JP2004518608A - 極性ジフェニルジアセチレン液晶 - Google Patents
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Abstract
新しいクラスの非対称極性ジフェニルジアセチレン液晶化合物および製法が開示される。新しいクラスの液晶化合物は基本的構造式:
【化26】
を含む。ここに、R1は一般式(C2H2n)を有するアルケニル基であり、Xはシアノ基、フルオロ基、CF3、OCF3またはクロロ基であり、Y1は置換されていない、フルオロ基、クロロ基またはメチル基であり、Y2は置換されていない、フルオロ基、クロロ基またはメチル基であり、Z1は置換されていない、フルオロ基またはメチル基であり、およびZ2は置換されていない、フルオロ基またはメチル基である。開示された化合物は、高い複屈折、低い回転粘度を呈し、予期せぬことに広いネマチック範囲を有する。
また、前記した一般構造式を有する少なくとも一種の極性ジフェニルジアセチレンを含む共融混合物も開示する。該共融混合物も予期せぬことに広いネマチック範囲を有する。
【化26】
を含む。ここに、R1は一般式(C2H2n)を有するアルケニル基であり、Xはシアノ基、フルオロ基、CF3、OCF3またはクロロ基であり、Y1は置換されていない、フルオロ基、クロロ基またはメチル基であり、Y2は置換されていない、フルオロ基、クロロ基またはメチル基であり、Z1は置換されていない、フルオロ基またはメチル基であり、およびZ2は置換されていない、フルオロ基またはメチル基である。開示された化合物は、高い複屈折、低い回転粘度を呈し、予期せぬことに広いネマチック範囲を有する。
また、前記した一般構造式を有する少なくとも一種の極性ジフェニルジアセチレンを含む共融混合物も開示する。該共融混合物も予期せぬことに広いネマチック範囲を有する。
Description
(政府の権利)
本明細書中に記載した発明に関する仕事の少なくとも一部分は、政府との契約、具体的にはAFOSR契約#F49620−98−C−0019の下に行われた。主題における合衆国政府によって保有される全ての権利は、その契約の条項によって支配される。
【0001】
(発明の分野)
本発明は液晶材料およびその共融混合物に関する。特に、本発明は、新しいクラスのジフェニルジアセチレン液晶化合物および赤外およびマイクロ波適用を有する共融液晶混合物に指向される。
【0002】
(発明の背景)
高複屈折、低粘度、低閾値電圧を有し、広い温度範囲にわたってネマチック相を維持することができるネマチック液晶は、赤外光バルブおよびポリマー分散液晶ディスプレイのごとくエレクトロ−オプティック相および振幅変調適用で望ましい。高複屈折または光学異方性(Δn)は光変調の効率を改良し、低回転粘度は応答時間を短縮するように働く。液晶材料の誘電異方性に逆に関連する低閾値電圧は、適用を駆動するエレクトロニクスを単純化する。
構造式1に示されるネマチックジフェニルジアセチレン液晶は、赤外およびマイクロ波変調のための有用なエレクトロ−オプティック媒体であることが示されてきた。
【0003】
【化14】
(構造式1)
【0004】
典型的には、ジフェニルジアセチレン化合物は高複屈折および低回転粘度を有し、共融混合物で用いる場合に特に効果的である。これらの特性の重要性は、方程式1:
【数】FM=(KΔn2)/γ1 (1)
(式中、FMは示性数であり;
Kは弾性定数であり;
Δnは光学的異方性または複屈折であり;および
γ1は化合物の回転粘度である)
に示されるごとく、液晶材料についての示性数パラメーターに最良に要約される。
これらの特性のさらなる改良およびこれらの化合物のネマチック相範囲の拡大は、エレクトロ−オプティカルおよび他の液晶適用におけるそれらの利用性を増大させるであろう。
ジフェニルジアセチレンの対称性および極性は、得られた液晶材料の総じての特性に対して臨界的である。極性および非極性の側鎖を持つ対称ジフェニルジアセチレンは報告されている。(B.Grant,Mol.Cryst.Liq.Cryst.48,175(1978);B.Grant et al, Mol.Cryst.Liq,Cryst.51,209(1979))。しかしながら、一般に、これらの液晶はより高い融点(>80℃および大きな熱融解エンタルピー、狭いネマチック相および小さな誘電異方性を呈し、これはそれらを光変調適用で望ましくなくする。
また、対称ジフェニルジアセチレンも報告されている。非極性非対称ジフェニルジアセチレン化合物は、構造式2:
【化15】
(構造式2)
【0005】
【化16】
【0006】
(式中、Rmはアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基またはアルケノキシ基であり、Rnはアルキル基、アルケニル基またはアルケノキシ基である)に示されるごとく調製されている(米国特許第5,338,481号)。対称ジフェニルジアセチレンのように、これらの非対称化合物は、高複屈折および低回転粘度を呈する傾向がある。非対称化合物は、一般に、広いネマチック範囲のさらなる利点を有する。しかしながら、これらの材料の誘電異方性はかなり低い傾向があり、これは、前記したごとく、これらの液晶化合物でLCデバイスを活性化するための高い閾値電圧に導く。
非対称ジフェニルジアセチレン分子の極性を増加させると、それらの誘電異方性を増加させると予測される。以下の構造式3に示されるごとき、一端(R1`)にアルキル、アルコキシまたはアルケノキシ側鎖を、他端にフルオロ側鎖を持つジフェニルジアセチレンはこの目的で調製されている(Wu et al, Applied Physics Letters,61 2275(1992) and 64,1204(1994);Opt.Eng.32,1792(1993))。
【0007】
【化17】
(構造式3)
【0008】
加えて、以下の構造式4に一般的には示されるフェニル基の1つ上にさらなる極性置換基を持つ非対象ジフェニルジアセチレンが調製されている:
【0009】
【化18】
(構造式4)
【0010】
これらのジフェニルジアセチレンでは、R1”はアルキル基であり、Xは異なるアルキル基、アルコキシ基、ビニル基、またはシアノ、クロロもしくはフルオロのごとき極性基である。Yの位置が置換されていると、それはフルオロまたはクロロ基いずれかである。
予測されるごとく、これらの化合物についての誘電異方性値は、それらの非極性非対称カウンターパートよりも約一桁高い。しかしながら、これらの化合物の融点はかなり高い傾向にあり、また、ネマチック範囲はかなり狭く、従って、液晶適用におけるこれらの材料の利用性はかなり限定されている。
(発明の概要)
特に共融混合物の成分としての、光変調適用に理想的な特性を有する新しいクラスの液晶が提供される。この新しいクラスの化合物は、一般に構造式5:
【0011】
