JP2004363167A - 配線板の相互接続方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の配線板11に第2の配線板21を接続する際、まず、第1の配線板11の上に熱硬化性樹脂32が配置される。第2の配線板21は、加熱・加圧ツール40によって保持され、第2の配線板21の第2の電極22が第1の配線板11の第1の電極12と対向するように、第1の配線板11の上に配置される。また、第2の配線板21は、加熱・加圧ツール40によって、加熱されると共に加圧される。これにより、第1の電極12と第2の電極22とが接合されると共に、熱硬化性樹脂32が硬化することによって配線板11,12が固定され且つ第1の電極12と第2の電極22との接合部分の周囲が封止される。
【選択図】 図3
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、2つの配線板を相互に接続する配線板の相互接続方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
電子機器内では、それぞれ一方の面において露出する電極を有する2つの配線板が相互に接続される場合がある。なお、一般的に、配線板の電極には、錆等から電極を保護する目的と2つの配線板の電極同士の接合を良好にする目的から、金、ニッケル、錫、はんだ等によるめっきが予め施されている。電子機器では、、上記2つの配線板の接続部位の厚みや接続部位の面積を小さくすることが製品設計の幅を広げることに結びついている。以下、2つの配線板を相互に接続する従来の接続方法のうち、代表的ないくつかの接続方法について説明する。
【0003】
第1の接続方法は、例えば特許文献1に示されるように、コネクタを用いる方法である。この第1の接続方法では、予め、一方の配線板の電極に、はんだ等を用いて、精密に成形されたコネクタを接続しておく。そして、他方の配線板の電極を上記コネクタに差し込むことにより、2つの配線板の電極同士を電気的に接続する。
【0004】
第2の接続方法は、例えば特許文献2ないし6に示されるように、導電性粒子を介して2つの配線板の電極同士を電気的に接続する方法である。具体的には、特許文献2および3には、熱硬化性樹脂中に導電性粒子が分散された材料よりなる異方性導電フィルムを用いた接続方法が記載されている。この接続方法では、まず、2つの配線板の電極の間に異方性導電フィルムを介在させ、次に、一方の配線板から、2つの配線板の接続部分を加熱、加圧して、2つの配線板の電極同士を導電性粒子を介して電気的に接続すると共に、熱硬化性樹脂を硬化させて封止を行う。特許文献4には、絶縁材料を基材として導電性粒子を含有する接着剤を用いた接続方法が記載されている。また、特許文献5には、導電性粒子を含有する流体を用いた接続方法が記載されている。また、特許文献6には、プラスチック粒子の表面に導電性金属層と共晶はんだめっき層とを形成してなる接続粒子を介して2つの配線板を熱圧着する接続方法が記載されている。
【0005】
第3の接続方法は、金属接合による方法である。この第3の接続方法には、2つの配線板の電極同士を超音波や熱等を用いて金属接合させる方法と、はんだを用いる方法とがある。後者では、予め、はんだペースト等を用いて一方の配線板の電極上にはんだを付け、2つの配線板の電極同士の位置合わせを行う。次に、はんだを加熱溶融させた後、固化させることによって、2つの配線板の電極同士をはんだを介して電気的に接続する。次に、電極の周囲における2つの配線板間の間隙に樹脂を配置し、これを硬化させることによって封止を行う。
【0006】
第4の方法は、例えば特許文献7に示されるように、絶縁性接着剤を用いる方法である。この第4の方法では、まず、2つの配線板の電極間に絶縁性接着剤を介在させ、2つの配線板の電極同士の位置合わせを行う。次に、2つの配線板を加熱、加圧して、2つの配線板の電極同士を接触させる。更に、2つの配線板の加熱、加圧を継続することによって、絶縁性接着剤を硬化させて、2つの配線板の電極同士を強固に接続する。特許文献7には、絶縁性接着剤は、液状でもよいが、フィルム状の方が好ましい旨が記載されている。
【0007】
【特許文献1】
特開平9−148010号公報
【特許文献2】
特開2001−6769号公報
【特許文献3】
特開平5−290941号公報
【特許文献4】
特開2000−183518号公報
【特許文献5】
特開2001−345552号公報
【特許文献6】
特開2002−57455号公報
【特許文献7】
特開平5−258830号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
第1の接続方法では、接続の信頼性は高いが、成形されたコネクタを用いるため、電子装置における実装の高密度化に伴う配線板の電極の狭ピッチ化や狭ギャップ化に対応することが技術的に難しい。また、第1の接続方法では、配線板を含む電子装置の低コスト化も難しくなる。また、第1の接続方法は、2つの配線板の接続部位の厚みを小さくしたい場合には、その適用が難しくなる。
【0009】
第2の接続方法のうち、異方性導電フィルムを用いる方法では、異方性導電フィルム中の導電性粒子の大きさおよび密度や、配線板を加圧する際の荷重の大きさ等によって、2つの配線板の電極同士の電気的な接続状態が変化する。例えば、異方性導電フィルム中の導電性粒子の密度が小さ過ぎると、2つの配線板の電極間で導通不良が発生する。また、異方性導電フィルム中の導電性粒子の密度が大きすぎると、近接した電極間で電流のリークが発生する可能性がある。そのため、第2の接続方法では、2つの配線板の電極同士の電気的な接続の信頼性が劣るという問題点がある。特許文献4または5に記載された接続方法でも同様である。特許文献6に記載された接続方法でも、接続粒子を介して2つの配線板を熱圧着する際の荷重の大きさ等によって、2つの配線板の電極同士の電気的な接続状態が変化するという問題点がある。また、第2の接続方法では、2つの配線板の接続部位の厚みを小さくするために2つの配線板の電極間のギャップを小さくしようとすると、使用する導電性粒子を小さくしたり、導電性粒子の大きさのばらつきを小さくしたりする必要が生じる。そのため、第2の接続方法では、2つの配線板の接続部位の厚みを小さくすることが、技術的に非常に難しくなってくる。
【0010】
第3の接続方法のうち、2つの配線板の電極同士を金属接合させる方法では、大きな荷重が必要になるという問題点がある。また、はんだを用いる方法では、はんだペーストが流動性を有し、広がりやすいため、電極の狭ギャップ化や狭ピッチ化に対応することが困難であるという問題点がある。
【0011】
第4の接続方法では、特にフィルム状の絶縁性接着剤を用いる場合には、加熱、加圧により、絶縁性接着剤の粘度を低下させた後、2つの配線板の電極同士を接触させ、更に、絶縁性接着剤を硬化させる。そのため、この第4の接続方法では、処理に時間がかかるという問題点がある。特許文献7には、加熱加圧時間として30秒という値が記載されている。また、フィルム状の絶縁性接着剤を用いて2つの配線板間のギャップを小さく保つためには、フィルムの厚みのばらつきを小さくする必要が生じる。そのため、第4の接続方法では、2つの配線板の接続部位の厚みを小さくすることが、技術的に難しいという問題点がある。また、2つの配線板間のギャップを小さくする場合には、液状の絶縁性接着剤を用いる場合であっても、液状の樹脂の特性により、以下のような不具合が発生する。すなわち、液状の樹脂の粘度が低すぎる場合には、毛細管現象によって樹脂が2つの配線板の接続部位から外部へ排出され、その結果、樹脂が接続部位に十分に充填されない場合がある。一方、液状の樹脂の粘度が高すぎる場合には、樹脂が接続部位に均一に充填されない場合がある。
【0012】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、接合後の2つの配線板の電極の厚みの合計が40μm以下になるように2つの配線板を相互に接続する場合に、2つの配線板の電極の接合部分の電気的特性および信頼性が良好で、電極の狭ピッチ化に対応でき、且つ短時間で2つの配線板を相互に接続できるようにした配線板の相互接続方法を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線板の相互接続方法は、一方の面において露出する第1の電極を有する第1の配線板と、一方の面において露出する第2の電極を有する第2の配線板とを、接合後の第1および第2の電極の厚みの合計が40μm以下になるように相互に接続する方法であって
第1の配線板の第1の電極上に、絶縁性で液状の熱硬化性樹脂を配置する工程と、
第2の電極が第1の電極と対向するように、第2の配線板を第1の配線板の一方の面の上に配置する工程と、
第1の配線板と第2の配線板との間に熱硬化性樹脂を介在させた状態で、第1の電極と第2の電極とを接触させ、第1の電極と第2の電極の少なくとも一方を、150〜450℃の範囲内の温度になるように加熱しながら、0.5〜10秒の範囲内の時間だけ、第1の電極および第2の電極を、それらが互いに密着するように加圧することにより、第1の電極と第2の電極とを接合すると共に、熱硬化性樹脂を硬化させて第1の電極と第2の電極との接合部分の周囲を封止する加熱・加圧工程とを備えている。
【0014】
本発明の配線板の相互接続方法において、熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂と潜在性硬化触媒とを含有し、昇温速度を5℃/分としたレオメーターによる測定によって得られる粘度−温度曲線において、熱硬化性樹脂の粘度は、50〜100℃の温度範囲中の少なくとも10℃の幅の温度範囲において0.5〜15Pa・sの範囲内にあり、温度の上昇と共に上昇し、且つ温度変化量が30℃以下の範囲内で1.0×102Pa・sから1.0×105Pa・sに変化する挙動を示してもよい。
【0015】
また、本発明の配線板の相互接続方法において、熱硬化性樹脂は、温度25℃においてE型粘度計によって測定される粘度に関して、回転数1rpmにおける粘度を回転数10rpmにおける粘度で除した値が1.2〜10の範囲内の値となる性質を有していてもよい。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図1ないし図4は、本発明の一実施の形態に係る配線板の相互接続方法における各工程を説明するための説明図である。また、図5は接続された2つの配線板を示す斜視図である。
【0017】
本実施の形態に係る配線板の相互接続方法では、まず、図1に示したように、実装装置の支持台30の上に第1の配線板11を載置する。第1の配線板11は、一方の面11aにおいて露出する複数の第1の電極12を有している。第1の電極12は、金または錫のめっきが施されたものになっている。電極12の厚みは、2μm〜30μmの範囲内、特には5μm〜20μmの範囲内とすることが、製品設計の点から好ましい。
【0018】
第1の配線板11の導体部分以外を構成する材料は、有機材料でもよいし、無機材料でもよい。また、第1の配線板11は、硬質な基板でもよいし、フレキシブル基板でもよい。
【0019】
第1の配線板11は、一方の面11aが上を向き、反対側の面11bが支持台30の上面に接するようにして、支持台30の上に載置されている。支持台30は、温度調節可能なヒーターを内蔵している。次に、第1の配線板11の面11aの上に、絶縁性で液状の熱硬化性樹脂32を、例えばシリンジ31を用いて塗布することによって配置する。なお、支持台30の温度は、常温(室温)よりも高いが、熱硬化性樹脂32が硬化しない程度の温度、例えば90〜120℃の温度になるように制御されている。これにより、第1の配線板11は、支持台30の上記の温度に近づくように加熱される。なお、支持台30から第1の配線板11へ熱は瞬時には伝わらず、また、後述するように本実施の形態における配線板の相互接続工程は短時間で行われる。そのため、支持台30と第1の配線板11の温度は通常一致しない。従って、支持台30の温度は、第1の配線板11上の熱硬化性樹脂32が流動性を保てる程度の温度であれば、熱硬化性樹脂32の硬化温度よりも多少高く設定してもよい。
【0020】
次に、図2に示したように、加熱・加圧ツール40によって、第1の配線板11に接続する第2の配線板21を保持し、この第2の配線板21を第1の配線板11と対向するように配置する。第2の配線板21は、一方の面21aにおいて露出する複数の第2の電極22を有している。第1の電極12と第2の電極22は、第1の配線板11の面11aと第2の配線板21の面21aとが向き合ったときに互いに対向する位置に配置されている。第2の電極22は、金または錫のめっきが施されたものになっている。また、電極22の厚みは、2μm〜30μmの範囲内、特には5μm〜20μmの範囲内とすることが、製品設計の点から好ましい。
【0021】
第2の配線板21の導体部分以外を構成する材料は、有機材料でもよいし、無機材料でもよい。また、第2の配線板21は、硬質な基板でもよいし、フレキシブル基板でもよい。
【0022】
図示しないが、加熱・加圧ツール40は、第2の配線板21に接する面40aにおいて、複数の吸引口を有している。加熱・加圧ツール40の内部には、吸引口に続く吸引路が設けられている。吸引路は、吸引ポンプに接続されるようになっている。そして、加熱・加圧ツール40は、吸引ポンプによって吸引路内の気体を吸引することによって、面40aに第2の配線板21を吸着させて第2の配線板21を保持できるようになっている。
【0023】
また、加熱・加圧ツール40は、温度調節可能なヒーターを内蔵している。更に、加熱・加圧ツール40は、垂直および水平方向に移動可能で、且つ保持した第2の配線板21に対して荷重を加えることができるようになっている。
【0024】
第2の配線板21は、面21aとは反対側の面21bが加熱・加圧ツール40の面40aに接するようにして加熱・加圧ツール40によって保持されて、第2の電極22が第1の電極12と対向するように第1の配線板11の面11aの上に配置される。
【0025】
なお、第2の電極22が第1の電極12と対向するように第2の配線板21を配置する方法は、上述のように加熱・加圧ツール40を用いる方法に限らない。例えば、加熱・加圧ツール40を用いずに、治具等を用いて、第2の電極22が第1の電極12と対向するように第2の配線板21を配置し、その後、加熱・加圧ツール40を第2の配線板21に接触させてもよい。
【0026】
次に、図3に示したように、加熱・加圧ツール40を降下させ、第1の配線板11と第2の配線板21との間に熱硬化性樹脂32を介在させた状態で、第1の電極12と第2の電極22とを接触させる。加熱・加圧ツール40を降下させる過程で、熱硬化性樹脂32は広がり、第1の配線板11と第2の配線板21との間にくまなく充填される。更に、加熱・加圧ツール40によって第2の配線板21を加熱することによって、第1の電極12、第2の電極22および熱硬化性樹脂32を、それらが所定の温度になるように加熱する。同時に、加熱・加圧ツール40によって第2の配線板21に荷重を加えることによって、第1の電極12および第2の電極22を、それらが互いに密着するように加圧する。以下、この工程を、加熱・加圧工程と言う。
【0027】
加熱・加圧工程では、第1の電極12と第2の電極22の少なくとも一方を、150〜450℃の範囲内の温度になるように加熱しながら、0.5〜10秒の範囲内の時間だけ、第1の電極12および第2の電極22を、それらが互いに密着するように加圧する。
【0028】
なお、加熱・加圧工程における第1の電極12、第2の電極22および熱硬化性樹脂32の温度の制御は、例えば以下のようにして行う。すなわち、予め実験によって、加熱・加圧ツール40の温度と、第1の電極12、第2の電極22および熱硬化性樹脂32の温度との関係を求めておく。第1の電極12、第2の電極22および熱硬化性樹脂32の温度は、例えば、第1の配線板11と第2の配線板21との間の位置において熱硬化性樹脂32中に挿入された温度センサによって検出する。実際の加熱・加圧工程では、上記のようにして求められた温度の関係に基づいて、加熱・加圧ツール40の温度を制御することによって、第1の電極12、第2の電極22および熱硬化性樹脂32の温度を制御する。
【0029】
本実施の形態では、上記加熱・加圧工程において、第1の電極12と第2の電極22とが接合されると共に、熱硬化性樹脂32が硬化することによって配線板11,12が固定され且つ第1の電極12と第2の電極22との接合部分の周囲が封止される。なお、熱硬化性樹脂32のうち、第1の配線板11と第2の配線板21との間からはみ出した部分がフィレットを形成してもよい。
【0030】
次に、図4に示したように、加熱・加圧ツール40を第2の配線板21から離し、第2の配線板21に対する加熱および加圧を停止する。以後、第1の配線板11および第2の配線板21は冷却されて、図5に示したように第1の配線板11と第2の配線板21との相互接続が完了する。
【0031】
なお、本実施の形態において、第1の電極12の表面に現れた金属と第2の電極22の表面に現れた金属は、種類が同じであってもよいし、異なっていてもよい。また、本実施の形態は、2つの配線板11,21間のギャップを小さくしながら、2つの配線板11,21の電極同士の接合を可能とすることを特徴としている。その観点から、本実施の形態では、第1の配線板11と第2の配線板21との接続により接合された後の第1の電極12の厚みと第2の電極22の厚みの合計は40μm以下とすることが必要である。接合後の第1の電極12の厚みと第2の電極22の厚みの合計の好ましい範囲は、5μm〜40μmである。
【0032】
また、本実施の形態において用いられる熱硬化性樹脂32は、常温(室温)では、一定の粘度を有する液状であることが好ましい。特に、本実施の形態では、加熱・加圧工程前に、第1の配線板11は、温度が90〜120℃に制御された支持台30の上に載置され、熱硬化性樹脂32は第1の配線板11の面11aの上に配置される。この状態において、熱硬化性樹脂32は、粘度が15Pa・s以下、特に0.5〜15Pa・sの範囲内となる液状であることが好ましい。また、熱硬化性樹脂32は、加熱・加圧工程において、所定の温度範囲内で温度の上昇と共に粘度が上昇するものが好ましい。上記所定の温度範囲は、70〜150℃であることが好ましく、90〜130℃であることがより好ましい。
【0033】
ここで、本実施の形態で使用される熱硬化性樹脂32の、レオメーターによる測定によって得られる粘度−温度特性について詳述する。上述したように、熱硬化性樹脂32は、加熱・加圧工程前において液状であることが好ましい。そのためには、昇温速度を5℃/分としたレオメーターによる測定によって得られた粘度−温度曲線において、熱硬化性樹脂32の粘度は、50〜100℃の温度範囲中の少なくとも10℃の幅の温度範囲において、15Pa・s以下、特に0.5〜15Pa・sの範囲内となる挙動を示すことが好ましい。また、同測定によって得られる粘度−温度曲線において、熱硬化性樹脂32の粘度は、70〜150℃、特に好ましくは80〜140℃、最も好ましくは90〜130℃の範囲内で、温度上昇と共に上昇し、且つ温度変化量が30℃以下の範囲内で1.0×102Pa・sから1.0×105Pa・sに変化する挙動を示すことが好ましい。熱硬化性樹脂32の粘度が1.0×102Pa・sから1.0×105Pa・sに変化するのに要する温度変化量が30℃を超えると、短時間での配線板11,21の相互接続が困難になるおそれがある。従って、上記温度変化量は、0.1〜30℃の範囲内であることが好ましく、10〜25℃の範囲内であることが最も好ましい。
【0034】
また、熱硬化性樹脂32としては、例えば、エポキシ系熱硬化性樹脂またはアクリル系熱硬化性樹脂を含むものを用いることができる。これらのうち、エポキシ系熱硬化性樹脂は信頼性の点で優れているため、熱硬化性樹脂32としては、特にエポキシ系熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。
【0035】
熱硬化性樹脂32に使用されるエポキシ樹脂としては、常温で液状であるものを用いるのが好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、カルボン酸グリシジルエステル型エポキシ樹脂およびフェノールノボラック型エポキシ樹脂のうちの1つ以上を含むものを用いることができる。
【0036】
また、熱硬化性樹脂32に使用されるエポキシ樹脂は、更に、特定の温度以上で急速にエポキシ樹脂硬化触媒として機能するようになる性質を有する潜在性硬化触媒を含むことが好ましい。上記特定の温度とは、前述の熱硬化性樹脂32の粘度が上昇すると共に硬化反応が完結する温度範囲(例えば、70〜150℃や、100〜130℃)内の温度である。潜在性硬化触媒には、マイクロカプセル型やアミンアダクト型等がある。これらのうち、配線板11,21の接続性能や安定性の点から、潜在性硬化触媒としてはマイクロカプセル型を用いるのが好ましい。
【0037】
また、熱硬化性樹脂32は、温度25℃においてE型粘度計によって測定される粘度に関して、回転数1rpmにおける粘度を回転数10rpmにおける粘度で除した値(以下、チキソ比と言う。)が、1.2〜10の範囲内の値となる性質を有しているのが好ましい。熱硬化性樹脂32のチキソ比が1.2未満の場合には、毛細管現象により、熱硬化性樹脂32が配線板11,12の接続部分から外部へ排出されてしまう。また、熱硬化性樹脂32のチキソ比が10を超える場合には、熱硬化性樹脂32を安定して塗布することが難しくなる。配線板11,12に使用される基板の種類にもよるが、熱硬化性樹脂32のチキソ比は1.5〜7の範囲内の値であることがより好ましく、1.8〜6の範囲内の値であることが最も好ましい。
【0038】
本実施の形態では、第1の電極12の表面に現れた金属と第2の電極22の表面に現れた金属の種類が同じ場合と異なる場合のいずれの場合においても、第1の電極12と第2の電極22との接合は密接に行われる。従って、本実施の形態によれば、第1の電極12と第2の電極22との接合部分の電気的特性が良好になる。
【0039】
また、本実施の形態では、加熱・加圧工程において、第1の電極12と第2の電極22との接合と、熱硬化性樹脂32による第1の電極12と第2の電極22との接合部分の周囲の封止とが、一括して、ほぼ同時に行われる。従って、本実施の形態によれば、第1の電極12と第2の電極22とが接触してから封止が完了するまで、第1の電極12と第2の電極22との接合部分の変位が抑えられるため、この接合部分の信頼性が高い。
【0040】
また、本実施の形態では、第1の配線板11と第2の配線板21との間において、第1の電極12と第2の電極22との接触部分以外の部分には、熱硬化性樹脂32が充分に濡れ広がる。従って、本実施の形態によれば、近接した電極間で電流のリークが発生することを防止でき、これにより、電極の狭ピッチ化に対応することが可能になる。
【0041】
また、本実施の形態では、第1の電極12と第2の電極22との接合と、第1の電極12と第2の電極22との接合部分の周囲の封止とが、一括して、ほぼ同時に行われる。従って、本実施の形態によれば、短時間で第1の配線板11と第2の配線板21とを相互に接続することができる。
【0042】
また、本実施の形態では、加熱・加圧工程において、支持台30の温度を、常温(室温)よりも高いが、熱硬化性樹脂32が硬化しない程度の温度になるように制御している。これにより、本実施の形態によれば、第1の電極12、第2の電極22および熱硬化性樹脂32の温度が不均一になることを抑制して、第1の電極12と第2の電極22との接合と、熱硬化性樹脂32による第1の電極12と第2の電極22との接合部分の周囲の封止とを良好に行うことが可能になる。
【0043】
以下、本実施の形態に係る配線板の相互接続方法の実施例を挙げて、配線板の相互接続方法の各工程における好ましい条件について説明する。本実施例では、第1の配線板11として、800μmの厚みのガラスエポキシ基板に18μmの厚みの銅箔が貼られた積層体において銅箔をパターニングして構成されたものを用いた。パターニングされた銅箔よりなる導体パターンの一部は第1の電極12になっている。
【0044】
また、本実施の形態では、第2の配線板21として、40μmの厚みのポリイミド膜に12μmの厚みの銅箔が貼られて構成されたフィルムを加工することによって形成されたフレキシブル基板を用いた。この第2の配線板21では、パターニングされた銅箔に金めっきを施すことによって導体パターンが形成されている。この導体パターンの一部は第2の電極22になっている。金めっき層の厚みは0.3μmである。
【0045】
本実施例では、接続前に、第1の配線板11および第2の配線板21を、温度23℃、湿度50%の環境下で24時間、静置した。
【0046】
本実施例では、次に、図1に示したように、実装装置の支持台30の上に第1の配線板11を載置した。実装装置としては、松下電器産業株式会社製FCB−2(製品名)を用いた。本実施例では、支持台30内のヒーターによって、支持台30の温度を、例えば90〜120℃の範囲内の温度、例えば100℃になるように調節した。本実施例では、次に、第1の配線板11の面11aの上に、絶縁性で液状の熱硬化性樹脂32を10mgだけ塗布した。
【0047】
ここで、本実施例で使用した熱硬化性樹脂32について、昇温速度を5℃/分としたレオメーターによる測定によって得られた粘度−温度曲線を図6に示す。図6において、符号52で示す曲線は本実施例で使用した熱硬化性樹脂32の特性を表わし、符号51で示した曲線は比較例の熱硬化性樹脂の特性を表わしている。本実施例で使用した熱硬化性樹脂32は、エポキシ系樹脂とマイクロカプセル型潜在性硬化触媒を含有するものである。図6に示した粘度−温度曲線において、熱硬化性樹脂32の粘度は、90〜150℃の範囲内で、温度上昇と共に上昇している。また、図6に示した粘度−温度曲線において、熱硬化性樹脂32の粘度が1.0×102Pa・sから1.0×105Pa・sに変化するのに要する温度変化量は、30℃以下の範囲内となっている。また、図6に示した粘度−温度曲線において、熱硬化性樹脂32の粘度は、50〜100℃の温度範囲中の少なくとも10℃の幅の温度範囲において、0.5〜15Pa・sの範囲内の粘度となっている。また、図6に示した粘度−温度曲線において、熱硬化性樹脂32の粘度は、50〜100℃の温度範囲において比較例の熱硬化性樹脂の粘度よりも高くなっている。なお、本実施例で使用した熱硬化性樹脂32のE型粘度計によって測定される25℃での回転数1rpmにおける粘度を回転数10rpmにおける粘度で除した値は2であった。このような性質の熱硬化性樹脂32を用いることにより、配線板11,21を相互に良好に接続することが可能になる。
【0048】
本実施例では、次に、図2に示したように、加熱・加圧ツール40によって第2の配線板21を保持し、第2の電極22が第1の電極12と対向するように第1の配線板11の面11aの上に第2の配線板21を配置した。
【0049】
本実施例では、次に、図3に示したように、加熱・加圧工程を実行した。すなわち、加熱・加圧ツール40を降下させ、第1の配線板11と第2の配線板21との間に熱硬化性樹脂32を介在させた状態で、第1の電極12と第2の電極22とを接触させた。更に、加熱・加圧ツール40によって第2の配線板21を加熱することによって、第1の電極12、第2の電極22および熱硬化性樹脂32を、それらが所定の温度になるように加熱した。更に、これと同時に、加熱・加圧ツール40によって第2の配線板21に荷重を加えることによって、第1の電極12および第2の電極22を、それらが互いに密着するように加圧した。
【0050】
本実施例では、上記加熱・加圧工程の終了後、加熱・加圧ツール40を第2の配線板21から離し、第2の配線板21に対する加熱および加圧を停止し、第1の配線板11および第2の配線板21を冷却して、配線板11,21の相互接続を完了させた。
【0051】
以下、実験によって求められた、加熱・加圧工程における好ましい条件について説明する。まず、実験から、加熱・加圧工程における第1の電極12、第2の電極22および熱硬化性樹脂32の温度が150〜450℃の範囲内であれば、第1の電極12と第2の電極22とを接合可能であることが分かった。なお、この場合における最適な温度は180〜380℃であった。
【0052】
従って、実験結果から、加熱・加圧工程における第1の配線板11、第2の配線板21および熱硬化性樹脂32の温度は、150〜450℃の範囲内であることが好ましく、180〜380℃の範囲内であることがより好ましいと言える。
【0053】
また、実験から、加熱・加圧工程における所要時間は、0.5〜10秒の範囲内であれば十分で、0.5〜3秒の範囲内であることが好ましいことが分かった。
【0054】
また、実験から、加熱・加圧工程において第1の配線板11および第2の配線板21に加える圧力は、0.1×106〜500×106Paの範囲内であることが好ましく、0.2×106〜300×106Paの範囲内であることがより好ましいことが分かった。
【0055】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、加熱・加圧工程では、第1の配線板11と第2の配線板21の少なくとも一方を所定の温度になるように加熱すればよい。従って、加熱・加圧工程では、第2の配線板21を所定の温度に加熱する代わりに、第1の配線板11を所定の温度に加熱してもよい。
【0056】
また、本発明は、第1の電極12の表面に現れた金属と第2の電極22の表面に現れた金属との組み合わせが、実施の形態で挙げた組み合わせ以外の場合にも適用することができる。
【0057】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の配線板の相互接続方法によれば、接合後の2つの配線板の電極の厚みの合計が40μm以下になるように2つの配線板を相互に接続する場合に、2つの配線板の電極の接合部分の電気的特性および信頼性を良好にでき、電極の狭ピッチ化に対応でき、且つ短時間で2つの配線板を相互に接続することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係る配線板の相互接続方法における一工程を説明するための説明図である。
【図2】図1に示した工程に続く工程を説明するための説明図である。
【図3】図2に示した工程に続く工程を説明するための説明図である。
【図4】図3に示した工程に続く工程を説明するための説明図である。
【図5】本発明の一実施の形態に係る配線板の相互接続方法によって接続された2つの配線板を示す斜視図である。
【図6】本発明の一実施の形態における実施例で使用した熱硬化性樹脂についてレオメーターによる測定によって得られた粘度−温度曲線を示す特性図である。
【符号の説明】
11…第1の配線板、11a,11b…面、12…第1の電極、21…第2の配線板、21a,21b…面、22…第2の電極、32…熱硬化性樹脂、40…加熱・加圧ツール。
Claims (3)
- 一方の面において露出する第1の電極を有する第1の配線板と、一方の面において露出する第2の電極を有する第2の配線板とを、接合後の第1および第2の電極の厚みの合計が40μm以下になるように相互に接続する方法であって
前記第1の配線板の第1の電極上に、絶縁性で液状の熱硬化性樹脂を配置する工程と、
前記第2の電極が前記第1の電極と対向するように、前記第2の配線板を前記第1の配線板の一方の面の上に配置する工程と、
前記第1の配線板と第2の配線板との間に前記熱硬化性樹脂を介在させた状態で、前記第1の電極と第2の電極とを接触させ、前記第1の電極と第2の電極の少なくとも一方を、150〜450℃の範囲内の温度になるように加熱しながら、0.5〜10秒の範囲内の時間だけ、前記第1の電極および第2の電極を、それらが互いに密着するように加圧することにより、前記第1の電極と第2の電極とを接合すると共に、前記熱硬化性樹脂を硬化させて前記第1の電極と第2の電極との接合部分の周囲を封止する加熱・加圧工程と
