JP2005002335A - 接着フィルムおよびこれを使った半導体装置 - Google Patents
接着フィルムおよびこれを使った半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005002335A JP2005002335A JP2004152182A JP2004152182A JP2005002335A JP 2005002335 A JP2005002335 A JP 2005002335A JP 2004152182 A JP2004152182 A JP 2004152182A JP 2004152182 A JP2004152182 A JP 2004152182A JP 2005002335 A JP2005002335 A JP 2005002335A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- adhesive
- mass
- adhesive film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
【課題】 従来のフェノキシ樹脂やエラストマー等のバインダー樹脂を用いないで、高い難燃性を持ちながら同時に優れた低イオンマイグレーション性を併せ持つ接着フィルム及びそれを用いた半導体装置を提供すること。
【解決手段】 延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムと接着性樹脂からなり、該接着性樹脂がジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする接着フィルム。
【選択図】 なし
【解決手段】 延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムと接着性樹脂からなり、該接着性樹脂がジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする接着フィルム。
【選択図】 なし
Description
本発明は、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を用いた接着フィルム及びこれを使用した半導体装置に関する。
近年の表面実装半導体装置には、ダイボンディング用接着剤を介してインターポーザー上に半導体チップを固定しているものがある。ダイボンディング用接着剤には液状及びフィルム状があるが、ともに一般的にエポキシ樹脂及び硬化剤を主成分とし、高温耐湿性や耐熱性、難燃性、接着信頼性などを確保している。
特に難燃性は電子材料に要求される重要な性能の一つであり、現在では主に臭素化エポキシ樹脂を用いることによってこれを解決しているが、近年の環境問題に対する意識の高まりから、臭素系エポキシ樹脂の代替としてベンゾオキサジン樹脂に注目が集まっている。ところがベンゾオキサジン樹脂は非常に脆く、可撓性に乏しいため、そのままではフィルム化できない。
そこで、このベンゾオキサジン樹脂の持つ致命的な欠陥を改善するためにフェノキシ樹脂(特許文献1)やエラストマー(特許文献2)等のバインダー樹脂を併用する技術が開発されているが、フェノキシ樹脂を使うと塩化物イオンの溶出量が増加し、銅配線などを腐食する原因となることがある。またエラストマーを使うと芳香族炭素の含有量が低下し、難燃性を低下させる原因となることがある。さらに、このようにして得られたフィルムは、柔軟性が不十分であり、巻取ることが出来ず生産性も悪い。
またガラスクロスを使ってフィルム化する方法(特許文献3、特許文献4)もあるが、ガラスクロスでは繊維の目が粗すぎるためにフィルムの切り口から樹脂粉末が飛び散り、半導体チップまたはその周辺を汚染することがある。
延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムと接着性樹脂を組み合わせて接着フィルムを作製する技術は既に開発されているが、特許文献5に記載のものでは難燃性が不十分であり、難燃性を十分に持たせるには臭素系難燃剤などを組み合わせなければならず、高温高湿条件で臭化物イオンが発生する可能性がある。また特許文献6に記載の接着フィルムはリンを含むため、同様にリン酸イオンを生じる可能性があり、半導体装置の信頼性を低下させることが予測される。
本発明は、ベンゾオキサジン樹脂を用いながら、脆くて可撓性に乏しいという問題点を解決し、高い難燃性を持ちながら同時に優れた低イオンマイグレーション性を併せ持つ接着フィルム及びそれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
本発明は下記により上記目的を達成するものである。
(1)接着性樹脂としてジヒドロベンゾオキサジン環を有する熱硬化性樹脂を含んでなり、かつ前記接着性樹脂が延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムを基材として該延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムに複合化されて成ることを特徴とする接着フィルム。
(2)前記接着性樹脂が前記延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムの多孔性空隙に充填されて前記多孔性空隙が埋められている、上記(1)に記載の接着フィルム。
(3)第1の延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムからなる多孔質ポリテトラフルオロエチレン層の両面に、第2の延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムの多孔性空隙にジヒドロベンゾオキサジン環を有する熱硬化性樹脂を充填して形成された接着性樹脂層が積層され、かつ前記第1の多孔質ポリテトラフルオロエチレン層は多孔性空隙を保持してなる、上記(1)に記載の接着フィルム。
(4)前記着性樹脂が、接着フィルム全体の質量を基準として40質量%以上90質量%以下の範囲内で含有されている、上記(2)に記載の接着フィルム。
(5)前記着性樹脂が、接着フィルム全体の質量を基準として8質量%以上50質量%以下の範囲内で含有されている、上記(3)に記載の接着フィルム。
(6)前記接着性樹脂が、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を30質量%以上含む、上記(1)〜(5)のいずれか1項に記載の接着フィルム。
(7)ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂が、分子中に芳香族炭素原子を60質量%以上含む樹脂である、上記(1)〜(6)のいずれか1項に記載の接着フィルム。
(8)前記接着性樹脂が、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂とフェノール樹脂とを含むものである、上記(1)〜(7)のいずれか1項に記載の接着フィルム。
(9)前記接着性樹脂が、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を30〜100質量部とフェノール樹脂を0〜70質量部含むものである、上記(8)に記載の接着フィルム。
(10)前記フェノール樹脂が分子中の芳香族炭素原子の含有量が65質量%以上含む樹脂である、上記(8)(9)に記載の接着フィルム。
(11)塩化物イオン濃度が1ppm 以下である、上記(1)〜(10)のいずれか1項に記載の接着フィルム。
(12)上記(1)〜(11)のいずれか1項に記載の接着フィルムを備えた半導体装置。
本発明の接着フィルムおよびこれを使った半導体装置は下記の効果を奏することができる。
・バインダー樹脂を必要としないため、高難燃性と低イオンマイグレーション性を両立できる。
・離型フィルムを必要としないため、廃棄物を減量できる。
・低吸水率のため吸湿リフロー試験の信頼性が高い。
・熱圧着時に多孔質PTFEが適度に接着性樹脂を保持するため、樹脂流れが少なく且つ回路ギャップの埋め込み性が良好となる。
・弾性率が低いため、接着信頼性が高い。
・バインダー樹脂を必要としないため、高難燃性と低イオンマイグレーション性を両立できる。
・離型フィルムを必要としないため、廃棄物を減量できる。
・低吸水率のため吸湿リフロー試験の信頼性が高い。
・熱圧着時に多孔質PTFEが適度に接着性樹脂を保持するため、樹脂流れが少なく且つ回路ギャップの埋め込み性が良好となる。
・弾性率が低いため、接着信頼性が高い。
本発明の接着フィルムは、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を含む接着性樹脂を延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムに複合化することで上記課題を解決するものである。
本発明者は、延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムは、融点が高く、不燃性であり、また加工技術が発達していることから、これに接着性樹脂を複合化することで、より高い難燃性を持つことができ、さらには、高温耐湿性やアンカー効果を利用した接着技術を利用でき、また柔軟性、均一性に優れており、取り扱い性がよいなどの利点も得られるのではないかと着想し、実際にこれらの効果が得られることを確認して、本発明を完成したものである。
本発明で用いる延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムとしては、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)を成形助剤と混合して得られるペーストを、フィルム状に成形し、この成形体から成形助剤を除去した後、高温、高速度で延伸し、さらに必要に応じて焼成することにより得られるものである。上記延伸は、MD方向(フィルムの押出方向、フィルム長手方向)またはTD方向(MD方向に直交する方向、フィルム幅方向)のいずれか一方について行う一軸延伸でもよく、MD・TD両方向について行う二軸延伸でもよい。ただし、例えば、半導体装置の接着フィルムとして用いる場合には、機械的特性や電気的特性の異方性が小さいことが好ましいため、二軸延伸したものが好適である。
延伸多孔質PTFEフィルムの空孔率は5%以上98%以下であることが好ましい。より好ましくは40%以上95%以下である。空孔率が小さ過ぎると、充填される接着性樹脂の絶対量が少なくなるため、この接着性樹脂を使用することによる各種効果が不十分となる傾向にある。他方、延伸多孔質PTFEフィルムの空孔率が大き過ぎると、該フィルムの機械的強度が著しく低下してしまい、これに接着性樹脂を複合化させる行程に於けるハンドリング性(取り扱い性)が不十分となってしまう。
なお、上記空孔率は、JIS K 6885の見掛け密度測定に準拠して測定される見掛け密度(ρ)から、下式を用いて算出される値である(以下同じ)。
空孔率(%)=(2.2−ρ)/2.2×100
ここで、上式の数値「2.2」はPTFEの密度(g/cm3 )を意味する。
ここで、上式の数値「2.2」はPTFEの密度(g/cm3 )を意味する。
また、延伸多孔質PTFEフィルムの最大細孔径は0.05〜15μm、好ましくは0.1〜5μmである。最大細孔径が上記範囲を下回る場合は、接着性樹脂と延伸多孔質PTFEフィルムを複合化させることが困難となる。他方、最大細孔径が上記範囲を超える場合は、接着性樹脂の樹脂流れを抑える効果が不充分になる。なお、ここでいう最大細孔径は、ASTM F−316の規定に準拠して測定した値である(以下同じ)。
本発明では、接着性樹脂として、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を用いる。ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂はハロゲンを含まずに難燃性に優れた樹脂であるが、脆くて可撓性に乏しいという性質のために、実用化に問題が残っていたものである。このジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を本発明により延伸多孔質PTFEフィルムに複合化すると、高い難燃性を持ちながら同時に優れた低マイグレーション性その他の半導体用途の接着フィルムに求められる各種の性能を持つことで従来の臭素化エポキシ樹脂に代替できる接着フィルムが提供されることが見出された。
接着性樹脂として用いるジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂は、分子内にジヒドロベンゾオキサジン環を複数持つ多官能オキサジン系熱硬化性樹脂が好ましい。ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂、さらには多官能オキサジン系熱硬化性樹脂は、接着性樹脂全体に対して30質量%以上配合することが好ましく、さらに好ましくは40質量%〜80質量%である。この割合が30質量%を下まわると難燃性が不足する場合がある。多官能オキサジン系熱硬化性樹脂は、特に制限は無いが、フェノール類とアルデヒド類及びアミン類から合成されるものが好ましく、多価フェノール化合物とホルムアルデヒド、芳香族アミン類から合成されるものが特に好ましい。また難燃性を高めるため、芳香族炭素含有率が60質量%以上(当該樹脂基準)である多官能オキサジン系熱硬化性樹脂が好ましい。
接着性樹脂の硬化性を促進するために、フェノール樹脂を配合することもできる。その割合は、これに限定するものではないが、硬化性と物性のバランスから樹脂全量を基準に0〜70質量%が好ましい。さらには50〜70質量%である。また芳香族炭素含有率が65質量%以上のフェノール樹脂を用いると、さらに難燃性を高めることも可能である。硬化性向上の理由から、例えばイミダゾール類、リン系化合物、有機金属塩などの硬化触媒を配合することもできる。さらに硬化物の物性を制御するために、エポキシ樹脂やゴム、ポリイミドなどのポリマーを配合または分散させることもできる。
延伸多孔質PTFEフィルムに接着性樹脂を複合化する態様は、大きくは2つの態様に分けることができる。
第1の態様は、接着性樹脂が延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムの多孔性空隙に充填されて前記多孔性空隙が埋められている態様である。可撓性に優れた延伸多孔質PTFEフィルムの独特の多孔構造を持つ空隙中に充填することで、可撓性に乏しいジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を含浸しても、接着性フィルムは優れた可撓性を維持することができ、しかも優れた接着性及び難燃性も保持されること、接着フィルムとしての取り扱い性も優れていることが確認された。
接着性樹脂が延伸多孔質PTFEフィルムの空隙を充填してなる接着フィルムの場合、延伸多孔質PTFEフィルムの好適な厚みは、1μm以上250μm以下とすることが一般的である。より好ましくは3μm以上200μm以下、さらに好ましくは5μm以上150μm以下である。
また難燃性と接着性のバランスから、接着性樹脂の含有率は40質量%以上90質量%以下とすることが好ましく、さらに好ましくは50質量%以上80質量%以下である。接着剤樹脂含有率が40質量%を下回ると接着性が十分でなく、また90質量%を越えるとフィルムを形成しにくくなり、さらに難燃性が不足する場合がある。
また、第2つの態様は、第1の延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムからなる多孔質ポリテトラフルオロエチレン層の両面に、第2の延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムの多孔性空隙にジヒドロベンゾオキサジン環を有する熱硬化性樹脂を充填して形成された接着性樹脂層が積層され、かつ前記第1の多孔質ポリテトラフルオロエチレン層は多孔性空隙を保持してなる態様、即ち、第1の延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムからなる中心層の両面に接着性樹脂層を形成しかつ中心層に連続した空隙を保持した延伸多孔質PTFE層を持つ接着フィルムとして構成するものである。この態様によれば、加熱時に生じうる、接着性樹脂に含まれる残存溶媒、水分などの揮発分を大気中に逃がすことができる、また可撓性もより優れるなどの効果がある。
第1の延伸多孔質PTFEフィルムの両面に接着性樹脂を塗工することで上記の態様の接着フィルムを構成することができるが、難燃性を上げる、または弾性率を下げる、または樹脂流れを制御する目的で、第2の延伸多孔質PTFEフィルムの空隙に接着性樹脂を充填した接着フィルムを、空隙を保持した第1の延伸多孔質PTFEフィルムの両面に積層する構成が好ましい。
接着フィルムの中心層に連続した空隙を保持した延伸多孔質PTFE層を形成する場合、中心の延伸多孔質PTFE層の厚みは10μm以上300μm以下が好ましい。
接着フィルム中に空隙を保持した延伸多孔質PTFE層を設ける場合、難燃性と接着性のバランスから、接着性樹脂の含有率は接着フィルムの全質量基準で8質量%以上50質量%以下とすることが好ましく、さらに好ましくは10質量%以上40質量%以下である。接着性樹脂含有率が8質量%を下回ると接着性が十分でなく、また50質量%を越えると吸湿リフロー特性が低下する場合がある。
中心層の延伸多孔質PTFE層の両面に積層する第2の延伸多孔質PTFEフィルムの空隙に接着性樹脂を充填した接着性樹脂層は、基本的に第1の態様の接着フィルムの接着性樹脂含有率に成るように構成すればよいが、接着性樹脂層の厚さ(片面)は一般に1〜100μm、好ましくは2〜70μm、更に好ましくは3〜50μm、樹脂含有率は一般に40〜95%、好ましくは50〜90%である。
本発明においては、塩化物イオン濃度が低いベンゾオキサジン樹脂を柔軟な延伸多孔質PTFEフィルムと組み合わせることにより、優れた可撓性を持ち、かつ塩化物イオン濃度を低く抑えた接着フィルムを作成することができる。
接着フィルム中塩化物イオン(Cl-)の濃度は1ppm 以下が好ましく、さらに好ましくは0.5ppm 以下である。塩化物イオン濃度が1ppm を越えるとICチップ上のアルミパッドや基板の銅配線を腐食し、半導体装置の信頼性を低下させる場合がある。
延伸多孔質PTFEフィルムと接着性樹脂の複合化は、一般的に有機溶媒で溶解した接着性樹脂ワニスを延伸多孔質PTFEフィルムに塗工して行う。接着性樹脂の溶解に用いる有機溶媒としては、特に制限はないが、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチルセロソルブ、イソブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル系溶媒、エチルセロソルブアセテート、酢酸エチル等のエステル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒等があり、これらを何種類か混合し使用する事もできる。乾燥後の残存溶媒を少なくするため、沸点が130℃以下の溶媒が好ましい。
延伸多孔質PTFEフィルムと接着性樹脂の複合化の前処理として、塗工時の濡れ性を向上させるため紫外線(UV)、プラズマ等の処理を必要に応じ行うことができる。
延伸多孔質PTFEフィルムと接着性樹脂を複合化する方法として、特に制限はないが、アプリケーター、コンマコーター、グラビアコーター、オフセットコーター、ディップコーター、キスコーター、リップコーターなどの塗工機を用いることができる。
乾燥方法は、熱風乾燥炉及び必要に応じて溶剤発泡を防止するため赤外線(IR)ヒーターを用いる。乾燥後は接着性樹脂が半硬化状態となる。
熱風乾燥炉の温度は、溶媒によっても異なるが、一般的に50℃以上270℃以下、好ましくは60℃以上250℃以下が好ましい。50℃よりも低い温度では接着フィルム中の残留溶媒が多すぎるためにボイドを生じる恐れがあり、270℃を越えると接着性樹脂の反応が進みすぎるために、接着強度が十分でなくなる恐れがある。
また接着フィルム中に空隙を保持した延伸多孔質PTFE層を設ける場合、上記方法の他に、上記方法で得られた接着フィルムを第1の延伸多孔質PTFEフィルムの両面に熱ロールラミネーターや熱板プレスを用いて積層することができる。
熱ロールまたは熱板の温度は50℃以上250℃以下、好ましくは65℃以上200℃以下が好ましい。50℃以下では接着フィルム層と延伸多孔質PTFE層の接着強度が弱すぎ、250℃以上では接着性樹脂が劣化し硬化後の接着強度が低下する恐れがある。さらに接着フィルム中に空隙を保持した延伸多孔質PTFE層を設ける場合、接着性樹脂層は接着フィルムの表裏で同じ物を用いる必要はなく、要求される特性などから、異なる特性や接着性樹脂組成の物を用いることができる。例えば、一方の接着性樹脂にはジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を含まなくてもよい。
上記で得られた接着フィルムは一般的に離型フィルムやサポートフィルム無しで走行・巻き取りが可能であり、スリットやラミネートなど次工程への移行が容易である。
また必要に応じて接着性樹脂の組成と乾燥条件を制御することにより、室温で表面に粘着性を持つ接着フィルムを得ることも可能である。
粘着性を持つフィルムは、第1の延伸多孔質PTFEフィルムと積層する際やインターポーザー及びICチップと貼り合わせる際に加熱する必要がない。
半導体チップを上記接着フィルムを用いてインターポーザーと貼り合わせる際、熱と圧力をかける方法が一般的である。特に制限はないが、貼り合わせ温度は60〜250℃、好ましくは80〜180℃が一般的である。これよりも高い温度では接着フィルムや被着体にダメージを与え、接着信頼性が低下する可能性がある。
貼り合わせの方法は、接着フィルムをインターポーザーにラミネートまたは貼り付けしこれに半導体チップを貼り付ける方法と、接着フィルムを半導体ウェハに貼り付けこれをダイシングした後インターポーザーに貼り付ける方法があるが、どちらでも良い。
使用されるインターポーザーとしてはリードフレーム、ガラスエポキシやガラスBT等の有機基板、セラミック基板、ポリイミドフィルムなどを用いたTABテープなどがある。
貼りあわせた半導体チップとインターポーザーの接続は、特に制限はないが、例えば金ワイヤを用いたワイヤボンディングによる。
半導体チップ及びワイヤなどを保護するために、半導体装置を樹脂封止するのが一般的であり、これにはトランスファ成形法、液状封止剤をポッティングする方法、印刷封止法などが用いられる。
接着フィルム中に空隙を保持した延伸多孔質PTFE層を設ける場合、接着剤層に含まれる水分、残留溶媒などのガス抜きのために延伸多孔質PTFE層の断面を露出すると接着信頼性が向上する場合がある。接着フィルムの断面を露出しかつ必要な部分を封止する方法として、ポッティングにより特定の個所のみ封止する方法、封止後にインターポーザー及び接着フィルムを切断する方法、インターポーザーと接着フィルム、または半導体チップと接着フィルム、もしくはその全てに穴を開ける方法などが挙げられるが、これに限定されない。
封止工程は接着フィルムを硬化する工程の前に行うことも、後に行うこともできる。
またこの接着フィルムは一つの半導体装置に複数の半導体チップを搭載するスタックドパッケージやMCM(Multi Chip Module)にも適用することができる。
本発明の接着フィルムは半導体装置用途に特に好適であるが、そのほか建造物の外壁貼り合わせ等に用いる建材用途、航空機等のハニカム構造の作製などにも用いることができる。
実施例1
ベンゾオキサジン樹脂「F−a」(四国化成工業(株)製、芳香族炭素原子含有率66質量%)をMEKに溶解し不揮発分が30質量%のワニスを調製した。厚さ30μm、空孔率70%、孔径0.1μmの延伸多孔質PTFEフィルム「ゴアテックス」(ジャパンゴアテックス(株)製)をピンテンター枠(300mm×300mm)に固定し、アプリケーターを用いて上記ワニスを塗工した。これを120℃に保温したクリーンオーブン(ヤマト科学(株)製)で10分間乾燥させ、接着性樹脂含有率50質量%、厚さ28μmの接着フィルムを作製した。
ベンゾオキサジン樹脂「F−a」(四国化成工業(株)製、芳香族炭素原子含有率66質量%)をMEKに溶解し不揮発分が30質量%のワニスを調製した。厚さ30μm、空孔率70%、孔径0.1μmの延伸多孔質PTFEフィルム「ゴアテックス」(ジャパンゴアテックス(株)製)をピンテンター枠(300mm×300mm)に固定し、アプリケーターを用いて上記ワニスを塗工した。これを120℃に保温したクリーンオーブン(ヤマト科学(株)製)で10分間乾燥させ、接着性樹脂含有率50質量%、厚さ28μmの接着フィルムを作製した。
実施例2
ベンゾオキサジン樹脂「F−a」の70質量%MEK溶液と、フェノールノボラック樹脂「TD−2090−60M」(大日本インキ化学工業(株)製、芳香族炭素含有率70質量%)を固形分で60:40の質量比で混合し、MEKで不揮発分が30質量%になるように希釈した。このワニスを実施例1と同様に厚さ40μm、空孔率70%、孔径0.1μmの延伸多孔質PTFEフィルム「ゴアテックス」に塗工、120℃で10分乾燥させ接着性樹脂含有率55質量%、厚さ35μmの接着フィルムを作製した。
ベンゾオキサジン樹脂「F−a」の70質量%MEK溶液と、フェノールノボラック樹脂「TD−2090−60M」(大日本インキ化学工業(株)製、芳香族炭素含有率70質量%)を固形分で60:40の質量比で混合し、MEKで不揮発分が30質量%になるように希釈した。このワニスを実施例1と同様に厚さ40μm、空孔率70%、孔径0.1μmの延伸多孔質PTFEフィルム「ゴアテックス」に塗工、120℃で10分乾燥させ接着性樹脂含有率55質量%、厚さ35μmの接着フィルムを作製した。
実施例3
ベンゾオキサジン樹脂「F−a」の70質量%MEK溶液とエポキシ樹脂「YD−128」(東都化成(株)製)及びフェノールノボラック樹脂「TD−2090−60M」を固形分で60:10:30の質量比で混合し、MEKで不揮発分が35質量%になるように希釈した。このワニスを実施例1と同様に厚さ40μm、空孔率70%、孔径0.1μmの延伸多孔質PTFEフィルム「ゴアテックス」に塗工、120℃で10分乾燥させ接着性樹脂含有率55質量%、厚さ34μmの接着フィルムを作製した。
ベンゾオキサジン樹脂「F−a」の70質量%MEK溶液とエポキシ樹脂「YD−128」(東都化成(株)製)及びフェノールノボラック樹脂「TD−2090−60M」を固形分で60:10:30の質量比で混合し、MEKで不揮発分が35質量%になるように希釈した。このワニスを実施例1と同様に厚さ40μm、空孔率70%、孔径0.1μmの延伸多孔質PTFEフィルム「ゴアテックス」に塗工、120℃で10分乾燥させ接着性樹脂含有率55質量%、厚さ34μmの接着フィルムを作製した。
実施例4
実施例1で作製した接着フィルムを、厚さ100μm、空孔率60%、孔径1μmの延伸多孔質PTFEフィルム「ゴアテックス」の両面に160℃の熱板プレスを用いて10秒間圧着し、接着性樹脂含有率20質量%、厚さ150μmの接着フィルムを作製した。
実施例1で作製した接着フィルムを、厚さ100μm、空孔率60%、孔径1μmの延伸多孔質PTFEフィルム「ゴアテックス」の両面に160℃の熱板プレスを用いて10秒間圧着し、接着性樹脂含有率20質量%、厚さ150μmの接着フィルムを作製した。
実施例5
実施例2で作製した接着フィルムを、厚さ120μm、空孔率60%、孔径1μmの延伸多孔質PTFEフィルム「ゴアテックス」の両面に160℃の熱板プレスを用いて10秒間圧着し、接着性樹脂含有率18質量%、厚さ180μmの接着フィルムを作製した。
実施例2で作製した接着フィルムを、厚さ120μm、空孔率60%、孔径1μmの延伸多孔質PTFEフィルム「ゴアテックス」の両面に160℃の熱板プレスを用いて10秒間圧着し、接着性樹脂含有率18質量%、厚さ180μmの接着フィルムを作製した。
比較例1
ベンゾオキサジン樹脂F−aの70質量%MEK溶液とフェノキシ樹脂E1256B40(ジャパンエポキシレジン(株)製)を固形分で50:50の質量比で混合し、MEKで不揮発分が50質量%になるように希釈した。このワニスを離型処理したPETフィルムX−08(東山フィルム(株)製)にアプリケーターを用いて塗工、120℃に保温したクリーンオーブンで10分乾燥させ厚さ45μmの接着フィルムを作製した。
ベンゾオキサジン樹脂F−aの70質量%MEK溶液とフェノキシ樹脂E1256B40(ジャパンエポキシレジン(株)製)を固形分で50:50の質量比で混合し、MEKで不揮発分が50質量%になるように希釈した。このワニスを離型処理したPETフィルムX−08(東山フィルム(株)製)にアプリケーターを用いて塗工、120℃に保温したクリーンオーブンで10分乾燥させ厚さ45μmの接着フィルムを作製した。
比較例2
ベンゾオキサジン樹脂F−aの70質量%MEK溶液とATBN1300x16(宇部興産(株)製)を50:50の質量比で混合し、MEKで不揮発分が50質量%になるように希釈した。このワニスを離型処理したPETフィルムX−08(東山フィルム(株)製)にアプリケーターを用いて塗工、120℃に保温したクリーンオーブンで10分乾燥させ厚さ45μmの接着フィルムを作製した。
ベンゾオキサジン樹脂F−aの70質量%MEK溶液とATBN1300x16(宇部興産(株)製)を50:50の質量比で混合し、MEKで不揮発分が50質量%になるように希釈した。このワニスを離型処理したPETフィルムX−08(東山フィルム(株)製)にアプリケーターを用いて塗工、120℃に保温したクリーンオーブンで10分乾燥させ厚さ45μmの接着フィルムを作製した。
比較例3
エポキシ樹脂「YD900−EK80」(東都化成(株)製)およびフェノールノボラック樹脂「TD−2131」(大日本インキ化学工業(株)製)を固形分で70:30の質量比で混合し、MEKで不揮発分が35質量%になるように希釈した。このワニスを実施例1と同様に厚さ30μm、空孔率70%、孔径0.1μmの延伸多孔質PTFEフィルム「ゴアテックス」に塗工、120℃で10分乾燥させ、接着剤樹脂含有率50質量%、厚さ26μmの接着フィルムとした。
この接着フィルムを、厚さ100μm、空孔率60%、孔径1μmの延伸多孔質PTFEフィルム「ゴアテックス」の両面に160℃の熱板プレスを用いて10秒間圧着し、接着性樹脂含有率20質量%、厚さ150μmの接着フィルムを作製した。
評価結果を表に示す。
エポキシ樹脂「YD900−EK80」(東都化成(株)製)およびフェノールノボラック樹脂「TD−2131」(大日本インキ化学工業(株)製)を固形分で70:30の質量比で混合し、MEKで不揮発分が35質量%になるように希釈した。このワニスを実施例1と同様に厚さ30μm、空孔率70%、孔径0.1μmの延伸多孔質PTFEフィルム「ゴアテックス」に塗工、120℃で10分乾燥させ、接着剤樹脂含有率50質量%、厚さ26μmの接着フィルムとした。
この接着フィルムを、厚さ100μm、空孔率60%、孔径1μmの延伸多孔質PTFEフィルム「ゴアテックス」の両面に160℃の熱板プレスを用いて10秒間圧着し、接着性樹脂含有率20質量%、厚さ150μmの接着フィルムを作製した。
評価結果を表に示す。
単独巻取: 離型フィルム無しで巻き取ることの可・不可
難燃性: サンプルを200℃、3時間硬化させたものを使用(UL94規格 垂直 燃焼性試験)
溶出Cl- :サンプルを200℃、3時間硬化させ、10倍の超純水で121℃、20 時間抽出しイオンクロマトグラフィーで濃度を測定した。
樹脂流れ: サンプルを10mm四方に切抜き、厚さ12.5μmのポリイミドフィルム に挟んで170℃、2MPa で2秒間プレス、基材からはみ出た樹脂の端ま での距離を測定した。
吸水率: サンプルを200℃、3時間硬化させた後50mm四方に切り抜き、50℃ で24時間乾燥させた。これを2時間煮沸した前後の質量から計算した。
難燃性: サンプルを200℃、3時間硬化させたものを使用(UL94規格 垂直 燃焼性試験)
溶出Cl- :サンプルを200℃、3時間硬化させ、10倍の超純水で121℃、20 時間抽出しイオンクロマトグラフィーで濃度を測定した。
樹脂流れ: サンプルを10mm四方に切抜き、厚さ12.5μmのポリイミドフィルム に挟んで170℃、2MPa で2秒間プレス、基材からはみ出た樹脂の端ま での距離を測定した。
吸水率: サンプルを200℃、3時間硬化させた後50mm四方に切り抜き、50℃ で24時間乾燥させた。これを2時間煮沸した前後の質量から計算した。
実施例1〜5および比較例3の接着フィルムは、全て離型フィルム無しで巻き取ることができたが、比較例1及び2では離型フィルム無しで作製することができなかった。さらに、実施例1〜5の接着フィルムは高い難燃性を示したが、比較例3は十分な難燃性が得られなかった。また実施例1〜5の接着フィルムは溶出塩化物イオン濃度が低く、さらに吸水率を低く抑えることができることから、高い信頼性を持つ半導体装置を作製することができると思われる。
実施例6
実施例1で得られた接着フィルムを、銅配線を施したBT基板に140℃、2MPa 、1秒で貼り付け、さらに7*7mm角のICチップをチップマウンターを用いて150℃、0.1MPa 、1秒で搭載した。ワイヤーボンディングで基板の銅配線とICチップを接続した後に樹脂封止し、半導体装置を作成した。
実施例6の評価
完成した半導体装置の吸湿リフロー(85℃/85%、168時間吸湿後260℃、10秒、3回)、温度サイクル試験(−55℃〜125℃、各15分、1000サイクル)、PCT試験(121℃/100%、300時間)を行ったが、膨れ、剥離、腐食などの問題は発生しなかった。
実施例1で得られた接着フィルムを、銅配線を施したBT基板に140℃、2MPa 、1秒で貼り付け、さらに7*7mm角のICチップをチップマウンターを用いて150℃、0.1MPa 、1秒で搭載した。ワイヤーボンディングで基板の銅配線とICチップを接続した後に樹脂封止し、半導体装置を作成した。
実施例6の評価
完成した半導体装置の吸湿リフロー(85℃/85%、168時間吸湿後260℃、10秒、3回)、温度サイクル試験(−55℃〜125℃、各15分、1000サイクル)、PCT試験(121℃/100%、300時間)を行ったが、膨れ、剥離、腐食などの問題は発生しなかった。
比較例4
比較例1で得られた接着フィルムを用いる以外、実施例6と同様にして、半導体装置を作成した。
比較例4の評価
溶出塩化物イオン量が高かったため、上記信頼性試験においてICチップ上アルミパッドの腐食が観察された。
比較例1で得られた接着フィルムを用いる以外、実施例6と同様にして、半導体装置を作成した。
比較例4の評価
溶出塩化物イオン量が高かったため、上記信頼性試験においてICチップ上アルミパッドの腐食が観察された。
Claims (12)
- 接着性樹脂としてジヒドロベンゾオキサジン環を有する熱硬化性樹脂を含んでなり、かつ前記接着性樹脂が延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムを基材として該延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムに複合化されて成ることを特徴とする接着フィルム。
- 前記接着性樹脂が前記延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムの多孔性空隙に充填されて前記多孔性空隙が埋められている、請求項1に記載の接着フィルム。
- 第1の延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムからなる多孔質ポリテトラフルオロエチレン層の両面に、第2の延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレンフィルムの多孔性空隙にジヒドロベンゾオキサジン環を有する熱硬化性樹脂を充填して形成された接着性樹脂層が積層され、かつ前記第1の多孔質ポリテトラフルオロエチレン層は多孔性空隙を保持してなる、請求項1に記載の接着フィルム。
- 前記着性樹脂が、接着フィルム全体の質量を基準として40質量%以上90質量%以下の範囲内で含有されている、請求項2に記載の接着フィルム。
- 前記着性樹脂が、接着フィルム全体の質量を基準として8質量%以上50質量%以下の範囲内で含有されている、請求項3に記載の接着フィルム。
- 前記接着性樹脂が、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を30質量%以上含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載の接着フィルム。
- ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂が、分子中に芳香族炭素原子を60質量%以上含む樹脂である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の接着フィルム。
- 前記接着性樹脂が、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂とフェノール樹脂とを含むものである、請求項1〜7のいずれか1項に記載の接着フィルム。
- 前記接着性樹脂が、ジヒドロベンゾオキサジン環を持つ熱硬化性樹脂を30〜100質量部とフェノール樹脂を0〜70質量部含むものである、請求項8に記載の接着フィルム。
- 前記フェノール樹脂が分子中の芳香族炭素原子の含有量が65質量%以上含む樹脂である、請求項8または9に記載の接着フィルム。
- 塩化物イオン濃度が1ppm 以下である、請求項1〜10のいずれか1項に記載の接着フィルム。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載の接着フィルムを備えた半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004152182A JP2005002335A (ja) | 2003-05-21 | 2004-05-21 | 接着フィルムおよびこれを使った半導体装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003143915 | 2003-05-21 | ||
JP2004152182A JP2005002335A (ja) | 2003-05-21 | 2004-05-21 | 接着フィルムおよびこれを使った半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005002335A true JP2005002335A (ja) | 2005-01-06 |
Family
ID=34106501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004152182A Pending JP2005002335A (ja) | 2003-05-21 | 2004-05-21 | 接着フィルムおよびこれを使った半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005002335A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010044456A1 (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | ジャパンゴアテックス株式会社 | 通気性複合シートの製造方法 |
WO2011093026A1 (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | 日東電工株式会社 | 両面粘着テープおよびその製造方法 |
WO2015060346A1 (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-30 | 日立化成株式会社 | ダイボンドシート及び半導体装置の製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0778914A (ja) * | 1993-08-03 | 1995-03-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 回路形成面のための保護コーティングを持ったチップ・キャリア |
JPH1022325A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Japan Gore Tex Inc | Icチップ接着用シートおよびicパッケージ |
JPH111673A (ja) * | 1996-05-31 | 1999-01-06 | Natl Starch & Chem Investment Holding Corp | マイクロエレクトロニクス接着剤における使用のためのアルキレン若しくはアルキレンオキシ鎖のポリグリシジルフェニルエーテル |
JPH11503565A (ja) * | 1995-03-29 | 1999-03-26 | オリン コーポレイション | 集積回路装置を収容するための部品 |
JPH11217416A (ja) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Showa Highpolymer Co Ltd | 熱硬化性組成物 |
JP2001240836A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物および接着剤付き金属箔 |
JP2003003134A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-08 | Japan Gore Tex Inc | Icチップ接着用シートおよびicパッケージ |
JP2003016838A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性ペースト及び該ペーストを用いてなる半導体装置 |
-
2004
- 2004-05-21 JP JP2004152182A patent/JP2005002335A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0778914A (ja) * | 1993-08-03 | 1995-03-20 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 回路形成面のための保護コーティングを持ったチップ・キャリア |
JPH11503565A (ja) * | 1995-03-29 | 1999-03-26 | オリン コーポレイション | 集積回路装置を収容するための部品 |
JPH111673A (ja) * | 1996-05-31 | 1999-01-06 | Natl Starch & Chem Investment Holding Corp | マイクロエレクトロニクス接着剤における使用のためのアルキレン若しくはアルキレンオキシ鎖のポリグリシジルフェニルエーテル |
JPH1022325A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Japan Gore Tex Inc | Icチップ接着用シートおよびicパッケージ |
JPH11217416A (ja) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Showa Highpolymer Co Ltd | 熱硬化性組成物 |
JP2001240836A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物および接着剤付き金属箔 |
