JP2004363488A - 金属同士の半田接続構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】部品点数の増大及び基板への部品搭載位置精度の低下等を招くことなく、半田ボイドを低減させるとともに、高い接続信頼性を確保する。
【解決手段】チップ抵抗10の電極部12の接続表面11は、1次電極メッキ層15,16の上に2次メッキ層17を形成され、更に2次メッキ層17の上に3次メッキ層18を形成されている。3次メッキ層としてのSnメッキ層18には、半田ボイド排出用の凹状溝19が、チップ抵抗10の長手方向(図中左右方向)に沿って複数、ブラシ等を用いた後処理により形成されている。凹状溝19は、発生した半田ボイド30を図中矢印のように外方に排出させる通路となり、半田ボイド30を抜け易くする。また、リードフレーム20の接続表面21は、粗く形成されている。
【選択図】 図4
【解決手段】チップ抵抗10の電極部12の接続表面11は、1次電極メッキ層15,16の上に2次メッキ層17を形成され、更に2次メッキ層17の上に3次メッキ層18を形成されている。3次メッキ層としてのSnメッキ層18には、半田ボイド排出用の凹状溝19が、チップ抵抗10の長手方向(図中左右方向)に沿って複数、ブラシ等を用いた後処理により形成されている。凹状溝19は、発生した半田ボイド30を図中矢印のように外方に排出させる通路となり、半田ボイド30を抜け易くする。また、リードフレーム20の接続表面21は、粗く形成されている。
【選択図】 図4
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば基板とチップ部品、バスバー(リードフレーム)とチップ部品、基板とバスバー、基板とFPC(FFC)、バスバーとFFC(FPC)、FPCとチップ部品等の部品及び基板の金属からなる接続表面同士の半田接続において、半田ボイドを低減させるための金属同士の半田接続構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から電子部品の半田付け方法は知られている(例えば、特許文献1〜特許文献3参照)。図5は、特許文献1で開示されている電子部品の半田付け方法を示す図である。
【0003】
図5に示したように、電子部品の半田付け方法では、特性の異なる2種類の半田100,101(半田ペースト100、一対の半田チップ101)を基板102とパワートランジスタ103との間に介在させ、半田接続を行う。各半田チップ101は、半田ペースト100より融点が高く、且つ高さを半田ペースト100の厚さより大きくなるように形成されており、図中右側の半田チップ101の融点が図中左側の半田チップ101の融点より低い。これら半田ペースト100及び各半田チップ101の融点の相違により、パワートランジスタ103を基板102に対して傾けた状態で溶融半田面に接触させ、ボイド抜けを良くしている。
【0004】
図6(a)〜(c)は、特許文献2で開示されている半田付け方法を示す図である。図6(a)〜(c)に示したように、半田付け方法では、半田接続パターン110と部品111との間に融点の異なる2種類の半田112,113(半田チップ112、半田箔113)を置き、融点の高い半田チップ112を融点の低い半田箔113より厚く形成している。そして、部品114を融点の高い半田チップ112により保持させた状態で、融点の低い半田箔113を溶融させた後、融点の高い半田チップ112を溶融させることにより、半田付けを行っている。これにより、1回の半田付けで部品接続部下面にボイドを発生させることなく、半田付けを可能としている。
【0005】
図7〜図9は、特許文献3で開示されている半田付け方法を示す図である。図7〜図9に示したように、従来のチップ抵抗120及び基板121の金属からなる接続表面同士を半田接続する金属同士の半田接続構造では、チップ抵抗120の図7中左右両端部に設けられた電極部122(図中A部)が、基板121上に半田接続される。
【0006】
チップ抵抗120の電極部122において、セラミック製基板123の図8中右端部における図8中上面には、銀Ag−鉛Pb(ガラス系)層124が形成されるとともに、図8中下面には、銀Ag(ガラス系)層125が印刷により形成されている。また、セラミック製基板123の図7中上下面の端面から側端面(図8中右側端面)全体を覆うように、銀Ag(樹脂系)層126が印刷により形成され、銀Ag(ガラス系)層125及び銀Ag(樹脂系)層126により、チップ抵抗120の図8中下面に1次電極メッキ層が形成されている。更に、上述した各層上には、2次メッキ層としてのNiメッキ層127、及び3次メッキ層としてのSnメッキ層128が形成されている。
【0007】
【特許文献1】
特開2000―68637号公報(第3頁、第3図)
【特許文献2】
特開平8―293670号公報(第3頁、第1図)
【特許文献3】