【化19】
(構造式5)
で示されるごとき、一端にアルケニル基を、他端に極性置換基を持ち、フェニル環上に任意のさらなる極性側鎖基を持つ非対称ジフェニルジアセチレン構造に基づく。
この新しいクラスの化合物においては、R1は一般式(C2H2n−1)を有するアルケニル基であり、Xは極性基、すなわち、F、CN、CF3、OCF3またはClであり、Y1およびY2は、独立して、H、F、Clまたはメチル基であり、ZはH、Fまたはメチル基である。
純粋な材料として、および共融混合物の成分としてのこれらの新しい化合物は、予期せぬことに、光変調適用において用いられる高い示性数を有する。さらに、これらの化合物のネマチック範囲は、本発明で概説するごとく、R1がアルケニル基の代わりにアルキル基であるそれらのカウンターパートと比較してかなり広い。
【0012】
(詳細な記載)
本発明は、新しいクラスの液晶材料およびそれらの共融混合物ならびにそれらの合成方法に関する。以下の記載は、当業者が本発明を製造し、使用し、それを特定の適用に一体化できるようにするために提示する。本発明は種々の他の適用に仕立てることができると予測される。種々の修飾ならびに異なる適用における種々の使用は当業者に容易に明らかであり、本明細書中に記載する一般的原理は広い範囲の具体例に適用できる。かくして、本発明は提示された具体例に限定される意図のものではなく、本明細書中に開示した原理および新規な特徴に合致した最も広い範囲に適合されるべきである。
本発明は、構造式5:
【0013】
【化20】
(構造式5)
【0014】
(式中、R1は一般構造式(C2H2n−1)のアルケニル基であり、Xは極性側鎖基、すなわち、F、CN、CF3、OCF3またはClであり、Y1およびY3は、各々、置換されていないまたはフルオロ(F)、クロロ(Cl)またはメチル(CH3)基いずれかであり、Z1およびZ2は置換されていないまたはフルオロ(F)またはメチル(CH3)基のいずれかである)で示される基本的な構造を持つ極性非対称ジフェニルジアセチレン液晶化合物に関する。
R1アルケニル基は、好ましくは、フェニル基から第2位に二重結合を含み、かくして、一般式(CxH2x+1CH=CH−CH2−)を有する。加えて、このアルケニル側鎖は一般式(CyH2y+1CH=CH−(CH2)−n−2−y)を有し、ここに、nは2ないし12の範囲であり、yは0ないし10の範囲である。
【0015】
一般に構造式5に示されるごとく、本発明の最初の好ましい具体例において、R1は第2位に二重結合を持つアルケニル側鎖であり、Xはフルオロ基であり、およびY1、Y2およびZは全て置換されていない。この具体例において、アルケニル側鎖についての合計炭素長は好ましくは4、5または6炭素、最も好ましくは4または5炭素である。この具体例における得られた材料についてのネマチック範囲および示性数値は予期せぬことに高く、それを表Iに示す。
【0016】
【表1】
n=構造式5に示されるR1置換基中の炭素原子の数
※d2=置換基上の第2位における二重結合
X=構造式5に示されるX1位における置換基
【0017】
例えば、この具体例における炭素鎖は4炭素であり、得られた化合物についての示性数は予期せぬことに95℃において95の高い値である。この材料のネマチック範囲は約71℃である。比較により、アルケニル基が4−炭素アルキル鎖によって置き換えられた同様の化合物は2.3℃に過ぎないネマチック範囲を有する。同様に、この具体例のアルケニル側鎖中の炭素鎖は5炭素を含み、得られた化合物は95℃における90の予期せぬ値およびほぼ71℃のネマチック範囲を有する。匹敵する5−炭素アルキル−置換アナログは7.2℃に過ぎないネマチック範囲を有する。本発明のこのおよび他の具体例のネマチック範囲および示性数値を、表Iにおいて、アルキルアナログについてのデータと共に提示する。
【0018】
一般に、本発明のこの第1の具体例における化合物は、予期せぬことに高い透明化温度(略してTc、予期せぬ程高い示性数値に貢献するような特性)を有する。Wuら,Appl.Opp.,26,3441(1987)に概説され、方程式2で証明されるごとく、示性数値はより高い透明点によって増加する:
【数】FM≫(1−T/Tc)0.75exp(−E/kT)
(式中、FMは、示性数であり;
Tは操作温度であり;
Tcは透明化温度であり;
Kはボルツマン定数であり;および
Eは回転粘度の活性化エネルギーである)
【0019】
本発明の他の具体例において、構造式5に示されるXおよびY1またはX、Y1およびY2の双方はフルオロ基である。これらの具体例において、前記したアルケニル鎖R1は、好ましくは、第2位に2重結合を有し、鎖中に4、5または6炭素を含む。Y1位および恐らくはY2位におけるフルオロ基の付加は、Xのみがフルオロ基であって、Y位が置換されていない提示した第1の態様のそれに対して融点を低下させ、誘電異方性を増加させるように働く。例えば、R1アルケニル基が5−炭素鎖であって、Xがフルオロ基である場合、Y1位における第2のフルオロ基の付加は、得られた液晶材料の融点を91.6℃から86.3℃まで低下させる。Y2位における第3のフルオロ基の付加は融点を69.0℃まで低下させる。これらの結果も前記表Iに示される。融点は、R1位のアルケニル鎖の代わりに5−炭素アルキル鎖を持つ分子で観察されたものよりも低い。さらに、ジフルオロおよびトリフルオロ化合物のネマチック範囲は、7.2℃に過ぎないネマチック範囲を有するアルキル変種と比較して、各々、ほぼ40℃および22℃において認識できる程度により広い。
本発明の他の具体例において、構造式5によって示されるホモログを組み合わせて、高い示性数を持つ共融混合物を得る。これらの混合物の具体例において、下記構造式1:
【0020】
【化21】
(構造式1)
によって示される2以上の化合物を組み合わせて、改良された示性数を持つ混合物が形成される。好ましくは、用いる化合物は、前記したごとく、第2位に2重結合を持ち、4または5炭素を含むアルケニルR1基を有する。好ましい化合物は、加えて、X位に単一のフルオロ基置換を有し、Y1、Y2およびZ位は置換されていない。
そのような共融混合物の利点の例は、ジフェニルジアセチレン液晶化合物の異なる共融混合物につき示性数プロットを示す図1に示される。図1においてIR−93という混合物は、以前に開発されたジフェニルジアセチレンと、以下に示す構造式2および構造式3;
【0021】
【化22】
(構造式2)
【0022】
【化23】
(構造式3)
(式中、構造式2についてのRmおよびRnおよび構造式3についてのR1`は全てアルキル置換基である)の基本的構造との組み合わせである。この混合物は、約70℃において約20の最適示性数値に到達する。
