JP2004509436A - イオン注入用のファラデーシステム - Google Patents
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Abstract
イオン注入器またはイオンビーム処理システムにおいて,イオンビーム電流を測定するファラデーシステムは,イオンビームを受け入れる入口開口をもつチェンバーを画成するファラデーカップ体,チェンバーからの電子の逃げを防止するための電場を発生させるための,入口開口の近傍に位置する抑制電極,およびチェンバーからの電子の逃げを防止するための磁場を発生させるために配置された磁石組立体を含む。チェンバーの奥行きの,入口開口の幅に対する比は比較的小さい。
Description
【0001】
関連出願
本出は,ここで参考文献として組み込まれる,2000年9月15日付け米国仮出願第60/233,007号に関連する。
【0002】
発明の分野
本発明は,半導体ウエハのようなワークピースのイオン注入用のシステムに関し,特に,イオン注入システム,その他イオンビーム処理システムでのイオン電流を測定するファラデーシステムに関する。
【0003】
発明の背景
イオン注入は,半導体ウエアに電気伝導性を変える不純物を導入する標準的な技術である。所望の不純物がイオン源でイオン化され,イオンは所期のエネルギーをもつイオンビームを形成するために加速され,イオンビームはウエハの表面に向けられる。イオンビーム中のエネルギーをもつイオンは半導体材料のバルク内に侵入し,半導体材料の結晶格子内に埋め込まれ,所望の伝導性の領域を形成する。
【0004】
イオン注入システムは通常,ガスまたは固体物質を,よく画成されたイオンビームに変換するためのイオン源を含む。イオンビームは不所望のイオン種を除去するために質量分析され,所望のエネルギーに加速され,ターゲット面に向けられる。ビームの走査,ターゲットの移動により,またはビームの走査とターゲットの移動の組み合わせにより,ビームをターゲット領域にわたって分布させる。
【0005】
イオン注入システムの動作において,通常,半導体ウエハに注入された蓄積イオン,およびウエハの表面領域にわたってドーズ量の一様性を測定することが必要である。典型的に,イオン注入はイオン種,イオンエネルギーおよびイオンドーズ量に関して特定される。イオンソースが典型的に,正確で,一定のイオンビーム電流を与えないことから,イオンドーズ量の測定は,イオン注入中,少なくともときどきは必要となる。半導体製造プロセスは典型的に,1%以内のドーズ量の精度を要求する。
【0006】
蓄積したイオンドーズ量は典型的に,ターゲットウエハの近傍に配置された,ファラデーカップ,すなわちドーズ量測定カップを使用して測定されている。たとえば,ファラデーカップを半導体ウエハに隣接して配置してもよく,イオンビームをイオン注入の間,ときどきファラデーカップに向けてもよい。ファラデーカップはイオンビームを受け入れるための入口開口をもつ電気伝導性カップである。イオンビームはファラデーカップ内で,イオンビーム電流を示す電流を生成する。その電流は,電気的ドーズ量プロセッサ(これは,蓄積イオンドーズ量を決定するために,時間に関して電流を集積する。)に与えられる。ドーズ量プロセッサは,イオン注入器を制御するために使用されるフィードバックループの一部となってもよい。たとえば,イオン注入は,所定のドーズ量に達したとき終了する。イオン注入器におけるドーズ量およびドーズ量の一様性を測定するための,ファラデーカップの使用は,たとえば,Berrian等の,1990年5月1日に発行した米国特許第4,922,106号,およびBerrian等の1990年12月25日に発行した米国特許第4,980,562号に記述されている。
【0007】
イオンビーム中の,エネルギーをもったイオンがファラデーカップに入り,ファラデーカップ内の表面に衝突すると,多くの物理的なプロセスが生じる。これらプロセスは,イオン散乱,二次粒子の放出(電子,イオン,中性粒子,光子),表面散乱,三次電子(カップ体の壁に衝突する二次粒子により生じる)の発生を含む。二次および三次電子の一部が,入口開口を通って,ファラデーカップから逃げることがある。ファラデーカップからの電子の逃げは測定エラーとなる。
【0008】
ファラデーシステムからの電子の逃げを防止する一つのアプローチは,ファラデーカップの入口に静電抑制電極を配置して,使用することである。静電抑制電極を負に帯電することにより,電子がファラデーカップより逃げることを防止できる。静電抑制電極をもつファラデーケージが,Forneris等による,1979年1月16日に発行された米国特許第4,135,097号に開示されている。この米国特許第4,135,097号は,一対の磁石が電子抑制のために使用される他の構成を開示する。磁気的に抑制するファラデーシステムは,Mack等による,1998年5月26日に発行された第5,757,018号に開示されている。電子の逃げを防止する従来技術の他のアプローチでは,ファラデーカップの奥行きは,その入口開口の幅と比較して大きく作られ,その結果ファラデーカップの底で発生した電子は,入口開口を通して逃げる確率を比較的小さくする。
【0009】
イオン注入は典型的に広範囲なエネルギー範囲にわたって動作することが要求される。特に,イオン注入器では,浅い接合および非常に浅い接合のためのプロセス条件のため,低いエネルギーで動作するようにとの要求が強まっている。低エネルギーでは,イオンビームの直径は,周知の空間電荷効果のために,顕著に大きくなる。低エネルギーで,ドーズ量を正確に測定するため,大きな入口開口をもつファラデーカップがしたがって,必要となっている。イオン注入器での空間条件がファラデーカップの奥行きの対応した増加を妨げることから,ファラデーカップはカップの奥行きと比較して,比較的大きな入口開口をもつことになる。このことは二次電子の逃げの問題を悪化させ,測定の精度の悪化をもたらす。
