JP2004500582A - テラヘルツトランシーバーならびにこのようなトランシーバーを用いるテラヘルツパルスの放出および検出のための方法 - Google Patents
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Abstract
テラヘルツ周波数の電磁パルスを放出し、そして検出するためのシステム。このシステムは、単一のトランシーバーデバイスを備え、このデバイスは、パルスの放出と検出との両方のための、電気光学結晶または光伝導性アンテナであり得る。関連する方法は、テラヘルツ周波数の電磁パルスの放出と検出との両方のために、単一のトラシーバーデバイスを使用することを包含する。このトランシーバーデバイスは、ポンプパルスによって励振され、そしてテラヘルツの出力パルスを放出し、これは、チョッパーを用いて変調される。物体が、このテラヘルツパルスを反射し、そしてこの反射パルスが、プローブパルスを使用して、このトラシーバーで検出される。チョッパーの周波数と同じ周波数に設定された、ロックイン増幅器が、このトランシーバーによって検出される信号におけるノイズを低下させるために、使用される。
Description
【0001】
(関連出願の引用)
本願は、2000年4月6日に出願された、米国仮特許出願番号60/195,554、および2000年4月7日に出願された、米国仮特許出願番号60/195,708(これらの両方は、参考として援用される)に基づく優先権を主張する。
【0002】
(技術分野)
本発明は、一般に、電磁パルスの放出および検出に関し、より具体的には、テラヘルツ(THz)の周波数範囲での使用のための、トランシーバーに関する。
【0003】
(発明の背景)
電気光学結晶および光伝導性双極子アンテナは、テラヘルツ(THz)時間領域分光法および関連する画像化適用において、広範に使用されてきた。例えば、Zhangらに対して発行された米国特許第5,952,818号は、リアルタイムの二次元遠赤外画像化装置のために適切な、自由空間電磁放射線を特徴付けるための、電気光学感知装置および方法を開示する。パルス化されたテラヘルツ電磁放射線が、電気光学結晶を照射し、ポッケルス効果によって屈折率を変調する。フェムト秒光学パルスは、場により誘導される屈折率の変化を、この結晶を通過することによってプローブする。プローブパルスにおける場により誘導される楕円変調を、強度変調に変換するために、プローブパルスが、補償器および偏光子によって分析され、そして光検出器によって検出される。
【0004】
Nussに対して発行された米国特許第5,789,750号は、テラヘルツ送信器またはテラヘルツ検出器のいずれかとして使用され得る、光伝導性双極子アンテナ構造体の使用を議論する。Mittlemanらに対して発行された米国特許第6,078,047号は、テラヘルツ断層撮影画像化のための方法および装置を開示し、この装置は、光伝導性テラヘルツ送信器、および別個の光伝導性テラヘルツ検出器を備え、この送信器は、試験物体を照射するためのテラヘルツ放射線を発生させ、そしてこの検出器は、この物体によって反射されたパルスを検出するためのものである。物体によって反射されたパルスの相対的な時間の遅れの測定を使用して、この物体における誘電界面の位置を決定する。
【0005】
しかし、上記特許および当該分野における他の箇所に記載されるような、THz時間領域分光法のために使用される標準的な装置において、別個の送信器および受信器が、THz信号を放出および検出するために使用される。検出は、放出の逆のプロセスであるので、送信器および受信器は、同一のデバイスであり得る。単一のデバイスを送信器と受信器との両方(「トランシーバー」)として使用することによって得られる利点にもかかわらず、テラヘルツトランシーバーは、当該分野において以前には公知でもなく使用されてもいなかった。これは主として、認識される技術的困難および固有の複雑さ(例えば、認容可能な信号対ノイズ比を提供する困難性)に起因する。
【0006】
(発明の要旨)
本発明は、テラヘルツ周波数の電磁パルスを放出および検出するためのシステムを包含する。このシステムは、このパルスの放出と検出との両方のための、単一のトランシーバーデバイスを有する。特に、このデバイスは、電気光学結晶または光伝導性アンテナであり得る。
【0007】
1つの実施形態において、このシステムは、対応する複数のテラヘルツ出力パルスおよび複数のプローブパルスを放出するようにトランシーバーを励振させるための、複数のポンプパルスを提供するための、光源および関連する光学機器をさらに備え得る。チョッパーが、このテラヘルツ出力パルスを、第一の周波数で変調する。物体が、この変調テラヘルツ出力パルスによって照射され、そして複数の変調テラヘルツ出力パルスを反射する。このプローブパルスは、対応する複数の反射テラヘルツパルスと同時にトランシーバーを照射するように、タイミングを合わせられる。ロックイン増幅器(その参照入力がチョッパーのクロック出力に接続されている)が、トランシーバーによって検出される対応する反射テラヘルツパルスに比例する情報を運ぶ、複数の電気信号を受信する。同期されたチョッパーおよびロックイン増幅器の使用は、ロックイン増幅器が信号におけるノイズを低下させることを可能にする。
【0008】
1つの実施形態において、小型電気光学結晶が、光ファイバーの端部に設置され得る。この小型電気光学結晶は、例えば、1mm3未満の体積を有し得る。この光ファイバーは、変更保存型光ファイバーであり得る。
【0009】
本発明はまた、テラヘルツ周波数の電磁パルスを放出および検出するための方法を包含する。この方法は、テラヘルツ周波数の電磁パルスを単一のトランシーバーデバイスで放出および検出する工程を包含する。この方法は、さらに、このトランシーバーデバイスをポンプパルスで励振させて、第一のテラヘルツ周波数出力パルスを放出させる工程を包含し得る。このテラヘルツ周波数の出力パルスは、第一の周波数に設定されたチョッパーを用いて変調される。物体が、この変調テラヘルツ周波数出力パルスで照射され、この物体は、反射テラヘルツパルスを反射する。このトランシーバーデバイスは、プローブパルスがこのトランシーバーデバイスを照射すると同時に、この反射テラヘルツパルスで照射され、その結果、このトランシーバーデバイスは、反射テラヘルツパルスからの情報を運ぶ、第一の信号を発生させる。
【0010】
このトランシーバーデバイスが電気光学結晶である場合には、テラヘルツパルスは、この電気光学結晶においてプローブパルスを変調し、そしてこの電気光学結晶は、この電気光学結晶の後表面から、変調プローブパルスを反射する。第一の信号は、反射変調プローブパルスを含む。このような場合には、この方法はさらに、この反射変調プローブパルスを光検出器で検出する工程;上記情報を第二の信号に変換する工程;およびこの第二の信号におけるノイズをロックイン増幅器で低下させて、第三のノイズが低下した信号を発生させる工程を包含する。
【0011】
このトランシーバーデバイスが光伝導性アンテナである場合には、この方法は、テラヘルツパルスおよびプローブパルスを通して、第一の信号を含む電流をアンテナにおいて生じさせる工程を包含し得る。この方法はさらに、第一の信号におけるノイズをロックイン増幅器で低下させて、第二のノイズが低下した信号を発生させる工程を包含する。
【0012】
物体は、複数の層を有し得、各層は、トランシーバーから異なる距離にある。この方法は、さらに、複数のポンプパルス、プローブパルス、およびテラヘルツパルスを発生させる工程を包含し得、その結果、この物体は、複数の対応する反射テラヘルツパルスを反射し、各パルスが、このパルスを反射した層のトランシーバーからの距離に対応する、ピーク振幅強度およびピーク振幅タイミングを有する。次いで、この物体の断層撮影画像が、このピーク振幅強度またはピーク振幅タイミングを使用して、作成され得る。
【0013】
上記一般的な記載と以下の詳細な記載との両方は、本発明の例示であるが、本発明を制限しないことが、理解されるべきである。
【0014】
本発明は、添付の図面と組み合わせて読まれる場合に、以下の詳細な説明から最良に理解される。一般的な実施に従って、この図面の種々の特徴は、同一縮尺ではないことが強調される。対照的に、種々の特徴の寸法は、明瞭さのために、任意に拡大または縮小されている。図面には、以下に記載される図が含まれる。