基本的構造式5に示した本発明の2つのホモログを組み合わせると、混合物IR−93よりもかなり高い示性数を持つ材料を生じる。新しい材料において、混合物の47%は、R1が前記したごとき第2位に2重結合を持つ4炭素アルケニル置換基であって、Xがフルオロ基であるジフェニルジアセチレン種である。新しい混合物の残りの53%は、R1が他の成分と同一タイプの5−炭素アルケニル置換基であって、Xがフルオロ基であるジフェニルジアセチレンである。図1に示すごとく、IR−99というこの混合物は、約120℃においてほぼ150の最適示性数値を呈する。注目すべきは、この混合物は、加えて、IR−93混合物よりもかなり低い温度において匹敵する程高い示性数値を達成する。
【0023】
さらに他の具体例において、基本的構造式5に示される本発明のホモログを米国特許第5,338,481号に開示されているごとく非極性非対称ジフェニルジアセチレンと組み合わせ、それは、構造式2に示される基本的構造を有し、ここに、Rmは一般式(CmH2m+1)を有するアルキル基、mが1ないし12の範囲である一般式(OCmH2m+1)を有するアルコキシ基、一般式(CmH2m−1)を有するアルケニル基、またはmが1ないし12の範囲である一般式(OCmH2m−1)を有するアルケノキシ基いずれかであり、Rnは、独立して、一般式(CnH2n+1)を有するアルキル基、nが1ないし12の範囲である一般式(OCnH2n+1)を有するアルコキシ基、一般式(CnH2n−1)を有するアルケニル基、およびnが1ないし12の範囲である一般式(OCnH2n−1)を有するアルケノキシ基よりなる群から選択される(mはnと等しくない)。従前の具体例において、一般に構造式5に示される本具体例で用いる本発明のホモログは、好ましくは、前記したごとく第2位に2重結合を持つ4−または5−炭素鎖アルケニルR1基を有する。好ましい化合物は、加えて、X位に単一のフルオロ基置換を有し、Y1、Y2およびZ位は置換されていない。
【0024】
そのような混合物の説明は図2に掲げる。従前の具体例に記載したごとく、図面中の混合物IR−93は、Rm、RnおよびR1`が全てアルキル置換基である構造式2および3に示したジフェニルジアセチレンの組み合わせである。この混合物は、約70℃において約20の最適な示性数値に達する。図2中ではIR−97という混合物は、構造式5に示した本発明の複数の好ましいアルケニル−フルオロホモログおよび前記し、かつ構造式2に示した複数の非極性非対称ジフェニルジアセチレンの組み合わせである。この混合物は、約100℃にてほぼ60の高い最適示性数を有し、約50℃以上の温度においてIR−93混合物に対して改良された示性数値に達する。
【0025】
本発明の具体例の調製についての一般的手法はスキーム1に供される。また、Y1、Y2、Z1およびZ2がHであり、Xがフルオロ基であって、R1がCH2CH=CHCH2CH3である構造式5による具体例のスキーム1による合成の詳細な記載もここに供する:
アルコールI(n=1)(74.6g ,0.37モル)およびPBr3(100.4g、0.37モル)の攪拌された混合物を170℃にて20分間加熱し、室温まで冷却し、次いで、破砕した氷(600ml)上に注ぎ、得られた混合物をEt2O(3×200ml)で抽出した。有機層を分離し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過した。溶媒を真空中にて濾液から除去して91.4g(93.3%)のジブロマイドIIを得た。
【0026】
ジブロマイドII(n=1)(91.6g,0.35モル)およびトリフェニルホスフィン(91.9g、0.35モル)の混合物を40分間還流し、室温まで冷却し、CH2Cl2(300ml)に添加した。この溶液を、5℃にて2時間にわたって激しく攪拌されたEt2O(21)に滴下した。得られた沈殿を濾過によって収集し、真空中で乾燥した。この粗製塩IIIは次の反応で用いるのに十分な程純粋であった(181.2g、99.3%)。
【0027】
室温にて、CH2Cl2(1670ml、#4Aモレキュラーシーブで乾燥)中の塩III(n=1)(87.8g,0.17モル)の攪拌溶液に18−クラウン−6(2.20g、8.34ミリモル)を添加した。この混合物を5.0分間還流し、次いで、プロピオンアルデヒド(38.7g,0.67モル)を滴下した。還流を150時間続け、次いで、混合物を室温まで冷却し、シリカゲルのカラムを通して濾過した。溶媒を濾液から除去し、残存する物質をヘキサンを用いるシリカゲル上のフラッシュクロマトグラフィーに付して、26.2g(69.9%)のブロマイドIVを得た。
【0028】
窒素下、ブロマイドIV(R=CH2CH3、n=1)(5.00g,22.2ミリモル)、2−メチルー3−ブチン−2−オール(4.67g,55.5ミリモル)、トリフェニルホスフィン(139g、0.53ミリモル),CuI(37mg,0.19ミリモル)およびEt3N(66.6ml)の攪拌溶液にPd(PPh3)2Cl2(37mg,0.05ミリモル)を添加した。混合物を60℃にて30分間加熱し、3時間還流し、次いで、室温まで冷却した。得られた沈殿を濾過によって収集し、Et2Oで徹底的に洗浄した。溶媒を濾液から除去し、残存する物質をEt2Oに溶解させた。この溶液をH2O(3×100ml)で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、真空中で溶媒を濾液から除去して6.37gの粗製生成物を得た。CH2Cl2中の50%ヘキサンを用いるシリカゲル上でのこの物質のクロマトグラフィーにより、4.36g(86.0%)の保護されたアセチレンVを得た。
i−PrOH(45ml)中の保護されたアセチレンV(3.08g,13.5ミリモル)(R=CH2CH3,n=1)およびKOH(2.27g、40.5ミリモル)の混合物を22時間還流し、次いで、室温まで冷却した。溶媒を真空中で除去し、残存する物質をEtOAcに溶解させた。この溶液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過した。溶媒を濾液から除去して2.34gの粗製生成物を得た。ヘキサンを用いるシリカゲル上でのこの物質のフラッシュクロマトグラフィーにより、1.87g(81.3%)の液状アセチレンVIを得た。
【0029】
ブロモアセチレン化合物VIIは、H.−H.B Meng,L.R.Dalton and S.−T.Wu,Mol.Cryst.Liq.Cryst.250,303(1994),S.−T.Wu,D.J.M*9+argerum,H.−H.Meng and L.R.Dalton WO94/03556(2/17/94),and R.A.Shenoy,M.E.Neubert, D.G.Abdallah Jr, S.S.Keast and R.G.Petschek, Liq.Cryst, in press(2000)にすでに記載されている方法を用いて調製した。ブロモアセチレンの合成はスキーム2に概説する。化合物XおよびVIIは光、空気および熱に敏感である。これらとの反応は、さらに光源を用いずに、フード中で日中に行った。反応フラスコをアルミホイルで包んだ。それらを、約15℃の冷蔵庫中、アルゴン下で貯蔵した。商業的に入手可能な出発アルデヒドIXを酸不純物につきテストした。存在すれば、これは、水中の5%KOHでの抽出によって除去し、蒸留した。第3級ブタノールは使用直前に常に蒸留した。ブロモアセチレンVIIのGCは、これらが少なくとも99.7%純度であることを示した。
