JP2024002441A

JP2024002441A - 加熱調理器

Info

Publication number: JP2024002441A
Application number: JP2022101610A
Authority: JP
Inventors: 昭彦小林; Akihiko Kobayashi
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2022-06-24
Filing date: 2022-06-24
Publication date: 2024-01-11

Abstract

【課題】加熱室内の複数の被加熱物を同時に加熱でき、かつ被加熱物の加熱ムラを軽減できる加熱調理器を得る。
【解決手段】被加熱物を収容する加熱室と、電磁波を発生させる複数の高周波発生器と、複数の高周波発生器を制御する制御装置と、複数の高周波発生器と同数の複数の導波管と、加熱室の底に設けられ、被加熱物が載置される位置を示す複数の導波管と同数の複数の載置部とを備え、複数の導波管のそれぞれは、複数の高周波発生器のうち対応する高周波発生器から放射された電磁波を伝送し、複数の載置部それぞれの下側かつ当該載置部の範囲内に、複数の導波管のいずれかと連通する複数の導波口が形成されており、複数の導波管それぞれにて伝送された電磁波が、複数の導波口から、当該導波管の上に配置された載置部の上の被加熱物に照射される。
【選択図】図６

Description

本開示は、高周波の電磁波により被加熱物を加熱する加熱調理器に関する。

従来、１つの導波管の上面に形成された２つの開口からなるマイクロ波放射部を備えた加熱調理器が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１のマイクロ波放射部は、円偏波を放射する開口形状である。そして、特許文献１には、２つのマイクロ波放射部の上方それぞれに被加熱物を配置して被加熱物を加熱できること、及び「被加熱物を特に円偏波の周方向に対して均一に加熱することが期待される」旨の記載がある。

国際公開第２０１３／１７１９９０号

しかし、特許文献１の図５（ｂ）を参照すると、マイクロ波放射部の中心に電界強度の高い領域が確認され、また、マイクロ波放射部の中心から渦を巻くように電磁波が加熱室内に放射される。このため、被加熱物のそれぞれは、マイクロ波放射部の中心付近が局所的に加熱されるおそれがある。また、被加熱物のそれぞれには、マイクロ波放射部を中心として径方向に加熱ムラが生じるおそれがある。このため、特許文献１とは異なる方法で複数の被加熱物それぞれの加熱ムラを軽減できる加熱調理器が望まれていた。

本開示の一態様は、上記のような課題を背景としてなされたものであり、加熱室内の複数の被加熱物を同時に加熱でき、かつ被加熱物の加熱ムラを軽減できる加熱調理器を提供するものである。

本開示に係る加熱調理器は、被加熱物を収容する加熱室と、電磁波を発生させる複数の高周波発生器と、前記複数の高周波発生器を制御する制御装置と、前記複数の高周波発生器と同数の複数の導波管と、前記加熱室の底に設けられ、前記被加熱物が載置される位置を示す前記複数の導波管と同数の複数の載置部とを備え、前記複数の導波管のそれぞれは、前記複数の高周波発生器のうち対応する高周波発生器から放射された電磁波を伝送し、前記複数の載置部それぞれの下側かつ当該載置部の範囲内に、前記複数の導波管のいずれかと連通する複数の導波口が形成されており、前記複数の導波管それぞれにて伝送された電磁波が、前記複数の導波口から、当該導波管の上に配置された前記載置部の上の前記被加熱物に照射されるものである。

本開示によれば、複数の導波管それぞれにて伝送された電磁波が、複数の導波口から、当該導波管の上に配置された載置部の上の被加熱物に照射される。導波口の近傍は加熱精度が高いところ、この導波口が１つの載置部に対して複数設けられているため、載置部のそれぞれに配置された被加熱物の加熱ムラを軽減しつつ、同時に複数の被加熱物を加熱できる。

実施の形態１に係る加熱調理器１００の斜視図である。実施の形態１に係る加熱調理器１００の扉２が取り外された状態の斜視図である。実施の形態１に係る加熱調理器１００の内部構造を説明する斜視図である。実施の形態１に係る加熱調理器１００の内部構造を説明する斜視図である。実施の形態１に係る加熱調理器１００の加熱室１０内の構造を説明する斜視図である。実施の形態１に係る加熱調理器１００の加熱室１０及び導波管３１、３２、３３の分解斜視図である。実施の形態１に係る導波管３１、３２、３３の分解斜視図である。実施の形態１に係る加熱調理器１００の縦断面模式図である。実施の形態１に係る加熱調理器１００の縦断面模式図である。実施の形態１に係る加熱調理器１００の横断面模式図である。実施の形態１に係る加熱調理器１００及び加熱調理器１００の制御システム１１０の機能ブロック図である。実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの斜視図である。実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの扉２が取り外された状態の斜視図である。実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの内部構造を説明する斜視図である。実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの内部構造を説明する斜視図である。実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの加熱室１０内の構造を説明する斜視図である。実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの加熱室１０及び導波管３１Ａ、３２Ａ、３３Ａの分解斜視図である。実施の形態２に係る加熱室１０の斜視図である。実施の形態２に係る導波管３１Ａ、３２Ａ、３３Ａの分解斜視図である。実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの縦断面模式図である。実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの縦断面模式図である。実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの縦断面模式図である。実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの縦断面模式図である。実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの横断面模式図である。