【0015】
(発明の詳細な説明)
THzの送信器と受信器とが空間的および機能的に別個のデバイスである、従来の構成とは異なり、本発明のTHzトランシーバーは、2つの機能を1つのデバイスに合わせる。このTHzトランシーバーは、交互にTHzの周波数でパルス電磁放射線を伝達し、そして戻った信号を受信する。このTHzトランシーバーは、電気光学結晶または光伝導性アンテナを備え得る。電気光学結晶トランシーバーについては、電磁放射線は、光学的に整流され、そして戻った光学信号は、フェムト秒光学機器を使用して、電気光学効果を介して、この結晶によって受信される。電気光学結晶と光伝導性アンテナの両方の実施形態において、このシステムの複雑性は、別個の放出器と受信器とではなく、単一のトランシーバーのみを使用することによって、大いに減少する。
【0016】
光伝導性トランシーバーの実施形態と電気光学トランシーバーの実施形態との性能の比較は、別個のTHz送信器および受信器を使用する電気光学的方法に対する光伝導性方法の任意の比較に類似している。電気光学的トランシーバーは、代表的に、光伝導性アンテナより多くの光学出力を必要とするが、低い周波数においてはより低い信号対ノイズ比を有する。電気光学的トランシーバーは、代表的に、光伝導性アンテナより広い帯域幅を有し、そしてより小さなトランシーバーについての可能性を与える。これは部分的には、電気光学結晶の実施形態が、光伝導性アンテナの実施形態は多くの代表的な配線およびパッケージを有さないことに起因する。図12に示すように、小型電気光学結晶トランシーバー700(例えば、約1mm3未満の体積を有する)は、偏光保存型光ファイバー702の端部に取り付けられて、真の光ファイバーTHzトランシーバーを提供し得る。
【0017】
THzトランシーバーを使用するための配置は、2つのアンテナまたは結晶および2つの放物面ミラーを使用する、従来のTHzシステムより複雑ではない。単一のトランシーバーを有することはまた、光学機器の整列を単純化する。THzトランシーバーは、THz測距およびTHz感知において独自の適用を有し得、そして特に、反射配置において、THz画像化および断層撮影のために理想的であり得る。超高速ファイバーレーザーおよび光ファイバー接続の使用とともに、THzトランシーバーは、THz分光法および画像化システムの寸法をさらに減少させることを補助し得る。
【0018】
本発明のTHzトランシーバーの電気光学結晶実施形態および光伝導性アンテナ実施形態は、以下にさらに詳細に議論される。電気光学結晶トランシーバーに対する例示的な断層撮影適用もまた、議論される。
【0019】
(A.電気光学結晶トランシーバー)
図1は、電気光学結晶トランシーバーの機能を実証する例示的な構成を示す。レーザー10は、光パルスを発生させ、このパルスは最初に、経路11を通って偏光子12へと移動する。偏光子12は、任意である。偏光パルスは、経路11aに沿って移動してビームスプリッタ13aに当たり、このビームスプリッタは、このパルスの一部をポンプパルスとして、経路11bに放出し、そしてこのパルスの一部をプローブパルスとして、経路11cに沿って反射する。経路11cに沿って移動するプローブパルスは、ミラー13bで跳ね返り、次いで可動ステージ15においてミラー13cおよび13dで跳ね返り、次いでビームスプリッタ13eおよび13fで跳ね返る。可動ステージ15は、矢印Aに沿って前後に移動可能である。従って、遅延ステージ14(可動ステージ15は、この遅延ステージの構成要素である)は、ポンプパルス16とプローブパルス17との間の可変の遅延を提供する。技術者は、遅延ステージ14をしばしば、マイケルソン干渉計と称する。
【0020】
ポンプパルス16は、最初に、電気光学(EO)結晶18を照射し、この結晶は、光学的整流を介して、THzパルス19を発生させる。機械的チョッパー22が、THzパルス19を変調する。THzパルス19は、1つ以上の放物面ミラー20aおよび20bによって平行化され、そしてサンプル21から反射される(矢印Bによって示されるように)。プローブパルス17は、反射THz信号を、EO結晶18における電気光学効果を介してサンプリングし、ここで、このプローブパルスの位相は、反射THzパルスによって変調される。次いで、このプローブパルスは、EO結晶18の後表面24から反射し、そしてビームスプリッタ13fから反射され、ビームスプリッタ13eを通して伝達され、そしてミラー13gによって反射され、光学分析器(偏光子)25を通過し、そして光検出気26によって検出される。偏光子25は、反射テラヘルツパルスによって誘導される、プローブパルスにおける位相変化を、強度の変化に変換し、これは、光検出器26によって検出され得る。ロックイン増幅器23(その反射入力(図示せず)がチョッパー22のクロック出力(図示せず)に接続されており、その結果、その周波数がチョッパーの周波数に自動的にロックされる)が、バックグラウンドノイズから所望の信号を抽出する。
【0021】
データプロセッサ80(例えば、処理ソフトウェアを含むコンピュータ)は、任意の単一単位または複数の処理単位を含み得、これは、ロックイン増幅器23からの出力信号を、処理するか、格納するか、または処理と格納との両方を行う。データプロセッサ80は、例えば、反射テラヘルツパルスの強度または時間遅延に基づいて、サンプル21の画像を作成し得る。この機能は、以下にさらに議論される。
【0022】
ミラー13a〜gおよび20a、bの数は、所望の特定の構成の物理的必要性に取り組むために必要とされるように、変化され得る。例えば、ミラー20bが図1において示されている位置にサンプル21を配置して、単一のミラー20aのみが、平行化のために使用され得る。別の実施形態において、ミラーが全く使用されないかもしれない。また、マイケルソン干渉計を使用する代わりに、プローブパルス17は、当該分野において公知の任意の他の方法によって、発生され、ポンプパルス16と同期したプローブパルスを提供し得る。
【0023】
1つの例示的な実施形態において、再生的に増幅されたTi:サファイアレーザー(例えば、Coherent Rega 9000)(800nm、180fsのパルス持続時間および250kHzの繰返し数を有する)を使用して、パルスを発生させた。電気光学結晶18は、4.5mm厚の<110>配向ZnTe結晶であった。ポンプパルス16とプローブパルス17との平均出力は、約105mWであり、そしてチョッパー22は、450Hzにおいて、テラヘルツパルスを変調した。比較的広い(例えば、約2cm)スロットチョッパーブレードを使用して、THzパルスの比較的大きな大きさに適合させることによって、比較的低い変調周波数が提供された。ロックイン増幅器23は、300msの積分時間を有した。
【0024】
光学プローブパルスの偏光方向は、光学ポンプパルスの偏光方向に対して平行であり、そして光学偏光子25(分析器)は、より良好なポンプパルスの阻止およびプローブパルスの交差バランス検出のために、入力偏光子12によって提供される偏光に対して垂直に配向された。ポンプパルス偏光の最適な配向(理論的計算によって予測される場合)は、好ましくは、(110)ZnTe結晶の(001)z軸から反時計回りに約25.7°であり、そして発生したTHz場の偏光は、このz軸から反時計回りに約77°であった。他の配向もまた、使用され得る。
【0025】
図2は、サンプル21として金属ミラーを使用し、そしてこのミラーをTHz伝播方向に沿って矢印Cの方向に、1mmのステップで(6.6psの往復時間で)移動させることによって測定した、波形のセットを示す。図2に示される第一の信号27a〜eは、金属チョッパーブレードからのTHz反射であり、これは、THzパルスの伝播方向に対して実質的に垂直に設定された。従って、第一の信号27a〜eの時間位置は、固定されている。第二の信号28a〜eは、金属ミラーから反射されたTHz信号である。第二の信号の位置は、ミラーの位置とともにシフトする。
【0026】
