JP2004519118A - 自己同調型ミリメートル波rfトランシーバモジュール - Google Patents
自己同調型ミリメートル波rfトランシーバモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004519118A JP2004519118A JP2002527046A JP2002527046A JP2004519118A JP 2004519118 A JP2004519118 A JP 2004519118A JP 2002527046 A JP2002527046 A JP 2002527046A JP 2002527046 A JP2002527046 A JP 2002527046A JP 2004519118 A JP2004519118 A JP 2004519118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- self
- transceiver module
- mmic
- tuning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/165—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュールが、少なくとも1つの増幅器を有するマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)を含む。制御装置は、増幅器の動作条件を感知しかつ少なくとも1つの増幅器を最適な動作条件に調整するために、MMICに動作可能に接続される。制御装置は、MMICに動作可能に接続された表面実装マイクロコントローラチップを含む。
Description
【0001】
(関連出願)
本出願は、2000年9月11日に出願された先願の同時係属仮出願第60/231,926号に基づくものである。
【0002】
(発明の分野)
本発明は、マイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)に関し、より詳細には、本発明は、最適な性能に向けて調整することができるマイクロ波モノリシック集積回路と、MMICおよびトランシーバモジュールの改良されたパッケージングに関する。
【0003】
(発明の背景)
無線遠隔通信の最近の急増は、高性能ミリメートル波無線周波数(RF)モジュールに対する需要を増加させている。高周波MMICモジュールの主なコスト/歩留まり牽引力の1つは、手動調整してモジュール性能を最適化することであった。大部分のMMIC RF増幅器は自己バイアスされていない。したがって、各増幅器は、増幅器をその公称動作条件に調整するためにゲート電圧(Vg)調節を必要とする。通常、この調整は、増幅器がモジュール内で組み立てられ、電源に接続された後で行われる。
【0004】
モジュール内のチップにアクセスするために、プローブステーションが必要とされる。さらに、顕微鏡下でこれらの小さなデバイスをプローブするために熟練度の高いオペレータが必要である。チップの損傷は、ベテランのMMIC技術者の場合でもきわめて普通のことである。調整の際に使用される針のようなプローブは数千ドルし、通常は摩滅のために寿命が限られている。各増幅器をプローブするのに20から30分かかると推定されている。
【0005】
プロービング工程を自動化するための試みが多数なされ、いくつかの限られた成功があった。しかし、自動モジュールプロービングを設計/使用する際に必要とされる時間とコストは膨大である。大抵の場合には、独自のモジュール設計により、特定の自動プローブステーションを複数のモジュールに使用することが妨げられる。これらの欠点は、RFモジュールの設計製造で活動している多数の企業に課題を与えていた。その結果、高周波モジュールは大量には生産されていない。大抵の場合には、製造者は、多数のRFモジュールを製造するために、高価な機器と、有資格技術者からなる大規模なスタッフを使用することを強いられている。
【0006】
MMICチップのチップパッケージングもますます重要となる。MMICチップは壊れやすく、一般に厚さ0.0508mmから約0.1016mm(2から約4ミル)であり、扱いが困難であるために、MMIC無線周波数モジュールが大量に製造されることはなかった。チップ表面の上に位置するエアブリッジにより、チップを上部から拾い上げる、またはチップに対して圧力をかけることが困難になっている。
【0007】
MMICチップを自動で定位置に拾い上げるために、ピック・イン・プレース機器を有する特別なピックアップツールが使用されてきた。これらのツールは製造するのにコストがかかり、通常は様々なチップが異なるツールを必要とする。これは様々な製造企業に課題を与えていた。というのは、大抵の自動ピック・イン・プレース機械が、限られた数のMMICチップ用ツールに限定されているためである。場合によっては、製造者は、1つの無線周波数モジュールを組み立てるために一連の様々なピック・イン・プレース機械を使用しなければならない。これは非効率である。
【0008】
これらのMMIC無線周波数モジュールはまた、通常は各モジュール内に取り付けられる多数のMMICチップ、基板、周辺機器があるために、少量で構築される。たとえば、典型的なミリメートル波トランシーバは、MMICチップ約10から約15個、基板15〜20枚、抵抗器やコンデンサなど他の周辺構成部品約50〜60個を有することになる。また、構成部品のそれぞれをワイアボンディングまたはリボンボンディングを介して接続する要件がある。これもやはり、ミリメートル波モジュール製造企業に課題を与えていた。
【0009】
(発明の概要)
本発明は、手動の増幅器プロービングおよびモジュール調整をなくするので有利である。低コストの表面実装マイクロコントローラを使用することにより、無線周波数モジュールの性能を、介入することなしに、通信、レーダ、光ファイバ、および他の無線周波数/光ファイバ応用例で使用するために、リアルタイムで最適化することができる。
【0010】
本発明の一態様では、自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュールが、少なくとも1つの増幅器を有するマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)と、増幅器の動作条件を感知しかつ少なくとも1つの増幅器を最適な動作条件に調整するために、MMICに動作可能に接続された制御装置とを含む。制御装置は、MMICに動作可能に接続された表面実装マイクロコントローラチップを備える。制御装置はまた、少なくとも1つの増幅器について記憶された最適な動作条件の値を有するメモリを含み、それにより、制御装置が記憶された最適な動作条件の値に基づいて少なくとも1つの増幅器を調整する。本発明の一態様では、メモリがEEPROMとして形成される。
【0011】
本発明の他の態様では、記憶された最適な動作条件の値が、無線周波数回路内の様々な段での最適なドレイン電流および予想される増幅器出力を含む記憶された事前設定済みMMIC特性の値を含むことができる。制御装置は、少なくとも1つの増幅器による増幅器動作条件の変化を感知するためのセンサを含む。制御装置は、感知された変化および増幅器動作条件に基づいて少なくとも1つの増幅器を調節する。
【0012】
感知された変化および増幅器動作条件に基づいて少なくとも1つの増幅器内でゲート電圧を段階化するために、デジタル電位差計が少なくとも1つの増幅器に動作可能に接続される。多チャネルのアナログ/デジタル変換器がセンサに動作可能に接続され、記憶された最適な動作条件の値と比較されるようにセンサ出力をデジタル化する。
【0013】
温度センサがMMICの温度を測定する。制御装置は、感知された温度に応答し、増幅器動作条件の変化が、変化した温度または故障の結果によるものであるかどうか判定する。電力センサダイオードが、少なくとも1つの増幅器に動作可能に接続される。制御装置は、電力感知ダイオードに応答し、少なくとも1つの増幅器を調節する。制御装置はまた、少なくとも(a)温度全体にわたる利得変動、(b)温度および周波数に応じた電力監視回路の線形化、(c)周波数に応じた利得等化、および(d)周波数および温度に応じた電力減衰線形化のうち1つを補正するために動作する。
【0014】
本発明の他の目的、特徴、利点は、添付の図面に照らして考察したとき、以下の本発明の詳細な説明から明らかになろう。
(好ましい実施の形態の詳細な説明)
以下、本発明の好ましい実施形態が示されている添付の図面を参照しながら、本発明について、より完全に述べる。しかし、本発明は、多数の様々な形態で実施することができるので、本明細書に述べる実施形態に制限されると解釈するべきではない。むしろこれらの実施形態は、本開示が徹底した、かつ完全なものとなり、また本発明の範囲を当業者に完全に伝えるように提供されている。同様な数字は、全体を通じて同様な要素を参照する。
【0015】
本発明は有利にも、MMICモジュール製造の際に手動の増幅器プロービングおよびモジュール調整をなくする。低コストの表面実装デバイス群とマイクロプロセッサとを使用することにより、RFモジュールの性能を、介入することなしに、通信、レーダ、光ファイバ、および他のRF応用例で使用するために、リアルタイムで最適化することができる。利点には、以下を含む。
【0016】
1.手動または自動のプロービングまたは調整なしにRF MMIC増幅器の動作を最適化。
2.モジュールプロービングおよび調整をなくする、増幅器1つ当たり低コスト(1ドル未満)の簡単な解決策。
【0017】
3.ダイプロービング(die probing)または試験を必要としない自己同調。
4.少なくとも5分の1に削減されるRFモジュールアセンブリおよび試験。
【0018】
5.チップレベル自己診断。
6.減衰器チップを使用することのない送信器利得および出力電力制御。
7.能動減衰器を使用しない温度補償。
【0019】
8.出力電力に応じてDC電力散逸を削減/制御すること、したがって熱条件を制御すること。
9.電力監視回路の使用を介してRF電力を試験すること。
【0020】
10.モジュール性能の連続リアルタイム最適化のために埋込みマイクロプロセッサを使用すること。
11.回路設計変更のないキーモジュール性能パラメータのユーザ最適化。
【0021】
12.電源を切ることなしに、安全のために送信器RF出力をシャットダウンすること(スリープモード)。
13.モジュールソフトウェアのアップグレードを介してモジュール性能をアップグレードすること、すなわち、顧客は、必要とする機能に対してだけ支払う。
【0022】
14.特性データを記憶するためにオンボードEEPROMを使用して、温度および周波数に応じて部品変動を補正すること。
図1は、MMIC増幅器を自己バイアスするために使用される低コストの回路を示す。回路全体が、低コストの市販(COTS)表面実装チップを使用して実施されている。
【0023】
図では、本発明の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール10の概略回路図が示されている。モジュール10は、モジュールとして形成された、12で破線によって示されている無線周波数MMICチップと、14で破線によって示された表面実装デジタルマイクロコントローラとを含む。
【0024】
MMICモジュールは、MMICチップに典型的であるように複数の増幅器を含むが、1つの増幅器16だけを示す。無線周波数信号は、フィルタ18に入って通過し、通常のゲート、ソース、ドレインを有する増幅器18に入る。無線周波数信号は、当業者に周知であるように、増幅器16から他の増幅器16a(存在する場合)に進む。MMICチップ12は、当業者に周知であるように、1つのチップ上に多数の増幅器16を含むことができる。表面実装デジタルコントローラ14は、不揮発性メモリ回路を有するデジタル電位差計20を含む。電位差計の例は、当業者に周知であるように、AD5233回路を含む。電位差計20は、約−3ボルトのバイアス電圧を扱うことができる。