【0010】
したがって,イオンビーム電流(特に低いエネルギー)を測定する改良された方法および装置の必要性がある。
【0011】
要約
本発明の態様にしたがって,ファラデーシステムが,イオンビーム処理システムにおいて使用される。そのファラデーシステムは,イオンビームを受け入れるための入口開口をもつチェンバーを画成するファラデーカップ体,チェンバーからの電子の逃げを防止するための電場を形成するために,入口開口の近傍に配置される抑制電極,およびチェンバーからの電子の逃げを防止するための磁場を形成するために配置される磁石組立体を含む。
【0012】
一実施例において,チェンバー奥行きの,入口開口の幅に対する比は,2.0よりも小さい。他の実施例において,チェンバーの奥行きの,入口開口の幅に対する比は,1.0よりも小さい。
【0013】
磁石組立体は,ファラデーカップ体の両側に配置される第一および第二の磁石を含むことができる。
【0014】
抑制電極は入口開口のまわりに配置される抑制リングを含むことができる。抑制リングは入口開口よりも大きな幅をもつ開口をもつことができる。抑制リングは,抑制リングの開口にむかって傾斜してもよい。ファラデーシステムは,抑制リングを,ファラデーカップ体に対して抑制電圧でバイアスするための抑制電源をさらに有してもよい。
【0015】
他の実施例において,ファラデーカップ体の内面の全部または一部が,比較的低い電子放出となる材料でコートされる。一例において,ファラデーカップ体の内面はカーボンコートされている。他の実施例において,ファラデーカップ体はグラファイトから作られる。
【0016】
他の実施例において,ファラデーカップ体は,入口開口に向いた格子状孔を含む。格子状孔は,入口開口の反対側で,ファラデーカップの底に位置してもよい。
【0017】
詳細な説明
本発明にしたがったファラデーシステムを組み込むイオン注入器の,単純化した略示図が図1に示されている。イオンビーム発生器10がイオンビーム12を,ワークピース,典型的には半導体ウエハ14に向けられる。ウエハ14はエンドステーション(図示せず)のプラテン22(イオン注入のために,ウエハをシステムにロードし,イオン注入に続いて,ウエハをシステムにアンロードするためのウエハ取り扱い装置を含むことができる)に取り付けられる。
【0018】
イオンビーム発生器10は典型的にイオン源(よく画成されたイオンビームを形成するための電極,イオンビームから不所望の種を除去する質量分析装置,およびイオンビーム中のイオンを所望のエネルギーに加速するための加速器を含む)を含む。イオンビーム発生器10は,イオンビームの焦点を合わせるためのイオン光学要素,および一つ以上の方向にビームを走査するビーム走査器を含んでもよい。
【0019】
種々の異なるイオン注入器の構成が当業者には知られている。ウエハ14は適切なウエハ支持デバイス上に取り付けることができる。イオンビーム12はビームの走査により,ウエア14の機械的な移動により,またはビーム走査とウエハの移動の組み合わせにより,ウエハ表面全体にわたって分布され得る。イオン原とウエハ14との間の全領域はイオン注入の動作中排気される。
【0020】
ファラデーシステム20がビーム12の電流を測定するために使用される。図1の例では,ファラデーシステム20はイオンビーム電流の測定のために,イオン注入の前またはその後で,イオンビーム12の経路へと移動する。ファラデーシステム20は固定されても,また移動可能でもよい。ファラデーシステムは,走査されたイオンビームまたはリボン状イオンビームの一様性を測定する,連続してまたは次第に移動させてもよい。他の実施例において,ファラデーシステムは,イオンビーム電流を測定するために,走査されないイオンビームの経路へと移動する。さらに他の例では,イオンビーム12が半導体ウエハ14のイオン注入の間に,ときどきファラデーシステム20へ偏向させる。
【0021】
ファラデーシステム20はイオンビーム12を受け入れるために,チェンバー32を画成するファラデーカップ体30を含む。ファラデーカップ体30は電気伝導性をもち,端部壁30a,側壁30bおよび開放壁30cを含む。一例として,ファラデーカップ体30はアルミニウムから作られ,ほぼ矩形の形状をもつ。ファラデーシステム20はさらに,ファラデーカップ体30を覆うハウジング40を含んでもよい。ハウジング40はチェンバー32の入口開口44を画成する開口をもつ正面プレート42を含んでもよい。他の実施例において,入口開口はファラデーカップ体30により画成される。ファラデーシステム20は,入口開口44の近傍に配置される抑制電極50,およびチェンバー32からの電子の逃げを防止するために,チェンバー32に磁場を形成する磁石組立体54を,さらに含んでもよい。
【0022】
ファラデーカップ体30はドーズ量プロセッサ70に接続されてもよい。ドーズ量プロセッサ70は,ファラデーシステム20から,入口開口44を通過して受け取るイオンビーム電流を示す電流を受け入れる。従来より知られているように,ドーズ量プロセッサ70は,半導体ウエハ14に注入された全イオンドーズ量を決定するために,時間に関して電流を積分する。ドーズ量プロセッサ70はイオンビーム発生器10を制御するために使用することができる。一例として,走査波形は所望のドーズ量の一様性を達成するために調整することができる。他の例として,ウエハ14のイオン注入は,所定のイオンドーズ量に達したとき,終了する。一例として,ドーズ量プロセッサ70は,注入されたウエハのドーズ量およびドーズ量の一様性を制御するために,プログラムされた汎用性コンピュータのように動作する。他の実施例においては,ドーズ量プロセッサ70は,ドーズ量測定および制御のために,部分的に,または全面的に機能を果たす特定の目的の制御器または局所制御器であってもよい。
