JP2004349545A - 撮像素子の実装方法 - Google Patents

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純司 藤野
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Abstract

【課題】真空吸引などといった複雑な操作を行うことなく、撮像素子を湾曲した状態でモジュール基板に容易に実装することができる撮像素子の実装方法を提供する。
【解決手段】平板状の板状部材3の上にシート状のエポキシ樹脂製の接着剤2を重ね合わせ、さらに接着剤2の上に平板状の撮像素子1を重ね合わせる。撮像素子1は、熱膨張係数が4ppm/Kのシリコン(Si)で形成する。板状部材3は、熱膨張係数が2ppm/Kのインバーで形成する。撮像素子1と接着剤2と板状部材3とが重ね合わされてなる積層体を、175℃に昇温し、1時間この温度に保持する。この後、積層体を常温に戻す。これにより、撮像素子1が、受光面が凹面状となるように湾曲する。この後、板状部材3をモジュール基板5に固着させる。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カメラモジュール等のレンズの収差を補正するために撮像素子を所望の曲率で湾曲させるための撮像素子の実装方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
CCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子を用いた撮像装置は、例えば、カメラ付き携帯電話等の種々の携帯情報端末に幅広く用いられている。かかる撮像装置においては、被写体から出た光は、撮像レンズおよび絞りを経由して撮像素子の受光エリアに映像として結像される。この種の撮像装置においては、撮像素子の受光面の中央部と周辺部とでは撮像レンズまでの距離が異なるので、一般に像面湾曲と呼ばれるレンズの収差により、映像にひずみが生じる。
【0003】
そこで、撮像素子を湾曲可能な厚さまで薄膜化し、接着剤等によりモジュール基板の凹状部に湾曲した形状で固定することにより、像面湾曲ないしはレンズの収差の発生を防止するようにした撮像装置が種々提案されている(例えば、特許文献1〜4参照)。具体的には、例えば、特許文献1にかかる撮像装置ないしはその製造方法では、あらかじめ凹面状に研磨されたパッケージ底面に、真空吸引により撮像素子を吸着させて湾曲させ、この状態で撮像素子をパッケージ底面に固定するようにしている。
【0004】
【特許文献1】
特開2001−156278号公報(段落[0012]、図2)
【特許文献2】
特開2001−284564号公報(段落[0033]、図7)
【特許文献3】
特開平01−202989号公報(第2頁、第1図)
【特許文献4】
特開平10−108078号公報(段落[0017]、図1)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、撮像素子を、真空吸引により凹面状のモジュール基板ないしはパッケージ底面に吸着させ、湾曲させた状態でモジュール基板ないしはパッケージ底面に接着・固定させる場合、接着剤として常温硬化型接着剤を用いると、長時間にわたって撮像素子を吸引し続けなければならないといった問題がある。また、撮像素子をモジュール基板ないしはパッケージ底面にはんだ接合で固定する場合、あるいは熱硬化型接着剤を用いて接着する場合は、真空吸引を行いつつ加熱しなければならないので、製造装置ないしは製造プロセスが複雑化するといった問題がある。
【0006】
また、真空吸引により、撮像素子とモジュール基板ないしはパッケージとの間の接合材料が吸引されてはみ出しが生じたり、接合部界面の接合部厚さが小さくなって熱応力によるクラックが発生するおそれがあるといった問題がある。
【0007】
本発明は、上記従来の問題を解決するためになされたものであって、真空吸引などといった複雑な操作を行うことなく、撮像素子を湾曲した状態でモジュール基板に容易に実装することができる撮像素子の実装方法を提供することを解決すべき課題とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するためになされた本発明にかかる撮像素子の実装方法は、平板状の撮像素子と、該撮像素子とは熱膨張係数が異なる平板状の板状部材とを積層して高温状態で接着した後、常温まで冷却し、該冷却による撮像素子と板状部材との収縮量差に起因して両者の接着部に生じる力により撮像素子および板状部材を湾曲させ、板状部材を基板に固着させて撮像素子を湾曲した状態で基板に実装することを特徴とするものである。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照しつつ、本発明のいくつかの実施の形態を具体的に説明する。なお、これらの図面において、共通な構成要素、ないしは構成および機能が実質的に同一の構成要素には、同一の参照番号を付している。
【0010】
実施の形態1.
