JP2004511083A - 研磨パッド用ベースパッド - Google Patents
研磨パッド用ベースパッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004511083A JP2004511083A JP2002506890A JP2002506890A JP2004511083A JP 2004511083 A JP2004511083 A JP 2004511083A JP 2002506890 A JP2002506890 A JP 2002506890A JP 2002506890 A JP2002506890 A JP 2002506890A JP 2004511083 A JP2004511083 A JP 2004511083A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- pad
- base pad
- layer
- polishing fluid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D11/00—Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/22—Lapping pads for working plane surfaces characterised by a multi-layered structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D11/00—Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
- B24D11/02—Backings, e.g. foils, webs, mesh fabrics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
技術分野
本発明は、シリコン、二酸化ケイ素、金属、金属酸化物、誘電体(高分子誘電体を含む)、セラミックス、ガラスなどを含み、またそれらに限定されることがない各種の基材を有する半導体デバイス、メモリディスクなどの電子デバイスを研磨する研磨パッド用ベースパッドに関する。
【0002】
関連技術の解説
CMP(化学機械研磨又は化学機械平坦化)は、たとえばウェハの基材におけるトレンチ内に金属回路を埋め込んだシリコンウェハを研磨するため、研磨流体と組み合わせた研磨パッドによって行われる製造工程である。研磨パッドは既知の研磨装置のプラテン上に取り付けられる。ベースパッドは研磨パッドとプラテンとの間に位置決めされる。
【0003】
従来のべースパッドは高分子材料を含浸させた発泡シート又はフェルトから形成される。しかし、かかるベースパッドは研磨作業時に発生する力にさらされると可撓性になりすぎ、それが研磨される基材の凹部にパッドを沈み込ませ、その結果過度の研磨を引き起こすことになる。結果として、埋設した回路の表面は過度に研磨されることになり、ディシングとして知られる望まれていない凹みを生じさせる。さらに、かかるベースパッドは研磨流体を吸収し、研磨操作中に全方向に変形するように圧縮され、その結果パッドは可撓性になりすぎることになる。かかる異なる方向における圧縮の度合いは、ベースパッドは力を加えることによりその異なる方向に変形することが予測される。
【0004】
米国特許第5,212,910号は、軟質弾性材料、中間層としてのエポキシファイバーグラス組成物などの硬質材料、及び研磨表面としてスポンジ材料を有する複合研磨パッドを開示している。
【0005】
米国特許第5,257,478号は、研磨層と異なる静水圧係数を有する弾性層を有する研磨パッドを開示している。
【0006】
米国特許第5,871,392号は、プラテンと研磨パッドとの間に配置し、研磨パッドの平坦化された表面にわたって温度勾配を減少させるために、複数の熱伝導体を含有するアンダーパッドを開示している。
【0007】
米国特許第5,287,663号は、研磨層に隣接する剛性層を有する研磨パッドを開示している。剛性層は研磨層に制御された剛性を付与する。
【0008】
米国特許第5,899,745号は、最終のウェハプロフィール制御を行うための従来のCMPパッドの下に位置決めされ、パッドの中心部と外側部との間に異なる硬さの領域を有するアンダーパッドを開示している。
【0009】
発明の概要
本発明は、研磨中に高レベルの平坦性及び低い不均一性を提供する、ベースパッド及びベースパッドと研磨パッドとを組み合わせたものに関する。本発明のベースパッドは、縦長のポアを有する異方性構造の層を含む。最小の研磨流体吸収は縦長のポアによる吸収に限定され、これは吸収された研磨流体の横方向の移動を最小にし、それによって研磨中のパッド内の横方向の研磨流体のウイッキングを大幅に減少させ、これはベースパッド及び研磨パッドの圧縮性の変動を最小にする。さらに、異方性構造はマイクロポーラスであり、研磨流体を通過させず閉じ込められたガス雰囲気を通過できるポアを有し、それによって研磨流体を吸収したベースパッド内に閉じ込められる傾向があるガスを放出することができる。研磨パッドとの組み合わせによる本発明のベースパッドは、高度な平坦性及び低度なディシングによる不均一性を備えた半導体ウェハを研磨することができる。
【0010】
詳細な説明
図1は基材5に接着させるために位置決めされた研磨層4を有する研磨パッド1を開示する。psa(感圧接着剤)層6を基材5の裏面に接着させる。研磨パッド1をベースパッド2の表面層7と接触させてpsa層6を備えたベースパッド2上に位置決めする。ベースパッド2の表面層7は異方性構造を有し、フレキシブル基材8に接着される。ベースパッド2は、研磨プラテン3に取り付けられるように適合されたフレキシブル基材8に付着されたpsa層9を有する。
【0011】
異方性という用語は、ベースパッド2の表面層7がその材料及びその構造的な特徴によって、層7の本体内の一個所で全方向に同一ではない機械的性質を有することを意味すると解される。具体的には、ベースパッド2の表面層7のポア構造は、研磨流体を吸収するのに十分な大きさであり、研磨工程における層7内に吸収された研磨流体が横方向の移動を制限する縦長のポアを有し、それによって特定方向のパッドの圧縮性及び変形の両方の変動を排除する。さらなる実施形態によれば、ベースパッドはベースパッドの構造及び材料構成に組み込まれた小さなポアを有することを意味するマイクロポーラスであり、このマイクロポアは研磨流体に対し不浸透性となるのに十分なほど小さなサイズであり、それでいてガス雰囲気を通過することができ、研磨流体を吸収したベースパッドによって閉じ込められるガスを逃がすことができる。かかるマイクロポアの特徴はさらにベースパッドの異方性特性に貢献する。ガスを逃がすことによって、さらにベースパッド内に及び研磨流体を吸収したポア内に閉じ込められ、研磨操作中に加えられた力に応答して、全方向でベースパッドの望ましくない変形の一因となるガスが排除される。