【0025】
ドレイン電圧3〜12ボルトを有するMAX471など、電流センサ22が、ドレインを介して、接地と増幅器16に結合されている。電流センサ22は、当業者に周知であるように、AD7812回路など、多チャネルサンプリングのアナログ/デジタル回路24に接続されている。他の電流センサは、他の増幅器(図示せず)に接続し、多チャネルA/D回路24に接続する。温度センサ26は、多チャネルサンプリングA/D回路に接続され、MMICモジュールの温度を測定するように動作する。マイクロプロセッサ28は、表面実装デジタルコントローラの一部として含まれ、EEPROM29と、多チャネルサンプリングA/D回路24および不揮発性メモリデジタル電位差計20を含む他の構成部品とに動作可能に接続されている。図では、電位差計20は、MMIC上の他の増幅器に接続され、それぞれの増幅器についてゲート電圧を段階化することができ、個別制御する。
【0026】
また図では、増幅器16からの無線周波数信号は、受動結合器30から電力監視ダイオード、または接地に接続された他の検出器回路32に進むことができる。受動結合器30からのこの接続は、多チャネルサンプリングA/D回路24に回すことができる。
【0027】
図1に示す回路は、ドレインによって引き出された電流量(Id)によって測定したとき、また増幅器(使用可能な場合)の出力部で検出器回路32によって測定したとき、増幅器16がその最適な動作条件に達するまで、増幅器ゲート電圧(Vg)を自動調節する。これは、電位差計20から生成されるデジタル/アナログ(D/A)変換器出力電圧を(シリアルデジタルインターフェースを介して)制御することによって達成される。D/A変換器は、不揮発性メモリを含み、4チャネルを備えて現時点において3ドル未満で現在入手可能である。
【0028】
ゲート電圧が変化したとき、電流センサ22は、増幅器16によって引き出されたドレイン電流と比例した電圧出力を提供する。電流センサ出力は、ドレイン電流レベルをデジタル化する多チャネルシリアルアナログ/デジタル変換器(A/D)24によってデジタル化される。電流レベルワードは、EEPROM29内に含まれているものなど、あらかじめ記憶されている最適な増幅器ドレイン電流レベルに比較される。ゲートバイアスレベルは、最適なドレイン電流に達するまで調節される。MMICチップ上で使用可能な、または外部に追加することができる検出器回路は、出力電力を測定することにより、ドレイン電流設定が最適なレベルにあることを確認する。検出器出力32は、増幅器の出力部で予想される公称値を定義するあらかじめ記憶されている値に比較される。
【0029】
ドレイン電流調節、電流感知および検出器出力測定は、低コストのマイクロプロセッサを使用することにより、あるいはモジュール試験中に行われる1回だけの設定を介して、リアルタイム連続調節モードで実施することができる。EEPROM29は、最適なドレイン電流、およびRF回路内の様々な段で予想される出力など、現行のチップ特性を記憶するために使用することができる。
【0030】
電流測定センサ22はまた、回路内の各増幅器の診断を可能にする。電流測定回路は、電流の予期しない降下または増大を感知する。温度センサ26を監視することにより、マイクロプロセッサ28は、電流(Id)の変化が温度変化または故障によって引き起こされているかどうか判定する。各増幅器16の状態は、デジタルシリアルインターフェースを介してレポートされる。
【0031】
熱問題のためにDC電力散逸が主な問題である場合には、増幅器が最小限の電流を引き出すように、ゲートバイアス制御を介して任意の増幅器16を調節することができる。ユーザは最大温度を選択することができ、マイクロプロセッサは、MMICチップ内でDC電力散逸を制御することにより、その温度で、またはその温度未満にトランシーバを維持する。
【0032】
RFモジュール内で利得および出力電力を制御する従来の方法は、送信チェイン内で能動減衰器を使用することであった。これは、チェイン内の増幅器が電力を散逸するために非効率である。デジタル電位差計20を使用することにより、各増幅器の利得および出力電力を個別に、またはグループで制御することができる。本発明は、各増幅器の後に能動減衰器を追加することなく、モジュールが利得および出力電力を無限に制御することを可能にし、したがって、コストを削減し、不必要なDC電力散逸をなくする。
【0033】
RF電力感知は、いくつかの増幅器出力電力(15から20dB)を受動結合器30内に結合することにより、電力監視ダイオードおよび検出器回路32を介して達成することができる。結合器の出力は、ダイオード32aによって感知される。ダイオード32aの出力は、シリアルA/D変換器を介して増幅およびデジタル化される。デジタル電位差計20、各増幅器ごとの電流センサ22、および温度センサ26は、温度変化に応じてモジュールがその利得を自己調節することを可能にする。これは、モジュール温度が変化したとき、各増幅器からの事前設定済み電流を一定に維持することによって行われる。本発明の場合、モジュール利得および出力電力を高精度で制御することができる。
【0034】
回路チェイン内の任意の段でのモジュール利得をユーザがプログラムすることができることにより、回路設計を変更することなく、送信器雑音指数(NF)対相互変調レベル(IM)など、キー性能パラメータの兼ね合せをはかるための柔軟性がもたらされる。リアルタイム個別チップ制御はまた、高変調通信のための線形モードなど所望の条件でユーザが操作することを可能にする。
【0035】
本発明の自己最適化技法は、ミクサ、掛算器、減衰器など、MMICチップと共に様々なデバイスに対して使用することができることを理解されたい。ピンチオフする(最大の負のゲートバイアス)ことにより、取付け中に安全上の理由で送信チェイン内の増幅器すべてを大きく減衰(50dB超)させることができる。本発明は、追加のスイッチまたはハードウェアを必要としない。
【0036】
上述のように、マイクロプロセッサ28およびチップ制御回路の使用により、モジュール製造者は、顧客が特定の応用例に対して望む機能だけ可能にすることができる。モジュールハードウェアは同一であるが、モジュール機能は、ソフトウェアによって制御されることになる。これは、無線ポイント・ツー・ポイント、ポイント・ツー・マルチポイント、またはVsatを含む多数の様々な応用例で同じモジュールを使用する柔軟性を可能にする。さらに、マイクロプロセッサおよび標準インターフェースの使用は、モジュールを取り外すことなく現場でモジュールのプログラム性およびソフトウェアアップグレード(追加機能のため)を可能にする。
【0037】
関連づけられたマイクロプロセッサ28およびオンボードEEPROM29を有するマイクロコントローラ14の使用は、モジュール内の様々な機能の補正および調整を可能にする。補正は、それだけには限らないが、(a)温度全体にわたる利得変動、(b)温度および周波数に応じた電力監視回路の線形化、(c)周波数に応じた利得等化、および(d)周波数および温度に応じた電力減衰線形化を含む。RFモジュールと共に能動デバイスのそれぞれを制御するためのマイクロプロセッサ28の使用、および補正係数を記憶するためのEEPROM29の使用は、高度の柔軟性を可能にし、高い精度と性能でモジュールが動作することを可能にする。モジュールを特徴付けるデータ(利得、電力、雑音指数)は、モジュール試験中に温度および周波数全体にわたって収集される。補正係数は、テストステーションによって自動計算され、EEPROM29内に記憶される。補正係数は通常のモジュール動作中に使用され、所望の性能を実現する。
【0038】
本発明はまた、図2、2A、2Bに示すように、改良されたMMICチップパッケージを提供する。MMICパッケージ40は、いくつかの利点を有する。
1.熱膨張係数(CTE)一致型パッケージ内でMMICチップの保護。
【0039】
2.非常に低コストでのMMICチップのパッケージング。
3.壊れやすいMMICの損傷を引き起こすことのない改良された自動ピック・アンド・プレース、直接ワイアボンディングおよびリボンボンディング。
【0040】
4.小型パッケージングによる改良されたチップ性能(分離)。
5.アルミニウムなど低コストの材料で形成されたRFモジュールハウジング。
【0041】
図2は、パッケージ40の分解等角投影図を示し、MMICチップ42、およびMMICとその熱膨張係数(CTE)が一致しているベースプレート44を示す。はんだプリフォーム(solder preform)46はベースプレート44上に含まれ、MMICは、はんだプリフォーム46上に載置されている。チップカバー48は、MMICを覆う。図では、ベースプレートは、端部領域を開いたままにするように、成形された縁部の一部分に沿って延びる、対向する側部レール44aを含む。チップカバー48は、対向する2つの離間された、重なり合う脚部48aを含む。対向する側部レール44aおよび重なり合う脚部48aは、チップカバーがMMICチップ42、はんだプリフォーム46、およびCTE一致ベースプレート44の上に配置されたとき、図2Aおよび2Bに示すように、側部レールおよび重なり合う脚部がそれぞれのチップカバーおよびベースプレートと係合して、隅の上部および側部で開いた領域を形成し、MMICにワイアボンディングおよびリボンボンディングするためにMMIC上のパッド50を露出しておくように構成される。
【0042】
MMICモジュールの生産は、チップの取扱いを容易にするために、MMICチップをパッケージングすることによって表面実装技術と同様にすることができる。ベースプレート44は、銅タングステン合金、CuW、またはアルミニウムシリコン合金、ALSiなど低コストの熱膨張係数(CTE)一致材料で形成され、厚さ約0.254〜0.381mm(約10〜15ミル)を有する。カバー48は、プラスチックを含む多様な材料で作製することができる。0.0254〜0.0508mm(1〜2ミル)のはんだプリフォーム(金スズなど)がベースプレート44上で受け取られる。カバー48は、チップ入力/出力パッドおよびDCパッド(ゲートおよびドレイン)を覆わないような形で形作られる。
【0043】
ベースプレート44、カバー48、はんだプリフォーム46、MMICチップ42は、ワッフルパックまたは類似のパッケージングで送達される。これらのパッケージは、当業者に周知であるように、自動ピック・アンド・プレース(P&P)機械上で配置される。P&P機械は、ベースプレートを拾い上げ、共晶はんだ付け(グラファイトなど)のために高温で使用することができるワッフルパック(waffle pack)内に配置され、当業者に周知の温度範囲を使用する。P&P機械は、はんだプリフォーム46をベースプレート44内に拾い上げて配置する。MMICチップは、はんだプリフォーム46の上部に配置される。カバーがチップ42の上部を覆って配置される。すべてのMMICチップについてこの工程が繰り返される。
【0044】
1チップパッケージ当たりの総P&Pは、約10秒になると推定される。単一のP&P機械を使用して1日にパッケージできるチップ数は、8000個を優に超える。MMICチップを含むパッケージアセンブリと共にワッフルパック全体を共晶はんだオーブン内に配置し、はんだをフローし、チップをベースプレートに取り付け、カバーをベースプレートに取り付ける。
【0045】
図3〜5は、グリーンテープとして知られる低温焼成セラミック技術など、厚膜技術を使用して改良された無線周波数トランシーバモジュールを示す。より具体的には、図4は低温転写テープ技術(LTTT)シートの様々な層を有する多層基板50を示し、DC信号層52、接地層54、埋込みコンデンサおよび抵抗器層56、はんだプリフォーム層58、上部層60を含む。
【0046】
