想を逸脱しない範囲で種々の改良例や変形例がなされ得ることは明らかである。
従来の発光装置を示す図である。 本発明の第1の実施形態に係る発光装置を示す模式的断片的断面図である。 本発明の第1の実施形態に係る発光装置の全方向性反射器の構造を示す模式的断片的断面図である。 第1の実施形態に係る発光装置に設けられる2つの異なる全方向性反射器において全ての入射角度及び偏光を考慮したときの波長(Wavelength)に対する平均反射率(Reflectance)及び平均透過率(Transmittance)を比較して示すグラフである。 本発明の第2の実施形態に係る発光装置を示す模式的断片的断面図である。 本発明の第3の実施形態に係る発光装置を示す模式的側面図である。 本発明の第3の実施形態に係る発光装置を示す模式的断片的断面図であり、発光装置の他の方向から見たときに得られる図である。 本発明の第4の実施形態に係る発光装置を示す模式図である。 本発明の第5の実施形態に係る発光装置を示す模式図である。 本発明の第1の実施形態における全方向性1次元フォトニック結晶のフォトニックバンド構造を示すグラフである。 入射波が空気中から来るときの全ての入射角度及び偏光を考慮したときの波長(Wavelength)に対する平均反射率(Reflectance)及び平均透過率(Transmittance)を示すグラフである。
符号の説明
10:発光装置
11:容器
12:凹部
13:発光ダイオード
14:被包層
15:DBR鏡
16:波長変換部材
17:レンズ
31:第1のガラス基板
32:第2のガラス基板
4:波長変換部材
41:上面
42:下面
43:側面(左側面、右側面)
51:光発生ユニット
501:下面
511:光発生素子
6:全方向性反射器
61:誘電体ユニット
601:上面
602:下面
611:第1の誘電体層
612:第2の誘電体層
613:第3の誘電体層
71:反射金属層
72:反射金属層(左反射金属層、右反射金属層)

Claims (24)