2つのTHz信号間の時間遅延は、チョッパーと金属ミラーとの間を移動するTHzパルスの往復運動時間である。チョッパーブレードからの反射は、自動的に、システム較正のための参照マーカーとして働く。チョッパーから反射された信号の位相と、チョッパーの背後の金属ミラーから反射された信号の位相との間には、πの位相差が存在し、これは、チョッパーによって伝達されるTHzパルスと反射されるTHzパルスとの間の位相差から生じる。従って、ロックイン増幅器を用いて測定されたこれら2つの信号は、逆の偏光を示す。図2に示す、第二の信号28a〜eと第一の信号27a〜eとの間の時間遅延は、断層撮影に対する本発明の適合性を実証する。
【0027】
平行な光学ポンプおよびプローブ偏光を用いるクロスバランス検出が存在することを条件として、電気光学THzトランシーバーの全体の効率は、別個に使用される送信器および受信器より約50%低い。理論的計算と実験結果との両方が、1:1のポンプ:プローブ出力比を用いる操作が最適であることを示す。図2に示す結果は、約1.8nAのTHz信号に対するピーク間電流、および約6.8pAのノイズ下限を示し、約270のダイナミックレンジを提供する。このダイナミックレンジは、チョッパー変調周波数およびパルス整列の正確さに依存して、変化され得る。例えば、より高い変調周波数は、より低い変調周波数よりも大きなダイナミックレンジを提供し得る。
【0028】
ポンプパルスおよびプローブパルスは同一直線状であるので、電気光学トランシーバーは、反射されたポンプレーザーパルスの存在に起因して、光学バックグラウンドを有する。プローブパルスに追加される大きな光学バックグラウンドは、システム性能に影響を与え得る(例えば、信号対ノイズ比を低下させることによって)が、光学バックグラウンドの影響を緩和または排除するために利用可能な、いくつかの方法が存在する。1つの方法は、異なるタイミングのポンプパルス16およびプローブパルス17を使用して、ポンプパルスバックグラウンドを区別することである。例えば、図3に示すように、レンズ31は、結晶34(例えば、β−ホウ酸バリウム(BBO))の前方に配置され得る。ゲートパルス30を使用して、プローブパルスをトランシーバーから反射させて、バックグラウンドのない第二の調和信号32を発生させる。レンズ31と結晶34との組合せは、図1に示す構成において、偏光子25と光検出器26との間に配置され得る。第二の調和信号は、ポンプパルスバックグラウンドの存在なしで、THz場によるプローブパルス変調を運ぶ。しかし、この配置は、レーザーノイズからのノイズレベルを増加させ得る。なぜなら、レーザーノイズが、第二の調和信号の発生の間に増幅されるからである。従って、この方法は、非常にクワイエットなレーザー源を用いるシステムに適する。
【0029】
(B.光伝導性アンテナトランシーバー)
図4は、トランシーバーとしての光伝導性アンテナの機能を実証するための、例示的な構成の一部を示す。レーザー源および遅延ステージの部分は、図1に示す構成と類似であり、従って、図4においては繰り返さない。図4は、同期した光パルス(ポンプパルス16およびプローブパルス17)の対が、光伝導性双極子アンテナ40を照射する場合をピックアップする。双極子アンテナ40は、電源(図示せず、代表的には、バッテリーのような直流電源)によってバイアスされており、そしてレンズ42に取り付けられている。
【0030】
ポンプパルス16は、双極子アンテナ40を励振することによって、THzパルス19を発射する。THzパルス19は、放物面ミラー20aによって平行化され、そしてサンプル21によって反射される。ポンプ−パルス誘導光電流の妨害を単離するために、機械的チョッパー22が、THzパルスを変調する。プローブパルス17は、双極子アンテナ40を使用して、反射THz信号をサンプリングする。反射THz信号およびプローブパルス17が同時に双極子アンテナ40に到達することによって、アンテナの電極(図示せず)間に電流を誘導し、この電流は、THz電場に比例する。ロックイン増幅器23が、この電流を検出する。ロックイン増幅器23の下流の電子機器(例えば、図1に示すような光検出器80)は、光伝導性アンテナトランシーバーシステムに対して、電気光学結晶トランシーバーシステムのものと同じであり得る。
【0031】
ポンプパルス16とプローブパルス17との両方が、同じ光伝導体を照射するので、これらのパルスは同じ様式で電流を誘導する。しかし、プローブ17に関連する電流のみが、THzパルス19によって変調される。電源(代表的には、直流場)に関連する光電流は、変調されず、従って、ロックイン増幅器23は、この光電流をフィルタリングにより除去し得、その結果、この信号が抽出され得る。ポンプパルス16およびプローブパルス17は、代表的に、これらの相対的タイミングを除いて、同一である。いずれのパルスが先に発生されても、早い方がポンプパルスとして働く。
【0032】
1つの例示的な実施形態において、800nmの中心波長、120fsのレーザーパルス、および86MHzの繰返し数を有する、Ti:サファイアレーザー(Coherent Mira)が、光源として使用され、そしてポンプパルスおよびプローブパルスに対する平均出力は、20mWであった。アンテナ40は、低温で成長したGaAsであり、50μm長であり、9Vのバッテリーでバイアスされており、そしてシリコンレンズ42に取り付けられた。チョッパー22は、453HzでTHzパルスを変調し、そしてサンプル21は、金属ミラーであった。測定されたTHz波形は、約200の信号対ノイズ比(SNR)を有した。
【0033】
図5は、図4に示すシステムによって発生したTHz信号の、例示的な測定された時間的な波形のプロットを示す。第一の信号120は、金属チョッパーブレードからのTHz反射であり、このチョッパーブレードは、THzパルスの伝播方向に対して本質的に垂直に設定された。第二の信号122は、このチョッパーを通して伝達され、そして金属ミラーから反射して戻されたTHz信号である。図5に示すように、ロックイン増幅器23を用いて測定される場合に、第一の信号と第二の信号との間には、πの位相差が存在し、これは、逆の極性を生じる。2つのTHz信号間の時間遅延τは、チョッパー22と金属ミラーサンプル21との間を移動するTHzパルスの、往復時間である。チョッパーブレードからの反射は、自動的に、システム較正のための参照マーカーとして働く。
【0034】
ポンプパルス、プローブパルス、およびバイアス電圧によって発生する光電流は、図5に示すシステムにおけるノイズに寄与する。信号対ノイズ比は、少なくとも部分的に、フィルタリング回路および操作条件(例えば、チョッパー変調周波数)に依存し得る。変調周波数を、例えば2〜3kHz増加させることによって、より良好な信号対ノイズ比を提供し得る。なぜなら、ノイズの密度は、より高い周波数に対して減少するからである。
【0035】
(C.断層撮影画像化)
THzトランシーバーは、反射幾何学的構造における断層撮影THz画像化を可能にし、ここで、THzパルスは、金属物体の異なる層から反射される。これらのパルスの時間遅延を使用して、断層撮影画像を構築する。図1に示すような、ロックイン増幅器23からの信号を受信する、データプロセッサ80を使用して、時間遅延したテラヘルツ信号に基づいて、画像化される物体の断層撮影画像を作成する。電磁パルスの時間遅延に基づいて断層撮影画像を作成するための、データプロセッサ(例えば、対応するソフトウェアを備えるコンピュータ)は、当該分野において一般的に公知であり、そしてデータプロセッサ80は、任意のこのような公知のデバイスであり得る。
【0036】
上で議論したように、(110)亜鉛ブレンド結晶によって構築される電気光学的トランシーバーの作業効率は、ポンプパルス偏光が、この結晶の結晶学的z軸から反時計回りに約25°〜26°である場合に、最適化される。図1に示す構成は、電気光学的トランシーバーを用いるTHz断層撮影画像化システムのために、使用され得る。別個の送信器および受信器よりむしろ、本発明の方法によるトランシーバーの使用は、サンプルに対するTHzパルスの、垂直な入射を可能にする。
【0037】