【0012】
使用の際には、本発明のベースパッドと組み合わせた研磨パッドは、既知の研磨装置のフラットプラテンに取り付け、次いで研磨又は平坦化されている半導体ウェハ上の基材に対して装置の動作によって移動し、一方では研磨流体を研磨パッドと基材との界面に供給する。ベースパッドは縦長のポア内に研磨流体の一部を吸収する。ベースパッド及び研磨パッドは、プラテンと基材との間に圧縮されて、研磨流体を吸収したベースパッドが変形を受ける。研磨流体を縦長のポア内に制限することによって、研磨流体を層7内での横方向の移動により逃がすことができず、またベースパッドの変形を変化させるベースパッドに対する圧縮を緩めたり、その変化を引き起こすこともない。さらに、ベースパッドのマイクロポーラス構造は雰囲気空気などのガスの逃げを許し、縦長のポア内に吸収された研磨流体によるガスの変位を可能にし、層7からのガスの逃げを可能にし、これがさらに圧縮下にあるベースパッドの所望の異方性変形に貢献する。
【0013】
ベースパッド2の圧縮性は4〜8%の範囲である。かかる圧縮性は、押え直径5.2ミリメートル、及び感度限界0.00127ミリメートルのMitutoyo Digimatic Indicator Model 543−180によって測定され計算される。初期ベースパッド厚さは、合計荷量113+/−5グラムをベースパッドに加えて測定され、合計荷量1000+/−5グラムを最終ベースパッド厚さの測定に使用している。圧縮性は最終パッド厚さと初期パッド厚さとの差を初期パッド厚さで割算したものであり、パーセントで表示される。本発明による異方性ベースパッドの横方向におけるパッド圧縮性は、許容可能な低限界内であることが判明しており、異方性ベースパッドによって実質的に最小にされている。
【0014】
ベースパッド2のフレキシブル基材8は単層又は互いに結合された層の組み合わせを含む。フレキシブル基材8はロールから引き出すことができるか、又はロールに簡単に巻き込むことができるフレキシブル材料を含む実施形態である。工業用プラスティックのシートをフレキシブル基材として使用することができ、特に有用なものは、ポリアミド類、ポリイミド類、及び又はポリエステル、特にポリエチレンテレフタレート又は「PET」であり、PET、ポリアミド類又はポリイミド類などのポリエステル繊維の機械的に裁縫されたウエブである。
【0015】
一つの実施形態によるベースパッド2のフレキシブル基材8は100〜1,000ミクロンの厚さを有する。一つの実施形態によれば、フレキシブル基材8は約100〜500ミクロンの厚さを有し、さらに一つの実施形態では約100〜300ミクロンを含む。
【0016】
ベースパッド2のフレキシブル基材8に接着された異方性マイクロポーラス高分子材料7の層は、約100〜1000ミクロンの厚さを有し、さらに一つの実施形態では300〜800ミクロンを含み、表面組織は異なる縦長のポア及び/又はサイズ及び寸法の異なった微小ボイドを含む。この層を形成する方法を含む実施形態は、フレキシブル基材上に高分子を凝結するものであり、これは1966年11月8日付与のHulslanderらによる米国特許第3,284,274号及び1963年8月13日付与のHoldenによる米国特許第3,100,721号に基づくものであり、それらの特許は引用により本明細書に組み入れられている。Hulslander特許では、マイクロポーラスな側壁を有する縦長のポアを有する構造を含む実施形態が提供されている。それに代わる実施形態として、異方性マイクロポーラス層は、フレキシブル基材上にプリントされ、スプレーされ、注型され、あるいはコーティングされて、その後冷却又は硬化反応によって固化されている。
【0017】
ベースパッドの異方性マイクロポーラス構造を形成する高分子は、ポリウレタン又はポリ尿素である。ポリウレタンを含む一方の実施形態は、ポリエーテルウレタン、つまりアルキレンポリオールと、脂肪族、脂環族又は芳香族ジイソシアネート類の群から選ばれた有機ポリイソシアネートとの反応生成物である。ポリウレタンを含むもう他の実施形態は、ポリエステルウレタン、つまりヒドロキシ官能性ポリエステルと、脂肪族、脂環族又は芳香族ジイソシアネート類の群から選ばれた有機ポリイソシアネートとの反応生成物である。
【0018】
ポリイソシアネート類の実施例は、トルエンジイソシアネート及びジフェニルメタンジイソシアネートなどの芳香族ジイソシアネート類、又はメチレンジイソシアネートなどの脂肪族ジイソシアネート類である。ポリエーテルウレタンを含むとりわけ格別な一つの実施形態は、たとえばエチレングリコール、プロピレングリコール及びブタンジオールなどのポリオール類の混合物と、4,4ジフェニルメタンジイソシアネートなどの芳香族ジイソシアネートとの反応生成物である。ポリエステルウレタンを含む実施形態は、ジヒドロキシポリブチレンアジペートなどのポリエステルと、メチレンビス(4−フェニルイソシアネート)との反応生成物である。
【0019】
高分子層は、連鎖延長ポリウレタン類から作製することもできる。当業者に既知な各種の連鎖延長剤を使用することができる。重合反応に使用される代表的な連鎖延長剤は、ブタンジオールなどのポリオール類;エチレンジアミン、イソプロピルジアミン及びヒドラジンなどのポリアミン類であるが、それに限定するものではない。
【0020】
本発明のベースパッドを作製する工程を含む一つの実施形態は、フレキシブル基材を高分子材料、つまりポリウレタン又はポリ尿素のいずれかの溶液で600〜1200ミクロン範囲の湿式のコーティング厚さにコーティングする工程を含み、実施形態は700〜1,000ミクロンの厚さを含む。コーティングされた基材を、その後約10〜20%の量のDMF(ジメチルホルムアミド)などの少なくともいくつかの溶剤を含む水性浴に通し、ポリウレタン又はポリ尿素を凝結させて異方性マイクロポーラス構造とする。コーティングされた基材をその後乾燥させ、実施形態では約90〜120℃で約5〜20分間オーブン内に入れ、さらなる実施形態では8〜10分間入れて残留溶剤及び/又は水分を除去することを含む。異方性マイクロポーラス構造の表面層をその後バフ研磨し、高分子の薄層(「スキン」)を除去し、縦長のポア構造を有する多孔性基材を露出させる。得られたベースパッドをサイズにカットし、感圧接着剤(ゴム系接着剤)シートをパッドのバフ研磨していない側に塗布する。使用の際には、ゴム系接着シートのリリースライナーを取り外すことによってベースパッドを従来の研磨機の研磨プラテン上に取り付ける。その後、感圧接着剤(アクリル系)バッキング面を有するCMP研磨パッドをベースパッド上に位置決めし、得られたベースパッドと研磨パッドとのアセンブリ(スタック)を使って、研磨スラリー及び研磨技術により半導体などの電子デバイスを研磨する。
【0021】