【0023】
上記のように,ファラデーカップ体30はドーズ量プロセッサに電気的に接続されているが,カップ体30を所望の電位にバイアスするファラデーバイアス源72に接続されてもよい。ハウジング40は好適に,ゼロ電位のような基準電位に接続され,ファラデーカップ体30から電気的絶縁されている。抑制電位50はバイアス電圧を抑制電極50に与えるために,抑制電源74に接続されてもよい。典型的に,抑制電極50はファラデーカップ体30に関して負にバイアスされる。抑制電極50はファラデーカップ体3およびハウジング40から電気的に絶縁されている。
【0024】
上記のように,イオン注入器は典型的に,いろいろに異なるイオン種,イオンエネルギーおよびイオン電流で動作することが要求される。イオン注入器は,たとえば,10keVから3MeVのような広範囲のエネルギーにわたって動作することが要求される。この範囲の動作条件にわたって,イオンビームの断面寸法は広く変化する。特に,低エネルギーでは,イオンビームは比較的大きな断面寸法をもつことができる。その範囲の動作条件にわたって,イオンビーム電流の正確な測定のために,イオンビームのすべてまたはほとんどは,ファラデーシステム20により遮られなければならない。したがって,チェンバー32に入口開口44の幅Wは最も大きいと予想されるイオンビームを十分に通過させることができなければならない。一例として,10keVから2MeVの範囲にわたるエネルギーをもつイオンビームを受け入れるためには,2.010インチ×2.385インチ(5.105cm×6.058cm)の寸法をもつ。イオンビームの一部がファラデーシステム20により遮られないと,測定されたビーム電流は,ウエハに至った正確な電流よりも小さくなり,ウエハには過剰なドーズ量となる。
【0025】
エネルギーをもったイオンがファラデーカップ体30に入り,ファラデーカップ体30内の表面に衝突すると,二次電子が発生する。二次電子はファラデーカップ体30内の表面に衝突し,三次電子を発生させる。ファラデーカップ体30からの,二次および三次電子の逃げにより,測定にエラーが生じる。ファラデーシステム20からの電子の逃げ易さは,ある程度,入口開口44の幅の,チェンバー32の奥行きに対する比に依存する。特に,電子が入口開口を通過するよりも側壁に入射することから,電子はファラデーカップの比較的奥から逃げるということはそれほどでもない。逆に,ファラデーカップからの電子の逃げは,比較的浅いチェンバーの場合に比較的容易となる。この問題を緩和するために,チェンバーの奥行きの,入口開口の幅の比が大きくなるようにファラデーカップを構成することが知られている。残念ながら,多くのイオン注入器には空間が非常に限定されている。したがって,入口開口の幅がより大きなイオンビームを収容できるように広くなるにつれて,ファラデーカップの奥行きを対応して増加させることは実際上できない。一例として,入口開口44は2.010インチ×2.385インチ(5.105cm×6.058cm)で,チェンバー32の奥行きDは2.373インチ(6.027cm)である。比較的大きな直径のイオンビームの測定の条件,およびイオン注入器における限定された空間から,チェンバーの奥行きの,入口開口の幅に対する比は2.0以下に決定され,多くの場合はチェンバーの奥行きの,入口開口の幅に対する比は1.0以下に決定される。
【0026】
比較的小さなチェンバーの奥行きの,入口開口の幅に対する比をもつファラデーカップから,二次および三次電子が逃げることを防止するために,抑制電極50および磁石組立体54を利用することができる。抑制電極50は入口開口44の近傍に配置され,チェンバー32からの電子の逃げを防止するために,電場を形成する。磁石組立体54はチェンバー32からの電子の逃げを防止するためにチェンバー32内に磁場を形成する。
【0027】
一実施例において,抑制電極50は入口開口44より僅かに大きな開口52をもち,その開口52の縁へとテーパーが付けられたリングとして形成される。抑制電極50はチェンバー32からの電子の逃げを防止するための電場を生成するように形状付けられる。抑制電極50は二次および三次電極による衝突に対し小さな領域を形成する形状をもち,これにより抑制電極50からの,さらなる電子の発生が制限される。好適に,抑制電極50は,抑制電源74により,約−200ボルトから−1000ボルトの範囲の電圧でバイアスされる。
【0028】
図1の実施例において,磁石組立体54はハウジング40の両側に取り付けられた第一の磁石56および第二の磁石58を含む。磁石組立体54は好適に,第一の磁石56および第二の磁石58の反対の極がチェンバー32に面するように,構成されている。磁石56および58により形成される磁場はさらに,チェンバー32からの二次および三次電子の逃げを防止する。好適な実施例において,磁石56および58は500ガウスより大きなオーダの磁場を形成する。磁石組立体54の異なる構成も本発明において利用できることは理解されよう。磁場の強度および磁石組立体54の位置は二次および三次電子の抑制の程度に依存する。
【0029】
ファラデーシステム20の実施の例が図3A−図3Eに示されている。図1と図3A−図3Bについて同様の要素には同じ符号が付されている。磁石56および58はそれぞれ,カバー112および114により覆われている。取り付けブラケット120により,ファラデーシステム20がイオン注入器の構造に取り付けられている。図3Eに示されているように,正面プレート42の入口開口44の縁は内側に傾斜し,抑制電極50の開口52の縁も内側に傾斜している。