図3は、図4の様々な層がどのように組み合わされて、チャネル化プレート64および無線周波数カバー66と共にベースプレート62上で受け取られる多層厚膜基板50を形成するかを示す。分離ビア67が示され、例示されている。これらのビアは、複数の層を跨いで接地層に及ぶことができる。ビアは、当業者に周知の技法によって形成することができる。
【0047】
図5は、導波路インターフェース72がチャネル化プレート64内に構築されたMMICトランシーバモジュール70を示し、中間周波数出力74、局部発振器入力76、中間周波数入力78、様々なDCピン80、CCA上のモジュールコネクタ82および外部コネクタ84を示す。
【0048】
本発明は、MMICチップ86を取り付け、すべての周辺機器および電気接続を多層厚膜内に埋め込むために、低コストの多層転写テープ厚膜板50を使用することによって、MMICモジュール組立工程を改善する。本発明は、いくつかの利点を提供する。
【0049】
1.MMWモジュール設計および作製のために低温転写テープ技術(LTTT)多層板の新規な使用。
2.部品数を5分の1に削減することによってMMICモジュールアセンブリの単純化。
【0050】
3.すべての抵抗器およびコンデンサを多層厚膜板内に埋め込むことによって周辺構成部品数を削減すること。
4.電気接続を多層板内に埋め込み、それによってワイアボンドおよびリボンボンドの数を削減すること。
【0051】
5.組立てを容易にするために平坦モジュール構成を使用し、次いでダイアセンブリの後でRFチャネル化を取り付けること。
6.チャネル化、区画化、および接地ビアを介してRF分離を改善すること。
【0052】
7.マシニングではなく、チャネル化のためにワイアEDM法を使用することによってハウジングコストを削減すること。
8.SMAおよびKコネクタを多層基板に直接取り付けること。
【0053】
MMICモジュール生産は、組立工程の完全自動化を可能にするようにMMICモジュールをパッケージングすることにより、表面実装技術と同様にされる。図3に示すように、モジュールは、ベースプレート62、層群から形成された多層アルミナ基板50、チャネル化プレート64、カバー66で構成されている。
【0054】
ベースプレート62は、本発明の一態様では、厚さ約3.175mm(約1/8インチ)の銅タングステン(CuW)など低コストのCTE一致材料の金めっき済み平板である。プレートはサイズに切断されるだけであり、マシニングは必要としない。
【0055】
多層基板50は、当業者に周知であるように、低温焼成セラミック(LTCC)シートに類似のグリーンテープ技術に類似のものなど、低温転写テープ(LTTT)技術を使用して作製される。LTTT加工は、当業者に周知であるように、十分確立された多層厚膜加工で使用されるステップに密接に従う。1層当たり複数の誘電体印刷がテープ積層ステップで置き換えられる。金導体系も銀導体系もLTTTと共に使用することができる。相互接続およびビアは、当業者に周知の技法によって形成される。
【0056】
多層構造を形成するためのLTTT工程は多種多様な誘電体材料および基板に応用することができるが、本発明のこの例示されている態様について選択された材料は、標準的な96%アルミナ基板である。導電性相互接続および層間ビアを形成するために開発された標準的な厚膜機器および加工技法を使用して、特別配合の導体材料をアルミナ基板上でスクリーン印刷する。テープシートは、熱と圧力の組合せを使用して基板に結合される。
【0057】
図4は、アルミナ板を形成するために使用することができるタイプの層の一例を示す。層の数は、12層と同数にすることができる。層は、図のように、当業者に周知のタイプのベース基板(S)上で形成することができる。各層は、厚さ約0.0508mmから約0.1016mm(約2から約4ミル)、典型的には厚さ約0.0762mm(約3ミル)であり、低周波RF信号、DC信号、接地、またはコンデンサおよび抵抗器など埋込み受動構成部品を担持するために使用することができる。相互接続または接地ビアは、LTTT膜の1つまたは複数の層を跨いで実施することができる。
【0058】
この多層LTTTアルミナ基板は、そのCTE係数(7.1)のためにGaAsチップと共に使用するのに特に魅力的である。また、この材料は、優れた熱伝導率(25〜200W/mK)を有する。MMIC GaAsチップは、金スズはんだプリフォームまたは銀エポキシを使用して基板に直接取り付けることができる。熱問題の場合には、CTE一致シムを使用して直接ベースプレートに、あるいは底面に接続される熱ビアの上部に、チップを取り付けてもよい。これらのビアは、当業者に周知の技法によって形成することができる。組立ておよびワイアボンディングを容易にするために、上部層(厚さ0.0762mm(3ミル)から0.1016mm(4ミル))は、正確にチップのサイズにされた切抜きを有することになる(図5参照)。
【0059】
多層基板は、1層当たりで6.5平方センチメートル(1平方インチ)当たり平均約1.5ドルから2.5ドルである。6.5平方センチメートル(1平方インチ)当たり275個までのビアが可能である。
【0060】
本発明の一態様では、チャネル化プレート64が金めっきアルミニウムで形成されているが、他の材料を使用することもできよう。チャネル64aは、ワイアEDM法を使用して切り抜く。チャネル64aは、送信信号と受信器信号の間で必要とされる分離を提供するために、また低周波信号に対するカットオフを生成するために作成する。RFカバーもまた、金めっきアルミニウムで構成される。
【0061】
図5は、レギュレータ/制御装置機能を提供するために使用される表面実装回路カードアセンブリ(CCA)を含むMMWトランシーバモジュールを示す。SMAコネクタは、多層基板に直接取り付けられている。RFインターフェース導波路は、チャネル化プレートの一部として設けられている。
【0062】
図5に示すモジュールは、1つの限定しない例として以下の技法によって組み立てることができる。
1.MMICチップすべてを多層アルミナ基板上に拾い上げて配置する。基板は、すべての低周波信号接続、DC接続、接地接続、層群およびはんだプリフォーム内にすでに埋め込まれた受動デバイスを有するべきである。
【0063】
2.DCコネクタと、IF信号およびLO信号のために使用される低周波SMAコネクタとを拾い上げて配置する。
3.真空オーブン内ではんだをフローし、MMICダイおよびコネクタを基板に取り付ける。はんだの代わりに銀エポキシを使用してもよい。
【0064】
4.MMICチップを基板にワイア/ウェッジボンドする。
5.エポキシを使用して基板をベースプレートおよびチャネル化プレートに取り付ける。
【0065】
6.RFカバーを取り付ける。
7.レギュレータ/制御装置表面実装CCAを取り付ける。
本出願は、同じ譲受人および発明者によって同日に出願された「MICROWAVE MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE」および「THICK FILM MILLIMETER WAVE TRANSCEIVER MODULE」という名称の同時係属特許出願に関し、その開示を参照により本明細書に組み込む。
【0066】
前述の説明および関連図面で提示された教示の利益を受ける当業者なら、本発明の多数の修正形態および他の実施形態に想到するであろう。したがって、開示された特定の実施形態に本発明を制限するべきでないこと、また修正形態および実施形態を従属請求項の範囲内に含むものとすることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュールの概略回路図である。
【図2】
本発明のマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)パッケージの分解等角投影図である。
図2Aは、図2に示すMMICパッケージの平面図である。
図2Bは、図2に示すMMICパッケージの側部選択図である。
【図3】
多層厚膜ミリメートル波無線周波数トランシーバモジュールの分解等角投影図であり、カバー、チャネル化セクション、多層厚膜セクション、下部プレートを示す。
【図4】
厚膜セクションの様々な層の分解等角投影図である。
【図5】
トランシーバモジュールの分解等角投影図であり、様々な接続を示す。
(関連出願)
本出願は、2000年9月11日に出願された先願の同時係属仮出願第60/231,926号に基づくものである。
【0002】
(発明の分野)
本発明は、マイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)に関し、より詳細には、本発明は、最適な性能に向けて調整することができるマイクロ波モノリシック集積回路と、MMICおよびトランシーバモジュールの改良されたパッケージングに関する。
【0003】
(発明の背景)
無線遠隔通信の最近の急増は、高性能ミリメートル波無線周波数(RF)モジュールに対する需要を増加させている。高周波MMICモジュールの主なコスト/歩留まり牽引力の1つは、手動調整してモジュール性能を最適化することであった。大部分のMMIC RF増幅器は自己バイアスされていない。したがって、各増幅器は、増幅器をその公称動作条件に調整するためにゲート電圧(Vg)調節を必要とする。通常、この調整は、増幅器がモジュール内で組み立てられ、電源に接続された後で行われる。
【0004】
モジュール内のチップにアクセスするために、プローブステーションが必要とされる。さらに、顕微鏡下でこれらの小さなデバイスをプローブするために熟練度の高いオペレータが必要である。チップの損傷は、ベテランのMMIC技術者の場合でもきわめて普通のことである。調整の際に使用される針のようなプローブは数千ドルし、通常は摩滅のために寿命が限られている。各増幅器をプローブするのに20から30分かかると推定されている。
【0005】
プロービング工程を自動化するための試みが多数なされ、いくつかの限られた成功があった。しかし、自動モジュールプロービングを設計/使用する際に必要とされる時間とコストは膨大である。大抵の場合には、独自のモジュール設計により、特定の自動プローブステーションを複数のモジュールに使用することが妨げられる。これらの欠点は、RFモジュールの設計製造で活動している多数の企業に課題を与えていた。その結果、高周波モジュールは大量には生産されていない。大抵の場合には、製造者は、多数のRFモジュールを製造するために、高価な機器と、有資格技術者からなる大規模なスタッフを使用することを強いられている。
【0006】
MMICチップのチップパッケージングもますます重要となる。MMICチップは壊れやすく、一般に厚さ0.0508mmから約0.1016mm(2から約4ミル)であり、扱いが困難であるために、MMIC無線周波数モジュールが大量に製造されることはなかった。チップ表面の上に位置するエアブリッジにより、チップを上部から拾い上げる、またはチップに対して圧力をかけることが困難になっている。
【0007】
MMICチップを自動で定位置に拾い上げるために、ピック・イン・プレース機器を有する特別なピックアップツールが使用されてきた。これらのツールは製造するのにコストがかかり、通常は様々なチップが異なるツールを必要とする。これは様々な製造企業に課題を与えていた。というのは、大抵の自動ピック・イン・プレース機械が、限られた数のMMICチップ用ツールに限定されているためである。場合によっては、製造者は、1つの無線周波数モジュールを組み立てるために一連の様々なピック・イン・プレース機械を使用しなければならない。これは非効率である。
【0008】
これらのMMIC無線周波数モジュールはまた、通常は各モジュール内に取り付けられる多数のMMICチップ、基板、周辺機器があるために、少量で構築される。たとえば、典型的なミリメートル波トランシーバは、MMICチップ約10から約15個、基板15〜20枚、抵抗器やコンデンサなど他の周辺構成部品約50〜60個を有することになる。また、構成部品のそれぞれをワイアボンディングまたはリボンボンディングを介して接続する要件がある。これもやはり、ミリメートル波モジュール製造企業に課題を与えていた。