を備えたことを特徴とする配線板の相互接続方法。 - 前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂と潜在性硬化触媒とを含有し、昇温速度を5℃/分としたレオメーターによる測定によって得られる粘度−温度曲線において、前記熱硬化性樹脂の粘度は、50〜100℃の温度範囲中の少なくとも10℃の幅の温度範囲において0.5〜15Pa・sの範囲内にあり、温度の上昇と共に上昇し、且つ温度変化量が30℃以下の範囲内で1.0×102Pa・sから1.0×105Pa・sに変化する挙動を示すことを特徴とする請求項1記載の配線板の相互接続方法。
- 前記熱硬化性樹脂は、温度25℃においてE型粘度計によって測定される粘度に関して、回転数1rpmにおける粘度を回転数10rpmにおける粘度で除した値が1.2〜10の範囲内の値となる性質を有していることを特徴とする請求項1または2記載の配線板の相互接続方法。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2009001605A1 (ja) * | 2007-06-26 | 2008-12-31 | Sony Chemical & Information Device Corporation | 異方性導電材料、接続構造体及びその製造方法 |
JP2009032657A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-02-12 | Sony Chemical & Information Device Corp | 異方性導電材料、接続構造体及びその製造方法 |
JP2012199544A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-18 | Sekisui Chem Co Ltd | 異方性導電ペースト、接続構造体及び接続構造体の製造方法 |
JP2013080837A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-02 | Sekisui Chem Co Ltd | フリップチップ実装用封止剤及び半導体チップ実装体の製造方法 |
WO2023095184A1 (ja) * | 2021-11-23 | 2023-06-01 | 株式会社Fuji | 回路形成方法、および回路形成装置 |
-
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009001605A1 (ja) * | 2007-06-26 | 2008-12-31 | Sony Chemical & Information Device Corporation | 異方性導電材料、接続構造体及びその製造方法 |
JP2009032657A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-02-12 | Sony Chemical & Information Device Corp | 異方性導電材料、接続構造体及びその製造方法 |
US8148641B2 (en) | 2007-06-26 | 2012-04-03 | Sony Corporation | Anisotropic conductive material, connected structure, and production method thereof |
JP2012199544A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-18 | Sekisui Chem Co Ltd | 異方性導電ペースト、接続構造体及び接続構造体の製造方法 |
JP2013080837A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-02 | Sekisui Chem Co Ltd | フリップチップ実装用封止剤及び半導体チップ実装体の製造方法 |
WO2023095184A1 (ja) * | 2021-11-23 | 2023-06-01 | 株式会社Fuji | 回路形成方法、および回路形成装置 |
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