【0030】
特定の例では,ファラデーカップ体30は,幅が2.090インチ(5.3081cm),長さが2.465インチ(6.261cm),奥行きが1.610インチ(4.089cm)である。入口開口は幅が2.010インチ(5.105cm),長さが2.385インチ(6.068cm)である。抑制電極50は傾斜した縁をもち,ファラデーカップ体30に対して−500ボルトのバイアスがかけられている。抑止電極50の開口は,幅が2.090インチ(5.308cm),花長さが2.465インチ(6.2614cm)である。磁石56および58は永久磁石で,ハウジング40の両側に設けられている。これらのパラメータは例示であり,本発明の範囲を制限するものではない。
【0031】
本発明の他の態様にしたがい,入口開口44を通る電子の逃げはファラデーカップ体30の一つ以上の内面に複数の穴をもつことで,防止できる。図2に示されているように,ファラデーカップ体30の端部壁30aが入口開口44に向いた,複数の穴80を有する。穴80は二次電子の逃げを防止する幅および奥行きをもつ。特に,穴80の端部で生じた二次電子が穴80から逃げる確率は,平坦な面からの二次電子の放出と比較して,減少する。穴80の寸法は,二次電子放出を抑制するように選択される。穴80は丸状も,正方形でも,長方形でも,伸長した形などでもよい。穴は二次元配列,すなわち格子状となった,規則正しいパターンに配置されてもよく,またランダムになってもよい。一実施例において,穴80は,幅が0.25インチ(0.64cm),奥行きが0.25インチ(0.64cm)である。他の実施例において,上記の寸法をもつ穴,または開口部をもつ格子がファラデーカップ体30の端部壁30aに取り付けられている。格子の穴はたとえば,1mm間隔となっている。
【0032】
本発明の他の態様にしたがい,入口開口44を通る電子の逃げは二次および三次電子の発生を抑制することにより防止することができる。特に,ファラデーカップ体30の内面の全部または一部が比較的二次電子の放出が低い材料でコートされる。たとえば,ファラデーカップ体30の端部壁30aはグラファイトとなったカーボンでコートされてもよい。二次電子の放出が比較的低い他の適当な材料には,限定的ではないが,窒化ホウ素がある。他のアプローチでは,ファラデーカップ体30は二次電子放出が比較的低い材料で作られる。たとえば,ファラデーカップ体30はグラファイト製であってもよい。
【0033】
入口開口44を通る電子の逃げを防止する数々の技術を説明してきた。これら技術はファラデーカップの形成要因および必要な測定精度に依存して,個別にまたは組み合わせて使用することができる。好適な実施例において,抑制電極50および磁石組立体54はイオンのエネルギー範囲にわたって良好な測定精度を達成するために一緒に利用される。
【0034】
本発明のファラデーシステムはイオン注入器での使用に限定されない。一般に,ファラデーシステムはイオンビーム電流を測定するために,イオンビーム処理システムにおいても使用することができる。
【0035】
発明の詳細な説明および図面に示めされた好適実施例の変更,修正は,本発明の思想および範囲内でなしうることは分かるであろう,したがって,ここで説明され,図示されたことがらは限定的なものではない。本発明は特許請求の範囲およびこの均等物において画成され,制限される。
【図面の簡単な説明】
【図1】
図1は,本発明の実施例にしたがった,ファラデーシステムを組み込んだイオン注入器の略示ブロック図である。
【図2】
図2は,本発明の他の実施例にしたがった,ファラデーカップの端部壁の部分断面図である。
【図3】
図3Aは,本発明の実施例にしたがった,ファラデーシステムの正面図である。
図3Bは,図3Aの線3B−3Bにそった,ファラデーシステムの断面図である。
図3Cは,図3Aに線3C−3Cにそった,ファラデーシステムの断面図である。
図3Dは,図3Aに線3D−3Dにそった,ファラデーシステムの断面図である。
図3Eは,入口開口および抑制電極の拡大断面図である。
関連出願
本出は,ここで参考文献として組み込まれる,2000年9月15日付け米国仮出願第60/233,007号に関連する。
【0002】
発明の分野
本発明は,半導体ウエハのようなワークピースのイオン注入用のシステムに関し,特に,イオン注入システム,その他イオンビーム処理システムでのイオン電流を測定するファラデーシステムに関する。
【0003】
発明の背景
イオン注入は,半導体ウエアに電気伝導性を変える不純物を導入する標準的な技術である。所望の不純物がイオン源でイオン化され,イオンは所期のエネルギーをもつイオンビームを形成するために加速され,イオンビームはウエハの表面に向けられる。イオンビーム中のエネルギーをもつイオンは半導体材料のバルク内に侵入し,半導体材料の結晶格子内に埋め込まれ,所望の伝導性の領域を形成する。
【0004】
イオン注入システムは通常,ガスまたは固体物質を,よく画成されたイオンビームに変換するためのイオン源を含む。イオンビームは不所望のイオン種を除去するために質量分析され,所望のエネルギーに加速され,ターゲット面に向けられる。ビームの走査,ターゲットの移動により,またはビームの走査とターゲットの移動の組み合わせにより,ビームをターゲット領域にわたって分布させる。
【0005】