【0030】
0℃にて、窒素下、CuCl(7.0mg)、プロピルアミン(5.76g、97.4ミリモル)およびアセチレンVI(R=C2H5、n=1)(4.65g,9.69ミリモル)の攪拌混合物にNH2OH・HCl(470mg,6.82ミリモル)を添加した。この混合物を10分間攪拌し、次いで、MeOH(56ml)中のブロモアセチレンVII(X=F、Y1およびY2=H)(1.94g、9.75ミリモル)の溶液を90分以内に滴下した。さらなるMeOH(100ml)を添加して、2.2時間の攪拌を促進させた。得られた沈殿を濾過によって除去し、冷MeOHで徹底的に洗浄し、乾燥した。この物質をヘキサン(100ml)に溶解させ、水(50ml)で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過した。濾液をシリカゲルを通して濾過した。濾液からの溶媒の除去により固体が得られ、これをCH3CNから再結晶して1.31g(46.6%)のジアセチレンVIII(X=F,Y1およびY2=H、R=CH2CH3,n=1を得た。)
【0031】
【化24】
【0032】
【化25】
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、アルキル−アルキル置換されたおよびアルキル−フルオロジフェニルジアセチレンの混合物および本発明による2種の極性ジフェニルジアセチレンの混合物についての示性数データを比較するプロットである。
【図2】図2は、アルキル−アルキル置換されたおよびアルキル−フルオロ置換ジフェニルジアセチレンの混合物および本発明によるいくつかの非対称非極性ジフェニルジアセチレンおよび極性ジフェニルジアセチレンの混合物についての示性数データを比較するプロットである。
本明細書中に記載した発明に関する仕事の少なくとも一部分は、政府との契約、具体的にはAFOSR契約#F49620−98−C−0019の下に行われた。主題における合衆国政府によって保有される全ての権利は、その契約の条項によって支配される。
【0001】
(発明の分野)
本発明は液晶材料およびその共融混合物に関する。特に、本発明は、新しいクラスのジフェニルジアセチレン液晶化合物および赤外およびマイクロ波適用を有する共融液晶混合物に指向される。
【0002】
(発明の背景)
高複屈折、低粘度、低閾値電圧を有し、広い温度範囲にわたってネマチック相を維持することができるネマチック液晶は、赤外光バルブおよびポリマー分散液晶ディスプレイのごとくエレクトロ−オプティック相および振幅変調適用で望ましい。高複屈折または光学異方性(Δn)は光変調の効率を改良し、低回転粘度は応答時間を短縮するように働く。液晶材料の誘電異方性に逆に関連する低閾値電圧は、適用を駆動するエレクトロニクスを単純化する。
構造式1に示されるネマチックジフェニルジアセチレン液晶は、赤外およびマイクロ波変調のための有用なエレクトロ−オプティック媒体であることが示されてきた。
【0003】
【化14】
(構造式1)
【0004】
典型的には、ジフェニルジアセチレン化合物は高複屈折および低回転粘度を有し、共融混合物で用いる場合に特に効果的である。これらの特性の重要性は、方程式1:
【数】FM=(KΔn2)/γ1 (1)
(式中、FMは示性数であり;
Kは弾性定数であり;
Δnは光学的異方性または複屈折であり;および
γ1は化合物の回転粘度である)
に示されるごとく、液晶材料についての示性数パラメーターに最良に要約される。
これらの特性のさらなる改良およびこれらの化合物のネマチック相範囲の拡大は、エレクトロ−オプティカルおよび他の液晶適用におけるそれらの利用性を増大させるであろう。
ジフェニルジアセチレンの対称性および極性は、得られた液晶材料の総じての特性に対して臨界的である。極性および非極性の側鎖を持つ対称ジフェニルジアセチレンは報告されている。(B.Grant,Mol.Cryst.Liq.Cryst.48,175(1978);B.Grant et al, Mol.Cryst.Liq,Cryst.51,209(1979))。しかしながら、一般に、これらの液晶はより高い融点(>80℃および大きな熱融解エンタルピー、狭いネマチック相および小さな誘電異方性を呈し、これはそれらを光変調適用で望ましくなくする。
また、対称ジフェニルジアセチレンも報告されている。非極性非対称ジフェニルジアセチレン化合物は、構造式2:
【化15】
(構造式2)
【0005】
【化16】
【0006】
(式中、Rmはアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基またはアルケノキシ基であり、Rnはアルキル基、アルケニル基またはアルケノキシ基である)に示されるごとく調製されている(米国特許第5,338,481号)。対称ジフェニルジアセチレンのように、これらの非対称化合物は、高複屈折および低回転粘度を呈する傾向がある。非対称化合物は、一般に、広いネマチック範囲のさらなる利点を有する。しかしながら、これらの材料の誘電異方性はかなり低い傾向があり、これは、前記したごとく、これらの液晶化合物でLCデバイスを活性化するための高い閾値電圧に導く。
非対称ジフェニルジアセチレン分子の極性を増加させると、それらの誘電異方性を増加させると予測される。以下の構造式3に示されるごとき、一端(R1`)にアルキル、アルコキシまたはアルケノキシ側鎖を、他端にフルオロ側鎖を持つジフェニルジアセチレンはこの目的で調製されている(Wu et al, Applied Physics Letters,61 2275(1992) and 64,1204(1994);Opt.Eng.32,1792(1993))。
【0007】
【化17】
(構造式3)
【0008】
加えて、以下の構造式4に一般的には示されるフェニル基の1つ上にさらなる極性置換基を持つ非対象ジフェニルジアセチレンが調製されている:
【0009】
【化18】
(構造式4)
【0010】
これらのジフェニルジアセチレンでは、R1”はアルキル基であり、Xは異なるアルキル基、アルコキシ基、ビニル基、またはシアノ、クロロもしくはフルオロのごとき極性基である。Yの位置が置換されていると、それはフルオロまたはクロロ基いずれかである。