通常、アクリル系接着剤を使って研磨パッドをベースパッドに接着する。アクリル系接着剤は両面接着シートとして商業的に入手できる。接着シートの各側はアクリル接着剤でコーティングされ、リリースライナーを有する。ベースパッドを研摩プラテンに接着させるため、除去可能なゴム系両面接着シートを使用する。ゴム系両面接着シートも商業的に入手できる。
【0022】
本発明のベースパッドと組み合わせてさまざまな従来の研磨パッドを使用することができる。これらのパッドは、通常バッキング層に接着された親水性材料を含む研磨層を有する。さらに、実施形態によれば、研磨層はさらに複数の軟質ドメイン及び硬質ドメインを含む。
【0023】
研磨層は、溝加工ができ、穿孔を有し、又はリッジなどを有することができ、それらは切削加工、型押加工、成形加工、シンターリング加工、及び/又はプレス加工によって形成することができる。代表的な研磨パッドは、Cookらによる米国特許第6,022,264号、Robertsらによる米国特許第6,022,268号、Robertsらによる米国特許第6,019,666号、Cookらによる米国特許第6,017,265号、Budingerらによる米国特許第5,900,164号、Robertsらによる米国特許第5,605,760号、Reinhardtらによる米国特許第5,578,362号、Cookらによる米国特許第5,489,233号、及びBudingerらによる米国特許第4,927,432号に開示されており、これらは引用によりそれぞれ本明細書に組み入れられている。
【0024】
研磨パッドと本発明のベースパッドとの組み合わせは、研磨流体を使用する実施形態である。研磨中、研磨流体を、研磨パッドの研磨表面と、研磨される又は平坦化される基材との間に配置する。パッドが研磨されている基材に対して移動するにつれて、研磨パッドの一実施形態にある表面の溝により界面(研磨パッドの研磨層の表面と研磨される基材との間)に沿う研磨流体の流れを改善することができる。研磨流体の流れの改善は、高い平坦性及び5%未満の低い不均一性を伴うより効率的な研磨性能を一般に与える。ウェハの不均一性(一部は表面の凹みによる)はできるだけ低くしなければならず、デバイスウェハに対する現行の工業規格では3%である。ウェハの不均一性は、一般の除去速度の標準偏差として定量化されており、ウェハ表面上のリング内の特定数の個所、たとえば中心で1個所、次ぎのリング以降で4個所などで測定する。除去速度は、研磨の前後にウェハ表面上の特定個所で測定されたウェハの目標層の厚さの差を研磨サイクル時間で割算したものである。
【0025】
研磨流体の実施形態は、CMP研磨によって除去される材料と反応する化合物の水性溶液を含み、研磨層の組成に応じて、砥粒の存在を必要とする又は必要としない。たとえば、砥粒を含む研磨層は研磨流体内に砥粒を必要としない。
【0026】
使用の際に、本発明のベースパッドと組み合わせる研磨パッドを、既知の研磨装置のフラットプラテンに取り付け、研磨される又は平坦化されるフラット基材に当てる。基材上の表面の凹凸は、基材表面に対するパッド圧力(又はその逆);パッド及び基材が互いに移動する速さ;研磨流体の成分;及び研磨パッドの物理的性質などの多くのパラメーターに依存する速度で除去される。1平方インチ当り25ポンド未満の均一な力が、通常研磨表面を研磨される基材の表面に対して平坦にするために加えられる。
【0027】
研磨パッドの研磨につれて、研磨パッドの研磨層の代表的な微細構造が磨耗除去及び塑性流動を受けることになり(微細凸部が平らにされるか、そうでないにせよ微細凸部が著しくなくなり)、それは研磨性能を減じることになる。そのため、微細凸部の実施形態では、たとえば研磨表面に対してパッドを再度移動し、材料にもう一度溝を形成させるなどのさらなるコンディショニングによって再生される。コンディショニング用の研磨表面を含む一実施形態では、ディスクの実施形態が0.001〜0.5ミリメートルの範囲のサイズのダイアモンドグリットで埋設された金属を含む。コンディショニングの間、コンディショニングするディスクと研磨パッドとの間の圧力の実施形態は1平方インチ当り0.1〜約25ポンドを含む。ディスクの回転速度の実施形態は、毎分1〜1000回転の範囲を含む。コンディショニングはコンディショニング用流体を存在させて行うことができ、実施形態は、砥粒を含む水性流体を含む。
【0028】
次の実施例は、本発明のベースパッドを詳細に説明する。すべての部及び百分率は他に断わりのないかぎり重量に基づく。
【0029】
実施例1
本発明によるベースパッドSP2100を調製し、TEOS(テトラエチロースシリケート)ウェハを研磨するため研磨実験において研磨パッドと組み合わせて使用した。研磨実験では、他の商業的に入手できるベースパッドSUBA IVと比較した場合、ベースパッドSP2100(本発明)は高い平坦性及び5%未満の低い不均一性を発揮することを示した。SUBA IVは、圧縮性7%の商業的に入手可能なウレタン含浸ポリエステルフェルトである。
【0030】
ベースパッドSP2100は、ポリウレタン溶液により接着促進層を予めコーティングした177.8μm厚さのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを押出しコーティングすることによって調製し、838.2μm厚さコーティング層をもたらした。DMF(ジメチルホルムアミド)中のポリエチレン溶液は、エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,4−ブタンジオール及び4,4−ジフェニルメタンジイソシアネートのポリウレタン、イエロー及びレッド着色剤、並びにポリスルホン酸溶液の界面活性剤を含んだ。
【0031】
コーティングされたフィルムを、10〜20%DMFを含む水/DMP浴に3回通してフィルムを凝結させた。コーティングされたフィルムを105℃で8〜10分間オーブンに通し、残留DMF及び水を除去した。乾燥後、コーティング厚さ571.5μmに達するまで、材料を2回バフ研磨した。得られた材料の圧縮性は4〜6%の範囲となった。
【0032】
Newark, DEのRodel Inc.,によって作製された成型化ポリウレタンパッドであるOXP3000研磨パッドと組み合わせて、ベースパッドSP2100及びSUBA IVを、ベースパッドとして使用して、同一の研磨条件並びに酸化物研磨のため設計されたヒュームドシリカ及び水酸化アンモニウムを含む水性研磨流体であるILD1300(8MJ−YE1A)研磨流体を使用して、TEOS(テトラエチロースシリケート)ウェハを研磨した。ベースパッドなしに、OXP3000研磨パッドのみにより制御研磨テストを行った。
【0033】
取り外し可能な両面ゴム系接着シートを備えた研磨機のプラテンにベースパッドを固着した。次いで、研磨パッドを両面永久アクリル接着シートでベースパッドに取り付けた。
【0034】
すべての研磨テストに、Strasbaugh 6DS−SP研磨機を使用した。すべてのテストは、研磨圧力7psi;背圧0.5psi;プラテン速さ51rpm;キャリア速さ41rpm;研磨流体流速150ml/分;及びテスト期間2分である同一条件下で行った。
