JP2004349590A - 窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化物系化合物半導体素子は、主面の法線方向がZrB2結晶の〈0001〉方向に対して0.08°から0.25°の範囲で傾斜しているZrB2基板201と、ZrB2基板201の主面上に結晶成長した窒化物系化合物半導体層とを備え、窒化物系化合物半導体層には、井戸層及び障壁層から構成される発光層205を含むものとする。
【選択図】 図3
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ZrB2基板を用いた窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の窒化物系化合物半導体は、一般にサファイア基板の上に形成されてきたが、サファイア基板と窒化物系化合物半導体との間の格子不整合差および熱膨張係数差が大きいため、窒化物系化合物半導体中に非常に多くの転位が発生するといった問題があった。
【0003】
上記問題を解決するために、ZrB2基板を利用することが、特許文献1で開示されている。ZrB2基板は、サファイア基板に比べて窒化物系化合物半導体との間の格子不整合差が小さく、また熱膨張係数差も小さいため、窒化物系化合物半導体を形成する基板として好ましいと考えられる。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−43223号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ZrB2基板の主面に対する法線方向が〈0001〉方向である場合、その主面上に窒化物系化合物半導体を平坦に形成させることが難しく、起伏を有する表面モフォロジーとなりやすい。また、サファイア基板に比べると窒化物系化合物半導体層中の転位密度は減少するが、発光素子やデバイスへの応用の観点からは十分なものではなかった。
【0006】
窒化物系化合物半導体が発光素子に利用された場合、発光素子に含まれる発光層は、Inを含む窒化物系化合物半導体(例えばInGaN)からなる井戸層や障壁層が一般によく利用される。
【0007】
ところが、例えばInGaNを用いて発光素子を作製する場合、ZrB2基板との格子不整合差がサファイア基板に比べて小さくなったものの、基板界面から発光層を経て表面に達する貫通転位が依然、高密度に存在しているため、転位を介して流れる電流は発光に寄与しない成分となり、駆動電流密度の増大と発熱の原因となる。また、窒化物系化合物半導体の結晶成長時の化学的熱平衡状態が非常に不安定なため、転位を中心にInが凝集あるいは離散し、目的とする均一なIn組成の発光層を形成することが困難である。仮に目的とするIn組成の発光層を形成できたとしても、結晶性の良い発光層の形成は困難であり、高い発光効率を実現することが難しい。また、上記の理由によって、基板内における発光層のIn組成や膜厚の均一性が損なわれ、基板全面で均一に目的の発光波長と発光強度を持つ発光素子を作製することが困難である。
【0008】
本発明は、上記の問題点に鑑み、平坦な表面モフォロジーにより転位密度を少なくした窒化物系化合物半導体素子を提供することを目的とする。また、より一層の発光効率(発光強度)の向上を実現する窒化物系化合物半導体素子とその製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、主面の法線方向がZrB2結晶の〈0001〉方向に対して0.08°から0.25°の範囲で傾斜しているZrB2基板と、該ZrB2基板の主面上に結晶成長した窒化物系化合物半導体層とを用いて窒化物系化合物半導体素子を作製する。
【0010】
これにより、ZrB2基板の主面上に形成された窒化物系化合物半導体の表面モフォロジーが平坦となり、転位密度を減少させることができる。
【0011】
