JP2004531074A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. シリコン太陽電池に裏面領域を組み込む方法であって、これは、
   ａ）電池の背面にアルミニウムの層をデポジットし、
   ｂ）７００及び１０００℃の間の温度にてアルミニウム層を焼結し、
   ｃ）第Ｖ族元素の化合物の雰囲気に電池をさらし、９５０及び１０００℃の間の温度にて拡散させ、露出したｐ−型のシリコン表面を前記第Ｖ族元素でドープするステップからなり、ステップ（ｃ）がステップ（ｂ）と分離して実施されるシリコン太陽電池に裏面領域を組み込む方法。
2. ステップ（ｂ）中の焼結温度が８５０及び１０００℃の間、望ましくは９００及び９６０℃である請求項１記載の方法。
3. ステップ（ｂ）中の焼結所要時間がわずか３０分、望ましくはわずか１０分の間である請求項１又は２記載の方法。
4. 第Ｖ族元素がリン又はヒ素である請求項１乃至３の何れか一項に記載の方法。
5. 第Ｖ族の化合物がＰＯＣｌ_３である請求項４に記載の方法。
6. ステップ（ｃ）のドーピングが９６０及び１０００℃の間の温度にて実施される請求項１乃至５の何れか一項に記載の方法。
7. 露出したｐ−型シリコン表面が電池の表面に彫られた溝の中に存在する請求項１乃至６の何れか一項に記載の方法。
8. シリコンが単結晶である請求項１乃至７の何れか一項に記載の方法。