【0035】
テストした各ベースパッドについて、さまざまなフィーチャーサイズ(mm単位)の平坦性指数を算出した。フィーチャーは、同一の深さ(たとえば0.00063mm)及び長さ(たとえば8mm)有するが、異なる幅(たとえば0.1〜8mm)を有するウェハ表面上のトレンチであった。平坦化効率の尺度である平坦性指数(PQ)は、トレンチ(Rdown)の中心における表面の材料除去に対するトレンチ(Rup)の上部における表面の材料除去の比である。図2は、PQ対トレンチ幅(又はフィーチャーサイズ)のプロットである。所望のPQ(つまり平坦化効率)、たとえば0.3については、図2の各々の特定のベースパッドの曲線に交差するよう水平線を引くことができ、平坦化距離(PD)として定義された対応するフィーチャーサイズを決定した。PDが長いほど、平坦化が向上することに直接対応する。図2からわかる通り、ベースパッドなしで高い平坦性が達成された。しかし、ベースパッドの使用又は不使用は、ウェハの平坦性に対してだけでなく、%NUとして報告されるウェハの不均一性に対しても影響を与える。前述の通り、ウェハの不均一性は、除去速度の標準偏差をパーセントとして表示したものである。半導体ウェハの研磨においては、高い平坦性及び低い不均一性が望ましい。ベースパッドがない場合、ウェハの不均一性は、研磨テスト時約5〜6%であることが観察された。ウェハの不均一性はSUBA IVをベースパッドとした場合7〜8%に上昇した。しかし、ウェハの不均一性は、本発明のベースパッドの場合3〜5%の範囲内に減少した。
【0036】
実施例2
ベースパッドSP2100及びSUBA IVによる研磨流体の吸収は、Kruss Tensiometerを使って測定した。各ベースパッドのサンプルをサンプルホルダーにILD−1300を備えた器具内の金属クーポンに取り付けた。ILD1300は、酸化物研磨用に設計されたヒュームドシリカ及び水酸化アンモニウムを含有する水性研磨流体(研磨流体)である。ベースパッドサンプルが取り付けられた金属クーポンを、サンプルホルダー内に6.5mmだけ浸漬した。その後研磨流体の吸収を単位時間あたりのベースパッドサンプルの重量変化として測定した。図3は、ベースパッドSP2100及びSuba IVについて、時間の関数としての研磨流体の吸収を示す。図示した通り、ベースパッドSP2100の研磨流体の吸収特性は、従来の商業的に入手できるベースパッドであるSUBA IVよりはるかに優れている。
【0037】
ここに開示する本発明の実施形態、その他の実施形態及び改良は、添付の特許請求の範囲の精神及び適用範囲によって包含されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【図1】
ベースパッド上に位置決めされ、結果として研磨プラテンに取り付けるため位置決めされた研磨パッドの断面の断片図である。
【図2】
ベースパッドの効用として基材の平坦性を開示するグラフである。
【図3】
ベースパッドの研磨流体の吸収対時間を開示するグラフである。
Claims (10)
- 研磨パッド下に配置するように適合され、さらに研磨流体を吸収するように適合されたベースパッドであって、
研磨流体を吸収し、層内での吸収研磨流体を横方向の変位から制限するための縦長のポアを有する異方性層を含み、この異方性層は、ベースパッドの圧縮性の変動を最小にすることを特徴とするベースパッド。 - ベースパッドが、4〜8%の範囲の圧縮性を有する、請求項1に記載のベースパッド。
- 吸収研磨流体に対し不浸透性であり、かつガスに対し浸透性であるマイクロポアで構成された層をさらに含む、請求項1に記載のベースパッド。
- 層が、4〜8%の範囲の圧縮性を有する、請求項3に記載のベースパッド。
- ポアが、吸収研磨流体に対し不浸透性であり、かつガスに対し浸透性であるマイクロポアの側壁を有する、請求項1に記載のベースパッド。
- 層が、4〜8%の範囲の圧縮性を有する、請求項5に記載のベースパッド。
- 吸収研磨流体を制限するための縦長のポアを有する層を含み、この層は、ベースパッドの圧縮性の変動を最小にするベースパッドを含む、ベースパッドと半導体ウェハを研磨する研磨パッドとの組み合わせ。
- 層が、4〜8%の範囲の圧縮性を有する、請求項7に記載のベースパッドと研磨パッドとの組み合わせ。
- 吸収研磨流体に対し不浸透性であり、かつガスに対し浸透性であるマイクロポアで構成された層をさらに含む、請求項8に記載のベースパッドと研磨パッドとの組み合わせ。
- 半導体ウェハを研磨する方法であって、
吸収した研磨流体を制限するための縦長のポアを有する層を含み、この層は、ベースパッドの圧縮性の変動を最小にするベースパッドを備えた研磨パッドを提供する工程と、
研磨パッド及び研磨流体で半導体ウェハを研磨する工程と、を含み、
ベースパッドが研磨流体の一部をポア内に吸収し、かつ吸収された研磨流体を横方向の変位からポア内に制限し、この層はベースパッドの圧縮性の変動を最小にする、
ことを特徴とする半導体ウェハを研磨する方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US21522900P | 2000-06-30 | 2000-06-30 | |
US60/215,229 | 2000-06-30 | ||
PCT/US2001/020890 WO2002002274A2 (en) | 2000-06-30 | 2001-06-29 | Base-pad for a polishing pad |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004511083A true JP2004511083A (ja) | 2004-04-08 |
JP4916638B2 JP4916638B2 (ja) | 2012-04-18 |
Family
ID=22802167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002506890A Expired - Lifetime JP4916638B2 (ja) | 2000-06-30 | 2001-06-29 | 研磨パッド用ベースパッド |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6623337B2 (ja) |
EP (1) | EP1294536B1 (ja) |
JP (1) | JP4916638B2 (ja) |
KR (1) | KR100767429B1 (ja) |
DE (1) | DE60110226T2 (ja) |
WO (1) | WO2002002274A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008246619A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 化学機械研磨装置の管理方法 |