電気光学的トランシーバーを使用するTHz断層撮影画像化は、金属ミラー61に糊付けされた図6に示されるようなカミソリ60を画像化することによって実証された。ここで、このカミソリとミラーとの組み合わせを、図1に示す構成におけるサンプル21の代わりに使用した。図7は、同じサンプルにおける3つの異なる反射金属層(すなわち、カミソリ60の金属ハンドル62からのピーク72、カミソリ表面64からのピーク74、およびカミソリ表面64の穴66または68を通して反射されるような、下にある金属ミラー61からのピーク76)から反射されたTHz波形を示す。ピーク強度のタイミングの差異は、これらの層の空間的分離を示す。このタイミングの差異を使用して、図8に示すような、カミソリの三次元断層撮影画像を構築し得る。THzパルスが異なる金属層の境界に入射する場合には、このパルスの一部のみが反射して戻り得、そして検出され得、ピークTHz強度を低下させる。従って、ピーク強度分布もまた、図9に示すように、物体の輪郭を示すTHz画像を形成し得る。
【0038】
図1に示す例示的な画像化システムの能力を、図10Aおよび10Bにそれぞれ示されるような、米国の25セント硬貨および英国の50ペンス硬貨のTHz断層撮影画像を作成することによって、実証した。画像のコントラストは、THzパルスの焦点の大きさおよびバックグラウンドの金属表面の平坦性によって、影響を受ける。バックグラウンド表面が特に平坦ではない場合には、図11Aおよび11Bに示すように、画像は、特定の短いタイミングウィンドウ内で、ピーク強度の観点から表示され、画像化される物体の何らかの付加的な情報を獲得し得る。短いタイミングウィンドウの幅は、平坦さからの偏差の程度によって決定される。2つの画像化領域が2つの異なる反射層上にあり、そしてこれらの空間的分離が十分に大きい場合には、画像は、図11Aおよび11Bに示すように、空間的分離によって決定されるような2つの異なるタイミング位置において、表示され得る。この方法は、ピーク振幅のタイミングに基づいて画像を表示することなく、三次元THz画像化を可能にする。
【0039】
電気光学的トランシーバーを使用する画像化システムは、ミリメートルのオーダーの空間解像度およびミリメーター未満のオーダーの深度解像度を有する。10メートル離れた物体、および水蒸気吸収に依存して100メートル以上離れた物体の画像化が、実施可能である。従って、テラヘルツトランシーバーは、壁またはドアを通しての物体の画像化を可能にし得る。例えば、テラヘルツ画像化は、テロリストの位置、テロリストの武器、および閉じたドアの後の人質を検出するために、法律の施行において使用され得る。
【0040】
特定の具体的な実施形態を参照して上に説明および記載したが、本発明は、それにもかかわらず、示される詳細に制限されるとは意図されない。むしろ、種々の改変が、細部において、特許請求の範囲の均等物の範囲内で、そして本発明の意図から逸脱することなく、なされ得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】
図1は、電気光学結晶トランシーバーを組み込む例示的な構成の概略図である。
【図2】
図2は、図1の構成を使用して発生された、例示的な波形のプロットである。
【図3】
図3は、電気光学結晶トランシーバーの実施形態のための、例示的なノイズ低下装置の部分概略図を示す。
【図4】
図4は、光伝導性アンテナトランシーバーを組み込む例示的な構成の概略図である。
【図5】
図5は、図4の構成を使用する、例示的な測定された時間的な波形のプロットである。
【図6】
図6は、先行技術において公知のような通常のカミソリの刃の図である。
【図7】
図7は、図6のカミソリの刃の異なる層から反射した、THz波形のプロットの図である。
【図8】
図8は、本発明の例示的な実施形態を使用して作成した、図6のカミソリの刃の断層撮影画像であり、ここで、z軸方向のグレーレベルは、ピコ秒(ps)のピーク振幅のタイミングを表し、そしてx軸およびy軸の単位は、センチメートル(cm)である。
【図9】
図9は、本発明の例示的な実施形態を使用して作成した、図6のカミソリの刃の画像であり、ここで、z軸方向のグレーレベルは、ピーク振幅強度を表し、そしてx軸およびy軸の単位は、センチメートル(cm)である。
【図10A】
図10Aは、本発明の例示的な実施形態を使用して作成した、米国の25セント硬貨の画像であり、ここで、グレーレベルは、ピーク振幅のタイミングを表す。
【図10B】
図10Bは、本発明の例示的な実施形態を使用して作成した、英国の50ペンス硬貨の画像であり、ここで、グレーレベルは、ピーク振幅のタイミングを表す。
【図11A】
図11Aは、本発明の例示的な実施形態を使用して作成した、米国の25セント硬貨の画像であり、ここで、グレーレベルは、特定のタイミングウィンドウ内におけるピーク振幅を表す。
【図11B】
図11Bは、本発明の例示的な実施形態を使用して作成した、英国の50ペンス硬貨の画像であり、ここで、グレーレベルは、特定のタイミングウィンドウ内におけるピーク振幅を表す。
【図12】
図12は、例示的な光ファイバーTHzトランシーバーを示す。
(関連出願の引用)
本願は、2000年4月6日に出願された、米国仮特許出願番号60/195,554、および2000年4月7日に出願された、米国仮特許出願番号60/195,708(これらの両方は、参考として援用される)に基づく優先権を主張する。
【0002】
(技術分野)
本発明は、一般に、電磁パルスの放出および検出に関し、より具体的には、テラヘルツ(THz)の周波数範囲での使用のための、トランシーバーに関する。
【0003】
(発明の背景)
電気光学結晶および光伝導性双極子アンテナは、テラヘルツ(THz)時間領域分光法および関連する画像化適用において、広範に使用されてきた。例えば、Zhangらに対して発行された米国特許第5,952,818号は、リアルタイムの二次元遠赤外画像化装置のために適切な、自由空間電磁放射線を特徴付けるための、電気光学感知装置および方法を開示する。パルス化されたテラヘルツ電磁放射線が、電気光学結晶を照射し、ポッケルス効果によって屈折率を変調する。フェムト秒光学パルスは、場により誘導される屈折率の変化を、この結晶を通過することによってプローブする。プローブパルスにおける場により誘導される楕円変調を、強度変調に変換するために、プローブパルスが、補償器および偏光子によって分析され、そして光検出器によって検出される。
【0004】
Nussに対して発行された米国特許第5,789,750号は、テラヘルツ送信器またはテラヘルツ検出器のいずれかとして使用され得る、光伝導性双極子アンテナ構造体の使用を議論する。Mittlemanらに対して発行された米国特許第6,078,047号は、テラヘルツ断層撮影画像化のための方法および装置を開示し、この装置は、光伝導性テラヘルツ送信器、および別個の光伝導性テラヘルツ検出器を備え、この送信器は、試験物体を照射するためのテラヘルツ放射線を発生させ、そしてこの検出器は、この物体によって反射されたパルスを検出するためのものである。物体によって反射されたパルスの相対的な時間の遅れの測定を使用して、この物体における誘電界面の位置を決定する。
【0005】
しかし、上記特許および当該分野における他の箇所に記載されるような、THz時間領域分光法のために使用される標準的な装置において、別個の送信器および受信器が、THz信号を放出および検出するために使用される。検出は、放出の逆のプロセスであるので、送信器および受信器は、同一のデバイスであり得る。単一のデバイスを送信器と受信器との両方(「トランシーバー」)として使用することによって得られる利点にもかかわらず、テラヘルツトランシーバーは、当該分野において以前には公知でもなく使用されてもいなかった。これは主として、認識される技術的困難および固有の複雑さ(例えば、認容可能な信号対ノイズ比を提供する困難性)に起因する。
【0006】
(発明の要旨)
本発明は、テラヘルツ周波数の電磁パルスを放出および検出するためのシステムを包含する。このシステムは、このパルスの放出と検出との両方のための、単一のトランシーバーデバイスを有する。特に、このデバイスは、電気光学結晶または光伝導性アンテナであり得る。
【0007】
1つの実施形態において、このシステムは、対応する複数のテラヘルツ出力パルスおよび複数のプローブパルスを放出するようにトランシーバーを励振させるための、複数のポンプパルスを提供するための、光源および関連する光学機器をさらに備え得る。チョッパーが、このテラヘルツ出力パルスを、第一の周波数で変調する。物体が、この変調テラヘルツ出力パルスによって照射され、そして複数の変調テラヘルツ出力パルスを反射する。このプローブパルスは、対応する複数の反射テラヘルツパルスと同時にトランシーバーを照射するように、タイミングを合わせられる。ロックイン増幅器(その参照入力がチョッパーのクロック出力に接続されている)が、トランシーバーによって検出される対応する反射テラヘルツパルスに比例する情報を運ぶ、複数の電気信号を受信する。同期されたチョッパーおよびロックイン増幅器の使用は、ロックイン増幅器が信号におけるノイズを低下させることを可能にする。