予測されるごとく、これらの化合物についての誘電異方性値は、それらの非極性非対称カウンターパートよりも約一桁高い。しかしながら、これらの化合物の融点はかなり高い傾向にあり、また、ネマチック範囲はかなり狭く、従って、液晶適用におけるこれらの材料の利用性はかなり限定されている。
(発明の概要)
特に共融混合物の成分としての、光変調適用に理想的な特性を有する新しいクラスの液晶が提供される。この新しいクラスの化合物は、一般に構造式5:
【0011】
【化19】
(構造式5)
で示されるごとき、一端にアルケニル基を、他端に極性置換基を持ち、フェニル環上に任意のさらなる極性側鎖基を持つ非対称ジフェニルジアセチレン構造に基づく。
この新しいクラスの化合物においては、R1は一般式(C2H2n−1)を有するアルケニル基であり、Xは極性基、すなわち、F、CN、CF3、OCF3またはClであり、Y1およびY2は、独立して、H、F、Clまたはメチル基であり、ZはH、Fまたはメチル基である。
純粋な材料として、および共融混合物の成分としてのこれらの新しい化合物は、予期せぬことに、光変調適用において用いられる高い示性数を有する。さらに、これらの化合物のネマチック範囲は、本発明で概説するごとく、R1がアルケニル基の代わりにアルキル基であるそれらのカウンターパートと比較してかなり広い。
【0012】
(詳細な記載)
本発明は、新しいクラスの液晶材料およびそれらの共融混合物ならびにそれらの合成方法に関する。以下の記載は、当業者が本発明を製造し、使用し、それを特定の適用に一体化できるようにするために提示する。本発明は種々の他の適用に仕立てることができると予測される。種々の修飾ならびに異なる適用における種々の使用は当業者に容易に明らかであり、本明細書中に記載する一般的原理は広い範囲の具体例に適用できる。かくして、本発明は提示された具体例に限定される意図のものではなく、本明細書中に開示した原理および新規な特徴に合致した最も広い範囲に適合されるべきである。
本発明は、構造式5:
【0013】
【化20】
(構造式5)
【0014】
(式中、R1は一般構造式(C2H2n−1)のアルケニル基であり、Xは極性側鎖基、すなわち、F、CN、CF3、OCF3またはClであり、Y1およびY3は、各々、置換されていないまたはフルオロ(F)、クロロ(Cl)またはメチル(CH3)基いずれかであり、Z1およびZ2は置換されていないまたはフルオロ(F)またはメチル(CH3)基のいずれかである)で示される基本的な構造を持つ極性非対称ジフェニルジアセチレン液晶化合物に関する。
R1アルケニル基は、好ましくは、フェニル基から第2位に二重結合を含み、かくして、一般式(CxH2x+1CH=CH−CH2−)を有する。加えて、このアルケニル側鎖は一般式(CyH2y+1CH=CH−(CH2)−n−2−y)を有し、ここに、nは2ないし12の範囲であり、yは0ないし10の範囲である。
【0015】
一般に構造式5に示されるごとく、本発明の最初の好ましい具体例において、R1は第2位に二重結合を持つアルケニル側鎖であり、Xはフルオロ基であり、およびY1、Y2およびZは全て置換されていない。この具体例において、アルケニル側鎖についての合計炭素長は好ましくは4、5または6炭素、最も好ましくは4または5炭素である。この具体例における得られた材料についてのネマチック範囲および示性数値は予期せぬことに高く、それを表Iに示す。
【0016】
【表1】
n=構造式5に示されるR1置換基中の炭素原子の数
※d2=置換基上の第2位における二重結合
X=構造式5に示されるX1位における置換基
【0017】
例えば、この具体例における炭素鎖は4炭素であり、得られた化合物についての示性数は予期せぬことに95℃において95の高い値である。この材料のネマチック範囲は約71℃である。比較により、アルケニル基が4−炭素アルキル鎖によって置き換えられた同様の化合物は2.3℃に過ぎないネマチック範囲を有する。同様に、この具体例のアルケニル側鎖中の炭素鎖は5炭素を含み、得られた化合物は95℃における90の予期せぬ値およびほぼ71℃のネマチック範囲を有する。匹敵する5−炭素アルキル−置換アナログは7.2℃に過ぎないネマチック範囲を有する。本発明のこのおよび他の具体例のネマチック範囲および示性数値を、表Iにおいて、アルキルアナログについてのデータと共に提示する。
【0018】
一般に、本発明のこの第1の具体例における化合物は、予期せぬことに高い透明化温度(略してTc、予期せぬ程高い示性数値に貢献するような特性)を有する。Wuら,Appl.Opp.,26,3441(1987)に概説され、方程式2で証明されるごとく、示性数値はより高い透明点によって増加する:
【数】FM≫(1−T/Tc)0.75exp(−E/kT)
(式中、FMは、示性数であり;
Tは操作温度であり;
Tcは透明化温度であり;
Kはボルツマン定数であり;および
Eは回転粘度の活性化エネルギーである)
【0019】
本発明の他の具体例において、構造式5に示されるXおよびY1またはX、Y1およびY2の双方はフルオロ基である。これらの具体例において、前記したアルケニル鎖R1は、好ましくは、第2位に2重結合を有し、鎖中に4、5または6炭素を含む。Y1位および恐らくはY2位におけるフルオロ基の付加は、Xのみがフルオロ基であって、Y位が置換されていない提示した第1の態様のそれに対して融点を低下させ、誘電異方性を増加させるように働く。例えば、R1アルケニル基が5−炭素鎖であって、Xがフルオロ基である場合、Y1位における第2のフルオロ基の付加は、得られた液晶材料の融点を91.6℃から86.3℃まで低下させる。Y2位における第3のフルオロ基の付加は融点を69.0℃まで低下させる。これらの結果も前記表Iに示される。融点は、R1位のアルケニル鎖の代わりに5−炭素アルキル鎖を持つ分子で観察されたものよりも低い。さらに、ジフルオロおよびトリフルオロ化合物のネマチック範囲は、7.2℃に過ぎないネマチック範囲を有するアルキル変種と比較して、各々、ほぼ40℃および22℃において認識できる程度により広い。
本発明の他の具体例において、構造式5によって示されるホモログを組み合わせて、高い示性数を持つ共融混合物を得る。これらの混合物の具体例において、下記構造式1:
【0020】
【化21】
(構造式1)
によって示される2以上の化合物を組み合わせて、改良された示性数を持つ混合物が形成される。好ましくは、用いる化合物は、前記したごとく、第2位に2重結合を持ち、4または5炭素を含むアルケニルR1基を有する。好ましい化合物は、加えて、X位に単一のフルオロ基置換を有し、Y1、Y2およびZ位は置換されていない。
そのような共融混合物の利点の例は、ジフェニルジアセチレン液晶化合物の異なる共融混合物につき示性数プロットを示す図1に示される。図1においてIR−93という混合物は、以前に開発されたジフェニルジアセチレンと、以下に示す構造式2および構造式3;
【0021】
【化22】
(構造式2)
【0022】