JP2017537801A (ja) * | 2014-11-21 | 2017-12-21 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 化学機械研磨のためのコーティングされた圧縮サブパッド |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004506530A (ja) * | 2000-08-24 | 2004-03-04 | ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ | ポリマー巻き付け単層カーボンナノチューブ |
US7497767B2 (en) * | 2000-09-08 | 2009-03-03 | Applied Materials, Inc. | Vibration damping during chemical mechanical polishing |
US7255637B2 (en) | 2000-09-08 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Carrier head vibration damping |
US6676497B1 (en) * | 2000-09-08 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc. | Vibration damping in a chemical mechanical polishing system |
US6913517B2 (en) | 2002-05-23 | 2005-07-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Microporous polishing pads |
NZ519162A (en) * | 2002-08-27 | 2004-10-29 | Stephen Ross Hope | Abrasive holder |
WO2004028745A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-04-08 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad for planarization |
US7435165B2 (en) | 2002-10-28 | 2008-10-14 | Cabot Microelectronics Corporation | Transparent microporous materials for CMP |
US7267607B2 (en) | 2002-10-28 | 2007-09-11 | Cabot Microelectronics Corporation | Transparent microporous materials for CMP |
US7311862B2 (en) | 2002-10-28 | 2007-12-25 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for manufacturing microporous CMP materials having controlled pore size |
US6942549B2 (en) * | 2003-10-29 | 2005-09-13 | International Business Machines Corporation | Two-sided chemical mechanical polishing pad for semiconductor processing |
EP1715980B1 (en) | 2004-02-17 | 2011-05-18 | SKC Co., Ltd. | Base pad polishing pad and multi-layer pad comprising the same |
US7132033B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-11-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of forming a layered polishing pad |
US7086939B2 (en) * | 2004-03-19 | 2006-08-08 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Chemical mechanical polishing retaining ring with integral polymer backing |
US7485028B2 (en) | 2004-03-19 | 2009-02-03 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Chemical mechanical polishing retaining ring, apparatuses and methods incorporating same |
AU2005202973A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-02-02 | Stephen Arthur Dickins | Improvements in or Relating to Reinforced Means |
US8075372B2 (en) | 2004-09-01 | 2011-12-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad with microporous regions |
US7556555B2 (en) * | 2007-02-15 | 2009-07-07 | San Fang Chemical Industry Co., Ltd. | Polishing pad, use thereof and method for manufacturing the same |
US20080268227A1 (en) * | 2007-04-30 | 2008-10-30 | Chung-Chih Feng | Complex polishing pad and method for making the same |
US7815491B2 (en) * | 2007-05-29 | 2010-10-19 | San Feng Chemical Industry Co., Ltd. | Polishing pad, the use thereof and the method for manufacturing the same |