【0009】
(発明の概要)
本発明は、手動の増幅器プロービングおよびモジュール調整をなくするので有利である。低コストの表面実装マイクロコントローラを使用することにより、無線周波数モジュールの性能を、介入することなしに、通信、レーダ、光ファイバ、および他の無線周波数/光ファイバ応用例で使用するために、リアルタイムで最適化することができる。
【0010】
本発明の一態様では、自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュールが、少なくとも1つの増幅器を有するマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)と、増幅器の動作条件を感知しかつ少なくとも1つの増幅器を最適な動作条件に調整するために、MMICに動作可能に接続された制御装置とを含む。制御装置は、MMICに動作可能に接続された表面実装マイクロコントローラチップを備える。制御装置はまた、少なくとも1つの増幅器について記憶された最適な動作条件の値を有するメモリを含み、それにより、制御装置が記憶された最適な動作条件の値に基づいて少なくとも1つの増幅器を調整する。本発明の一態様では、メモリがEEPROMとして形成される。
【0011】
本発明の他の態様では、記憶された最適な動作条件の値が、無線周波数回路内の様々な段での最適なドレイン電流および予想される増幅器出力を含む記憶された事前設定済みMMIC特性の値を含むことができる。制御装置は、少なくとも1つの増幅器による増幅器動作条件の変化を感知するためのセンサを含む。制御装置は、感知された変化および増幅器動作条件に基づいて少なくとも1つの増幅器を調節する。
【0012】
感知された変化および増幅器動作条件に基づいて少なくとも1つの増幅器内でゲート電圧を段階化するために、デジタル電位差計が少なくとも1つの増幅器に動作可能に接続される。多チャネルのアナログ/デジタル変換器がセンサに動作可能に接続され、記憶された最適な動作条件の値と比較されるようにセンサ出力をデジタル化する。
【0013】
温度センサがMMICの温度を測定する。制御装置は、感知された温度に応答し、増幅器動作条件の変化が、変化した温度または故障の結果によるものであるかどうか判定する。電力センサダイオードが、少なくとも1つの増幅器に動作可能に接続される。制御装置は、電力感知ダイオードに応答し、少なくとも1つの増幅器を調節する。制御装置はまた、少なくとも(a)温度全体にわたる利得変動、(b)温度および周波数に応じた電力監視回路の線形化、(c)周波数に応じた利得等化、および(d)周波数および温度に応じた電力減衰線形化のうち1つを補正するために動作する。
【0014】
本発明の他の目的、特徴、利点は、添付の図面に照らして考察したとき、以下の本発明の詳細な説明から明らかになろう。
(好ましい実施の形態の詳細な説明)
以下、本発明の好ましい実施形態が示されている添付の図面を参照しながら、本発明について、より完全に述べる。しかし、本発明は、多数の様々な形態で実施することができるので、本明細書に述べる実施形態に制限されると解釈するべきではない。むしろこれらの実施形態は、本開示が徹底した、かつ完全なものとなり、また本発明の範囲を当業者に完全に伝えるように提供されている。同様な数字は、全体を通じて同様な要素を参照する。
【0015】
本発明は有利にも、MMICモジュール製造の際に手動の増幅器プロービングおよびモジュール調整をなくする。低コストの表面実装デバイス群とマイクロプロセッサとを使用することにより、RFモジュールの性能を、介入することなしに、通信、レーダ、光ファイバ、および他のRF応用例で使用するために、リアルタイムで最適化することができる。利点には、以下を含む。
【0016】
1.手動または自動のプロービングまたは調整なしにRF MMIC増幅器の動作を最適化。
2.モジュールプロービングおよび調整をなくする、増幅器1つ当たり低コスト(1ドル未満)の簡単な解決策。
【0017】
3.ダイプロービング(die probing)または試験を必要としない自己同調。
4.少なくとも5分の1に削減されるRFモジュールアセンブリおよび試験。
【0018】
5.チップレベル自己診断。
6.減衰器チップを使用することのない送信器利得および出力電力制御。
7.能動減衰器を使用しない温度補償。
【0019】
8.出力電力に応じてDC電力散逸を削減/制御すること、したがって熱条件を制御すること。
9.電力監視回路の使用を介してRF電力を試験すること。
【0020】
10.モジュール性能の連続リアルタイム最適化のために埋込みマイクロプロセッサを使用すること。
11.回路設計変更のないキーモジュール性能パラメータのユーザ最適化。
【0021】
12.電源を切ることなしに、安全のために送信器RF出力をシャットダウンすること(スリープモード)。
13.モジュールソフトウェアのアップグレードを介してモジュール性能をアップグレードすること、すなわち、顧客は、必要とする機能に対してだけ支払う。
【0022】
14.特性データを記憶するためにオンボードEEPROMを使用して、温度および周波数に応じて部品変動を補正すること。
図1は、MMIC増幅器を自己バイアスするために使用される低コストの回路を示す。回路全体が、低コストの市販(COTS)表面実装チップを使用して実施されている。
【0023】
図では、本発明の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール10の概略回路図が示されている。モジュール10は、モジュールとして形成された、12で破線によって示されている無線周波数MMICチップと、14で破線によって示された表面実装デジタルマイクロコントローラとを含む。
【0024】
MMICモジュールは、MMICチップに典型的であるように複数の増幅器を含むが、1つの増幅器16だけを示す。無線周波数信号は、フィルタ18に入って通過し、通常のゲート、ソース、ドレインを有する増幅器18に入る。無線周波数信号は、当業者に周知であるように、増幅器16から他の増幅器16a(存在する場合)に進む。MMICチップ12は、当業者に周知であるように、1つのチップ上に多数の増幅器16を含むことができる。表面実装デジタルコントローラ14は、不揮発性メモリ回路を有するデジタル電位差計20を含む。電位差計の例は、当業者に周知であるように、AD5233回路を含む。電位差計20は、約−3ボルトのバイアス電圧を扱うことができる。
【0025】
ドレイン電圧3〜12ボルトを有するMAX471など、電流センサ22が、ドレインを介して、接地と増幅器16に結合されている。電流センサ22は、当業者に周知であるように、AD7812回路など、多チャネルサンプリングのアナログ/デジタル回路24に接続されている。他の電流センサは、他の増幅器(図示せず)に接続し、多チャネルA/D回路24に接続する。温度センサ26は、多チャネルサンプリングA/D回路に接続され、MMICモジュールの温度を測定するように動作する。マイクロプロセッサ28は、表面実装デジタルコントローラの一部として含まれ、EEPROM29と、多チャネルサンプリングA/D回路24および不揮発性メモリデジタル電位差計20を含む他の構成部品とに動作可能に接続されている。図では、電位差計20は、MMIC上の他の増幅器に接続され、それぞれの増幅器についてゲート電圧を段階化することができ、個別制御する。
【0026】
また図では、増幅器16からの無線周波数信号は、受動結合器30から電力監視ダイオード、または接地に接続された他の検出器回路32に進むことができる。受動結合器30からのこの接続は、多チャネルサンプリングA/D回路24に回すことができる。
【0027】
図1に示す回路は、ドレインによって引き出された電流量(Id)によって測定したとき、また増幅器(使用可能な場合)の出力部で検出器回路32によって測定したとき、増幅器16がその最適な動作条件に達するまで、増幅器ゲート電圧(Vg)を自動調節する。これは、電位差計20から生成されるデジタル/アナログ(D/A)変換器出力電圧を(シリアルデジタルインターフェースを介して)制御することによって達成される。D/A変換器は、不揮発性メモリを含み、4チャネルを備えて現時点において3ドル未満で現在入手可能である。
【0028】
ゲート電圧が変化したとき、電流センサ22は、増幅器16によって引き出されたドレイン電流と比例した電圧出力を提供する。電流センサ出力は、ドレイン電流レベルをデジタル化する多チャネルシリアルアナログ/デジタル変換器(A/D)24によってデジタル化される。電流レベルワードは、EEPROM29内に含まれているものなど、あらかじめ記憶されている最適な増幅器ドレイン電流レベルに比較される。ゲートバイアスレベルは、最適なドレイン電流に達するまで調節される。MMICチップ上で使用可能な、または外部に追加することができる検出器回路は、出力電力を測定することにより、ドレイン電流設定が最適なレベルにあることを確認する。検出器出力32は、増幅器の出力部で予想される公称値を定義するあらかじめ記憶されている値に比較される。
【0029】
ドレイン電流調節、電流感知および検出器出力測定は、低コストのマイクロプロセッサを使用することにより、あるいはモジュール試験中に行われる1回だけの設定を介して、リアルタイム連続調節モードで実施することができる。EEPROM29は、最適なドレイン電流、およびRF回路内の様々な段で予想される出力など、現行のチップ特性を記憶するために使用することができる。
【0030】
電流測定センサ22はまた、回路内の各増幅器の診断を可能にする。電流測定回路は、電流の予期しない降下または増大を感知する。温度センサ26を監視することにより、マイクロプロセッサ28は、電流(Id)の変化が温度変化または故障によって引き起こされているかどうか判定する。各増幅器16の状態は、デジタルシリアルインターフェースを介してレポートされる。
【0031】
熱問題のためにDC電力散逸が主な問題である場合には、増幅器が最小限の電流を引き出すように、ゲートバイアス制御を介して任意の増幅器16を調節することができる。ユーザは最大温度を選択することができ、マイクロプロセッサは、MMICチップ内でDC電力散逸を制御することにより、その温度で、またはその温度未満にトランシーバを維持する。
【0032】
RFモジュール内で利得および出力電力を制御する従来の方法は、送信チェイン内で能動減衰器を使用することであった。これは、チェイン内の増幅器が電力を散逸するために非効率である。デジタル電位差計20を使用することにより、各増幅器の利得および出力電力を個別に、またはグループで制御することができる。本発明は、各増幅器の後に能動減衰器を追加することなく、モジュールが利得および出力電力を無限に制御することを可能にし、したがって、コストを削減し、不必要なDC電力散逸をなくする。
【0033】
RF電力感知は、いくつかの増幅器出力電力(15から20dB)を受動結合器30内に結合することにより、電力監視ダイオードおよび検出器回路32を介して達成することができる。結合器の出力は、ダイオード32aによって感知される。ダイオード32aの出力は、シリアルA/D変換器を介して増幅およびデジタル化される。デジタル電位差計20、各増幅器ごとの電流センサ22、および温度センサ26は、温度変化に応じてモジュールがその利得を自己調節することを可能にする。これは、モジュール温度が変化したとき、各増幅器からの事前設定済み電流を一定に維持することによって行われる。本発明の場合、モジュール利得および出力電力を高精度で制御することができる。
【0034】
回路チェイン内の任意の段でのモジュール利得をユーザがプログラムすることができることにより、回路設計を変更することなく、送信器雑音指数(NF)対相互変調レベル(IM)など、キー性能パラメータの兼ね合せをはかるための柔軟性がもたらされる。リアルタイム個別チップ制御はまた、高変調通信のための線形モードなど所望の条件でユーザが操作することを可能にする。