【化23】
(構造式3)
(式中、構造式2についてのRmおよびRnおよび構造式3についてのR1`は全てアルキル置換基である)の基本的構造との組み合わせである。この混合物は、約70℃において約20の最適示性数値に到達する。
基本的構造式5に示した本発明の2つのホモログを組み合わせると、混合物IR−93よりもかなり高い示性数を持つ材料を生じる。新しい材料において、混合物の47%は、R1が前記したごとき第2位に2重結合を持つ4炭素アルケニル置換基であって、Xがフルオロ基であるジフェニルジアセチレン種である。新しい混合物の残りの53%は、R1が他の成分と同一タイプの5−炭素アルケニル置換基であって、Xがフルオロ基であるジフェニルジアセチレンである。図1に示すごとく、IR−99というこの混合物は、約120℃においてほぼ150の最適示性数値を呈する。注目すべきは、この混合物は、加えて、IR−93混合物よりもかなり低い温度において匹敵する程高い示性数値を達成する。
【0023】
さらに他の具体例において、基本的構造式5に示される本発明のホモログを米国特許第5,338,481号に開示されているごとく非極性非対称ジフェニルジアセチレンと組み合わせ、それは、構造式2に示される基本的構造を有し、ここに、Rmは一般式(CmH2m+1)を有するアルキル基、mが1ないし12の範囲である一般式(OCmH2m+1)を有するアルコキシ基、一般式(CmH2m−1)を有するアルケニル基、またはmが1ないし12の範囲である一般式(OCmH2m−1)を有するアルケノキシ基いずれかであり、Rnは、独立して、一般式(CnH2n+1)を有するアルキル基、nが1ないし12の範囲である一般式(OCnH2n+1)を有するアルコキシ基、一般式(CnH2n−1)を有するアルケニル基、およびnが1ないし12の範囲である一般式(OCnH2n−1)を有するアルケノキシ基よりなる群から選択される(mはnと等しくない)。従前の具体例において、一般に構造式5に示される本具体例で用いる本発明のホモログは、好ましくは、前記したごとく第2位に2重結合を持つ4−または5−炭素鎖アルケニルR1基を有する。好ましい化合物は、加えて、X位に単一のフルオロ基置換を有し、Y1、Y2およびZ位は置換されていない。
【0024】
そのような混合物の説明は図2に掲げる。従前の具体例に記載したごとく、図面中の混合物IR−93は、Rm、RnおよびR1`が全てアルキル置換基である構造式2および3に示したジフェニルジアセチレンの組み合わせである。この混合物は、約70℃において約20の最適な示性数値に達する。図2中ではIR−97という混合物は、構造式5に示した本発明の複数の好ましいアルケニル−フルオロホモログおよび前記し、かつ構造式2に示した複数の非極性非対称ジフェニルジアセチレンの組み合わせである。この混合物は、約100℃にてほぼ60の高い最適示性数を有し、約50℃以上の温度においてIR−93混合物に対して改良された示性数値に達する。
【0025】
本発明の具体例の調製についての一般的手法はスキーム1に供される。また、Y1、Y2、Z1およびZ2がHであり、Xがフルオロ基であって、R1がCH2CH=CHCH2CH3である構造式5による具体例のスキーム1による合成の詳細な記載もここに供する:
アルコールI(n=1)(74.6g ,0.37モル)およびPBr3(100.4g、0.37モル)の攪拌された混合物を170℃にて20分間加熱し、室温まで冷却し、次いで、破砕した氷(600ml)上に注ぎ、得られた混合物をEt2O(3×200ml)で抽出した。有機層を分離し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過した。溶媒を真空中にて濾液から除去して91.4g(93.3%)のジブロマイドIIを得た。
【0026】
ジブロマイドII(n=1)(91.6g,0.35モル)およびトリフェニルホスフィン(91.9g、0.35モル)の混合物を40分間還流し、室温まで冷却し、CH2Cl2(300ml)に添加した。この溶液を、5℃にて2時間にわたって激しく攪拌されたEt2O(21)に滴下した。得られた沈殿を濾過によって収集し、真空中で乾燥した。この粗製塩IIIは次の反応で用いるのに十分な程純粋であった(181.2g、99.3%)。
【0027】
室温にて、CH2Cl2(1670ml、#4Aモレキュラーシーブで乾燥)中の塩III(n=1)(87.8g,0.17モル)の攪拌溶液に18−クラウン−6(2.20g、8.34ミリモル)を添加した。この混合物を5.0分間還流し、次いで、プロピオンアルデヒド(38.7g,0.67モル)を滴下した。還流を150時間続け、次いで、混合物を室温まで冷却し、シリカゲルのカラムを通して濾過した。溶媒を濾液から除去し、残存する物質をヘキサンを用いるシリカゲル上のフラッシュクロマトグラフィーに付して、26.2g(69.9%)のブロマイドIVを得た。
【0028】
窒素下、ブロマイドIV(R=CH2CH3、n=1)(5.00g,22.2ミリモル)、2−メチルー3−ブチン−2−オール(4.67g,55.5ミリモル)、トリフェニルホスフィン(139g、0.53ミリモル),CuI(37mg,0.19ミリモル)およびEt3N(66.6ml)の攪拌溶液にPd(PPh3)2Cl2(37mg,0.05ミリモル)を添加した。混合物を60℃にて30分間加熱し、3時間還流し、次いで、室温まで冷却した。得られた沈殿を濾過によって収集し、Et2Oで徹底的に洗浄した。溶媒を濾液から除去し、残存する物質をEt2Oに溶解させた。この溶液をH2O(3×100ml)で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、真空中で溶媒を濾液から除去して6.37gの粗製生成物を得た。CH2Cl2中の50%ヘキサンを用いるシリカゲル上でのこの物質のクロマトグラフィーにより、4.36g(86.0%)の保護されたアセチレンVを得た。
i−PrOH(45ml)中の保護されたアセチレンV(3.08g,13.5ミリモル)(R=CH2CH3,n=1)およびKOH(2.27g、40.5ミリモル)の混合物を22時間還流し、次いで、室温まで冷却した。溶媒を真空中で除去し、残存する物質をEtOAcに溶解させた。この溶液を水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過した。溶媒を濾液から除去して2.34gの粗製生成物を得た。ヘキサンを用いるシリカゲル上でのこの物質のフラッシュクロマトグラフィーにより、1.87g(81.3%)の液状アセチレンVIを得た。
【0029】