US8414669B2 (en) * | 2007-05-29 | 2013-04-09 | San Fang Chemical Industry Co., Ltd. | Polishing pad, the use thereof and the method for manufacturing the same |
US20130040543A1 (en) * | 2008-09-11 | 2013-02-14 | San Fang Chemical Industry Co., Ltd. | Polishing pad and method for making the same |
US8162728B2 (en) * | 2009-09-28 | 2012-04-24 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Dual-pore structure polishing pad |
TWI510328B (zh) * | 2010-05-03 | 2015-12-01 | Iv Technologies Co Ltd | 基底層、包括此基底層的研磨墊及研磨方法 |
US9156124B2 (en) | 2010-07-08 | 2015-10-13 | Nexplanar Corporation | Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate |
CN102452041B (zh) * | 2010-10-29 | 2014-07-23 | 三芳化学工业股份有限公司 | 吸附垫片及其制造方法 |
JP5844189B2 (ja) * | 2012-03-26 | 2016-01-13 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及び研磨パッドの製造方法 |
US10022842B2 (en) | 2012-04-02 | 2018-07-17 | Thomas West, Inc. | Method and systems to control optical transmissivity of a polish pad material |
SG10201608125WA (en) * | 2012-04-02 | 2016-11-29 | Thomas West Inc | Methods and systems for centrifugal casting of polymer polish pads and polishing pads made by the methods |
US10722997B2 (en) | 2012-04-02 | 2020-07-28 | Thomas West, Inc. | Multilayer polishing pads made by the methods for centrifugal casting of polymer polish pads |
KR102394677B1 (ko) * | 2014-05-21 | 2022-05-09 | 후지보 홀딩스 가부시키가이샤 | 연마 패드 및 그의 제조 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07283177A (ja) * | 1994-02-21 | 1995-10-27 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JPH09267256A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Nippon Steel Corp | 基板研磨方法及びその装置 |
JPH11320387A (ja) * | 1998-05-07 | 1999-11-24 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 研磨パッドの貼着方法 |
JP2001513452A (ja) * | 1997-08-06 | 2001-09-04 | ローデル ホールディングス インコーポレイテッド | 連続的に変化し得る平坦化及び研磨パッドシステム |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3100721A (en) | 1961-02-21 | 1963-08-13 | Du Pont | Process for producing microporous films and coatings |
NL296361A (ja) | 1962-08-13 | 1900-01-01 | ||
US4263755A (en) * | 1979-10-12 | 1981-04-28 | Jack Globus | Abrasive product |
US4927432A (en) | 1986-03-25 | 1990-05-22 | Rodel, Inc. | Pad material for grinding, lapping and polishing |
US4841680A (en) * | 1987-08-25 | 1989-06-27 | Rodel, Inc. | Inverted cell pad material for grinding, lapping, shaping and polishing |
US5396737B1 (en) * | 1989-01-18 | 1997-12-23 | Minnesota Mining & Mfg | Compound glazing or polishing pad |
JPH02250776A (ja) * | 1989-03-21 | 1990-10-08 | Rodeele Nitta Kk | 半導体ウェハー研磨用クロスの製造方法 |
US5257478A (en) | 1990-03-22 | 1993-11-02 | Rodel, Inc. | Apparatus for interlayer planarization of semiconductor material |
US5212910A (en) * | 1991-07-09 | 1993-05-25 | Intel Corporation | Composite polishing pad for semiconductor process |
US5287663A (en) * | 1992-01-21 | 1994-02-22 | National Semiconductor Corporation | Polishing pad and method for polishing semiconductor wafers |
US6022264A (en) | 1997-02-10 | 2000-02-08 | Rodel Inc. | Polishing pad and methods relating thereto |
