JP2004512251A5 - - Google Patents

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図１から図４に示す装置へ単結晶１を特定の結晶方位Ｋと送り方向Ｖとの間の特定の角度ρで挿入するために、図１２に示される調節装置が設けられる。調節装置は、ベースプレート５０と、ここから垂直に上方に延在する支持部５１とを有する。支持部５１に設けられるのはスライド５２であり、これはたとえば、図示されず固定具５３によって予め定められた高さに視認することができるレール上で垂直方向に上下に変位可能である。スライド５２は突起５４を有し、これはその下端縁５４ａが垂直平面との間に予め定められた角度γをなす角度の形状である。図１から図４に示す切断装置のうちの１つに単結晶を挿入するために、接続片５５に剛性を持って接続される単結晶１は、調節のために、たとえば黒鉛から作られる当て材５６に接着されるが、ここで用いられる接着剤は単結晶１がある期間にわたってその中央長手軸Ｍを中心として回転できるよう、予め定められた時間が経過してからのみ硬化する接着剤である。次いで単結晶１は接続片５５および当て材５６とともに調節装置に導入されるが、スライド５２は予めこの種の単結晶に対して必要である高さに固定されている。単結晶１を接続片５５および当て材５６とともに角度片５４の下に押圧することにより、単結晶１は、その平坦外面部分４が角度のついた突起５４の下側端縁５４ａに抗して静止する態様で、調節される。これを行なうことにより、突起５４の下側端縁５４ａが垂線に対して形成する角度γは、この特定の単結晶１に対するある好ましい角度ρが特定の結晶方位Ｋと垂線との間に設定されるよう選択される。単結晶１がしっかりと当て材５６に固定されると、これは切断のために装置内に挿入される。進行方向Ｖは、角度ρが規定されるよう、垂線と一致する。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10128630A1 (de) 2001-06-13 2003-01-02 Freiberger Compound Mat Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Orientierung einer kristallografischen Ebene relativ zu einer Kristalloberfläche sowie Vorrichtung und Verfahren zum Trennen eines Einkristalls in einer Trennmaschine
JP4525353B2 (ja) * 2005-01-07 2010-08-18 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物基板の製造方法
DE102005040343A1 (de) 2005-08-25 2007-03-01 Freiberger Compound Materials Gmbh Verfahren, Vorrichtung und Slurry zum Drahtsägen
EP1757419B1 (de) 2005-08-25 2012-10-17 Freiberger Compound Materials GmbH Verfahren, Vorrichtung und Slurry zum Drahtsägen
WO2009003008A1 (en) * 2007-06-25 2008-12-31 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Methods of crystallographically reorienting single crystal bodies
TW200948894A (en) * 2007-12-19 2009-12-01 Asahi Glass Co Ltd Ether composition
EP2313233A2 (en) * 2008-07-11 2011-04-27 Saint-Gobain Abrasives, Inc. Wire slicing system
CN101486231B (zh) * 2009-01-22 2011-12-07 四川大学 黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法
DE102010018570B4 (de) * 2010-04-28 2017-06-08 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben durch Bearbeiten eines Einkristalls
US8259901B1 (en) 2010-05-25 2012-09-04 Rubicon Technology, Inc. Intelligent machines and process for production of monocrystalline products with goniometer continual feedback
JP2012045682A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Tokuriki Honten Co Ltd 固定砥粒ワイヤーソー装置
CN102152410A (zh) * 2010-12-23 2011-08-17 万向硅峰电子股份有限公司 一种旋转单晶棒调整晶向偏移的切割方法
JP6011339B2 (ja) * 2011-06-02 2016-10-19 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板の製造方法
US10052848B2 (en) 2012-03-06 2018-08-21 Apple Inc. Sapphire laminates
US9154678B2 (en) 2013-12-11 2015-10-06 Apple Inc. Cover glass arrangement for an electronic device
JP6000235B2 (ja) 2013-12-24 2016-09-28 信越半導体株式会社 ワークの切断方法及びワーク保持治具
US10406634B2 (en) 2015-07-01 2019-09-10 Apple Inc. Enhancing strength in laser cutting of ceramic components
JP6613482B2 (ja) * 2015-09-03 2019-12-04 日本電波工業株式会社 水晶振動子