特開平5―267024号公報(第2頁、第1図)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の図5に示す電子部品の半田付け方法、及び図6(a)〜(c)に示す半田付け方法では、いずれの場合でも2種類の半田(半田ペースト100、一対の半田チップ101(図5参照)、半田チップ112、半田箔113(図6参照))を使用する必要があるため、部品点数及び工数の増大を招き、コストを増大させるという問題があった。また、図5に示す電子部品の半田付け方法では、パワートランジスタ103を基板102に対して傾けて半田接続されるため、パワートランジスタ103の搭載位置のズレや傾きを生じる恐れがあり、部品搭載位置の精度が低いという問題があった。
【0009】
更に、図7〜図9に示した金属同士の半田接続構造では、チップ抵抗120の接続表面(図8中下面)に、1次電極メッキ層を形成する銀Ag(ガラス系)層125の図8中下方への突出に起因して形状的な凹凸が大きく、チップ抵抗120と基板121との半田接続の際、半田130の半田ボイド131が抜け難いという問題があった。
【0010】
本発明は、部品及び基板の金属からなる接続表面同士の半田接続において、部品点数の増大及び基板への部品搭載位置精度の低下等を招くことなく、半田ボイドを低減させることができ、高い接続信頼性を確保することができる金属同士の半田接続構造を提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の金属同士の半田接続構造は、部品及び基板の金属からなる接続表面同士を半田接続する金属同士の半田接続構造において、前記部品の接続表面側に半田ボイド排出用の凹状溝が、前記部品の長手方向に沿って少なくとも1個形成されるとともに、前記基板の接続表面が粗く形成されることを特徴とする。
前記凹状溝については、凹状であればいかなる断面形状であってもよく、例えばU字状、V字状等が考えられる。
【0012】
前記構成の金属同士の半田接続構造によれば、部品の接続表面に半田ボイド排出用の凹状溝が、部品の長手方向に沿って少なくとも1個形成されるので、部品及び基板を半田接続する際、半田ボイドが凹状溝を介して外方に排出され、半田ボイドが抜け易くなる。また、基板の接続表面が粗く形成されるので、部品及び基板を半田接続する際、フラックスの濡れ広がり性及び半田濡れ性が良くなる。したがって、半田ボイドが低減され、高い接続信頼性が確保される。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の金属同士の半田接続構造の一実施形態を図1〜図4に基づいて詳細に説明する。
【0014】
図1は本発明の一実施形態である金属同士の半田接続構造をリードフレームとチップ抵抗との半田接続に適用された例を示す斜視図、図2は図1のチップ抵抗を単体で示す斜視図、図3は図1のリードフレームとチップ抵抗との半田接続部分を示す要部拡大断面図、図4は図3のチップ抵抗の底面図である。
【0015】
図1〜図4に示すように、本実施形態の金属同士の半田接続構造では、チップ抵抗10及びリードフレーム20の金属からなる接続表面11,21同士が半田接続される。チップ抵抗10の電極部12の接続表面11は、1次電極メッキ層15,16の上に2次メッキ層17が形成され、更に2次メッキ層17の上に3次(表面)メッキ層18が形成されている。また、リードフレーム20の接続表面21は、粗く形成されている。
【0016】
すなわち、図3に示すように、チップ抵抗10の電極部12において、セラミック製基板13の図3中右端部における図3中上面には、銀Ag−鉛Pb(ガラス系)層14(厚さ5μm)が形成されるとともに、図3中下面には、銀Ag(ガラス系)層15(厚さ2〜3μm)が印刷により形成される。また、セラミック製基板13の図3中上下面の端面から側端面(図3中右側端面)全体を覆うように、銀Ag(樹脂系)層16(厚さ5μm)が印刷により形成され、銀Ag(ガラス系)層15及び銀Ag(樹脂系)層16により、チップ抵抗10の図3中下面に1次電極メッキ層が形成される。更に、上述した各層14,15,16上には、2次メッキ層としてのNiメッキ層17(厚さ10μm)、及び3次メッキ層としてのSnメッキ層18(厚さ7〜8μm)が形成される。
【0017】
3次メッキ層としてのSnメッキ層18には、半田ボイド排出用の凹状溝19が、チップ抵抗10の長手方向(図4中左右方向)に沿って複数(図4では4個)、ブラシ等を用いた後処理により形成されている。凹状溝19は、例えば断面視U字状に形成されており、発生した半田ボイド30を図4中矢印のように外方に排出させる通路となり、半田ボイド30を抜け易くする。
【0018】
本実施形態の作用を説明する。
チップ抵抗10の接続表面11に半田ボイド排出用の凹状溝19が形成されるので、チップ抵抗10及びリードフレーム20を半田接続する際、半田ボイド30が凹状溝19を介して外方に排出される。したがって、半田ボイド30が抜け易くなる。また、リードフレーム20の接続表面21が粗く形成されるので、チップ抵抗10及びリードフレーム20を半田接続する際、フラックスの濡れ広がり性及び半田濡れ性が良くなる。
【0019】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の金属同士の半田接続構造によれば、部品及び基板の金属からなる接続表面同士の半田接続において、部品の接続表面側に半田ボイド排出用の凹状溝が部品の長手方向に沿って少なくとも1個形成されるとともに、基板の接続表面が粗く形成される。したがって、部品点数の増大及び基板への部品搭載位置精度の低下等を招くことなく、半田ボイドを低減させることができ、高い接続信頼性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の本実施形態である金属同士の半田接続構造をリードフレームとチップ抵抗との半田接続に適用された例を示す斜視図である。
【図2】図1のチップ抵抗を単体で示す斜視図である。
【図3】図1のリードフレームとチップ抵抗との半田接続部分を示す要部拡大断面図である。
【図4】図3のチップ抵抗の底面図である。
【図5】特許文献1で開示されている電子部品の半田付け方法を示す要部断面図である。
【図6】特許文献2で開示されている半田付け方法を示す要部断面図である。
【図7】従来の金属同士の半田接続構造を示す断面図である。
【図8】図7のA部拡大断面図である。
【図9】図8のチップ抵抗の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
10 部品(チップ抵抗)
11 接続表面
12 電極部
13 セラミック製基板
14 銀Ag−鉛Pb(ガラス系)層
15 銀Ag(ガラス系)層(1次電極メッキ層)
16 銀Ag(樹脂系)層(1次電極メッキ層)
17 Niメッキ層(2次メッキ層)
18 Snメッキ層(3次メッキ層)
19 半田ボイド排出用の凹状溝
20 基板(リードフレーム)
21 接続表面
30 半田ボイド
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば基板とチップ部品、バスバー(リードフレーム)とチップ部品、基板とバスバー、基板とFPC(FFC)、バスバーとFFC(FPC)、FPCとチップ部品等の部品及び基板の金属からなる接続表面同士の半田接続において、半田ボイドを低減させるための金属同士の半田接続構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から電子部品の半田付け方法は知られている(例えば、特許文献1〜特許文献3参照)。図5は、特許文献1で開示されている電子部品の半田付け方法を示す図である。
【0003】
図5に示したように、電子部品の半田付け方法では、特性の異なる2種類の半田100,101(半田ペースト100、一対の半田チップ101)を基板102とパワートランジスタ103との間に介在させ、半田接続を行う。各半田チップ101は、半田ペースト100より融点が高く、且つ高さを半田ペースト100の厚さより大きくなるように形成されており、図中右側の半田チップ101の融点が図中左側の半田チップ101の融点より低い。これら半田ペースト100及び各半田チップ101の融点の相違により、パワートランジスタ103を基板102に対して傾けた状態で溶融半田面に接触させ、ボイド抜けを良くしている。
【0004】
図6(a)〜(c)は、特許文献2で開示されている半田付け方法を示す図である。図6(a)〜(c)に示したように、半田付け方法では、半田接続パターン110と部品111との間に融点の異なる2種類の半田112,113(半田チップ112、半田箔113)を置き、融点の高い半田チップ112を融点の低い半田箔113より厚く形成している。そして、部品114を融点の高い半田チップ112により保持させた状態で、融点の低い半田箔113を溶融させた後、融点の高い半田チップ112を溶融させることにより、半田付けを行っている。これにより、1回の半田付けで部品接続部下面にボイドを発生させることなく、半田付けを可能としている。
【0005】
図7〜図9は、特許文献3で開示されている半田付け方法を示す図である。図7〜図9に示したように、従来のチップ抵抗120及び基板121の金属からなる接続表面同士を半田接続する金属同士の半田接続構造では、チップ抵抗120の図7中左右両端部に設けられた電極部122(図中A部)が、基板121上に半田接続される。
【0006】
チップ抵抗120の電極部122において、セラミック製基板123の図8中右端部における図8中上面には、銀Ag−鉛Pb(ガラス系)層124が形成されるとともに、図8中下面には、銀Ag(ガラス系)層125が印刷により形成されている。また、セラミック製基板123の図7中上下面の端面から側端面(図8中右側端面)全体を覆うように、銀Ag(樹脂系)層126が印刷により形成され、銀Ag(ガラス系)層125及び銀Ag(樹脂系)層126により、チップ抵抗120の図8中下面に1次電極メッキ層が形成されている。更に、上述した各層上には、2次メッキ層としてのNiメッキ層127、及び3次メッキ層としてのSnメッキ層128が形成されている。
【0007】
【特許文献1】
特開2000―68637号公報(第3頁、第3図)
【特許文献2】
特開平8―293670号公報(第3頁、第1図)
【特許文献3】
特開平5―267024号公報(第2頁、第1図)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の図5に示す電子部品の半田付け方法、及び図6(a)〜(c)に示す半田付け方法では、いずれの場合でも2種類の半田(半田ペースト100、一対の半田チップ101(図5参照)、半田チップ112、半田箔113(図6参照))を使用する必要があるため、部品点数及び工数の増大を招き、コストを増大させるという問題があった。また、図5に示す電子部品の半田付け方法では、パワートランジスタ103を基板102に対して傾けて半田接続されるため、パワートランジスタ103の搭載位置のズレや傾きを生じる恐れがあり、部品搭載位置の精度が低いという問題があった。
【0009】
更に、図7〜図9に示した金属同士の半田接続構造では、チップ抵抗120の接続表面(図8中下面)に、1次電極メッキ層を形成する銀Ag(ガラス系)層125の図8中下方への突出に起因して形状的な凹凸が大きく、チップ抵抗120と基板121との半田接続の際、半田130の半田ボイド131が抜け難いという問題があった。
【0010】
本発明は、部品及び基板の金属からなる接続表面同士の半田接続において、部品点数の増大及び基板への部品搭載位置精度の低下等を招くことなく、半田ボイドを低減させることができ、高い接続信頼性を確保することができる金属同士の半田接続構造を提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明の金属同士の半田接続構造は、部品及び基板の金属からなる接続表面同士を半田接続する金属同士の半田接続構造において、前記部品の接続表面側に半田ボイド排出用の凹状溝が、前記部品の長手方向に沿って少なくとも1個形成されるとともに、前記基板の接続表面が粗く形成されることを特徴とする。
前記凹状溝については、凹状であればいかなる断面形状であってもよく、例えばU字状、V字状等が考えられる。
【0012】
前記構成の金属同士の半田接続構造によれば、部品の接続表面に半田ボイド排出用の凹状溝が、部品の長手方向に沿って少なくとも1個形成されるので、部品及び基板を半田接続する際、半田ボイドが凹状溝を介して外方に排出され、半田ボイドが抜け易くなる。また、基板の接続表面が粗く形成されるので、部品及び基板を半田接続する際、フラックスの濡れ広がり性及び半田濡れ性が良くなる。したがって、半田ボイドが低減され、高い接続信頼性が確保される。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の金属同士の半田接続構造の一実施形態を図1〜図4に基づいて詳細に説明する。
【0014】
図1は本発明の一実施形態である金属同士の半田接続構造をリードフレームとチップ抵抗との半田接続に適用された例を示す斜視図、図2は図1のチップ抵抗を単体で示す斜視図、図3は図1のリードフレームとチップ抵抗との半田接続部分を示す要部拡大断面図、図4は図3のチップ抵抗の底面図である。
【0015】
図1〜図4に示すように、本実施形態の金属同士の半田接続構造では、チップ抵抗10及びリードフレーム20の金属からなる接続表面11,21同士が半田接続される。チップ抵抗10の電極部12の接続表面11は、1次電極メッキ層15,16の上に2次メッキ層17が形成され、更に2次メッキ層17の上に3次(表面)メッキ層18が形成されている。また、リードフレーム20の接続表面21は、粗く形成されている。
【0016】
すなわち、図3に示すように、チップ抵抗10の電極部12において、セラミック製基板13の図3中右端部における図3中上面には、銀Ag−鉛Pb(ガラス系)層14(厚さ5μm)が形成されるとともに、図3中下面には、銀Ag(ガラス系)層15(厚さ2〜3μm)が印刷により形成される。また、セラミック製基板13の図3中上下面の端面から側端面(図3中右側端面)全体を覆うように、銀Ag(樹脂系)層16(厚さ5μm)が印刷により形成され、銀Ag(ガラス系)層15及び銀Ag(樹脂系)層16により、チップ抵抗10の図3中下面に1次電極メッキ層が形成される。更に、上述した各層14,15,16上には、2次メッキ層としてのNiメッキ層17(厚さ10μm)、及び3次メッキ層としてのSnメッキ層18(厚さ7〜8μm)が形成される。
【0017】
3次メッキ層としてのSnメッキ層18には、半田ボイド排出用の凹状溝19が、チップ抵抗10の長手方向(図4中左右方向)に沿って複数(図4では4個)、ブラシ等を用いた後処理により形成されている。凹状溝19は、例えば断面視U字状に形成されており、発生した半田ボイド30を図4中矢印のように外方に排出させる通路となり、半田ボイド30を抜け易くする。