なお、前記法線方向は、ZrB2結晶の〈0001〉方向に対して〈11−20〉方向又は〈1−100〉方向へ傾斜していることが好ましい。
【0012】
また、前記窒化物系化合物半導体層は、井戸層及び障壁層から構成される発光層を有している。
【0013】
これにより、窒化物系化合物半導体素子中の貫通転位密度が減少され、発光に寄与しない電流経路が減少され得る。また、発光層と接する下地層の表面が平坦であることと貫通転位密度の減少のため、発光層の組成を均一化させることもできる。
【0014】
また本発明の窒化物系化合物半導体素子の製造方法は、主面の法線方向がZrB2結晶の〈0001〉方向に対して0.08°から0.25°の範囲で傾斜しているZrB2基板を用いた窒化物系化合物半導体素子の製造方法であって、該基板の主面上に窒化物系化合物半導体からなる障壁層を積層する工程と、前記障壁層の形成後、一定期間の成長中断を設ける工程と、前記障壁層に窒化物系化合物半導体からなる井戸層を積層する工程と、前記井戸層の形成後、一定期間の成長中断を設ける工程とを有することを特徴とする。
【0015】
このように、発光層となる窒化物系化合物半導体を形成後に成長中断を設けることによって、固層に取り込まれた原料種の凝集を防止して組成を均一にすることができ、組成不均一が解消されることで、さらに表面平坦性が向上され得る。
【0016】
ここで、前記井戸層又は前記障壁層の成長中断の期間は、1秒以上60分以下とすることが好ましい。また、前記井戸層又は前記障壁層の成長中断の期間中は、窒素を主体とするキャリアガスを流していることが好ましい。更に、前記井戸層又は前記障壁層の成長中断の期間中は、窒素を主体とするキャリアガスと、V族原料ガスを流していることが好ましい。
【0017】
上記の発光層にはIn、P、As等を含むことができる。具体的には発光層が、GaNP、GaNAs、InGaNP、InGaNAsなどの場合が挙げられる。
【0018】
本明細書において窒化物系化合物半導体とは、一般式InxGayAlzN(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される化合物を意味し、P、Asが含まれていても構わない。
【0019】
なお、結晶の方位を示す指数が負の場合、絶対値の上に横線を付して表記するのが結晶学の決まりであるが、本明細書では、そのような表記ができないため、絶対値の前に負号「−」を付して負の指数を表す。
【0020】
【発明の実施の形態】
〈実施の形態1〉
本実施の形態では、微傾斜ZrB2基板を用いて作製されたGaN膜について、基板微傾斜角と素子中に存在する貫通転位密度、表面荒さの関係について説明する。ここで、微傾斜ZrB2基板とは、基板の主面に対する法線方向がZrB2結晶の〈0001〉方向から僅かに傾斜した基板のことである。
【0021】
まず、微傾斜ZrB2基板を洗浄して結晶成長装置内に設置する。基板は、水素雰囲気中1100℃程度の温度で約10分程度熱処理を施す。その後、温度を1050℃まで降温し、TMGを約50μmol/min供給してGaN膜を約4μm成長させる。
【0022】
図1は、GaN膜成長時の基板の断面図である。ZrB2基板101の主面の傾斜角が〈0001〉方向から〈11−20〉あるいは〈1−100〉方向に0.08°から0.25°の範囲で傾斜している。このとき、主面(基板表面)に形成されたステップ102は最適かつ均一となり、気相より基板表面に到達したGaNはマイグレーションと再蒸発を繰り返しつつ均一に成長核(GaN膜)103を形成し、一層ずつ面で積層される2次元成長モードとなると考えられる。その結果、貫通転位が減少し、効率的な電流注入が実現され、熱の発生を抑制しつつ平滑性が向上した表面を持つ素子が得られる。
【0023】
図2は、GaN膜103の表面荒さを測定した結果を示す図である。このGaN膜103の表面荒さは段差計にて測定した。基板傾斜角(横軸)が大きくなるにつれて表面荒れが減少している。なお、図2で示した基板傾斜角の方向は〈11−20〉方向であるが、〈1−100〉方向についても同様の傾向を得ている。
