CN114078399B - 一种显示面板、增强型偏光片模组及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请实施例一种显示面板、增强型偏光片模组及显示装置，一种显示面板包括衬底基板、多个发光二极管及保护层；发光二极管设置在衬底基板上，保护层覆盖发光二极管的侧壁，并且保护层为光反射层；发光二极管中包含相对设置且均与衬底基板平行的上表面和下表面，且上表面相对于下表面更靠近显示面板的出光面；其中，上表面的面积大于下表面的面积。本申请实施例提供的显示面板中发光二极管的侧壁覆盖，可以保护发光二极管在后续过程中侧壁不会被损坏，同时当保护层选择合适的材料制备时能够阻止发光二极管发射的大角度光射入相邻的发光二极管所在区域。并且倒梯形结构的发光二极管与包括光反射层的保护层结合，可以提升显示面板的出光效率。

Description

一种显示面板、增强型偏光片模组及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、增强型偏光片模组及显示装置。

背景技术

发光二极管(lightemittingdiode，LED)作为一种固体半导体发光器件，一般由Ⅲ-Ⅴ族化合物制成，如由GaP，GaN等制成。相较于传统的液晶显示、有机发光显示等显示技术，LED显示在发光效率、响应速度等方面具有明显的优势。随着LED显示技术的发展，微型发光二极管(microlightemittingdiode，micro-LED)因具备更高的亮度，更广的色域和更低的功耗，受到越来越广泛地关注，进而成为下一代显示技术的研究热点。

LED中发光半导体材料的折射率较高，光线到达出光面时会发生菲涅尔反射损耗，并且大于全反射临界角的光线会在出光面位置发生全反射损耗；此外，LED显示技术中，如micro-LED显示的尺寸较小，则其侧表面出光占比较大，进而导致光的能量损耗大。因此，现有技术中，LED显示的出光效率低是限制其发展的主要因素之一。在LED照明技术中，通过在发光芯片周围设计曲面结构可以增加光线的循环利用率以提升出光效率。但是由于micro-LED显示技术受限于空间的限制，其提升出光效率的方式无法采用与LED照明技术中提升出光效率相同的方式。因此，如何提升LED显示技术的出光效率成为一大难点。

发明内容

本申请提供了一种显示面板、增强型偏光片模组及显示装置，以解决以上问题。

第一方面，本申请提供一种显示面板，包括，衬底基板、多个发光二极管及保护层；其中，发光二极管设置在衬底基板上，保护层覆盖发光二极管的侧壁，并且保护层为光反射层；其中，发光二极管中包含相对设置且平行的上表面和下表面，上表面及下表面均与衬底基板平行，且上表面相对于下表面更靠近显示面板的出光面；其中，上表面的面积大于下表面的面积。

第二方面，本申请提供另一种显示面板，包括衬底基板、多个发光二极管及保护层；其中，发光二极管设置在衬底基板上，保护层覆盖发光二极管的侧壁，并且保护层为低折射率层、增透膜中的至少一者；其中，发光二极管中包含相对设置且平行的上表面和下表面，上表面及下表面均与衬底基板平行，且上表面相对于下表面更靠近显示面板的出光面；其中，上表面的面积小于下表面的面积。

第三方面，本申请提供一种增强型偏光片模组，包括线偏振片、偏振反射片及1/4波片；其中，偏振反射片设置在线偏振片与1/4波片之间，且线偏振片与偏振反射片允许同一偏振方向的光通过。

第四方面，本申请提供一种显示装置，包括如第一方面提供的显示面板及第二方面提供的的增强型偏光片模组，增强型偏光片模组设置在显示面板出光面远离衬底基板的一侧，并且1/4波片设置在偏振反射片靠近显示面板的一侧。

本申请实施例提供的显示面板中发光二极管的侧壁覆盖，可以保护发光二极管在后续过程中侧壁不会被损坏，同时当保护层选择合适的材料制备时能够阻止发光二极管发射的大角度光射入相邻的发光二极管所在区域。并且倒梯形结构的发光二极管与包括光反射层的保护层结合，正梯形结构的发光二极管与包括低折射率层、增透膜中的至少一者的保护层结合均可以提升显示面板的出光效率。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图；

图2为本申请实施例提供的一种发光二极管的示意图；

图3为本申请实施例提供的一种显示面板的光路图；

图4为本申请实施例提供的一种保护层的反射率曲线图；

图5为本申请实施例提供的另一种显示面板的示意图；

图6为本申请实施例提供一种表面层的示意图；

图7为本申请实施例提供的一种表面层的透过率曲线图；

图8为本申请实施例提供的另一种发光二极管的示意图；

图9为本申请实施例提供的又一种发光二极管的示意图；

图10为本申请实施例提供的一种显示装置的示意图；

图11为本申请实施例提供的一种增强型偏光片模组的光路示意图；

图12为本申请实施例提供的另一种显示装置的示意图；

图13为本申请实施例提供的另一种增强型偏光片模组的光路示意图。

具体实施方式

本申请的实施方式部分使用的术语仅用于对本申请的具体实施例进行解释，而非旨在限定本申请。

图1为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图。

如图1所示，本申请实施例提供的发光显示面板包括衬底基板01、多个发光二极管02、保护层04、平坦层05以及表面层06。本申请提供的发光显示面板可以应用于手机、电视、电脑、广告屏等电子显示设备。

其中，衬底基板01用于承载发光二极管02，具体可以为玻璃基板、柔性基材等，也可以为硅片衬底。当衬底基板01为玻璃基板或者柔性基材时，衬底基板01上还可以设置用于驱动发光二极管发光02发光的驱动电路以及为驱动电路提供信号的信号线，并且发光二极管02的各功能膜层可以直接在衬底基板01上沉积各功能膜层形成或者将发光二极管02在源晶片(如蓝宝石、硅晶片等)上制作完成后转移到衬底基板01上。当衬底基板01为硅片衬底时，发光二极管02可以由对硅片衬底上晶化、掺杂形成。当衬底基板01位柔性基板时，本申请实施例提供的发光二极管显示面板可以进行曲面显示或者弯折显示。

发光二极管02具体可以为微型发光二极管，微型发光二极管为尺寸等于或小于一百微米，也就是几十微米的发光二极管。当发光二极管02为微型发光二极管时，本申请实施例提供的发光二极管显示面板可以用于发光显示。