MY114512A (en) | 1992-08-19 | 2002-11-30 | Rodel Inc | Polymeric substrate with polymeric microelements |
US5489233A (en) | 1994-04-08 | 1996-02-06 | Rodel, Inc. | Polishing pads and methods for their use |
US6017265A (en) | 1995-06-07 | 2000-01-25 | Rodel, Inc. | Methods for using polishing pads |
JP3329644B2 (ja) | 1995-07-21 | 2002-09-30 | 株式会社東芝 | 研磨パッド、研磨装置及び研磨方法 |
US5605760A (en) | 1995-08-21 | 1997-02-25 | Rodel, Inc. | Polishing pads |
US5899799A (en) | 1996-01-19 | 1999-05-04 | Micron Display Technology, Inc. | Method and system to increase delivery of slurry to the surface of large substrates during polishing operations |
US5871392A (en) * | 1996-06-13 | 1999-02-16 | Micron Technology, Inc. | Under-pad for chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
US5795218A (en) * | 1996-09-30 | 1998-08-18 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with elongated microcolumns |
JP2738392B1 (ja) | 1996-11-05 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の研磨装置及び研磨方法 |
JPH10156705A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 研磨装置および研磨方法 |
US5916011A (en) * | 1996-12-26 | 1999-06-29 | Motorola, Inc. | Process for polishing a semiconductor device substrate |
US6022268A (en) | 1998-04-03 | 2000-02-08 | Rodel Holdings Inc. | Polishing pads and methods relating thereto |
JP4151799B2 (ja) | 1997-05-09 | 2008-09-17 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド | モザイク研磨パッド及びこれに関連する方法 |
US5899745A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Motorola, Inc. | Method of chemical mechanical polishing (CMP) using an underpad with different compression regions and polishing pad therefor |
JPH11156699A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-15 | Speedfam Co Ltd | 平面研磨用パッド |
US6135865A (en) * | 1998-08-31 | 2000-10-24 | International Business Machines Corporation | CMP apparatus with built-in slurry distribution and removal |
US6241585B1 (en) * | 1999-06-25 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for chemical mechanical polishing |
US6371833B1 (en) * | 1999-09-13 | 2002-04-16 | Infineon Technologies Ag | Backing film for chemical mechanical planarization (CMP) of a semiconductor wafer |
US6390891B1 (en) * | 2000-04-26 | 2002-05-21 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for improved stability chemical mechanical polishing |
US6267659B1 (en) * | 2000-05-04 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Stacked polish pad |
-
2001
- 2001-06-29 JP JP2002506890A patent/JP4916638B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-29 KR KR1020027017864A patent/KR100767429B1/ko active IP Right Grant
- 2001-06-29 DE DE60110226T patent/DE60110226T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-29 WO PCT/US2001/020890 patent/WO2002002274A2/en active IP Right Grant
- 2001-06-29 EP EP01950736A patent/EP1294536B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-29 US US09/896,588 patent/US6623337B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07283177A (ja) * | 1994-02-21 | 1995-10-27 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JPH09267256A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Nippon Steel Corp | 基板研磨方法及びその装置 |
