TW202125560A - 離子研磨裝置 - Google Patents

Abstract

提供一種可提高離子分佈的再現性的離子研磨裝置。 具有： 離子源(101)； 載置藉由從離子源(101)照射非集束的離子束來加工的試料之試料平台(102)；及 保持離子束電流測定構件(105)的測定構件保持部(106)， 以能覆蓋測定構件保持部(106)及試料平台(102)的至少對向於離子源(101)的面之方式設置被覆材(120)，被覆材(120)的材料是以原子號碼比設有被覆材的構造物的材料的元素更小的元素作為主成分，在位於離子源與試料平台之間的軌道上，以第1照射條件來從離子源(101)輸出離子束的狀態下，使離子束電流測定構件(105)移動於離子束的照射範圍，測定藉由離子束被照射於離子束電流測定構件(105)而流動的離子束電流。

Description

離子研磨裝置

本發明是有關離子研磨裝置。

在專利文獻1是揭示：在離子源產生電漿而抽出離子，照射抽出的離子來對基板等實施加工處理的離子研磨裝置。此離子研磨裝置是例如對於4英吋(Φ100)基板進行加工者，為了取得均一或所望的分佈的大口徑的離子束，藉由電性控制離子源內的電漿分佈來抽出控制離子束的分佈。作為控制方法之一例，揭示：利用法拉第杯(Faraday cup)來測定離子束的分佈狀態，根據測定結果來調整施加於電漿控制電極的電壓。 先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本特開2002-216653號公報

(發明所欲解決的課題)

離子研磨裝置是對於試料(例如、金屬、半導體、玻璃、陶瓷等)照射非集束的離子束，藉由濺射現象來以無應力彈飛試料表面的原子，藉此用以研磨其表面或剖面的裝置。離子研磨裝置是有作為為了藉由掃描電子顯微鏡(SEM：Scanning Electron Microscope)或透過電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)觀察試料的表面或剖面的前處理裝置使用者。在如此的適合前處理裝置的離子源，為了使構造小型化，大多的情況是採用有效的潘寧(Penning)方式。

由於來自潘寧型離子源的離子束是不使收束照射至試料，因此在試料的離子束照射點附近的離子分佈是具有在中心部的離子密度最高，從中心朝向外側離子密度變低的特性。另一方面，尤其在藉由電子顯微鏡的表面觀察中，為了正確地觀察構造･組成，需要將試料表面予以平滑地研磨。為此，邊使試料旋轉，邊以低入射角度來照射離子束。藉此，有關包含觀察的部位的周邊範圍，可取得廣泛且平滑的加工面。由於離子密度是直接關係到試料的加工速度(研磨速率(milling rate))，因此離子分佈的特性是大大影響試料加工面的加工形狀。

採用潘寧方式的離子源是由其構造可知使產生而射出的離子會使內部的構成構件摩耗。並且，加工試料的結果，從加工面產生而浮遊的微小粒子會附著於離子源特別是離子束射出口，成為污垢的原因。基於該等的主要原因，若繼續使用離子研磨裝置，則離子束的特性會變化，進而試料加工面的加工形狀的再現性會降低。藉由電子顯微鏡的觀察以量產工程管理目的進行時，被要求對於多數的試料實施同一的加工，因此離子研磨裝置的加工形狀的再現性的降低恐有連帶缺陷檢測精度的降低之虞。

本發明是有鑑於如此的課題，提供一種可調整適於觀察試料的表面或剖面進行前處理加工的離子研磨裝置的離子束的照射條件之離子研磨裝置。 (用以解決課題的手段)

本發明之一實施形態的離子研磨裝置係具有： 離子源； 載置藉由從離子源照射非集束的離子束來加工的試料之試料平台； 保持延伸於第1方向的線狀的離子束電流測定構件之測定構件保持部；及 控制部， 以能覆蓋測定構件保持部及試料平台的至少對向於離子源的面之方式設置被覆材， 被覆材的材料，係以原子號碼比設有被覆材的構造物的材料的元素更小的元素作為主成分， 控制部，係位於離子源與試料平台之間， 在延伸於與第1方向正交的第2方向的軌道上，以第1照射條件來從離子源輸出離子束的狀態下，使離子束電流測定構件移動於離子束的照射範圍，測定藉由離子束被照射於離子束電流測定構件而流動於離子束電流測定構件的離子束電流。 [發明的效果]

可提高離子研磨裝置的離子分佈的再現性。

其他的課題及新穎的特徵是可由本說明書的記述及附圖明確得知。

以下，根據圖面說明本發明的實施例。

圖1是從上方(以鉛直方向作為Y方向)表示本發明的實施形態的離子研磨裝置100的主要部的圖(模式圖)。在可保持真空狀態的試料室108是設有：經由離子源位置調整機構104來安裝的離子源101、用以設置作為加工對象的試料的試料平台102、以旋轉中心R₀ 為軸使試料平台102旋轉的試料平台旋轉驅動源103。由於來自離子源101的離子束是不使集束照射至試料，因此在試料的離子束照射點附近的離子束分佈是具有在中心部的離子密度最高，從中心朝向外側而離子密度變低的特性。由於離子密度是直接關係到試料的加工速度，因此在離子束照射點附近的離子束分佈是大大影響試料的加工形狀。所以，為了計測來自離子源101的非集束離子束的離子束分佈，離子研磨裝置100是具備：接近試料平台102的試料載置面而配置的離子束電流測定構件105、保持離子束電流測定構件105的測定構件保持部106、將測定構件保持部106往復驅動於X方向的驅動單元107、及電子阱112。構成離子研磨裝置100的各機構是從電源單元110供給電源，藉由控制部109來控制。並且，在顯示部111是顯示裝置的控制參數或動作狀態等。

來自離子源101的離子束是在以離子束中心B₀ 為中心放射狀地擴展的狀態下被放出，因此需要調整成試料平台102的旋轉中心R₀ 與離子束中心B₀ 一致。為了使此調整容易，離子源101是經由將其位置調整位於X方向、Y方向及Z方向的離子源位置調整機構104來安裝於試料室108。藉此，可調整離子源101的離子束中心B₀ 的位置、具體而言XY面(包含X方向及Y方向的面)上的位置及作動距離(WD：Working Distance、Z方向的位置)。

詳細後述，離子束電流測定構件105是導電性構件，以從離子源101衝突至離子束電流測定構件105的離子的量作為離子源101與離子束電流測定構件105之間的離子束電流，藉由電流計113來計測。控制部109是邊使離子束電流測定構件105移動於X方向，邊藉由電流計113來計測離子束電流，藉此取得每個沿著X方向的位置的離子束電流，作為離子束輪廓(profile)顯示於顯示部111。又，離子束輪廓的計測中，在電子阱(electron trap)112會被配置於比離子束電流測定構件105更靠試料平台102側，且離子束中心B₀ 與離子束電流測定構件105交叉時，從離子源101看，離子束電流測定構件105與電子阱112重疊的位置。在電子阱112是從電源單元110施加預定的正電位。

而且，在被配置於試料室108內的構造物，具體而言，測定構件保持部106、驅動單元107、試料平台102、試料平台旋轉驅動源103及試料室108的內壁是設有被覆材120。作為被覆材120的例子，可使用如碳般的輕元素。亦可將碳膏塗佈於離子束的照射區域，或貼附碳的板材。又，亦可塗佈耐熱性高的樹脂。因為在有機物含有碳(C)。由於離子束被照射於被覆材120而加熱，因此被覆材是被要求耐熱性。例如，可適用聚四氟乙烯(PTFE： polytetrafluoroethylene)或聚醚醚酮(例如PEEK： polyetheretherketone、PEK：polyetherketone)等。而且，亦可將碳粒子混合於樹脂而塗佈。有關被覆材的機能後述。

圖2是表示離子源101的內部構造及施加離子源101的電壓的電源單元110的電源電路的模式圖。另外，電源電路是只顯示有關離子源101的電路。圖2是表示採用潘寧方式的離子源(潘寧型離子源)作為離子源101。在潘寧型離子源內部是在與被設為同電位的第1陰極201與第2陰極202之間配置有從電源單元110施加放電電壓的陽極203，藉由陽極-陰極間的電位差來使產生電子。產生的電子是藉由永久磁石204來滯留於離子源內部。另一方面，在離子源是從外部通過配管206來導入氬氣，藉由電子與氬氣衝突來產生氬離子。氬離子是被引誘至被施加加速電壓的加速電極205，通過離子束照射口207來作為離子束照射。

離子源101是在重複射束的照射之中，離子源101的內部零件會摩耗，或從成為照射對象的加工物產生的微小粒子會飛散，附著於離子束照射口207，因此離子源101所照射的離子束分佈會變動。藉由實施離子源101的內部零件的更換或清潔等的維修，雖內部零件的摩耗或離子束照射口207的微小粒子的附著會被解除，但不保證回到變動前的離子束分佈。為此，例如，在維修實施後進行離子束分佈的確認，以可取得所望的離子束分佈之方式調節離子源101的作動距離或放電電壓、氣體流量。藉此，可提高藉由離子研磨裝置之加工的再現性。

在圖3表示驅動離子束電流測定構件105的驅動單元107的構成例。在圖中，顯示驅動單元107的俯視圖、沿著俯視圖的A-A線的離子束電流測定構件105及測定構件保持部106的剖面圖。

測定構件保持部106是以絕緣材構成，在其內部設置具有導電性的離子束電流取出部310。離子束電流測定構件105是被安裝於離子束電流取出部310，經由離子束電流取出部310來與離子束電流取出配線311連接。離子束電流取出配線311是被連接至電流計113。

驅動單元107是具有馬達301、傘齒車302、齒輪303、軌道構件304。藉由被設在馬達301的驅動軸的傘齒車302及齒輪303旋轉，傳達驅動至軌道構件304，使測定構件保持部106往復移動於X方向。使測定構件保持部106往復移動的軌道是位於離子源101與試料平台102之間。最好儘可能使位於試料平台102的附近。另外，馬達301是不需要設成驅動單元107專用，亦可與使試料平台102旋轉的試料平台旋轉驅動源103兼用。

離子束電流測定構件105是離子束電流的測定中被來自離子源101的離子束照射，因此成為被加工的狀態。由於為如此每測定消耗的構件，所以不易被離子加工，低濺射收率的構件為適。又，使用線狀材作為離子束電流測定構件105，藉由離子束電流測定構件105移動於非集束離子束照射範圍來計測離子束輪廓。此情形是意思離子束電流測定構件105的直徑決定可測定的離子分佈的空間分解能。因此，最好離子束電流測定構件105的直徑是設為比加工時的離子束的半峰寬更小的直徑。例如，可使用具有0.2mm以上、0.5mm以下的直徑之石墨碳的線狀材。又，為了抑制離子衝突於離子束電流測定構件105所造成離子的不規則的舉動，最好離子束電流測定構件105的剖面形狀是設為圓形。除了石墨碳的線狀材以外，亦可使用鎢的線狀材等。離子束電流測定構件105是可從測定構件保持部106卸下，當離子束電流測定構件105因離子束而消耗時，可更換成新的離子束電流測定構件。

圖4是作為比較例，顯示未設電子阱112及被覆材120來計測離子束電流的情況的模式圖。本計測方法是藉由電流計113來計測藉由從離子源101照射的持有正電荷的氬離子衝突於離子束電流測定構件105而流動的電流。可是，就此比較例的構成而言，儘管使離子束電流測定構件105移動至未被照射離子束的位置，還是被確認從電流計113計測電流值(第1課題)。這是因為氬離子衝突於離子束電流測定構件105附近的構造物具體而言測定構件保持部106等而產生二次電子或後方散射電子，產生的二次電子或後方散射電子衝突於離子源101的加速電極205，因而在電流計113被計測的電流值增大。

在圖5顯示依據圖4的比較例所計測的離子束輪廓。橫軸為射束測定位置，縱軸為表示在電流計113所測定的離子束電流I。另外，射束測定位置是以XZ平面上的離子束電流測定構件105的軌道與離子束中心B₀ 的交點作為原點表記。如前述般，被計測的離子束輪廓500是成為藉由氬離子衝突於離子束電流測定構件105而流動的真的離子束輪廓501與起因於離子束的照射而產生的電子所造成的背景雜訊(background noise)輪廓502的和。另外，在圖5是將背景雜訊輪廓502設為一定值單純化表示，但實際上因為二次電子或後方散射電子的產生不均、根據射束測定位置之往離子束電流測定構件105的電子的衝突量的不同，而依據測定位置來取變動的值。

真的離子束輪廓501是可思考按照高斯分佈。因此，被計測的離子束電流I(x)是可用(數學式1)來表示。

在此，A是真的離子束輪廓的最大值，σ是真的離子束輪廓的分散。亦即，為了取得真的離子束輪廓501的資訊，需要從被計測的離子束輪廓500除去背景雜訊輪廓502的影響。

加上，在圖5顯示將被計測的離子束輪廓500的一部分503擴大的波形504。在實際被計測的離子束輪廓500是含有高頻的雜訊波形。藉由使被測定的離子束電流值的資料平均化，可取得平滑的輪廓波形(波形505)，但若雜訊成分大，則為了使離子束輪廓平滑化所必要的資料量會變多。因此，無法提高離子束電流測定構件105的移動速度，無法縮短離子束輪廓500的計測時間(第2課題)。這會因為離子束以非集束來從離子源101照射，所以氬離子飛散於試料室108的廣區域。離子束強度雖低，但氬離子會衝突於試料室108的內壁或試料室108內的構造物的廣範圍，產生二次電子或後方散射電子，衝突於離子源101的加速電極205(參照圖4)。此二次電子或後方散射電子會當作離子束輪廓波形的雜訊被計測。

在圖6A顯示設置板狀的電子阱112及被覆材120來計測離子束電流的情況。並且，在圖6B顯示離子束電流測定構件105的軌道(座標X0~X5是表示軌道上的位置)與電子阱112的位置關係。而且，同時以濃淡來模式性地表示離子束電流測定構件105的軌道附近的離子束的強度。離子束強度是將離子束中心B₀ 設為最大強度，越往其周邊，越按照高斯分佈而減低。將離子束強度高的區域設為濃度濃的區域、射束強度低的區域設為濃度薄的區域表示。

由於氬離子衝突而產生的二次電子或後方散射電子是具有負的電荷，因此將施加正電壓的電子阱112設在離子束電流測定構件105的軌道的附近，捕獲產生的二次電子或後方散射電子。施加於電子阱112的電壓是從電源單元110供給，電壓值是藉由未圖示的控制部109來設定。施加於電子阱112的正電壓是設定為不影響離子束輪廓的計測的程度的正電壓。

電子阱112是在比離子束電流測定構件105的軌道更靠試料平台102側，當離子束中心B₀ 與離子束電流測定構件105交叉時，以從離子源101看離子束電流測定構件105與電子阱112會重疊的方式配置。如圖6B所示般，離子源101的離子束強度是離子束中心B₀ 附近最高，二次電子或後方散射電子的產生量也大、能量也大。因此，藉由將電子阱112配置於離子束中心B₀ 附近，可有效率地捕獲所產生的二次電子或後方散射電子。

但，如圖6A般配置電子阱112時，因為氬離子衝突，電子阱112本身恐有成為二次電子或後方散射電子的產生源之虞。尤其後方散射電子因為能量高、直進性高，所以到達至加速電極205的電子量也多。在此，可知後方散射電子的產生量是隨著照射對象的構成元素的原子號碼的增大而增加，因此最好電子阱112是使用輕元素且低濺射收率的材料。具體而言，最好是使用石墨碳( graphite carbon)。

藉由電子阱112來除去如此從測定構件保持部106等的構造物產生的二次電子或後方散射電子的影響，可取得圖5的虛線所示般的真的離子束輪廓501的資訊。電子阱112為了有效率地捕獲二次電子或後方散射電子，需要具有某程度的面積，但其大小是不被限定。例如可設為以離子束中心B₀ 為中心，以離子束的半峰寬作為直徑的圓形狀或作為一邊的四角形狀的板狀電極。又，由於只要可捕捉電子即可，因此不被限於板狀電極，容許網狀電極及其他的電極。

又，藉由被覆材120，因照射比較弱的強度的離子束而產生的電子量會被減低，可減低離子束輪廓波形的雜訊(noise)。這是基於以下的理由。如前述般，後方散射電子的產生量是隨著照射對象的構成元素的原子號碼的增大而增加。被覆材120的材料，藉由使用以原子號碼比被覆的構造物或內壁的材料的元素更小的元素作為主成分的材料，可有效地抑制後方散射電子的產生。

被覆材120是不一定要被覆構造物的全面或試料室108的壁面全部，但最好至少有關與離子源101對向的面是被覆。因為離子束是直進性強，從與離子源101對向的面，每單位面積產生的二次電子、後方散射電子的量比其他的面更多。

在圖7A~B表示電子阱的變形例。在圖6A是從離子源101看將電子阱配置於離子束電流測定構件105的背後，相對的，在圖7A是將電子阱配置於比離子束電流測定構件105更靠離子源101側。圖7A是表示側面圖，圖7B是表示俯視圖。施加於電子阱700的電壓也從電源單元110供給，電壓值是藉由未圖示的控制部109來設定。電子阱700是配置於未被照射來自離子源101的離子束的區域，產生的二次電子或後方散射電子會在到達加速電極205之前捕獲。與圖6A~B所示的電子阱112不同，由於沒有被照射離子束，因此電子阱700是可使用銅或磷青銅等的導電性高的材料。就此例而言，在電子阱700的表面也設置被覆材120(在圖7B是省略顯示被覆材120)。亦可具備電子阱112與電子阱700的雙方。

利用圖8的流程圖來說明有關在圖1所示的離子研磨裝置中，控制部109所實行的離子束輪廓的取得、及離子束照射條件的調整方法。

S801：控制部109是控制驅動單元107，將離子束電流測定構件105移動至原點位置。在此，原點位置是設定成為離子束照射範圍的中心，但原點位置的設定是不限於此。

S802：控制部109是控制電源單元110，依據作為現在的設定所保持的離子束照射條件，從離子源101輸出離子束。所謂現在的設定是意指作為試料的加工條件而定的離子束照射條件。一般設定加工試料時的離子源101的加速電壓、放電電壓、氣體流量。

S803：控制部109是控制電源單元110，在電子阱112(及/或電子阱700)施加預定的電壓。施加於電子阱的正電壓是被設定成對離子束輪廓的計測不造成不良影響的範圍的電壓。

S804：離子束的輸出開始後，控制部109是控制驅動單元107，邊使離子束電流測定構件105往復移動於X方向，邊藉由電流計113來進行離子束電流的測定。控制部109是藉由將離子束電流測定構件105的X方向的位置與該位置的電流值建立對應，取得離子束輪廓。取得的離子束輪廓是顯示於顯示部111。

S805：讀入作為調整目標的離子束輪廓，顯示於顯示部111。另外，本步驟是亦可在離子束輪廓的取得(S804)之前實行。

S806：以在S804取得的離子束輪廓會近似於在S805讀入的目標離子束輪廓之方式，調整離子束照射條件。具體而言，調整離子源101的作動距離、放電電壓、氣體流量之中，一個以上的參數。

此時，有關加速電壓是不作為調整對象。因為若改變加速電壓，則即使是同樣的離子束電流，試料的加工速度(研磨速率)也會大幅度改變。

S807：依據被調整的離子束照射條件來取得再度離子束輪廓。在S807的處理是與在S804的處理相同。

S808：比較在S807取得的離子束輪廓與在S805讀入的目標離子束輪廓，若可取得所望的離子束輪廓，則結束，若不可，則重複來自離子束照射條件的調整(S806)的步驟。

以上，根據實施形態具體說明本發明者所研發的發明，但本發明是不被限定於記述的實施形態，可在不脫離其主旨的範圍實施各種變更。例如，亦可藉由能對於位在離子束電流測定構件105的附近，在離子束輪廓測定時不動作的構造物例如試料平台施加正電位，作為電子阱機能。又，若離子研磨裝置具備可使試料平台移動於Z方向的試料平台位置調整機構，則亦可藉由試料平台位置調整機構來調整作動距離。又，被覆材是亦可按照被覆的對象來使材料或被覆方法不同。以被覆材覆蓋的範圍也不被限定於作為實施例記載的範圍。例如，有關不被覆試料室108的構造物的全部，而被覆被照射離子束的測定構件保持部或試料平台，藉由該等的構造物而成為不易被照射離子束的配置的構造物是亦可不設被覆材。又，雖舉在與離子源101對向的試料室108的內壁全面設置被覆材的例子，但亦可只對於以離子束中心B₀ 與內壁的交點作為中心的離子束強度比較強的區域設置被覆材。

並且，在離子束照射條件的調整中，亦可以離子束輪廓本身作為基準調整，或算出離子束輪廓的特徵量、例如離子束輪廓的峰值與半峰寬，以特徵量會一致的方式進行離子束照射條件的調整。此時，在顯示部111亦可不是顯示離子束輪廓本身，使顯示作為調整基準的特徵量。

100:離子研磨裝置 101:離子源 102:試料平台 103:試料平台旋轉驅動源 104:離子源位置調整機構 105:離子束電流測定構件 106:測定構件保持部 107:驅動單元 108:試料室 109:控制部 110:電源單元 111:顯示部 112:電子阱 113:電流計 120:被覆材 201:第1陰極 202:第2陰極 203:陽極 204:永久磁石 205:加速電極 206:配管 207:離子束照射口 301:馬達 302:傘齒車 303:齒輪 304:軌道構件 310:離子束電流取出部 311:離子束電流取出配線 700:電子阱

[圖1]是離子研磨裝置的構成例(模式圖)。 [圖2]是表示離子源及電源電路的構成的圖。 [圖3]是驅動單元的構成例。 [圖4]是表示比較例的離子束電流的計測的情況的圖。 [圖5]是表示依據比較例而被計測的離子束輪廓的圖。 [圖6A]是表示實施例的離子束電流的計測的情況的圖。 [圖6B]是表示實施例的離子束電流測定構件的軌道與電子阱的位置關係的圖。 [圖7A]是表示變形例的離子束電流的計測的情況的圖。 [圖7B]是表示變形例的離子束電流測定構件的軌道與電子阱的位置關係的圖。 [圖8]是有關離子束照射條件的調整的流程圖。

100:離子研磨裝置

101:離子源

102:試料平台

103:試料平台旋轉驅動源

104:離子源位置調整機構

105:離子束電流測定構件

106:測定構件保持部

107:驅動單元

108:試料室

109:控制部

110:電源單元

111:顯示部

112:電子阱

113:電流計

120:被覆材

205:加速電極

R₀ :旋轉中心

B₀ :離子束中心

Claims (13)

1. 一種離子研磨裝置，其特徵係具有： 離子源； 載置藉由從前述離子源照射非集束的離子束來加工的試料之試料平台； 保持延伸於第1方向的線狀的離子束電流測定構件之測定構件保持部；及 控制部， 以能覆蓋前述測定構件保持部及前述試料平台的至少對向於前述離子源的面之方式設置被覆材， 前述被覆材的材料，係以原子號碼比設有前述被覆材的構造物的材料的元素更小的元素作為主成分， 前述控制部，係位於前述離子源與前述試料平台之間， 在延伸於與前述第1方向正交的第2方向的軌道上，以第1照射條件來從前述離子源輸出前述離子束的狀態下，使前述離子束電流測定構件移動於前述離子束的照射範圍，測定藉由前述離子束被照射於前述離子束電流測定構件而流動於前述離子束電流測定構件的離子束電流。
2. 如請求項1記載的離子研磨裝置，其中，具有試料室，在前述試料室的對向於前述離子源的內壁設有前述被覆材。
3. 如請求項1記載的離子研磨裝置，其中，前述被覆材係以碳作為主成分。
4. 如請求項1記載的離子研磨裝置，其中，具有被配置於前述軌道的附近的電極， 前述控制部，係在對前述電極施加預定的正電壓之狀態下，測定前述離子束電流。
5. 如請求項4記載的離子研磨裝置，其中，前述控制部，係計測離子束輪廓，該離子束輪廓係顯示前述離子束電流與該離子束電流被測定時的前述離子束電流測定構件的位置的關係。
6. 如請求項5記載的離子研磨裝置，其中，前述控制部，係算出前述離子束輪廓的峰值及半峰寬。
7. 如請求項4記載的離子研磨裝置，其中，前述電極，係被配置於比前述軌道更靠前述試料平台側，且來自前述離子源的前述離子束的離子束中心與前述離子束電流測定構件交叉時，從前述離子源看，前述離子束電流測定構件與前述電極重疊的位置。
8. 如請求項4記載的離子研磨裝置，其中，前述電極為石墨碳。
9. 如請求項4記載的離子研磨裝置，其中，前述電極，係被配置於比前述軌道更靠前述離子源側，且未被照射來自前述離子源的離子束的位置。
10. 如請求項9記載的離子研磨裝置，其中，前述電極為銅或磷青銅， 在前述電極設有前述被覆材。
11. 如請求項4記載的離子研磨裝置，其中，將前述試料平台設為前述電極。
12. 如請求項1記載的離子研磨裝置，其中，前述離子束電流測定構件，係剖面為圓柱形狀，直徑為前述離子束的半峰寬以下的石墨碳的線狀材。
13. 如請求項5記載的離子研磨裝置，其中，具有： 試料室；及 被設置在前述試料室的離子源位置調整機構， 前述離子源係經由前述離子源位置調整機構來安裝於前述試料室， 前述離子源為潘寧型離子源， 可根據前述離子束輪廓，調整前述離子源的放電電壓、前述離子源的氣體流量或作動距離的1個以上。

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