【0008】
1つの実施形態において、小型電気光学結晶が、光ファイバーの端部に設置され得る。この小型電気光学結晶は、例えば、1mm3未満の体積を有し得る。この光ファイバーは、変更保存型光ファイバーであり得る。
【0009】
本発明はまた、テラヘルツ周波数の電磁パルスを放出および検出するための方法を包含する。この方法は、テラヘルツ周波数の電磁パルスを単一のトランシーバーデバイスで放出および検出する工程を包含する。この方法は、さらに、このトランシーバーデバイスをポンプパルスで励振させて、第一のテラヘルツ周波数出力パルスを放出させる工程を包含し得る。このテラヘルツ周波数の出力パルスは、第一の周波数に設定されたチョッパーを用いて変調される。物体が、この変調テラヘルツ周波数出力パルスで照射され、この物体は、反射テラヘルツパルスを反射する。このトランシーバーデバイスは、プローブパルスがこのトランシーバーデバイスを照射すると同時に、この反射テラヘルツパルスで照射され、その結果、このトランシーバーデバイスは、反射テラヘルツパルスからの情報を運ぶ、第一の信号を発生させる。
【0010】
このトランシーバーデバイスが電気光学結晶である場合には、テラヘルツパルスは、この電気光学結晶においてプローブパルスを変調し、そしてこの電気光学結晶は、この電気光学結晶の後表面から、変調プローブパルスを反射する。第一の信号は、反射変調プローブパルスを含む。このような場合には、この方法はさらに、この反射変調プローブパルスを光検出器で検出する工程;上記情報を第二の信号に変換する工程;およびこの第二の信号におけるノイズをロックイン増幅器で低下させて、第三のノイズが低下した信号を発生させる工程を包含する。
【0011】
このトランシーバーデバイスが光伝導性アンテナである場合には、この方法は、テラヘルツパルスおよびプローブパルスを通して、第一の信号を含む電流をアンテナにおいて生じさせる工程を包含し得る。この方法はさらに、第一の信号におけるノイズをロックイン増幅器で低下させて、第二のノイズが低下した信号を発生させる工程を包含する。
【0012】
物体は、複数の層を有し得、各層は、トランシーバーから異なる距離にある。この方法は、さらに、複数のポンプパルス、プローブパルス、およびテラヘルツパルスを発生させる工程を包含し得、その結果、この物体は、複数の対応する反射テラヘルツパルスを反射し、各パルスが、このパルスを反射した層のトランシーバーからの距離に対応する、ピーク振幅強度およびピーク振幅タイミングを有する。次いで、この物体の断層撮影画像が、このピーク振幅強度またはピーク振幅タイミングを使用して、作成され得る。
【0013】
上記一般的な記載と以下の詳細な記載との両方は、本発明の例示であるが、本発明を制限しないことが、理解されるべきである。
【0014】
本発明は、添付の図面と組み合わせて読まれる場合に、以下の詳細な説明から最良に理解される。一般的な実施に従って、この図面の種々の特徴は、同一縮尺ではないことが強調される。対照的に、種々の特徴の寸法は、明瞭さのために、任意に拡大または縮小されている。図面には、以下に記載される図が含まれる。
【0015】
(発明の詳細な説明)
THzの送信器と受信器とが空間的および機能的に別個のデバイスである、従来の構成とは異なり、本発明のTHzトランシーバーは、2つの機能を1つのデバイスに合わせる。このTHzトランシーバーは、交互にTHzの周波数でパルス電磁放射線を伝達し、そして戻った信号を受信する。このTHzトランシーバーは、電気光学結晶または光伝導性アンテナを備え得る。電気光学結晶トランシーバーについては、電磁放射線は、光学的に整流され、そして戻った光学信号は、フェムト秒光学機器を使用して、電気光学効果を介して、この結晶によって受信される。電気光学結晶と光伝導性アンテナの両方の実施形態において、このシステムの複雑性は、別個の放出器と受信器とではなく、単一のトランシーバーのみを使用することによって、大いに減少する。
【0016】
光伝導性トランシーバーの実施形態と電気光学トランシーバーの実施形態との性能の比較は、別個のTHz送信器および受信器を使用する電気光学的方法に対する光伝導性方法の任意の比較に類似している。電気光学的トランシーバーは、代表的に、光伝導性アンテナより多くの光学出力を必要とするが、低い周波数においてはより低い信号対ノイズ比を有する。電気光学的トランシーバーは、代表的に、光伝導性アンテナより広い帯域幅を有し、そしてより小さなトランシーバーについての可能性を与える。これは部分的には、電気光学結晶の実施形態が、光伝導性アンテナの実施形態は多くの代表的な配線およびパッケージを有さないことに起因する。図12に示すように、小型電気光学結晶トランシーバー700(例えば、約1mm3未満の体積を有する)は、偏光保存型光ファイバー702の端部に取り付けられて、真の光ファイバーTHzトランシーバーを提供し得る。
【0017】
THzトランシーバーを使用するための配置は、2つのアンテナまたは結晶および2つの放物面ミラーを使用する、従来のTHzシステムより複雑ではない。単一のトランシーバーを有することはまた、光学機器の整列を単純化する。THzトランシーバーは、THz測距およびTHz感知において独自の適用を有し得、そして特に、反射配置において、THz画像化および断層撮影のために理想的であり得る。超高速ファイバーレーザーおよび光ファイバー接続の使用とともに、THzトランシーバーは、THz分光法および画像化システムの寸法をさらに減少させることを補助し得る。
【0018】
本発明のTHzトランシーバーの電気光学結晶実施形態および光伝導性アンテナ実施形態は、以下にさらに詳細に議論される。電気光学結晶トランシーバーに対する例示的な断層撮影適用もまた、議論される。
【0019】
(A.電気光学結晶トランシーバー)
図1は、電気光学結晶トランシーバーの機能を実証する例示的な構成を示す。レーザー10は、光パルスを発生させ、このパルスは最初に、経路11を通って偏光子12へと移動する。偏光子12は、任意である。偏光パルスは、経路11aに沿って移動してビームスプリッタ13aに当たり、このビームスプリッタは、このパルスの一部をポンプパルスとして、経路11bに放出し、そしてこのパルスの一部をプローブパルスとして、経路11cに沿って反射する。経路11cに沿って移動するプローブパルスは、ミラー13bで跳ね返り、次いで可動ステージ15においてミラー13cおよび13dで跳ね返り、次いでビームスプリッタ13eおよび13fで跳ね返る。可動ステージ15は、矢印Aに沿って前後に移動可能である。従って、遅延ステージ14(可動ステージ15は、この遅延ステージの構成要素である)は、ポンプパルス16とプローブパルス17との間の可変の遅延を提供する。技術者は、遅延ステージ14をしばしば、マイケルソン干渉計と称する。
【0020】
ポンプパルス16は、最初に、電気光学(EO)結晶18を照射し、この結晶は、光学的整流を介して、THzパルス19を発生させる。機械的チョッパー22が、THzパルス19を変調する。THzパルス19は、1つ以上の放物面ミラー20aおよび20bによって平行化され、そしてサンプル21から反射される(矢印Bによって示されるように)。プローブパルス17は、反射THz信号を、EO結晶18における電気光学効果を介してサンプリングし、ここで、このプローブパルスの位相は、反射THzパルスによって変調される。次いで、このプローブパルスは、EO結晶18の後表面24から反射し、そしてビームスプリッタ13fから反射され、ビームスプリッタ13eを通して伝達され、そしてミラー13gによって反射され、光学分析器(偏光子)25を通過し、そして光検出気26によって検出される。偏光子25は、反射テラヘルツパルスによって誘導される、プローブパルスにおける位相変化を、強度の変化に変換し、これは、光検出器26によって検出され得る。ロックイン増幅器23(その反射入力(図示せず)がチョッパー22のクロック出力(図示せず)に接続されており、その結果、その周波数がチョッパーの周波数に自動的にロックされる)が、バックグラウンドノイズから所望の信号を抽出する。
