JP2005005691A - 電界効果型トランジスタの評価方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 LDD構造を有するFETのLDD抵抗値を求めるために、従来型構造のFETのドレイン側に外部抵抗が直列に接続された等価回路を仮定し、LDD構造を有するFETのしきい値電圧と外部ドレイン電圧対ドレイン電流特性を測定し、その結果を等価回路に当てはめて考える。ドレイン電流が飽和する外部ドレイン電圧を外部飽和ドレイン電圧として、しきい値電圧から、LDD構造を有するFET中の仮想的な従来型構造のFETにおける飽和ドレイン電圧を求め、外部飽和ドレイン電圧、飽和ドレイン電流、飽和ドレイン電圧より外部抵抗を求める。
【選択図】 図1
Description
仮想的な従来型構造のFETにおける飽和ドレイン電圧(Vdsat)を(10)式を用いて求める。以上で求めたVsat、Idsat、Vdsatを(9)式に代入すれば外部抵抗(r)を求めることができる。
以上の結果をまとめると表1のようになる。
Claims (4)
- 低濃度ドレイン構造を有する電界効果型トランジスタの前記低濃度ドレイン構造の外部抵抗を求めるために、
前記低濃度ドレイン構造を有する電界効果型トランジスタの構造は、従来型構造を有する電界効果型トランジスタのソースまたはドレイン側に外部抵抗が直列に接続された等価回路であると仮定し、
前記低濃度ドレイン構造を有する電界効果トランジスタのしきい値電圧を求め、
一定のゲート電圧を印加した状態において、前記低濃度ドレイン構造を有する電界効果トランジスタのドレイン電圧対ドレイン電流特性を測定し、
前記ドレイン電圧対ドレイン電流特性を前記等価回路に当てはめ、
ドレイン電流が飽和する外部ドレイン電圧を外部飽和ドレイン電圧として、
前記しきい値電圧と、前記ゲート電圧とから、前記従来型構造を有する電界効果型トランジスタにおける飽和ドレイン電圧を求め、
前記外部飽和ドレイン電圧、前記飽和ドレイン電流、前記飽和ドレイン電圧より、外部抵抗を求めること、
を特徴とする電界効果型トランジスタの評価方法。 - 低濃度ドレイン構造を有する電界効果型トランジスタの
ゲート電圧に対するドレイン電流の特性を測定してしきい値電圧を求め、
ドレイン電圧に対するドレイン電流の特性を測定して外部飽和ドレイン電圧(Vsat)と飽和ドレイン電流(Idsat)を求め、
前記しきい値電圧から飽和ドレイン電圧(Vdsat)を求め、
前記外部飽和ドレイン電圧(Vsat)、前記飽和ドレイン電流(Idsat)、前記飽和ドレイン電圧(Vdsat)より、付加抵抗rをVdsat=Vsat−Idsat×rの関係式より求めること
を特徴とする電界効果型トランジスタの評価方法。 - 請求項1または2において、
前記低濃度ドレイン構造を有する電界効果型トランジスタはMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタであることを特徴とする電界効果型トランジスタの評価方法。 - 請求項1または2において、
低濃度ドレイン構造を有する電界効果型トランジスタは薄膜トランジスタ(TFT)を用いていることを特徴とする電界効果型トランジスタの評価方法。
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