JP2004335304A - 高周波加熱装置 - Google Patents

Abstract

【課題】加熱室の中央と隅との間にマイクロ波の電界強度の差のない、均一加熱ができる省スペースの高周波加熱装置を提供する。
【解決手段】高周波発生部と、該高周波発生部からの高周波を供給して被加熱物を加熱処理する天井・側壁・床部から構成される加熱室と、を有する高周波加熱装置において、高周波発生部が前記床部の裏側端部に設けられ、裏側略全体が前記高周波発生部からの高周波を導く導波管構造をしており、かつ床部の略全面に高周波を前記加熱室内へ通過させる給電口を多数個備え、しかも前記高周波発生部から供給される高周波の周波数を５．８ＧＨｚとした。
【選択図】 図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マグネトロンからの高周波で被加熱物を加熱処理する高周波加熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の高周波加熱装置は、マグネトロンの高周波発生部を加熱室の外側に設けて、そこから加熱室の天井、側壁、床部のいずれかに設けられた大きな１個の給電口まで導波管の中を通して高周波を導き、その給電口から加熱室内に高周波を導いていた（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開平３−２０３１９１号公報
【０００４】
図５は上記特許文献１記載の従来例の高周波加熱装置の内部構造を示す縦断面図である。図において、５０は従来例の高周波加熱装置、５１は加熱室、５２は加熱室５１の外側に設けられている周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発振するマグネトロンを含む高周波発生部、５３は導波管、５４は給電口である。５５はターンテーブル、５６はターンテーブル５５を回転駆動するモータ、５７は扉、５８は扉５７の四辺に施されたマイクロ波の１／４波長に対応したチョーク構造の電波漏洩防止手段である。Ｇはターンテーブル５５の上に載置された被加熱物である。
【０００５】
マグネトロン５２が駆動されると、マグネトロン５２から発振された周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波は導波管５３を通って給電口５４から加熱室５１内に放射され、加熱室５１の金属壁によって反射されて加熱室５１内に定在波が生じる。周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波の場合、その波長は約１２ｃｍとなるので、加熱室５１の金属壁によって反射されて加熱室５１内に生じる定在波はその間隔がその１／２の約６ｃｍとなり、電界の強い腹の部分でマイクロ波は被加熱物Ｇに吸収されて、被加熱物Ｇが加熱される。
しかしながら、約６ｃｍの間隔は被加熱物Ｇにとってはムラとなってしまうため、ターンテーブル５５をモータ５６でゆっくり回転させて被加熱物Ｇ上での電界を乱し、被加熱物Ｇ上で定在波が生じないようにしている。
このように従来例の高周波加熱装置５０は、ムラのない加熱をするために、ターンテーブル５５とモータ５６が必要なため、構造が複雑となり、信頼性の低下、コスト高となってしまった。
【０００６】
この欠点を解消するものとして、上記特許文献１記載の実施例の高周波加熱装置がある。図６は上記特許文献１記載の実施例の高周波加熱装置の内部構造を示す図で、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は図（ａ）のは導波管５３を通る横断面図である。
図６（ａ）において、６０は実施例の高周波加熱装置、６１は加熱室、６２は加熱室６１の外側に設けられている周波数５．８ＧＨｚのマイクロ波を発振するマグネトロンを含む高周波発生部、６３は導波管、６４は給電口である。６５は被加熱物載置用のテーブル、６７は扉、６８は扉６７の四辺に施されたマイクロ波の１／４波長に対応したチョーク構造の電波漏洩防止手段である。Ｇはテーブル６５の上に載置された被加熱物である。
【０００７】
また、図６（ｂ）において、給電口６４は高周波発生部６２の横幅の略等しい幅である狭い導波管６３の先端に１個設けられており、高周波発生部６２から発振されたマイクロ波はこの給電口６４からのみ加熱室６１内に放射される。