【0024】
0.08°から0.25°の傾斜角の範囲においては、表面荒れが概ね0.5nm以下である。この値は、窒化物系化合物半導体からなる発光素子を作製した際の、発光層を構成している井戸層厚よりも十分小さい値である。従って、基板傾斜角の好ましい範囲は、0.08°から0.25°であるといえる。
【0025】
また本実施の形態のように、基板101上に直接高温(900℃以上)のGaN膜103を成長させた場合の表面平坦性と、基板上に予め低温バッファー層(500℃〜600℃の温度で成長させたGaNまたはAlNの層)が堆積され、その後基板温度を上げて高温(900℃以上)のGaN膜を成長させた場合の表面平坦性とを比較したところ、前者の方が後者に比べて表面の平坦性が向上していることが分かった。
【0026】
〈実施の形態2〉
本実施の形態では、微傾斜ZrB2基板を用いて作製した発光素子について、基板微傾斜角と素子中に存在する貫通転位密度、表面荒さおよび電流注入時の発光強度の関係を示す。
【0027】
まず、本発明の一般的な発光素子(窒化物系化合物半導体レーザや発光ダイオード)を形成する結晶成長手順について図3を参照しながら説明する。図3は、窒化物半導体レーザの断面図である。
【0028】
最初に、微傾斜ZrB2基板201を洗浄して、結晶成長装置内に設置する。基板201は、水素雰囲気中1100℃程度の温度で約10分程度熱処理を施す。その後、温度を1050℃まで降温し、TMGを約50μmol/minとSiH4ガスを約10nmol/min供給してn型のGaN膜202を約4μm成長させる。
【0029】
次に、TMAを10μmol/min供給して0.5μmの厚さのn型Al0.15Ga0.85N膜203を成長させる。この膜は光閉じ込め層である。続いて、TMAの供給を停止して約0.1μm厚さのGaN膜204を成長させる。この層は光ガイド層である。なお、n型Al0.15Ga0.85N膜203及びGaN膜204は発光ダイオードを製造する際には不要である。
【0030】
その後、SiH4とTMGの供給を停止し、基板の温度を850℃〜700℃程度まで低下させる。この温度は、発光素子の発光波長を決定する一つのパラメータとなり、低温ほど発光波長が長くなる傾向を示す。上述した基板温度は、紫〜緑の発光素子を作製するための温度であり、必要な波長帯が紫〜緑の波長帯になければ基板温度を変えても問題はない。
【0031】
基板温度が安定した後、以下の方法で発光層205を形成する。ここで、発光層とは障壁層と井戸層から構成されるものとする。TMGを10μmol/min、TMIを10μmol/minで供給し、In0.05Ga0.95Nからなる障壁層を約5nmの厚さになるように成長させる。次に、TMGを10μmol/min、TMIを50μmol/min供給し、In0.2Ga0.8Nからなる井戸層を約3nmの厚さになるように成長させる。この発光層となる障壁層と井戸層の成長を繰り返し、必要な層数の井戸層を成長させた後、最後に障壁層を成長させて発光層205の成長を終了する。
【0032】
なお、井戸層が2〜5層の場合、発光効率が良くなるために好ましい。また、障壁層または井戸層の成長時に、SiH4を10nmol/min程度流してもかまわない。
【0033】
発光層205の作製工程において、成長中断を適用する場合は、障壁層又は井戸層の成長終了後、一旦TMGとTMIの供給を停止し、キャリアガスとNH3ガスを流しながら、1秒〜60分間の成長中断を行うとよい。
【0034】
続いて、発光層205の成長後、InGaN層の昇華を防止する目的で、TMGを10μmol/min、TMAを5μmol/min、及びCp2Mgを供給し、約30nmの厚さのAlGaN層206を成長させる。その後、TMG、TMA、Cp2Mgの供給を停止し、基板温度を再び1050℃に昇温させる。
【0035】
