JP2004335438A - ナノ複合体を発光層として用いる高分子エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】 金属ナノ粒子と発光高分子とを混合したナノ複合体を発光層として用いることにより、発光層の光酸化が抑制され、発光安定性及び発光効率が向上する高分子EL素子を提供する。
【解決手段】 正極電極層、負極電極層及び発光層を含む高分子EL素子であって、金属ナノ粒子と発光高分子とが混合されたナノ複合体を前記発光層として用いる。
【選択図】 図4

Description

本発明は、有機エレクトロルミネセンス(electroluminescence,以下「EL」という)素子に関し、特に発光高分子と金属ナノ粒子とを混合したナノ複合体を発光層として用いる高分子EL素子に関する。
有機ELとは、負極と正極からそれぞれ注入される電子と正孔が有機物の薄膜で励起子(exciton)を設け、設けられた励起子から特定の波長の光が発生する現象をいう。この現象を応用した有機EL素子は、軽量、薄膜、自家発光、低電圧作動、速いスイッチング速度などの長所を有する。特に、1990年、英国のR.H.Friend教授の研究チームによって報告された高分子EL素子(Polymer Electroluminescent Decive)は、スピンコート法により薄膜を形成することができるため、真空蒸着法により薄膜を形成する低分子EL素子に比べて、製造コストが安価であるという長所がある。
図1を参照しながら高分子EL素子について簡略に説明する。高分子EL素子100は、基板60上の正極電極層10と負極電極層20との間に正孔輸送層30、電子輸送層40及び発光層50を有する構造で形成される。
正極電極層10としては、可視光線の範囲において、透明でかつ仕事関数(work function)が高く、正孔の注入が容易なITO(インジウム−スズ酸化物Indium-Tin Oxide)のような複合酸化金属薄膜を主に用いる。負極電極層20としては、仕事関数が低い、セシウム(Cs)、リチウム(Li)、カルシウム(Ca)などの金属又はその合金、及び仕事関数は高いがエネルギー状態が安定しているアルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)などの金属又はその合金を主に用いる。
正極電極層10と負極電極層20とに順方向の電圧を発生させると、正極電極層10から注入された正孔は、正孔輸送層30を介して発光層50に移動し、負極電極層20から注入された電子は、電子輸送層40を介して発光層50に移動する。正極電極層10及び負極電極層20からそれぞれ注入された正孔と電子は、互いに異なる移動度を有するものの、正孔輸送層30と電子輸送層40とを通過するうちに正孔と電子の移動度は近似するようになる。また、負極電極層20から発光層50に移動した電子は、発光層50と正孔輸送層30との間の界面に存在するエネルギー障壁により発光層50内に閉じ込められることで、電子と正孔の再結合効率が向上する。結局、発光層50においては正孔と電子の密度バランスが保たれることにより、高分子EL素子100の発光効率を高めることができる。さらに、正極電極層10と正孔輸送層30との間に正孔注入層の役割をする緩衝層(図示せず)を形成させることで、正極電極層10の表面を平坦にし、高分子EL素子100の発光安定性を向上させることもできる。
前述したように、正極電極層10及び負極電極層20からそれぞれ注入された正孔と電子は、発光層50で再結合し、発光高分子内において励起子を発生させる。こうした励起子は、一重項(singlet)状態の励起子(以下、「一重項励起子」という)と三重項(triplet)状態の励起子(以下、「三重項励起子」という)に分かれ、各々1:3の比率で発生する。一重項励起子が励起状態から基底状態に落ちながら特定の波長の光を放出することにより、基板60を通じて発光を観察することができる。これに対して、一重項励起子より長い残存期間を有する三重項励起子は、発光せずに、励起状態から基底状態に落ちることになる。特に、三重項励起子は、そのエネルギーを高分子EL素子100内に存在している酸素に伝え、酸素一重項励起子を発生させる。こうした酸素一重項励起子は、カルボキシル基を生成させることで、発光層50内の発光高分子鎖を切断し、高分子EL素子100の発光性能を低下させるばかりでなく、さらに、高分子発光層50の光酸化(photooxidation)現象を発生させる。このような、酸素に弱い高分子EL素子100の問題を解決するために、封止層70を形成させることにより、高分子EL素子100を酸素から遮断している。
従来、高分子EL素子100内に酸素が浸透しないようにする封止技術が主に用いられてきたが、この技術は、封止層70の形成のための工程上の温度が高分子の分解温度より低い範囲内でのみ行われ、柔軟性のあるディスプレイ素子には適用し難いという短所があった。
一方、高分子発光層50の光酸化を抑制させるための他の技術としては、光酸化反応の原因である三重項励起子のエネルギーを除去する技術がある。つまり、高分子ELプロセスにおいて必然的に発生する三重項励起子のエネルギーを吸収できる金属粒子または半導体粒子を発光高分子と混合させた発光層を用いることにより、三重項励起子のエネルギーを除去することができた。
しかし、現在まで文献上で報告されている金属粒子または半導体粒子は、数百nm程度の大きさであるため、約100nm程度の発光層を用いる高分子EL素子に適用することは不可能であり、金属粒子または半導体粒子の製造工程が複雑になるという問題がある(例えば、非特許文献1及び非特許文献2)。
Hale et al., Appl.Phys.Lett., vol.78, p1502, 2001 Lim et al., Synth.Metal, vol.128, p133, 2002