  1. 第1の波長範囲の1次光を発生する光発生ユニットと、
    前記光発生ユニットに結合され、前記1次光の一部を第2の波長範囲の2次光に変換する波長変換部材と、
    前記波長変換部材に結合された全方向性フォトニック結晶からなり、前記2次光及び前記1次光のうち前記波長変換部材によって変換されなかった残部を受ける少なくとも1個の全方向性反射器と、
    を有することを特徴とする発光装置。
  2. 前記全方向性反射器は、互いに屈折率及び厚さが異なる少なくとも2層の誘電体層を備えた誘電体ユニットを少なくとも1個含み、
    前記全方向性反射器は、前記2次光を透過させる透過性と、前記1次光の残部を実質的に全反射して前記波長変換部材に戻す反射性と、を具えることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記全方向性反射器は、互いに屈折率及び厚さが異なる少なくとも3層の誘電体層を備えた誘電体ユニットを少なくとも1個含み、
    前記全方向性反射器は、前記2次光を透過させる透過性と、前記1次光の残部を実質的に全反射して前記波長変換部材に戻す反射性と、を具えることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  4. 前記複数の誘電体層は、第1、第2及び第3の誘電体層を含み、
    前記第2の誘電体層は、前記第1及び第3の誘電体層に挟まれており、前記第1及び第3の誘電体層よりも低い屈折率を具え、
    前記第3の誘電体層は、前記第1の誘電体層よりも低い屈折率を具えることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
  5. 前記光発生ユニットは、前記波長変換部材の1面にはめ込まれており、
    前記全方向性反射器は、前記波長変換部材の前記1面とは反対側の前記波長変換部材の面に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
  6. 第2の全方向性反射器と、
    前記光発生ユニット及び前記波長変換部材をそれらの間に挟む第1及び第2のガラス基板と、
    を有し、
    前記波長変換部材は、互いに対向する上面及び下面を備え、
    前記光発生ユニットは、前記波長変換部材の前記下面にはめ込まれた複数の光発生素子の1次元又は2次元の配列を含み、
    前記第2のガラス基板は、前記波長変換部材の前記下面上に形成されると共に、前記光発生ユニットを覆い、
    前記第1のガラス基板は、前記波長変換部材の前記上面上に形成され、
    前記第1及び第2の全方向性反射器は、夫々前記第1及び第2のガラス基板上に形成されていることを特徴とする請求項5に記載の発光装置。
  7. 前記第2の全方向性反射器は、互いに屈折率及び厚さが異なる少なくとも2層の誘電体層を備えた誘電体ユニットを少なくとも1個含むことを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
  8. 前記第1の誘電体層は、TiO2から形成され、
    前記第2の誘電体層は、SiO2から形成され、
    前記第3の誘電体層は、Ta25から形成されていることを特徴とする請求項4に記載の発光装置。
  9. 前記各光発生素子は、350nm乃至470nmの波長の前記1次光を発生させる発光ダイオードの形をとっていることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
  10. 前記波長変換部材は、前記1次光を400nm乃至700nmの波長の前記2次光に変換するように、蛍光材料がその中に分散した透明樹脂母材を含むことを特徴とする請求項9に記載の発光装置。
  11. 前記第2の全方向性反射器上に形成された反射金属層を有することを特徴とする請求項7に記載の発光装置。
  12. 第2の全方向性反射器と、
    前記波長変換部材をそれらの間に挟む第1及び第2のガラス基板と、
    を有し、
    前記波長変換部材は、互いに対向する上面及び下面並びに互いに対向する左側面及び右側面を備え、
    前記光発生ユニットは、前記波長変換部材の前記左側面にはめ込まれた複数の光発生素子の左列と、前記波長変換部材の前記右側面にはめ込まれた複数の光発生素子の右列と、を含み、
    前記第2のガラス基板は、前記波長変換部材の前記下面上に形成され、
    前記第1のガラス基板は、前記波長変換部材の前記上面上に形成され、
    前記第1及び第2の全方向性反射器は、夫々前記第1及び第2のガラス基板上に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
  13. 前記第2の全方向性反射器は、互いに屈折率及び厚さが異なる少なくとも2層の誘電体層を備えた誘電体ユニットを少なくとも1個含むことを特徴とする請求項12に記載の発光装置。
  14. 前記波長変換部材の前記左側面及び右側面上に形成され、夫々前記光発生素子の前記左列及び右列を覆う左反射金属層及び右反射金属層を有することを特徴とする請求項13に記載の発光装置。
  15. 前記波長変換部材は、互いに対向する上面及び下面を備え、
    前記波長変換部材の前記上面上に形成された第1のガラス基板を有し、
    前記全方向性反射器は、前記第1のガラス基板上に形成され、
    前記光発生ユニットは、前記波長変換部材の前記下面に埋め込まれた光発生素子を有することを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
  16. 第2の全方向性反射器及び反射金属層を有し、
    前記光発生素子は、下面を備え、
    前記第2の全方向性反射器は、前記波長変換部材の前記下面に埋め込まれ、前記光発生素子の前記下面上に形成された上面と、前記上面と反対側の下面と、を備え、
    前記反射金属層は、前記波長変換部材の前記下面上に形成されると共に、前記第2の全方向性反射器の前記下面を覆うことを特徴とする請求項15に記載の発光装置。
  17. 前記反射金属層上に形成された第2のガラス基板を有することを特徴とする請求項16に記載の発光装置。
  18. 前記第2の全方向性反射器は、互いに屈折率及び厚さが異なる少なくとも2層の誘電体層を備えた誘電体ユニットを少なくとも1個含むことを特徴とする請求項16に記載の発光装置。
  19. 第2の全方向性反射器及び第2のガラス基板を有し、
    前記光発生素子は、下面を備え、
    前記第2の全方向性反射器は、前記波長変換部材の前記下面に埋め込まれ、前記光発生素子の前記下面上に形成された上面と、前記上面と反対側の下面と、を備え、
    前記第2のガラス基板は、前記波長変換部材の前記下面上に形成されると共に、前記第2の全方向性反射器の前記下面を覆うことを特徴とする請求項15に記載の発光装置。
  20. 前記第2のガラス基板上に形成され、前記第2のガラス基板を覆う反射金属層を有することを特徴とする請求項19に記載の発光装置。
  21. 前記第2の全方向性反射器は、互いに屈折率及び厚さが異なる少なくとも2層の誘電体層を備えた誘電体ユニットを少なくとも1個含むことを特徴とする請求項19に記載の発光装置。
  22. 空間的に周期的に誘電率が変化する全方向性結晶の誘電体構造を有し、
    前記誘電体構造は、互いに屈折率及び厚さが異なる少なくとも3層の誘電体層を備えた誘電体ユニットを少なくとも1個含み、
    第1の波長範囲の1次光を実質的に全反射する反射性及び前記第1の波長範囲外の第2の波長範囲の2次光を透過させる透過性を示す散乱性を具えることを特徴とする全方向性反射器。
  23. 前記複数の誘電体層は、第1、第2及び第3の誘電体層を含み、
    前記第2の誘電体層は、前記第1及び第3の誘電体層に挟まれており、前記第1及び第3の誘電体層よりも低い屈折率を具え、
    前記第3の誘電体層は、前記第1の誘電体層よりも低い屈折率を具えることを特徴とする請求項22に記載の全方向性反射器。
  24. 前記第1の誘電体層は、TiO2から形成され、
    前記第2の誘電体層は、SiO2から形成され、
    前記第3の誘電体層は、Ta25から形成されていることを特徴とする請求項23に記載の全方向性反射器。

