JP2004341165A

JP2004341165A - 液晶配向膜形成用ワニスおよび液晶表示素子

Info

Publication number: JP2004341165A
Application number: JP2003137030A
Authority: JP
Inventors: Kichiji Hirai; 吉治平井; Shizuo Murata; 鎮男村田
Original assignee: Chisso Petrochemical Corp; Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Priority date: 2003-05-15
Filing date: 2003-05-15
Publication date: 2004-12-02
Anticipated expiration: 2023-05-15
Also published as: JP4196728B2

Abstract

【課題】保存安定性に優れ、液晶表示素子の性能が改善された配向膜の得られる液晶配向膜形成用ワニスを提供する。
【解決手段】ポリアミック酸、可溶性ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミドまたはこれらの２つ以上の混合物および溶剤を含有する液晶配向膜形成用ワニスに、さらに特定構造を有するＴ８型シルセスキオキサンの１つ以上、該シルセスキオキサンの重合体の１つ以上またはこれら混合物を含有させて液晶配向膜形成用ワニスとする。
【選択図】なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶配向膜形成用ワニス、該ワニスを用いて形成される配向膜を有する液晶表示素子に関する。さらに詳しくは、ポリアミック酸、可溶性ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミドまたはこれらの２つ以上の混合物からなるポリマー成分および溶剤を含有する液晶配向膜形成用ワニスにおいて、さらに、特定構造のＴ８型シルセスキオキサンの１つ以上、該シルセスキオキサンの重合体の１つ以上またはこれらの混合物（以下、本発明で用いるこれらを総称して単にＴ８型シルセスキオキサン誘導体ということがある。）を含有する液晶配向膜形成用ワニスおよび該ワニスを用いて形成される配向膜を有する、表示品位が高く、信頼性にも優れる液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、時計やテレビなどにおいて液晶表示素子を用いた平面ディスプレイが広く採用されている。これらの液晶ディスプレイに用いられる液晶表示素子としては、ネマチック液晶を用いた表示素子が主流である。例えば、９０度ツイストしたＴＮ型液晶表示素子、通常１８０度以上ツイストしたＳＴＮ型液晶表示素子、薄膜トランジスターを使用したいわゆるＴＦＴ型液晶表示素子、更に昨今では、視覚特性を改良した横電界方式のイン・プレイン・スイッチング（ＩｎＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ、以下、ＩＰＳと略記する。）型液晶表示素子、垂直配向状態を利用したバーティカル・アラインメント（ＶｅｒｔｉｃａｌＡｌｉｇｎｍｅｎｔ、以下、ＶＡと略記する。）型液晶表示素子または応答速度が極めて速く、視野角も比較的広いことを特徴とするオプティカリ・コンペンセイティド・バイリフリンジェンス（ＯｐｔｉｃａｌｌｙＣｏｍｐｅｎｓａｔｅＢｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ、以下、ＯＣＢと略記する。）型液晶表示素子が提案されている。
【０００３】
これらの液晶表示素子においては、液晶分子の長軸方向を均一に配向させることが重要である。このように液晶分子を均一に配向させる工業的に代表的な方法としては、次のようなラビング方法が知られている。即ち、基板表面に有機被膜からなる配向膜を設け、その配向膜表面を綿、ナイロン、ポリエステルなどの布で一定方向にラビングし（擦り）、そのラビング方向に液晶分子を配向させる方法である。このラビング方法は、安定した均一配向が比較的容易に得られ、また生産性にも優れているため工業的に主流となっている。配向膜の材料として、例えばポリビニルアルコール、ポリオキシエチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミドなどのポリマーが知られている。工業的な量産に耐え得る安定性および耐久性の観点から、化学的および熱的安定性に優れているポリイミドは、液晶配向膜形成用ワニスのポリマーとして最も多く用いられている。
【０００４】
配向膜をラビングする配向処理方法は、簡便で生産性に優れ、工業的に有用な方法である。液晶表示素子は、各分野で使用されるにつれて、液晶表示素子の高性能化による様々な問題が指摘されるようになった。例えばＳＴＮ型素子では、コントラストが高いためラビングにより生じた配向膜表面の傷が配向欠陥として見えやすい問題がある。またＴＦＴ型素子では、ラビングによる機械的な力がスイッチング素子を破壊する原因になったり、ラビングによって配向膜が削り取られ、その削りカスなどが表示欠陥になるといった問題などがある。さらに近年、製造コストなどを下げるためまたは軽量化のため、従来のガラス基板の代わりにプラスティックフィルムを用いて液晶配向膜形成用ワニスを２００℃未満の低温で焼成する試みが行われている。しかし、特にポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を基板上に塗布し低温で焼成する場合、ポリアミック酸の脱水閉環（イミド化）が十分に進行せず、ポリイミドの機械的強度の不足による配向膜の傷などの問題がさらに深刻となっている。
【０００５】
これらラビング方法に関わる種々の問題は、配向膜が炭素原子を多く含む従来の有機系ポリマーであるためラビングによる摩擦力に対応する機械的強度が不足していることに起因すると考えられる。また配向膜とガラス基板などとの密着性が不足しているため剥離してしまう問題がある。これらの問題が改善された配向膜の開発が望まれている。機械的強度の不足は、配向膜の分子構造を変えることによってある程度改良することが可能である。しかし、構造を変えることにより配向膜の電気的な特性や、液晶のプレチルト角も変動してしまう傾向があるため、評価に値するほどの改良は困難である。また、ガラス基板との密着性はカップリング剤を用いることである程度改良することが可能である。しかし、カップリング剤は加水分解などが発生しやすく、配向剤ワニスとしての保存安定性に問題がある。さらにカップリング剤は剥離防止のため過剰に用いると、逆に液晶表示素子の性能を低下させるという問題がある。
【０００６】
Ｔ８型シルセスキオキサンを構成成分の１つとする樹脂組成物は、例えば、下記特許文献１に開示されている。しかしながら、該文献に開示されている発明は主に光学特性を改良するフィルムに関するものであり、本発明のような配向膜の表示品位を改良するものとは本質的に異なるものである。また、オルガノシルセスキオキサンオリゴマーを構成成分の１つとする樹脂組成物は、例えば、下記特許文献２に開示されている。しかしながら、ここに開示の樹脂組成物は、主に液晶表示素子における透明基板やカラーフィルターなどの保護膜として用いることを発明の目的としている。特許文献２に開示されている発明は、本発明とは本質的にその目的が異なるものである。また、下記特許文献３に開示されている発明は、双安定強誘電性液晶表示デバイスの支持体のうち一方に配向処理した後、コーティングを行うことによりジグザグ欠陥などの改善を目的としたものであり、本発明のように配向処理そのものの問題点を改善しようとするものではない。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−３３４８８１公報
【特許文献２】
特開平８−２５９８９５号公報
【特許文献３】
特開平６−１８６５７０号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ラビングによる摩擦力に対応する機械的強度に優れ、ガラス基板との密着性に優れた配向膜が得られ、かつ、保存安定性にも優れた液晶配向膜形成用ワニス、該ワニスを用いて形成される配向膜を有する液晶表示素子を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らはこれらの問題点を解決するため鋭意研究した。その結果、特定構造のＴ８型シルセスキオキサン誘導体を含有する液晶配向膜形成用ワニスを用いて形成された配向膜が前記問題点を解決できることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成した。本発明で用いるＴ８型シルセスキオキサン誘導体は、それ自身が高度な架橋体であるため、加水分解が発生するような部位が存在しない。そのため本発明は、従来から用いられてきたカップリング剤とは違い液晶配向膜形成用ワニスとしての保存安定性に優れ、さらに剥離防止のため、カップリング剤の過剰使用による液晶表示素子の表示性能などに悪影響を与えるといったことがないなど、表示品位が高く、信頼性にも優れる液晶配向膜の形成が可能である。
【００１０】
本発明は、下記の構成からなる。
（１）ポリアミック酸、可溶性ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミドまたはこれらの２つ以上の混合物からなるポリマー成分および溶剤を含有する液晶配向膜形成用ワニスにおいて、さらに式（１）で表されるＴ８型シルセスキオキサンの１つ以上、該シルセスキオキサンの重合体の１つ以上またはこれらの混合物を含有することを特徴とする液晶配向膜形成用ワニス。
式（１）

式中、Ｒ^１は独立に、アルキル、アルケニル、置換もしくは非置換のアリール、置換もしくは非置換のアリールアルキル、または置換もしくは非置換のアリールアルケニルである。ただし、これらのアルキル、アルケニル、アリールアルキル中のアルキレン、およびアリールアルケニル中のアルケニレンにおいて、１つ以上の水素はフッ素で置き換えられていてもよく、１つ以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられていてもよい。Ｒ^２は単結合またはアルキレンである。ただし、このアルキレン中の１つ以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−、炭素数２〜６のアルケニレン、または炭素数６〜１０のアリーレンで置き換えられていてもよい。Ｘは水素または官能基である。
【００１１】
（２）式（１）で表されるＴ８型シルセスキオキサンにおいて、Ｒ^１が炭素数１〜１４のアルキルまたは炭素数６〜１０の置換もしくは非置換のアリールである前記（１）に記載の液晶配向膜形成用ワニス。
【００１２】
（３）式（１）で表されるＴ８型シルセスキオキサンにおいて、Ｒ^２が単結合または炭素数１〜１０のアルキレンである前記（１）に記載の液晶配向膜形成用ワニス。
【００１３】
（４）式（１）で表されるＴ８型シルセスキオキサンにおいて、Ｘが水素である前記（１）に記載の液晶配向膜形成用ワニス。
【００１４】
（５）式（１）で表されるＴ８型シルセスキオキサンにおいて、Ｘが酸無水物、エポキシ、カルボキシル、水酸基、アミノ、アミノフェニル、イソシアネート、シアノ、メルカプト、アミド、スルホニル、アクリロイル、またはメタクリロイルの官能基である前記（１）に記載の液晶配向膜形成用ワニス。
【００１５】
（６）Ｔ８型シルセスキオキサンの１つ以上、該シルセスキオキサンの重合体の１つ以上またはこれらの混合物の含有量が、液晶配向膜形成用ワニス中のポリマー成分全量１００重量部に対して、０．００１〜１０重量部の割合である前記（１）に記載の液晶配向膜形成用ワニス。
【００１６】
（７）前記（１）〜（６）のいずれか１項に記載の液晶配向膜形成用ワニスが、該ワニスを用いて得られるフィルムＡの引張弾性率（ヤング率）がＴ８型シルセスキオキサンの１つ以上、該シルセスキオキサンの重合体の１つ以上またはこれらの混合物を含有しない前記ワニスを用いて得られるフィルムＢの引張弾性率（ヤング率）に対して１０１％〜１５０％の変化率であり、かつ、フィルムＡの引張伸び（破断伸び）がフィルムＢの引張伸び（破断伸び）に対して５０〜１００％の変化率であることを達成するワニスである前記（１）〜（６）のいずれか１項に記載の液晶配向膜形成用ワニス。
【００１７】
（８）前記（１）〜（７）のいずれか１項に記載の液晶配向膜形成用ワニスを用いて形成される配向膜を有することを特徴とする液晶表示素子。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下の説明では、式（１）〜（４）で表される各化合物を、それぞれ化合物（１）〜（４）と表記することがある。本発明の液晶配向膜形成用ワニスを、本発明のワニスと表記することがある。本発明中のアルキル、アルケニル、アルキレン、およびアルケニレンは、いずれの場合も直鎖の基であってもよく、分岐された基であってもよく、または一部もしくは全てが環状の基であってもよい。このことは、これらの基において１つ以上の水素がフッ素で置き換えられた場合も、１つ以上の−ＣＨ_２−が−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−、炭素数２〜６のアルケニレン、炭素数６〜１０のアリーレンなどで置き換えられた場合も同様である。
【００１９】
本発明で用いるＴ８型シルセスキオキサンについて説明する。ポリシルセスキオキサン（Ｐｏｌｙｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ：ＰＳＱ）はＴレジンとも呼ばれるものである。通常のシリカがＳｉＯ_２の一般式で表されるのに対し、ポリシルセスキオキサンはＲＳｉＯ_１．５で表される化合物である。ポリシルセスキオキサンは、通常テトラエトキシシランに代表されるテトラアルコキシシラン（Ｓｉ（ＯＲ’）_４）の１つのアルコキシをアルキルまたはアリールに置き換えた化合物（ＲＳｉ（ＯＲ’）_３）を加水分解および重縮合することによって合成されるポリシロキサンの一種である。ポリシルセスキオキサンの分子配列の形状は、代表的なものとして無定形型、ラダー型、かご型（完全縮合ケージ型）などがある。
【００２０】
本発明で用いるＴ８型シルセスキオキサンは、具体的には（ＲＳｉＯ_１．５）_８の化学式で表される立方体構造の化合物である。
【００２１】
本発明で用いるＴ８型シルセスキオキサンは、式（１）で表される化合物である。
式（１）

式中、Ｒ^１は独立に、アルキル、アルケニル、置換もしくは非置換のアリール、置換もしくは非置換のアリールアルキル、または置換もしくは非置換のアリールアルケニルである。７つのＲは、同じ１つの基であることが好ましいが、異なる２つ以上の基で構成されていてもよい。好ましいＲ^１は、炭素数１〜１４のアルキル、炭素数２〜１４のアルケニル、炭素数６〜１０の置換もしくは非置換のアリール、炭素数６〜１０の置換もしくは非置換のアリールアルキル、または炭素数６〜１０の置換もしくは非置換のアリールアルケニルである。さらに好ましいＲ^１は、炭素数１〜１４のアルキルまたは炭素数６〜１０の置換もしくは非置換のアリールである。ただし、これらのアルキル、アルケニル、アリールアルキル中のアルキレン、およびアリールアルケニル中のアルケニレンにおいて、１つ以上の水素はフッ素で置き換えられていてもよく、１つ以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられていてもよい。化合物の安定性を考慮して、酸素と酸素とが相隣接しない方が好ましい。
【００２２】
Ｒ^２は単結合またはアルキレンである。好ましいＲ^２は単結合または炭素数１〜１０のアルキレンである。ただし、このアルキレン中の１つ以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−、炭素数２〜６のアルケニレン、または炭素数６〜１０のアリーレンで置き換えられていてもよい。化合物の安定性を考慮して、酸素と酸素とが相隣接しない方が好ましい。
【００２３】
Ｘは水素または官能基である。好ましいＸは、水素または酸無水物（ノルボルネンの酸無水物誘導体や無水こはく酸が結合したものなど）、エポキシ、カルボキシル、水酸基、アミノ、アミノフェニル、イソシアネート、シアノ、メルカプト、アミド、スルホニル、アクリロイル、メタクリロイルなどの官能基である。さらに好ましいＸは、水素または酸無水物（ノルボルネンの酸無水物誘導体や無水こはく酸が結合したものなど）、エポキシ、アミノ、イソシアネート、シアノ、メルカプト、アクリロイル、メタクリロイルなどの官能基である。
【００２４】
本発明で用いる化合物（１）の内、官能基を有しないＴ８型シルセスキオキサンは、式（２）で表される化合物である。
式（２）

式中のＲ^１およびＲ^２は、式（１）中のＲ^１およびＲ^２と同一の意味を示す。
【００２５】
本発明で用いる化合物（１）の次の例は、官能基を有するＴ８型シルセスキオキサンである。官能基を有するＴ８型シルセスキオキサンは式（１）において、Ｘが官能基である化合物である。また、本発明では互いに異なる種類の官能基を有するＴ８型シルセスキオキサンを併用しても構わない。
【００２６】
本発明で用いる化合物（１）は、例えば次の方法で入手することができる。例えば、特願２００２−２２８９１４明細書（発明の名称：官能基を有するＰＳＱおよびその製造方法）に記載の方法、特願２００１−１５０４０８明細書および特願２００１−１９６１５４明細書（国際公開第０２／０９４８３９号パンフレット）に記載の方法、すなわち３官能の加水分解性基を有するシラン化合物を加水分解することにより得られるポリシルセスキオキサンを、テトラヒドロフラン中でＭＯＨ（Ｍは１価のアルカリ金属を表す。）と反応させて得られる、式（３）で表されるポリシルセスキオキサンを中間体として使用する。
【００２７】
式（３）

式中のＲ^１は、式（１）中のＲ^１と同一の意味を示す。Ｍは１価のアルカリ金属を表す。
【００２８】
化合物（３）を溶媒中に混合し、得られたケン濁液に式（４）で表される化合物を滴下し、化合物（３）および化合物（４）を反応させる。反応終了後、純水を添加し反応に伴い生成したＮａＣｌなどの塩を除去するとともに、未反応の化合物（４）を加水分解する。こののち、有機層を分離し、溶媒を除去することによって化合物（１）を製造できる。また、該有機層を必要に応じて、水などで洗浄し、脱水剤で乾燥することによって、純度の高い化合物（１）を得ることができる。また、必要に応じて、再結晶を行うことにより純度を向上させることができる。
式（４）
Ｒ−ＳｉＣｌ_３
式中のＲはＲ^２−Ｘを表す。
【００２９】
本発明で用いる化合物（１）の重合体は、モノマー成分として化合物（１）の１つ以上を重合させて得られる。重合体は、同一構造の化合物（１）を単独重合して得られる単独重合体であっても、構造の異なる化合物（１）を共重合して得られる共重合体であってもよい。重合方法は特に限定されず、通常の重合方法を採用すればよい。
【００３０】
また、化合物（１）はハイブリッドプラスティック（ＨｙｂｒｉｄＰｌａｓｔｉｃｓ）社より販売されている以下の化合物を用いることもできる。
【００３１】
官能基を有しない化合物（１）の例は、ジメチルシリルシクロヘキシル−ポリへドラルオリゴメリックシルセスキオキサン（ＰｏｌｙｈｅｄｒａｌＯｌｉｇｏｍｅｒｉｃＳｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ、以下、ＰＯＳＳと表記する。）、ジメチルシリルシクロペンチル−ＰＯＳＳ、ジメチルシリルイソブチル−ＰＯＳＳ、モノシランシクロヘキシル−ＰＯＳＳ、モノシランイソブチル−ＰＯＳＳなどである
【００３２】
また、官能基を有する化合物（１）の例は、アミノプロピルシクロヘキシル−ＰＯＳＳ、アミノプロピルイソブチル−ＰＯＳＳ、アミノプロピルイソオクチル−ＰＯＳＳ、アミノエチルアミノプロピルシクロヘキシル−ＰＯＳＳ、アミノエチルアミノプロピルイソブチル−ＰＯＳＳ、
【００３３】
エポキシシクロヘキシルシクロヘキシル−ＰＯＳＳ、エポキシシクロヘキシルシクロペンチル−ＰＯＳＳ、エポキシシクロヘキシルイソブチル−ＰＯＳＳ、エポキシプロピルシクロペンチル−ＰＯＳＳ、エポキシプロピルイソブチル−ＰＯＳＳ、グリシジルシクロヘキシル−ＰＯＳＳ、グリシジルシクロペンチル−ＰＯＳＳ、グリシジルエチル−ＰＯＳＳ、グリシジルイソブチル−ＰＯＳＳ、グリシジルイソオクチル−ＰＯＳＳ、グリシジルフェニル−ＰＯＳＳ、
【００３４】
イソシアネートプロピルジメチルシリルシクロヘキシル−ＰＯＳＳ、イソシアネートプロピルジメチルシリルイソブチル−ＰＯＳＳ、
【００３５】
アクリロシクロヘキシル−ＰＯＳＳ、アクリロシクロペンチル−ＰＯＳＳ、アクリロイソブチル−ＰＯＳＳ、メタクリルシクロヘキシル−ＰＯＳＳ、メタクリルシクロペンチル−ＰＯＳＳ、メタクリルエチル−ＰＯＳＳ、メタクリルイソブチル−ＰＯＳＳ、メタクリルイソオクチル−ＰＯＳＳ、メタクリルフェニル−ＰＯＳＳ、
【００３６】
シアノエチルシクロヘキシル−ＰＯＳＳ、シアノエチルシクロペンチル−ＰＯＳＳ、シアノエチルイソブチル−ＰＯＳＳ、シアノプロピルシクロヘキシル−ＰＯＳＳ、シアノプロピルシクロペンチル−ＰＯＳＳ、シアノプロピルイソブチル−ＰＯＳＳ、
【００３７】
メルカプトプロピルシクロヘキシル−ＰＯＳＳ、メルカプトプロピルイソブチル−ＰＯＳＳ、メルカプトプロピルイソオクチル−ＰＯＳＳなどである。
【００３８】
本発明のワニスは、ポリアミック酸、可溶性ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミドまたはこれらの２つ以上の混合物からなるポリマー成分および必要に応じて添加される成分を溶剤に溶解した状態のワニス組成物において、さらにＴ８型シルセスキオキサン誘導体を含有する。Ｔ８型シルセスキオキサン誘導体を含有する液晶配向膜形成用ワニスは、例えば次の方法で製造することができる。酸類およびジアミンを反応させて前記ワニス組成物を得る際、Ｔ８型シルセスキオキサン誘導体の共存下で酸類およびジアミンを反応させ液晶配向膜形成用ワニスを製造する。または前記ワニス組成物にＴ８型シルセスキオキサン誘導体を添加し混合する。そして、本発明における液晶配向膜形成用ワニス中のＴ８型シルセスキオキサン誘導体の含有量は、特に限定されないが、好ましい含有量は上記ポリマー成分全量１００重量部に対して、０．００１〜１０．０重量部、より好ましくは０．１〜１０．０重量％、さらに好ましくは０．１〜３．０重量％、最も好ましくは０．３〜１．０重量％の割合である。この範囲内であれば、Ｔ８型シルセスキオキサン誘導体の凝集などに伴う配向膜の引張弾性率の低下や引張伸びの低下に起因する機械的強度の低下、または配向膜表面へのＴ８型シルセスキオキサン誘導体の析出による液晶の配向不良が発生することはない。更に，この範囲内であれば、配向膜の機械的強度を効果的に向上させることができる。
【００３９】
本発明で定義される配向膜の機械的強度は、配向膜を構成するポリイミドフィルムの引張弾性率および引張伸びである。
【００４０】
本発明者らの実験によればポリイミドフィルムの機械的強度と配向膜の機械的強度には関連性がある。つまり、ポリイミドフィルムの引張弾性率および引張伸びがラビングによる配向膜の削れ傷と関連し、引張弾性率および引張伸びが共に大きい場合、いわゆるタフネス（粘り強さ）が大きい場合にラビング時の傷が生じないと考えられる。すなわち、本発明のワニスを用いて得られるフィルムＡの引張弾性率（ヤング率）がＴ８型シルセスキオキサン誘導体を含有しない前記ワニスを用いて得られるフィルムＢの引張弾性率（ヤング率）に対して１０１％〜１５０％の変化率であり、かつ、フィルムＡの引張伸び（破断伸び）がフィルムＢの引張伸び（破断伸び）に対して５０〜１００％の変化率であることを達成するワニスの場合、配向膜の機械的強度が最も優れている。
【００４１】
したがって、配向膜にラビングによる削れ傷を生じさせないようにするためには、機械的強度の面から考えるとＴ８型シルセスキオキサン誘導体の含有量は引張弾性率および引張伸びが共に大きい数値を両立できる範囲が有用であり、特にポリマー成分全量１００重量部に対して０．３〜１．０重量部の範囲が特に有用である。
【００４２】
本発明のワニス中の、ポリマー成分は、ランダム共重合体またはブロック共重合体などの共重合体であってもよく、複数種のポリマー成分を併用してもよい。そして、該ポリマー成分の主成分は、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを反応させて得られるポリアミック酸、このポリアミック酸の脱水反応などによって得られる可溶性ポリイミド、ジカルボン酸またはその誘導体、例えばジカルボン酸ジハライドとジアミンとを反応させて得られるポリアミド、該ポリアミドのアミド結合（ＣＯＮＨ）の水素原子が他の基で置き換えられたもの、ならびにジアミンとテトラカルボン酸二無水物およびジカルボン酸またはその誘導体とを反応させて得られるポリアミドイミドなどであり、好ましく用いられる。
【００４３】
上記のテトラカルボン酸二無水物の選択条件は、ジアミンと反応してポリアミック酸を生成することだけである。またジカルボン酸またはジカルボン酸ジハライドの選択条件は、ジアミンと反応してポリアミドを生成することだけである。これらの選択条件はそれぞれ他には何の制限もない。ジアミンについても同様に、テトラカルボン酸二無水物と反応してポリアミック酸を生成すること、およびジカルボン酸またはその誘導体と反応してポリアミドを生成することだけが選択条件であり、他には何の制限もない。また、これらのテトラカルボン酸二無水物、ジカルボン酸またはその誘導体およびジアミンのそれぞれ２つ以上を併用することについても、全く制限されない。
【００４４】
上記のテトラカルボン酸類、ジカルボン酸類およびジアミンの具体例は、ＷＯ９８／３１７２５Ａ１公報の５〜９ページ、ＷＯ９９／３３９０２Ａ１公報の１５〜３１ページ、ＷＯ９９／３３９２３Ａ１公報の１６〜３５ページ、ＷＯ９９／３４２５２Ａ１公報の１７〜３６ページ、ＷＯ０１／００７３２Ａ１公報の１５〜３９ページ、ＷＯ０１／１４４５７Ａ１公報の９〜２７ページなどに記載されている。これらの記載例におけるジカルボン酸またはジカルボン酸無水物の替わりに、これらと同一の残基を有するジ酸ジハライドを用いることもできる。本発明で用いることができる有機酸類およびジアミンは、これらの記載例に限定されない。そして、本発明の目的が阻害されない限り、これらの記載例から任意に選択して用いることに問題はない。テトラカルボン酸類、ジカルボン酸類およびジアミンは、それぞれ２つ以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４５】
テトラカルボン酸二無水物の好ましい例を以下に示す。
【００４６】

【００４７】

【００４８】

上記の式において、Ｍｅはメチルを示す。
【００４９】
好ましいジアミンの例を以下に示す。なお、下記の具体例中におけるｎは１〜２０の整数である。また、Ｒは水素または炭素数１〜２０のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよい。さらに、シクロヘキシレンおよびフェニレンの任意の水素は、ハロゲンまたは炭素数１〜５のアルキルで置き換えられてもよい。
【００５０】

【００５１】

【００５２】

【００５３】

式３４におけるＢｎはベンジルを示す。
【００５４】

【００５５】

【００５６】
さらに、本発明で用いる上記のジアミンと併用することができるその他のジアミンは、シロキサン結合を有するシロキサン系ジアミンである。該シロキサン系ジアミンは特に限定されるものではないが、式（５）で表されるものが本発明において好ましく使用することができる。
【００５７】

式中、Ｒ_２およびＲ_３は独立して炭素数１〜３のアルキルまたはフェニルである。また、Ｒ_４はメチレン、フェニレンまたはアルキル置換されたフェニレンである。ｘは１〜６の整数であり、ｙは１〜１０の整数である。
【００５８】
なお、前記のポリアミック酸、ポリイミド、ポリアミドイミド、またはポリアミドなどの原料として、これらの反応末端を形成するために、モノアミノ化合物やジカルボン酸無水物を併用してもよい。ジカルボン酸無水物の例は、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水ナジック酸などである。また、モノアミノ化合物の例は、アニリン、シクロヘキシルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、ｎ−ウンデシルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−トリデシルアミン、ｎ−テトラデシルアミン、ｎ−ペンタデシルアミン、ｎ−ヘキサデシルアミン、ｎ−ヘプタデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、ｎ−エイコシルアミンなどである。
【００５９】
本発明のワニス中のポリマ−成分の濃度は、特に限定されないが０．１〜４０重量％であることが好ましい。ポリマ−成分の濃度が４０重量％以下であると液晶配向膜形成用ワニスの粘度が最適となり、膜厚調整のためにワニスを希釈する必要があるときに、ワニスに対して溶剤を容易に混合できるため好ましい。スピンナー法や印刷法の場合には、膜厚を良好に保つために、通常、濃度を１０重量％以下とすることが多い。その他の塗布方法、例えばディッピング法ではさらに低濃度とすることもあり得る。一方、ポリマー成分の濃度が０．１重量％以上であると、形成される配向膜の膜厚が最適となり易い。従って、ポリマー成分の濃度は、通常のスピンナー法や印刷法などでは０．１重量％以上、好ましくは０．５〜１０重量％である。しかしながら、液晶配向膜形成用ワニスの塗布方法によっては、０．１重量％よりもさらに希薄な濃度で使用してもよい。
【００６０】
本発明のワニスにおいて前記ポリマー成分と共に用いる溶剤は、ポリマー成分やＴ８型シルセスキオキサン誘導体を溶解する能力を持つことだけが選択条件であり、他に格別の制限はない。従って、ポリアミック酸、可溶性ポリイミド、ポリアミドおよびポリアミドイミドの、それぞれの製造工程や用途方面で通常使用されている溶剤の中から、目的に応じた溶剤を適宜選択すればよい。これらの溶剤の例は、ポリアミック酸、可溶性ポリイミド、ポリアミドおよびポリアミドイミドに対し親溶剤である非プロトン性極性有機溶剤、例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ−メチルカプロラクタム、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキシド、Ｎ，Ｎジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、ジエチルアセトアミド、γ−ブチルラクトンなどである。また、塗布性改善などを目的とした他の溶剤の例は、乳酸アルキル、３−メチル−３−メトキシブタノール、テトラリン、イソホロン、エチレングリコールモノブチルエーテルなどのエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルなどのジエチレングリコールモノアルキルエーテル、エチレングリコールモノアルキルまたはフェニルアセテート、トリエチレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどのプロピレングリコールモノアルキルエーテル、マロン酸ジエチルなどのマロン酸ジアルキル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルなどのジプロピレングリコールモノアルキルエーテルまたはこれらのアセテート類などのエステル化合物系溶剤などである。また、化合物（１）に対し親溶剤である溶剤の例は、テトラヒドロフランなどのエーテル、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、メトキシメチルアルコールなどのアルコール、酢酸エチル、酢酸メチルなどの酢酸エステル、クロロホルム、アセトニトリル、ヘキサン、水などである。
【００６１】
本発明のワニスには、配向膜のガラス基板への密着性をさらに改善するために、シラン系またはチタン系のカップリング剤を配合してもよい。シランカップリング剤の例は、アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３−メタクリロイルプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランなどである。ポリジメチルシロキサンやポリジフェニルシロキサンなどのシリコーンオイルを配合してもよい。
【００６２】
カップリング剤やシリコーンオイルの液晶配向膜形成用ワニスへの配合割合は特に限定されるものではない。好ましい配合割合は、本発明のワニスが含有するポリマー成分全量１００重量部に対して、０．０１〜５重量部、さらに好ましくは０．１〜３重量部である。但し、この範囲は、シランカップリング剤などが用いられる際の一般的な基準であり、本発明に特徴的なものではない。
【００６３】
本発明のワニスには、上記のカップリング剤の他、必要に応じて他の添加剤を配合することができる。例えば、塗布性の向上、帯電防止性の向上などを望む場合には、それぞれの目的に応じた界面活性剤を配合してもよい。界面活性剤の例は、陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、両性界面活性剤、非イオン界面活性剤などであり、これらを配向膜の特性を損なわない範囲において用いることができる。
【００６４】
本発明のワニスを用いて配向膜を形成させた基板と、これと同一または異なる配向膜を形成させた基板とを対向配置し、その間に液晶を挟み込んで液晶挟持基板とすることができる。この液晶狭持基板を用い、公知の方法により、液晶狭持基板を有する液晶表示素子とすることができる。液晶表示素子の動作モードは、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＩＰＳ型、ＶＡ型、ＯＣＢ型、強誘電性型、または反強誘電性型であってもよい。配向膜により液晶分子の配列を制御し、液晶分子の配列状態を変化させて使用する液晶表示素子であれば、本発明のワニスを用いることができる。
【００６５】
配向膜の形成は、液晶配向膜形成用ワニスを基板上へ塗布する工程と、これに続く焼成工程により行われる。基板としては、ガラス基板、プラスティック基板、またはフィルム状基板などを用いることができる。塗布の方法としてスピンナー法、印刷法、ディッピング法または滴下法などが一般に知られている。これらの方法は本発明においても同様に適用可能である。また、液晶配向膜形成用ワニスを焼成する方法として、オーブンまたは赤外炉の中で加熱処理する方法やホットプレート上で加熱処理する方法などが一般に知られている。これらの方法も本発明において同様に適用可能である。また、加熱処理工程は一般に１２０〜３００℃程度の温度下で行うことが好ましい。特にプラスティック基板を使用する場合は、基板の耐熱温度を考慮すると１２０〜１６０℃程度の低温度下で行うことが好ましい。
【００６６】
本発明の配向膜をＴＮ型、ＳＴＮ型、ＩＰＳ型、またはＯＣＢ型の液晶表示素子の作製に用いる場合、共に用いる誘電率異方性が正の液晶組成物は特に制限はなく、各種の誘電率異方性が正の液晶組成物を用いることができる。好ましい液晶組成物の例は、特許３０８６２２８号公報、特許２６３５４３５号公報、特表平５−５０１７３５号公報、特開平８−１５７８２８号公報、特開平８−２３１９６０号公報、特開平９−２４１６４４号公報（ＥＰ８８５２７２Ａ１）、特開平９−３０２３４６号公報（ＥＰ８０６４６６Ａ１）、特開平８−１９９１６８号公報（ＥＰ７２２９９８Ａ１）、特開平９−２３５５５２号公報、特開平９−２５５９５６号公報、特開平９−２４１６４３号公報（ＥＰ８８５２７１Ａ１）、特開平１０−２０４０１６号公報（ＥＰ８４４２２９Ａ１）、特開平１０−２０４４３６号公報、特開平１０−２３１４８２号公報、特開２０００−０８７０４０公報、特開２００１−４８８２２公報などに開示されている。
【００６７】
また、本発明の配向膜を、ＶＡ型の液晶表示素子の作製に用いる場合、共に用いる誘電率異方性が負の液晶組成物は特に制限はなく、各種の誘電率異方性が負の液晶組成物を用いることができる。好ましい液晶組成物の例は、特開昭５７−１１４５３２号公報、特開平２−４７２５号公報、特開平４−２２４８８５号公報、特開平８−４０９５３号公報、特開平８−１０４８６９号公報、特開平１０−１０１６８０７６号公報、特開平１０−１６８４５３号公報、特開平１０−２３６９８９号公報、特開平１０−２３６９９０号公報、特開平１０−２３６９９２号公報、特開平１０−２３６９９３号公報、特開平１０−２３６９９４号公報、特開平１０−２３７０００号公報、特開平１０−２３７００４号公報、特開平１０−２３７０２４号公報、特開平１０−２３７０３５号公報、特開平１０−２３７０７５号公報、特開平１０−２３７０７６号公報、特開平１０−２３７４４８号公報（ＥＰ９６７２６１）、特開平１０−２８７８７４号公報、特開平１０−２８７８７５号公報、特開平１０−２９１９４５号公報、特開平１１−０２９５８１号公報、特開平１１−０８００４９号公報、特開２０００−２５６３０７公報、特開２００１−０１９９６５公報、特開２００１−０７２６２６公報、特開２００１−１９２６５７公報などに開示されている。
【００６８】
【実施例】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６９】
実施例１〜３
（１）化合物（１）（式（６）においてＲ^１がイソブチル）は、ハイブリッドプラスティック（ＨｙｂｒｉｄＰｌａｓｔｉｃｓ）社より販売されているＡＭ０２６５（商品名）：ＡｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌＩｓｏｂｕｔｙｌ−ＰＯＳＳ（アミノプロピルイソブチル−ＰＯＳＳ）を用いた。
（２）官能基（アミノ）を有する化合物（１）含有液晶配向膜形成用ワニスＡ１〜Ａ３の調製
温度計、攪拌機、原料投入仕込み口および窒素ガス導入口を備えた２００ｍｌの四つ口フラスコに、上記（１）のアミノを官能基として有し、かつＴ８型骨格の有機基としてイソブチルを有する上記市販の化合物（１）（式（６）においてＲ^１がイソブチル）を、実施例１ではポリマー成分全量１００重量部に対して１重量部になるように、０．０６ｇ加え、実施例２ではポリマー成分全量１００重量部に対して３重量部になるように、０．１８ｇ加え、実施例３ではポリマー成分全量１００重量部に対して１０重量部になるように、０．６ｇ加え、乾燥テトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと略記する。）をそれぞれ３．００ｇ入れ、乾燥窒素気流下で攪拌溶解した。次に４，４’−ジアミノジフェニルメタンをそれぞれ０．３２１５ｇ、１，１−ビス｛４−［（４−アミノフェノキシ）フェニル］｝−４−［２−（４−ペンチル―トランス―シクロヘキシル）］シクロヘキサンをそれぞれ３．９１０１ｇ、脱水Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下、ＮＭＰと略記する。）をそれぞれ５４．００ｇ入れ、乾燥窒素気流下で攪拌溶解した。反応系の温度を５℃に保ちながらピロメリット酸二無水物（以下、ＰＭＤＡと略記する。）を実施例１では１．７７５９ｇ、実施例２では１．７９０８ｇ、実施例３では１．８４３２ｇそれぞれ添加し、その後特に温度コントロールすることなく３０時間反応させた。最後に、ブチルセロソルブ（以下、ＢＣと略記する。）をそれぞれ４０．００ｇ加えて、ポリマー成分の濃度が６重量％のポリアミック酸ワニスを調製した。これら実施例１〜３で調製したワニスを液晶配向膜形成用ワニスＡ１〜Ａ３とする。尚、本発明の実施例では、反応混合物の粘度をチェックしながら反応を行い、ＢＣを添加後の液晶配向膜形成用ワニスの粘度が５５〜６５ｍＰａ・ｓ（Ｅ型粘度計を使用、測定温度２５℃）になった時点で反応を終了とし、低温にて保存した。
【００７０】
式（６）

【００７１】
実施例４〜６
特願２００２−２２８９１４明細書（発明の名称：官能基を有するＰＳＱおよびその製造方法）に記載の方法で合成した式（７）の化合物を中間体として、次の化合物（１）の合成に用いた。ＴＨＦを溶媒として乾燥窒素気流下、Ｋａｒｓｔｅｄ触媒（塩化白金酸と１、３−ジビニルテトラメチルジシロキサンの錯体）を用い、アリルこはく酸無水物および式（７）の化合物を還流温度下、７時間反応させて後述の表１に記載のように官能基および有機基を変えた化合物（１）（式（８）の化合物）を合成した。得られた化合物（１）（式（８）の化合物）をそれぞれ用い、実施例４では４，４’−ジアミノジフェニルメタンを０．３２２６ｇ、１，１−ビス｛４−［（４−アミノフェノキシ）フェニル］｝−４−［２−（４−ペンチル―トランス―シクロヘキシル）］シクロヘキサンを３．９２３２ｇ、およびＰＭＤＡを１．７６８４ｇ、実施例５では４，４’−ジアミノジフェニルメタンを０．３２４８ｇ、１，１−ビス｛４−［（４−アミノフェノキシ）フェニル］｝−４−［２−（４−ペンチル―トランス―シクロヘキシル）］シクロヘキサンを３．９４９６ｇ、およびＰＭＤＡを１．７６８４ｇ、実施例６では４，４’−ジアミノジフェニルメタンを０．３３２３ｇ、１，１−ビス｛４−［（４−アミノフェノキシ）フェニル］｝−４−［２−（４−ペンチル―トランス―シクロヘキシル）］シクロヘキサンを４．０４２０ｇ、およびＰＭＤＡを１．７６８４ｇ、それぞれ用いた以外は実施例１〜３に準拠して液晶配向膜形成用ワニスＡ４〜Ａ６を調製した。
【００７２】
式（７）

【００７３】
式（８）

【００７４】
実施例７〜９
＜官能基（アミノ）を有する化合物（１）含有液晶配向膜形成用ワニスＢ１〜Ｂ３の調製＞
（１）化合物（１）（式（６）においてＲ^１がイソブチル）としてハイブリッドプラスティック（ＨｙｂｒｉｄＰｌａｓｔｉｃｓ）社より販売されているＡＭ０２６５（商品名）：ＡｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌＩｓｏｂｕｔｙｌ−ＰＯＳＳ（アミノプロピルイソブチル−ＰＯＳＳ）を用い、ジアミンをそれぞれ、０．９７４２ｇの４，４’−ジアミノジフェニルエタン、および３．０２４０ｇの１，１−ビス｛４−［（４−アミノフェノキシ）フェニル］｝−４−［２−（４−ヘプチル―シクロヘキシル）エチル］シクロヘキサンに代え、実施例７ではＰＭＤＡを２．００９４ｇ、実施例８ではＰＭＤＡを２．０２４３ｇ、実施例９ではＰＭＤＡを２．０７６７ｇとした以外は実施例１〜３に準拠して液晶配向膜形成用ワニスＢ１〜Ｂ３を調製した。
【００７５】
実施例１０〜１２
後述の表１に記載の官能基および有機基を有する化合物（１）を、実施例４〜６に記載の方法に準拠して合成してそれぞれ用い、実施例１０では４，４’−ジアミノジフェニルエタンを０．９７７１ｇ、１，１−ビス｛４−［（４−アミノフェノキシ）フェニル］｝−４−［２−（４−ヘプチル―シクロヘキシル）エチル］シクロヘキサンを３．０３３０ｇ、およびＰＭＤＡを２．００１９ｇ、実施例１１では４，４’−ジアミノジフェニルエタンを０．９８２９ｇ、１，１−ビス｛４−［（４−アミノフェノキシ）フェニル］｝−４−［２−（４−ヘプチル―シクロヘキシル）エチル］シクロヘキサンを３．０５１０ｇ、およびＰＭＤＡを２．００１９ｇ、実施例１２では４，４’−ジアミノジフェニルエタンを１．００３２ｇ、１，１−ビス｛４−［（４−アミノフェノキシ）フェニル］｝−４−［２−（４−ヘプチル―シクロヘキシル）エチル］シクロヘキサンを３．１１４１ｇ、およびＰＭＤＡを２．００１９ｇとした以外は実施例１〜３に準拠して液晶配向膜形成用ワニスＢ４〜Ｂ６を調製した。
【００７６】
実施例１３〜１５
＜官能基（アミノ）を有する化合物（１）含有液晶配向膜形成用ワニスＣ１〜Ｃ３の調製＞
実施例７〜９に記載した入手方法で入手したアミノを有する化合物（１）をそれぞれ用い、ジアミンをそれぞれ３．９８９１ｇの５−（（４−（４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）フェニル）メチル―１，３―ジアミノベンゼンに代え、実施例１３ではＰＭＤＡを２．０１８４ｇ、実施例１４ではＰＭＤＡを２．０３３３ｇ、実施例１５ではＰＭＤＡを２．０８５７ｇとした以外は実施例１〜３に準拠して液晶配向膜形成用ワニスＣ１〜Ｃ３を調製した。
【００７７】
実施例１６〜１８
後述の表１に記載の官能基および有機基を有する化合物（１）を、実施例４〜６に記載の方法に準拠して合成してそれぞれ用い、ジアミンとして５−（（４−（４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）フェニル）メチル―１，３―ジアミノベンゼンをそれぞれ用い、実施例１６では５−（（４−（４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）フェニル）メチル―１，３―ジアミノベンゼンを４．０００１ｇおよびＰＭＤＡを２．０１０９ｇ、実施例１７では５−（（４−（４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）フェニル）メチル―１，３―ジアミノベンゼンを４．０２４６ｇおよびＰＭＤＡを２．０１０９ｇ、実施例１８では５−（（４−（４−（４−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシル）フェニル）メチル―１，３―ジアミノベンゼンを４．１０７４ｇおよびＰＭＤＡを２．０１０９ｇとした以外は実施例１〜３に準拠して液晶配向膜形成用ワニスＣ４〜Ｃ６を調製した。
【００７８】
実施例１９〜２１
＜官能基（アミノ）を有する化合物（１）含有液晶配向膜形成用ワニスＤ１〜Ｄ３の調製＞
実施例７〜９に記載した入手方法で入手したアミノを有する化合物（１）をそれぞれ用い、ジアミンを、３．０１６４ｇの４，４’−ジアミノジフェニルメタンにそれぞれ代え、ＰＭＤＡの代わりに実施例１９では、２．９９０３ｇのシクロブタンテトラカルボン酸二無水物を、実施例２０では、３．００３８ｇのシクロブタンテトラカルボン酸二無水物を、実施例２１では、３．０５０９ｇのシクロブタンテトラカルボン酸二無水物を用いた以外は、実施例１〜３に準拠して液晶配向膜形成用ワニスＤ１〜Ｄ３を調製した。
【００７９】
実施例２２〜２４
後述の表１に記載の官能基および有機基を有する化合物（１）を、実施例４〜６に記載の方法に準拠して合成してそれぞれ用い、ジアミンとして４，４’−ジアミノジフェニルメタンをそれぞれ用い、実施例２２では、４，４’−ジアミノジフェニルメタンを３．０２１８ｇおよびシクロブタンテトラカルボン酸二無水物を２．９８３６ｇ、実施例２３では、４，４’−ジアミノジフェニルメタンを３．０３２７ｇおよびシクロブタンテトラカルボン酸二無水物を２．９８３６ｇ、実施例２４では、４，４’−ジアミノジフェニルメタンを３．０７０６ｇおよびシクロブタンテトラカルボン酸二無水物を２．９８３６ｇとした以外は実施例１〜３に準拠して液晶配向膜形成用ワニスＤ４〜Ｄ６を調製した。
【００８０】
実施例２５〜２６
＜官能基を有しない化合物（１）含有液晶配向膜形成用ワニスＥ１、Ｆ１の調製＞
Ｒ^１がフェニル、Ｒ^２が単結合およびＸが水素である化合物（１）ならびにＲ^１がフェニル、Ｒ^２がプロピレンおよびＸが水素である化合物（１）を、特願２００２−２２８９１４明細書（発明の名称：官能基を有するＰＳＱおよびその製造方法）に記載の方法で以下のとおり合成した。式（９）の化合物を中間体（Ｍはナトリウムを表す。）として用い、ＴＨＦを溶媒とし、トリエチルアミンの存在下、乾燥窒素気流条件で、トリクロロシラン（実施例２５）、ｎ−プロピルトリクロロシラン（実施例２６）をそれぞれ室温で１時間反応させ、純水を投入し生成した塩を除去すると共に、未反応物を加水分解させた。その後、有機相を水洗、無水硫酸マグネシウムで乾燥、ろ過、減圧濃縮後、アセトンで再結晶させることにより目的物をそれぞれ合成した。実施例２５では、上記の方法で合成したＲ^１がフェニル、Ｒ^２が単結合およびＸが水素である化合物（１）を、実施例２６では、上記の方法で合成したＲ^１がフェニル、Ｒ^２がプロピレンおよびＸが水素である化合物（１）を、その含有量がポリマー成分全量１００重量部に対して、それぞれ１重量部となるように用いる以外は実施例１９に準拠して液晶配向膜形成用ワニスＥ１（実施例２５）および液晶配向ワニスＦ１（実施例２６）を調製した。
式（９）

【００８１】
比較例１〜４
乾燥ＴＨＦおよび化合物（１）を使用しないこと以外は実施例１〜３に準拠して、化合物（１）を含有しない液晶配向膜形成用ワニスＡ０〜Ｄ０を調製した。
【００８２】
【表１】

【００８３】
実施例２７〜２９
混合ワニスの調製−１（アミノを有する化合物（１）が含有されている２種類のワニスの混合例）
実施例１９に準拠して得た液晶配向膜形成用ワニスＤ１を９０重量％および実施例１に準拠して得た液晶配向膜形成用ワニスＡ１を１０重量％となるように２種類のワニスを混合して、液晶配向膜形成用ワニスＡ１−Ｄ１を調製した（実施例２７）。また、液晶配向膜形成用ワニスＢ１およびＣ１についても、液晶配向膜形成用ワニスＤ１に対する混合割合が重量比で１／９になるように、それぞれ液晶配向膜形成用ワニスＤ１と混合して、液晶配向膜形成用ワニスＢ１−Ｄ１（実施例２８）および液晶配向膜形成用ワニスＣ１−Ｄ１（実施例２９）を調製した。
【００８４】
実施例３０〜３２
混合ワニスの調製−２（アミノを有する化合物（１）が一方のワニスのみに含有されている混合例）
比較例４に準拠して得た化合物（１）を含有しない液晶配向膜形成用ワニスＤ０を９０重量％および実施例１に準拠して得た化合物（１）を含有する液晶配向膜形成用ワニスＡ１を１０重量％となるように２種類のワニスを混合して、液晶配向膜形成用ワニスＡ１−Ｄ０を調製した（実施例３０）。また、実施例７に準拠して得た液晶配向膜形成用ワニスＢ１および実施例１３に準拠して得たＣ１についても、液晶配向膜形成用ワニスＤ０に対する混合割合が重量比で１／９になるように、それぞれ液晶配向膜形成用ワニスＤ０と混合して、液晶配向膜形成用ワニスＢ１−Ｄ０（実施例３１）および液晶配向膜形成用ワニスＣ１−Ｄ０（実施例３２）を調製した。
【００８５】
実施例３３〜３５
混合ワニスの調製−３（アミノを有する化合物（１）が一方のワニスのみに含有されている混合例）
実施例１９に準拠して得た化合物（１）を含有する液晶配向膜形成用ワニスＤ１を９０重量％および比較例１に準拠して得た化合物（１）を含有しない液晶配向膜形成用ワニスＡ０を１０重量％となるように２種類のワニスを混合して、液晶配向膜形成用ワニスＡ０−Ｄ１を調製した（実施例３３）。また、比較例２に準拠して得た液晶配向膜形成用ワニスＢ０および比較例３に準拠して得たＣ０についても、液晶配向膜形成用ワニスＤ１に対する混合割合が重量比で１／９になるように、それぞれ液晶配向膜形成用ワニスＤ１と混合して、液晶配向膜形成用ワニスＢ０−Ｄ１（実施例３４）および液晶配向膜形成用ワニスＣ０−Ｄ１（実施例３５）を調製した。
【００８６】
実施例３６〜３８
混合ワニスの調製−４（無水こはく酸基を有する化合物（１）が含有されている２種類のワニスの混合例）
実施例２７〜２９のアミノを有する化合物（１）含有液晶配向膜形成用ワニスＤ１を、無水こはく酸基を有する化合物（１）含有ワニスＤ４に代え、実施例２７のＡ１をＡ４に代え，実施例２８のＢ１をＢ４に代え、実施例２９のＣ１をＣ４に代えて液晶配向膜形成用ワニスＡ４−Ｄ４（実施例３６）、液晶配向膜形成用ワニスＢ４−Ｄ４（実施例３７）および液晶配向膜形成用ワニスＣ４−Ｄ４（実施例３８）を実施例２７〜２９に準拠して調製した。
【００８７】
実施例３９〜４１
混合ワニスの調製−５（無水こはく酸基を有する化合物（１）が一方のワニスのみに含有されている混合例）
実施例３０〜３２のアミノを有する化合物（１）含有液晶配向膜形成用ワニスＡ１を無水こはく酸基を有する化合物（１）含有ワニスＡ４に代え、アミノを有する化合物（１）含有液晶配向膜形成用ワニスＢ１を無水こはく酸基を有する化合物（１）含有液晶ワニスＢ４およびＣ４にそれぞれ代えて、液晶配向膜形成用ワニスＡ４−Ｄ０（実施例３９）、液晶配向膜形成用ワニスＢ４−Ｄ０（実施例４０）および液晶配向膜形成用ワニスＣ４−Ｄ０（実施例４１）を実施例３０〜３２に準拠して調製した。
【００８８】
実施例４２〜４４
混合ワニスの調製−６（無水こはく酸基を有する化合物（１）が一方のワニスのみに含有されている混合例）
実施例３６〜３８の無水こはく酸基を有する化合物（１）含有ワニスＡ４、Ｂ４およびＣ４を化合物（１）を含有しない液晶配向膜形成用ワニスＡ０、Ｂ０およびＣ０にそれぞれ代える以外は実施例３６〜３８に準拠して混合ワニスＡ０−Ｄ４、Ｂ０−Ｄ４およびＣ０−Ｄ４を調製した。
【００８９】
比較例５〜７
化合物（１）を含有しない混合ワニスの調製
液晶配向膜形成用ワニスＤ０を９０重量％および液晶配向膜形成用ワニスＡ０を１０重量％となるように２種類のワニスを混合して、液晶配向膜形成用ワニスＡ０−Ｄ０を調製した（比較例５）。また、液晶配向膜形成用ワニスＢ０およびＣ０についても、液晶配向膜形成用ワニスＤ０に対する混合割合が重量比で１／９になるように、それぞれ液晶配向膜形成用ワニスＤ０と混合して、液晶配向膜形成用ワニスＢ０−Ｄ０（比較例６）および液晶配向膜形成用ワニスＣ０−Ｄ０（比較例７）を調製した。
【００９０】
【表２】

【００９１】
実施例４５〜４７
（液晶セルの作製−１）
実施例１において得られた液晶配向膜形成用ワニスＡ１、実施例２で得られた液晶配向膜形成用ワニスＡ２および実施例３で得られた液晶配向膜形成用ワニスＡ３をそれぞれＮＭＰ−ＢＣ混合溶剤（重量比１／１）で希釈して、ポリマー成分の濃度が３重量％となるように調整し塗布用液晶配向膜形成用ワニスとした。この希釈ワニスを透明電極付基板上にスピンナーにて塗布し、８０℃にて約５分間予備焼成した。次いで、２１０℃にて３０分間焼成して膜厚６０ｎｍの配向膜を形成し、その表面を全面にわたって、ラビングすることにより配向処理を行った基板を得た。これと同じ基板をもう１枚用意し、片方の基板の配向膜面上に２０μｍのギャップ材を散布し、もう一方の基板を、配向膜面が向き合うように重ねてからエポキシ硬化剤でシールして、ギャップ２０μｍのアンチパラレルセルを作成した。
このセルに下記に示す液晶組成物１を注入し、注入口を光硬化剤で封止した。次いで、１１０℃で３０分間加熱処理を行い、ホモジニアス配向させたセルを作製した。このセルをクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板ではさみ、その中で回転したところ、ラビングにより配向膜に生じた傷による配向欠陥のない均一で明瞭な明暗が認められ、ラビングによって液晶分子が良好に配向していることが確認された。実施例４５〜４７の結果を表３に示した。
【００９２】
液晶組成物１

【００９３】
実施例４８〜５６、６３〜６８
（液晶セルの作製−２）
実施例４〜１２および１９〜２４において得られた液晶配向膜形成用ワニスＡ４〜Ａ６、Ｂ１〜Ｂ６およびＤ１〜Ｄ６をそれぞれＮＭＰ−ＢＣ混合溶剤（重量比１／１）で希釈して、ポリマー成分の濃度が３重量％となるように調整し塗布用液晶配向膜形成用ワニスとし、実施例４５〜４７に準拠してセルを作製し、このセルをクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板ではさみ、その中で回転したところ、ラビングにより配向膜に生じた傷による配向欠陥のない均一で明瞭な明暗が認められ、ラビングによって液晶分子が良好に配向していることが確認された。実施例４８〜５６、６３〜６８の結果を表３、表４にそれぞれ示した。
【００９４】
実施例５７〜６２
（液晶セルの作製−３）
実施例１３〜１８において得られた液晶配向膜形成用ワニスＣ１〜Ｃ６をそれぞれＮＭＰ−ＢＣ混合溶剤（重量比１／１）で希釈して、ポリマー成分の濃度が３重量％となるように調整し塗布用液晶配向膜形成用ワニスとし、下記に示す液晶組成物２を用いた以外は実施例４５〜４７に準拠してセルを作製し、このセルをクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板ではさみ、その中で回転したところ、ラビングにより配向膜に生じた傷による配向欠陥のない均一で明瞭な明暗が認められ、ラビングによって液晶分子が良好に配向していることが確認された。実施例５７〜６２の結果を表３に示した。
【００９５】
液晶組成物２

【００９６】
実施例６９〜７５
＜官能基（水酸基）を有する化合物（１）含有液晶配向膜形成用ワニスＤ７の調製＞
化合物（１）として、ハイブリッドプラスティック（ＨｙｂｒｉｄＰｌａｓｔｉｃｓ）社より販売されているＡＬ０１３０（商品名）：１，２−ＰｒｏｐａｎｅＤｉｏｌＩｓｏｂｕｔｙｌ−ＰＯＳＳを用いた。
（Ｒ^１がイソブチル）

ジアミンとして、４，４’−ジアミノジフェニルメタンを３．０１６４ｇ、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物を２．９８３６ｇとして、ブチルセロソルブを添加する前にＡＬ０１３０を０．０６００ｇ添加した以外は、実施例１に準拠して液晶配向膜形成用ワニスＤ７を調製した。
【００９７】
＜官能基（エポキシ）を有する化合物（１）含有液晶配向膜形成用ワニスＤ８の調製＞
化合物（１）として、ハイブリッドプラスティック（ＨｙｂｒｉｄＰｌａｓｔｉｃｓ）社より販売されているＥＰ０４１５（商品名）：ＧｌｙｃｉｄｙｌＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌ−ＰＯＳＳを用いた。
（Ｒ^１がシクロヘキシル）

ジアミンとして、４，４’−ジアミノジフェニルメタンを３．０１６４ｇ、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物を２．９８３６ｇとして、ブチルセロソルブを添加する前にＥＰ０４１５を０．０６００ｇ添加した以外は、実施例１に準拠して液晶配向膜形成用ワニスＤ８を調製した。
【００９８】
＜官能基（アクリロイル）を有する化合物（１）含有液晶配向膜形成用ワニスＤ９の調製＞
化合物（１）として、ハイブリッドプラスティック（ＨｙｂｒｉｄＰｌａｓｔｉｃｓ）社より販売されているＭＡ０６９９（商品名）：ＡｃｒｙｌｏＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌ−ＰＯＳＳを用いた。
（Ｒ^１がシクロヘキシル）

ジアミンとして、４，４’−ジアミノジフェニルメタンを３．０１６４ｇ、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物を２．９８３６ｇとして、ブチルセロソルブを添加する前にＭＡ０６９９を０．０６００ｇ添加した以外は、実施例１に準拠して液晶配向膜形成用ワニスＤ９を調製した。
【００９９】
＜官能基（メタクリロイル）を有する化合物（１）含有液晶配向膜形成用ワニスＤ１０の調製＞
化合物（１）として、ハイブリッドプラスティック（ＨｙｂｒｉｄＰｌａｓｔｉｃｓ）社より販売されているＭＡ０７０４（商品名）：ＭｅｔｈａｃｒｙｌＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌ−ＰＯＳＳを用いた。

（Ｒ^１がシクロヘキシル）
ジアミンとして、４，４’−ジアミノジフェニルメタンを３．０１６４ｇ、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物を２．９８３６ｇとして、ブチルセロソルブを添加する前にＭＡ０７０４を０．０６００ｇ添加した以外は、実施例１に準拠して液晶配向膜形成用ワニスＤ１０を調製した。
【０１００】
＜官能基（シアノ）を有する化合物（１）含有液晶配向膜形成用ワニスＤ１１の調製＞
化合物（１）として、ハイブリッドプラスティック（ＨｙｂｒｉｄＰｌａｓｔｉｃｓ）社より販売されているＮＩ０９０４（商品名）：ＣｙａｎｏｅｔｈｙｌＩｓｏｂｕｔｙｌ−ＰＯＳＳを用いた。
（Ｒ^１がイソブチル）

ジアミンとして、４，４’−ジアミノジフェニルメタンを３．０１６４ｇ、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物を２．９８３６ｇとして、ブチルセロソルブを添加する前にＮＩ０９０４を０．０６００ｇ添加した以外は、実施例１に準拠して液晶配向膜形成用ワニスＤ１１を調製した。
【０１０１】
＜官能基（メルカプト）を有する化合物（１）含有液晶配向膜形成用ワニスＤ１２の調製＞
化合物（１）として、ハイブリッドプラスティック（ＨｙｂｒｉｄＰｌａｓｔｉｃｓ）社より販売されているＴＨ１５４５（商品名）：ＭｅｒｃａｐｔｏｐｒｏｐｙｌＣｙｃｌｏｈｅｘｙｌ−ＰＯＳＳを用いた。
（Ｒ^１がシクロヘキシル）

ジアミンとして、４，４’−ジアミノジフェニルメタンを３．０１６４ｇ、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物を２．９８３６ｇとして、ブチルセロソルブを添加する前にＴＨ１５４５を０．０６００ｇ添加した以外は、実施例１に準拠して液晶配向膜形成用ワニスＤ１２を調製した。
【０１０２】
＜官能基（カルボキシル）を有する化合物（１）含有液晶配向膜形成用ワニスＤ１３の調製＞
化合物（１）は、実施例４〜６に準拠して合成した。
（Ｒ^１がフェニル）

ジアミンとして、４，４’−ジアミノジフェニルメタンを３．０１６４ｇ、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物を２．９８３６ｇとして、ブチルセロソルブを添加する前に化合物（１）を０．０６００ｇ添加した以外は、実施例１に準拠して液晶配向膜形成用ワニスＤ１３を調製した。
【０１０３】
（液晶セルの作製−４）
得られた液晶配向膜形成用ワニスＤ７〜Ｄ１３をそれぞれＮＭＰ−ＢＣ混合溶剤（重量比１／１）で希釈して、ポリマー成分の濃度が３重量％となるように調整し塗布用液晶配向膜形成用ワニスとし、実施例４５〜４７に準拠してセルを作製し、このセルをクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板ではさみ、その中で回転したところ、ラビングにより配向膜に生じた傷による配向欠陥のない均一で明瞭な明暗が認められ、ラビングによって液晶分子が良好に配向していることが確認された。実施例６９〜７５の結果を表４に示した。
【０１０４】
実施例７６、７７
（液晶セルの作製−５）
実施例２５、２６において得られた、官能基を有しない化合物（１）含有液晶配向膜形成用ワニスＥ１、Ｆ１をそれぞれＮＭＰ−ＢＣ混合溶剤（重量比１／１）で希釈して、ポリマー成分の濃度が３重量％となるように調整し塗布用液晶配向膜形成用ワニスとし、実施例４５〜４７に準拠してセルを作製し、ラビングによる傷、削れを確認した。実施例５１とは異なり、ラビング方向に若干のスジ、傷が認められ、また配向性が若干乱れている箇所が部分的に観察されたが、液晶表示素子として充分使用に耐えるものであった。実施例７６、７７の結果を表４に示した。
【０１０５】
比較例８〜１１
（液晶セルの作製−６）／化合物（１）を用いない例
比較例１〜４において得られた液晶配向膜形成用ワニスＡ０、Ｂ０、Ｃ０、Ｄ０をそれぞれ用いて実施例４５〜４７に準拠してセルを作製した。このセルをクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板ではさみ、その中で回転したところ、いずれの場合も、ラビング方向に顕著なスジ、傷が認められた。また配向性も乱れているところが観察された。比較例８〜１１の結果を表３、表４に示した。
【０１０６】
【表３】

【０１０７】
【表４】

【０１０８】
実施例７８〜８５
（液晶セルの作製−７）
実施例７８〜８１では、焼成温度を変更し、ラビングによる削れについて検討した結果を示した。実施例１に準拠して塗布用の液晶配向膜形成用ワニスＡ１を調製し、実施例８２〜８５では実施例４に準拠して塗布用の液晶配向膜形成用ワニスＡ４を調製し、これを用いて表５に示す４種類の焼成温度（１４０℃、１８０℃、２１０℃、２５０℃）で３０分間加熱処理を行った以外は実施例４５〜４７に準拠してセルを作製した。これらのセルをクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板ではさみ、その中で回転したところ、いずれの場合も、ラビングにより配向膜に生じた傷による配向欠陥のない均一で明瞭な明暗が認められ、ラビングによって液晶分子が良好に配向していることが確認された。これらの結果を表５に示した。
【０１０９】
比較例１２〜１５
（液晶セルの作製−８）
液晶配向膜形成用ワニスに化合物（１）を含有させないこと以外はそれぞれ実施例７１〜７８に準拠してセルを作製した。これらのセルをクロスニコル状態に配置した２枚の偏光板ではさみ、その中で回転したところ、いずれの場合も、ラビング方向に顕著なスジ、傷が認められた。また配向性も乱れているところが観察された。これらの結果を表５に示した。
【０１１０】
【表５】

【０１１１】
実施例８６〜１０９、比較例１６〜１８
（ラビングによる削れおよびプレチルト角）
以下に示した実施例では化合物（１）を含有する各種液晶配向膜形成用ワニスのラビングによる削れ、およびクリスタルローテーション法により測定したプレチルト角について検討した。その結果を表６および表７に示した。表６および表７から明らかなように、プレチルト角が１．１〜８９．３度を示した液晶配向膜形成用ワニスにおいて、ラビング傷、削れに対する化合物（１）の効果が確認された。従って、ＴＮ型液晶表示素子、ＳＴＮ型液晶表示素子、ＴＦＴ型液晶表示素子、ＩＰＳ型液晶表示素子、ＶＡ型液晶表示素子、ＯＣＢ型液晶表示素子、強誘電性液晶表示素子、反強誘電性液晶表示素子など様々なタイプの液晶表示素子において本発明の効果が認められることが分かった。
【０１１２】
【表６】

【０１１３】
【表７】

【０１１４】
実施例１１０〜１２０、比較例１９〜２２
液晶配向膜形成用ワニスより得られるポリイミドフィルムの機械的特性
・ポリアミック酸ワニスの調製
ポリマー成分の濃度を２０重量％とした以外は、実施例１に準拠してポリアミック酸ワニスＡ１＃を調製した。
・硬化フィルムの作成
・ポリアミック酸ワニスＡ１＃をＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）シート上にアプリケータ（５０μｍ）でコートし、乾燥器に入れ、８０℃で２時間、２１０℃で０．５時間、段階的に乾燥、硬化させた後、室温まで冷却し、硬化フィルムＡ１＃（実施例１１０）を得た。
【０１１５】
・引張試験
得られた硬化フィルムＡ１＃（フィルム幅１０ｍｍ）を引張試験機（（株）島津製作所製、小型卓上試験機、商品名：「ＥＺＴｅｓｔ―５００Ｎ」）を用いて２０℃の雰囲気下において１０ｍｍ／分の引張速度で延伸し、引張弾性率を測定した。引張弾性率を応力が１０ＭＰａと３０ＭＰａの二点間を結ぶ直線の勾配から算出したところ、該フィルムの引張弾性率は１６００ＭＰａであり、引張伸びは３５％であった。
実施例７、１３、１９、６９〜７５の材料系（ポリアミック酸ワニスＢ１＃、Ｃ１＃、Ｄ１＃、Ｄ７＃〜Ｄ１３＃）および比較例１〜４の材料系（Ａ０＃、Ｂ０＃、Ｃ０＃、Ｄ０＃）についても上記ポリアミック酸ワニスＡ１＃の調製法に準拠してそれぞれ調製し、同様の評価を行った（実施例１１１〜１２０、比較例１９〜２２）。その結果を表８に示した。表８によると、化合物（１）を含有することで削り傷が発生しない、配向膜に用いられるポリイミドのフィルムが得られた。得られたフィルムは、引張弾性率が化合物（１）を含有しないものに比べ相対的に大きくなり、かつ引張伸びがほとんど変化せず、結果的にタフネスが大きくなっていた。これらの結果から、本発明の効果が確認された。
【０１１６】
【表８】

【０１１７】
【発明の効果】
Ｔ８型シルセスキオキサン誘導体を含有した本発明のワニスを使用することによって、ラビングによる摩擦力に対応するための機械的強度に優れた配向膜、ガラス基板との密着性に優れた配向膜が得られ、かつ、該液晶配向膜形成用ワニスは保存安定性にも優れている。該液晶配向膜形成用ワニスを用いた配向膜を使用することによって配向膜の機械的強度を向上させ、その結果、ラビング操作による配向膜上のスジや傷を防止することができるので、より高性能なＴＮ型液晶表示素子、ＳＴＮ型液晶表示素子、ＴＦＴ型液晶表示素子、ＩＰＳ型液晶表示素子、ＶＡ型液晶表示素子、ＯＣＢ型液晶表示素子、強誘電性液晶表示素子、反強誘電性液晶表示素子を実現することができる。

Claims

ポリアミック酸、可溶性ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミドまたはこれらの２つ以上の混合物からなるポリマー成分および溶剤を含有する液晶配向膜形成用ワニスにおいて、さらに式（１）で表されるＴ８型シルセスキオキサンの１つ以上、該シルセスキオキサンの重合体の１つ以上またはこれらの混合物を含有することを特徴とする液晶配向膜形成用ワニス。
式（１）

式中、Ｒ^１は独立に、アルキル、アルケニル、置換もしくは非置換のアリール、置換もしくは非置換のアリールアルキル、または置換もしくは非置換のアリールアルケニルである。ただし、これらのアルキル、アルケニル、アリールアルキル中のアルキレン、およびアリールアルケニル中のアルケニレンにおいて、１つ以上の水素はフッ素で置き換えられていてもよく、１つ以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられていてもよい。Ｒ^２は単結合またはアルキレンである。ただし、このアルキレン中の１つ以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓｉ（ＣＨ_３）_２−、炭素数２〜６のアルケニレン、または炭素数６〜１０のアリーレンで置き換えられていてもよい。Ｘは水素または官能基である。
式（１）で表されるＴ８型シルセスキオキサンにおいて、Ｒ^１が炭素数１〜１４のアルキルまたは炭素数６〜１０の置換もしくは非置換のアリールである請求項１に記載の液晶配向膜形成用ワニス。
式（１）で表されるＴ８型シルセスキオキサンにおいて、Ｒ^２が単結合または炭素数１〜１０のアルキレンである請求項１に記載の液晶配向膜形成用ワニス。
式（１）で表されるＴ８型シルセスキオキサンにおいて、Ｘが水素である請求項１に記載の液晶配向膜形成用ワニス。
式（１）で表されるＴ８型シルセスキオキサンにおいて、Ｘが酸無水物、エポキシ、カルボキシル、水酸基、アミノ、アミノフェニル、イソシアネート、シアノ、メルカプト、アミド、スルホニル、アクリロイル、またはメタクリロイルの官能基である請求項１に記載の液晶配向膜形成用ワニス。
Ｔ８型シルセスキオキサンの１つ以上、該シルセスキオキサンの重合体の１つ以上またはこれらの混合物の含有量が、液晶配向膜形成用ワニス中のポリマー成分全量１００重量部に対して、０．００１〜１０重量部の割合である請求項１に記載の液晶配向膜形成用ワニス。
請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶配向膜形成用ワニスが、該ワニスを用いて得られるフィルムＡの引張弾性率（ヤング率）がＴ８型シルセスキオキサンの１つ以上、該シルセスキオキサンの重合体の１つ以上またはこれらの混合物を含有しない前記ワニスを用いて得られるフィルムＢの引張弾性率（ヤング率）に対して１０１％〜１５０％の変化率であり、かつ、フィルムＡの引張伸び（破断伸び）がフィルムＢの引張伸び（破断伸び）に対して５０〜１００％の変化率であることを達成するワニスである請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶配向膜形成用ワニス。
請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶配向膜形成用ワニスを用いて形成される配向膜を有することを特徴とする液晶表示素子。