本発明は、前述した問題を解決するためのものであって、粒子の大きさが充分に小さい金属ナノ粒子と発光高分子とを混合させたナノ複合体を発光層として用いることにより、発光層の光酸化を抑制させ、発光安定性及び発光効率を向上させた高分子EL素子を提供することを目的とする。
前述した目的を達成するために、本発明によれば、正極電極層、負極電極層及び発光層を含む高分子EL素子であって、金属ナノ粒子と発光高分子とが混合されたナノ複合体を発光層として用いる高分子EL素子が提供される。
本発明は、金属ナノ粒子と発光高分子とを混合したナノ複合体を発光層として用いる高分子EL素子を提供することにより、発光層の光酸化を抑制させ、高分子EL素子の発光安定性を向上させる。また、発光高分子に混合される金属ナノ粒子の量を適切に組合わせることにより、ナノ複合体発光層への電子の注入効率を高め、電子に比べて移動度が速い正孔を遮断する役割を同時に行い、高分子EL素子の発光効率を高める。
以下に、本発明の好適な実施の態様について、添付図面を参照しながらより詳細に説明する。
1〜100nmの大きさの金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ゲルマニウム(Ge)などの金属ナノ粒子を、400〜800nmの波長の光を発生させるポリジヘキシルフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリジオクチルフルオレンなどの発光高分子と1×10-9〜0.1の体積分率で適切に混合させると、金属ナノ粒子は、発光高分子の三重項励起子と共鳴を起こすことにより、三重項励起子のエネルギーを吸収する。
次に、金ナノ粒子と青色発光高分子であるポリジオクチルフルオレンとを混合させたナノ複合体を高分子EL素子の発光層として用いる実施例について説明する。
まず、金ナノ粒子を製造するために、30mMの水溶性金属クロライド溶液(SIGMA-ALDRICH社製)30mlを25mlのテトラオクチルアンモニウムブロミド溶液(溶媒がトルエンである)80mlに混合すると、金属塩がトルエン相に転移する。次に、0.4Mの水素化ホウ素ナトリウム(NaBH4)25mlを添加して還元させ、所定の時間、例えば、約30分後に水相とトルエン相とを分離する。最後に、トルエン相を0.1Mの硫酸(H2SO4)、水酸化ナトリウム(NaOH)溶液及び蒸留水で順次洗浄して乾燥させると、5〜10nmの大きさの金ナノ粒子が生成される。こうして形成した金ナノ粒子は、青色発光高分子の三重項励起子エネルギーをより一層吸収する特性がある。図2は、透過電子顕微鏡で観察した金ナノ粒子を示す。
金ナノ粒子と青色発光高分子とを混合させたナノ複合体を製造するために、青色発光高分子であるポリジオクチルフルオレンをクロロベンゼンで溶解した溶液に、前述の金ナノ粒子を混合する。ポリジオクチルフルオレンに混合される金ナノ粒子の体積分率を0、1.5×10-6、3×10-6及び3×10-5に調節した各々の溶液を基板上にスピンコートすることにより、ナノ複合体の発光層を形成する。
こうしたプロセスにより生成されたナノ複合体発光層のUV吸収及びフォトルミネセンスの特性を図3に示す。図3に示すように、ポリジオクチルフルオレンに混合される金ナノ粒子の体積分率が増加しても、ナノ複合体発光層のUV吸収及びフォトルミネセンスの強さは殆ど変化しない。つまり、ポリジオクチルフルオレンに混合された金ナノ粒子は、ナノ複合体発光層の吸光及び発光特性にはそれほど影響を及ぼさないことを示し、ナノ複合体発光層の厚さや物理的な状態は、純粋なポリジオクチルフルオレンのみで形成された高分子発光層の場合と類似しているということを意味する。
図4は、ナノ複合体発光層の時間変化に対するフォトルミネセンスの強さの特性を示す。金ナノ粒子の体積分率を徐々に増加させたナノ複合体発光層であるほど、長時間経過においてもフォトルミネセンスの強さの変化が少ないことが分かる。つまり、ナノ複合体発光層は、純粋な高分子発光層に比べて発光安定性を向上させることを意味する。
前述したように、発光高分子は、励起状態において一重項励起子及び三重項励起子に分かれ、波長が約530nm程度の光のエネルギーと類似のレベルである青色発光高分子の三重項励起子エネルギーは、高分子EL素子内の酸素に伝えられ、高分子発光層の光酸化現象を発生させる。しかし、本発明においては、波長が500〜550nm程度である光のエネルギーを吸収する5〜10nmの大きさの金ナノ粒子が青色発光高分子であるポリジオクチルフルオレンの三重項励起子と共鳴を起こすことにより、金ナノ粒子は三重項励起子のエネルギーを吸収して励起状態から基底状態に落ちる。特に、金ナノ粒子の残存期間は、数ピコ秒程度と非常に短いため、長い残存期間を有するポリジオクチルフルオレンの三重項励起子を効果的に消滅させる。したがって、図4に示すように、金ナノ粒子の体積分率が増加するほど、三重項励起子のエネルギーを効果的に吸収し、ナノ複合体発光層の光酸化を抑制するばかりでなく、発光安定性を向上させることもできる。
図5は、ナノ複合体発光層を用いた高分子EL素子の時間変化に対するエレクトロルミネセンスの強さの特性を示す。本発明の実施の態様による高分子EL素子の耐久性及び発光性能を分析するために、高分子EL素子に対して10Vの作動電圧を印加した。その結果、高分子発光層を用いた従来の高分子EL素子よりも、ナノ複合体発光層を用いた高分子EL素子の方がエレクトロルミネセンス強さが優れていることが分かる。特に、体積分率1.5×10-6の非常に少ない量の金ナノ粒子が混合されたナノ複合体発光層を用いた場合にも、時間変化に対する高分子EL素子のEL強さの減少現象が大きく改善されていることが分かる。
図6は、ナノ複合体発光層を用いた高分子EL素子の電流−電圧特性を示す。特に、体積分率1.5×10-6の金ナノ粒子が混合されたナノ複合体発光層を用いる高分子EL素子は、高分子発光層を用いた従来の高分子EL素子に比べて電流が大きく増加することが分かる。こうした結果が生じる理由について以下で説明する。
ナノ複合体発光層は、ポリジオクチルフルオレンをクロロベンゼンで溶解した溶液に金ナノ粒子を混合させた溶液を正極電極層または正孔輸送層にスピンコートすることにより形成される。スピンコート過程において、金ナノ粒子は、静電気的引力により正極電極層または正孔輸送層に付着し、又は金ナノ粒子が相互に付着して界面が移動するキャピラリー電気現象(capillary electrical phenomenon)が発生する。その結果、ナノ複合体発光層の表面にナノスケールの凹凸が形成されることにより、負極電極層からの電子が注入される界面面積が大きく増加する。したがって、増加した界面面積により負極電極層から注入される電子が増加することにより、体積分率1.5×10-6の金ナノ粒子が混合されたナノ複合体発光層を用いる高分子EL素子の電流も増加したと判断される。しかし、金ナノ粒子の体積分率がさらに増加すると、高分子EL素子の電流が再度減少し、特に、金ナノ粒子の体積分率が3×10-5にまで増加すると、急激な電流の減少現象を示す。この現象は、金ナノ粒子の正孔遮断(hole blocking)効果が原因であると判断される。
図7は、ナノ複合体発光層を用いた高分子EL素子の作動電圧の変化に対する発光効率を示す。ポリジオクチルフルオレンと混合される金ナノ粒子の体積分率が増加するほど、高分子EL素子の発光効率が増加するのに対し、作動電圧も増加することが分かる。つまり、図6を参照する前述のように、混合される金ナノ粒子の量が増加するほど、高分子EL素子の電荷移送体のうちの一つである正孔を遮断する効果が増加するため、高い作動電圧が必要となる。
説明の便宜上、金ナノ粒子とポリジオクチルフルオレンとを混合させたナノ複合体を高分子EL素子の発光層として用いる実施例についてのみ説明したが、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ゲルマニウム(Ge)などの金属で、酸化アルミニウム(Al23)、酸化マグネシウム(MgO)、モリブデナイト(MoS2)、二酸化ケイ素(SiO2)、窒化ホウ素(BN)などの任意の無機系粒子または任意の高分子粒子の表面をコートした各金属ナノ粒子を発光高分子と1×10-9〜0.1程度の体積分率で適切に混合したナノ複合体を高分子EL素子の発光層として用いることもできる。
以上、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明の特許請求の範囲を逸脱することなく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
高分子EL素子の構造を説明する図面である。 本発明の実施態様による高分子EL素子のナノ複合体発光層に混合される金ナノ粒子を示す図面である。 ナノ複合体発光層のUV吸収及びフォトルミネセンスの特性を説明する図面である。 ナノ複合体発光層のフォトルミネセンスの強さの特性を説明する図面である。 本発明の実施の形態による高分子EL素子のエレクトロルミネセンス強さの特性を説明する図面である。 本発明の実施の形態による高分子EL素子の電流−電圧の特性を説明する図面である。 本発明の実施の形態による高分子EL素子の作動電圧−発光効率の特性を説明する図面である。
符号の説明
10 正極電極層
20 負極電極層
30 正孔輸送層
40 電子輸送層
50 発光層
60 基板
70 封止層
100 高分子EL素子

Claims (8)

  1. 正極電極層、負極電極層及び発光層を含む高分子エレクトロルミネセンス素子であって、
    金属ナノ粒子と発光高分子とが混合されたナノ複合体を前記発光層として使用する高分子エレクトロルミネセンス素子。
  2. 前記金属が、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、コバルト(Co)及びゲルマニウム(Ge)からなる群より選択される、請求項1に記載の高分子エレクトロルミネセンス素子。
  3. 前記発光高分子が、400〜800nmの波長の光を発生させる、請求項1に記載の高分子エレクトロルミネセンス素子。
  4. 前記発光高分子が、ポリジヘキシルフルオレン、ポリフェニレンビニレン及びポリジオクチルフルオレンからなる群より選択される、請求項3に記載の高分子エレクトロルミネセンス素子。
  5. 前記金属ナノ粒子が、1〜100nmの大きさであり、前記発光高分子と1×10-9〜0.1の体積分率で混合される、請求項4に記載の高分子エレクトロルミネセンス素子。
  6. 前記金属ナノ粒子が金ナノ粒子であり、前記発光高分子がポリジオクチルフルオレンである、請求項5に記載の高分子エレクトロルミネセンス素子。
  7. 前記金ナノ粒子が5〜10nmの大きさである、請求項6に記載の高分子エレクトロルミネセンス素子。
  8. 無機系粒子または高分子粒子の表面にコートされた前記金属ナノ粒子を前記発光高分子と1×10-9〜0.1の体積分率で混合したナノ複合体を前記発光層として使用する、請求項1〜7のいずれか1項に記載の高分子エレクトロルミネセンス素子。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007184516A (ja) * 2006-01-03 2007-07-19 Jiaotong Univ 高分子発光ダイオード用ナノコンポジットの製造方法
JP2009510746A (ja) * 2005-09-26 2009-03-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 有機エレクトロルミネセンス素子の効率及び寿命を改善するための界面コンディショニング
US8080322B2 (en) 2006-11-01 2011-12-20 Canon Kabushiki Kaisha Light emitting device having high luminous efficiency and high stability
WO2012137400A1 (ja) * 2011-04-05 2012-10-11 パナソニック株式会社 有機薄膜及びこれを発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2012173079A1 (ja) * 2011-06-15 2012-12-20 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
US11127917B2 (en) 2016-12-15 2021-09-21 Universal Display Corporation Spectral emission modification using localized surface plasmon of metallic nanoparticles

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100718101B1 (ko) * 2003-10-29 2007-05-14 삼성에스디아이 주식회사 나노 금속 입자를 이용한 전계 발광 소자
KR100736521B1 (ko) 2004-06-09 2007-07-06 삼성전자주식회사 나노 결정 전기발광 소자 및 그의 제조방법
JP4258818B2 (ja) * 2004-06-16 2009-04-30 三菱重工業株式会社 発光材料、発光体、および発光方法
US7358291B2 (en) 2004-06-24 2008-04-15 Arrowhead Center, Inc. Nanocomposite for enhanced rectification
US7811679B2 (en) 2005-05-20 2010-10-12 Lg Display Co., Ltd. Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers
WO2007143197A2 (en) 2006-06-02 2007-12-13 Qd Vision, Inc. Light-emitting devices and displays with improved performance
WO2007117698A2 (en) 2006-04-07 2007-10-18 Qd Vision, Inc. Composition including material, methods of depositing material, articles including same and systems for depositing material
WO2008111947A1 (en) 2006-06-24 2008-09-18 Qd Vision, Inc. Methods and articles including nanomaterial
WO2008105792A2 (en) 2006-06-24 2008-09-04 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, methods for fabricating an array of devices and compositions
WO2008108798A2 (en) 2006-06-24 2008-09-12 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, and methods for fabricating an array of devices
JP2010508620A (ja) * 2006-09-12 2010-03-18 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 所定のパターンを表示するために有用なエレクトロルミネセントディスプレイ
WO2008063657A2 (en) * 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Light emitting devices and displays with improved performance
US8547395B1 (en) 2006-12-20 2013-10-01 Nvidia Corporation Writing coverage information to a framebuffer in a computer graphics system
US8115213B2 (en) * 2007-02-08 2012-02-14 Phoseon Technology, Inc. Semiconductor light sources, systems, and methods
KR100858931B1 (ko) * 2007-05-03 2008-09-17 고려대학교 산학협력단 이중벽 나노튜브 및 이중벽 나노와이어
KR101672553B1 (ko) 2007-06-25 2016-11-03 큐디 비젼, 인크. 조성물 및 나노물질의 침착을 포함하는 방법
US8325203B1 (en) 2007-08-15 2012-12-04 Nvidia Corporation Optimal caching for virtual coverage antialiasing
KR100955881B1 (ko) 2007-09-13 2010-05-06 고려대학교 산학협력단 이중벽 나노튜브의 발광특성 조절방법
US9525148B2 (en) 2008-04-03 2016-12-20 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
KR101995369B1 (ko) 2008-04-03 2019-07-02 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 양자점들을 포함하는 발광 소자
KR101007653B1 (ko) * 2008-10-08 2011-01-13 한국과학기술원 유기 발광 다이오드 디바이스
WO2014087308A1 (en) * 2012-12-05 2014-06-12 Koninklijke Philips N.V. Light conversion materials based on luminescent metal atomic nanoclusters
KR101489217B1 (ko) * 2013-10-01 2015-02-04 서울시립대학교 산학협력단 유무기 복합 발광소자와 그 제조방법 및 유무기 복합 태양전지
CN109543220B (zh) * 2018-10-17 2023-09-01 天津大学 金属纳米颗粒微纳结构及其间隙内增强自发辐射的方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5677545A (en) * 1994-09-12 1997-10-14 Motorola Organic light emitting diodes with molecular alignment and method of fabrication
KR20000046588A (ko) 1998-12-31 2000-07-25 김선욱 발광물질로 사용가능한 고분자 금속 착체
KR20010095437A (ko) 2000-03-30 2001-11-07 윤덕용 발광물질/점토 나노복합소재를 이용한 유기 전기 발광 소자
US6777871B2 (en) * 2000-03-31 2004-08-17 General Electric Company Organic electroluminescent devices with enhanced light extraction
US6515314B1 (en) * 2000-11-16 2003-02-04 General Electric Company Light-emitting device with organic layer doped with photoluminescent material
US6846565B2 (en) * 2001-07-02 2005-01-25 Board Of Regents, The University Of Texas System Light-emitting nanoparticles and method of making same
US6903505B2 (en) * 2001-12-17 2005-06-07 General Electric Company Light-emitting device with organic electroluminescent material and photoluminescent materials

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009510746A (ja) * 2005-09-26 2009-03-12 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 有機エレクトロルミネセンス素子の効率及び寿命を改善するための界面コンディショニング
US8101941B2 (en) 2005-09-26 2012-01-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Interface conditioning to improve efficiency and lifetime of organic electroluminescence devices
JP2007184516A (ja) * 2006-01-03 2007-07-19 Jiaotong Univ 高分子発光ダイオード用ナノコンポジットの製造方法
US8080322B2 (en) 2006-11-01 2011-12-20 Canon Kabushiki Kaisha Light emitting device having high luminous efficiency and high stability
WO2012137400A1 (ja) * 2011-04-05 2012-10-11 パナソニック株式会社 有機薄膜及びこれを発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子
US8835916B2 (en) 2011-04-05 2014-09-16 Panasonic Corporation Organic thin film and organic electroluminescent element containing same in light-emitting layer
WO2012173079A1 (ja) * 2011-06-15 2012-12-20 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JPWO2012173079A1 (ja) * 2011-06-15 2015-02-23 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
US9040975B2 (en) 2011-06-15 2015-05-26 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescence element, illumination device, and display device
US11127917B2 (en) 2016-12-15 2021-09-21 Universal Display Corporation Spectral emission modification using localized surface plasmon of metallic nanoparticles

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