【０００８】
そこで、マグネトロン６２が駆動されると、マグネトロン６２から発振された周波数５．８ＧＨｚのマイクロ波は導波管６３を通って給電口６４から加熱室６１内に放射され、加熱室６１の金属壁によって反射されて加熱室６１内に定在波が生じる。周波数５．８ＧＨｚのマイクロ波の場合、その波長は約５．１７ｃｍとなるので、加熱室６１の金属壁によって反射されて加熱室６１内に生じる定在波はその間隔がその１／２の約２．６ｃｍとなり、電界の強い腹の部分でマイクロ波は被加熱物Ｇに吸収されて、被加熱物Ｇが加熱される。そしてこの約２．６ｃｍの間隔は被加熱物Ｇにとっては小さなものであるため目立つムラとはならない。
したがって、前述の役目をするターンテーブルもモータも不要となるため、構造が簡単となり、信頼性が向上し、コスト安となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
このようにして、図６の高周波加熱装置６０は周波数５．８ＧＨｚのマイクロ波を発振するマグネトロンを用いるため、加熱室６１内に生じる定在波がその間隔がその１／２の約２．６ｃｍとなるので加熱ムラが目立たなくなるとはいえ、まだムラは若干生じていた。
また、給電口６４が加熱室６１の天井中央にのみしかないため、加熱室６１の中央と隅との間にマイクロ波の電界強度の差が生じたので、被加熱物Ｇの中央と端とに加熱差が生じた。
【００１０】
本発明の目的はこれらの欠点を解決するもので、加熱ムラをさらに目立たなくできて、加熱室の中央と隅との間にマイクロ波の電界強度の差が生じない、加熱室の床部裏側の中央部近傍のスペースが有効利用できる高周波加熱装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１記載の高周波加熱装置の発明は、高周波発生部と、該高周波発生部からの高周波を供給して被加熱物を加熱処理する天井・側壁・床部から構成される加熱室と、を有する高周波加熱装置において、多数の給電口を備えて成る直方体状広域導波管を前記加熱室の裏側に備え、かつ前記高周波発生部を前記直方体状広域導波管の直近に設けたことを特徴とする。
以上の構成により、導波管の構造が幅広い構造をしているので、多数の給電口を設けることが可能となり、均一加熱に近づけることができる。
【００１２】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の高周波加熱装置において、前記直方体状広域導波管が前記床部の略全面に広がる大きさをしておりかつ前記多数の給電口を前記床部側に向けて前記床部の裏側に設けられたことを特徴とする。
以上の構成により、床部の裏側略全体が導波管構造をしており、かつ床部の略全面に多数の給電口を備えているので、加熱室の中央と隅との間にマイクロ波の電界強度の差が生じなくなり、均一加熱に近づけることができる。また、床部からのマイクロ波照射なので被加熱部に近く、加熱効率もよくなる。
さらに、電波を撹拌させるためのターンテーブルや回転アンテナ等の構成を設けなくてもよいため、電波スパークや電波漏洩等の信頼性も向上する。
【００１３】
請求項３記載の発明は、請求項１記載の高周波加熱装置において、前記直方体状広域導波管が前記天井の略全面に広がる大きさをしておりかつ前記多数の給電口を前記天井側に向けて前記天井の裏側に設けられたことを特徴とする。
以上の構成により、天井の裏側略全体が導波管構造をしており、かつその略全面に多数の給電口を備えているので、均一な電波が天井一面からシャワーのように降り注ぐため、さらに均一な加熱が可能となる。
【００１４】
請求項４記載の発明は、請求項１〜３のいずれか１項記載の高周波加熱装置において、前記高周波発生部から供給される高周波の周波数が５．８ＧＨｚであることを特徴とする。
以上の構成により、マイクロ波の波長が従来の主流であった２．４５ＧＨｚの場合と比べ定在波の間隔が狭くなるので、さらに均一加熱に近づけることができる。
【００１５】
請求項５記載の発明は、請求項１〜４のいずれか１項記載の高周波加熱装置において、前記多数個の給電口の大きさが前記高周波発生部の近傍では小さめであり、前記高周波発生部から遠ざかるにしたがって大きくなることを特徴とする。