【0035】
本発明の自己最適化技法は、ミクサ、掛算器、減衰器など、MMICチップと共に様々なデバイスに対して使用することができることを理解されたい。ピンチオフする(最大の負のゲートバイアス)ことにより、取付け中に安全上の理由で送信チェイン内の増幅器すべてを大きく減衰(50dB超)させることができる。本発明は、追加のスイッチまたはハードウェアを必要としない。
【0036】
上述のように、マイクロプロセッサ28およびチップ制御回路の使用により、モジュール製造者は、顧客が特定の応用例に対して望む機能だけ可能にすることができる。モジュールハードウェアは同一であるが、モジュール機能は、ソフトウェアによって制御されることになる。これは、無線ポイント・ツー・ポイント、ポイント・ツー・マルチポイント、またはVsatを含む多数の様々な応用例で同じモジュールを使用する柔軟性を可能にする。さらに、マイクロプロセッサおよび標準インターフェースの使用は、モジュールを取り外すことなく現場でモジュールのプログラム性およびソフトウェアアップグレード(追加機能のため)を可能にする。
【0037】
関連づけられたマイクロプロセッサ28およびオンボードEEPROM29を有するマイクロコントローラ14の使用は、モジュール内の様々な機能の補正および調整を可能にする。補正は、それだけには限らないが、(a)温度全体にわたる利得変動、(b)温度および周波数に応じた電力監視回路の線形化、(c)周波数に応じた利得等化、および(d)周波数および温度に応じた電力減衰線形化を含む。RFモジュールと共に能動デバイスのそれぞれを制御するためのマイクロプロセッサ28の使用、および補正係数を記憶するためのEEPROM29の使用は、高度の柔軟性を可能にし、高い精度と性能でモジュールが動作することを可能にする。モジュールを特徴付けるデータ(利得、電力、雑音指数)は、モジュール試験中に温度および周波数全体にわたって収集される。補正係数は、テストステーションによって自動計算され、EEPROM29内に記憶される。補正係数は通常のモジュール動作中に使用され、所望の性能を実現する。
【0038】
本発明はまた、図2、2A、2Bに示すように、改良されたMMICチップパッケージを提供する。MMICパッケージ40は、いくつかの利点を有する。
1.熱膨張係数(CTE)一致型パッケージ内でMMICチップの保護。
【0039】
2.非常に低コストでのMMICチップのパッケージング。
3.壊れやすいMMICの損傷を引き起こすことのない改良された自動ピック・アンド・プレース、直接ワイアボンディングおよびリボンボンディング。
【0040】
4.小型パッケージングによる改良されたチップ性能(分離)。
5.アルミニウムなど低コストの材料で形成されたRFモジュールハウジング。
【0041】
図2は、パッケージ40の分解等角投影図を示し、MMICチップ42、およびMMICとその熱膨張係数(CTE)が一致しているベースプレート44を示す。はんだプリフォーム(solder preform)46はベースプレート44上に含まれ、MMICは、はんだプリフォーム46上に載置されている。チップカバー48は、MMICを覆う。図では、ベースプレートは、端部領域を開いたままにするように、成形された縁部の一部分に沿って延びる、対向する側部レール44aを含む。チップカバー48は、対向する2つの離間された、重なり合う脚部48aを含む。対向する側部レール44aおよび重なり合う脚部48aは、チップカバーがMMICチップ42、はんだプリフォーム46、およびCTE一致ベースプレート44の上に配置されたとき、図2Aおよび2Bに示すように、側部レールおよび重なり合う脚部がそれぞれのチップカバーおよびベースプレートと係合して、隅の上部および側部で開いた領域を形成し、MMICにワイアボンディングおよびリボンボンディングするためにMMIC上のパッド50を露出しておくように構成される。
【0042】
MMICモジュールの生産は、チップの取扱いを容易にするために、MMICチップをパッケージングすることによって表面実装技術と同様にすることができる。ベースプレート44は、銅タングステン合金、CuW、またはアルミニウムシリコン合金、ALSiなど低コストの熱膨張係数(CTE)一致材料で形成され、厚さ約0.254〜0.381mm(約10〜15ミル)を有する。カバー48は、プラスチックを含む多様な材料で作製することができる。0.0254〜0.0508mm(1〜2ミル)のはんだプリフォーム(金スズなど)がベースプレート44上で受け取られる。カバー48は、チップ入力/出力パッドおよびDCパッド(ゲートおよびドレイン)を覆わないような形で形作られる。
【0043】
ベースプレート44、カバー48、はんだプリフォーム46、MMICチップ42は、ワッフルパックまたは類似のパッケージングで送達される。これらのパッケージは、当業者に周知であるように、自動ピック・アンド・プレース(P&P)機械上で配置される。P&P機械は、ベースプレートを拾い上げ、共晶はんだ付け(グラファイトなど)のために高温で使用することができるワッフルパック(waffle pack)内に配置され、当業者に周知の温度範囲を使用する。P&P機械は、はんだプリフォーム46をベースプレート44内に拾い上げて配置する。MMICチップは、はんだプリフォーム46の上部に配置される。カバーがチップ42の上部を覆って配置される。すべてのMMICチップについてこの工程が繰り返される。
【0044】
1チップパッケージ当たりの総P&Pは、約10秒になると推定される。単一のP&P機械を使用して1日にパッケージできるチップ数は、8000個を優に超える。MMICチップを含むパッケージアセンブリと共にワッフルパック全体を共晶はんだオーブン内に配置し、はんだをフローし、チップをベースプレートに取り付け、カバーをベースプレートに取り付ける。
【0045】
図3〜5は、グリーンテープとして知られる低温焼成セラミック技術など、厚膜技術を使用して改良された無線周波数トランシーバモジュールを示す。より具体的には、図4は低温転写テープ技術(LTTT)シートの様々な層を有する多層基板50を示し、DC信号層52、接地層54、埋込みコンデンサおよび抵抗器層56、はんだプリフォーム層58、上部層60を含む。
【0046】
図3は、図4の様々な層がどのように組み合わされて、チャネル化プレート64および無線周波数カバー66と共にベースプレート62上で受け取られる多層厚膜基板50を形成するかを示す。分離ビア67が示され、例示されている。これらのビアは、複数の層を跨いで接地層に及ぶことができる。ビアは、当業者に周知の技法によって形成することができる。
【0047】
図5は、導波路インターフェース72がチャネル化プレート64内に構築されたMMICトランシーバモジュール70を示し、中間周波数出力74、局部発振器入力76、中間周波数入力78、様々なDCピン80、CCA上のモジュールコネクタ82および外部コネクタ84を示す。
【0048】
本発明は、MMICチップ86を取り付け、すべての周辺機器および電気接続を多層厚膜内に埋め込むために、低コストの多層転写テープ厚膜板50を使用することによって、MMICモジュール組立工程を改善する。本発明は、いくつかの利点を提供する。
【0049】
1.MMWモジュール設計および作製のために低温転写テープ技術(LTTT)多層板の新規な使用。
2.部品数を5分の1に削減することによってMMICモジュールアセンブリの単純化。
【0050】
3.すべての抵抗器およびコンデンサを多層厚膜板内に埋め込むことによって周辺構成部品数を削減すること。
4.電気接続を多層板内に埋め込み、それによってワイアボンドおよびリボンボンドの数を削減すること。
【0051】
5.組立てを容易にするために平坦モジュール構成を使用し、次いでダイアセンブリの後でRFチャネル化を取り付けること。
6.チャネル化、区画化、および接地ビアを介してRF分離を改善すること。
【0052】
7.マシニングではなく、チャネル化のためにワイアEDM法を使用することによってハウジングコストを削減すること。
8.SMAおよびKコネクタを多層基板に直接取り付けること。
【0053】
MMICモジュール生産は、組立工程の完全自動化を可能にするようにMMICモジュールをパッケージングすることにより、表面実装技術と同様にされる。図3に示すように、モジュールは、ベースプレート62、層群から形成された多層アルミナ基板50、チャネル化プレート64、カバー66で構成されている。
【0054】
ベースプレート62は、本発明の一態様では、厚さ約3.175mm(約1/8インチ)の銅タングステン(CuW)など低コストのCTE一致材料の金めっき済み平板である。プレートはサイズに切断されるだけであり、マシニングは必要としない。
【0055】
多層基板50は、当業者に周知であるように、低温焼成セラミック(LTCC)シートに類似のグリーンテープ技術に類似のものなど、低温転写テープ(LTTT)技術を使用して作製される。LTTT加工は、当業者に周知であるように、十分確立された多層厚膜加工で使用されるステップに密接に従う。1層当たり複数の誘電体印刷がテープ積層ステップで置き換えられる。金導体系も銀導体系もLTTTと共に使用することができる。相互接続およびビアは、当業者に周知の技法によって形成される。
【0056】
多層構造を形成するためのLTTT工程は多種多様な誘電体材料および基板に応用することができるが、本発明のこの例示されている態様について選択された材料は、標準的な96%アルミナ基板である。導電性相互接続および層間ビアを形成するために開発された標準的な厚膜機器および加工技法を使用して、特別配合の導体材料をアルミナ基板上でスクリーン印刷する。テープシートは、熱と圧力の組合せを使用して基板に結合される。
【0057】
図4は、アルミナ板を形成するために使用することができるタイプの層の一例を示す。層の数は、12層と同数にすることができる。層は、図のように、当業者に周知のタイプのベース基板(S)上で形成することができる。各層は、厚さ約0.0508mmから約0.1016mm(約2から約4ミル)、典型的には厚さ約0.0762mm(約3ミル)であり、低周波RF信号、DC信号、接地、またはコンデンサおよび抵抗器など埋込み受動構成部品を担持するために使用することができる。相互接続または接地ビアは、LTTT膜の1つまたは複数の層を跨いで実施することができる。
【0058】
この多層LTTTアルミナ基板は、そのCTE係数(7.1)のためにGaAsチップと共に使用するのに特に魅力的である。また、この材料は、優れた熱伝導率(25〜200W/mK)を有する。MMIC GaAsチップは、金スズはんだプリフォームまたは銀エポキシを使用して基板に直接取り付けることができる。熱問題の場合には、CTE一致シムを使用して直接ベースプレートに、あるいは底面に接続される熱ビアの上部に、チップを取り付けてもよい。これらのビアは、当業者に周知の技法によって形成することができる。組立ておよびワイアボンディングを容易にするために、上部層(厚さ0.0762mm(3ミル)から0.1016mm(4ミル))は、正確にチップのサイズにされた切抜きを有することになる(図5参照)。
【0059】
多層基板は、1層当たりで6.5平方センチメートル(1平方インチ)当たり平均約1.5ドルから2.5ドルである。6.5平方センチメートル(1平方インチ)当たり275個までのビアが可能である。
【0060】
本発明の一態様では、チャネル化プレート64が金めっきアルミニウムで形成されているが、他の材料を使用することもできよう。チャネル64aは、ワイアEDM法を使用して切り抜く。チャネル64aは、送信信号と受信器信号の間で必要とされる分離を提供するために、また低周波信号に対するカットオフを生成するために作成する。RFカバーもまた、金めっきアルミニウムで構成される。
【0061】