イオン注入システムの動作において,通常,半導体ウエハに注入された蓄積イオン,およびウエハの表面領域にわたってドーズ量の一様性を測定することが必要である。典型的に,イオン注入はイオン種,イオンエネルギーおよびイオンドーズ量に関して特定される。イオンソースが典型的に,正確で,一定のイオンビーム電流を与えないことから,イオンドーズ量の測定は,イオン注入中,少なくともときどきは必要となる。半導体製造プロセスは典型的に,1%以内のドーズ量の精度を要求する。
【0006】
蓄積したイオンドーズ量は典型的に,ターゲットウエハの近傍に配置された,ファラデーカップ,すなわちドーズ量測定カップを使用して測定されている。たとえば,ファラデーカップを半導体ウエハに隣接して配置してもよく,イオンビームをイオン注入の間,ときどきファラデーカップに向けてもよい。ファラデーカップはイオンビームを受け入れるための入口開口をもつ電気伝導性カップである。イオンビームはファラデーカップ内で,イオンビーム電流を示す電流を生成する。その電流は,電気的ドーズ量プロセッサ(これは,蓄積イオンドーズ量を決定するために,時間に関して電流を集積する。)に与えられる。ドーズ量プロセッサは,イオン注入器を制御するために使用されるフィードバックループの一部となってもよい。たとえば,イオン注入は,所定のドーズ量に達したとき終了する。イオン注入器におけるドーズ量およびドーズ量の一様性を測定するための,ファラデーカップの使用は,たとえば,Berrian等の,1990年5月1日に発行した米国特許第4,922,106号,およびBerrian等の1990年12月25日に発行した米国特許第4,980,562号に記述されている。
【0007】
イオンビーム中の,エネルギーをもったイオンがファラデーカップに入り,ファラデーカップ内の表面に衝突すると,多くの物理的なプロセスが生じる。これらプロセスは,イオン散乱,二次粒子の放出(電子,イオン,中性粒子,光子),表面散乱,三次電子(カップ体の壁に衝突する二次粒子により生じる)の発生を含む。二次および三次電子の一部が,入口開口を通って,ファラデーカップから逃げることがある。ファラデーカップからの電子の逃げは測定エラーとなる。
【0008】
ファラデーシステムからの電子の逃げを防止する一つのアプローチは,ファラデーカップの入口に静電抑制電極を配置して,使用することである。静電抑制電極を負に帯電することにより,電子がファラデーカップより逃げることを防止できる。静電抑制電極をもつファラデーケージが,Forneris等による,1979年1月16日に発行された米国特許第4,135,097号に開示されている。この米国特許第4,135,097号は,一対の磁石が電子抑制のために使用される他の構成を開示する。磁気的に抑制するファラデーシステムは,Mack等による,1998年5月26日に発行された第5,757,018号に開示されている。電子の逃げを防止する従来技術の他のアプローチでは,ファラデーカップの奥行きは,その入口開口の幅と比較して大きく作られ,その結果ファラデーカップの底で発生した電子は,入口開口を通して逃げる確率を比較的小さくする。
【0009】
イオン注入は典型的に広範囲なエネルギー範囲にわたって動作することが要求される。特に,イオン注入器では,浅い接合および非常に浅い接合のためのプロセス条件のため,低いエネルギーで動作するようにとの要求が強まっている。低エネルギーでは,イオンビームの直径は,周知の空間電荷効果のために,顕著に大きくなる。低エネルギーで,ドーズ量を正確に測定するため,大きな入口開口をもつファラデーカップがしたがって,必要となっている。イオン注入器での空間条件がファラデーカップの奥行きの対応した増加を妨げることから,ファラデーカップはカップの奥行きと比較して,比較的大きな入口開口をもつことになる。このことは二次電子の逃げの問題を悪化させ,測定の精度の悪化をもたらす。
【0010】
したがって,イオンビーム電流(特に低いエネルギー)を測定する改良された方法および装置の必要性がある。
【0011】
要約
本発明の態様にしたがって,ファラデーシステムが,イオンビーム処理システムにおいて使用される。そのファラデーシステムは,イオンビームを受け入れるための入口開口をもつチェンバーを画成するファラデーカップ体,チェンバーからの電子の逃げを防止するための電場を形成するために,入口開口の近傍に配置される抑制電極,およびチェンバーからの電子の逃げを防止するための磁場を形成するために配置される磁石組立体を含む。
【0012】
一実施例において,チェンバー奥行きの,入口開口の幅に対する比は,2.0よりも小さい。他の実施例において,チェンバーの奥行きの,入口開口の幅に対する比は,1.0よりも小さい。
【0013】
磁石組立体は,ファラデーカップ体の両側に配置される第一および第二の磁石を含むことができる。
【0014】
抑制電極は入口開口のまわりに配置される抑制リングを含むことができる。抑制リングは入口開口よりも大きな幅をもつ開口をもつことができる。抑制リングは,抑制リングの開口にむかって傾斜してもよい。ファラデーシステムは,抑制リングを,ファラデーカップ体に対して抑制電圧でバイアスするための抑制電源をさらに有してもよい。
【0015】
他の実施例において,ファラデーカップ体の内面の全部または一部が,比較的低い電子放出となる材料でコートされる。一例において,ファラデーカップ体の内面はカーボンコートされている。他の実施例において,ファラデーカップ体はグラファイトから作られる。
【0016】
他の実施例において,ファラデーカップ体は,入口開口に向いた格子状孔を含む。格子状孔は,入口開口の反対側で,ファラデーカップの底に位置してもよい。
【0017】
詳細な説明