以上の構成により、高周波発生部の近傍と遠くとのマイクロ波の電界強度の差が生じなくなり、より均一加熱に近づけることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は本発明に係る高周波加熱装置を説明する図で、（ａ）はその内部構造を示す縦断面図、（ｂ）は床部に設けられた給電口の配置状態の１例である。
図１（ａ）において、１０は本発明に係る高周波加熱装置、１１は加熱室で、１１ａは加熱室の天井、１１ｂは加熱室の側壁、１１ｃは床部である。床部１１ｃは金属でない材料、例えばセラミックでできている。１２は加熱室１１の床部１１ｃの裏側の外側に設けられている周波数５．８ＧＨｚのマイクロ波を発振するマグネトロンを含む高周波発生部、１３は加熱室１１の床部１１ｃの裏側に設けられている導波管で、その形状は直方体（例えば、縦３０ｃｍ×横３０ｃｍ×高さ５ｃｍ）をしたいわゆる直方体状の広域導波管である。その６面のうち広い面の広さは略、床部１１ｃの広さと一致している。そして、１３ａは導波管天井（床部１１ｃに対向している面）、１３ｂは導波管天井１３ａの略全面に亘って形成された多数の給電口である。１７は扉、１８は扉１７の四辺に施されたマイクロ波の１／４波長に対応したチョーク構造の電波漏洩防止手段である。
【００１７】
図１（ｂ）は導波管天井１３ａの略全面に亘って形成された給電口の１つの配置例である。ここでは各給電口１３ｂはそれぞれ長辺が１／４λ（約１．３ｃｍ）以上の長さを持つ矩形で、高周波発生部１２に近い列は７個、次いで８個、高周波発生部１２に遠い列は９個としてある。
このような多数個の給電口の配置状態とすることにより、高周波発生部１２に近い電界強度の強いマイクロ波は加熱室内１１に少なく入り、高周波発生部１２に遠い電界強度の弱いマイクロ波は多く入るので、加熱室内１１では比較的均一な電界強度になり、被加熱物Ｇの均一加熱に寄与することとなる。
これに対して、従来の導波管１３は図６（ｂ）に示すように、細長い管体でしかも給電口５４は１個であるので、加熱室内１１では均一な電界強度が得られ難く、したがって被加熱物Ｇの均一加熱が困難であった。
【００１８】
さらに、本発明では、高周波発生部１２に近い列の給電口１３ｂ１は孔の大きさが小さめとして、高周波発生部１２から遠ざかるにしたがって大きくなるようにしているので、高周波発生部１２に近い電界強度の強いマイクロ波は加熱室内１１に少なく入り、高周波発生部１２に遠い電界強度の弱いマイクロ波は多く入るため、加熱室内１１では比較的均一な電界強度になり、被加熱物Ｇの均一加熱に寄与することとなる。
【００１９】
この高周波加熱装置１０の動作は次のようになる。
マグネトロン１２が駆動されると、マグネトロン１２から周波数５．８ＧＨｚのマイクロ波が発振される。発振された周波数５．８ＧＨｚのマイクロ波は、加熱室１１の床部１１ｃの裏側全体に設けられた導波管１３を通って床部１１ｃの裏側全面に行き渡り、導波管１３に散在して設けられている多数の各給電口１３ｂから加熱室１１内に入り、しかも電界強度に反比例して給電口１３ｂの個数および孔の大きさが決められているので、結果的に加熱室１１内に均一な電界分布ができ、したがってこれによって被加熱物Ｇはムラなく加熱されることとなる。
しかも導波管の直方体と構造も簡単で、堅固であり、信頼性の向上、コスト安となる。
また、直方体状広域導波管１３を床部裏側の従来の空きスペースに形成したため、空間を有効利用できると共に、図６での加熱室５１の天井に設けられた導波管５３のスペース分だけ加熱室内の空間容積を大きくすることができる。
また、給電口が被加熱物である食品に近くなるので電波の吸収が良くなる。
そして、ヒータ付き電子レンジの場合に上ヒータの配置が非常に簡単となる。
【００２０】
図２は直方体状広域導波管の導波管天井に設けられた給電口の他の配置例である。
図２（ａ）は放射状配置の給電口を持つ直方体状広域導波管である。
図において、１２は高周波発生部、１３は直方体状広域導波管、１３ａは天井、１３ｂは天井１３ａに開けられた給電口、ｂ１〜ｂ３はそれぞれ大きさの異なる孔である。
長孔状の給電口ｂ１〜ｂ３は加熱室１１の導波管天井１３ａの中心から放射状に配置している。そして、給電口ｂ１とｂ３とを比較して判るように、中心から遠くなるにつれて長孔が長くなっている。
この結果、比較的マイクロ波の届きにくいコーナー部にまで均一な電界分布でき、被加熱物Ｇの広さに関係なくムラのない加熱されることとなる。
【００２１】
図２（ｂ）は碁盤目状配置の給電口を持つ直方体状広域導波管である。
図において、１２は高周波発生部、１３は直方体状広域導波管、１３ａは天井、１３ｂは天井１３ａに開けられた給電口、ｂ１〜ｂ４はそれぞれ大きさの異なる孔である。
矩形状の給電口ｂ１〜ｂ４は加熱室１１の導波管天井１３ａ上に碁盤目状に配置ししている。そして、給電口ｂ１ａとｂ４とを比較して判るように、高周波発生部１２側から遠くなるにしたがって、その給電口の一辺が長くなっている。
この結果、高周波発生部１２の設置部とは反対側の比較的マイクロ波の届きにくい部分まで均一な電界分布でき、被加熱物Ｇの広さに関係なくムラのない加熱されることとなる。
【００２２】
図２（ｃ）は放射状配置の給電口を持つ直方体状広域導波管である。
図において、１２は高周波発生部、１３は直方体状広域導波管、１３ａは天井、１３ｂは天井１３ａに開けられた給電口、ｂ１〜ｂ３はそれぞれ大きさの異なる孔である。
矩形状の給電口ｂ１〜ｂ３は加熱室１１の導波管天井１３ａ上に高周波発生部１２から放射状に配置している。そして、給電口ｂ１とｂ３とを比較して判るように、中心から遠くなるにつれて長孔が長くなっている。
この結果、高周波発生部１２の設置部とは反対側の比較的マイクロ波の届きにくい部分まで均一な電界分布でき、被加熱物Ｇの広さに関係なくムラのない加熱されることとなる。
【００２３】
図３は本発明が使用する５．８ＧＨｚのマグネトロンを駆動する電源の構成図である。図において、商用電源３１からの交流は整流回路３３によって直流に整流され、整流回路３３の出力側のチョークコイル３４と平滑コンデンサ３５で平滑され、インバータ３６の入力側に与えられる。直流はインバータ３６の中の半導体スイッチング素子のオン・オフにより所望の高周波（２０〜４０ｋＨｚ）に変換される。インバータ３６は、直流を高速でスイッチングするＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）とこのＩＧＢＴを駆動制御するインバータ制御回路３６１によって制御され、昇圧トランス３８の１次側を流れる電流が高速でオン／オフにスイッチングされる。
【００２４】
制御回路３６１の入力信号は整流回路３３の１次側電流をＣＴ３７で検出し、その検出電流はインバータ制御回路３６１に入力され、インバータ３６の制御に用いられる。また、ＩＧＢＴを冷やす放熱フィンに温度センサ（サーミスタ）３６２を取り付けてこの温度センサによる検出温度情報をインバータ制御回路３６１に入力して、インバータ３６の制御に用いている。
【００２５】
昇圧トランス３８では１次巻線３８１にインバータ３６の出力である高周波電圧が加えられ、２次巻線３８２に巻線比に応じた高圧電圧が得られる。また、昇圧トランス３８の２次側に巻回数の少ない巻線３８３が設けられ５．８ＧＨｚ発振用のマグネトロン３２のフィラメント３２１の加熱用に用いられている。昇圧トランス３８の２次巻線３８２はその出力を整流する倍電圧半波整流回路３９を備えている。倍電圧半波整流回路３９は高圧コンデンサ３９１及び２個の高圧ダイオード３９２，３９３により構成される。
【００２６】
以上の構成を有する回路によって、交流が整流・平滑され、インバータで高周波に変換され、高圧トランスによって高周波高圧に変圧された後、高圧整流され、マグネトロンが駆動される。マグネトロンが駆動されると、５．８ＧＨｚのマイクロ波がアンテナから発振され、５．８ＧＨｚマイクロ波は加熱室床部の裏側略全面で構成される広い導波管を伝って、導波管壁面での反射を繰り返しながら最適の給電口から加熱室内に入ってゆくこととなる。
したがって、床部の裏側の略全体が導波管構造をしており、かつ床部の略全面に高周波を前記加熱室内へ通過させる給電口を多数個備えているので、加熱室の中央と隅との間にマイクロ波の電界強度の差が生じなくなり、均一加熱に近づけることができる。さらに、床部裏側の隅に設けられているスチーム発生装置と並んで、手前側に導波管が設けられるので無駄な空間が無くなると共に、従来の導波管の設置されていた天井裏のスペースの分だけ加熱室内の空間容積を大きくすることができる。
【００２７】
このように周波数が５．８ＧＨｚの発振をするマグネトロンを用いることにより、波長が約５ｃｍとなるので、本発明に係る直方体状広域導波管に対して波長が小さいことから直方体状広域導波管の中をマイクロ波が飛びやすくなり、マイクロ波をランダムに分布させ、加熱の均一化を図ることが可能となる。
【００２８】
上記説明では、使用するマグネトロンは周波数が５．８ＧＨｚのマグネトロンを用いているが、本発明はこれに限るものではなく、汎用の２．４５ＧＨｚのマグネトロンであっても構わない。ただし、後者の場合は、波長が約１２ｃｍもあるので、本発明に係る直方体状広域導波管の大きさに対して大きくなり、したがって直方体状広域導波管の中でマイクロ波をランダムに分布させるための工夫が必要である。
本発明によれば、給電口の個数と孔の大きさをマグネトロンからの距離に依存させることにより均一とすることが可能となるので、２．４５ＧＨｚのマグネトロンの場合も給電口の個数と孔の大きさを慎重に選べば、均一加熱が可能となる。
【００２９】
図４は高周波加熱装置に本発明に係る直方体状広域導波管を適用した例を示す正面斜視図で、（ａ）は高周波加熱装置の床部に、（ｂ）は高周波加熱装置の天井に、それぞれ直方体状広域導波管を適用した例を示す正面斜視図である。図では扉は省略し、直方体状広域導波管は加熱装置本体から外した状態で示している。
図４（ａ）において、４０は加熱室にマイクロ波を供給して被加熱物を加熱処理する加熱調理器である。４１は加熱室で、天井４１ａと側壁４１ｂと床部４１ｃとから構成されている。４２は加熱室４１内の空気を循環させる循環ファン、４３はマグネトロンを含む高周波発生部、４４は本発明に係る直方体状広域導波管、４５は給電口である。
加熱室４１は、前面開放の箱形の本体ケース内部に形成されており、本体ケースの前面に、加熱室４１の被加熱物取出口を開閉する開閉扉（図示省略）が設けられている。開閉扉は、下端が本体ケースの下縁にヒンジ結合されることで、上下方向に開閉可能となっている。
直方体状広域導波管４４は、その大きさが本発明により床部４１ｃの略全面に等しい大きさとなっている。従来の導波管は断面が矩形で、幅が高周波発生部の幅に等しい細長い管体でしかも給電口は１個であるので、加熱室内では均一な電界強度が得られ難く、したがって被加熱物Ｇの均一加熱が困難であったが、この直方体状広域導波管４４によれば、床部側に給電口４５が無数に散在しており、しかもその大きさが前記高周波発生部４３の近傍では小さめであり、高周波発生部４３から遠ざかるにしたがって大きくなるようにしているので、床部に置かれた被加熱物が熱効率よく加熱されしかも均一な加熱が可能となる。
また、直方体状広域導波管１３を特に床部に配置することにより、加熱室内の空間容積を大きくすることができ、また、給電口が被加熱物である食品に近くなるので、電波の吸収が良くなる。さらに、ヒータ付き電子レンジのモデルにあっては上ヒータの配置が非常に簡単となる、といった効果も得られる。
【００３０】
図４（ｂ）において、同じく４０は加熱調理器、４１は加熱室、４２は循環ファン、４３は高周波発生部、４６は直方体状広域導波管、４７は給電口である。
直方体状広域導波管４６は、その大きさが本発明により天井４１ａの略全面に等しい大きさとなっており、さらにその天井側に給電口４７が無数に散在しており、しかもその大きさが前記高周波発生部４３の近傍では小さめであり、高周波発生部４３から遠ざかるにしたがって大きくなるようにしているので、均一な電波が天井一面からシャワーのように降り注ぐため、さらに均一な加熱が可能となる。
また、直方体状広域導波管１３を特に天井に配置することにより床下に十分なスペースができるため、食品加熱を自動で行う場合に食品の重量を検出する重量センサが配置し易くなり、さらに、ターンテーブルを使用するモデルにあってはターンテーブルが簡単に構成できることとなる。
【００３１】
【発明の効果】
以上のように、請求項１記載の高周波加熱装置の発明によれば、多数の給電口を備えて成る直方体状広域導波管を加熱室の裏側に備え、かつ高周波発生部を直方体状広域導波管の直近に設けたので、導波管の構造が幅広い構造であるため多数の給電口を設けることが可能となり、均一加熱に近づけることができる。
【００３２】
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の高周波加熱装置において、直方体状広域導波管が床部の略全面に広がる大きさをしておりかつ多数の給電口を床部側に向けて床部の裏側に設けられたので、加熱室の中央と隅との間にマイクロ波の電界強度の差が生じなくなり、均一加熱に近づけることができる。また、床部からのマイクロ波照射なので被加熱部に近く、加熱効率もよくなる。
さらに、電波を撹拌させるためのターンテーブルや回転アンテナ等の構成を設けなくてもよいため、電波スパークや電波漏洩等の信頼性も向上する。
【００３３】
請求項３記載の発明によれば、請求項１記載の高周波加熱装置において、直方体状広域導波管が天井の略全面に広がる大きさをしておりかつ多数の給電口を天井側に向けて天井の裏側に設けたので、均一な電波が天井一面からシャワーのように降り注ぐため、さらに均一な加熱が可能となる。
【００３４】
請求項４記載の発明によれば、高周波発生部から供給される高周波の周波数が５．８ＧＨｚであるため、マイクロ波の波長が従来の主流であった２．４５ＧＨｚの場合と比べ定在波の間隔が狭くなり、さらに均一加熱に近づけることができる。
【００３５】
請求項５記載の発明によれば、給電口の大きさが高周波発生部の近傍では小さめであり、高周波発生部から遠ざかるにしたがって大きくなっているので、高周波発生部の近傍と遠くとのマイクロ波の電界強度の差が生じなくなり、より均一加熱に近づけることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る高周波加熱装置を説明する図で、（ａ）はその内部構造を示す縦断面図、（ｂ）は床部に設けられた給電口の配置状態の１例である。
【図２】図１の高周波加熱装置に用いられる蒸気発生部の蒸発皿を示す斜視図である。
【図３】本発明が使用する５．８ＧＨｚのマグネトロンを駆動する電源の構成図である。
【図４】高周波加熱装置に本発明に係る直方体状広域導波管を適用した例で、（ａ）は高周波加熱装置の床部に、（ｂ）は高周波加熱装置の天井に、それぞれ適用した例を示す正面斜視図である。
【図５】第１従来例の高周波加熱装置の内部構造を示す縦断面図である。
【図６】第２従来例の高周波加熱装置の内部構造を示す図で、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は図（ａ）の導波管５３を通る横断面図である。
【符号の説明】
１０ 本発明に係る高周波加熱装置
１１ 加熱室
１１ａ 加熱室の天井
１１ｂ 加熱室の側壁
１１ｃ 床部
１２ 高周波発生部
１３ 導波管
１３ｂ 給電口
１７ 扉
１８ 電波漏洩防止手段
３１ 商用電源
３２ マグネトロン
３３ 整流回路
３４ チョークコイル
３５ 平滑コンデンサ
３６ インバータ
３６１ インバータ制御回路
３６２ サーミスタ
３８ 昇圧トランス
３８１ １次巻線
３８２ ２次巻線
３８３ フィラメント加熱用巻線
３９ 半波整流回路
４０ 加熱調理器
４１ 加熱室
４１ａ 天井
４１ｂ 側壁
４１ｃ 床部
４３ 高周波発生部
４４ 床側配置直方体状広域導波管
４５ 給電口
４６ 天井側直方体状広域導波管
４７ 給電口

Claims (5)

1. 高周波発生部と、該高周波発生部からの高周波を供給して被加熱物を加熱処理する天井・側壁・床部から構成される加熱室と、を有する高周波加熱装置において、
   多数の給電口を備えて成る直方体状広域導波管を前記加熱室の裏側に備え、かつ前記高周波発生部を前記直方体状広域導波管の直近に設けたことを特徴とする高周波加熱装置。
2. 前記直方体状広域導波管が前記床部の略全面に広がる大きさをしておりかつ前記多数の給電口を前記床部側に向けて前記床部の裏側に設けられたことを特徴とする請求項１記載の高周波加熱装置。
3. 前記直方体状広域導波管が前記天井の略全面に広がる大きさをしておりかつ前記多数の給電口を前記天井側に向けて前記天井の裏側に設けられたことを特徴とする請求項１記載の高周波加熱装置。
4. 前記高周波発生部から供給される高周波の周波数が５．８ＧＨｚであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の高周波加熱装置。
5. 前記多数個の給電口の大きさが前記高周波発生部の近傍では小さめであり、前記高周波発生部から遠ざかるにしたがって大きくなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の高周波加熱装置。

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