CN111638305B (zh) * 2020-06-08 2023-09-22 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 一种用于确定单晶材料最优加工方向的方法
CN112590032B (zh) * 2020-12-03 2022-12-02 天津市环智新能源技术有限公司 一种太阳能硅片及其粗糙度控制方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB628508A (en) 1947-05-06 1949-08-30 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to machines for cutting crystalline material
JPS56129114A (en) * 1980-03-17 1981-10-09 Tokyo Shibaura Electric Co Method of cutting monocrystal
JPH0761647B2 (ja) * 1985-06-11 1995-07-05 日立電線株式会社 半導体結晶インゴットのスライス方法
DE3640645A1 (de) 1986-11-28 1988-06-09 Wacker Chemitronic Verfahren zum zersaegen von kristallstaeben oder -bloecken vermittels innenlochsaege in duenne scheiben
JPH0635107B2 (ja) * 1987-12-26 1994-05-11 株式会社タカトリハイテック ワイヤソー
JP2655677B2 (ja) * 1988-04-26 1997-09-24 トーヨーエイテック株式会社 スライシングマシン
DE3826698A1 (de) * 1988-08-05 1990-02-08 Wacker Chemitronic Verfahren und vorrichtung zur kontrolle des schnittverlaufes beim abtrennen von scheiben von nichtmagnetisierbaren werkstuecken
US5131975A (en) * 1990-07-10 1992-07-21 The Regents Of The University Of California Controlled growth of semiconductor crystals
CH690845A5 (de) * 1994-05-19 2001-02-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Verfahren zum Positionieren eines Werkstücks und Vorrichtung hierfür.
CH690422A5 (fr) 1995-04-22 2000-09-15 Hct Shaping Systems Sa Dispositif pour l'orientation de monocristaux en vue d'une découpe dans un plan prédéterminé et selon une direction qui minimise la longueur de coupe.
EP0738572B1 (fr) * 1995-04-22 2004-01-21 HCT Shaping Systems SA Procédé pour l'orientation de monocristaux pour le découpage dans une machine de découpage et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procédé
JP2842307B2 (ja) * 1995-06-30 1999-01-06 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶の切断方法
JPH0985736A (ja) * 1995-09-22 1997-03-31 Toray Eng Co Ltd ワイヤ式切断装置
CH691045A5 (fr) * 1996-04-16 2001-04-12 Hct Shaping Systems Sa Procédé pour l'orientation de plusieurs pièces cristallines posées côte à côte sur un support de découpage en vue d'une découpe simultanée dans une machine de découpage et dispositif pour la
CH690907A5 (fr) * 1996-05-23 2001-02-28 Hct Shaping Systems Sa Dispositif de sciage par fil
CH692331A5 (de) 1996-06-04 2002-05-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd Drahtsäge und Schneidverfahren unter Einsatz derselben.
JPH1110510A (ja) * 1997-06-19 1999-01-19 Nippei Toyama Corp ワイヤソー装置及びワーク切削方法
US5878737A (en) * 1997-07-07 1999-03-09 Laser Technology West Limited Apparatus and method for slicing a workpiece utilizing a diamond impregnated wire
JP3205718B2 (ja) 1997-08-29 2001-09-04 株式会社スーパーシリコン研究所 ワイヤソー切断方法及び装置
JPH11235718A (ja) * 1998-02-20 1999-08-31 Hitachi Cable Ltd 半導体インゴットの切断方法
DE19825051A1 (de) * 1998-06-04 1999-12-09 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines zylinderförmigen Einkristalls und Verfahren zum Abtrennen von Halbleiterscheiben

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