JP7379534B2 - イオンミリング装置 - Google Patents
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Description
Claims (12)
- イオン源と、
前記イオン源から非集束のイオンビームを照射することにより加工される試料が載置される試料ステージと、
第1の方向に延在する線状のイオンビーム電流測定部材を保持する測定部材保持部と、
制御部とを有し、
前記測定部材保持部及び前記試料ステージの少なくとも前記イオン源に対向する面を覆うように被覆材が設けられ、
前記被覆材の材料は、前記被覆材が設けられる構造物の材料の元素よりも原子番号の小さな元素を主成分とし、
前記制御部は、前記イオン源と前記試料ステージとの間に位置し、前記第1の方向と直交する第2の方向に延びる軌道上を、前記イオン源から第1の照射条件で前記イオンビームが出力された状態で、前記イオンビーム電流測定部材を前記イオンビームの照射範囲において移動させ、前記イオンビームが前記イオンビーム電流測定部材に照射されることにより前記イオンビーム電流測定部材に流れるイオンビーム電流を測定するイオンミリング装置。 - 請求項1において、
試料室を有し、
前記試料室の前記イオン源に対向する内壁に前記被覆材が設けられるイオンミリング装置。 - 請求項1において、
前記被覆材は炭素を主成分とするイオンミリング装置。 - 請求項1において、
電極を有し、
前記電極は、前記軌道よりも前記試料ステージ側、かつ前記イオン源からの前記イオンビームのイオンビーム中心と前記イオンビーム電流測定部材とが交わるとき、前記イオン源からみて前記イオンビーム電流測定部材と前記電極とが重なる位置に配置され、
前記制御部は、前記電極に所定の正電圧を印加した状態で、前記イオンビーム電流を測定するイオンミリング装置。 - 請求項4において、
前記電極はグラファイトカーボンであるイオンミリング装置。 - 請求項1において、
前記軌道よりも前記イオン源側、かつ前記イオン源からの前記イオンビームが照射されない位置に配置される電極を有し、
前記制御部は、前記電極に所定の正電圧を印加した状態で、前記イオンビーム電流を測定するイオンミリング装置。 - 請求項6において、
前記電極は銅またはリン青銅であり、
前記電極に前記被覆材が設けられるイオンミリング装置。 - 請求項1において、
前記制御部は、前記試料ステージに所定の正電圧を印加した状態で、前記イオンビーム電流を測定するイオンミリング装置。 - 請求項4~8のいずれか一項において、
前記制御部は、前記イオンビーム電流と当該イオンビーム電流が測定されたときの前記イオンビーム電流測定部材の位置との関係を示すイオンビームプロファイルを計測するイオンミリング装置。 - 請求項9において、
前記制御部は、前記イオンビームプロファイルのピーク値及び半値幅を算出するイオンミリング装置。 - 請求項1において、
前記イオンビーム電流測定部材は、断面が円柱形状であり、径が前記イオンビームの半値幅以下であるグラファイトカーボンの線状材であるイオンミリング装置。 - 請求項9において、
試料室と、
前記試料室に設置されるイオン源位置調整機構とを有し、
前記イオン源は前記イオン源位置調整機構を介して前記試料室に取り付けられ、
前記イオン源は、ぺニング型イオン源であり、
前記イオンビームプロファイルに基づき、前記イオン源の放電電圧、前記イオン源のガス流量または作動距離の1つ以上が調整可能なイオンミリング装置。
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