【0018】
本実施形態の作用を説明する。
チップ抵抗10の接続表面11に半田ボイド排出用の凹状溝19が形成されるので、チップ抵抗10及びリードフレーム20を半田接続する際、半田ボイド30が凹状溝19を介して外方に排出される。したがって、半田ボイド30が抜け易くなる。また、リードフレーム20の接続表面21が粗く形成されるので、チップ抵抗10及びリードフレーム20を半田接続する際、フラックスの濡れ広がり性及び半田濡れ性が良くなる。
【0019】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の金属同士の半田接続構造によれば、部品及び基板の金属からなる接続表面同士の半田接続において、部品の接続表面側に半田ボイド排出用の凹状溝が部品の長手方向に沿って少なくとも1個形成されるとともに、基板の接続表面が粗く形成される。したがって、部品点数の増大及び基板への部品搭載位置精度の低下等を招くことなく、半田ボイドを低減させることができ、高い接続信頼性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の本実施形態である金属同士の半田接続構造をリードフレームとチップ抵抗との半田接続に適用された例を示す斜視図である。
【図2】図1のチップ抵抗を単体で示す斜視図である。
【図3】図1のリードフレームとチップ抵抗との半田接続部分を示す要部拡大断面図である。
【図4】図3のチップ抵抗の底面図である。
【図5】特許文献1で開示されている電子部品の半田付け方法を示す要部断面図である。
【図6】特許文献2で開示されている半田付け方法を示す要部断面図である。
【図7】従来の金属同士の半田接続構造を示す断面図である。
【図8】図7のA部拡大断面図である。
【図9】図8のチップ抵抗の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
10 部品(チップ抵抗)
11 接続表面
12 電極部
13 セラミック製基板
14 銀Ag−鉛Pb(ガラス系)層
15 銀Ag(ガラス系)層(1次電極メッキ層)
16 銀Ag(樹脂系)層(1次電極メッキ層)
17 Niメッキ層(2次メッキ層)
18 Snメッキ層(3次メッキ層)
19 半田ボイド排出用の凹状溝
20 基板(リードフレーム)
21 接続表面
30 半田ボイド
Claims (1)
- 部品及び基板の金属からなる接続表面同士を半田接続する金属同士の半田接続構造において、
前記部品の接続表面側に半田ボイド排出用の凹状溝が、前記部品の長手方向に沿って少なくとも1個形成されるとともに、前記基板の接続表面が粗く形成されることを特徴とする金属同士の半田接続構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003162683A JP2004363488A (ja) | 2003-06-06 | 2003-06-06 | 金属同士の半田接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003162683A JP2004363488A (ja) | 2003-06-06 | 2003-06-06 | 金属同士の半田接続構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004363488A true JP2004363488A (ja) | 2004-12-24 |
Family
ID=34054759
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003162683A Pending JP2004363488A (ja) | 2003-06-06 | 2003-06-06 | 金属同士の半田接続構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004363488A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007317891A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Denso Corp | はんだ付け方法、及びはんだ付け装置 |
JP2007329419A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Koa Corp | 金属板抵抗器 |
EP1986478A3 (en) * | 2007-04-25 | 2009-12-30 | Denso Corporation | Metal wiring plate |
-
2003
- 2003-06-06 JP JP2003162683A patent/JP2004363488A/ja active Pending
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