本発明にしたがったファラデーシステムを組み込むイオン注入器の,単純化した略示図が図1に示されている。イオンビーム発生器10がイオンビーム12を,ワークピース,典型的には半導体ウエハ14に向けられる。ウエハ14はエンドステーション(図示せず)のプラテン22(イオン注入のために,ウエハをシステムにロードし,イオン注入に続いて,ウエハをシステムにアンロードするためのウエハ取り扱い装置を含むことができる)に取り付けられる。
【0018】
イオンビーム発生器10は典型的にイオン源(よく画成されたイオンビームを形成するための電極,イオンビームから不所望の種を除去する質量分析装置,およびイオンビーム中のイオンを所望のエネルギーに加速するための加速器を含む)を含む。イオンビーム発生器10は,イオンビームの焦点を合わせるためのイオン光学要素,および一つ以上の方向にビームを走査するビーム走査器を含んでもよい。
【0019】
種々の異なるイオン注入器の構成が当業者には知られている。ウエハ14は適切なウエハ支持デバイス上に取り付けることができる。イオンビーム12はビームの走査により,ウエア14の機械的な移動により,またはビーム走査とウエハの移動の組み合わせにより,ウエハ表面全体にわたって分布され得る。イオン原とウエハ14との間の全領域はイオン注入の動作中排気される。
【0020】
ファラデーシステム20がビーム12の電流を測定するために使用される。図1の例では,ファラデーシステム20はイオンビーム電流の測定のために,イオン注入の前またはその後で,イオンビーム12の経路へと移動する。ファラデーシステム20は固定されても,また移動可能でもよい。ファラデーシステムは,走査されたイオンビームまたはリボン状イオンビームの一様性を測定する,連続してまたは次第に移動させてもよい。他の実施例において,ファラデーシステムは,イオンビーム電流を測定するために,走査されないイオンビームの経路へと移動する。さらに他の例では,イオンビーム12が半導体ウエハ14のイオン注入の間に,ときどきファラデーシステム20へ偏向させる。
【0021】
ファラデーシステム20はイオンビーム12を受け入れるために,チェンバー32を画成するファラデーカップ体30を含む。ファラデーカップ体30は電気伝導性をもち,端部壁30a,側壁30bおよび開放壁30cを含む。一例として,ファラデーカップ体30はアルミニウムから作られ,ほぼ矩形の形状をもつ。ファラデーシステム20はさらに,ファラデーカップ体30を覆うハウジング40を含んでもよい。ハウジング40はチェンバー32の入口開口44を画成する開口をもつ正面プレート42を含んでもよい。他の実施例において,入口開口はファラデーカップ体30により画成される。ファラデーシステム20は,入口開口44の近傍に配置される抑制電極50,およびチェンバー32からの電子の逃げを防止するために,チェンバー32に磁場を形成する磁石組立体54を,さらに含んでもよい。
【0022】
ファラデーカップ体30はドーズ量プロセッサ70に接続されてもよい。ドーズ量プロセッサ70は,ファラデーシステム20から,入口開口44を通過して受け取るイオンビーム電流を示す電流を受け入れる。従来より知られているように,ドーズ量プロセッサ70は,半導体ウエハ14に注入された全イオンドーズ量を決定するために,時間に関して電流を積分する。ドーズ量プロセッサ70はイオンビーム発生器10を制御するために使用することができる。一例として,走査波形は所望のドーズ量の一様性を達成するために調整することができる。他の例として,ウエハ14のイオン注入は,所定のイオンドーズ量に達したとき,終了する。一例として,ドーズ量プロセッサ70は,注入されたウエハのドーズ量およびドーズ量の一様性を制御するために,プログラムされた汎用性コンピュータのように動作する。他の実施例においては,ドーズ量プロセッサ70は,ドーズ量測定および制御のために,部分的に,または全面的に機能を果たす特定の目的の制御器または局所制御器であってもよい。
【0023】
上記のように,ファラデーカップ体30はドーズ量プロセッサに電気的に接続されているが,カップ体30を所望の電位にバイアスするファラデーバイアス源72に接続されてもよい。ハウジング40は好適に,ゼロ電位のような基準電位に接続され,ファラデーカップ体30から電気的絶縁されている。抑制電位50はバイアス電圧を抑制電極50に与えるために,抑制電源74に接続されてもよい。典型的に,抑制電極50はファラデーカップ体30に関して負にバイアスされる。抑制電極50はファラデーカップ体3およびハウジング40から電気的に絶縁されている。
【0024】
上記のように,イオン注入器は典型的に,いろいろに異なるイオン種,イオンエネルギーおよびイオン電流で動作することが要求される。イオン注入器は,たとえば,10keVから3MeVのような広範囲のエネルギーにわたって動作することが要求される。この範囲の動作条件にわたって,イオンビームの断面寸法は広く変化する。特に,低エネルギーでは,イオンビームは比較的大きな断面寸法をもつことができる。その範囲の動作条件にわたって,イオンビーム電流の正確な測定のために,イオンビームのすべてまたはほとんどは,ファラデーシステム20により遮られなければならない。したがって,チェンバー32に入口開口44の幅Wは最も大きいと予想されるイオンビームを十分に通過させることができなければならない。一例として,10keVから2MeVの範囲にわたるエネルギーをもつイオンビームを受け入れるためには,2.010インチ×2.385インチ(5.105cm×6.058cm)の寸法をもつ。イオンビームの一部がファラデーシステム20により遮られないと,測定されたビーム電流は,ウエハに至った正確な電流よりも小さくなり,ウエハには過剰なドーズ量となる。
【0025】