JP2003003134A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-08 | Japan Gore Tex Inc | Icチップ接着用シートおよびicパッケージ |
JP2003016838A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 導電性ペースト及び該ペーストを用いてなる半導体装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010044456A1 (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | ジャパンゴアテックス株式会社 | 通気性複合シートの製造方法 |
US9138690B2 (en) | 2008-10-17 | 2015-09-22 | W. L. Gore & Associates, Co., Ltd. | Method for producing air-permeable composite sheet |
US9221021B2 (en) | 2008-10-17 | 2015-12-29 | W. L. Gore & Associates, Co., Ltd. | Method for producing air-permeable composite sheet |
WO2011093026A1 (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-04 | 日東電工株式会社 | 両面粘着テープおよびその製造方法 |
WO2015060346A1 (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-30 | 日立化成株式会社 | ダイボンドシート及び半導体装置の製造方法 |
TWI650822B (zh) * | 2013-10-23 | 2019-02-11 | 日立化成股份有限公司 | 固晶薄片及半導體裝置的製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3190044B2 (ja) | 接着剤、接着フィルム及び接着剤付き金属箔 | |
CN105017721B (zh) | 印刷线路板的绝缘层用树脂组合物 | |
CN106987093A (zh) | 树脂组合物 | |
KR101023844B1 (ko) | 접착수지 조성물, 접착필름, 다이싱 다이 본딩 필름 및반도체 장치 | |
JP6205692B2 (ja) | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物、絶縁層形成用接着フィルム及び多層プリント配線板 | |
WO2000078887A1 (fr) | Adhesif, element adhesif, substrat de circuit pour montage de semi-conducteur presentant un element adhesif, et dispositif a semi-conducteur contenant ce dernier | |
JP2009024177A (ja) | 樹脂付フィルム、積層板及び配線板 | |
KR100845092B1 (ko) | 접착수지 조성물, 접착필름, 다이싱 다이본딩 필름 및반도체 장치 | |
JPH10237410A (ja) | 熱伝導性接着剤組成物及び該組成物を用いた熱伝導性接着フィルム | |
JP2007314782A (ja) | 樹脂組成物、プリプレグ、積層板及び配線板 | |
CN106995585A (zh) | 树脂片 | |
JP5904256B2 (ja) | 樹脂組成物 | |
JP4316253B2 (ja) | ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP4505769B2 (ja) | 接着フィルム、接着フィルムを備えた半導体搭載用配線基板、半導体装置及びその製造方法 | |
JP5771988B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物 | |
JP2000154361A (ja) | 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 | |
JPH11209724A (ja) | 難燃化接着剤、難燃化接着部材、難燃化接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 | |
JP2003073641A (ja) | 難燃性接着フィルム、半導体搭載用配線基板、半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2005002335A (ja) | 接着フィルムおよびこれを使った半導体装置 | |
JPH1093245A (ja) | 多層配線板及びその製造法 | |
JP2000106372A (ja) | 両面接着フィルム、半導体搭載用有機基板および半導体装置 | |
JP4556472B2 (ja) | 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 | |
JP6830191B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、金属張積層板及びプリント配線板 | |
JP2001279217A (ja) | 接着剤組成物、難燃性接着剤組成物、接着フィルム、半導体搭載用配線基板及び半導体装置とその製造方法 | |
JPH11209723A (ja) | 難燃化接着剤、難燃化接着部材、難燃化接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070518 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20100811 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101214 |