【0021】
データプロセッサ80(例えば、処理ソフトウェアを含むコンピュータ)は、任意の単一単位または複数の処理単位を含み得、これは、ロックイン増幅器23からの出力信号を、処理するか、格納するか、または処理と格納との両方を行う。データプロセッサ80は、例えば、反射テラヘルツパルスの強度または時間遅延に基づいて、サンプル21の画像を作成し得る。この機能は、以下にさらに議論される。
【0022】
ミラー13a〜gおよび20a、bの数は、所望の特定の構成の物理的必要性に取り組むために必要とされるように、変化され得る。例えば、ミラー20bが図1において示されている位置にサンプル21を配置して、単一のミラー20aのみが、平行化のために使用され得る。別の実施形態において、ミラーが全く使用されないかもしれない。また、マイケルソン干渉計を使用する代わりに、プローブパルス17は、当該分野において公知の任意の他の方法によって、発生され、ポンプパルス16と同期したプローブパルスを提供し得る。
【0023】
1つの例示的な実施形態において、再生的に増幅されたTi:サファイアレーザー(例えば、Coherent Rega 9000)(800nm、180fsのパルス持続時間および250kHzの繰返し数を有する)を使用して、パルスを発生させた。電気光学結晶18は、4.5mm厚の<110>配向ZnTe結晶であった。ポンプパルス16とプローブパルス17との平均出力は、約105mWであり、そしてチョッパー22は、450Hzにおいて、テラヘルツパルスを変調した。比較的広い(例えば、約2cm)スロットチョッパーブレードを使用して、THzパルスの比較的大きな大きさに適合させることによって、比較的低い変調周波数が提供された。ロックイン増幅器23は、300msの積分時間を有した。
【0024】
光学プローブパルスの偏光方向は、光学ポンプパルスの偏光方向に対して平行であり、そして光学偏光子25(分析器)は、より良好なポンプパルスの阻止およびプローブパルスの交差バランス検出のために、入力偏光子12によって提供される偏光に対して垂直に配向された。ポンプパルス偏光の最適な配向(理論的計算によって予測される場合)は、好ましくは、(110)ZnTe結晶の(001)z軸から反時計回りに約25.7°であり、そして発生したTHz場の偏光は、このz軸から反時計回りに約77°であった。他の配向もまた、使用され得る。
【0025】
図2は、サンプル21として金属ミラーを使用し、そしてこのミラーをTHz伝播方向に沿って矢印Cの方向に、1mmのステップで(6.6psの往復時間で)移動させることによって測定した、波形のセットを示す。図2に示される第一の信号27a〜eは、金属チョッパーブレードからのTHz反射であり、これは、THzパルスの伝播方向に対して実質的に垂直に設定された。従って、第一の信号27a〜eの時間位置は、固定されている。第二の信号28a〜eは、金属ミラーから反射されたTHz信号である。第二の信号の位置は、ミラーの位置とともにシフトする。
【0026】
2つのTHz信号間の時間遅延は、チョッパーと金属ミラーとの間を移動するTHzパルスの往復運動時間である。チョッパーブレードからの反射は、自動的に、システム較正のための参照マーカーとして働く。チョッパーから反射された信号の位相と、チョッパーの背後の金属ミラーから反射された信号の位相との間には、πの位相差が存在し、これは、チョッパーによって伝達されるTHzパルスと反射されるTHzパルスとの間の位相差から生じる。従って、ロックイン増幅器を用いて測定されたこれら2つの信号は、逆の偏光を示す。図2に示す、第二の信号28a〜eと第一の信号27a〜eとの間の時間遅延は、断層撮影に対する本発明の適合性を実証する。
【0027】
平行な光学ポンプおよびプローブ偏光を用いるクロスバランス検出が存在することを条件として、電気光学THzトランシーバーの全体の効率は、別個に使用される送信器および受信器より約50%低い。理論的計算と実験結果との両方が、1:1のポンプ:プローブ出力比を用いる操作が最適であることを示す。図2に示す結果は、約1.8nAのTHz信号に対するピーク間電流、および約6.8pAのノイズ下限を示し、約270のダイナミックレンジを提供する。このダイナミックレンジは、チョッパー変調周波数およびパルス整列の正確さに依存して、変化され得る。例えば、より高い変調周波数は、より低い変調周波数よりも大きなダイナミックレンジを提供し得る。
【0028】
ポンプパルスおよびプローブパルスは同一直線状であるので、電気光学トランシーバーは、反射されたポンプレーザーパルスの存在に起因して、光学バックグラウンドを有する。プローブパルスに追加される大きな光学バックグラウンドは、システム性能に影響を与え得る(例えば、信号対ノイズ比を低下させることによって)が、光学バックグラウンドの影響を緩和または排除するために利用可能な、いくつかの方法が存在する。1つの方法は、異なるタイミングのポンプパルス16およびプローブパルス17を使用して、ポンプパルスバックグラウンドを区別することである。例えば、図3に示すように、レンズ31は、結晶34(例えば、β−ホウ酸バリウム(BBO))の前方に配置され得る。ゲートパルス30を使用して、プローブパルスをトランシーバーから反射させて、バックグラウンドのない第二の調和信号32を発生させる。レンズ31と結晶34との組合せは、図1に示す構成において、偏光子25と光検出器26との間に配置され得る。第二の調和信号は、ポンプパルスバックグラウンドの存在なしで、THz場によるプローブパルス変調を運ぶ。しかし、この配置は、レーザーノイズからのノイズレベルを増加させ得る。なぜなら、レーザーノイズが、第二の調和信号の発生の間に増幅されるからである。従って、この方法は、非常にクワイエットなレーザー源を用いるシステムに適する。
【0029】
(B.光伝導性アンテナトランシーバー)
図4は、トランシーバーとしての光伝導性アンテナの機能を実証するための、例示的な構成の一部を示す。レーザー源および遅延ステージの部分は、図1に示す構成と類似であり、従って、図4においては繰り返さない。図4は、同期した光パルス(ポンプパルス16およびプローブパルス17)の対が、光伝導性双極子アンテナ40を照射する場合をピックアップする。双極子アンテナ40は、電源(図示せず、代表的には、バッテリーのような直流電源)によってバイアスされており、そしてレンズ42に取り付けられている。
【0030】
ポンプパルス16は、双極子アンテナ40を励振することによって、THzパルス19を発射する。THzパルス19は、放物面ミラー20aによって平行化され、そしてサンプル21によって反射される。ポンプ−パルス誘導光電流の妨害を単離するために、機械的チョッパー22が、THzパルスを変調する。プローブパルス17は、双極子アンテナ40を使用して、反射THz信号をサンプリングする。反射THz信号およびプローブパルス17が同時に双極子アンテナ40に到達することによって、アンテナの電極(図示せず)間に電流を誘導し、この電流は、THz電場に比例する。ロックイン増幅器23が、この電流を検出する。ロックイン増幅器23の下流の電子機器(例えば、図1に示すような光検出器80)は、光伝導性アンテナトランシーバーシステムに対して、電気光学結晶トランシーバーシステムのものと同じであり得る。
【0031】
ポンプパルス16とプローブパルス17との両方が、同じ光伝導体を照射するので、これらのパルスは同じ様式で電流を誘導する。しかし、プローブ17に関連する電流のみが、THzパルス19によって変調される。電源(代表的には、直流場)に関連する光電流は、変調されず、従って、ロックイン増幅器23は、この光電流をフィルタリングにより除去し得、その結果、この信号が抽出され得る。ポンプパルス16およびプローブパルス17は、代表的に、これらの相対的タイミングを除いて、同一である。いずれのパルスが先に発生されても、早い方がポンプパルスとして働く。
【0032】
1つの例示的な実施形態において、800nmの中心波長、120fsのレーザーパルス、および86MHzの繰返し数を有する、Ti:サファイアレーザー(Coherent Mira)が、光源として使用され、そしてポンプパルスおよびプローブパルスに対する平均出力は、20mWであった。アンテナ40は、低温で成長したGaAsであり、50μm長であり、9Vのバッテリーでバイアスされており、そしてシリコンレンズ42に取り付けられた。チョッパー22は、453HzでTHzパルスを変調し、そしてサンプル21は、金属ミラーであった。測定されたTHz波形は、約200の信号対ノイズ比(SNR)を有した。
【0033】
図5は、図4に示すシステムによって発生したTHz信号の、例示的な測定された時間的な波形のプロットを示す。第一の信号120は、金属チョッパーブレードからのTHz反射であり、このチョッパーブレードは、THzパルスの伝播方向に対して本質的に垂直に設定された。第二の信号122は、このチョッパーを通して伝達され、そして金属ミラーから反射して戻されたTHz信号である。図5に示すように、ロックイン増幅器23を用いて測定される場合に、第一の信号と第二の信号との間には、πの位相差が存在し、これは、逆の極性を生じる。2つのTHz信号間の時間遅延τは、チョッパー22と金属ミラーサンプル21との間を移動するTHzパルスの、往復時間である。チョッパーブレードからの反射は、自動的に、システム較正のための参照マーカーとして働く。
【0034】
ポンプパルス、プローブパルス、およびバイアス電圧によって発生する光電流は、図5に示すシステムにおけるノイズに寄与する。信号対ノイズ比は、少なくとも部分的に、フィルタリング回路および操作条件(例えば、チョッパー変調周波数)に依存し得る。変調周波数を、例えば2〜3kHz増加させることによって、より良好な信号対ノイズ比を提供し得る。なぜなら、ノイズの密度は、より高い周波数に対して減少するからである。
【0035】
(C.断層撮影画像化)
THzトランシーバーは、反射幾何学的構造における断層撮影THz画像化を可能にし、ここで、THzパルスは、金属物体の異なる層から反射される。これらのパルスの時間遅延を使用して、断層撮影画像を構築する。図1に示すような、ロックイン増幅器23からの信号を受信する、データプロセッサ80を使用して、時間遅延したテラヘルツ信号に基づいて、画像化される物体の断層撮影画像を作成する。電磁パルスの時間遅延に基づいて断層撮影画像を作成するための、データプロセッサ(例えば、対応するソフトウェアを備えるコンピュータ)は、当該分野において一般的に公知であり、そしてデータプロセッサ80は、任意のこのような公知のデバイスであり得る。
【0036】
上で議論したように、(110)亜鉛ブレンド結晶によって構築される電気光学的トランシーバーの作業効率は、ポンプパルス偏光が、この結晶の結晶学的z軸から反時計回りに約25°〜26°である場合に、最適化される。図1に示す構成は、電気光学的トランシーバーを用いるTHz断層撮影画像化システムのために、使用され得る。別個の送信器および受信器よりむしろ、本発明の方法によるトランシーバーの使用は、サンプルに対するTHzパルスの、垂直な入射を可能にする。
【0037】
電気光学的トランシーバーを使用するTHz断層撮影画像化は、金属ミラー61に糊付けされた図6に示されるようなカミソリ60を画像化することによって実証された。ここで、このカミソリとミラーとの組み合わせを、図1に示す構成におけるサンプル21の代わりに使用した。図7は、同じサンプルにおける3つの異なる反射金属層(すなわち、カミソリ60の金属ハンドル62からのピーク72、カミソリ表面64からのピーク74、およびカミソリ表面64の穴66または68を通して反射されるような、下にある金属ミラー61からのピーク76)から反射されたTHz波形を示す。ピーク強度のタイミングの差異は、これらの層の空間的分離を示す。このタイミングの差異を使用して、図8に示すような、カミソリの三次元断層撮影画像を構築し得る。THzパルスが異なる金属層の境界に入射する場合には、このパルスの一部のみが反射して戻り得、そして検出され得、ピークTHz強度を低下させる。従って、ピーク強度分布もまた、図9に示すように、物体の輪郭を示すTHz画像を形成し得る。
【0038】
図1に示す例示的な画像化システムの能力を、図10Aおよび10Bにそれぞれ示されるような、米国の25セント硬貨および英国の50ペンス硬貨のTHz断層撮影画像を作成することによって、実証した。画像のコントラストは、THzパルスの焦点の大きさおよびバックグラウンドの金属表面の平坦性によって、影響を受ける。バックグラウンド表面が特に平坦ではない場合には、図11Aおよび11Bに示すように、画像は、特定の短いタイミングウィンドウ内で、ピーク強度の観点から表示され、画像化される物体の何らかの付加的な情報を獲得し得る。短いタイミングウィンドウの幅は、平坦さからの偏差の程度によって決定される。2つの画像化領域が2つの異なる反射層上にあり、そしてこれらの空間的分離が十分に大きい場合には、画像は、図11Aおよび11Bに示すように、空間的分離によって決定されるような2つの異なるタイミング位置において、表示され得る。この方法は、ピーク振幅のタイミングに基づいて画像を表示することなく、三次元THz画像化を可能にする。
【0039】
電気光学的トランシーバーを使用する画像化システムは、ミリメートルのオーダーの空間解像度およびミリメーター未満のオーダーの深度解像度を有する。10メートル離れた物体、および水蒸気吸収に依存して100メートル以上離れた物体の画像化が、実施可能である。従って、テラヘルツトランシーバーは、壁またはドアを通しての物体の画像化を可能にし得る。例えば、テラヘルツ画像化は、テロリストの位置、テロリストの武器、および閉じたドアの後の人質を検出するために、法律の施行において使用され得る。
【0040】
特定の具体的な実施形態を参照して上に説明および記載したが、本発明は、それにもかかわらず、示される詳細に制限されるとは意図されない。むしろ、種々の改変が、細部において、特許請求の範囲の均等物の範囲内で、そして本発明の意図から逸脱することなく、なされ得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】
図1は、電気光学結晶トランシーバーを組み込む例示的な構成の概略図である。
【図2】
図2は、図1の構成を使用して発生された、例示的な波形のプロットである。
【図3】
図3は、電気光学結晶トランシーバーの実施形態のための、例示的なノイズ低下装置の部分概略図を示す。
【図4】
図4は、光伝導性アンテナトランシーバーを組み込む例示的な構成の概略図である。
【図5】
図5は、図4の構成を使用する、例示的な測定された時間的な波形のプロットである。
【図6】
図6は、先行技術において公知のような通常のカミソリの刃の図である。
【図7】
図7は、図6のカミソリの刃の異なる層から反射した、THz波形のプロットの図である。
【図8】
図8は、本発明の例示的な実施形態を使用して作成した、図6のカミソリの刃の断層撮影画像であり、ここで、z軸方向のグレーレベルは、ピコ秒(ps)のピーク振幅のタイミングを表し、そしてx軸およびy軸の単位は、センチメートル(cm)である。
【図9】
図9は、本発明の例示的な実施形態を使用して作成した、図6のカミソリの刃の画像であり、ここで、z軸方向のグレーレベルは、ピーク振幅強度を表し、そしてx軸およびy軸の単位は、センチメートル(cm)である。
【図10A】
図10Aは、本発明の例示的な実施形態を使用して作成した、米国の25セント硬貨の画像であり、ここで、グレーレベルは、ピーク振幅のタイミングを表す。
【図10B】
図10Bは、本発明の例示的な実施形態を使用して作成した、英国の50ペンス硬貨の画像であり、ここで、グレーレベルは、ピーク振幅のタイミングを表す。
【図11A】
図11Aは、本発明の例示的な実施形態を使用して作成した、米国の25セント硬貨の画像であり、ここで、グレーレベルは、特定のタイミングウィンドウ内におけるピーク振幅を表す。
【図11B】
図11Bは、本発明の例示的な実施形態を使用して作成した、英国の50ペンス硬貨の画像であり、ここで、グレーレベルは、特定のタイミングウィンドウ内におけるピーク振幅を表す。
【図12】
図12は、例示的な光ファイバーTHzトランシーバーを示す。
Claims (26)
- 1つ以上のテラヘルツ周波数の電磁パルスを放出および検出するためのシステムであって、該システムは、該パルスの放出と検出との両方のための、単一のトランシーバーデバイスを備える、システム。
- 前記単一のトランシーバーデバイスが、電気光学結晶を備える、請求項1に記載のシステム。
- 前記単一のトランシーバーデバイスが、光伝導性アンテナを備える、請求項1に記載のシステム。
- 請求項1に記載のシステムであって、さらに、以下:
光源および関連する光学機器であって、以下:
(a)前記トランシーバーを励振させて、対応する複数のテラヘルツ出力パルスを放出するための、複数のポンプパルス、および
(b)対応する複数の反射テラヘルツパルスと同時に該トランシーバーを照射するようタイミングを合わせられた、複数のプローブパルス、
を提供するための、光源および関連する光学機器;
第一の周波数においてテラヘルツ出力パルスを変調するための、クロック出力を有する、チョッパー;
該変調テラヘルツ出力パルスによって照射され、そして該反射された複数のテラヘルツパルスを反射する、物体;ならびに
ロックイン増幅器であって、該チョッパーのクロック出力に接続され、そして第一の周波数に自動ロックされた、参照入力を有し、複数の電気信号を受信し、そして該電気信号におけるノイズを低下させるためのものであり、各信号が、該トランシーバーによって検出されるような対応する反射テラヘルツパルスに比例する情報を運ぶ、ロックイン増幅器、
を備える、システム。 - 前記トランシーバーと前記物体との間に、1つ以上の放物面ミラーをさらに備える、請求項4に記載のシステム。
- 前記トランシーバーが、前記ロックイン増幅器によって受信された前記電気信号を発生させる、光伝導性アンテナであり、プローブパルスおよび反射テラヘルツパルスが該アンテナを同時に照射する場合に、各電気信号が発生する、請求項4に記載のシステム。
- 前記システムが、前記ロックイン増幅器からのノイズが低下された出力信号を処理するための、データプロセッサをさらに備える、請求項6に記載のシステム。
- 前記データプロセッサが、前記物体の異なる層からの反射パルス間の時間差に基づいて、断層撮影画像を作成するよう適合されている、請求項7に記載のシステム。
- 前記データプロセッサが、前記反射パルスの各々のピーク振幅に基づいて、画像を作成するよう適合されている、請求項7に記載のシステム。
- 前記トランシーバーが、複数の変調プローブパルスを反射する、電気光学結晶であり、該プローブパルスおよび反射テラヘルツパルスが、該トランシーバーを同時に照射し、そして該テラヘルツパルスが、該プローブパルスを変調する場合に、各変調プローブパルスが発生され、該システムが、さらに、以下:
該変調反射プローブパルスを検出するため、および前記ロックイン増幅器によって受信された複数の電気信号を発生させるための、光検出器であって、該電気信号が、該変調反射プローブパルスによって伝達される情報を運ぶ、光検出器、を備える、請求項6に記載のシステム。 - 前記システムが、前記ロックイン増幅器からのノイズが低下された出力信号を処理するためのデータプロセッサをさらに備える、請求項10に記載のシステム。
- 前記データプロセッサが、前記物体の異なる層からの反射パルス間の時間差に基づいて、断層撮影画像を作成するよう適合されている、請求項11に記載のシステム。
- 前記データプロセッサが、前記反射パルスの各々のピーク振幅に基づいて、画像を作成するよう適合されている、請求項11に記載のシステム。
- 前記電気光学結晶が、光ファイバーの端部に設置されている、請求項2に記載のシステム。
- 前記光ファイバーが、偏光保存型光ファイバーである、請求項14に記載のシステム。
- 前記電気光学結晶が、約1mm3未満の体積を有する、請求項15に記載のシステム。
- テラヘルツ周波数の電磁パルスを放出および検出するための方法であって、該方法は、以下の工程:
(a)単一のトランシーバーデバイスを使用して、該テラヘルツ周波数のパルスを放出および検出する工程、
を包含する、方法。 - 請求項17に記載の方法であって、さらに、以下の工程:
(a1)ポンプパルスを用いて前記トランシーバーデバイスを励振させ、第一のテラヘルツ周波数出力パルスを放出する工程;
(a2)チョッパーを用いて、該テラヘルツ周波数出力パルスを変調する工程;
(a3)物体が反射テラヘルツパルスを反射するように、該変調テラヘルツ周波数出力パルスで、該物体を照射する工程;および
(a4)プローブパルスが該トランシーバーデバイスを照射すると同時に、該反射テラヘルツパルスで該トランシーバーデバイスを照射する工程であって、その結果、該トランシーバーデバイスが、該反射テラヘルツパルスからの情報を運ぶ第一の信号を発生させる、工程、
を包含する、方法。 - 前記トランシーバーデバイスが、電気光学結晶であり、ここで、前記工程(a4)が、前記テラヘルツパルスが該プローブパルスを該電気光学結晶において変調する工程、および該電気光学結晶が該変調プローブパルスを該電気光学結晶の後表面から反射する工程を包含し、ここで、前記第一の信号が、反射変調プローブパルスを含み、該方法が、さらに、以下:
(a5)該反射変調プローブパルスを、光検出器を用いて検出する工程、および該情報を第二の信号に変換する工程;ならびに
(a6)該第二の信号のノイズを、前記ロックイン増幅器を用いて低下させて、第三のノイズが低下した信号を発生させる、工程、
を包含する、請求項18に記載の方法。 - 請求項19に記載の方法であって、さらに、以下:
(a7)前記第三のノイズが低下した信号を、データプロセッサを用いて処理する工程、
を包含する、方法。 - 前記物体が、複数の層を含み、各層が、前記トランシーバーからそれぞれの距離にあり、前記方法が、複数のポンプパルス、プローブパルス、およびテラヘルツパルスを発生させる工程を包含し、その結果、該物体が、複数の反射テラヘルツパルスを反射し、各反射パルスが、ピーク振幅強度を有し、該方法が、さらに、以下:
(a8)該ピーク振幅強度に関する情報を使用して、該物体の画像を作成する工程、
を包含する、請求項20に記載の方法。 - 前記物体が、複数の層を含み、各層が、前記トランシーバーからそれぞれの距離にあり、前記方法が、複数のポンプパルス、プローブパルス、およびテラヘルツパルスを発生させる工程を包含し、その結果、該物体が、複数の反射テラヘルツパルスを反射し、各反射パルスが、ピーク振幅タイミングを有し、該タイミングが、該トランシーバーからの該パルスを反射する該層の該距離に対応し、該方法が、さらに、以下:
(a8)該ピーク振幅タイミングに関する情報を使用して、該物体の画像を作成する工程、
を包含する、請求項20に記載の方法。 - 前記トランシーバーデバイスが、光伝導性アンテナであり、ここで、前記工程(a4)が、該テラヘルツパルスおよび前記プローブパルスが、前記第一信号を含むアンテナにおいて電流を生じさせる工程を包含し、該方法が、さらに、以下:
(a5)該第一信号におけるノイズを、ロックイン増幅器で低下させて、第二のノイズが低下した信号を生じさせる、工程、
を包含する、請求項18に記載の方法。 - 請求項23に記載の方法であって、さらに、以下:
(a6)前記ロックイン増幅器からの、前記第二のノイズが低下した信号を、データプロセッサで処理する工程
を包含する、方法。 - 前記物体が、複数の層を含み、各層が、前記トランシーバーからそれぞれの距離にあり、前記方法が、複数のポンプパルス、プローブパルス、およびテラヘルツパルスを発生させる工程を包含し、その結果、該物体が、複数の反射テラヘルツパルスを反射し、各反射パルスが、ピーク振幅強度を有し、該方法が、さらに、以下:
(a7)該ピーク増幅強度に関する情報を使用して、該物体の画像を作成する工程、
を包含する、請求項24に記載の方法。 - 前記物体が、複数の層を含み、各層が、前記トランシーバーからそれぞれの距離にあり、前記方法が、複数のポンプパルス、プローブパルス、およびテラヘルツパルスを発生させる工程を包含し、その結果、該物体が、複数の反射テラヘルツパルスを反射し、各反射パルスが、ピーク振幅タイミングを有し、該タイミングが、該トランシーバーからの該パルスを反射した該層の該距離に対応し、該方法が、さらに、以下:
(a7)該反射テラヘルツパルスの該ピーク振幅タイミングに関する情報を使用して、該物体の画像を作成する工程、
を包含する、請求項24に記載の方法。
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