如图1所示，本申请实施例提供的发光二极管02可以包括第一半导体层21、第二半导体层22以及与第一半导体层21连接的第一极23、与第二半导体层22连接的第二极25。其中，第一半导体层21可以为P型半导体、第二半导体层22可以为N型半导体，则第一极23为阳极并且与其连接的第一信号线31在发光阶段传输正电压，第二极24为阴极并且与其连接的第二信号线32在发光阶段传输负电压；或者，第一半导体层21可以为N型半导体、第二半导体层22可以为P型半导体，则第一极23为阴极并且与其连接的第一信号线31在发光阶段传输负电压，第二极24为阳极并且与其连接的第二信号线32在发光阶段传输正电压。

发光二极管02的发光原理为，P型半导体与N型半导体接触的位置附近产生PN结，当给发光二极管02加正向电压时，电流由发光二极管02的阳极流向阴极，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子在PN结所在位置附近分别与N区的电子和P区的空穴复合，从而辐射出可见光。为了增加PN结所在位置电子与空穴的复合效率，还可以在第一半导体层21与第二半导体层22之间增加量子阱发光层25。

为了实现彩色显示，本申请实施例提供的发光二极管显示面板中的多个发光二极管02可以包括第一颜色发光二极管02a、第二颜色发光二极管02b和第三颜色发光二极管02c，其中，第一颜色发光二极管02a发射第一颜色光、第二颜色发光二极管02b发射第二颜色光、第三颜色发光二极管02c发射第三颜色光，并且第一颜色光的波长、第二颜色光的波长和第三颜色光的波长各不相同。在本申请的一种实现方式中，第一颜色光的波长大于第二颜色光的波长，第二颜色光的波长大于第三颜色光的波长，例如，第一颜色光为红光，第二颜色光为绿光，第三颜色光为蓝光。发光二极管02的发光颜色与其半导体层中半导体材料的类型有关。

需要说明的是，本申请实施例提供的发光二极管显示面板为了实现显示，其所包括各发光二极管02应该作为单独的像素进行显示，并且相邻的发光二极管02发射的光不应该存在串扰。

图2为本申请实施例提供的一种发光二极管的示意图，在本申请的一个实施例中，如图2所示，发光二极管02为倒梯形结构，即发光二极管02中包含均与衬底基板01平行且相对设置的上表面及下表面，上表面相对于下表面更靠近显示面板的出光面并且上表面的面积大于下表面的面积。其中，发光二极管02的上表面与显示面板的出光面也平行，通常发光二极管02的上表面发射的光向显示面板的出光面发射，由于发光二极管02的上方通常还会设置其他膜层结构，如保护层等，则通常发光二极管02上方所有膜层的最上方的表面可以看做是显示面板的出光面。

在本实施例中，如图1和2所示，保护层04可以完全覆盖发光二极管02的侧壁，并且保护层04也可以设置在发光二极管02中的其他表面上。保护层04可以保护发光二极管02的侧壁在后续过程中不会被损坏，同时当保护层04选择合适的材料制备时能够阻止发光二极管02发射的大角度光射入相邻的发光二极管02所在区域。

图3为本申请实施例提供的一种显示面板的光路图，如图3所示，保护层04可以包括光反射层，如图3所示，当发光二极管02为倒梯形结构且保护层04为光反射层时，入射角为α的大角度光入射至发光二极管02的侧壁上设置的保护层04被反射回该发光二极管02，进而使得发光二极管02发射的大角度光还可以从该发光二极管02的上表面射出，一方面避免大角度光射入其他发光二极管02引起串扰，另一方面可以提高发光二极管02的出光效率。此外，当保护层04为光反射层且保护层04也设置在发光二极管02中与上表面相对的下表面时，发光二极管02发出的且以入射角γ入射至下表面的光同样被保护层04反射回该发光二极管02，从而提高发光二极管02的出光效率。

当保护层04为光反射层时，在一种实现方式中，保护层04可以由金属等高反射材料制成，例如，可以由为Ag、Au、Al、Cu等中的至少一者制成。

当保护层04为光反射层时，在一种实现方式中，保护层04也可以为多层介质高反射膜，即保护层04由5层～30层高、低折射率的材料交替组合叠层组成。例如，如表1所示，保护层04可以由层叠设置的膜层一和膜层二构成，膜层一为高折射率的TiO₂层和膜层二为低折射率的SiO₂层。TiO₂层的折射率为2.2且厚度为1/4λ，SiO₂的折射率为1.49且厚度为1/4λ，其中，λ可以为各发光二极管02所发射的光的波峰对应的波长，即各颜色发光二极管02均有自己特定的且膜层一与膜层二厚度稍有不同的保护层04；λ也可以为显示面板所发射的光的波峰对应的波长，例如λ可以为0.5μm，则各颜色发光二极管02对应的保护层04均相同且可以同时制备。在本申请的一个实施例中，保护层04可以由10层～15层高、低折射率的材料交替组合叠层组成，一方面可以达到所需的光反射效果，另一方面可以使得保护层04的厚度较小。

表1

膜层	材料	折射率	厚度
				膜层一	TiO2	2.2	1/4λ
膜层二	SiO2	1.49	1/4λ

图4为本申请实施例提供的一种保护层的反射率曲线图，具体地，图4为表1所示保护层04的反射率曲线图。由图4可以看出，当保护层04的结构为表1所示时，保护层04对偏振方向不同的P光和S光的反射效果相同，且保护层04对波长在0.42μm-0.62μm之间的入射光的反射率为95％以上，对波长在0.45μm-0.55μm之间的入射光的反射率基本达到100％。

在本实施例的一种实现方式中，如图2所示，沿显示面板的厚度方向，发光二极管02的切面的外围轮廓为等腰梯形，并且等腰梯形的底边与衬底基板01平行，则可以保证发光二极管02靠近显示面板出光面一侧的出光均一性。如图2-图4所示，发光二极管02的切面的外围轮廓所构成的等腰梯形中，等腰梯形的腰与上底的夹角为第一夹角θ，并且第一夹角θ满足，40°≤θ≤60°，即发光二极管02的侧壁与上表面之间的夹角为第一夹角θ，并且第一夹角θ满足，40°≤θ≤60°。

当发光二极管02为倒梯形结构且保护层04为光反射层时，如图2所示，假设入射至发光二极管02侧壁的光线与发光二极管02上表面的法线方向之间的夹角为η且由侧壁上的保护层04反射回的光线与显示面板出光面的法线方向平行，那么，2θ+η＝180°。即，当需要将发光二极管02发射的且与显示面板出光面的法线方向之间的夹角接近η的光线基本准直出射时，则由2θ+η＝180°这一关系式，根据预计的出光效率确定基本确定发光二极管02的侧壁与下表面之间第一夹角θ的值。当θ＝40°时，η＝100°，也就是，当入射至发光二极管02的侧壁且与显示面板基本平行的光在出射时，该些光线与显示面板出光面的法线方向之间的夹角较小；当θ＝60°时，η＝60°，也就是，当入射至发光二极管02的侧壁且与显示面板出光面法线方向之间夹角小于60°的光在出射时，该些光线与显示面板出光面的法线方向之间的夹角较小。

请继续参考图1，相邻的发光二极管02之间可以设置平坦层05，平坦层05用于填充相邻设置的发光二极管02之间的区域，也可以填充发光二极管02所在区域的空隙，从而可以得到平坦的表面。平坦层05可以由透明有机材料制成，也可以由黑色有机材料制成。当相邻发光二极管02之间设置黑色平坦层05时，可以阻挡相邻发光二极管02发射的光线之间的串扰；此外，黑色的平坦层05也可以降低发光二极管显示面板出光面一侧的光的反射，特别适用于发光二极管显示面板的上表面未设置偏光片的情形。当相邻发光二极管02之间设置透明平坦层05时，显示面板还包括设置在平坦层远离衬底基板01一侧的遮光层，遮光层包括遮光部和透光部，透光部位于遮光部之间；沿显示面板的厚度方向，遮光部覆盖平坦层，也就是遮光部位于相邻的发光二极管02之间，可以阻挡相邻发光二极管02发射的光线之间的串扰。

图5为本申请实施例提供的另一种显示面板的示意图，图6为本申请实施例提供的一种表面层的示意图。如5所示，各发光二极管02的上表面远离衬底基板01的一侧均设置有表面层06，表面层06可以破坏全反射、减少菲涅尔反射。如图5所示，表面层06包括锥形结构层，锥形结构层包括多个周期性均匀排列的锥形结构，并且锥形结构的高垂直于发光二极管02的出光面并且锥形结构的顶端位于底端远离衬底基板01的一侧。在本申请的实施例中，表面层06的锥形结构可以起到周期性光栅的作用，周期性光栅提供平行于光栅表面且与入射角度大于全反射临界角的光线相匹配的波矢，进而破坏了全反射作用，增大出射光的能量。

在本申请的实施例中，锥形结构的周期可以为0.5μm～5μm，锥形结构的高度可以为0.2μm～5μm，一方面可以保证锥形结构的制备工艺易于实现，另一方面保证锥形结构增大出射光的效果明显。

此外，一个发光二极管02对应的锥形结构中，相邻的锥形结构的底面均基本无间隙的紧密排布，且锥形结构的顶端尽量尖锐，以增强锥形结构增加透过率的功能。

在一种实现方式中，锥形结构的形成过程可以为，直接对发光二极管02中靠近出光面一侧的第一半导体层21的上表面进行化学蚀刻或者干法蚀刻，也就是，锥形结构可以与第一半导体层21为一体结构。在另一种实现方式中，锥形结构的形成过程也可以为，在发光二极管02的出光面制作绝缘层，然后对绝缘层进行化学蚀刻或者干法蚀刻，也就是，锥形结构与第一半导体层21可以为不同的膜层。

在本申请的一个实施例中，锥形结构的上表面还可以包括减反射膜，进一步提高发光二极管的出光效率并减少外界光在出光面的发射。

在本申请的一个实施例中，如图5所示，多个锥形结构中包括第一锥形结构61、第二锥形结构62及第三锥形结构63，其中，第一锥形结构61、第二锥形结构62及第三锥形结构63分别设置在第一颜色发光二极管02a、第二颜色发光二极管02b和第三颜色发光二极管02c上。

如图6所示，第一锥形结构61的高为H1，底面直径为D1；第二锥形结构62的高为H2，底面直径为D2；第三锥形结构63的高为H3，底面直径为D3；其中，H1/D1≤H2/D2，且H1/D1≤H3/D3。在本申请的实施例中，第一颜色发光二极管02a中半导体材料对第一颜色光的吸收效率大于第二颜色发光二极管02b中半导体材料对第二颜色光的吸收效率，并大于第三颜色发光二极管02c的半导体材料对第三颜色光的吸收效率。

第一锥形结构61与第二锥形结构62/第三锥形结构63的折射率相同，则第一锥形结构61与第二锥形结构622及第三锥形结构63的表面对应的全反射临界角相同，如图6所示，入射光线L1’、L2’及L3’各自与发光二极管02出光面的法线方向之间的夹角相等，但是由于第一锥形结构61侧面的法线方向相对于第二锥形结构62/第三锥形结构63侧面的法线方向更靠近发光二极管02上表面的法线方向，则入射光线L2’的角度在第二锥形结构62的侧表面达到全反射临界角时，或入射光线L3’的角度在第三锥形结构63的侧表面达到全反射临界角时，入射光线L1’的角度在第一锥形结构61的侧表面仍未达到全反射临界角。则入射光线L1’射出第一锥形结构61形成出射光线l1’，而入射光线L2’及L3’被反射后形成反射光线l2’及l3回到发光二极管02内重新被反射、折射或吸收。通过将第一锥形结构61的高与底面直径的比值设置的小于第二锥形结构62的高与底面直径的比值，并且小于第三锥形结构63的高与底面直径的比值，可以提高第一颜色光的一次透过率，避免过多的第一颜色光被全反射后进一步被吸收，从而提高第一颜色光的出光效率。

请继续参考图6，入射光线L1的折射光线为l1，入射光线L2的折射光线为l2，入射光线L3的折射光线为l3。入射光线L1、L2及L3各自与发光二极管02出光面的法线方向之间的夹角相等，则入射光线L2与第二锥形结构62侧面的法线之间的夹角大于入射光线L1与第一锥形结构61侧面的法线之间的夹角，入射光线L3与第三锥形结构63侧面的法线之间的夹角大于入射光线L1与第一锥形结构61侧面的法线之间的夹角。那么，折射光线l2与第二锥形结构62侧面的法线之间的夹角也大于折射光线l1与第一锥形结构61侧面的法线之间的夹角，折射光线l3与第三锥形结构63侧面的法线之间的夹角也大于折射光线l1与第一锥形结构61侧面的法线之间的夹角。则折射光线l2与l3与发光二极管02上表面的法线之间的夹角小于折射光线l1与发光二极管02出光面的法线之间的夹角，则说明第二锥形结构62及第三锥形结构63将大角度光转换为小角度光的功能优于第一锥形结构61。

由上述分析可以得出，通过调整第一锥形结构61、第二锥形结构62及第三锥形结构63的侧面倾斜角度，进而可以平衡三者对光的一次透过率及大角度光转换率，进而平衡不同颜色发光二极管02的发光亮度。在本申请的一个实施例中，H1/D1<0.3，H2/D2>0.25，H3/D3>0.25。

在一种实现方式中，锥形结构的底面直径可以根据其对应的出射光的颜色确定，如第一颜色光的波长为λ1、第二颜色光的波长为λ1、第二颜色光的波长为λ3，则第一锥形结构61的底面直径D1＞2λ1、第二锥形结构62的底面直径D2＞2λ2，第三锥形结构63的底面直径D3＞2λ3。

在一种可替换方式中，表面层06可以包括多层增透膜，例如，如表2所示，表面层06可以由层叠设置的膜层三、膜层四和膜层五构成的增透膜，膜层三为低折射率的MgF₂层，膜层四为高折射率的GaN层，膜层五为中折射率的TiO₂层，MgF₂层的折射率为1.38且厚度为1/4λ，GaN层的折射率为2.45且厚度为1/2λ，TiO₂层的折射率为2.2且厚度为1/4λ。其中，λ可以为各发光二极管02所发射的光的波峰对应的波长，即各颜色发光二极管02对应各自特定的且膜层三、膜层四、膜层五厚度稍有不同的表面层06；λ也可以为显示面板所发射的光的波峰对应的波长，例如λ可以为0.5μm，则各颜色发光二极管02对应的表面层06均相同且可以同时制备。在本申请的一个实施例中，表面层06为多层增透膜时，其所包括的膜层三、膜层四及膜层五可以均为5层～30层，优选地，可以为10层～15层。

表2

膜层	材料	折射率	厚度
				膜层三	MgF2	1.38	1/4λ
膜层四	GaN	2.45	1/2λ
				膜层五	TiO2	2.2	1/4λ

图7为本申请实施例提供的一种表面层的透过率曲线图，具体地，图7为表2所示表面层06的透过率曲线图。由图7可以看出，当表面层06的结构为表2所示时，表面层06对偏振方向不同的P光和S光的透过效果相同，且表面层06对波长在0.4μm-0.7μm之间的入射光的透过率为96％以上，对波长在0.5μm附近的入射光的透光率基本达到100％。需要说明的是，多层增透膜对光的透过率效果越好，则对光的反射效果越差。因此，表面层06为多层增透膜时，既可以保证发光二极管02的光透过率，又可以减少外界光在发光二极管02出光面的反射。

在一种可替换方式中，表面层06可以包括低折射率绝缘膜层，如SiO₂层。则表面层06可以对位于其下方的发光二极管02进行保护，同时可以减小全反射作用以提高光透过率。

在一种可替换方式中，表面层可以包括部分反射层，如可以为谐振腔层，减少显示面板出光面位置的光的反射。

在本申请的一个实施例中，表面层06也可以为上述实现方式中提供的锥形结构层、多层增透膜、低折射率绝缘膜层以及部分反射层中的至少两者的组合。

图8为本申请实施例提供的另一种发光二极管的示意图，图9为本申请实施例提供的又一种发光二极管的示意图。在本申请的另一个实施例中，如图8及图9所示，本申请还提供另一种显示面板，本申请实施例提供的显示面板与上一实施例提供的显示面板的不同之处在于，发光二极管02为正梯形结构，即发光二极管02中上表面的面积小于下表面的面积。其中，发光二极管02的上表面与显示面板的出光面也平行，通常发光二极管02的上表面发射的光向显示面板的出光面发射，由于发光二极管02的上方通常还会设置其他膜层结构，如保护层等，则通常发光二极管02上方所有膜层的最上方的表面可以看做是显示面板的出光面。

如图8及图9所示，当发光二极管02为正梯形结构时，沿显示面板的厚度方向，发光二极管02的切面的外围轮廓也可以为等腰梯形，并且等腰梯形的底边与衬底基板01平行，则可以保证发光二极管02靠近显示面板出光面一侧的出光均一性。如图8-图9所示，发光二极管02的切面的外围轮廓所构成的等腰梯形中，等腰梯形的腰与下底的夹角为第一夹角θ，并且第一夹角θ满足，40°≤θ≤60°，即发光二极管02的侧壁与下表面之间的夹角为第一夹角θ，并且第一夹角θ满足，40°≤θ≤60°。则由发光二极管02射出或者经发光二极管02下方的反射层07反射且与发光二极管02中上表面的法线方向之间夹角在45°以内的光线出射时，该些光线与显示面板出光面的法线方向之间的夹角较小。

如图8及图9所示，假设由发光二极管02射出且与发光二极管02上表面法线方向之间夹角为δ的光线垂直出射，根据几何定理及折射率定律，n1*sinθ＝n2*sin(θ-δ)，其中，n1为发光二极管02外界的折射率，n2为发光二极管02的折射率，将n1设定为空气的折射率，即n1＝1，则δ＝θ-arc[(sinθ)/n2]。

以蓝色发光二极管及绿色发光二极管为例进行说明，则n2＝2.45。当第一夹角θ＝40°时，δ＝25°，也就是说，蓝色发光二极管及绿色发光二极管对应的第一夹角θ＝40°时，与显示面板出光面法线方向之间夹角在25°左右的光线基本可以垂直出射。当第一夹角θ＝60°时，δ＝39°，也就是说，蓝色发光二极管及绿色发光二极管对应的第一夹角θ＝60°时，与显示面板出光面法线方向之间夹角在39°左右的光线基本可以垂直出射。

以红色发光二极管为例进行说明，则n2＝3.3。当第一夹角θ＝40°时，δ＝29°，也就是说，红色发光二极管对应的第一夹角θ＝40°时，与显示面板出光面法线方向之间夹角在29°左右的光线基本可以垂直出射。当第一夹角θ＝60°时，δ＝45°，也就是说，红色发光二极管对应的第一夹角θ＝60°时，与发光二极管出光面法线方向之间夹角在45°左右的光线基本可以垂直出射。

当发光二极管02为正梯形结构时，保护层04可以为低折射率层，进而可以缩小由发光二极管02出射的光线与显示面板出光面法线方向之间的夹角，也就是增加由发光二极管02出射的光线的准直性，从而进一步提升发光二极管02的出光效率，提高显示面板的显示亮度。当发光二极管02为正梯形结构时，保护层04也可以为增透膜，进而可以提高发光二极管02的出光效率，进而提高显示面板的显示亮度。

在本实施例中，显示面板也可以包括与上一实施例中相同的平坦层及表面层。

图10为本申请实施例提供的一种显示装置的示意图，图11为本申请实施例提供的一种增强型偏光片模组的光路示意图。如图10所示，本申请实施例提供的增强型偏光片模组002可以应用于是上述任意一个实施例提供的显示面板001。

请结合图10及图11本申请实施例提供的增强型偏光片模组包括线偏振片201、偏振反射片202及1/4波片203。其中，线偏振片201可以允许一个偏振方向的光通过且吸收另一个偏振方向的光，偏振反射片202可以允许一个偏振方向的光通过且反射另一个偏振方向的光，1/4波片可以将线偏振光变为圆偏振光/椭圆偏振光或者将圆偏振光/椭圆偏振光变为线偏振光。

在本申请的一个实施例中，如图10所示，增强型偏光片模组002中的偏光片201、反射片202及1/4波片203设置在显示面板001的出光面一侧，且由远离显示面板001出光面到靠近显示面板001出光面的方向依次设置。以下结合图11，分别针对增强型偏光片模组002的减反光路S1和发光光路S2对增强型偏光片模组002的工作远离进行说明。需要说明的是，减反光路S1为本实施例中增强型偏光片模组002减弱由外界射入的显示面板001的光在显示面板001出光面一侧发生反射现象的光路；发光光路S2为本实施例中显示面板001出光面经过增强型偏光片模组002时的光路。

由图11的减反光路S1所示，由外界向显示面板001出光面一侧入射的光线包括P光和S光并首先经过增强型偏光片模组002的线偏振片201；当外界向显示面板001出光面一侧入射的光线经过线偏振片201时，S光被线偏振片201吸收，而P光通过线偏振片201并且入射至偏振反射片202；P光通过偏振反射片202并且入射至1/4波片203；P光经过1/4波片203后变为圆偏振光或者椭圆偏振光，并入射至显示面板001；入射至显示面板001的圆偏振光或者椭圆偏振光，部分被吸收或由显示面板001出光面一侧射出，部分被反射回增强型偏光片模组002。由显示面板001反射至增强型偏光片模组002的圆偏振光或者椭圆偏振光首先经过1/4波片203变为S光；经过1/4波片203形成的S光入射至偏振反射片202时重新被反射回1/4波片203并变为圆偏振光或者椭圆偏振光，并重新入射至显示面板001；再次入射至显示面板001的圆偏振光或者椭圆偏振光，部分被吸收或由显示面板001出光面一侧射出，部分被反射回增强型偏光片模组002。由显示面板001再次反射至增强型偏光片模组002的圆偏振光或者椭圆偏振光首先经过1/4波片203变为P光入射至偏振反射片202；入射至偏振反射片202的P光通过偏振反射片202后入射至线偏振片201并最终出射。

由图11的发光光路S2所示，由显示面板001出光面一侧发射的光线经过1/4波片203入射至偏振反射片202时，P光通过偏振反射片202并入射至线偏振片201后射出，S光被反射回1/4波片203；S光经过1/4波片203变为圆偏振光或者椭圆偏振光并入射至显示面板001；入射至显示面板001的圆偏振光或者椭圆偏振光，部分被吸收或由显示面板001出光面一侧射出，部分反射回增强型偏光片模组002。由显示面板001反射至增强型偏光片模组002的圆偏振光或者椭圆偏振光首先经过1/4波片203变为P光；经过1/4波片203形成的P光入射并通过偏振反射片202，继而入射至线偏振片201并通过。简言之，显示面板001出光面一侧发射的光线，经过1/4波片203后再经过偏振反射片202后，一个偏振方向的光被反射，另一个偏振方向的光被透射；透射的光线无损经过线偏振片201出射；被反射的光线为线偏振光，进入显示面板001后再次出射，经过1/4波片203后偏振方向旋转90°，可以无损透过偏振反射片202和线偏振片201并出射。

由上述分析可知，本实施例提供的增强型偏光片模组002中的线偏振片201与偏振反射片202是配合使用的，具体体现为两者允许通过的光的偏振方向相同。也就是说，以上对减反光路S1和发光光路S2的分析是以增强型偏光片模组002中的线偏振片201及偏振反射片202允许P光为例进行说明的，在本申请的另一个可替换的实施例中，增强型偏光片模组002中的线偏振片201及偏振反射片202也可以允许S光通过。

在一种实现方式中，偏振反射片202可以由多层折射特性不同的膜层堆叠形成，具体地，由多层双折射膜和多层各向同性膜交替层叠形成，其中，双折射膜层对P光和S光的折射率不同，各向同性膜对P光和S光的折射率相同，并且各向同性膜与双折射膜对P光或者S光的折射率相同。例如，各向同性膜与双折射膜对P光的折射率相同，则P光入射偏振反射片202后可以几乎无损地通过，而S光入射偏振反射片202后会发生全反射。其中，双折射膜层可以将有机膜进行拉伸比不同的双向拉伸形成，有机膜具体可以采用涤纶树脂(polyethyleneterephthalate，PET)；双折射膜层也可以采用双折射晶体材料制成，如云母或者方解石等。

在一种实现方式中，偏振反射片202也可以由壳-芯结构膜层堆叠形成。具体地，壳-芯结构膜层中的壳对P光和S光的折射率相同，例如可以采用压克力树脂(polymethylmethacrylate，PMMA)并且对P光和S光的折射率均为1.53；壳-芯结构膜层中的芯对P光和S光的折射率不同，例如采用苯乙烯-丁乙烯并且对P光的折射率为1.53、对S光的折射率为1.68。该结构的偏振反射原理与上一实现方式相同，在此不再赘述。

在一种实现方式中，偏振反射片202可以采用一维高折射率光栅。偏振方向不同的P光和S光与光栅的长边方向之间的角度不同，其各自的反射率不同。例如，当P光与光栅的长边方向垂直时，其反射率几乎为零，则P光的透过率几乎为100％；当S光与光栅的长边方向平行时，其反射率几乎接近100％，则S光的透过率几乎为零。具体地，一维折射率光栅的周期为330nm，光栅的高度为70nm，各光透过部的宽度为66nm。

在现有技术中，通常会在显示面板001的出光面一侧设置线偏振片以吸收外界向显示面板的某个偏振方向的光，从而减弱由显示面板001出光面反射的光线能量，达到减弱反射的效果。但是现有技术中仅通过线偏振片来减反射的结构，仅削减了一个偏振方向的光的反射现象，因此减反射的效果有限；由于线偏振片的存在使得显示面板的出光能量也减少了近一半。

而由上述减反光路S1分析可知，本申请实施例提供的增强型偏光片模组002可以通过线偏振201吸收一个偏振方向的光，并且偏振反射片202与1/4波片203配合使用可以将另一个偏振方向且被显示面板001反射的光仍然被增强型偏光片模组002反射回显示面板001，因此，本申请实施例提供的增强型偏光片模组002可以明显减弱显示面板001出光面的反射现象。此外，本申请实施例提供的增强型偏光片模组002可以允许显示面板001发射的一个偏振方向的光直接通过，并且偏振反射片202与1/4波片203配合使用可以将另一个偏振方向的光转换为线偏振片201允许通过的光的偏振方向并通过增强型偏光片模组002，因此，本申请实施例提供的增强型偏光片模组002可以明显增强显示面板001发射的光线的出光量。

图12为本申请实施例提供的另一种显示装置的示意图。如图12所示，本实施例提供的增强型偏光片模组002还包括设置在线偏振片201靠近1/4波片的一侧的滤光层204。需要说明的，滤光层204可以设置在线偏振片201与1/4波片之间，也可以设置在1/4波片远离线偏振片201之间。滤光层204可以允许特定波长范围的光通过，并且吸收其他波长范围的光。在增强型偏光片模组002中设置滤光层204，当外界光入射至显示面板001出光面时，过滤光层204被吸收掉一部分，则被显示面板出光面一侧的反射的光线明显减少，进而增强减反效果。

在本实施例的一种实现方式中，滤光层204包括多个色阻。色阻可以包括允许特定颜色对应波长的光，并吸收其他波长范围内的光。当显示面板001中包括第一颜色发光二极管02a、第二颜色发光二极管02b和第三颜色发光二极管02c时，多个色阻可以包括分别与第一颜色发光二极管02a、第二颜色发光二极管02b及第三颜色发光二极管02c对应的第一颜色色阻204a、第二颜色色阻204b及第三颜色色阻204c。其中，第一颜色色阻204a可以设置在第一颜色发光二极管02a上并允许第一颜色发光二极管02a发射的第一颜色光通过而吸收其他颜色光，第二颜色色阻204b可以设置在第二颜色发光二极管02b上并允许第二颜色发光二极管02b发射的第二颜色光通过而吸收其他颜色光，第三颜色色阻204c可以设置在第三颜色发光二极管02c上并允许第三颜色发光二极管02c发射的第三颜色光通过而吸收其他颜色光，第一颜色光、第二颜色光及第三颜色光的波长各不相同。

另外，滤光层204还可以包括黑矩阵204’，色阻设置在黑矩阵204’之间，黑矩阵204’可以吸光，避免相邻像素间光的串扰。

当增强型偏光片模组002中的滤光层204包括色阻时，外界光入射至显示面板001入光面时，则显示面板001对应第一颜色发光二极管02a的位置仅能接收第一颜色光，显示面板001对应第二颜色发光二极管02b的位置仅能接收第二颜色光，显示面板001对应第三颜色发光二极管02c的位置仅能接收第三颜色光。也就是，通过在增强型偏光片模组002中的色阻，增强型偏光片模组002吸收了各像素对应颜色之外的其他颜色光，也就有更少的外界光能够到达显示面板001的出光面，则被显示面板001反射的光也就相应减少。

图13为本申请实施例提供的另一种增强型偏光片模组的光路示意图，图13所示光路与图11所示光路的光线的传播基本相同，不同之处仅在于，无论是减反光路S1还是发光光路S2，经过滤光层204中的色阻的光仅是特定颜色的光，其他颜色的光被色阻吸收。

以下结合图13对本申请实施例提供的增强型偏光片模组的减反光路S1的反射率及发光光路S2的透射率进行说明。假设，滤光层204的透过率为T₀、显示面板001的透过率为T₁、线偏振片201的透过率为T₂、1/4波片203的透过率为T₄、发光二极管02对应的开口率为A，外界入射光的光强为I、显示面板001产生的光的光强为I’。

则在减反光路S1中，发生一次反射的光强为I₁＝T₂*I*(T₀*T₁)⁴，因此，反射率为R＝I₁/I＝T₂*(T₀*T₁)⁴*A。在发光光路S2中，显示面板001产生并经由增强型偏光片模组002射出的光的光强为I₁’＝I’*T₀*T₄+I’*T₀*(1-T₄)*(T₀*T₁)²，因此，透光率为M＝I1’/I＝T₀*T₄+T₀*(1-T₄)*(T₀*T₁)²。

在本申请的一个实施例中，增强型偏光片模组002中各功能膜层的相关参数分别为，T₀＝90％、T₁＝90％、T₂＝40％、T₄＝50％、A＝20％。则采用本申请实施例的增强型偏光片模组001对应的显示装置的反射率R＝1.48％，透光率为M＝74.5％。而若增强型偏光片模组002中不采用反射偏光片202，则对应的反射率R＜5％，出光效率M＝40％。

当第一颜色发光二极管02a为红色发光二极管时，红色发光二极管02a中的材料自身具有较强的光吸收特性，也就是，第一颜色发光二极管02a相对于其他颜色发光二极管02的出光效率较低，则可以将红色发光二极管对应的透过率T₁较小。则可以适当提高可以适当提高滤光层204中第一颜色色阻204a对应的透过率T₀或者取消第一颜色色阻204a。当第一颜色色阻204a为红色色阻且对应的透过T0相对于其他色阻更高或者取消第一颜色色阻204a时，则可以平衡不同颜色发光二极管02对应的反射率及透过率，从而实现显示亮度均一性。

在本申请的一个实施例中，色阻可以替换为量子点转换层，并且第一颜色发光二极管02a对应第一颜色量子点转换层、第二颜色发光二极管02b对应第二颜色量子点转换层、第三颜色发光二极管02c对应第三颜色量子点转换层。在一种可替换方式中，可以仅设置与第二颜色发光二极管02b对应第二颜色量子点转换层、与第三颜色发光二极管02c对应第三颜色量子点转换层，而不设置第一颜色量子点转换层。

本申请实施例还提供一种显示装置，如图10及图12所示，包括上述任意一个实施例提供的增强型偏光片模组002，此外，还可以包括上述任意一个实施例提供的显示面板001。该增强型偏光片模组002设置在显示面板001的出光面远离衬底基板01的一侧，并且1/4波片设置在偏振反射片202靠近显示面板001的一侧。

本实施例中，如图12所示，增强型偏光片模组002中还包括滤光层204，滤光层204设置在线偏振片201与显示面板之间。在一种实现中，滤光层204可以位于偏振反射片202与1/4波片203之间；在另一种实现方式中，滤光层204可以位于线偏振片201与偏振反射片202之间；在再一种实现方式中，滤光层204可以位于1/4波片203与显示面板001之间。

显示面板中，多个发光二极管02包括第一颜色发光二极管02a、第二颜色发光二极管02b和第三颜色发光二极管02c；第一颜色发光二极管02a中半导体材料对第一颜色光的吸收效率大于第二颜色发光二极管02b中半导体材料对第二颜色光的吸收效率，并大于第三颜色发光二极管02c的半导体材料对第三颜色光的吸收效率；滤光层204包括第二颜色色阻204b及第三颜色色阻204c，第二颜色色阻204b允许第二颜色光通过、而吸收除第二颜色光之外的其他颜色光，第三颜色色阻204c允许第三颜色光通过、而吸收除第三颜色光之外的其他颜色光；第二颜色光和第三颜色光的波长各不相同，且第二颜色色阻204b、第三颜色色阻204c分别与第二颜色发光二极管02a、第三颜色发光二极管02c对应设置。

第一颜色发光二极管02的上方可以设置第一颜色色阻204a，也可以不设置色阻。但第一颜色发光二极管上方设置第一颜色色阻204a时，第一颜色色阻204a允许第一颜色光通过、而吸收除第一颜色光之外的其他颜色光。第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光的波长各不相同，且第一颜色色阻204a的透过率大于第二颜色色阻204b的透过率，且大于第三颜色色阻204c的透过率。

本申请实施例提供的显示装置的制备方法具体包括：

制备显示面板，其中，显示面板具体可以为发光二极管；

制备增强型偏光片模组，并且增强型偏光片模组设置在显示面板出光面远离衬底基板01的一侧。

在本申请的一个实施例中，制备增强型偏光片模组的具体方法包括，在线偏振片201上贴附偏振反射片202，在偏振反射片202上制备1/4波片203；将层叠设置的线偏振片201、偏振反射片202及1/4波片203贴附在显示面板出光面远离衬底基板01的一侧。其中，线偏振片201与偏振反射片202允许通过的光的偏振方向相同。

在本申请的一个实施例中，制备增强型偏光片模组的具体方法包括，在线偏振片201上贴附偏振反射片202，在显示面板出光面的一侧制备1/4波片203；将层叠设置的线偏振片201及偏振反射片202贴附在1/4波片203远离显示面板的一侧。其中，线偏振片201与偏振反射片202允许通过的光的偏振方向相同。

在本申请的一个实施例中，制备增强型偏光片模组的具体制备方法包括，在显示面板出光面的一侧制备1/4波片203，并在1/4波片203远离显示面板的一侧设置偏振反射片202；将线偏振片201设置在偏振反射片202远离显示面板的一侧。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (20)

1.一种显示面板，其特征在于，包括，

衬底基板；

多个发光二极管，所述发光二极管设置在所述衬底基板上；

保护层，所述保护层覆盖所述发光二极管的侧壁，并且所述保护层为光反射层；

表面层，所述表面层设置在所述发光二极管的上表面远离所述衬底基板的一侧；所述表面层用于提高所述发光二极管所发射光的光透过率；所述表面层包括锥形结构层，所述锥形结构层包括多个锥形结构，所述锥形结构的高垂直于所述发光二极管的出光面，并且锥形结构的顶端位于底端远离所述衬底基板的一侧；

其中，所述发光二极管中包含相对设置且平行的上表面和下表面，所述上表面及所述下表面均与所述衬底基板平行，且所述上表面相对于所述下表面更靠近所述显示面板的出光面；其中，所述上表面的面积大于下表面的面积；

所述多个发光二极管包括第一颜色发光二极管、第二颜色发光二极管；所述第一颜色发光二极管中半导体材料对第一颜色光的吸收效率大于所述第二颜色发光二极管中半导体材料对第二颜色光的吸收效率，所述第一颜色光、所述第二颜色光的波长各不相同；

所述多个锥形结构包括第一锥形结构、第二锥形结构，所述第一锥形结构位于所述第一颜色发光二极管上，所述第二锥形结构位于第二颜色发光二极管上；所述第一锥形结构的高与底面直径的比值小于所述第二锥形结构的高与底面直径的比值。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿所述显示面板的厚度方向，所述发光二极管的切面的外围轮廓为等腰梯形，所述等腰梯形的上底与所述衬底基板平行，并且所述等腰梯形的腰与所述上底之间的夹角为第一夹角θ，40°≤θ≤60°。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，相邻的所述发光二极管之间还设置有平坦层，所述平坦层由黑色有机材料制成。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，相邻的所述发光二极管之间还设置有平坦层，所述平坦层由透明有机材料制成；

所述显示面板还包括遮光层，所述遮光层包括遮光部和透光部，所述透光部位于所述遮光部之间；沿所述显示面板的厚度方向，所述遮光部覆盖所述平坦层。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述表面层还包括多层增透膜、低折射率绝缘膜层中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述多个发光二极管包括第三颜色发光二极管；所述第一颜色发光二极管中半导体材料对第一颜色光的吸收效率大于所述第三颜色发光二极管的半导体材料对第三颜色光的吸收效率；所述第一颜色光、所述第二颜色光和所述第三颜色光的波长各不相同；

所述多个锥形结构包括第三锥形结构，所述第三锥形结构位于第三颜色发光二极管上；

所述第一锥形结构的高与底面直径的比值小于第三锥形结构的高与底面直径的比值。

7.一种显示面板，其特征在于，包括，

衬底基板；

多个发光二极管，所述发光二极管设置在所述衬底基板上；

保护层，所述保护层覆盖所述发光二极管的侧壁，并且所述保护层为低折射率层、增透膜中的至少一者；

表面层，所述表面层设置在所述发光二极管的上表面远离所述衬底基板的一侧，所述表面层用于提高所述发光二极管所发射光的光透过率；所述表面层包括锥形结构层，所述锥形结构层包括多个锥形结构，且锥形结构的高垂直于所述发光二极管的出光面，并且锥形结构的顶端位于底端远离所述衬底基板的一侧；

其中，所述发光二极管中包含相对设置且平行的上表面和下表面，所述上表面及所述下表面均与所述衬底基板平行，且所述上表面相对于所述下表面更靠近所述显示面板的出光面；其中，所述上表面的面积小于所述下表面的面积；

所述多个发光二极管包括第一颜色发光二极管、第二颜色发光二极管；所述第一颜色发光二极管中半导体材料对第一颜色光的吸收效率大于所述第二颜色发光二极管中半导体材料对第二颜色光的吸收效率，所述第一颜色光、所述第二颜色光的波长各不相同；

所述多个锥形结构包括第一锥形结构、第二锥形结构，所述第一锥形结构位于所述第一颜色发光二极管上，所述第二锥形结构位于第二颜色发光二极管上，所述第一锥形结构的高与底面直径的比值小于所述第二锥形结构的高与底面直径的比值。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，沿所述显示面板的厚度方向，所述发光二极管的切面的外围轮廓为等腰梯形，所述等腰梯形的下底与所述衬底基板平行，并且所述等腰梯形的腰与所述下底之间的夹角为第一夹角θ，40°≤θ≤60°。

9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，相邻的所述发光二极管之间还设置有平坦层，所述平坦层由黑色有机材料制成。

10.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，相邻的所述发光二极管之间还设置有平坦层，所述平坦层由透明有机材料制成；

所述显示面板还包括遮光层，所述遮光层包括遮光部和透光部，所述透光部位于所述遮光部之间；沿所述显示面板的厚度方向，所述遮光部覆盖所述平坦层。

11.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述表面层还包括多层增透膜、低折射率绝缘膜层中的至少一者。

12.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述多个发光二极管包括第三颜色发光二极管；所述第一颜色发光二极管中半导体材料对第一颜色光的吸收效率大于所述第三颜色发光二极管的半导体材料对第三颜色光的吸收效率；所述第一颜色光、所述第二颜色光和所述第三颜色光的波长各不相同；

所述多个锥形结构包括第三锥形结构，所述第三锥形结构位于第三颜色发光二极管上；

所述第一锥形结构的高与底面直径的比值小于第三锥形结构的高与底面直径的比值。

13.一种增强型偏光片模组，其特征在于，包括线偏振片、偏振反射片及1/4波片，所述偏振反射片设置在所述线偏振片与所述1/4波片之间，且所述线偏振片与所述偏振反射片允许同一偏振方向的光通过；

所述增强型偏光片模组用于提高显示面板的出光率，所述增强型偏光片模组包括滤光层，所述增强型偏光片模组对第一颜色光的光透过率大于对第二颜色光的光透过率。

14.根据权利要求13所述的增强型偏光片模组，其特征在于，还包括滤光层，所述滤光层设置于所述线偏振片靠近所述1/4波片的一侧。

15.根据权利要求14所述的增强型偏光片模组，其特征在于，

所述滤光层包括第二颜色色阻及第三颜色色阻，所述第二颜色色阻允许第二颜色光通过、而吸收除所述第二颜色光之外的其他颜色光，所述第三颜色色阻允许第三颜色光通过、而吸收除所述第三颜色光之外的其他颜色光；

所述第二颜色光和所述第三颜色光的波长各不相同。

16.根据权利要求15所述的增强型偏光片模组，其特征在于，

所述滤光层还包括第一颜色色阻，所述第一颜色色阻允许第一颜色光通过、而吸收除所述第一颜色光之外的其他颜色光；

所述第一颜色光、所述第二颜色光和所述第三颜色光的波长各不相同。

17.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-12任意一项所述的显示面板及权利要求13-16任意一项所述的增强型偏光片模组，所述增强型偏光片模组设置在所述显示面板的出光面远离所述衬底基板的一侧，并且所述1/4波片设置在所述偏振反射片靠近所述显示面板的一侧。

18.根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于，所述增强型偏光片模组还包括滤光层，所述滤光层设置在所述线偏振片与所述显示面板之间。

19.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于，所述多个发光二极管包括第一颜色发光二极管、第二颜色发光二极管和第三颜色发光二极管；所述第一颜色发光二极管中半导体材料对第一颜色光的吸收效率大于所述第二颜色发光二极管中半导体材料对第二颜色光的吸收效率，并大于所述第三颜色发光二极管的半导体材料对第三颜色光的吸收效率；

所述滤光层包括第二颜色色阻及第三颜色色阻，所述第二颜色色阻允许第二颜色光通过、而吸收除所述第二颜色光之外的其他颜色光，所述第三颜色色阻允许第三颜色光通过、而吸收除所述第三颜色光之外的其他颜色光；

所述第二颜色光和所述第三颜色光的波长各不相同，且所述第二颜色色阻、所述第三颜色色阻分别与所述第二颜色发光二极管、所述第三颜色发光二极管对应设置。

20.根据权利要求19所述的显示装置，其特征在于，所述滤光层还包括第一颜色色阻，所述第一颜色色阻允许第一颜色光通过、而吸收除所述第一颜色光之外的其他颜色光；

所述第一颜色光、所述第二颜色光和所述第三颜色光的波长各不相同；且所述第一颜色色阻的透过率大于所述第二颜色色阻的透过率，且大于所述第三颜色色阻的透过率。