エネルギーをもったイオンがファラデーカップ体30に入り,ファラデーカップ体30内の表面に衝突すると,二次電子が発生する。二次電子はファラデーカップ体30内の表面に衝突し,三次電子を発生させる。ファラデーカップ体30からの,二次および三次電子の逃げにより,測定にエラーが生じる。ファラデーシステム20からの電子の逃げ易さは,ある程度,入口開口44の幅の,チェンバー32の奥行きに対する比に依存する。特に,電子が入口開口を通過するよりも側壁に入射することから,電子はファラデーカップの比較的奥から逃げるということはそれほどでもない。逆に,ファラデーカップからの電子の逃げは,比較的浅いチェンバーの場合に比較的容易となる。この問題を緩和するために,チェンバーの奥行きの,入口開口の幅の比が大きくなるようにファラデーカップを構成することが知られている。残念ながら,多くのイオン注入器には空間が非常に限定されている。したがって,入口開口の幅がより大きなイオンビームを収容できるように広くなるにつれて,ファラデーカップの奥行きを対応して増加させることは実際上できない。一例として,入口開口44は2.010インチ×2.385インチ(5.105cm×6.058cm)で,チェンバー32の奥行きDは2.373インチ(6.027cm)である。比較的大きな直径のイオンビームの測定の条件,およびイオン注入器における限定された空間から,チェンバーの奥行きの,入口開口の幅に対する比は2.0以下に決定され,多くの場合はチェンバーの奥行きの,入口開口の幅に対する比は1.0以下に決定される。
【0026】
比較的小さなチェンバーの奥行きの,入口開口の幅に対する比をもつファラデーカップから,二次および三次電子が逃げることを防止するために,抑制電極50および磁石組立体54を利用することができる。抑制電極50は入口開口44の近傍に配置され,チェンバー32からの電子の逃げを防止するために,電場を形成する。磁石組立体54はチェンバー32からの電子の逃げを防止するためにチェンバー32内に磁場を形成する。
【0027】
一実施例において,抑制電極50は入口開口44より僅かに大きな開口52をもち,その開口52の縁へとテーパーが付けられたリングとして形成される。抑制電極50はチェンバー32からの電子の逃げを防止するための電場を生成するように形状付けられる。抑制電極50は二次および三次電極による衝突に対し小さな領域を形成する形状をもち,これにより抑制電極50からの,さらなる電子の発生が制限される。好適に,抑制電極50は,抑制電源74により,約−200ボルトから−1000ボルトの範囲の電圧でバイアスされる。
【0028】
図1の実施例において,磁石組立体54はハウジング40の両側に取り付けられた第一の磁石56および第二の磁石58を含む。磁石組立体54は好適に,第一の磁石56および第二の磁石58の反対の極がチェンバー32に面するように,構成されている。磁石56および58により形成される磁場はさらに,チェンバー32からの二次および三次電子の逃げを防止する。好適な実施例において,磁石56および58は500ガウスより大きなオーダの磁場を形成する。磁石組立体54の異なる構成も本発明において利用できることは理解されよう。磁場の強度および磁石組立体54の位置は二次および三次電子の抑制の程度に依存する。
【0029】
ファラデーシステム20の実施の例が図3A−図3Eに示されている。図1と図3A−図3Bについて同様の要素には同じ符号が付されている。磁石56および58はそれぞれ,カバー112および114により覆われている。取り付けブラケット120により,ファラデーシステム20がイオン注入器の構造に取り付けられている。図3Eに示されているように,正面プレート42の入口開口44の縁は内側に傾斜し,抑制電極50の開口52の縁も内側に傾斜している。
【0030】
特定の例では,ファラデーカップ体30は,幅が2.090インチ(5.3081cm),長さが2.465インチ(6.261cm),奥行きが1.610インチ(4.089cm)である。入口開口は幅が2.010インチ(5.105cm),長さが2.385インチ(6.068cm)である。抑制電極50は傾斜した縁をもち,ファラデーカップ体30に対して−500ボルトのバイアスがかけられている。抑止電極50の開口は,幅が2.090インチ(5.308cm),花長さが2.465インチ(6.2614cm)である。磁石56および58は永久磁石で,ハウジング40の両側に設けられている。これらのパラメータは例示であり,本発明の範囲を制限するものではない。
【0031】
本発明の他の態様にしたがい,入口開口44を通る電子の逃げはファラデーカップ体30の一つ以上の内面に複数の穴をもつことで,防止できる。図2に示されているように,ファラデーカップ体30の端部壁30aが入口開口44に向いた,複数の穴80を有する。穴80は二次電子の逃げを防止する幅および奥行きをもつ。特に,穴80の端部で生じた二次電子が穴80から逃げる確率は,平坦な面からの二次電子の放出と比較して,減少する。穴80の寸法は,二次電子放出を抑制するように選択される。穴80は丸状も,正方形でも,長方形でも,伸長した形などでもよい。穴は二次元配列,すなわち格子状となった,規則正しいパターンに配置されてもよく,またランダムになってもよい。一実施例において,穴80は,幅が0.25インチ(0.64cm),奥行きが0.25インチ(0.64cm)である。他の実施例において,上記の寸法をもつ穴,または開口部をもつ格子がファラデーカップ体30の端部壁30aに取り付けられている。格子の穴はたとえば,1mm間隔となっている。
【0032】