ブロモアセチレン化合物VIIは、H.−H.B Meng,L.R.Dalton and S.−T.Wu,Mol.Cryst.Liq.Cryst.250,303(1994),S.−T.Wu,D.J.M*9+argerum,H.−H.Meng and L.R.Dalton WO94/03556(2/17/94),and R.A.Shenoy,M.E.Neubert, D.G.Abdallah Jr, S.S.Keast and R.G.Petschek, Liq.Cryst, in press(2000)にすでに記載されている方法を用いて調製した。ブロモアセチレンの合成はスキーム2に概説する。化合物XおよびVIIは光、空気および熱に敏感である。これらとの反応は、さらに光源を用いずに、フード中で日中に行った。反応フラスコをアルミホイルで包んだ。それらを、約15℃の冷蔵庫中、アルゴン下で貯蔵した。商業的に入手可能な出発アルデヒドIXを酸不純物につきテストした。存在すれば、これは、水中の5%KOHでの抽出によって除去し、蒸留した。第3級ブタノールは使用直前に常に蒸留した。ブロモアセチレンVIIのGCは、これらが少なくとも99.7%純度であることを示した。
【0030】
0℃にて、窒素下、CuCl(7.0mg)、プロピルアミン(5.76g、97.4ミリモル)およびアセチレンVI(R=C2H5、n=1)(4.65g,9.69ミリモル)の攪拌混合物にNH2OH・HCl(470mg,6.82ミリモル)を添加した。この混合物を10分間攪拌し、次いで、MeOH(56ml)中のブロモアセチレンVII(X=F、Y1およびY2=H)(1.94g、9.75ミリモル)の溶液を90分以内に滴下した。さらなるMeOH(100ml)を添加して、2.2時間の攪拌を促進させた。得られた沈殿を濾過によって除去し、冷MeOHで徹底的に洗浄し、乾燥した。この物質をヘキサン(100ml)に溶解させ、水(50ml)で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過した。濾液をシリカゲルを通して濾過した。濾液からの溶媒の除去により固体が得られ、これをCH3CNから再結晶して1.31g(46.6%)のジアセチレンVIII(X=F,Y1およびY2=H、R=CH2CH3,n=1を得た。)
【0031】
【化24】
【0032】
【化25】
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、アルキル−アルキル置換されたおよびアルキル−フルオロジフェニルジアセチレンの混合物および本発明による2種の極性ジフェニルジアセチレンの混合物についての示性数データを比較するプロットである。
【図2】図2は、アルキル−アルキル置換されたおよびアルキル−フルオロ置換ジフェニルジアセチレンの混合物および本発明によるいくつかの非対称非極性ジフェニルジアセチレンおよび極性ジフェニルジアセチレンの混合物についての示性数データを比較するプロットである。
Claims (25)
- R1が一般式CmH2m+1CH=CH‐(CH2)n−2−mを有するアルケニル基であり、ここに、nが2ないし12の範囲であり、n−2−mが0と等しいかまたはそれより大である請求項1記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物。
- R1が一般式CxH2x+1CH=CH‐(CH2)‐を有するアルケニル基であり、ここに、xがほぼ0ないし9の範囲である請求項1記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物。
- Xがフルオロ基(F)であり、Y1がHおよびFよりなる群から選択され、Y2がHおよびFよりなる群から選択され、およびZ1およびZ2がHである請求項1記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物。
- R1が一般式CxH2x+1CH=CH‐(CH2)2‐を有するアルケニル基であり、ここに、xがほぼ0ないし8の範囲である請求項1記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物。
- 一般構造式:
(式中、R1は、nがほぼ2ないし12の範囲である一般式(C2nH2n−1)を有するアルケニル基よりなる群から選択され;
Xは、独立して、CN、F、CF3、OCF3およびClよりなる群から選択され;
Y1は、独立して、H、F、ClおよびCH3よりなる群から選択され;
Y2は、独立して、H、F、ClおよびCH3よりなる群から選択され;
Z1は、独立して、H、FおよびCH3よりなる群から選択され;および
Z2は、独立して、H、FおよびCH3よりなる群から選択される)
を有する少なくとも1種のジフェニルジアセチレン液晶化合物を含めた少なくとも2種の液晶化合物を含む液晶化合物の共融混合物。 - 該混合物が、ジフェニルジアセチレン液晶化合物の2種を含む請求項6記載の共融混合物。
- Xがフルオロ(F)基であり;
Y1が、独立して、HおよびFよりなる群から選択され;
Y2が、HおよびFよりなる群から選択され;および
Z1およびZ2がHである請求項6記載の共融混合物。 - 該混合物が、XがCN、FまたはClである場合に、Y1、Y2およびZがすべてH基ではない少なくとも一種のジフェニルジアセチレン液晶化合物、および一般構造式
(式中、Rmは一般式(CmH2m+1)を有するアルキル基、一般式(OC mH2m+1)を有するアルコキシ基、一般式(CmH2m+1)を有するアルケニル基、および一般式(OCmH2m−1)を有するアルケノキシ基よりなる群から選択され、ここに、mはほぼ1ないし12の範囲であり;および
Rnは、独立して、一般式(CnH2n+1)を有するアルキル基、一般式(OC nH2n+1)を有するアルコキシ基、一般式(CnH2n−1)を有するアルケニル基、および一般式(OCnH2n−1)を有するアルケノキシ基よりなる群から選択され、ここに、nはほぼ1ないし12の範囲であり;およびnはmとは等しくない)を有する少なくとも一種のジフェニルジアセチレン液晶化合物を含む請求項6記載の共融混合物。 - 構造式Iで示される臭素化フェニルアルコールを、臭素化剤と反応させて、構造式IIで示されるジブロミドを得;
(式中、両方の構造式におけるZ1はH、FまたはCH3よりなる群から選択され、および両方の構造式におけるZ2はH、FまたはCH3よりなる群から選択され、nはほぼ0ないし10の範囲である)
ii 構造式Iの臭素化フェニルアルコールおよび臭素化剤の反応物から構造式IIのジブロミドを単離し;
iii 構造式IIのジブロミドをトリフェニルホスフィンと反応させて、構造式III;
(式中、Z1はH、FまたはCH3であり、Z2はH、FまたはCH3であり、nはほぼ0ないし10の範囲である)で示されるテトラオルガノホスホニウム塩を得;
iv 構造式IIのジブロミドとトリフェニルホスフィンの反応物から構造式IIIの塩を単離し;
v Rが一般式(CxH2x+1)(式中、xはほぼ0ないし10の範囲である)を有するアルキル置換基である式RCHOを有するアルデヒドおよび触媒と構造式IIIの塩とを反応させて、構造式IV:
(式中、Z1はH、FまたはCH3よりなる群から選択され、Z2はH、FまたはCH3よりなる群から選択され、Rは式(CxH2+x)(式中、xはほぼ0ないし10の範囲である)を有するアルキル基であり、nはほぼ0ないし10の範囲であり、およびx+nは約10未満であるかまたはそれに等しい)で示される化合物を得;
vi 構造式IIIの塩とアルデヒドとの反応物から構造式IVの化合物を単離し;
vii 不活性雰囲気下、触媒の存在下で構造式IVの化合物と保護された1−アルキンとを反応させて、構造式V:
(式中、Z1はH、FまたはCH3であり、Z2はH、FまたはCH3であり、Rは式(CxH2x+1)(xはほぼ0ないし10の範囲である)を有するアルキル基であり、nはほぼ0ないし10の範囲であり、およびx+nは約10未満であるかまたはそれと等しい)で示される保護されたアセチレンを得;
viii 不活性雰囲気下、触媒の存在下での構造式IVの化合物および保護された1−アルキンの反応物から構造式Vの保護されたアセチレンを単離し;
ix 構造式Vの保護されたアセチレンを塩基で脱保護して、構造式VI:
(式中、Z1はH、FまたはCH3であり、Z2はH、FまたはCH3であり、Rは式(CxH2x+1)(xはほぼ0ないし10の範囲である)を有するアルキル基であり、nはほぼ0ないし10の範囲であり、およびx+nは約10未満であるかまたはそれと等しい)で示されるアセチレンを得;
x 構造式Vのアセチレンンおよび塩基の反応物から構造式VIのアセチレンを単離し;
xi 構造式IXで示されるベンズアルデヒドとトリフェニルホスフィンおよび触媒とを反応させて、構造式X:
(式中、XはCN、F、CF3、OCF3またはClよりなる群から選択され、Y1はH、FまたはClよりなる群から選択され、Y2はH、FまたはClよりなる群から選択される)で示されるブロモスチリル化合物を得;
xii 構造式IXとトリフェニルホスフィンおよび触媒との反応物から構造式Xのジブロモスチリル化合物を単離し;
xiii 構造式Xのジブロモスチリル化合物とt−ブトキシドとを反応させて、構造式VII:
(式中、XはCN、F、CF3、OCF3またはClであり、Y1はH、FまたはClであり、およびY2はH、FまたはClである)で示されるブロモアセチリドを得;
xiv 構造式Xのジブロモスチリル化合物およびt−ブトキシドの反応物から構造式VIIのブロモアセチリドを単離し;
xv 不活性雰囲気下、銅(I)、塩およびアミンの存在下で、構造式VIのアセチレンと構造式VIIのブロモアセチリドとを反応させて、構造式VIII:
(式中、XはCN、F、CF3、OCF3またはClよりなる群から選択され、Y1はH、FまたはClよりなる群から選択され、Y2はH、FまたはClよりなる群から選択され、Z1はH、FまたはCH3よりなる群から選択され、Z2はH、FまたはCH3よりなる群から選択され、Rは、xがほぼ0ないし10の範囲にある一般式(CXH2X+1)を有するアルキル基であり、nはほぼ0ないし10の範囲にあり、およびx+nは約10未満であるかまたはそれと等しい)で示されるジセチレンを得;
xvi 不活性雰囲気下で銅(I)塩の存在下における構造式VIのアセチレンと構造式VIIのブロモアセチリドとの反応物から構造式VIIIのジアセチレンを単離する;
工程を含むことを特徴とするジフェニルジアセチレン液晶化合物の製法。 - 工程iにおける臭素化剤がトリブロモホスフィンである請求項10記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物の製法。
- 工程iにおける臭素化剤が臭化水素酸である請求項10記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物の製法。
- 工程iにおける構造式Iで示された臭素化フェニルアルコールのZ1およびZ2が共にHである請求項10記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物の製法。
- 工程iにおける構造式Iで示される臭素化フェニルアルコールの値「n」が2に等しい請求項10記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物の製法。
- 工程vにおけるアルデヒドがプロピオンアルデヒドである請求項10記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物の製法。
- 工程vにおける結晶が18−クラウン−6である請求項10記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物の製法。
- 工程viiにおける保護されたアルキンが2−メチル−3−ビチン−2−オールである請求項10記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物の製法。
- 工程viiにおける触媒がPd(Ph3P)2Cl2、PPh3、Et3NおよびCuIよりなる請求項10記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物の製法。
- 工程viにおける不活性雰囲気がN2雰囲気である請求項10記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物の製法。
- 工程ixにおける塩基が水酸化カリウムである請求項10記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物の製法。
- 工程xiにおける触媒が四臭化炭素および亜鉛金属よりなる請求項10記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物の製法。
- 構造式VIIで示されるブロモアセチリドのXがフルオロ基であり、ブロモアセチリドのY1およびY2が、独立して、HおよびFよりなる群から選択される請求項10記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物の製法。
- 工程xvにおける銅(I)がCuClである請求項10記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物の製法。
- 工程xvにおけるアミンがプロピルアミンである請求項10記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物の製法。
- 工程xvにおける不活性雰囲気がN2雰囲気である請求項10記載のジフェニルジアセチレン液晶化合物の製法。
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