まず、図1(a)〜(c)を参照しつつ、本発明の実施の形態1にかかる撮像素子の実装方法を説明する。
図1(a)に示すように、実施の形態1にかかる撮像素子の実装プロセスにおいては、まず、寸法が10mm(縦)×10mm(横)×0.5mm(厚さ)の平板状の板状部材3の上に、シート状のエポキシ樹脂製の接着剤2を重ね合わせる。さらに、接着剤2の上に、寸法が8mm(縦)×8mm(横)×0.4mm(厚さ)の平板状の撮像素子1を重ね合わせる(搭載する)。
【0011】
ここで、撮像素子1は、例えば、熱膨張係数(線膨張係数)が4ppm/Kのシリコン(Si)で形成されている。また、板状部材3は、撮像素子1よりも熱膨張係数が小さい材料、例えば、熱膨張係数が2ppm/Kのインバーで形成されている。なお、エポキシ樹脂製の接着剤2は熱硬化型の接着剤である。
【0012】
そして、このように撮像素子1と接着剤2と板状部材3とが重ね合わされてなる積層体を、175℃に昇温し、1時間この温度に保持する。ここで、積層体が175℃に達した時点では、接着剤2はまだ硬化していないので、撮像素子1と板状部材3とは、それぞれ、独立して自由に熱膨張する。したがって、撮像素子1および板状部材3は、いずれも、全体的に膨張しているが、その膨張は上面側と下面側とで均一であるので、平板状である。かくして、積層体を175℃に保持しているときに接着剤2が硬化し、撮像素子1が板状部材3に固着(接着・固定)される。なお、この状態においても、撮像素子1および板状部材3は平板状である。
【0013】
このように接着剤2が硬化した後、積層体を常温(例えば、25℃)に戻す。このとき、撮像素子1と板状部材3とは、それぞれ、冷却(温度の低下)に伴って収縮する。しかし、撮像素子1の下面と板状部材3の上面とが、硬化した接着剤2によって固着されているので、撮像素子1と板状部材3とは独立して自由に収縮することはできない。
【0014】
すなわち、熱膨張係数が大きい撮像素子1は、熱膨張係数が小さい板状部材3に比べて収縮量が大きいので、撮像素子1の下面は、板状部材3の上面を収縮させようとする。逆に、板状部材3の上面は撮像素子1の下面を拡張させようとする。このような撮像素子1と板状部材3との間の相互作用ないしは力(応力)により、撮像素子1においてはその下面がその上面より拡張し、板状部材3においてはその上面がその下面より収縮する。
【0015】
このため、図1(b)に示すように、撮像素子1および板状部材3には、両者間の熱膨張係数差に起因して、上側に向かって(撮像レンズに向かって)凹面状となるような湾曲ないしは反り、すなわち撮像素子1の受光面が凹面状となるような湾曲ないしは反りが生じる。なお、撮像素子1と板状部材3との間に位置する硬化した接着剤2もこれらと同様に変形するのはもちろんである。
【0016】
さらに、図1(c)に示すように、撮像素子1と板状部材3とが接着剤2で固着されてなる積層体が、シリコーン樹脂製のダイボンド材4を用いて、寸法が16mm(縦)×16mm(横)×1.0mm(厚さ)の平板状のガラスエポキシ製モジュール基板5の上に接着される。シリコーン樹脂製のダイボンド材4は常温硬化型であるので、積層体とモジュール基板5との接着は、例えば、モジュール基板5の上にダイボンド材4を塗布し、ダイボンド材4の上に積層体を載せて、常温で24h保持するなどといった手順で行うことができる。この後、金(Au)からなるボンディングワイヤ6により、撮像素子1とモジュール基板5とを電気的に接続する。
【0017】
ここでは、板状部材3の材料としてインバーを用いているが、板状部材3の材料はインバーに限定されるものではなく、例えば熱膨張係数がさらに小さいスーパーインバーを用いてもよい。なお、板状部材3を、Siより熱膨張係数が大きい材料で形成すれば、積層体に、図1(b)、(c)と逆向きの湾曲ないしは反り、すなわち撮像素子1の受光面が凸面状となるような湾曲ないしは反りを形成することができる。
【0018】
以上、実施の形態1にかかる撮像素子1の実装方法によれば、真空吸引などといった複雑な操作を行うことなく、撮像素子を湾曲した状態でモジュール基板に容易に実装(固定)することができる。
【0019】
実施の形態2.
以下、図2(a)〜(c)を参照しつつ本発明の実施の形態2にかかる撮像素子の実装方法を説明する。図2(a)に示すように、実施の形態2にかかる撮像素子の実装プロセスにおいては、まず寸法が10mm(縦)×10mm(横)×1mm(厚さ)の平板状の第2の板状部材7の上に、シート状のエポキシ樹脂製の接着剤2をはさんで、寸法が10mm×10mm×1mmの平板状の板状部材3(以下、「第1の板状部材3」という。)を重ね合わせる。さらに、第1の板状部材3の上にシート状のエポキシ樹脂製の接着剤2を重ね合わせた上で、この接着剤2の上に、寸法が8mm(縦)×8mm(横)×0.1mm(厚さ)の平板状の撮像素子1を重ね合わせる(搭載する)。
【0020】
ここで、撮像素子1は、例えば、熱膨張係数が4ppm/Kのシリコン(Si)で形成されている。また、第1の板状部材3および第2の板状部材7は、撮像素子1よりも熱膨張係数が大きい材料で形成されている。かつ、第1の板状部材3は、第2の板状部材7よりも熱膨張係数が大きい材料で形成されている。具体的には、例えば、第1の板状部材3は熱膨張係数が23ppm/Kのアルミニウム(Al)で形成され、第2の板状部材7は熱膨張係数が16ppm/Kの銅(Cu)で形成される。なお、エポキシ樹脂製の接着剤2は熱硬化型の接着剤である。
【0021】
そして、このように撮像素子1と第1の板状部材3と第2の板状部材7とが、接着剤2をはさんで重ね合わされてなる積層体を、175℃に昇温し、1時間この温度に保持する。ここで、積層体が175℃に達した時点では、接着剤2はまだ硬化していないので、撮像素子1および両板状部材3、7は、それぞれ、独立して自由に熱膨張する。したがって、撮像素子1および両板状部材3、7は、いずれも、全体的に膨張しているが、その膨張は上面側と下面側とで均一であるので、平板状である。かくして、積層体を175℃に保持しているときに接着剤2が硬化し、撮像素子1と第1の板状部材3と第2の板状部材7とが固着(接着・固定)される。なお、この状態においても、撮像素子1および両板状部材3、7は平板状である。
【0022】
このように接着剤2が硬化した後、積層体を常温(例えば、25℃)に戻す。このとき、撮像素子1および両板状部材3、7は、それぞれ、温度の低下に伴って収縮する。しかし、撮像素子1と第1の板状部材3と第2の板状部材7とは、硬化した接着剤2によって固着されているので、撮像素子1および両板状部材3、7は独立して自由に収縮することはできない。
【0023】
この場合、撮像素子1は両板状部材3、7に比べて非常に薄いので、第1の板状部材3に変形(湾曲ないしは反り)を生じさせるだけの剛性を有しない。すなわち、撮像素子1の収縮は、実質的に、両板状部材3、7に対しては影響を及ぼさない。このため、撮像素子1の形状は、両板状部材3、7の変形に依存する。つまり、この積層体の変形の形態は両板状部材3、7によって決定され、撮像素子1は第1の板状部材3に追従して変形する。
【0024】
そして、熱膨張係数が大きい第1の板状部材3は、熱膨張係数が小さい第2の板状部材7に比べて収縮量が大きいので、第1の板状部材3の下面は、第2の板状部材7の上面を収縮させようとする。逆に、第2の板状部材7の上面は第1の板状部材3の下面を拡張させようとする。このような第1の板状部材3と第2の板状部材7との間の相互作用ないしは力により、第1の板状部材3においてはその下面がその上面より拡張し、第2の板状部材7においてはその上面がその下面より収縮する。
【0025】
このため、図2(b)に示すように、両板状部材3、7には、両者間の熱膨張係数差に起因して、上側に向かって凹面状となるような湾曲ないしは反りが生じる。これに伴って、撮像素子1にも、上側に向かって(撮像レンズに向かって)凹面状となるような湾曲ないしは反り、すなわち撮像素子1の受光面が凹面状となるような湾曲ないしは反りが生じる。
【0026】
さらに、図2(c)に示すように、撮像素子1と両板状部材3、7とが接着剤2により固着されてなる積層体が、シリコーン樹脂製のダイボンド材4を用いて、寸法が16mm(縦)×16mm(横)×1.0mm(厚さ)の平板状のガラスエポキシ製モジュール基板5の上に接着される。シリコーン樹脂製のダイボンド材4は常温硬化型であるので、積層体とモジュール基板5との接着は、例えば、モジュール基板5の上にダイボンド材4を塗布し、ダイボンド材4の上に積層体を載せて、常温で24h保持するなどといった手順で行うことができる。この後、金(Au)からなるボンディングワイヤ6により、撮像素子1とモジュール基板5とを電気的に接続する。
【0027】
以上、実施の形態2にかかる撮像素子2の実装方法によれば、真空吸引などといった複雑な操作を行うことなく、撮像素子を湾曲した状態でモジュール基板に容易に実装することができる。
なお、実施の形態2において、第2の板状部材7を、第1の板状部材3より熱膨張係数が大きい材料で形成すれば、積層体に、図2(b)、(c)と逆向きの湾曲ないしは反り、すなわち撮像素子1の受光面が凸面状となるような湾曲ないしは反りを形成することができる。
【0028】
実施の形態3.
以下、図3(a)〜(d)を参照しつつ本発明の実施の形態3にかかる撮像素子の実装方法を説明する。図3(a)に示すように、実施の形態3にかかる撮像素子の実装プロセスにおいては、まず寸法が10mm(縦)×10mm(横)×1mm(厚さ)の平板状の第2の板状部材7の上に、寸法が10mm×10mm×1mmの平板状の板状部材3(以下、「第1の板状部材3」という。)を、Sn−Sb共晶はんだ8(融点240℃)で接合する。
【0029】
ここで、第1の板状部材3は、第2の板状部材7よりも熱膨張係数が小さい材料で形成されている。具体的には、例えば、第1の板状部材3は熱膨張係数が16ppm/Kの、Ni/Auめっきが施された銅(Cu)で形成され、第2の板状部材7は熱膨張係数が23ppm/Kの、Ni/Auめっきが施されたアルミニウム(Al)で形成される。
【0030】
ここで、両板状部材3、7をSn−Sb共晶はんだ8で接合しているときには、両板状部材3、7は、いずれも平板状であるが、接合が終了した後、常温(例えば25℃)に戻ったときには、両板状部材3、7は、それぞれ、温度の低下に伴って収縮する。しかし、両板状部材3、7は、Sn−Sb共晶はんだ8によって接合されているので、両板状部材3、7は独立して自由に収縮することはできない。
【0031】
すなわち、熱膨張係数が大きい第2の板状部材7は、熱膨張係数が小さい第1の板状部材3に比べて収縮量が大きいので、第2の板状部材7の上面は、第1の板状部材3の下面を収縮させようとする。逆に、第1の板状部材3の下面は第2の板状部材7の上面を拡張させようとする。このような両板状部材3、7間の相互作用ないしは力により、第2の板状部材7においてはその上面がその下面より拡張し、第1の板状部材3においてはその下面がその上面より収縮する。このため、両板状部材3、7には、両者間の熱膨張係数差に起因して、下側に向かって凹面状となるような、すなわち上側に向かって凸状となるような湾曲ないしは反りが生じる。
【0032】
次に、図3(b)に示すように、上側に凸状となっている第1の板状部材3の上面に、シート状のエポキシ樹脂製の接着剤2を重ね合わせる。さらに、接着剤2の上に、寸法が8mm(縦)×8mm(横)×0.1mm(厚さ)の平板状の撮像素子1を重ね合わせる(搭載する)。ここで、撮像素子1は、例えば、熱膨張係数が4ppm/Kのシリコン(Si)で形成する。なお、エポキシ樹脂製の接着剤2は熱硬化型の接着剤である。
【0033】
そして、このように撮像素子1と両板状部材3、7とが、接着剤2とSn−Sb共晶はんだ8とをはさんで重ね合わされてなる積層体を、175℃に昇温し、1時間この温度に保持する。これにより、接着剤2が硬化し、撮像素子1が第1の板状部材3に固着(接着・固定)される。
【0034】
この後、積層体を、さらに加熱して250℃まで昇温させる。これにより、Sn−Sb共晶はんだ8が溶融し、図3(c)に示すように、第1の板状部材3と第2の板状部材7とが分離する。これにより、両板状部材3、7は、熱膨張係数差に起因する相互作用が生じなくなるので、それぞれ平板状となる。すなわち、分離前は上側に向かって凸状であった第1の板状部材3は平面状となる。このとき、撮像素子1はその厚さが第1の板状部材3に比べて非常に薄いので、第1の板状部材3の変形に追従して変形し、撮像素子1には、上側に向かって(撮像レンズに向かって)凹面状となるような湾曲ないしは反り、すなわち撮像素子1の受光面が凹面状となるような湾曲ないしは反りが生じる。
【0035】
さらに、図3(d)に示すように、撮像素子1と第1の板状部材3とが接着剤2により固着されてなる積層体が、シリコーン樹脂製のダイボンド材4を用いて、寸法が16mm(縦)×16mm(横)×1.0mm(厚さ)の平板状のガラスエポキシ製モジュール基板5の上に接着される。シリコーン樹脂製のダイボンド材4は常温硬化型であるので、積層体とモジュール基板5との接着は、例えば、モジュール基板5の上にダイボンド材4を塗布し、ダイボンド材4の上に積層体を載せて、常温で24h保持するなどといった手順で行うことができる。この後、金(Au)からなるボンディングワイヤ6により、撮像素子1とモジュール基板5とを電気的に接続する。
【0036】
以上、実施の形態3にかかる撮像素子2の実装方法によれば、真空吸引などといった複雑な操作を行うことなく、撮像素子を湾曲した状態でモジュール基板に容易に実装することができる。
なお、実施の形態3において、第2の板状部材7を、第1の板状部材3より熱膨張係数が小さい材料で形成すれば、積層体に、図3(c)、(d)と逆向きの湾曲ないしは反り、すなわち撮像素子1の受光面が凸面状となるような湾曲ないしは反りを形成することができる。
【0037】
【発明の効果】
本発明にかかる撮像素子に実装方法よれば、撮像素子と、その裏面に接着した板状部材のとの間の熱膨張係数差を利用することにより、真空吸引などといった複雑な操作を行うことなく、撮像素子を湾曲した状態でモジュール基板に容易に実装することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(c)は、本発明の実施の形態1にかかる撮像素子の実装プロセスを示す図である。
【図2】(a)〜(c)は、本発明の実施の形態2にかかる撮像素子の実装プロセス示す図である。
【図3】(a)〜(d)は、実施の形態3にかかる撮像素子の実装プロセス示す図である。
【符号の説明】
1 撮像素子、 2 接着剤、 3 板状部材(第1の板状部材)、 4 ダイボンド材、 5 モジュール基板、 6 ボンディングワイヤ、 7 第2の板状部材、 8 Sn−Sb共晶はんだ。

Claims (6)

  1. 平板状の撮像素子と、該撮像素子とは熱膨張係数が異なる平板状の板状部材とを積層して高温状態で接着した後、常温まで冷却し、該冷却による撮像素子と板状部材との収縮量差に起因して両者の接着部に生じる力により撮像素子および板状部材を湾曲させ、
    板状部材を基板に固着させて撮像素子を湾曲した状態で基板に実装することを特徴とする撮像素子の実装方法。
  2. 板状部材を撮像素子より熱膨張率の小さい材料で形成し、撮像素子を、板状部材と反対側の面が凹面状となるように湾曲させることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子の実装方法。
  3. 平板状の撮像素子と、平板状の第1の板状部材と、該第1の板状部材とは熱膨張率が異なる平板状の第2の板状部材とを積層して高温状態で接着した後、常温まで冷却し、該冷却による第1の板状部材と第2の板状部材との収縮量差に起因して両板状部材の接着部に生じる力により両板状部材を湾曲させるとともに、第1の板状部材の変形により撮像素子を湾曲させ、
    第2の板状部材を基板に固着させて撮像素子を湾曲した状態で基板に実装することを特徴とする撮像素子の実装方法。
  4. 第2の板状部材を第1の板状部材より熱膨張率の小さい材料で形成し、撮像素子を、第1の板状部材と反対側の面が凹面状となるように湾曲させることを特徴とする請求項3に記載の撮像素子の実装方法。
  5. 平板状の第1の板状部材と、該第1の板状部材とは熱膨張率が異なる平板状の第2の板状部材とを積層して高温状態で接着した後、常温まで冷却し、該冷却による第1の板状部材と第2の板状部材との収縮量差に起因して両板状部材の接着部に生じる力により両板状部材を湾曲させ、
    第1の板状部材の上に平板状の撮像素子を固着させ、
    第1の板状部材と第2の板状部材とを分離して第1の板状部材を平板状に戻すとともに、第1の板状部材の変形により撮像素子を湾曲させ、
    第1の板状部材を基板に固着させて撮像素子を湾曲した状態で基板に実装することを特徴とする撮像素子の実装方法。
  6. 第2の板状部材を第1の板状部材より熱膨張率の大きい材料で形成し、撮像素子を、第1の板状部材と反対側の面が凹面状となるように湾曲させることを特徴とする請求項5に記載の撮像素子の実装方法。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191448A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Ibiden Co Ltd エリアイメージセンサモジュール用パッケージ
US7190039B2 (en) * 2005-02-18 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with shaped image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
JP2007194271A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Olympus Imaging Corp 撮像素子の実装構造
JP2008078598A (ja) * 2006-08-21 2008-04-03 Hitachi Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
WO2012172251A1 (fr) 2011-06-16 2012-12-20 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede pour la realisation d'un composant microelectronique courbe par effet bilame, et composant microelectronique ainsi obtenu
US20140004644A1 (en) * 2012-04-13 2014-01-02 Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas Image sensor with a curved surface
JPWO2013133225A1 (ja) * 2012-03-07 2015-07-30 旭硝子株式会社 マイクロレンズアレイおよび撮像素子パッケージ
US9099603B2 (en) 2012-04-13 2015-08-04 Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas Image sensor of curved surface
JP2016111111A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2016201425A (ja) * 2015-04-08 2016-12-01 キヤノン株式会社 撮像装置及びカメラ
US10916578B2 (en) 2018-02-14 2021-02-09 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor apparatus and camera

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191448A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Ibiden Co Ltd エリアイメージセンサモジュール用パッケージ
JP4497919B2 (ja) * 2003-12-26 2010-07-07 イビデン株式会社 エリアイメージセンサモジュール用パッケージ
US7190039B2 (en) * 2005-02-18 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with shaped image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US7696588B2 (en) 2005-02-18 2010-04-13 Aptina Imaging Corporation Microelectronic imagers with shaped image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
JP2007194271A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Olympus Imaging Corp 撮像素子の実装構造
JP2008078598A (ja) * 2006-08-21 2008-04-03 Hitachi Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
US7675016B2 (en) 2006-08-21 2010-03-09 Hitachi, Ltd. Solid-state image pickup device and method of producing the same
FR2976719A1 (fr) * 2011-06-16 2012-12-21 Commissariat Energie Atomique Procede pour la realisation d'un composant microelectronique courbe par effet bilame, et composant microelectronique ainsi obtenu
WO2012172251A1 (fr) 2011-06-16 2012-12-20 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede pour la realisation d'un composant microelectronique courbe par effet bilame, et composant microelectronique ainsi obtenu
JPWO2013133225A1 (ja) * 2012-03-07 2015-07-30 旭硝子株式会社 マイクロレンズアレイおよび撮像素子パッケージ
US20140004644A1 (en) * 2012-04-13 2014-01-02 Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas Image sensor with a curved surface
US9099604B2 (en) * 2012-04-13 2015-08-04 Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas Image sensor with a curved surface
US9099603B2 (en) 2012-04-13 2015-08-04 Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas Image sensor of curved surface
JP2016111111A (ja) * 2014-12-04 2016-06-20 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2016201425A (ja) * 2015-04-08 2016-12-01 キヤノン株式会社 撮像装置及びカメラ
US10916578B2 (en) 2018-02-14 2021-02-09 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor apparatus and camera

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