昇温後、TMGを50μmol/minとCp2Mgを供給し、p型のGaNよりなる光ガイド層207を0.1μm成長させる。次に、TMAを10μmol/min供給し、0.1μmの厚さのp型Al0.15Ga0.85N膜208を成長させる。この層は光閉じ込め層である。なお、光ガイド層207及びp型Al0.15Ga0.85N膜208は発光ダイオードを製造する際には不要である。
【0036】
p型Al0.15Ga0.85N膜208の成長終了後、TMAの供給を停止し、p型のGaNよりなるコンタクト層209を約0.5μm成長させ、その後、TMGとCp2Mgの供給を停止して基板加熱を終了する。
【0037】
また、実施の形態1と同様に、基板上に低温バッファー層を用いた発光素子と基板上に直接成長させた発光素子とを比較すると、直接成長させた発光素子の方が表面平坦性向上していることが分かった。
【0038】
図4は、発光層205近傍の成長温度と各原料の供給量の一例を示す図である。301は成長中断期間、302は障壁層の成長期間、303は井戸層の成長期間、304はn型GaN膜の成長期間、305はp型GaNの成長期間、306はAlGaN昇華防止層の成長期間を示す。
【0039】
基板加熱の終了後、室温まで下がれば、結晶成長装置より素子を取りだし、反応性イオンエッチングを用いて、必要な形状の絶縁膜210とp型電極211aを蒸着法により形成するとともに、一部のn型GaN202を露出させてn型電極211bも蒸着法により形成する。また、ZrB2基板201は導電性であり基板自体が電極としても機能する為、電極構造に伴う製造工程の簡素化を計ることが出来る。光を取り出す端面は基板201を劈開することで形成する。なお、発光ダイオードを作製する場合は、劈開による端面は必要なく、p型電極側またはn型電極側から光を透過させて使用する。
【0040】
次に、微傾斜ZrB2基板201を用いて作製した発光素子について、基板微傾斜角と素子中に存在する貫通転位密度、表面荒さおよび電流注入時の発光強度の関係について実施例を挙げる。ここでは、発光素子として発光ダイオードを例に説明する。本実施例で説明される発光ダイオードは、以下に示す製造方法を除いて、上記の一般的な発光素子の製造方法と同様にして作製する。
【0041】
発光層の成長条件は、n型GaN層を成長後、NH3を流しながら基板温度を一定の温度になるように調整する。基板温度が安定した時点で、TMG、TMI及びSiH4を各々10μmol/min、10μmol/min及び5nmol/min導入し、障壁層となるIn0.05Ga0.95Nを約5nmの厚さで成長させる。
【0042】
続いて、TMG、TMI及びSiH4を各々10μmol/min、50μmol/min及び5nmol/min導入し、井戸層となるIn0.2Ga0.8Nを約3nmの厚さに成長させる。井戸層成長後、TMGの供給量を10μmol/minに減少し、再び障壁層を成長させる。障壁層成長後、井戸層を成長させる工程を繰り返し、最後に障壁層を成長させる。本実施例では、発光層を形成する井戸層は3層とする。
【0043】
上記の方法で結晶成長させた後、電極を形成する前にその試料を断面TEM観察して貫通転位密度を評価し、段差計にて表面荒さを測定した。ZrB2基板の微傾斜方向が〈11−20〉方向と〈1−100〉方向のいずれの場合も、基板傾斜角が0.08°から0.25°の範囲外では基板表面の傾斜によって引き起こされる結晶成長不良により高密度の貫通転位と表面荒れが発生している。これは実施の形態1と同様の傾向である。また、発光層中にInの凝集による数nm径のドット状領域が多数見られた。
【0044】
他方、基板傾斜角が0.08°から0.25°の傾斜範囲では、断面TEM観察より、下地層のn型GaNの成長段階から表面平坦性が向上していることがわかった。貫通転位の減少によって、発光層中のIn凝集が解消された結果、ドット状領域がほとんど見られなくなり、下地層の平坦性向上によって、量子井戸発光層の層厚揺らぎが改善される。
【0045】
次に、上記試料に電極を形成して素子化する。この素子化された試料(発光ダイオード)に20mAの電流を流した場合の発光強度を〈0001〉方向から〈11−20〉および〈1−100〉方向への基板傾斜角に対して調査した。
基板微傾斜角の発光強度への影響は、成長温度により若干変化するが、いずれも0.08°から0.25°の基板傾斜で発光強度が増加している。貫通転位と発光強度の相関が明らかなように、本発明により、従来技術で作製した場合に比べてより低い駆動電流で同等以上の発光強度が得られることがわかる。これは、本発明によって、発光に寄与しない電流経路が減少したことを意味する。
【0046】
本実施例では、発光層の井戸層が3層の例について説明したが、2層、及び4層から10層までの多重量子井戸層とした場合の効果も同様であった。また、同様の方法で半導体レーザを作製した場合、0.08°から0.25°の微傾斜基板上に作製した半導体レーザは、同一電流値に対する発光強度が高く、発光強度に応じて発振を開始するしきい値電流密度が低くなる傾向にある。
【0047】
〈実施の形態3〉
本実施の形態では、微傾斜ZrB2基板上に成長中断を用いて作製された障壁層を持つ発光素子(ここでは、発光ダイオード)について電流注入時の発光強度と、障壁層成長後の成長中断期間との関係を示す。
【0048】
前記微傾斜ZrB2基板は、その主面に対する法線方向が、ZrB2結晶の〈0001〉方向から〈1−100〉方向に0.15°の傾斜角を有する基板を用いる。発光ダイオードは、以下に示す製造方法を除いて、実施の形態2で示した方法と同様にして作製する。
【0049】
本実施の形態の発光層は以下のようにして作製する。まず、n型GaN層を成長後、NH3を流しながら基板温度を一定の温度になるように調整して、基板温度が安定した時点で、TMG、TMI及びSiH4を各々10μmol/min、10μmol/min及び5nmol/min導入し、障壁層であるIn0.05Ga0.95Nを約5nmの厚さで成長させる。
【0050】
その後、TMG、TMI及びSiH4の供給を一旦停止し、キャリアガス及びNH3ガスを供給したまま一定期間の成長中断を行う。そして、再びTMG、TMI及びSiH4を各々10μmol/min、50μmol/min及び5nmol/min導入し、井戸層となるIn0.2Ga0.8Nを約3nmの厚さで成長させる。井戸層成長後、TMGの供給量を10μmol/minに減少し、再び障壁層を成長させる。障壁層成長後、一定期間の成長中断を介し井戸層を成長させる工程を繰り返し、最後に障壁層を成長させる。
【0051】
次にInGaN層の昇華を防止する目的でAlGaN膜を30nm程度成長させる。このAlGaN膜と発光層が終端するInGaN障壁層の間には成長中断を設けても設けなくても構わない。但し、井戸層が2層以下の場合には、終端する障壁層成長後にも成長中断を設けた方が発光素子の電流注入による発光強度が高くなるので好ましい。本実施の形態では、発光層を形成する井戸層は3層とする。
【0052】
また、実施の形態1と同様に、基板上にバッファー層を用いた発光ダイオードと基板上に直接成長した発光ダイオードを比較すると、直接成長した発光ダイオードの方が表面平坦性向上していることが分かった。
【0053】
AlGaN成長後は、実施の形態2に示す方法でp型層を成長し、電極形成等の工程を経て発光ダイオードを作製する。
【0054】
この方法で作製した発光ダイオードに20mAの電流を流した際の発光強度を、障壁層成長後の成長中断期間をパラメータとして調査した。その結果、微傾斜基板に加えて、成長中断を用いることにより、さらに発光強度が増大することがわかった。
【0055】
成長中断による発光強度への影響は、成長温度により若干変化するが、いずれも1秒以上の成長中断により発光強度は増加している。発光層の成長温度が高い場合には成長中断期間は短い方が、逆に成長温度が低い場合には成長中断期間は長い方が効果が大きい。成長温度が700℃の場合においては、成長中断期間は1秒から約60分程度で効果があり、特に効果が現われる期間は、1秒以上10分以下である。また、成長温度が750℃の場合においては、成長中断期間は1秒から約15分程度で効果があり、特に効果が現われる期間は、1秒以上5分以下である。また、成長温度が800℃の場合においては、成長中断期間は1秒から約5分程度で効果があり、特に効果が現われる期間は、1秒以上2分以下である。
【0056】
本実施の形態では、〈0001〉方向から〈1−100〉方向に0.15°傾斜角をつけたZrB2基板を用いて説明したが、傾斜角が0.08°から0.25°の範囲であれば、他の方向への傾斜でも同様の効果を発揮する。特に好ましい傾斜方向は〈1−100〉方向または〈11−20〉方向である。
【0057】
また、本実施の形態では、発光層の井戸層が3層の例について記述したが、2層、及び4層から10層までの井戸層についての効果は本実施の形態と同様の傾向であり、同様の方法で障壁層の成長中断を入れて発光層を作製した半導体レーザは、同一電流値に対する発光強度が高く、発光強度に応じて発振を開始するしきい値電流密度が低くなる傾向を示す。
【0058】
微傾斜ZrB2基板上に発光層を作製する際、発光層成長時に成長中断を行うことによって、発光素子の発光強度が増加した。この原因については、詳細には解らないが、Inを含む窒化物系化合物半導体は高温では化学的に不安定な状態で成長しており、さらに膜中を貫通する転位がInを凝集させる作用を持ち、Inを含む窒化物系化合物半導体層の成長直後は結晶が良好な状態で存在していないため、微傾斜ZrB2基板の使用により貫通転位密度を減少させ、さらに窒素雰囲気中で熱に晒されることにより、Inを含む窒化物系化合物半導体中のIn凝集が解消されて安定な層状態に自然に落ち着き、結晶の状態が良好なものに移行するのではないかと思われる。特に発光に寄与する井戸層に隣接している障壁層の結晶状態が井戸層の結晶質の向上に大きく影響を与えているのではないかと推測している。
【0059】
〈実施の形態4〉
本実施の形態では、障壁層成長後に一定の成長中断期間をおいて成長させ、その後、井戸層成長後にも同様に一定の成長中断期間を設けて成長させた場合の、微傾斜ZrB2基板を用いた発光ダイオードの電流注入に於ける発光強度と井戸層成長後の成長中断期間との関係について説明する。
【0060】
ここで、微傾斜ZrB2基板は、その主面に対する法線方向が、ZrB2結晶の〈0001〉方向から〈1−100〉方向に0.15°傾斜角を有する。発光ダイオードを形成する各層の成長方法は発光層を除いて実施の形態2と同様である。以下に、発光層を成長させる条件について記述する。
【0061】
まず、n型GaNを成長後、NH3を流しながら基板温度が一定の温度になるように調整する。基板温度が安定した時点で、TMG、TMI及びSiH4を各々10μmol/min、10μmol/min及び5nmol/min導入し、障壁層となるIn0.05Ga0.95Nを約5μmの厚さで成長させる。
【0062】
その後、TMG、TMI及びSiH4の供給を一旦停止し、キャリアガス及びNH3ガスを供給したまま一定期間の成長中断を行う。その後、再びTMG、TMI及びSiH4ガスを各々10μmol/min、15μmol/min及び5nmol/min導入し、井戸層となるIn0.2Ga0.8Nを約5μmの厚さで成長させる。その後、TMG、TMI及びSiH4の供給を一旦停止し、キャリアガス及びNH3ガスを供給したまま一定期間の成長中断を行う。障壁層成長後及び井戸層成長後、各々一定期間の成長中断を介し、各々の層が隣接するように成長させる工程を繰り返し、最後に障壁層を成長させる。
【0063】
そして、実施の形態2に記した方法にてInGaNの昇華を防止する目的でAlGaN膜を30nm程度成長させる。このAlGaN膜と、発光層が終端するInGaN障壁層の間には、成長中断を設けても設けなくても構わない。但し、井戸層の層数が2層以下の場合には、終端する障壁層成長後にも成長中断を設けた方が、発光素子の電流注入による発光強度が高くなるため好ましい。本実施の形態では、発光層を形成する井戸層は3層とする。また、障壁層成長後の成長中断期間は60秒とする。
【0064】
この方法で作製した発光ダイオードに20mAの電流を流した際の発光強度を、井戸層成長後の成長中断期間をパラメータとして調査した。その結果、微傾斜基板に加えて、成長中断を用いることにより、さらに発光強度が増大することがわかった。
【0065】
井戸層成長後の成長中断による発光強度への影響は成長温度により若干変化するが、いずれも1秒以上の成長中断により発光強度は増加している。発光層の成長温度が高い場合には成長中断期間は短い方が、逆に成長温度が低い場合には成長中断期間は長い方が効果的である。
【0066】
成長温度が700℃の場合においては、成長中断期間は1秒から約60分程度で効果があり、特に効果が現われる期間は1秒以上10分以下である。また、成長温度が750℃の場合においては、成長中断期間は1秒から約15分程度で効果があり、特に効果が現われる期間は1秒以上5分以下である。成長温度が800℃の場合においては、成長中断期間は1秒から約5分程度で効果があり、特に効果が現われる期間は1秒以上2分以下である。
【0067】
また、障壁層を成長後、成長中断を行わずに井戸層の成長後にだけ成長中断を行った場合には、発光強度への若干の効果はあったものの、最大で3倍程度の発光強度の増加に止まるのみである。また、微傾斜ZrB2基板上の発光層成長時に成長中断を行うことによって、発光素子の発光強度が増加する原因については実施の形態3と同様である。
【0068】
なお本実施の形態では、〈0001〉方向から〈1−100〉方向に0.15°傾斜角をつけたZrB2基板を使用した例について説明したが、傾斜角が0.08°から0.25°の範囲であれば、他の方向への傾斜でも同様の効果を発揮する。特に好ましい傾斜方向は〈1−100〉方向または〈11−20〉方向である。
【0069】
また、実施の形態1と同様に、基板上にバッファー層を用いた成長と基板上への直接成長とを比較すると、直接成長した方の表面平坦性が向上していることが分かった。
【0070】
〈実施の形態5〉
本実施例では、実施の形態2〜4に示す方法で発光ダイオードを作製した際、発光層を形成する障壁層成長後または井戸層成長後の成長中断を行う期間に流すキャリアガスの水素ガスと窒素ガスの混合比を変化させた場合の、微傾斜ZrB2基板を用いた発光ダイオードの発光特性について説明する。
【0071】
ここで、微傾斜ZrB2基板は、その主面に対する法線方向が、ZrB2結晶の〈0001〉方向から〈1−100〉方向に0.15°の傾斜角を有する。傾斜方向およびその傾斜角の範囲は、実施の形態1や実施の形態4と同様である。
【0072】
発光層の成長温度を750℃に固定し、障壁層成長後の成長中断期間を60秒とし、成長中断中に流すキャリアガスの総量を変えずに窒素ガスと水素ガスの比率を変えて供給し作製した発光ダイオードの発光波長と強度の関係を説明する。キャリアガスのN2比率が減少するに従って、発光波長は短波長化する傾向にあり、また、発光強度も減少する傾向にある。この傾向は、発光層の成長温度が800℃程度の高温や700℃程度の低温でも同様の傾向を示す。また、障壁層成長後の成長中断だけでなく、井戸層成長後に成長中断を設ける場合においても、成長中断中のキャリアガスとしてN2を使用する方が、発光素子の発光強度が強く、波長も長波長になる傾向を示す。
【0073】
〈実施の形態6〉
本実施の形態では、実施の形態2〜5に示す方法で、微傾斜ZrB2基板を用いた発光ダイオードを作製した際、障壁層成長後または井戸層成長後の成長中断を行う期間に流すNH3ガスの導入量を変化させた場合の成長中断期間と発光強度の関係について説明する。
【0074】
ここで、微傾斜ZrB2基板は、その主面に対する法線方向が、ZrB2結晶の〈0001〉方向から〈1−100〉方向に0.15°傾斜角を有するZrB2基板を用いる。傾斜方向およびその傾斜角の範囲は、実施の形態1や実施の形態4と同様である。
【0075】
発光層の成長温度を750℃に固定し、NH3導入量と成長中断期間を変化させた場合の発光ダイオードの発光強度を測定した結果について説明する。NH3導入量がゼロの場合においても、発光強度が増加する事が確認されたが、NH3の導入により、発光強度増加の効果がより顕著に現われており、また、成長中断期間も長く設定できるため製造が容易となる。この傾向は、発光層の成長温度が800℃程度の高温や700℃程度の低温でも同様の傾向を示す。また、障壁層成長後の成長中断だけでなく、井戸層成長後に成長中断を設ける場合においても同様の傾向を示す。
【0076】
実施の形態1〜6においては、主として本発明の発光ダイオードへの影響について記述したが、我々の実験では、電流注入による発光強度の増加はレーザダイオードのしきい値電流密度の低下につながるものである。事実、発光ダイオードの構造で測定して発光強度の高い発光層を有するレーザダイオードは低いしきい値電流密度でレーザ発振が確認される。そのため本発明は、窒化物系化合物半導体で構成される発光素子全般に有効な方法である。
【0077】
【発明の効果】
本発明によると、平坦な表面モフォロジーと転位密度の少ない窒化物系化合物半導体素子を得ることができる。また、本発明を発光素子に利用することによって、より一層の発光効率(発光強度)の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】GaN膜成長時の基板の断面図である。
【図2】GaN膜の表面荒さを測定した結果を示す図である。
【図3】窒化物半導体レーザの断面図である。
【図4】発光層近傍の成長温度と各原料の供給量の一例を示す図である。
【符号の説明】
101、201 ZrB2基板
205 発光層
301 成長中断期間
Claims (7)
- 主面の法線方向がZrB2結晶の〈0001〉方向に対して0.08°から0.25°の範囲で傾斜しているZrB2基板と、該ZrB2基板の主面上に結晶成長した窒化物系化合物半導体層とを備えることを特徴とする窒化物系化合物半導体素子。
- 前記法線方向は、ZrB2結晶の〈0001〉方向に対して〈11−20〉方向又は〈1−100〉方向へ傾斜していることを特徴とする請求項1記載の窒化物系化合物半導体素子。
- 前記窒化物系化合物半導体層は、井戸層及び障壁層から構成される発光層を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の窒化物系化合物半導体素子。
- 主面の法線方向がZrB2結晶の〈0001〉方向に対して0.08°から0.25°の範囲で傾斜しているZrB2基板を用いた窒化物系化合物半導体素子の製造方法であって、
該基板の主面上に窒化物系化合物半導体からなる障壁層を積層する工程と、
前記障壁層の形成後、一定期間の成長中断を設ける工程と、
前記障壁層に窒化物系化合物半導体からなる井戸層を積層する工程と、
前記井戸層の形成後、一定期間の成長中断を設ける工程とを有することを特徴とする窒化物系化合物半導体素子の製造方法。 - 前記井戸層又は前記障壁層の成長中断の期間は、1秒以上60分以下であることを特徴とする請求項4記載の窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
- 前記井戸層又は前記障壁層の成長中断の期間中は、窒素を主体とするキャリアガスを流していることを特徴とする請求項4又は5記載の窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
- 前記井戸層又は前記障壁層の成長中断の期間中は、窒素を主体とするキャリアガスと、V族原料ガスを流していることを特徴とする請求項4又は5記載の窒化物系化合物半導体素子の製造方法。
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