JP2001513452A (ja) * | 1997-08-06 | 2001-09-04 | ローデル ホールディングス インコーポレイテッド | 連続的に変化し得る平坦化及び研磨パッドシステム |
JPH11320387A (ja) * | 1998-05-07 | 1999-11-24 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 研磨パッドの貼着方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008246619A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 化学機械研磨装置の管理方法 |
JP2017537801A (ja) * | 2014-11-21 | 2017-12-21 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 化学機械研磨のためのコーティングされた圧縮サブパッド |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100767429B1 (ko) | 2007-10-17 |
DE60110226T2 (de) | 2006-03-09 |
US6623337B2 (en) | 2003-09-23 |
WO2002002274A2 (en) | 2002-01-10 |
EP1294536B1 (en) | 2005-04-20 |
KR20030022165A (ko) | 2003-03-15 |
WO2002002274A3 (en) | 2002-04-11 |
JP4916638B2 (ja) | 2012-04-18 |
DE60110226D1 (de) | 2005-05-25 |
EP1294536A2 (en) | 2003-03-26 |
US20020081946A1 (en) | 2002-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4916638B2 (ja) | 研磨パッド用ベースパッド | |
EP0921906B1 (en) | Abrasive construction for semiconductor wafer modification | |
US6126532A (en) | Polishing pads for a semiconductor substrate | |
US6117000A (en) | Polishing pad for a semiconductor substrate | |
TWI316887B (en) | Materials and methods for chemical-mechanical planarization | |
KR101455218B1 (ko) | 연마 패드 | |
KR101018942B1 (ko) | 화학 기계적 평탄화 적용을 위한 패드 구조물 | |
EP1118432A2 (en) | Substrate polishing pad | |
IL200099A (en) | A pad for flashing and a method for making it | |
JP2008229843A (ja) | 平坦化するための窓を有する研磨パッド | |
JP7260698B2 (ja) | ケミカルメカニカル研磨パッド | |
JP4233319B2 (ja) | 研磨パッドの製造方法及び研磨パッド | |
JP2005538571A5 (ja) | ||
WO2008008593A1 (en) | Polishing pad with window for planarization | |
WO2012077592A1 (ja) | 化学機械研磨パッドおよびそれを用いた化学機械研磨方法 | |
EP1651387A1 (en) | Polishing pad having edge surface treatment | |
US6607428B2 (en) | Material for use in carrier and polishing pads | |
US6623341B2 (en) | Substrate polishing apparatus | |
TW201032955A (en) | Polishing pads for chemical mechanical planarization and/or other polishing methods | |
WO2001074535A9 (en) | Fixed abrasive linear polishing belt and system using the same | |
JP4356056B2 (ja) | 樹脂含浸体および研磨パッドおよびその研磨パッドを用いた研磨装置と研磨方法 | |
KR20210119897A (ko) | 엔지니어링된 개방 보이드 공간을 갖는 돌출 구조물이 있는 cmp 폴리싱 패드 | |
JP5033356B2 (ja) | 研磨パッド | |
KR20210119896A (ko) | 지지체 상에 폴리싱 요소를 갖는 cmp 폴리싱 패드 | |
JP2020157431A (ja) | 研磨パッド、研磨パッドの製造方法、光学材料又は半導体材料の表面を研磨する方法、及び研磨パッドの評価方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110419 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110715 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110725 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120110 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120125 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150203 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4916638 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |