JP2004507881A - 低漏洩電流の裏面照射フォトダイオードの製造 - Google Patents

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Abstract

低漏洩電流裏面照射半導体フォトダイオードアレイを、ウェーハをゲッターした後に基板を高温処理することを回避する透明導電性バイアス電極層の製造方法を利用して製造する。その結果、ゲッタリングに続く高温処理中に導入される歪、結晶学的欠陥又は不純物に関連する逆バイアス漏洩電流の成分を極めて低くすることができる。フォトダイオード用の光ウィンドウ及び抵抗裏面等電位コンタクト面の両者として役立つ光学的に透明の導電性バイアス電極層は、ポリシリコンのゲッタリング層を通じて、ゲッタリング処理中に基板の裏面内とその近くに形成された多量ドープ結晶シリコン層の厚さの一部分をエッチングすることによって製造される。

Description

【０００１】
＜関連出願の相互参照＞
本願は、２０００年４月２０日付けで出願された、発明の名称が「Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｌｏｗ Ｌｅａｋａｇｅ−Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｂａｃｋｓｉｄｅ Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｅｄ Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅｓ」の米国仮特許願第６０／１９８，９１２号の優先権の特典を主張するものである。
【０００２】
＜技術分野＞
本発明は電磁放射線検出器に関し、より具体的に述べると裏面照射半導体フォトダイオードアレイに関する。
【０００３】
＜背景＞
典型的なフォトダイオードアレイは第一導電率型の半導体基板を備えており、その基板は、おもて面に第二の逆の導電率型のドープされた領域のアレイが形成され、そして裏面が第一導電率型の大量にドープされたバイアス電極層を有している。簡潔にするため、前記おもて面のドープされた領域は、そのアノード又はカソードとしての機能とは無関係に、以後、ゲートと呼称する。同様に、略語ＢＥＬは裏面のバイアス電極層を示すのに使用する。
【０００４】
下記考察の枠組みを提供するため、おもて面のドープされたゲート領域がｐ型導電率を有し、基板がｎ型であり、これに対応して裏面のバイアス電極層が大量にドープされたｎ型層であるフォトダイオードアレイの一実施例を、以下に利用する。本願のすべての記載事項と特許請求の範囲は、すべての導電率型が逆になり、これに対応して、電荷キャリア、印加される電圧及び電界の極性が変化した場合でも等しく当てはまる。
【０００５】
典型的には、ゲートとバイアス電極層は、結晶半導体基板の内部に形成される。それ故に、これらの層は該基板に固有（ｎａｔｉｖｅ）で該基板とホモ構造（ｈｏｍｏｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ） の層である。大部分の実施態様では、基板の外部の１又は２以上の非固有（ｎｏｎ−ｎａｔｉｖｅ）でヘテロ構造（ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ）の導電性層で形成された外部ゲートコンタクトが、各おもて面ゲートの一部分の上に形成される。同様に、１又は２以上の非固有でヘテロ構造の外部バックコンタクト（外部裏側接触部）を、裏面バイアス電極層の全体又は一部分の上に形成してもよい。シリコン基板の場合、ゲートコンタクトは、１又は２種以上の金属、金属−シリコン金属間化合物もしくは堆積された大量ドープポリシリコン、又は複数のこれら材料の組合せによって通常形成される。このことに関連して、ポリシリコンは、結晶シリコン基板に対して非固有でかつヘテロ構造であると考えられる。同様に、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）すなわちケイ素のアモルファスな（無定形の）「固有酸化物」は、このことに関連して該基板に対して非固有でかつヘテロ構造である。シリコンフォトダイオードアレイに対するバックコンタクトとしては、同じ材料又は１又は２種以上の透明導電性材料、例えば酸化インジウムと酸化スズのアモルファスで一般に非化学量論的混合物であるインジウム−スズ酸化物を使用できる。多くの用途では、読出し回路のアレイも基板のおもて面に形成される。
【０００６】
逆方向バイアスと呼ばれている電位差を、ゲートとバイアス電極層の間に印加して、おもて面上のゲートと基板の間のｐ−ｎ接合部から基板中に延びる空乏領域を基板内につくることができる。したがって前記ゲート、基板及びＢＥＬによって、フォトダイオードが実現される。外部ゲートコンタクト又はバックコンタクトは、フォトダイオードアレイへの電気接続を容易にするため提供される補助素子であり、該フォトダイオードアレイの必須部品ではない。
【０００７】
このようなフォトダイオードアレイは、おもて面から光子を受け取るおもて面照射モード（ｆｒｏｎｔｓｉｄｅ−ｉｌｌｕｍｉｎａｔｅｄ ｍｏｄｅ）又は裏面から光子を受け取る裏面照射モード（ｂａｃｋｓｉｄｅ−ｉｌｌｕｍｉｎａｔｅｄ ｍｏｄｅ）で配置構成することができる。しかし、おもて面照射モードは、通常、裏面照射モードより外部量子効率（集められたフォトキャリアの入射光子に対する比率）が低くなる。なぜならば、ゲートコンタクト及び読出し回路（設置されている場合）の導電性素子が、おもて面上のアレイの能動感光面積を減らすからである。これに対し、その裏面全体は、適正に配置構成されると、入射放射線を集めるのに使用することができる。
【０００８】
他の要因がすべて等しければ、感光性を高めると、信号／雑音比（ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−ｎｏｉｓｅ ｒａｔｉｏ）が増大する。基板内の直接的な（固有の）検出又は間接的な検出（例えば以下に考察するシンチレーターを使用する検出）を使用して単一粒子放射線を検出する用途では、感光性を高めると粒子エネルギーの分解能（ｐａｒｔｉｃｌｅ ｅｎｅｒｇｙ ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）が改善される。その上、導電線（ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｌｉｎｅ）及び他の物理的特徴、例えばおもて面の誘電体の厚さのステップが、隣接するフォトダイオードの感光領域中に光を散乱させて、画像のコントラストを低下させることがある。コントラストが低下すると、該アレイの変調伝達関数を変えるので、そのアレイの有用な空間分解能（ｕｓｅｆｕｌ ｓｐａｔｉａｌ ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）を低下させることがある。それ故、裏面照射フォトダイオードアレイは、感光度、信号／雑音比、粒子エネルギー分解能及び空間分解能を改善するため、画像形成の用途に使用することが多い。
【０００９】
裏面照射フォトダイオードの場合、光電流が一般に、帯間吸収によって生成する。半導体基板のバンドギャップより大きいエネルギーを有する光子は、基板の裏に入って吸収され、電子空孔の対を生成する。電子空孔の対がゲートの空乏領域の外側に生成すると、その少数キャリア（この例では空孔）が、前記ゲートのうちの一つの下側の空乏領域のエッジに拡散する。該空乏領域内の電界は、該空孔を該ゲートへ向けて加速することによって該空孔を「集める」。しかし、光子がゲートの空乏領域内に吸収されると、その電界は上記空孔を「集める」が、その電子を、空乏化されていない基板の方へ加速し、又はゲートの下の基板が完全に空乏化されていると、電子を裏面のバイアス電極層の方へ加速する。両方の場合、光電流は、フォトダイオード、及びゲートとバイアス電極層間のバイアスを維持する外部回路を流れる。読出し回路系が同じ半導体基板上に設置されていると、各ゲートと結合している回路素子は、光電流、光子の吸収によって生じる電荷の量又は両者の組合せの数学関数を表す信号を生成する。
【００１０】
夜間の写真、核医学の画像形成、光子医学の画像形成、Ｘ線コンピュータ断層撮影及び衝撃光子検出などの光のレベルが低い画像形成の用途では、フォトダイオードアレイが、高い外部光子変換効率（基板の裏面に入射した光子に対する集められたフォトキャリアの比率と定義される）及び極めて低い逆バイアス漏洩電流を同時に示すことが重要である。簡潔のために、用語「量子効率」を以後、外部光子変換効率を表すのに使用し、用語「漏洩電流」は逆バイアス漏洩電流を表すのに使用する。
【００１１】
光レベルが低い画像形成システムでは、その入力光信号は、持続時間が数ナノ秒〜数マイクロ秒の短いパルスの形態であることが多い。これらの用途の場合、フォトダイオードは、約１０〜１００ｎｓ以下の範囲の、ひとまとめとして遷移時間と呼ぶか又は別々に立上り及び降下時間と呼ぶことが多い短いパルス応答時間を有していることが非常に有益である。該フォトダイオードアレイに付随する信号処理システムは、一般に、光パルスの長さと同じ程度の長さの固定持続時間のタイムウィンドウ内に発生した光電流を統合することによって出力パルスを「整形（ｓｈａｐｅ）」する。
【００１２】
１又は２以上の長い遷移時間を有するフォトダイオードアレイは、入力光パルスより有意に長い出力光電流パルスを生成する。これらの長い光電流パルスは、信号を処理する電子機器から、より高速のフォトダイオードアレイからの出力パルスより小さい出力パルスを生成する。それ故、低速フォトダイオードアレイは、信号処理電子機器から低出力信号をもたらすので、画像の信号／雑音比が低下する。光子フラックスレート（ｐｈｏｔｏｎ ｆｌｕｘ ｒａｔｅ）が高い用途、例えば、Ｘ線コンピュータ断層撮影では、信号処理電子機器は、単一の光パルスの持続時間より長い固定持続時間の期間にわたって画素が集めた平均光電流に応答できる。これらの用途の場合、有効な単一パルスを検出するのに必要な時間より長い遷移時間を受け入れることができる。
【００１３】
高い量子効率を達成するために、バイアス電極層は、入射放射線を透過するよう充分薄くなければならず、しかも各ゲートの下側の全領域にわたって均一な空乏を維持するのに適当な等電位面を基板の裏面に提供するため充分に導電性でなければならない。
【００１４】
また、該バイアス電極層は、結晶学的欠陥の密度が低くなければならず、かつ深い準位の不純物を含有していてはならない。これらの基準が満たされると、前記ＢＥＬは、ＢＥＬ内に発生したフォトキャリアの再結合を最小限にするのに充分な長い少数キャリアの寿命を示し、その結果、ＢＥＬ内に発生したフォトキャリアの収集効率が最大になる。したがってＢＥＬは光学的「デッドレーヤー（ｄｅａｄ ｌａｙｅｒ）」ではない。
【００１５】
フォトダイオードのパルス応答時間は、約５〜２５ｋΩ−ｃｍの範囲内の高い抵抗率を有しかつゲートの下側の基板を完全に空乏化するのに充分な逆バイアス条件下で作動される半導体基板を使用することによって最小限にすることができる。このような完全な空乏化条件下では、その空乏領域の電界が裏面のバイアス電極層まで広がる。
【００１６】
個々のフォトダイオードが、超低漏洩電流密度（例えば室温にて（約１ｎＡ／ｃｍ２未満）を達成するには、（１）基板；（２）バックコンタクト構造体（バイアス電極層とその上に形成される追加の層を含む）；（３）ゲート領域間及び外側ゲートとそれを取り囲む領域との間のおもて面領域；並びに（４）基板が「ダイス（ｄｉｃｅ）されて」個々のフォトダイオードアレイチップを形成するときに形成される基板のエッジによる、全漏洩電流に対する寄与を低下させる必要がある。
【００１７】
基板のバルク発生電流（ｂｕｌｋ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｃｕｒｒｅｎｔ）は、「ゲッタリング（ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）」すなわち高温処理（シリコン基板の場合一般に１０００℃以上で実施される）で低下させることができるが、この処理で歪み、損傷し又は大量にドープされた単一又は組み合わされた、基板の裏面上の層が、不純物又は結晶学的欠陥を引きつけて捕獲する。また結晶学的欠陥は、前記ゲッタリング処理を行っている間の再結合によって消去することができる。歪み、損傷し又は大量にドープされた「ゲッタリング層」又は層を続いて除去し、これにより吸収された不純物と欠陥を取り除く。基板が一旦ゲッター処理されたならば、新しい不純物の導入又は追加の欠陥の生成を防止するため、その後の高温処理は避けねばならない。基板のその後のすべての化学処理や操作は、再汚染を避けるため周到に清潔でなければならない。
【００１８】
シリコンフォトダイオードアレイのおもて面に生成する電流は、低漏洩面を生成することが分かっている条件下で、熱で成長する二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層を用いて通常、最小限にされる。これらの酸化物は、前記ゲッタリング処理を行う前又は行うのと同時に、一般に成長させる。低温（４００℃未満）処理をゲッタリング処理の後に行って、表面漏洩を最適化することができる。
【００１９】
バックコンタクト構造体に関連する漏洩電流を最小限にするには、いくつもの相いれない要件に対処する必要がある。先に考察したように、該バイアス電極層は、光を透過するため充分に薄くなければならない。しかし、このような薄い層は容易に損傷し、その損傷領域は非常に効率的に漏洩電流を生成する。完全な空乏化条件下で、バイアス電極層は、その層に、空乏領域の電界を終わらせるのに充分な電気的に能動の（すなわち中性ではなく電荷を有する）ドーパント原子を含有していなければならない。結晶半導体基板の裏面；又は基板と、裏面の導電率を高めるためもしくは入射光子の反射を減らすために基板の裏面の上に形成されたオーバーレーヤーと、の間の界面（インターフェース）は、基板の結晶構造が不完全に終わる領域である。このような領域は高い漏洩電流を生成し得る。その電界は、ＢＥＬを貫通してかような界面に到達すると、そこに生成した電流を効率的に集める。同様にその電界は、ＢＥＬ内の不純物又は欠陥によって生成する漏洩電流を集める。ＢＥＬ中の空乏化されていない領域は、一般に高度にドープされているので効率的に漏洩電流を生成することはない。一方、ＢＥＬの空乏化領域中の深い準位の不純物と欠陥は、大きな漏洩電流を生成する。ＢＥＬは、少数キャリアの長い寿命を示さない場合、フォトダイオードの漏洩電流を低下させることができる。
【００２０】
エッジ漏洩電流は、通常、画素のアレイを囲むガード構造体を設けることによって抑制される。これらの構造体は、ダイスされたエッジに生成した漏洩電流を、その電流が画素自体に到達する前に集める。
【００２１】
＜概要＞
本発明には、ウェーハをゲッター処理（ゲッタリング）した後に基板を高温処理することを避けて、透明導電性バイアス電極層を製造する超低漏洩電流裏面照射フォトダイオードアレイの製造方法が含まれている。その結果、ゲッタリングの後の高温処理中に導入された歪、結晶学的欠陥又は不純物に関連する逆バイアス漏洩電流成分を極端に低く保つことができる。フォトダイオード用の光学的ウィンドウ及び裏面の等電位コンタクト面として役立つ光学的に透明の導電性バイアス電極層は、ゲッタリング処理中、基板の裏に形成された薄い大量ドープ結晶シリコン層を、ポリシリコンゲッタリング層を通じてエッチングすることによって製造される。さきに考察したように、基板の同じ領域の上に、透明ウィンドウと導電性コンタクトを同時に提供する構造が、完全に空乏化されたフォトダイオードとフォトダイオードアレイの場合重要である。複数の画素領域のまわりにのみ形成されている電気コンタクトは、その画素領域の内部に生成した逆バイアス漏洩電流を伝導できないであろう。したがって、その電気コンタクトは完全な空乏を維持できないであろう。
【００２２】
この方法で製造されたフォトダイオードアレイ、及びこれらアレイのバイアス電極層は、機械的に、電気的に及び光学的に従来の技術より優れている。この方法で製造されたバイアス電極層は、半導体基板内に形成された内部の（固有の）モノ結晶のホモ構造層である。ＢＥＬと、隣接する高抵抗率の基板材料との間の界面は、ＢＥＬがポリ結晶層又は薄い金属層である場合のように、基板の結晶格子を終わらせない。本発明の方法で製造される界面は、ＢＥＬをエピタキシーによって製造するときに製造される界面より、本質的に優れている。すなわち、エピタキシャル界面における結晶学的欠陥や界面の不純物を完全に除くことは不可能である。
【００２３】
本発明によって製造されたバイアス電極層は、高い小数キャリア寿命を有している。バイアス電極層に発生するフォトキャリアは、ゲートの下側の空乏領域によって効率的に集めることができる。それ故に、これらのＢＥＬは、従来技術を使用して製造したＢＥＬよりはるかに厚くすることができる。シリコン基板に形成された厚さが約０．２５〜１．０μｍ程度のＢＥＬは、高い外部量子効率と低い漏洩電流を示す。このようなＢＥＬは、従来技術を使用して製造された厚さが約０．０１μｍ程度のＢＥＬより、はるかに損傷しにくい。
【００２４】
本発明のこれらの及び他の特徴と利点は、下記の詳細な説明を読みかつ添付図面を参照すれば明らかになるであろう。
【００２５】
＜発明の詳細な説明＞
本発明の一実施態様では、大量にドープされたポリシリコンゲッタリング層を、ウェーハのゲッタリングを行った後、ほぼ室温でエッチングして除く。この処理によって、原基板内に残っていて、ゲッタリング処理中のドーパントの拡散によってドープされた結晶層から、内部の（固有の）光学的に透明の導電性ホモ構造バイアス電極層が形成される。このようにして形成されたバイアス電極層は、フォトダイオード画素に対する透明の導電性内部抵抗コンタクトを提供する。前記ドープされた結晶層の部分は、この処理中に除かれて、該コンタクト層の面積抵抗率を最適化することができる。
【００２６】
図１をみると、低漏洩電流の裏面照射フォトダイオードアレイ構造体１００が、第一導電率型の高抵抗率シリコン基板１１０内に形成されている。例示を目的として、その基板はｎ型とする。従来の半導体処理法を使用して、第二の逆の導電率型の大量にドープされたゲート領域１２０のアレイが、基板１１０のおもて面１３０の近くに形成される。追加のドープされた領域１４０（これら領域は各々、基板１１０と同じ導電率型又は逆の導電率型でもよい）は、フォトダイオードアレイ自体を製造すること以外の目的のためにつくることができる。
【００２７】
追加の低温処理又は高温処理（例えば酸化物などの絶縁層の成長又は堆積、化学エッチング又はプラズマエッチング、ドーパントの堆積、拡散、イオン注入）は、フォトダイオードアレイ又は補助装置のおもて面の構造体を画成する処理の一部として実施することができる。
【００２８】
最後の高温処理に続いて、ポリシリコン層１５０を、基板１１０の裏面１６０に堆積させる。そのポリシリコン層１５０は厚みが約０．２５〜１．５μｍである。そのポリシリコン層１５０は、基板１１０と同じ導電率型の不純物を組み入れることによって、大量にドープされる。ポリシリコンのドーピングは、堆積中その場で、又は続いてドーパント源層（例えば、ｎ型基板用のＰＯＣｌ３）を堆積すること又は他の方法によって実施することができる。そのフォトダイオード構造体１００を次に、高温熱ゲッタリングサイクルに付して、結晶学的欠陥と故意でない不純物を、ドープされたポリシリコン層１５０中に送る。そのゲッタリング処理中（フォトダイオード構造体１００のおもて面又は裏面の酸化を伴う）、ポリシリコン層１５０からのドーパント原子が、基板１１０の裏領域中に拡散し、基板１１０内に、大量にドープされた内部の（固有の）ホモ構造結晶層１７０を形成する。この裏面の拡散層１７０は、最初、厚さが約０．５〜５μｍ程度であり、最大キャリア濃度が約１×１０２０ｃｍ−３程度であり、そして面積抵抗率が約２〜２０Ω／平方フィート（ｓｑｕａｒｅ）の程度である。
【００２９】
ゲッタリング処理の後、ドープされたポリシリコン層１５０及び裏面拡散層１７０の一部を除く。ポリシリコンゲッタリング層１５０と裏面拡散層１７０の一部の除去は、湿式化学エッチング、イオンアシストエッチング（プラズマエッチング又は反応性イオンエッチング）を単独で又は組み合せて利用するか又は他の手段によって達成することができる。
【００３０】
前記の裏面拡散層１７０は、高い外部量子効率、低い漏洩電流、及び裏面を均一にバイアス化しやすくするのに適切な導電率に適合できる最終の厚さまで薄くする。該裏面拡散層１７０は、最終厚さが約０．２５〜１．０μｍの程度の範囲内であり、そして面積導電率が約５０〜１０００Ω／平方フィート（ｓｑｕａｒｅ）の範囲内である。
【００３１】
図２を見ると、裏面を薄くしたフォトダイオードアレイ構造体２００は、図１に示す未完成のフォトダイオード構造体１７０としてのすべてのおもて面層、界面及びその他の特徴を含んでいる。追加の層、界面又は特徴部分は、ゲート１２０又は追加のドープされた層１４０に外部コンタクトを提供するため、読出し回路を提供するため又は他の目的のために、裏面を薄くする前に、基板１１０のおもて面１３０の上に形成することができる。その裏面を薄くしたフォトダイオードアレイ２００は、フォトダイオードアレイ構造体のバイアス電極層を形成する薄くした裏面拡散層２７０を備えている。またその薄くする処理は、基板１１０の上に新しい裏面２６０をつくる。
【００３２】
裏面を薄くした後は、１又は２以上の追加の外部（非固有）の層２８０を新しい裏面２６０の上に形成して、該構造体の対象の光波長の反射率を減らすことができ、又は該構造体の裏面導電率を高めることができる。従来技術に採用されている超薄裏面コンタクト構造体とは対照的に、裏面を薄くした構造体２００の厚くて堅牢なバイアス電極層２７０は充分に導電性なので、このように導電率を高める必要がなくなる。それ故に、単一層又は多層の絶縁性反射防止コーティング構造体の広い選択範囲を利用して、フォトダイオードアレイの外部量子効率を最適化することができる。従来技術の場合、このような最適化は通常不可能である。なぜならば、裏面の導電率を高めるために使用できるインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電性層の選択範囲は非常に限られているからである。したがって、これらの材料は、導電性の反射防止コーティング構造体を設計する際に使用される光特性の選択範囲も同様に限られたものにする。一般に、透明導電体を使用して製造された反射防止コーティング構造体を備えたフォトダイオードアレイは、適切に設計された絶縁性反射防止コーティング構造体を使用するフォトダイオードアレイより高い反射率を示す。
【００３３】
本願に記載の方法を利用して、市販のγ線画像形成システムに使用される約９ｍｍ２（３ｍｍ×３ｍｍ）の画素面積を有する１６素子（４×４画素正方形体）シリコンフォトダイオードアレイを製造した。これらの装置は、単一層又は多層の絶縁性反射防止コーティングを設置すると、５６０ｎｍの波長で９０％を超える高い外部量子効率を示す。量産の装置では、ごく普通に、室温において１ｎＡ／ｃｍ−２未満の逆バイアス漏洩電流を示す。
【００３４】
本発明の多数の実施態様を説明してきた。しかしながら、本発明の精神と範囲から逸脱することなく各種の変形を行うことができると解される。したがって、他の実施態様は本願の特許請求の範囲の範囲内にある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施態様の、裏面を薄くする前の裏面照射フォトダイオード構造体を示す。
【図２】本発明の一実施態様の、裏面を薄くしたフォトダイオードアレイ構造体を示す。

Claims (15)

  1. 低漏洩電流フォトダイオードアレイの製造方法であって、
    フォトダイオードのおもて面構造体を画成し、
    大量ドープゲッタリング層を基板の裏面上に堆積させ、
    前記基板をゲッタリングして同基板内に大量ドープ導電性結晶層を形成させ、
    前記導電性層を薄くして光学的に透明の導電性バイアス電極層をつくる、
    ことを含んでなる製造方法。
  2. 前記導電性層を薄くする前に、すべての高温処理を行うことをさらに含む請求項１に記載の方法。
  3. 前記ゲッタリング層がポリシリコン層である請求項１に記載の方法。
  4. 前記導電性層を、約０．２５〜１．０μｍの厚さまで薄くすることをさらに含む請求項１に記載の方法。
  5. 前記導電性層をエッチングすることをさらに含む請求項１に記載の方法。
  6. 前記光学的に透明の導電性バイアス電極が、約５０〜１０００Ω／平方フィートの面積抵抗率を有している請求項１に記載の方法。
  7. 薄くする前に、追加の層をおもて面の上に形成することをさらに含む請求項１に記載の方法。
  8. 薄くした後に、追加の層を裏面の上に形成することをさらに含む請求項１に記載の方法。
  9. おもて面と裏面を有する基板と、
    前記基板のおもて面の近くに形成された複数のゲート領域と、
    前記基板の裏面の近くの同基板内に形成された裏面層と、
    を含んでなり、
    前記裏面層が約０．２５〜１．０μｍの厚さまで薄くされている低漏洩電流フォトダイオードアレイ。
  10. 前記裏面層は、薄くされた後に約５０〜１０００Ω／平方フィートの面積抵抗率を有している請求項９に記載のフォトダイオードアレイ。
  11. 前記裏面層が、エッチングによって薄くされた請求項９に記載のフォトダイオードアレイ。
  12. 前記裏面層が結晶シリコン層である請求項９に記載のフォトダイオードアレイ。
  13. 前記裏面層が、最終の高温処理中に形成される請求項９に記載のフォトダイオードアレイ。
  14. 前記裏面層が、最終の高温処理の後に薄くされる請求項９に記載のフォトダイオードアレイ。
  15. 前記フォトダイオードの裏面の反射率を減らすために同裏面の上に形成された追加の層をさらに含んでいる請求項９に記載のフォトダイオードアレイ。
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