図5は、レギュレータ/制御装置機能を提供するために使用される表面実装回路カードアセンブリ(CCA)を含むMMWトランシーバモジュールを示す。SMAコネクタは、多層基板に直接取り付けられている。RFインターフェース導波路は、チャネル化プレートの一部として設けられている。
【0062】
図5に示すモジュールは、1つの限定しない例として以下の技法によって組み立てることができる。
1.MMICチップすべてを多層アルミナ基板上に拾い上げて配置する。基板は、すべての低周波信号接続、DC接続、接地接続、層群およびはんだプリフォーム内にすでに埋め込まれた受動デバイスを有するべきである。
【0063】
2.DCコネクタと、IF信号およびLO信号のために使用される低周波SMAコネクタとを拾い上げて配置する。
3.真空オーブン内ではんだをフローし、MMICダイおよびコネクタを基板に取り付ける。はんだの代わりに銀エポキシを使用してもよい。
【0064】
4.MMICチップを基板にワイア/ウェッジボンドする。
5.エポキシを使用して基板をベースプレートおよびチャネル化プレートに取り付ける。
【0065】
6.RFカバーを取り付ける。
7.レギュレータ/制御装置表面実装CCAを取り付ける。
本出願は、同じ譲受人および発明者によって同日に出願された「MICROWAVE MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE」および「THICK FILM MILLIMETER WAVE TRANSCEIVER MODULE」という名称の同時係属特許出願に関し、その開示を参照により本明細書に組み込む。
【0066】
前述の説明および関連図面で提示された教示の利益を受ける当業者なら、本発明の多数の修正形態および他の実施形態に想到するであろう。したがって、開示された特定の実施形態に本発明を制限するべきでないこと、また修正形態および実施形態を従属請求項の範囲内に含むものとすることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュールの概略回路図である。
【図2】
本発明のマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)パッケージの分解等角投影図である。
図2Aは、図2に示すMMICパッケージの平面図である。
図2Bは、図2に示すMMICパッケージの側部選択図である。
【図3】
多層厚膜ミリメートル波無線周波数トランシーバモジュールの分解等角投影図であり、カバー、チャネル化セクション、多層厚膜セクション、下部プレートを示す。
【図4】
厚膜セクションの様々な層の分解等角投影図である。
【図5】
トランシーバモジュールの分解等角投影図であり、様々な接続を示す。
Claims (22)
- 少なくとも1つの増幅器を有するマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)と、
増幅器の動作条件を感知しかつ前記少なくとも1つの増幅器を最適な動作条件に同調するために、前記MMICに動作可能に接続された制御装置と
を備える自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。 - 前記制御装置が、前記MMICに動作可能に接続された表面実装マイクロコントローラチップを備える、請求項1に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 前記制御装置が、前記少なくとも1つの増幅器について記憶された最適な動作条件の値を有するメモリを備え、それにより、前記制御装置は前記記憶された最適な動作条件の値に基づいて前記少なくとも1つの増幅器を同調する、請求項1に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 前記メモリがEEPROMを備える、請求項3に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 前記記憶された最適な動作条件の値が、無線周波数回路内の様々な段での最適なドレイン電流および予想される増幅器出力を含む記憶された事前設定済みMMIC特性の値を備える、請求項3に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 前記制御装置が、前記少なくとも1つの増幅器による増幅器動作条件の変化を感知するためのセンサをさらに備え、前記制御装置は、増幅器動作条件の感知された変化に基づいて前記少なくとも1つの増幅器を調節する、請求項1に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 増幅器動作条件の感知された変化に基づいて前記少なくとも1つの増幅器内でゲート電圧を段階化するために、前記少なくとも1つの増幅器に動作可能に接続されたデジタル電位差計をさらに備える、請求項6に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 記憶された最適な動作条件の値と比較されるようにセンサ出力をデジタル化するために、前記センサに動作可能に接続された多チャネルのアナログ/デジタル変換器をさらに備える、請求項6に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 前記MMICの温度を測定する温度センサをさらに備え、前記制御装置は、感知された温度に応答し、増幅器動作条件の変化が、変化した温度または故障の結果によるものであるかどうか判定する、請求項1に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 前記少なくとも1つの増幅器に動作可能に接続された電力センサダイオードをさらに備え、前記制御装置は、前記電力センサダイオードに応答し、前記少なくとも1つの増幅器を調節する、請求項1に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 前記制御装置が、少なくとも(a)温度全体にわたる利得変動、(b)温度および周波数に応じた電力監視回路の線形化、(c)周波数に応じた利得等化、および(d)周波数および温度に応じた電力減衰線形化のうち1つを補正するために動作する、請求項1に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- それぞれのソース、ドレイン、ゲートをそれぞれ有する複数の増幅器を有するマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)と、
前記MMICと前記複数の増幅器のそれぞれとに動作可能に接続され、増幅器について記憶された最適な動作条件の値を有するメモリを含み、動作条件を感知しかつ前記記憶された値に基づいて各増幅器を最適な動作条件に同調するように動作する制御装置と
を備える自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。 - 前記制御装置が、前記MMIC内の前記増幅器について増幅器動作条件を感知する少なくとも1つのセンサと、センサ出力をデジタル化する、前記センサに動作可能に接続された多チャネルのアナログ/デジタル変換器と、デジタル化された出力を前記メモリ内に記憶された値と比較し、かつ前記増幅器の同調を制御するために、前記アナログ/デジタル変換器に動作可能に接続されたマイクロプロセッサとをさらに備える、請求項12に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 前記制御装置が、前記MMICに動作可能に接続された表面実装マイクロコントローラチップを備える、請求項12に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 前記メモリがEEPROMを備える、請求項12に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 前記記憶された最適な動作条件の値が、無線周波数回路内の様々な段での最適なドレイン電流および予想される増幅器出力を含む記憶された事前設定済みMMIC特性の値を備える、請求項12に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 前記制御装置が、前記増幅器によって引き出された電流の変化を測定するために少なくとも1つのセンサをさらに備え、電流の変化と前記記憶された最適な動作条件の値とに基づいて前記増幅器を調節する、請求項12に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 各増幅器の感知された動作条件に基づいて前記増幅器内でゲート電圧を段階化するために、前記増幅器に動作可能に接続されたデジタル電位差計をさらに備える、請求項12に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 前記制御装置が、記憶された最適な動作条件の値と比較されるように感知された動作条件をデジタル化する多チャネルのアナログ/デジタル変換器をさらに備える、請求項12に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 前記MMICの温度を測定する温度センサをさらに備え、前記制御装置は、感知された温度に応答し、増幅器電流の変化が、変化した温度条件または故障の結果によるものであるかどうか判定する、請求項12に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 前記少なくとも1つの増幅器に動作可能に接続された電力センサダイオードをさらに備え、前記制御装置は、前記電力センサダイオードに応答し、前記少なくとも1つの増幅器を調節する、請求項12に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
- 前記制御装置が、少なくとも(a)温度全体にわたる利得変動、(b)温度および周波数に応じた電力監視回路の線形化、(c)周波数に応じた利得等化、および(d)周波数および温度に応じた電力減衰線形化のうち1つを補正するために動作する、請求項12に記載の自己同調型ミリメートル波トランシーバモジュール。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US23192600P | 2000-09-11 | 2000-09-11 | |
US09/863,052 US7027789B2 (en) | 2000-09-11 | 2001-05-22 | Self-tuned millimeter wave RF transceiver module |
PCT/US2001/041936 WO2002023718A2 (en) | 2000-09-11 | 2001-08-29 | Self-tuned millimeter wave rf transceiver module |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004519118A true JP2004519118A (ja) | 2004-06-24 |
Family
ID=26925546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002527046A Pending JP2004519118A (ja) | 2000-09-11 | 2001-08-29 | 自己同調型ミリメートル波rfトランシーバモジュール |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7027789B2 (ja) |
EP (1) | EP1317802B1 (ja) |
JP (1) | JP2004519118A (ja) |
KR (1) | KR20030081304A (ja) |
CN (1) | CN1476679A (ja) |
AU (2) | AU2001293230A1 (ja) |
DE (1) | DE60104556T2 (ja) |
WO (1) | WO2002023718A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011515973A (ja) * | 2008-03-28 | 2011-05-19 | イーエイーディーエス、ドイチュラント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング | 増幅回路の利得変化を補償するための方法および装置 |
JP5719461B1 (ja) * | 2014-03-27 | 2015-05-20 | 日本電信電話株式会社 | コヒーレント光通信用増幅器 |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7076201B2 (en) * | 2002-09-05 | 2006-07-11 | Xytrans, Inc. | Low cost VSAT MMIC transceiver with automatic power control |
US7149496B2 (en) * | 2003-03-27 | 2006-12-12 | Kyocera Corporation | High-frequency module and radio communication apparatus |
US7167688B2 (en) * | 2003-07-30 | 2007-01-23 | Chi Mei Communication Systems, Inc. | RF transceiver module formed in multi-layered ceramic |
CN100407587C (zh) * | 2003-09-27 | 2008-07-30 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种毫米波接收模块 |
JP4087803B2 (ja) * | 2004-02-10 | 2008-05-21 | 三菱電機株式会社 | ミリ波送受信モジュールおよびバイアス調整方法 |
US20060160500A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Xytrans, Inc. | VSAT block up converter (BUC) chip |
WO2006096029A1 (en) * | 2005-03-10 | 2006-09-14 | Posdata Co., Ltd. | Apparatus for processing a radio frequency signal for an automobile based terminal |
KR100751065B1 (ko) * | 2005-12-07 | 2007-08-22 | 한국전자통신연구원 | Rf 송수신 모듈 및 이를 이용한 밀리미터파 fmcw레이더 센서 |
JP2008064577A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Mitsutoyo Corp | ノギス |
WO2008045159A2 (en) * | 2006-10-06 | 2008-04-17 | Skyworks Solutions, Inc. | Output power correction module for amplifiers in transmitters |
US7492313B1 (en) * | 2006-10-31 | 2009-02-17 | Lockheed Martin Corporation | Digital processing radar system |
US8175545B2 (en) * | 2007-05-17 | 2012-05-08 | Broadcom Corporation | Communication devices with integrated thermal sensing circuit and methods for use therewith |
US8345716B1 (en) | 2007-06-26 | 2013-01-01 | Lockheed Martin Corporation | Polarization diverse antenna array arrangement |
US20090144458A1 (en) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Broadcom Corporation | Dongle device and host device with millimeter wave host inerface and method for use therewith |
US8143654B1 (en) * | 2008-01-16 | 2012-03-27 | Triquint Semiconductor, Inc. | Monolithic microwave integrated circuit with diamond layer |
JP4755657B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2011-08-24 | 三菱電機株式会社 | ミリ波送受信モジュール |
JP2010008273A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Maspro Denkoh Corp | ミリ波撮像装置 |
JP2009180737A (ja) * | 2009-04-17 | 2009-08-13 | Mitsubishi Electric Corp | ミリ波送受信モジュール |
KR101101545B1 (ko) * | 2010-06-11 | 2012-01-02 | 삼성전기주식회사 | 씨모스 전력 증폭장치 및 그 온도 보상 회로 |
US8422969B2 (en) * | 2010-08-20 | 2013-04-16 | Microelectronics Technology Inc. | Radio frequency transceiver |
FR2964811B1 (fr) * | 2010-09-09 | 2013-10-04 | Bluwan | Systeme radio tres haut debit sans fil et multi-formes d'ondes |
ES2597079T3 (es) | 2012-10-31 | 2017-01-13 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Transmisor, receptor y método de recepción/transmisión de radiofrecuencia |
US11411540B2 (en) * | 2017-12-19 | 2022-08-09 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Power amplifier and radio frequency device comprising the same |
WO2019146284A1 (ja) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | 株式会社村田製作所 | 高周波モジュールおよび通信装置 |
CN112187309A (zh) * | 2019-06-13 | 2021-01-05 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种毫米波收发信机 |
KR102685409B1 (ko) | 2019-09-02 | 2024-07-15 | 삼성전자주식회사 | 전자 장치 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3723360A1 (de) | 1987-07-15 | 1989-01-26 | Nukem Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur zerstoerungsfreien pruefung ferromagnetischer koerper mittels magnetisierung |
US4924191A (en) * | 1989-04-18 | 1990-05-08 | Erbtec Engineering, Inc. | Amplifier having digital bias control apparatus |
FI83717C (fi) * | 1989-09-25 | 1991-08-12 | Nokia Mobile Phones Ltd | Foerfarande foer intrimning och kompensation av effektnivaoer i en radiotelefon. |
US5101173A (en) * | 1990-11-28 | 1992-03-31 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Stored program controlled module amplifier bias and amplitude/phase compensation apparatus |
US5192919A (en) * | 1991-10-03 | 1993-03-09 | Motorola, Inc. | Transmitter having a temperature adjusted power amplifier |
US5162657A (en) * | 1991-11-06 | 1992-11-10 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Optical control of a microwave switch |
FI93159C (fi) * | 1992-09-23 | 1995-02-27 | Nokia Mobile Phones Ltd | Menetelmä radiopuhelimen radiotaajuusvahvistimen ohjaamiseksi ja menetelmän mukainen ohjausjärjestelmä |
US5545924A (en) | 1993-08-05 | 1996-08-13 | Honeywell Inc. | Three dimensional package for monolithic microwave/millimeterwave integrated circuits |
JP3158833B2 (ja) * | 1994-01-27 | 2001-04-23 | 三菱電機株式会社 | 移動無線装置 |
JPH08204587A (ja) * | 1995-01-23 | 1996-08-09 | Fujitsu Ltd | 携帯電話機 |
GB2301248B (en) | 1995-05-25 | 2000-08-09 | Motorola Gmbh | Amplifying circuit and method for determining optimal bias voltages therein |
US5873029A (en) * | 1997-02-19 | 1999-02-16 | Motorola, Inc. | High dynamic range millimeter wave power detector with temperature compensation |