JP2003396811A 2003-06-16 2003-11-27 発光装置及び全方向性反射器 Expired - Fee Related JP4181975B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW92116298 2003-06-16

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007008313A Division JP2008186819A (ja) 2003-06-16 2007-01-17 発光装置及び全方向性反射器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005012160A true JP2005012160A (ja) 2005-01-13
JP4181975B2 JP4181975B2 (ja) 2008-11-19

Family

ID=33509849

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003396811A Expired - Fee Related JP4181975B2 (ja) 2003-06-16 2003-11-27 発光装置及び全方向性反射器
JP2007008313A Pending JP2008186819A (ja) 2003-06-16 2007-01-17 発光装置及び全方向性反射器

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007008313A Pending JP2008186819A (ja) 2003-06-16 2007-01-17 発光装置及び全方向性反射器

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7367691B2 (ja)
JP (2) JP4181975B2 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008004645A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Harison Toshiba Lighting Corp 発光デバイス
JP2011511452A (ja) * 2008-01-31 2011-04-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光デバイス
KR101490233B1 (ko) * 2010-04-15 2015-02-06 피에스아이 주식회사 장파장 투과필터를 포함하는 형광체 전환 단색 led
KR20150020646A (ko) * 2015-01-16 2015-02-26 피에스아이 주식회사 장파장 투과필터를 포함하는 형광체 전환 단색 led
WO2015133000A1 (ja) * 2014-03-06 2015-09-11 丸文株式会社 深紫外led及びその製造方法
US9349918B2 (en) 2011-07-12 2016-05-24 Marubun Corporation Light emitting element and method for manufacturing same
US9929317B2 (en) 2015-01-16 2018-03-27 Marubun Corporation Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same
US9929311B2 (en) 2013-07-17 2018-03-27 Marubun Corporation Semiconductor light emitting element and method for producing the same
JP2018107418A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2018107417A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10056526B2 (en) 2016-03-30 2018-08-21 Marubun Corporation Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same
US10680134B2 (en) 2015-09-03 2020-06-09 Marubun Corporation Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same
US11309454B2 (en) 2018-01-26 2022-04-19 Marubun Corporation Deep ultraviolet LED and method for producing the same

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004304041A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US20060081858A1 (en) * 2004-10-14 2006-04-20 Chung-Hsiang Lin Light emitting device with omnidirectional reflectors
TWI341420B (en) * 2005-10-26 2011-05-01 Epistar Corp Flat light emitting apparatus
US7722421B2 (en) 2006-03-31 2010-05-25 General Electric Company High temperature ceramic composite for selective emission
US8044567B2 (en) 2006-03-31 2011-10-25 General Electric Company Light source incorporating a high temperature ceramic composite and gas phase for selective emission
US7851985B2 (en) * 2006-03-31 2010-12-14 General Electric Company Article incorporating a high temperature ceramic composite for selective emission
US20070228986A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-04 General Electric Company Light source incorporating a high temperature ceramic composite for selective emission
TWI317562B (en) * 2006-08-16 2009-11-21 Ind Tech Res Inst Light-emitting device
KR100835063B1 (ko) * 2006-10-02 2008-06-03 삼성전기주식회사 Led를 이용한 면광원 발광장치
US8329247B2 (en) * 2009-02-19 2012-12-11 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Methods for producing omni-directional multi-layer photonic structures
US8323391B2 (en) * 2007-08-12 2012-12-04 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Omnidirectional structural color paint
US9063291B2 (en) * 2007-08-12 2015-06-23 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Omnidirectional reflector
US9739917B2 (en) 2007-08-12 2017-08-22 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Red omnidirectional structural color made from metal and dielectric layers
US9612369B2 (en) 2007-08-12 2017-04-04 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Red omnidirectional structural color made from metal and dielectric layers
US10690823B2 (en) 2007-08-12 2020-06-23 Toyota Motor Corporation Omnidirectional structural color made from metal and dielectric layers
US9229140B2 (en) * 2007-08-12 2016-01-05 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Omnidirectional UV-IR reflector
US8593728B2 (en) 2009-02-19 2013-11-26 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Multilayer photonic structures
US10048415B2 (en) 2007-08-12 2018-08-14 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Non-dichroic omnidirectional structural color
US8861087B2 (en) * 2007-08-12 2014-10-14 Toyota Motor Corporation Multi-layer photonic structures having omni-directional reflectivity and coatings incorporating the same
US10788608B2 (en) 2007-08-12 2020-09-29 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Non-color shifting multilayer structures
US10870740B2 (en) 2007-08-12 2020-12-22 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Non-color shifting multilayer structures and protective coatings thereon
TW200945620A (en) * 2008-04-25 2009-11-01 Formosa Epitaxy Inc Light-emitting device with reflection layer and structure of the reflection layer
KR100933529B1 (ko) * 2008-05-28 2009-12-23 재단법인서울대학교산학협력재단 광자결정 구조체를 구비한 발광소자
US8415691B2 (en) 2008-08-18 2013-04-09 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Omnidirectional reflector
JP2010098194A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 Meijo Univ 蛍光体、発光素子、発光装置及び蛍光体の製造方法
TWI390263B (zh) * 2008-10-27 2013-03-21 Univ Nat Central 分佈式布拉格反射鏡波導及其製造方法
JP5343831B2 (ja) * 2009-04-16 2013-11-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
TW201114070A (en) * 2009-10-15 2011-04-16 Aurotek Corp Light-emitting device
DE102010001007B4 (de) 2010-01-19 2013-01-03 Osram Ag Leuchte zum Ausleuchten eines Zielbereiches mittels Rückwärtsreflexion von Licht eines Leuchtdiodenmoduls an einem Reflektor
US8196823B2 (en) 2010-08-10 2012-06-12 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Optical lock systems and methods
WO2012026718A2 (ko) * 2010-08-23 2012-03-01 국민대학교 산학협력단 멀티칩 백색 led 소자
KR101154368B1 (ko) * 2010-09-27 2012-06-15 엘지이노텍 주식회사 광변환부재 제조방법 및 그 제조방법으로 제조된 광변환부재를 포함하는 백라이트 유닛
US10067265B2 (en) 2010-10-12 2018-09-04 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Semi-transparent reflectors
KR101769075B1 (ko) * 2010-12-24 2017-08-18 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 칩 및 그것을 제조하는 방법
DE102011079063A1 (de) * 2011-07-13 2013-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements
CN102623624B (zh) * 2012-01-30 2015-06-17 厦门阳光恩耐照明有限公司 一种发光装置及其发光方法
US9658375B2 (en) 2012-08-10 2017-05-23 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Omnidirectional high chroma red structural color with combination metal absorber and dielectric absorber layers
US9678260B2 (en) 2012-08-10 2017-06-13 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Omnidirectional high chroma red structural color with semiconductor absorber layer
US9664832B2 (en) 2012-08-10 2017-05-30 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Omnidirectional high chroma red structural color with combination semiconductor absorber and dielectric absorber layers
CN103346267A (zh) * 2013-06-24 2013-10-09 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 有源矩阵有机电致发光显示器件
KR20150062352A (ko) * 2013-11-29 2015-06-08 일진엘이디(주) 유전체층을 가진 발광 다이오드
CN106461834B (zh) 2014-04-01 2021-01-15 丰田自动车工程及制造北美公司 无色移的多层结构
US9810824B2 (en) 2015-01-28 2017-11-07 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Omnidirectional high chroma red structural colors
CN108140745A (zh) * 2015-09-21 2018-06-08 沙特基础工业全球技术公司 用于蓝色oled照明应用的具有微腔的颜色转换层上的分布布拉格反射器
JP6695785B2 (ja) * 2016-11-29 2020-05-20 株式会社Joled 発光装置、表示装置および照明装置
CN108574034A (zh) * 2017-03-10 2018-09-25 光宝电子(广州)有限公司 发光装置
CN106842710B (zh) 2017-03-27 2019-05-03 京东方科技集团股份有限公司 一种背光模组、其制作方法以及显示装置
US10546985B2 (en) * 2017-03-28 2020-01-28 Nanosys, Inc. Method for increasing the light output of microLED devices using quantum dots
CN109817819B (zh) * 2019-01-31 2020-05-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 增强光取出的白色有机发光二极管器件
CN110289371B (zh) * 2019-06-28 2021-10-22 京东方科技集团股份有限公司 一种发光结构、显示面板及显示装置
GB2586066B (en) * 2019-08-01 2021-09-08 Plessey Semiconductors Ltd Light emitting diode with improved colour purity
CN112310308B (zh) * 2020-10-22 2022-04-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1364361A (en) 1972-02-02 1974-08-21 Rank Organisation Ltd Optical filters
DE3941859C1 (ja) 1989-12-19 1991-01-24 Deutsche Spezialglas Ag, 3223 Gruenenplan, De
US5740287A (en) 1995-12-07 1998-04-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Optical switch that utilizes one-dimensional, nonlinear, multilayer dielectric stacks
US5813753A (en) 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
JPH11145519A (ja) 1997-09-02 1999-05-28 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置および画像表示装置
JP3654836B2 (ja) 1998-02-19 2005-06-02 マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー 光子結晶の全方向反射体
US6155699A (en) 1999-03-15 2000-12-05 Agilent Technologies, Inc. Efficient phosphor-conversion led structure
AU2001283367A1 (en) 2000-08-15 2002-02-25 Emagin Corporation Organic light emitting diode display devices having barrier structures between sub-pixels
US6624945B2 (en) * 2001-02-12 2003-09-23 Massachusetts Institute Of Technology Thin film filters using omnidirectional reflectors
US20030210448A1 (en) * 2002-01-24 2003-11-13 Buchwald Melvin I. Systems and methods of reflective photonic modulation
TW569479B (en) * 2002-12-20 2004-01-01 Ind Tech Res Inst White-light LED applying omnidirectional reflector

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008004645A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Harison Toshiba Lighting Corp 発光デバイス
JP2011511452A (ja) * 2008-01-31 2011-04-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光デバイス
KR101490233B1 (ko) * 2010-04-15 2015-02-06 피에스아이 주식회사 장파장 투과필터를 포함하는 형광체 전환 단색 led
US9293668B2 (en) 2010-04-15 2016-03-22 Psi Co., Ltd. Phosphor-converted single-color LED including a long-wavelength pass filter
US9349918B2 (en) 2011-07-12 2016-05-24 Marubun Corporation Light emitting element and method for manufacturing same
US9929311B2 (en) 2013-07-17 2018-03-27 Marubun Corporation Semiconductor light emitting element and method for producing the same
US9806229B2 (en) 2014-03-06 2017-10-31 Marubun Corporation Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same
WO2015133000A1 (ja) * 2014-03-06 2015-09-11 丸文株式会社 深紫外led及びその製造方法
CN105934833A (zh) * 2014-03-06 2016-09-07 丸文株式会社 深紫外led及其制造方法
KR101720180B1 (ko) 2015-01-16 2017-03-28 피에스아이 주식회사 장파장 투과필터를 포함하는 형광체 전환 단색 led
US9929317B2 (en) 2015-01-16 2018-03-27 Marubun Corporation Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same
KR20150020646A (ko) * 2015-01-16 2015-02-26 피에스아이 주식회사 장파장 투과필터를 포함하는 형광체 전환 단색 led
US10680134B2 (en) 2015-09-03 2020-06-09 Marubun Corporation Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same
US10950751B2 (en) 2015-09-03 2021-03-16 Marubun Corporation Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same
US10056526B2 (en) 2016-03-30 2018-08-21 Marubun Corporation Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same
JP2018107418A (ja) * 2016-12-26 2018-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2018107417A (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7108171B2 (ja) 2016-12-27 2022-07-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11309454B2 (en) 2018-01-26 2022-04-19 Marubun Corporation Deep ultraviolet LED and method for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP4181975B2 (ja) 2008-11-19
US7367691B2 (en) 2008-05-06
JP2008186819A (ja) 2008-08-14
US20040252509A1 (en) 2004-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4181975B2 (ja) 発光装置及び全方向性反射器
US6686676B2 (en) UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
JP4173556B2 (ja) 紫外/青色光を可視光に効率良く変換する紫外/青色led―蛍光体装置
JP5877347B2 (ja) バックライト装置、およびそのバックライト装置を用いた液晶表示装置、およびそれらに用いる発光ダイオード
JP7419590B2 (ja) 発光モジュール及び表示装置
TWI462333B (zh) 用於反射來自發光二極體的多重波長光線之分配型布拉格反射器
US7221003B2 (en) Light emitting device
JP5044194B2 (ja) 発光ダイオードモジュール
US20060081858A1 (en) Light emitting device with omnidirectional reflectors
JP4665832B2 (ja) 発光装置ならびにそれを用いる白色光源および照明装置
JP2006190955A (ja) 準全方向反射器を有する発光ダイオード
US9880336B2 (en) Light-emitting device including photoluminescent layer
CN112750862B (zh) 色彩转换结构、显示装置及色彩转换结构的制备方法
CN113451489A (zh) 显示面板及电子设备
CN110556054A (zh) 柔性Micro LED显示装置
JP6916073B2 (ja) 光デバイス
US20150108491A1 (en) Light emitting diode package
CN114078399B (zh) 一种显示面板、增强型偏光片模组及显示装置
JP2005197650A (ja) 発光素子
CN116682838A (zh) 显示装置
KR100763404B1 (ko) 백 라이트 유닛
CN114093998B (zh) 一种发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法
TWI788867B (zh) 光源模組及顯示裝置
KR101904354B1 (ko) 파장 선택 소자, 광원 장치 및 표시 장치
CN116594221A (zh) 光转换膜结构、背光模组及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051202

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051213

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060302

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060307

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060606

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060919

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20061218

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20061218

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061218

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20080702

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080812

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080901

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110905

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120905

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905

Year of fee payment: 5

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130905

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees