JP2004535119A - 内蔵型センサ装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】アクセスしにくい制御されたコンパートメント内から種々のパラメータを監視し測定し、目視的検査をおこなう場合、既存の標準的な監視装置や技術では対処できない。理由は、そうした設備・装置では苛酷な圧力や温度環境等に対処するには構造上の、またはサイズ上の制約があるからである。
【解決手段】内部コンパートメント(14)を形成するハウジング(12)は、加工チェンバ(100)に挿入可能の形状と大きさとを有し、その主面(16a)を貫通した窓(40)を有し、本発明のセンサ装置(10)は、ハウジング(12)内に設けられ、窓(40)と同軸に配置されて窓(40)を通じてパラメータを感知し、信号として送信し、表示して検査する。
【選択図】図8

Description

【技術分野】
【0001】
この発明は、広義には内蔵型センサ装置およびシステムに関し、特定していえば、たとえば、シールされた(sealed)半導体ウエハ加工チェンバのような抑制された(controlled)コンパートメント内における種々のパラメータを監視し(monitor)または測定し(measure)、目視的に検査し(visual inspection)、較正(calibration)し、その他の情報処理をおこなうことのできる内蔵型センサ装置に関する。本願は、2001年6月28日に米国において提出された第60/301,557号特許仮出願(発明の名称「内蔵型センサ装置およびシステム」)に基づくものである。
【背景技術】
【0002】
アクセスしにくい制御されたコンパートメント内から種々のパラメータを監視し測定し、目視的検査をおこなわなければならない状況は多い。たとえば、操業中の半導体ウエハ加工チェンバ内の、たとえば、温度や圧力のような1個ないし複数個のパラメータを監視できることは望ましい。操業中の半導体ウエハ加工チェンバでは、ウエハ加工中高真空圧力となり内部も非常に見えにくくなる場合がある。しかし、既存の標準的な監視装置や技術ではそうした空間内条件に対処する効果は期待できない。理由は、そうした設備・装置では厳しい圧力および温度環境に対処するには構造上の、またはサイズ上の制約があったからである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
本発明は、そうした従来技術の問題点を解決するために、センサ装置を制御空間内に内蔵させることでそうした問題点を解決せんとするものである。すなわち、そうしたアクセスのむつかしい空間内における必要なパラメータを監視または測定し、目視的に検査し、較正(calibration)し、その他の情報処理をおこなうことのできる内蔵型センサ装置を提供する。
【0004】
本発明の第1実施例によれば、半導体ウエハの加工チェンバ内部を、検査し、較正など必要な作業を実行する内蔵型センサ装置を有することを特徴としている。その大きさおよび形状は、半導体加工チェンバの現存の開口部からに無理なく出し入れできるものであり、加工中のウエハを損傷することはない。
【0005】
さらに、形状を、半導体加工チェンバ内のロボットの腕に収められる程度として同チェンバ内の隅々を検査できるように工夫している。さらに、第2の実施例は、視察した映像をチェンバ外の受信機に送信する送信機を備え、内部の映像をリアルタイム(少なくとも略リアルタイムに)に視察した映像を表示するようにしている。
【課題を解決するための手段】
【0006】
概説すると、この発明の内蔵型センサ装置は、内部コンパートメントを画定するハウジングを有す。ハウジングは、感知領域(sensing area)にハウジングを挿入するアクセス・ポータルの大きさに至らない厚みに形成される。ハウジングには主たる表面に広がる窓がある。センサ装置はハウジング内に設けられ、窓と同軸に配置されて窓を通じてパラメータを感知する。さらに同センサ装置は、窓を介して映像を感知する光学的センサ(optical sensor)である。ハウジング内の送信機はセンサと一体である。受信機は感知領域外に設けられ送信された信号を受信する。受信機は、感知されたパラメータまたは映像を表示するためにモニタ装置に接続されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【0007】
図面において類似の符号は類似の部材・部分を示す。図1〜8に示す本発明の一実施例による内蔵型センサ装置10を示す。この実施例のセンサ装置10は、制御された空間内の情報を目視的に観察し、較正し、その他情報を得るのに用いる。制御された空間とは、本実施例の場合ウエハを送り出すためのロボット・アーム部を備えた半導体ウエハ加工チェンバ100である。
【0008】
半導体ウエハ加工チェンバ100(以下、チェンバ100)は全体的にシールされた空間となっており、既知の素材で形成される。チェンバ100内には各種装置・機器が設置される。これらの詳細の図示は省略するが、いずれもウエハの加工には必要な空間を形成する必須の部材またはエレメント(以下、エレメント)である。こうした装置・機器類も公知のものであり、その詳細は本発明の理解には直接関係するものではない。
【0009】
チェンバ内の器機の一つにロボット・アーム部108がある。これは主としてウエハをゲート口110と称される溝状のシールされた通路を介してチェンバ外に移送するのに用いる。ロボット・アーム部108(以下、ロボット・アーム108)は、基礎部分(図示省略)、ウエハ保持部114と、支持連動部材116とからなり、支持連動部材は、ロボット・アーム108の残りの部分をゲート口110方向へかつ一部通過した状態まで移動させ、さらにチェンバ100内の所望の箇所に移動させてウエハの加工を円滑化する。
【0010】
ロボット・アーム108は半導体ウエハ加工に使用される従来のタイプである。したがって、その詳細な説明は省略するが、本発明の理解には支障がない。
【0011】
以上の説明は従来型の半導体ウエハ加工チェンバ100に関するもので、これらは既製品として既存のメーカー、たとえば、アプライド・マテリアル・インコーポレィテッド(Applied Material Inc.)などから入手できる。また、その詳細も各メーカーの商品案内書その他公刊された資料から知ることができるが、そうした知識は本発明の理解には必要はない。
【0012】
ウエハ加工処理中は上記の従来型ウエハ加工チェンバ100の内部温度は60〜400℃に維持され、また10-7torrの真空圧に保持される。このため従来の標準的な無防備なセンサ機器類やビデオカメラその他の監視器具は使えなくなる。チェンバ100内でこうした機器が使えないことは、チェンバ100内の各時点における各種パラメータの測定ができないということである。本来こうしたパラメータ値はウエハの加工を適切に行う上で必要なものである。
【0013】
この発明は、従来の装置に伴うそうした問題点を解決せんとするもので、そのため内臓型のセンサ装置10を設けてパラメータを測定し、監視して、ウエハ加工中のチェンバ100内から可視映像を得て、その情報をチェンバ100外部の装置に送信してオペレータにより分析するようにしたものである。
【0014】
以下に説明する内蔵型センサ装置は、半導体ウエハの加工チェンバ100内のパラメータの測定または監視または目視による検査を行うのに最適ではあるが、用途はこれだけに限定されるものではない。以下の説明では本発明の内蔵型センサ装置は目視的または光学的感知に限定されるものではなく、コンパートメント内の圧力、温度、空気の汚染度、湿度などの各種パラメータを感知し、スペクタクル分析、化学的分析を行うのに使用することができる。センサ装置は、特定の検査対象に対して一個でも複数個でも、一種類でも複数種類でもよい。また、対象とするコンパートメントは下記で取り上げる半導体ウエハの加工チェンバ100に限らないこと勿論である。
【0015】
内蔵型センサ装置10は、内部コンパートメント14を形成するハウジング12を有している。図示実施例では全体的に扁平な基板16からなり、同基板16は、第1の主面16a、第2の主面16b、第1の所定の厚みT1を有している。本実施例の場合、基板16は総体的に円板状で中心軸18を有している。好ましくは、基板16の外周は、その時点でチェンバ100内で加工中の半導体ウエハの外周と同じか小さめである。さらに、基板16は、直径6〜18インチの範囲が好ましい。
【0016】
図2および図4に示すように基板16の第1主面16aは、総体的に扁平であり、一対の外方に平行して突出したリブ20と、その間に面取りした領域22を有している。リブ20と面取り領域22を設けることによって、チェンバ100内において第1の主面16aはチェンバ100内のロボット・アーム108のウエハ保持部114の表面と同一面となり、それによりセンサ装置10をウエハ保持部114に組み込んだ時に(図1参照)センサ装置10による検査を容易にし、ロボット・アーム108によるチェンバ100内部の各箇所への移動中センサ装置10の保持を助けることになる。所望に応じてその他の構成エレメントを基板16の第1の主面16aに、またはそれから延出して追加することができ、それによりセンサ装置10をどの方向にも移動させ、またロボット・アーム108との連動を可能にすることができる。
【0017】
図3および図8に示すように、第1の総体的に環状のリブ24が総体的に扁平な第2の主面16b上に形成される。同環状リブ24は基板16と同心で、かつ、それ自体の外周によって画定され、基板16の外周より小さめにする。リブ24は、外向面24aと、第2の所定の厚みT2を有している。
【0018】
図2および図8に示すようにさらにハウジング12は扁平なカバー26を有しており、本実施例では第1の環状リブ24の外周と、少なくとも大きさにおいて等しく、好ましくはすべての点で同じとする。カバー26は第1の主面26a、第2の主面26b、第3の所定の厚みT3を有する。図2に示すように、カバー26の第2の面は、第1の環状リブ24の外向面24aと係合して、第1の環状リブ24と基板16と合体して内部コンパートメント14を形成する。本実施例ではハウジング12が組み立てられると、第1、第2、第3の所定の厚みT1、T2、T3は合体しハウジング12の最大厚となる。好ましくは、ハウジング12の最大厚みは感知が行われる予定の領域へのアクセスポートより小さい。本実施例ではチェンバ100にゲート口110を設けることによって所望の感知を行うためのハウジング12のチェンバ100その他への挿入を円滑にすることができる。センサ装置10が、ゲート口110からチェンバ100への出し入れができるようにする、さらに感知を行う他の領域から出し入れができることは重要である。それによってセンサ10は所望の感知を障害なく、またチェンバ100内またはその他感知領域内の雰囲気を不当に悪化させることなく行うことができる。
【0019】
図3および図8に示すように基板16の第2の主面16bはさらに4個のリブ28、30、32、34を有し、これらは合体してサブコンパートメント36をハウジング12内に形成する。本実施例ではリブ28、30、32、34は同じ厚みを有し、サブコンパートメント36を長方形にするため二つの異なった長さを有し、相互に直角に交わっている。サブコンパートメント36は図示形状に限定されるわけではなく、好みに応じて種々の形態がとれることは当業者には自明のことである。サブコンパートメント36は、プリント回路板88を後述する方法で保持するためである。
【0020】
基板16の第2の主面16bは、第一の環状リブ24とリブ28、30、32、34の間に複数の強化リブ38を有している。強化リブ38は、一方向には相互に平行し、それと直交する他方向でも相互に平行した状態に配列される。リブ28、30、32、34はサブコンパートメント36を形成し基板16の剛性を強化するものでそれ自体公知の方法である。さらに基板16は、第1の主面16aから第2主面16bにかけて透過させた開口を設けて監視窓40としている。本実施例では、監視窓40は、円形を呈し、基板16と同心である。詳しくは、窓40は、基板16の中心軸を通って貫通している。しかし、窓40は円形である必要はなく、また基板16の中心軸と同心とする必要はない。本実施例では窓40は通常開放されているが、適当な保護材を使って覆うこともできる。保護材は好ましくは透明であり、扁平で、耐磨耗性、耐熱性、その他センサが活動するコンパートメント内の苛酷条件に耐ええる性状を有している必要がある。さらに、レンズ的性能、光、特に赤外線、可視光線、紫外線の透過性を有している。こうした素材は、たとえば、
合成サファイア、特に単結晶の合成サファイア、ガラス、石英、ポリマー類、その他光の透過性があり、センサ装置10は、作動している特定の雰囲気内の条件に対する抵抗力があるものであれば使える。また、所望に応じて窓20の個数を増やすことも可能である。
【0021】
本実施例では基板16の第2の主面16bの正方形の枠(boss)42が窓40を囲繞している。さらに、第2の小さめで長細い長円形の開口部44がサブコンパートメント36内の枠42の一側面から少し距離を置いた箇所で基板16を透過している。さらに、リブ28に開口部46が形成される。リブ42と開口部44、46については後述する。
【0022】