US6072995A (en) * | 1997-02-26 | 2000-06-06 | Ericsson Inc. | Flexible current control in power amplifiers |
KR19990040843A (ko) * | 1997-11-20 | 1999-06-15 | 윤종용 | 코드분할 다중접속 디지털 이동통신 시스템의 기지국 송신출력측정 및 기지국 호 시험을 위한 전력 검출 및 시험 단말장치 |
JP3013831B2 (ja) | 1998-01-26 | 2000-02-28 | 日本電気株式会社 | Mmicパッケージ |
US5977826A (en) * | 1998-03-13 | 1999-11-02 | Behan; Scott T. | Cascaded error correction in a feed forward amplifier |
JPH11266129A (ja) * | 1998-03-16 | 1999-09-28 | Toshiba Corp | 高周波半導体装置 |
US5994965A (en) * | 1998-04-03 | 1999-11-30 | Cbs Corporation | Silicon carbide high frequency high power amplifier |
US6615028B1 (en) * | 1998-12-29 | 2003-09-02 | Skyworks Solutions, Inc. | System and method for selecting amplifiers in a communications device |
US6327462B1 (en) * | 1998-12-29 | 2001-12-04 | Conexant Systems, Inc. | System and method for dynamically varying operational parameters of an amplifier |
US6118342A (en) * | 1999-04-13 | 2000-09-12 | Space Systems/Loral, Inc. | System and method for providing precise RF amplifier gain control over temperature |
US6194968B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-02-27 | Tyco Electronics Logistics Ag | Temperature and process compensating circuit and controller for an RF power amplifier |
US6430403B1 (en) * | 1999-06-10 | 2002-08-06 | Lucent Technologies Inc. | Temperature compensated, zero bias RF detector circuit |
US6799020B1 (en) * | 1999-07-20 | 2004-09-28 | Qualcomm Incorporated | Parallel amplifier architecture using digital phase control techniques |
US6684065B2 (en) * | 1999-12-20 | 2004-01-27 | Broadcom Corporation | Variable gain amplifier for low voltage applications |
US6351189B1 (en) * | 2000-07-31 | 2002-02-26 | Nokia Networks Oy | System and method for auto-bias of an amplifier |
US6678507B1 (en) * | 2000-08-31 | 2004-01-13 | Hitachi, Ltd. | Power amplifier system and mobile communication terminal device |
US6525603B1 (en) * | 2001-01-05 | 2003-02-25 | Remec, Inc. | Feedforward amplifier linearization adapting off modulation |
-
2001
- 2001-05-22 US US09/863,052 patent/US7027789B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-29 JP JP2002527046A patent/JP2004519118A/ja active Pending
- 2001-08-29 DE DE60104556T patent/DE60104556T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-08-29 CN CNA018153747A patent/CN1476679A/zh active Pending
- 2001-08-29 WO PCT/US2001/041936 patent/WO2002023718A2/en active IP Right Grant
- 2001-08-29 AU AU2001293230A patent/AU2001293230A1/en not_active Abandoned
- 2001-08-29 EP EP01973675A patent/EP1317802B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-29 KR KR10-2003-7003509A patent/KR20030081304A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-08-30 AU AU9323001A patent/AU9323001A/xx active Pending
-
2006
- 2006-02-14 US US11/353,314 patent/US7257381B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011515973A (ja) * | 2008-03-28 | 2011-05-19 | イーエイーディーエス、ドイチュラント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング | 増幅回路の利得変化を補償するための方法および装置 |
JP5719461B1 (ja) * | 2014-03-27 | 2015-05-20 | 日本電信電話株式会社 | コヒーレント光通信用増幅器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2002023718A3 (en) | 2002-10-17 |
DE60104556D1 (de) | 2004-09-02 |
US20060135103A1 (en) | 2006-06-22 |
US7027789B2 (en) | 2006-04-11 |
AU9323001A (en) | 2002-03-26 |
AU2001293230A1 (en) | 2002-03-26 |
WO2002023718A8 (en) | 2002-11-21 |
EP1317802A2 (en) | 2003-06-11 |
US20020055349A1 (en) | 2002-05-09 |
US7257381B2 (en) | 2007-08-14 |
DE60104556T2 (de) | 2005-01-05 |
EP1317802B1 (en) | 2004-07-28 |
CN1476679A (zh) | 2004-02-18 |
WO2002023718A2 (en) | 2002-03-21 |
KR20030081304A (ko) | 2003-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7257381B2 (en) | Self-tuned millimeter wave RF transceiver module | |
US6759743B2 (en) | Thick film millimeter wave transceiver module | |
US6873044B2 (en) | Microwave monolithic integrated circuit package | |
US6998708B2 (en) | Millimeter wave (MMW) transceiver module with transmitter, receiver and local oscillator frequency multiplier surface mounted chip set | |
US4967201A (en) | Multi-layer single substrate microwave transmit/receive module | |
US20040080917A1 (en) | Integrated microwave package and the process for making the same | |
EP1041632B1 (en) | A compensation structure for a bond wire at high frequency operation | |
US6158116A (en) | Radio frequency module and method for fabricating the radio frequency module | |
AU667769B2 (en) | Apparatus and method for assembling and checking microwave monolithic integrated circuit (MMIC) module | |
US20130045699A1 (en) | Stacked CMOS Power Amplifier and RF Coupler Devices and Related Methods | |
EP0412528A2 (en) | Electronic circuit package and production thereof | |
CA1301949C (en) | Device for interconnection and protection of a bare microwave componentchip | |
US20040080039A1 (en) | Coplanar line, and a module using the coplanar line | |
JPH0595212A (ja) | 高周波半導体混成集積回路装置 | |
JP3102006B2 (ja) | 高周波高出力トランジスタ | |
Tyler et al. | Assembly and Packaging Considerations for GaAs Microwave Power Devices | |
Watson et al. | Millimetre Wave Transmit and Receive Module for Broadband Mesh Networks | |
KR20030062796A (ko) | 동축 케이블을 구비한 SMD(SurfaceMounted Device) 형태의 패키지 |