本発明の他の態様にしたがい,入口開口44を通る電子の逃げは二次および三次電子の発生を抑制することにより防止することができる。特に,ファラデーカップ体30の内面の全部または一部が比較的二次電子の放出が低い材料でコートされる。たとえば,ファラデーカップ体30の端部壁30aはグラファイトとなったカーボンでコートされてもよい。二次電子の放出が比較的低い他の適当な材料には,限定的ではないが,窒化ホウ素がある。他のアプローチでは,ファラデーカップ体30は二次電子放出が比較的低い材料で作られる。たとえば,ファラデーカップ体30はグラファイト製であってもよい。
【0033】
入口開口44を通る電子の逃げを防止する数々の技術を説明してきた。これら技術はファラデーカップの形成要因および必要な測定精度に依存して,個別にまたは組み合わせて使用することができる。好適な実施例において,抑制電極50および磁石組立体54はイオンのエネルギー範囲にわたって良好な測定精度を達成するために一緒に利用される。
【0034】
本発明のファラデーシステムはイオン注入器での使用に限定されない。一般に,ファラデーシステムはイオンビーム電流を測定するために,イオンビーム処理システムにおいても使用することができる。
【0035】
発明の詳細な説明および図面に示めされた好適実施例の変更,修正は,本発明の思想および範囲内でなしうることは分かるであろう,したがって,ここで説明され,図示されたことがらは限定的なものではない。本発明は特許請求の範囲およびこの均等物において画成され,制限される。
【図面の簡単な説明】
【図1】
図1は,本発明の実施例にしたがった,ファラデーシステムを組み込んだイオン注入器の略示ブロック図である。
【図2】
図2は,本発明の他の実施例にしたがった,ファラデーカップの端部壁の部分断面図である。
【図3】
図3Aは,本発明の実施例にしたがった,ファラデーシステムの正面図である。
図3Bは,図3Aの線3B−3Bにそった,ファラデーシステムの断面図である。
図3Cは,図3Aに線3C−3Cにそった,ファラデーシステムの断面図である。
図3Dは,図3Aに線3D−3Dにそった,ファラデーシステムの断面図である。
図3Eは,入口開口および抑制電極の拡大断面図である。
Claims (17)
- イオンビーム処理システムに使用するファラデーシステムであって,
イオンビームを受け入れるための入口開口をもつチェンバーを画成するファラデーカップと,
前記チェンバーからの電子の逃げを防止するための電場を発生させるために,入口開口の近傍に配置される抑制電極と,
前記チェンバーからの電子の逃げを防止するための磁場を発生させるために配置される磁石組立体と,
を含むファラデーシステム。 - チェンバーの奥行きの,入口開口の幅に対するアスペクト比が2.0より小さい,請求項1に記載のファラデーシステム。
- チェンバーの奥行きの,入口開口の幅に対するアスペクト比が1.0より小さい,請求項1に記載のファラデーシステム。
- 前記磁石組立体は,前記ファラデーカップ体の両側に配置される第一および第二の磁石を含む,請求項1に記載のファラデーシステム。
- 前記抑制電極は,前記入口開口のまわりに配置される抑制リングからなる,請求項1に記載のファラデーシステム。
- 前記抑制電極を,前記ファラデーカップ体に対して抑制電圧でバイアスするための抑制電源を含む,請求項1に記載のファラデーシステム。
- 前記抑制リングは,前記入口開口よりも大きな開口をもつ,請求項5に記載のファラデーシステム。
- 前記抑制リングは開口を有し,前記抑制リングは前記抑制リングの開口にむかって傾斜する,請求項5に記載のファラデーシステム。
- 前記ファラデーカップ体の内面の全体または一部が,二次電子の放出が比較的小さな材料でコートされる,請求項1に記載のファラデーシステム。
- 前記ファラデーカップ体の内面の全体または一部が,カーボンコーティングされる,請求項1に記載のファラデーシステム。
- 前記ファラデーカップ体はグラファイトで作られる,請求項1に記載のファラデーシステム。
- 前記ファラデーカップ体は前記入口開口に向いた複数の穴を含む,請求項1に記載のファラデーシステム。
- 前記ファラデーカップ体を覆うハウジングをさらに含み,
前記ハウジングは前記チェンバーの入口開口を画成する開口部を有する正面プレートを含む,請求項1に記載のファラデーシステム。 - イオンビーム処理システムに使用するファラデーシステムであって,
開放側面を有するチェンバーを画成するファラデーカップと,
前記チェンバーの入口開口を画成する開口部をもつ,前記開放側面の前に位置するプレートと,
を含み,
チェンバーの奥行きの,入口開口の幅に対するアスペクト比が1.0より小さい,ところのファラデーシステム。 - イオンビーム処理システムに使用するファラデーシステムであって,
開放側面を有するチェンバーを画成するファラデーカップと,
前記チェンバーの入口開口を画成する開口部をもつ,前記開放側面の前に位置するプレートと,
を含み,
前記ファラデーカップ体の内面の少なくとも一部が前記チェンバーに向いた複数の穴を含む,ところのファラデーシステム。 - 前記複数の穴は,前記入口開口に向いた,前記ファラデーカップ体の端部壁上にあるパターンをもつ穴を含む,請求項15に記載のファラデーシステム。
- イオンビーム処理システムにおいて,イオン電流を測定する方法であって,
イオンビームを受け入れるための入口開口をもつチェンバーを画成するファラデーカップを用意する工程と,
前記チェンバーからの電子の逃げを防止するための電場を発生させるために,入口開口の近傍に抑制電極を配置する工程と,
前記チェンバーからの電子の逃げを防止するための磁場を発生させるために,磁石組立体を配置する工程と,
を含む方法。
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