カバー26の第2面には4個のリブが、先のリブ28、30、32、34と同じように配列されている。このようにしてカバー26が図2に示すように設置されると、カバー26の第2面のリブは、基板16の第2主面16bの対応リブ28、30、32、34と一直線に並ぶ(aligned)ことで、プリント回路板88を保持するサブコンパートメント36を形成する。プリント回路板88については後述する。カバー26のリブの一つは透孔を有する。カバー26の第2面はさらに複数の強化リブを設けてより強固としている。カバー26の第2面は第2の環状リブ60を、カバー26の外周に対応して第1の環状リブ24と一直線となる箇所に設けている。第1の環状リブ24と第2の環状リブ60は夫々半円形の開口部62、64を有している。これらは互いに同一線上に配置され、カバー26が基板16に設けられたとき円形の開口部66が形成されることになる。カバー26が基板16に設けられたとき、一対の第2の開口部が、相互に同一線上に配置された第1、第2の環状リブ24、26を透過することで第2の円形開口部を形成する。
【0023】
基板16にカバー26が設置されると、第1と第2の環状リブ24、60は同一線上に並び内部コンパートメント14を形成する。環状リブ24、60とに開口部を貫通して設けてサブコンパートメント36へのアクセスを可能にする。アクセスする目的については後述する。好ましくは、ハウジング(厚みT1、T2、T3の合体により形成される)の最大厚みは、チェンバ100のゲート口110の厚みより薄く、好ましくは、1/2インチ以下とする。本実施例では、ハウジング12の最大厚みは約0.35インチである。チェンバ100内のパラメータの測定または映像の感知を実行するためには内部コンパートメント14はシールまたは気密にする必要はない。しかし、その他の応用ではコンパートメント14は気密性にすることが望ましい。
【0024】
好ましくは、基板16とカバー26(さらに記述のすべての関連エレメント)は剛体の合成樹脂製とする。しかし、基板16とカバー26は合成樹脂以外の素材でも、丈夫で、変形の懸念がなく、できれば軽量で、可撓性があり、センサ装置が使用される雰囲気の諸条件に対し抵抗力があれば使用できる。素材はガスに対し不浸透性があり、応用分野によっては、気密性のシールを形成することができる。素材としては、鉄系金属、鉄系合金、非鉄系金属、非鉄系合金、セラミック、熱可塑性または熱硬化性合成樹脂、ガラス、アラミド、炭素繊維などの複合材が使える。場合によっては、ハウジング12が、構造的に丈夫で、変形の懸念がなく、内部コンパートメント14内の諸エレメントを保護するに不足なきかぎり、基板16と関連のエレメントの素材と、カバー26と関連エレメントの素材とは異なっていてもよい。基板16とカバー26とは、公知の成型方法により形成することができる。好ましくは、カバー26は、公知のスナップに既成の接着剤、好ましくは紫外線硬化接着剤(ultraviolet curable adhesive)などを用いて基板16に固着する。または、カバー26は基板16に、溶接、はんだ付け、クランプその他の機械的固着手段を用いて取り付けてもよい。以上述べたようにカバー26を基板16に取り付ける方法については特に限定はない。
【0025】
ハウジング12はロボット・アーム108に、またはチェンバ100内においてセンサ装置10を作動させるため適宜設けられる可動装置内に収まる程度の大きさと形状にするのが便利である。前記可動装置は、サンサ10をゲート口110から出入りさせ、また、目視による観察、較正、監視、測定を行う上で便利な箇所に移行させるものである。これは、チェンバ100を解体したりまたは開口したりせずに、またウエハの加工を中断することなくセンサ装置10の着脱、移動を行うことができという意味で非常に重要な特徴となる。本実施例では、ハウジング12は気密性(air-tight)にも密閉式(sealed)にもなっていないが、内部コンパートメント14は、密閉式またはカプセル入りとして内部のエレメント類を保護する。内部コンパートメント14は、熱絶縁層(図示省略)を設けても、冷媒層(図示省略)またはEMIシールド(図示省略)を設けて一層の保護を図るようにすることもできる。ハウジング12の図示した大きさ、形状、構成などは一例に過ぎず、これに限定されるものではない。したがって、センサ装置10も図示したハウジング12を有するものに限定されるものではない。
【0026】
内部コンパートメント14と、特にサブコンパートメント36には種々のエレメント・装置が収められている。これらは、合体してセンサ装置10の操作部を形成するものである。以後、上記の単体としてのセンサ装置に対し集合的にセンサ装置総合体という。センサ装置総合体には三つの主たる従部分がある。すなわち、センサ部、送信部、電源部である。本実施例ではこれらは基盤(substrate)に固定されている。基盤は本発明ではプリント回路板88である。プリント回路板自体は公知のもので、形状は、長方形でハウジング12が組み立てられたときサブコンパートメント36に収まる大きさである。
【0027】
本発明のセンサ部は、ハウジング12に形成された窓40を介して映像を光学的に感知する光学センサを設けている。本実施例ではその光学センサは、高能率、低電圧のCMOS(相補形金属酸化膜半導体)センサ90を使っており、これは単一チップビデオ・カメラとして機能している。 本発明のCMOSセンサ90は、PAL/NTSCでSE カムコンパチブル(SEcam compatible)からなるVGA型であり、EIA (米国電子工業会)によるTV基準による640X480ピクセルからなっている。CMOSセンサ90は、中央においてプリント回路板88に設置される。それによりサブコンパートメント36内にプリント回路板88が設置されるときCMOSセンサ90は、正方形の枠42(図8)を貫通しかつそれに囲繞されており、正方形の枠42はハウジング12の基板16に設けられた窓40を囲繞している。レンズとレンズホルダ92とは正方形枠42内に保持されてレンズはCMOSセンサ90と窓40との間に位置している。好ましくは、レンズは平凸型であり、センサ90を所定範囲作動させる間十分の目視明晰性を保持できるだけの焦点距離を有する。勿論レンズは応用分野に合わせて種々のものが選択できる。たとえば、テレスコーピング・レンズが用いられてもいいし、場合によっては、回転式プリズム・レンズが用いられてもよい。
したがって、使用されるレンズの型や焦点距離は、本発明の本旨には関係がなく適宜選択できる。本発明におけるCMOSセンサ90は、全体的に外形的には正方形であり、正方形枠42の内方寸法に一致する。このようにしてプリント回路板88が、CMOSセンサ90を正方形枠42に延出させた状態でサブコンパートメント36内に装備されると正方形枠42は外来光線(すなわち、窓40以外から入ってくる光)がレンズやCMOSセンサ90に入るのを遮断する。
【0028】
センサ部には一対の発光ダイオード(LED)94が設けられ、これはプリント回路板88にCMOSセンサ90からやや距離をおいて設置される。発光ダイオード94はプリント回路板88の上にあり、プリント回路板がサブコンパートメント36内に設置されると発光ダイオード94は、ハウジング基板16を貫通した細長い長方形の開口部44と同一直線上に配置される。このようにして発光ダイオード94が発光すると、その光は開口部44を通ってCMOSセンサ90の感知領域を照射する。本発明における発光ダイオード94は赤外線型であり、レンズの焦点距離とCMOSセンサ90の範囲内に十分の光を照射する。発光ダイオードとしては種々のタイプのものが使用でき、また光源としても発光ダイオードに限らないことは当然である。発光ダイオードの数も2個とは限らないし、場合によっては、全くなしでも差し支えない。
【0029】
本実施例ではCMOSセンサ90は肉眼で見える映像の感知に使われているが、その他のたとえばカメラや目視センサ類を使うこともできる。カメラとしてはSVGA、XGA、MEGAピクセルタイプなどである。所望によっては、解像度を調節できるマルチプル・カメラをタイプや焦点距離の異なるレンズの併用とともに使用することができる。カメラは静画用のもの、動画用のものや、CCD(電荷結合素子)型のものも使用は可能である。さらに、カメラ・チップまたはCMOSセンサ90は、標準型のテレビ方式でビデオ信号を出力するのに用いることもできる。
【0030】
送信部は送信機96と関連のアンテナ(図示省略)を有している。本実施例では送信機96は、標準のFM型で、電圧制御オシレータ(VCO)を有している。送信機96は、2.4〜2.5ギガヘルツ・マイクロウエーブ・チャネル(通称“Blue Tooth”)で作用することが好ましい。CMOSセンサ90からのビデオ信号出力は、標準のプレコンディション回路を使ってプレコンディションされて送信機96の入力に送り、アンテナを介してハウジング12から発信する。好ましくは、アンテナはディレクショナル・チューニング型を用い、プリント回路板88に組み込む。しかし、その他のアンテナを用いることもできる。送信機96やアンテナの詳細は公知であるので説明は省略する。送信機およびアンテナの組み合わせは、CMOSセンサ90からハウジング12から発信するために受信した条件化された(conditioned)ビデオ信号が受信可能(compatible)であれば、種々のものが使える。また、送信機96は、所望によってはその他の周波数の範囲で使ってもよい。または、赤外線送信機のような別種の送信機を使うこともできる。
【0031】
電源部はプリント回路板88に取り付けたバッテリ120に接続した回路(図示省略)を有している。本実施例では、バッテリ120は、3.7ボルト範囲の通常の電圧のリチウムイオン型である。好ましくは、充電式がよくバッテリ120をハウジング12からいちいち外さなくても充電できるものがよい。このため、充電用のジャック122がバッテリおよび関連の回路に接続される。ジャック122は、第1、第2の環状リブ24、60を貫通した開口部66内に設けられる。このようにしてジャック122の先端はハウジング12の外部からアクセスできるのでバッテリ120は円滑に充電できる。バッテリ12に関連して、短絡を防止し、バッテリの漏電を最低とし、ジャック122が使い易いようにするための通常の保護回路(図示省略)が用いられる。在来型の電圧レギュレータ(図示省略)も用いられる。バッテリ120と関連の回路によって必要とされる電圧で電力がプリント回路板88に実装されたすべてのエレメントに供給する。本実施例ではバッテリ122はリチウムイオン型であるが、充電式であれば他の型のものでもよい。たとえば、酸化銀バッテリ、メタルハライド・リチウムバッテリ、Ni-CADバッテリ、アルカリバッテリなどである。さらに、バッテリ122は、充電式であるが、場合によっては非充電式でもよい。また、本実施例ではバッテリ122の充電は充電器(図示省略)をジャック122に接続して行っているが、荷電結合コイル(charge coupled coil)、光電池(phtovoltaic cells)その他公知の装置・方法が使える。
【0032】
電源部はさらにオンオフ・スイッチを有し、センサ装置10が使われていないときは他の部位への動力供給を絶ってバッテリの浪費を防いでいる。本実施例ではスイッチは標準的な磁気作動型リード・スイッチ124で、電源部86と、プリント回路板88上のエレメントとの間に接続される。リード・スイッチ124は、サブコンパートメント36の開口部46に近くなるようプリント回路板88上に設けられ、第1、第2の環状リブ24、60の開口部と直線上になる。このようにして小磁石(図示省略)がハウジング12に最寄の開口部から移行されて磁気作動型リード・スイッチ124を変位させる。好ましくは、磁石がリード・スイッチ124に接近することによりプリント回路板88上の各エレメントに動力を与え、磁石が解離することで動力の伝達が遮断される。スイッチの種類等については当業者には自明のことであるので詳細は省略する。
【0033】
センサ装置10の組み立ては、CMOSセンサ90および関連のレンズを、発光ダイオード94が長方形の開口部44と一直線状とした状態で正方形の枠42内に設置されるように、先ずプリント回路板をサブコンパートメント36内に収める。バッテリ・ジャック122は、円形の開口部66に収められる。カバー26が、上記説明したように各エレメントの相互位置を調整した状態で基板16にかけられる。
【0034】
図1に示すように受信機130が送信機96から送信された信号を受信するために設けられる。好ましくは、受信機130は、チェンバ100の外部であって送信機96の受信範囲内に設置される。本実施例では受信機130は、公知の4チャネル2.4−2.5ギガヘルツFM型受信機を使って送信機96からの送信を受信している。受信機130は、モニタ装置132に接続されているが、モニタ装置132は、好ましくは、扁平・スクリーン型で、CMOSセンサ90により発生される信号の受信と表示に十分に適合するものとする。モニタ装置132はVGA型が用いられているが、種類については限定はない。このようにして、CMOSセンサ90で感知された映像は、ハウジング12から送信機96およびアンテナによって送信され、それは受信機130に受信され、復調されてモニタ装置132に送られて表示されオペレータにより検査される。受信機、モニタ装置は種々のものが使用できる。たとえば、モニタ装置は、パーソナル・コンピュータ、ラップトップ・コンピュータ、ノート型コンピュータ、PDA、携帯電話、その他の電子機器が使えるが、復調されたビデオ信号を受信し表示するためのデータ収集ソフトをもったものであればとくに限定はない。さらに、受信器130とモニタ装置132とは、一体化して単体としてもよい。受信機130は、液晶表示方式などが使える。所望とあれば、プリンタ(図示省略)をモニタ装置132に連動してCMOSセンサ90により捕捉された映像の永久記録をするようにしてもよい。
【0035】
上記した実施例はいずれも本発明の一例を示すものであり、発明の要旨内において種々の変更は可能であり、これらの実施例に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【0036】
上記実施例および発明の概要(Summary)は添付図面によりより明確になるであろう。しかし、これらは一実施例であって本願発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【図1】本発明の内蔵型センサ装置の斜視図。
【図2】図1に示すセンサ装置の側面図。
【図3】図2中3−3線に沿った断面図。
【図4】図2中4−4線に沿った断面図。
【図5】図1のセンサ装置のプリント回路板の斜視図。
【図6】図1中のセンサ装置のレンズとホルダー組合せ体の斜視図。
【図7】図1のセンサ装置の充電用ジャックの斜視図。
【図8】図1中のセンサ装置の分解斜視図。
【符号の説明】
【0037】
10 内蔵型センサ装置
12 ハウジング
14 内部コンパートメント
16 基板
36 副コンパートメント
40 窓
90 センサ
96 送信機
100 半導体ウエハ加工チェンバ

Claims (14)

  1. ゲート口およびロボット・アームを有した半導体ウエハ加工チェンバの稼働中の内部を検査する内蔵型センサ装置であって、ゲート口よりチェンバ内に挿入可能に形成され、かつ、主面に貫通した窓を有したハウジングと、窓と一直線上に配置され、チェンバ内部の映像を感知するためハウジング内に設けられたセンサ手段と、感知された映像信号を受信して送信するため前記ハウジング内でセンサに接続された送信機とを有することを特徴とした内蔵型センサ装置。
  2. ハウジングは、第1の主面と第2の主面と第1の所定の厚みとを有した総体的に扁平な基板と、基板の前記第2の主面に突設され、頂面と側面と適宜の第2の厚みとを有した第1のリブと、第1の主面と第2の主面と第3の所定の厚みとを有し、かつ、前記第1のリブの大きさと少なくとも等しい寸法を有した総体的に扁平なカバーとからなり、同カバーの第2面は第1のリブの頂面に接して基板とともにコンパートメントを形成し、前記第1、第2、第3の厚みは合体されてハウジングの最大厚みとなることを特徴とした請求項1に記載の内蔵型センサ装置。
  3. 基板は、総体的に円形で、軸を有しており、前記第1のリブは全体的に環状で軸と外周とを有し、かつ基板と同軸であり、前記カバーは、総体的に円形で、軸を有するとともに基板と同軸であることを特徴とした請求項2に記載の内蔵型センサ装置。
  4. センサ手段がビデオ・カメラである請求項1に記載の内蔵型センサ装置。
  5. ビデオ・カメラが窓近傍に設置されたCMOSセンサである請求項4に記載の内蔵型センサ装置。
  6. ビデオ・カメラが、CMOSセンサと窓の間に設置された、所定の焦点距離をもったレンズを有した請求項5に記載の内蔵型センサ装置。
  7. ハウジングは、窓に近い箇所の主面を貫通した開口部を有するとともに、ビデオ・カメラは、前記開口部と直線上に配置された発光ダイオードを有し、これによりCMOSセンサの視察領域を照射することを特徴とした請求項5に記載の内蔵型センサ装置。
  8. 送信機がFM型である請求項1に記載の内蔵型センサ装置。
  9. ウエハ加工チェンバの外部に設けられ、送信機からの信号を受信するための受信機と、同受信機に接続され、感知された映像を表示する監視装置とを有することを特徴とした請求項1に記載の内蔵型センサ装置。
  10. 充電型バッテリを含む動力源を有した請求項1に記載の内蔵型センサ装置。
  11. バッテリがリチームイオン型である請求項10に記載の内蔵型センサ装置。
  12. ハウジング外部から操作可能な充電ジャックを有してバッテリの充電を行うことのできる請求項10に記載の内蔵型センサ装置。
  13. オンオフ・スイッチを有してバッテリからの動力をハウジング内部の各エレメントに送電することを特徴とした請求項10に記載の内蔵型センサ装置。
  14. オンオフ・スイッチは、ハウジング外部から操作可能な磁気作動型リード・スイッチである請求項13に記載の内蔵型センサ装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019221454A1 (ko) * 2018-05-14 2019-11-21 주식회사 아모센스 트랙커 어셈블리 및 트랙커 탈거장치

Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6244121B1 (en) 1998-03-06 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system
US7134934B2 (en) 2000-08-30 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for electrically detecting characteristics of a microelectronic substrate and/or polishing medium
US7160176B2 (en) * 2000-08-30 2007-01-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for electrically and/or chemically-mechanically removing conductive material from a microelectronic substrate
US7153195B2 (en) 2000-08-30 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for selectively removing conductive material from a microelectronic substrate
US7129160B2 (en) * 2002-08-29 2006-10-31 Micron Technology, Inc. Method for simultaneously removing multiple conductive materials from microelectronic substrates
US7220166B2 (en) 2000-08-30 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for electromechanically and/or electrochemically-mechanically removing conductive material from a microelectronic substrate
US7078308B2 (en) * 2002-08-29 2006-07-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for removing adjacent conductive and nonconductive materials of a microelectronic substrate
US7960670B2 (en) * 2005-05-03 2011-06-14 Kla-Tencor Corporation Methods of and apparatuses for measuring electrical parameters of a plasma process
US7086933B2 (en) * 2002-04-22 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Flexible polishing fluid delivery system
US20050224899A1 (en) * 2002-02-06 2005-10-13 Ramsey Craig C Wireless substrate-like sensor
US20050233770A1 (en) * 2002-02-06 2005-10-20 Ramsey Craig C Wireless substrate-like sensor
US20050224902A1 (en) * 2002-02-06 2005-10-13 Ramsey Craig C Wireless substrate-like sensor
US7289230B2 (en) * 2002-02-06 2007-10-30 Cyberoptics Semiconductors, Inc. Wireless substrate-like sensor
US7085622B2 (en) 2002-04-19 2006-08-01 Applied Material, Inc. Vision system
US7233841B2 (en) * 2002-04-19 2007-06-19 Applied Materials, Inc. Vision system
US20050011611A1 (en) * 2002-07-12 2005-01-20 Mahoney Leonard J. Wafer probe for measuring plasma and surface characteristics in plasma processing environments
US6939210B2 (en) * 2003-05-02 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Slurry delivery arm
US7107125B2 (en) * 2003-10-29 2006-09-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring the position of a semiconductor processing robot
US7153777B2 (en) * 2004-02-20 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for electrochemical-mechanical polishing
US20050217796A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Carter Daniel C Techniques for packaging and encapsulating components of diagnostic plasma measurement devices
US20050284570A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Doran Daniel B Diagnostic plasma measurement device having patterned sensors and features
US7566391B2 (en) * 2004-09-01 2009-07-28 Micron Technology, Inc. Methods and systems for removing materials from microfeature workpieces with organic and/or non-aqueous electrolytic media
US20060132312A1 (en) * 2004-12-02 2006-06-22 Tavormina Joseph J Portal antenna for radio frequency identification
US20060217813A1 (en) * 2005-03-22 2006-09-28 Posnick Jeffrey C Facial implant
US7482576B2 (en) * 2005-05-03 2009-01-27 Kla-Tencor Corporation Apparatuses for and methods of monitoring optical radiation parameters for substrate processing operations
US8821099B2 (en) * 2005-07-11 2014-09-02 Brooks Automation, Inc. Load port module
US20070131562A1 (en) * 2005-12-08 2007-06-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for planarizing a substrate with low fluid consumption
US7893697B2 (en) * 2006-02-21 2011-02-22 Cyberoptics Semiconductor, Inc. Capacitive distance sensing in semiconductor processing tools
