JP2005008872A - 発光装置及び蛍光体 - Google Patents
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Abstract
Description
即ち、本発明の目的は、耐久性に優れた希土類元素イオン錯体を含有する蛍光体、特に、Eu錯体を含有する赤色蛍光体を用いて、高強度の発光を発生する発光装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、高強度の発光を発生する発光装置に使用する蛍光体を提供することにある。
更に、ブレンステッド酸イオンは、カルボン酸又はスルホン酸であることが好ましく、希土類元素イオン錯体は、ユーロピウム錯体又はテルビウム錯体であることが好ましい。
図1は、本実施の形態における発光装置を説明するための図である。図1に示された発光装置10は、ブランケット18と、ブランケット18に取り付けられたマウントリード13及びインナーリード14と、ブランケット18の下部に取り付けられ、マウントリード13及びインナーリード14と導通する電気接点19と、マウントリード13上部のカップ内に収納された半導体発光素子11と、バインダー樹脂中に蛍光体が混合分散され半導体発光素子11を覆うように設けられた蛍光体層12と、インナーリード14と半導体素子11とを導通する導電性ワイヤ15と、半導体素子11とマウントリード13とを導通する導電性ワイヤ16と、ブランケト18の上部にエポキシ樹脂等によりドーム型に形成され、これらの半導体発光素子11、蛍光体層12、マウントリード13、インナーリード14、導電性ワイヤ15及び導電性ワイヤ16を封止する封止樹脂部17と、を有する。
pKa値が7以下の芳香族環を有するブレンステッド酸の代表例は、カルボン酸、スルホン酸、スルフィン酸、ホスフィン酸である。一般式(1)において、Qが炭素原子の場合、a=1、p=0となり、カルボン酸となる。Qが硫黄原子の場合はa=1となり、p=0のときがスルフィン酸、p=1のときがスルホン酸である。Qが燐原子のときは、a=2、p=0のホスフィン酸となる。
これらのうち、カルボン酸とスルホン酸が合成の自由度や安定性の面から好ましい。カルボン酸は発光強度の大きな錯体が得られやすく、スルホン酸は励起波長が長波長化した錯体が得られやすい特長を有している。
A3LDr (5)
(一般式(5)中、Aは、互いに異なっていてもよい前述した一般式(2)で表されるブレンステッド酸イオンであり、Lは、希土類元素イオンであり、Dは、ルイス塩基からなる補助配位子であり、rは、0、1又は2である。)
本実施の形態において使用する希土類元素イオン錯体の化合物は、通常、常温における状態が固体であって、半導体発光素子からの光により発光するものである。分子量は、通常、800〜3500程度である。
また、半導体発光素子11が青色発光素子の場合は、例えば、本実施の形態において使用する希土類元素イオン錯体が赤色に発光すれば、緑色蛍光体との混合物を含む蛍光体樹脂層を、半導体発光素子11上に配置すればよい。
また、本実施の形態が適用される発光装置10において使用される特定の芳香族環を有するブレンステッド酸イオンを配位子とする希土類元素イオン錯体、中でも、カルボン酸イオンを配位子とするユーロピウム錯体は、従来のβ−ジケトンを配位子とするユーロピウム錯体に比べ、耐光性が高く、その結果、耐久性のある発光装置が得られる。
(赤色蛍光体の耐光性試験)
ユーロピウム(Eu)錯体の粉末1部と、ポリビニルブチラールのジクロルメタン溶液(濃度20%)200部とを混合し、この混合溶液をガラススライド上にバーコーターで塗布・乾燥し、膜厚20μmの樹脂層を調製し、この樹脂層について、58℃、湿度50%、光照射2時間の条件下で、耐光試験機(東洋精機(株)製、アトラスCi4000)を用いて耐光性試験を行い、赤色蛍光体の残存率を測定した。数値が大きいほど、耐侯性が良好である(単位:%)。
一般式(1)で表されるカルボン酸イオンの母体化合物(R1−(X)n−H)(1〜12)の三重項エネルギー値を、前述の文献(「光と化学の事典」第550〜605頁(2002)(光と化学の事典編集委員会編、丸善)から求め、表1に示した。
表1に示した1〜9のカルボン酸と、補助配位子としてフェナントロリンとを原料としてユーロピウム錯体を合成し、合成した9種類のユーロピウム錯体について、375nmの紫外光を発光するLEDにより赤色発光の有無を測定した。結果を表1に示す。
表1に示した10〜12のカルボン酸と、補助配位子としてフェナントロリンとを原料として実施例1と同様にユーロピウム錯体を合成し、合成した3種類のユーロピウム錯体について、375nmの紫外光を発光するLEDにより赤色発光の有無を測定し、結果を表1に示した。表1の結果から、10〜12のカルボン酸の三重項エネルギーは、ユーロピウムイオンの励起状態エネルギーレベル(約229kJ/mol)より低く、これらのカルボン酸を用いたユーロピウム錯体は、375nmの紫外光を発光するLEDにより、いずれも発光しなかった。
下記に示した構造のユーロピウム(Eu)錯体を用いて耐光性の評価を行った結果、赤色蛍光体の残存率が96%を示し、耐光性が良好であった。
実施例2において使用したEu錯体の代わりに、下記に示した構造のEu錯体を用いる他は、実施例2と同じ操作を行い耐光性を評価した結果、赤色蛍光体の残存率が90%を示し、耐光性が良好であった。
実施例2において使用したEu錯体の代わりに、下記に示した構造のβ−ジケトン系錯体である、Eu(TTA)3Phen(式中、TTAは1−(2−テノイル)−4,4,4−トリフルオロ−1,3−ブタンジオネートを表し、Phenは1,10−フェナントロリンを表す)を用いる他は、実施例2と同じ操作を行い耐侯性を評価した。その結果、赤色蛍光体の残存率が約10%を示し、耐光性に劣る結果であった。
実施例2において使用したEu錯体の代わりに、下記に示した構造のβ−ジケトン系錯体である、Eu(DBM)3Phen(式中、DBMはジベンゾイルメタンを表す)を用いる他は、実施例2と同じ操作を行い耐侯性を評価した。その結果、赤色蛍光体の残存率が約18%を示た。これらの結果から、カルボン酸系の錯体はジケトン系錯体に比べ、耐光性は大幅に優れていることが分かる。
実施例2において使用したEu錯体の粉末を、直径10mm、深さ2mmの金属セルに詰め、発光スペクトル強度を測定した。比較のために、無機赤色蛍光体Y2O2S:Euの粉末を同じように測定した。375nmの光励起における発光スペクトルのピーク波長の発光強度を比較したところ、実施例2において使用したEu錯体は、無機赤色蛍光体のY2O2S:Euの粉末に比べ、約1.6倍の発光スペクトル強度を観測した。
実施例3において使用したEu錯体に代える他は、実施例4と同じ操作を行い、395nmの光励起における発光スペクトルのピーク波長の発光強度を比較したところ、実施例3において使用したEu錯体は、無機赤色蛍光体のY2O2S:Euの粉末に比べ、約1.5倍の発光スペクトル強度を観測した。
実施例2において使用したEu錯体と青色蛍光体(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl:Euと緑色蛍光体ZnS:Cu,Au,Alとを、重量比で22:15:63の割合で混合し、これをポリビニルアルコール水溶液中に分散した分散液をスライドガラス上に塗布乾燥し蛍光体層を作製した。この蛍光体層にピーク波長が375nmのLED(日亜化学工業株式会社製、品名NSHU550)の紫外光を照射し昼白色5000K色度座標(x,y=(0.345,0.354)の白色光を得た。
(Eu(AQ2CA)3Phenの合成)
0.76g(3.0mmol)のアントラキノン−2−カルボン酸(以下、AQ2CAという)、0.20g(1.0mmol)の1,10−フェナントロリン1水和物、および0.32g(3.0mmol)の2,2’−イミノジエタノールを、エタノール/水=100/3(体積割合)の混合溶媒100mlに還流下で溶解した。この溶液へ、0.37g(1mmol)の塩化ユーロピウム(III)6水和物をエタノール20mlへ溶解させた溶液を、還流下にて2時間かけて滴下し、さらに1時間還流を続けた。その後、60℃にて1時間、更に、40℃にて1時間保持した後、室温まで放冷した。生成した沈殿を吸引ろ過し、エタノールで洗浄した。得られた淡黄色粉体を、80℃にて真空乾燥し、その後、160℃にて1時間熱処理を行い、Eu(AQ2CA)3Phenを得た。
このEu(AQ2CA)3Phenの405nm励起での発光スペクトルを確認したところ、無機蛍光体La2O2S:Eu(化成オプトニクス社製KX−681)と比較して、発光スペクトルの面積比で2.3倍、発光スペクトルのピーク波長の発光強度比で2.0倍の発光強度が得られた。尚、本実施の形態における発光スペクトルの面積とは、500nm〜600nmの波長範囲内で観測される発光スペクトルの積分強度のことをさす。また、発光励起スペクトルを測定したところ、420nmより長波長の光でもほぼ同じ強度で発光し、無機蛍光体La2O2S:Euに比べ、励起波長が大幅に長波長側にシフトしていた。
(Eu(p−DBFBA)3Phenの合成)
0.32g(1.0mmol)の下記構造で示されるp−DBFBA、0.07g(0.33mmol)の1,10−フェナントロリン1水和物、および0.11g(1.0mmol)の2,2’−イミノジエタノールを、テトラヒドロフラン/アセトニトリル=2/3(体積割合)の混合溶媒60mlに還流下で溶解した。この溶液へ、0.12g(0.33mmol)の塩化ユーロピウム(III)6水和物をエタノール/アセトニトリル=1/3(体積割合)の混合溶媒20mlへ溶解させた溶液を、還流下にて1時間かけて滴下した。その後、60℃にて1時間、更に、50℃にて1時間保持した後、室温にて約15時間放置した。生成した沈殿を吸引ろ過し、エタノールで洗浄した。得られた白色粉体を、80℃にて真空乾燥し、その後、160℃にて1時間熱処理を行い、Eu(p−DBFBA)3Phenを得た。
このEu(p−DBFBA)3Phenの405nm励起での発光スペクトルを確認したところ、無機蛍光体La2O2S:Eu(化成オプトニクス社製KX−681)と比較して、発光スペクトルの面積比で2.2倍、発光スペクトルのピーク波長の発光強度比で2.0倍の発光強度が得られた。また、発光励起スペクトルを測定したところ、無機蛍光体La2O2S:Euに比べ、励起波長が大幅に長波長側にシフトしていた。
(Eu(p−DBTBA)3Phenの合成)
0.33g(1.0mmol)の下記構造で示されるp−DBTBA、0.07g(0.33mmol)の1,10−フェナントロリン1水和物、および0.11g(1.0mmol)の2,2’−イミノジエタノールを、テトラヒドロフラン/アセトニトリル=1/4(体積割合)の混合溶媒60mlに還流下で溶解した。この溶液へ、0.12g(0.33mmol)の塩化ユーロピウム(III)6水和物をエタノール/テトラヒドロフラン=1/2(体積割合)の混合溶媒15mlへ溶解させた溶液を、還流下にて1時間かけて滴下し、その後、60℃、40℃、25℃、0℃にて、それぞれ1時間ずつ保持した。生成した沈殿を吸引ろ過し、エタノールで洗浄した。得られた淡黄色粉体を、100℃にて真空乾燥し、Eu(p−DBTBA)3Phenを得た。
このEu(p−DBTBA)3Phenの405nm励起での発光スペクトルを確認したところ、無機蛍光体La2O2S:Eu(化成オプトニクス社製KX−681)と比較して発光スペクトルの面積比で3.2倍、発光スペクトルのピーク波長の発光強度比で2.4倍の発光強度が得られた。また、発光励起スペクトルを測定したところ、無機蛍光体La2O2S:Euに比べ、励起波長が大幅に長波長側にシフトしていた。
(Eu(o−DBTBA)3(TPPO)2の合成)
0.33g(1.0mmol)の下記構造で示されるo−DBTBA、0.19g(0.67mmol)のトリフェニルホスフィンオキシド(以下、TPPOという)、および0.11g(1.0mmol)の2,2’−イミノジエタノールを、エタノール40mlに溶解した。この溶液へ、0.12g(0.33mmol)の塩化ユーロピウム(III)6水和物をエタノール10mlへ溶解させた溶液を、還流下にて1時間かけて滴下した。その後、40℃にて2時間保持した後、室温まで放冷し、室温にて約15時間放置した。生成した沈殿を吸引ろ過し、エタノールで洗浄した。得られた淡黄色粉体を、100℃にて真空乾燥し、Eu(o−DBTBA)3(TPPO)2を得た。
このEu(o−DBTBA)3(TPPO)2に、ピーク波長400nmのLEDの光を照射したところ、赤色発光を確認した。
(Eu(AQ1SA)3Phenの合成)
0.93g(3.0mmol)のアントラキノン−1−スルフォン酸ナトリウム及び、0.20g(1.0mmol)のPhenを、エタノール/水=1/2(体積割合)の混合溶媒80mlに加温下(約60℃)で溶解した。この溶液へ、0.37g(1.0mmol)の塩化ユーロピウム(III)6水和物をエタノール20mlへ溶解させた溶液を60℃にて1時間かけて滴下し、1時間還流後、室温まで放冷した。生成した沈殿を吸引ろ過し、水で洗浄した。得られた黄色粉体を、100℃にて真空乾燥し、160℃にて1時間熱処理を行い、Eu(AQ1SA)3Phenを得た。なお、AQ1SAは、アントラキノン−1−スルフォン酸を表す。
このEu(AQ1SA)3Phenに、ピーク波長400nmのLEDの光を照射したところ、赤色発光を確認した。
(Eu(o−DBTBSA)3Phenの合成)
0.51g(1.5mmol)の下記構造で示されるo−DBTBSA、0.10g(0.5mmol)の1,10−フェナントロリン1水和物および0.16g(1.5mmol)の2,2’−イミノジエタノールを、テトラヒドロフラン/エタノール=9/1(体積割合)の混合溶媒80mlに還流下で溶解した。この溶液へ、0.17g(0.50mmol)の塩化ユーロピウム(III)6水和物をエタノール/テトラヒドロフラン=3/1(体積割合)の混合溶媒15mlへ溶解させた溶液を、還流下にて1時間かけて滴下した後、室温まで放冷した。この溶液にエタノール80mlをゆっくり添加して生成した沈殿を吸引ろ過し、エタノールで洗浄した。得られた黄褐色粉体を、100℃にて真空乾燥し、その後160℃にて1時間熱処理を行い、Eu(o−DBTBSA)3Phenを得た。
このEu(o−DBTBSA)3Phenに、ピーク波長400nmのLEDの光を照射したところ、赤色発光を確認した。
(Eu(IQSA)3Phenの合成)
0.63g(3.0mmol)のイソキノリン−5−スルフォン酸(以下、IQSAという)、0.20g(1.0mmol)の1,10−フェナントロリン1水和物、および0.32g(3.0mmol)の2,2’−イミノジエタノールを、エタノール50mlに還流下で溶解した。この溶液へ、0.37g(1.0mmol)の塩化ユーロピウム(III)6水和物をエタノール20mlへ溶解させた溶液を、還流下にて1時間かけて滴下し、更に1時間還流した後、室温まで放冷した。生成した沈殿物を吸引ろ過し、エタノールで洗浄した。得られた白色粉体を、100℃にて真空乾燥し、その後160℃にて1時間熱処理を行い、Eu(IQSA)3Phenを得た。
このEu(IQSA)3Phenに、ピーク波長375nmのLEDの光を照射したところ、赤色発光を確認した。
(Eu(DPPA)3Phenの合成)
IQSAを、下記構造で示されるジフェニルホスフィン酸(DPPA)3.0mmolに変えたこと以外は実施例13と同様にして、Eu(DPPA)3Phenを得た。
このEu(DPPA)3Phenに、ピーク波長400nmのLEDの光を照射したところ、赤色発光を確認した。
(Tb(o−DBFBA)3Phenの合成)
0.95g(3.0mmol)の下記構造で示されるo−DBFBA、0.20g(1.0mmol)の1,10−フェナントロリン1水和物、および0.32g(3.0mmol)の2,2’−イミノジエタノールを、エタノール50mlに還流下で溶解した。この溶液へ、0.37g(1.0mmol)の塩化テルビウム(III)6水和物をエタノール20mlへ溶解させた溶液を、還流下にて1時間かけて滴下した後、室温まで放冷し、室温にて約15時間放置した。生成した沈殿を吸引ろ過し、エタノールで洗浄した。得られた白色粉体を、80℃にて真空乾燥し、その後、160℃にて1時間熱処理を行い、Tb(o−DBFBA)3Phenを得た。
このTb(o−DBFBA)3Phenに、ピーク波長375nmのLEDの光を照射したところ、緑色発光を確認した。
(Tb(o−DBTBA)3Phenの合成)
0.99g(3.0mmol)の下記構造で示されるo−DBTBA、0.20g(1.0mmol)の1,10−フェナントロリン1水和物、および0.32g(3.0mmol)の2,2’−イミノジエタノールを、エタノール50mlに還流下で溶解した。この溶液へ、0.37g(1.0mmol)の塩化テルビウム(III)6水和物をエタノール20mlへ溶解させた溶液を、還流下にて1時間かけて滴下し、室温まで放冷した。生成した沈殿を吸引ろ過し、エタノールで洗浄した。得られた白色粉体をTHF溶液より再結晶し、80℃にて真空乾燥を行いTb(o−DBTBA)3Phenを得た。
このTb(o−DBTBA)3Phenに、ピーク波長375nmのLEDの光を照射したところ、緑色発光を確認した。
Claims (17)
- 近紫外光から可視光領域迄の光を発光する半導体発光素子と、
芳香族環を有し、pKa値が7以下のブレンステッド酸のイオンを配位子とし、前記半導体発光素子の光により発光する希土類元素イオン錯体を含有する蛍光体と、
を備えることを特徴とする発光装置。 - 前記希土類元素イオン錯体を形成する希土類元素イオンに用いる希土類元素は、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム及びツリウムからなる群から選ばれる元素であることを特徴とする請求項1又は2記載の発光装置。
- 前記希土類元素イオン錯体を形成する希土類元素イオンに用いる希土類元素が、ユーロピウム又はテルビウムであることを特徴とする請求項3記載の発光装置。
- 前記配位子は、前記ブレンステッド酸のイオンの母体化合物の三重項エネルギーが、希土類元素イオンの発光に関与する励起状態エネルギーレベルより高いものであることを特徴とする請求項1乃至4いずれか1項記載の発光装置。
- 前記蛍光体が、下記一般式(5)で表される希土類元素イオン錯体を含有する蛍光体であることを特徴とする請求項1乃至5いずれか1項記載の発光装置。
A3LDr (5)
(一般式(5)中、Aは、互いに異なっていてもよい前記一般式(2)で表されるブレンステッド酸イオンであり、Lは、希土類元素イオンであり、Dは、ルイス塩基からなる補助配位子であり、rは、0、1又は2である。) - 前記蛍光体が、芳香族ケトンを含む基を有する前記ブレンステッド酸のイオンを配位子とする希土類元素イオン錯体を含有することを特徴とする請求項1乃至6いずれか1項記載の発光装置。
- 前記蛍光体が、三環式芳香族炭化水素及び/又は三環式芳香族複素環を含む基を有する前記ブレンステッド酸のイオンを配位子とする希土類元素イオン錯体を含有することを特徴とする請求項1乃至7いずれか1項記載の発光装置。
- 前記蛍光体は、前記希土類元素イオン錯体を混合又は分散した樹脂組成物であることを特徴とする請求項1乃至8いずれか1項記載の発光装置。
- 前記ブレンステッド酸のイオンが、カルボン酸イオン又はスルホン酸イオンであることを特徴とする請求項1乃至9いずれか1項記載の発光装置。
- 前記半導体発光素子は、360nmから470nmの範囲にピーク波長を有する光を発光するレーザーダイオード又は発光ダイオードであることを特徴とする請求項1乃至10いずれか1項記載の発光装置。
- 前記半導体発光素子の光により発光する希土類元素イオン錯体を含有する蛍光体と共に、前記半導体発光素子の光により発光する、その他の蛍光体を備えることを特徴とする請求項1乃至11いずれか1項記載の発光装置。
- 請求項1乃至12のいずれか1項に記載の発光装置が、照明装置であることを特徴とする発光装置。
- 前記希土類元素イオン錯体は、補助配位子としてルイス塩基を有することを特徴とする請求項14記載の蛍光体。
- 前記ブレンステッド酸イオンがカルボン酸イオンであることを特徴とする請求項14又は15記載の蛍光体。
- 前記希土類元素イオン錯体が、ユーロピウム錯体であることを特徴とする請求項14乃至16いずれか1項記載の蛍光体。
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