JP2004356123A - ブラインドビアを有する多層基板 - Google Patents
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Abstract
モ−ルドチップ部品の小型高密度化、端面電極の高い電気的及びはんだ接続信頼性が要求されている。
【解決手段】上記の課題を解決するため、電子部品や電子部品素子を実装する部品接続ランドを備えた上部配線基板と、上記分割切断線上に配置する下部配線基板の第2のブラインドビア(B2)と、上記の上部配線基板の部品接続ランドと下部配線基板の第2のブラインドビア(B2)とを電気的に接続する第1のブラインドビア(B1)と、から構成されるダイシング用の分割切断線上に第1のブラインドビア(B1)と第2のブラインドビア(B2)とを重ねて配置した多層基板とする。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は配線基板に関するもので、特に端面電極用のブラインドビアを有する多層基板である。
【0002】
【従来の技術】
従来は基板に端面電極を形成する場合、プリント配線板の外形側面の近傍に一直線上に貫通スルーホール穴を設け、貫通スルーホール穴のほぼ中心線上で分割切断して分割した貫通スルーホール穴の内部が半円筒状で外部に露呈した端面電極を形成する。
基板に半導体集積回路素子、電子部品素子、電子部品を実装し、その後基板の配線パタ−ンや半導体集積回路素子、電子部品素子、電子部品を樹脂で樹脂モ−ルドして樹脂封止をし端面電極を有するモ−ルドチップ部品とするには、貫通スルーホール穴の内部に封止樹脂が侵入しないように貫通スルーホール穴の上面側に樹脂の侵入を阻止する部材(フィルム、テ−プ、基材など)を設けなければならない。
【0003】その一例として、特開2002−164658号公報に開示されているモジュ−ル基板では、多層基板の表面に電子部品が実装され、外部との接続に使用する電極を多層基板の側面の中間層基板と底面層基板に導通溝が形成され、電子部品が実装される表面の層には、上記導通溝が形成されていない表面層基板を設けるモジュ−ル基板である。
このモジュ−ル基板では中間層基板と底面層基板の側面には端面電極用スルーホールが形成されているが中間層基板の上に貼り合わせる表面層基板には端面電極用スルーホールは形成されていないものである。
【0004】上記のモジュ−ル基板では表面層基板と中間層基板と底面層基板の3枚の基板を貼り合わせた3層基板であり、薄板化には問題がある。
また、中間層基板と底面層基板を貫通する端面電極用スルーホールの上に表面層基板を貼り合わせる際にプリプレグ等の接着樹脂がスルーホール内に流れ込み、高品質な端面電極を形成することは難しい。
従って、薄板化が要求される高精細な電子部品用のベ−ス基板としては問題があり、端面電極としても、はんだ濡れ性不良が生じ易い。
【0005】
【特許文献1】
特開2002−164658号公報。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】基板に電子部品素子、電子部品を実装し、その後実装した電子部品素子や電子部品を樹脂封止して端面電極を有するモ−ルドチップ部品とするには、基板に設けた貫通スルーホール穴の内部に封止樹脂が侵入しないように貫通スルーホール穴の上面側に樹脂の侵入を阻止する部材(絶縁基材、絶縁テ−プ、フィルム状、シ−ト状などの阻止部材)を設けなければならない。
上記の阻止部材を張り合わせる為、高密度化や端面電極の接続信頼性が低下していた。
特に、モ−ルド樹脂部品を高温高圧(140〜180℃、20〜30トン)で大量生産するトランスファモ−ルド法では、モ−ルドチップ部品の小型高密度化、端面電極の高い電気的及びはんだ接続信頼性が要求されている。
【0007】特開2002−164658号公報に開示されているモジュ−ル基板とは、1つの組立体系の中での分離可能なユニット(日本プリント回路工業会発行のプリント回路用語)となる基板である。
しかし、モ−ルドチップ部品の小型高密度化、端面電極の高い電気的及びはんだ接続信頼性が要求される薄板のベ−ス基板としては問題点が多く不可となっていた。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、ダイシングで分割切断線する端面電極用の配線基板において、配線基板の上面導体(L1)と、配線基板の内層導体(L2)と、配線基板の下面導体(L3)とからなる3層導体構造であって、
配線基板の上面導体(L1)と内層導体(L2)とを電気的に接続する上向きの第1のブラインドビア(B1)と、配線基板の内層導体(L2)と下面導体(L3)とを電気的に接続する下方に開口している第2のブラインドビア(B2)とがダイシング用の分割切断線上で背面的に重ねて形成したブラインドビアを有する多層基板とする。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明の非貫通導通穴を有する多層基板を形成する製造工程を図2を参照して説明する。
まず、図2(a)として下面の銅箔4がある片面銅張積層板の基材2側に乳液状、フィルム状、シ−ト状などの接着剤3を張り合わせ下部配線基板1とする。図2(b)接着剤を半硬化してから下部配線基板1の所定の箇所にNCドリリングマシンにより、穴明け加工を施して貫通穴9とする。次に図2(c)に示すように、下部配線基板1の所定の箇所に穴明け加工を施して貫通穴9を形成した下部配線基板1の接着剤3の上に銅箔6を積層プレスをして張り合わせる。
次に図2(d)に示すように、下部配線基板1の上面の銅箔6の所定の箇所にエッチングして内層パタ−ン(L2)を回路形成する。
【0010】図2(e)は下部配線基板1の上面の銅箔6の所定の箇所に内層パタ−ン(L2)を回路形成した上面に絶縁層7と銅箔8を積層プレスをして上部配線基板10を形成する。
次に図2(f)に示すように、上部配線基板10の所定の箇所に上面外層の銅箔8と内層パタ−ン(L2)の間だの絶縁層7を炭酸ガスレーザー加工により絶縁樹脂を除去し非貫通穴11を形成する。
その次に、図2(g)に示すように無電解銅めっきを施し、めっき層12を形成して所定の上部配線基板10の非貫通導通穴15と下部配線基板1の非貫通導通穴16を形成する。その後、所定の箇所をエッチングして上面外層パタ−ン(L1)と下面外層パタ−ン(L3)とを回路形成する。
【0011】配線基板の片側だけに開口しているビアをブラインドビアと呼ばれ、外層導体と内層導体を電気的に接続する非貫通導通穴である。上面外層パタ−ン(L1)と内層パタ−ン(L2)とを電気的に接続する上部配線基板10に形成した非貫通導通穴15を第1のブラインドビア(B1)とし、内層パタ−ン(L2)と下面外層パタ−ン(L3)とを電気的に接続する非貫通導通穴16を第2のブラインドビア(B2)とし、端面電極用とする。
また、信頼性の向上、はんだ付性の向上、ワイヤーボンデング作業等の必要性からソルダーレジストの形成やNi−Auめっき等を行う場合もある。
【0012】本発明のブラインドビアを有する多層基板の構成について図1で説明する。配線基板の上面導体(L1)と、配線基板の下面導体(L3)と、配線基板の内層導体(L2)とからなる3層導体構造であって、電子部品や電子部品素子を実装する部品接続ランド17を配線基板の上面導体(L1)に設ける。
配線基板の上面導体(L1)と内層導体(L2)とを電気的に接続する上向きの第1のブラインドビア(B1)と、配線基板の内層導体(L2)と下面導体(L3)とを電気的に接続する下方に開口している第2のブラインドビア(B2)とがダイシング用の分割切断線上で背面的に重ねて形成したブラインドビアを有する多層基板とする。
【0013】上部配線基板10の部品接続ランド17と内層パタ−ン(L2)とを電気的に接続する。つまり上部配線基板10の上向きの第1のブラインドビア(B1)であり、下部配線基板1の非貫通導通穴である第2のブラインドビア(B2)と上部配線基板10の第1のブラインドビア(B1)とは、内層導体(L2)を介して電気的に接続される。
この下部配線基板1に形成する内層パタ−ン(L2)と下面外層パタ−ン(L3)とを電気的に接続する非貫通導通穴を第2のブラインドビア(B2)として略中央部を通る分割切断線18でダイシング切断して端面電極を形成する。
【0014】ブラインドビアを有する配線基板において、第1のブラインドビア(B1)の内部には導電性ペ−ストや金属めっき、絶縁物を充填し、端面電極とする第2のブラインドビア(B2)の内部は空洞とするブラインドビアを有する多層基板とする。
【0015】モ−ルドチップ部品の小型高密度化、端面電極の高い電気的及びはんだ接続信頼性に対応し、特に薄型高密度のチップ部品をトランスファモ−ルド法で大量生産するベ−ス基板として、上部配線基板の絶縁層の厚さ0.03〜0.200mmとする。端面電極用の非貫通導通穴を形成する下部配線基板の基材の厚さは0.20〜0.50mmとする。また、非貫通導通穴の穴径は端面電極用の第2のブラインドビア(B2)はφ0.30〜φ1.00mmが良好である。第1のブラインドビア(B1)はφ0.10〜φ0.30mmが良好である。
つまり、本発明の非貫通導通穴を有する多層基板は配線基板の上面と下面を貫通するスル−ホ−ル穴を設けないものである。
【0016】
【発明の効果】配線基板の上面と下面を貫通するスル−ホ−ル穴を設けない非貫通導通穴を有する3層導体構造の多層基板は電気的及びはんだ接続信頼性が高く、薄型で高密度のベ−ス基板が供給できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のブラインドビアを有する多層基板の断面図。
【図2】本発明のブラインドビアを有する多層基板の工程図。
【符号の説明】
1…下部配線基板、2…基材、3…接着剤、4…下面の銅箔、6…銅箔、7…絶縁層、8…銅箔、9…貫通穴、10…上部配線基板、11…非貫通穴、12…めっき層、15,16…非貫通導通穴、17…部品接続ランド、18…分割切断線。
Claims (1)
- ダイシング用の分割切断線によって仕切られた複数個の領域内にブラインドビアを有する配線基板において、配線基板の上面導体(L1)と、配線基板の内層導体(L2)と、配線基板の下面導体(L3)とからなる3層導体構造であって、
配線基板の上面導体(L1)と内層導体(L2)とを電気的に接続する上向きの第1のブラインドビア(B1)と、配線基板の内層導体(L2)と下面導体(L3)とを電気的に接続する下方に開口している第2のブラインドビア(B2)とがダイシング用の分割切断線上で背面的に重ねて形成したことを特徴とするブラインドビアを有する多層基板。
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