CN101410690B (zh) 2006-02-21 2011-11-23 赛博光学半导体公司 半导体加工工具中的电容性距离感测
US20060287654A1 (en) * 2006-08-11 2006-12-21 Jeffrey Posnick Implant securing device and method
DE112007002309T5 (de) * 2006-09-29 2009-07-30 Cyberoptics Semiconductor, Inc., Beaverton Substratähnlicher Teilchensensor
US8189042B2 (en) * 2006-12-15 2012-05-29 Pollack Laboratories, Inc. Vision analysis system for a process vessel
US8254657B2 (en) * 2007-01-08 2012-08-28 Pollack Laboratories, Inc. Image recognition and analysis system and software
US8104342B2 (en) 2007-02-23 2012-01-31 Kla-Tencor Corporation Process condition measuring device
US7778793B2 (en) * 2007-03-12 2010-08-17 Cyberoptics Semiconductor, Inc. Wireless sensor for semiconductor processing systems
US20080246493A1 (en) * 2007-04-05 2008-10-09 Gardner Delrae H Semiconductor Processing System With Integrated Showerhead Distance Measuring Device
US20090015268A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 Gardner Delrae H Device and method for compensating a capacitive sensor measurement for variations caused by environmental conditions in a semiconductor processing environment
US20090225162A1 (en) * 2008-03-06 2009-09-10 Lustrous International Technology Ltd. Monitoring apparatus
JP2009231562A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Tokyo Electron Ltd 観測用基板及び観測システム
US8614739B2 (en) * 2009-12-31 2013-12-24 Pollack Laboratories, Inc. Apparatus and method for analyzing fluids in vessels and pipelines
US9599787B2 (en) 2011-12-27 2017-03-21 Tera Xtal Technology Corporation Using sapphire lens to protect the lens module
EP2664900B1 (de) * 2012-05-18 2016-08-31 Sick AG Metallisches Sensorgehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung
CN104749390B (zh) * 2013-12-31 2020-07-03 森萨塔科技(常州)有限公司 定位框架结构
WO2017008993A1 (en) 2015-07-16 2017-01-19 Asml Netherlands B.V. Inspection substrate and inspection method
US9911634B2 (en) 2016-06-27 2018-03-06 Globalfoundries Inc. Self-contained metrology wafer carrier systems
US10931143B2 (en) * 2016-08-10 2021-02-23 Globalfoundries U.S. Inc. Rechargeable wafer carrier systems
US10541168B2 (en) * 2016-11-14 2020-01-21 Lam Research Corporation Edge ring centering method using ring dynamic alignment data
US10355076B2 (en) * 2017-10-31 2019-07-16 Texas Instruments Incorporated Low substrate leakage zener diode with modulated buried junction
KR102433436B1 (ko) * 2018-07-04 2022-08-17 삼성전자주식회사 기판 처리 시스템, 기판 처리 시스템에서의 에지 링 정렬 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 원반형 비젼 센서

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE30601E (en) 1978-12-11 1981-05-05 International Business Machines Corporation Alignment apparatus
US4705951A (en) * 1986-04-17 1987-11-10 Varian Associates, Inc. Wafer processing system
JPH02135752A (ja) 1988-11-16 1990-05-24 Yaskawa Electric Mfg Co Ltd ウェハー検出装置
IT1248921B (it) * 1990-05-30 1995-02-11 Italtel Spa Circuito comparatore autoazzerato a bassa dissipazione di potenza
JPH04167523A (ja) 1990-10-31 1992-06-15 Anelva Corp ドライエッチング装置
US5262685A (en) * 1991-10-16 1993-11-16 Unitrode Corporation High-speed, low power auto-zeroed sampling circuit
US5536395A (en) * 1993-03-22 1996-07-16 Amway Corporation Home water purification system with automatic disconnecting of radiant energy source
US5650082A (en) 1993-10-29 1997-07-22 Applied Materials, Inc. Profiled substrate heating
JPH07142410A (ja) 1993-11-18 1995-06-02 Nissin Electric Co Ltd 基板処理装置
US5581874A (en) * 1994-03-28 1996-12-10 Tokyo Electron Limited Method of forming a bonding portion
JPH08285692A (ja) 1995-04-07 1996-11-01 At & T Ipm Corp 放射加熱された本体の高温計による測定を含む半導体処理技術と、本技術を実行するための機器
JPH09172001A (ja) 1995-12-15 1997-06-30 Sony Corp 半導体製造装置の温度制御方法および装置
US6010538A (en) 1996-01-11 2000-01-04 Luxtron Corporation In situ technique for monitoring and controlling a process of chemical-mechanical-polishing via a radiative communication link
US6111248A (en) * 1996-10-01 2000-08-29 Texas Instruments Incorporated Self-contained optical sensor system
US5946083A (en) * 1997-10-01 1999-08-31 Texas Instruments Incorporated Fixed optic sensor system and distributed sensor network
US5955858A (en) * 1997-02-14 1999-09-21 Applied Materials, Inc. Mechanically clamping robot wrist
US6063234A (en) 1997-09-10 2000-05-16 Lam Research Corporation Temperature sensing system for use in a radio frequency environment
US6002840A (en) * 1997-09-30 1999-12-14 Brooks Automation Inc. Substrate transport apparatus
JPH11142410A (ja) 1997-11-05 1999-05-28 Hitachi Ltd 自動分析装置
US6244121B1 (en) 1998-03-06 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Sensor device for non-intrusive diagnosis of a semiconductor processing system
EP0941691A1 (en) * 1998-03-11 1999-09-15 Welch Allyn, Inc. Compact video imaging assembly
US6201293B1 (en) * 1998-11-19 2001-03-13 Xerox Corporation Electro optical devices with reduced filter thinning on the edge pixel photosites and method of producing same
US6077387A (en) 1999-02-10 2000-06-20 Stmicroelectronics, Inc. Plasma emission detection for process control via fluorescent relay
US6200023B1 (en) 1999-03-15 2001-03-13 Steag Rtp Systems, Inc. Method for determining the temperature in a thermal processing chamber
US6175698B1 (en) * 1999-10-27 2001-01-16 Xerox Corporation Toner concentration control for an imaging system
JP3306398B2 (ja) * 1999-11-29 2002-07-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板搬送装置および搬送教示システム
US6532403B2 (en) 2000-04-21 2003-03-11 Microtool, Inc Robot alignment system and method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019221454A1 (ko) * 2018-05-14 2019-11-21 주식회사 아모센스 트랙커 어셈블리 및 트랙커 탈거장치
KR20190130282A (ko) * 2018-05-14 2019-11-22 주식회사 아모센스 트랙커 어셈블리, 트랙커 탈거장치 및 트랙커 어셈블리로부터 트랙커를 탈거하는 방법
KR102611690B1 (ko) * 2018-05-14 2023-12-08 주식회사 아모센스 트랙커 어셈블리, 트랙커 탈거장치 및 트랙커 어셈블리로부터 트랙커를 탈거하는 방법

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