以下、本開示に係る加熱調理器及の実施の形態を、図面を参照して説明する。本開示は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本開示の主旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、本開示は、以下の各実施の形態に示す構成のうち、組合せ可能な構成のあらゆる組合せを含むものである。また、図面に示す加熱調理器は、本開示の加熱調理器が適用される機器の一例を示すものであり、図面に示された加熱調理器によって本開示の適用機器が限定されるものではない。また、以下の説明において、理解を容易にするために方向を表す用語（例えば「上」、「下」、「右」、「左」、「前」、「後」など）を適宜用いるが、これらは説明のためのものであって、本開示を限定するものではない。また、各図において、同一の符号を付したものは、同一の又はこれに相当するものであり、これは明細書の全文において共通している。なお、各図面では、各構成部材の相対的な寸法関係又は形状等が実際のものとは異なる場合がある。

実施の形態１．
（加熱調理器の構成）
図１は、実施の形態１に係る加熱調理器１００の斜視図である。加熱調理器１００は、高周波の電磁波を食材等の被加熱物に照射することによって被加熱物を加熱する、高周波加熱装置である。なお、以下の説明において、高周波の電磁波を、単に高周波と称する場合がある。加熱調理器１００は、外郭筐体１と、外郭筐体１の前側に設けられた扉２とを備える。扉２は、取っ手を備えた扉本体２ａと、扉本体２ａの中央部分に設けられた窓２ｂとを備える。

扉本体２ａの内面には、図示しない電磁波遮蔽手段が設けられる。電磁波遮蔽手段は、例えば、扉本体２ａの内面の縁に沿って環状に配置された電磁波吸収材料である。電磁波吸収材料に代えて、あるいはこれに加えて、電磁波遮蔽手段として、扉本体２ａの外周部にチョーク構造が設けられていてもよい。窓２ｂは、ガラス等の光透過性を有する板と、その内側に設けられたパンチングメタルとで構成されており、ユーザが加熱調理器１００の内部を視認可能に構成されている。

加熱調理器１００の前面には、表示部３と操作部４とが設けられている。表示部３は、加熱調理器１００の加熱メニュー又は加熱条件等の設定に関する情報、及び加熱調理器１００の動作状態等を表示する。表示部３は、例えば液晶ディスプレイ又はランプ等で構成される。操作部４は、加熱温度又は加熱時間等の加熱条件、及び加熱開始又は停止等の動作指示に関する入力を受け付ける入力装置である。操作部４は、ハードウェアボタン又はタッチパネル等で構成される。なお、図１では、扉２に表示部３及び操作部４が設置された例を示すが、表示部３及び操作部４の配置は図示のものに限定されない。表示部３及び操作部４は、外郭筐体１の前面又は上面等に設けられていてもよい。

外郭筐体１の右側の側面には、筐体第１吸気口５ａ、５ｂが設けられている。筐体第１吸気口５ａ、５ｂは、外郭筐体１の内外を連通させる開口である。筐体第１吸気口５ａ、５ｂは、後述するように、外郭筐体１内の部品を冷却する空気の外郭筐体１への入口である。筐体第１吸気口５ａ、５ｂは、それぞれ、複数の開口を備えている。

外郭筐体１の左側後部の上面には、筐体第１排気口７と、筐体第２排気口８とが設けられている。筐体第１排気口７及び筐体第２排気口８は、外郭筐体１内の部品を冷却した空気の、外郭筐体１からの出口である。筐体第１排気口７及び筐体第２排気口８は、それぞれ、複数の開口を備えている。

筐体第１吸気口５ａ、５ｂと、筐体第１排気口７とは、外郭筐体１の内部で連通しており、筐体第１吸気口５ａ、５ｂから外郭筐体１内に流入した空気は、筐体第１排気口７から流出する。筐体第１吸気口５ａ、５ｂは外郭筐体１の右側に設けられているのに対し、筐体第１排気口７は外郭筐体１の左側に設けられている。このように、空気の入口と出口とが、外郭筐体１の異なる面に設けられていることで、外郭筐体１から流出した排気がただちに外郭筐体１内に吸い込まれるショートサイクルを抑制できる。

図２は、実施の形態１に係る加熱調理器１００の扉２が取り外された状態の斜視図である。図２は、左側前方の斜め上から見た状態を示している。左側の側面には、筐体第２吸気口６ａ、６ｂが設けられている。筐体第２吸気口６ａ、６ｂは、外郭筐体１の内外を連通させる開口である。筐体第２吸気口６ａ、６ｂは、後述するように、外郭筐体１内の部品を冷却する空気の外郭筐体１への入口となる。筐体第２吸気口６ａ、６ｂは、それぞれ、複数の開口を備えている。

筐体第２吸気口６ａ、６ｂと、筐体第２排気口８とは、外郭筐体１の内部で連通しており、筐体第２吸気口６ａ、６ｂから外郭筐体１内に流入した空気は、筐体第２排気口８から流出する。筐体第２吸気口６ａ、６ｂと、筐体第２排気口８とは、外郭筐体１の異なる面に設けられているので、上述のようにショートサイクルを抑制できる。

外郭筐体１の内部には、加熱室１０が設けられている。図２には、加熱室１０に収容された調理容器も併せて図示されている。加熱室１０の前面開口１２は、加熱室１０内への容器２００の出し入れ口である。前面開口１２は、扉２（図１参照）によって開閉される。

図３は、実施の形態１に係る加熱調理器１００の内部構造を説明する斜視図である。図３は、図１に示す状態から、扉２、外郭筐体１及び加熱室１０の天井が取り外された状態を示している。図３では、被加熱物が入れられる加熱調理器１００は、複数の高周波発生器１８と、複数の高周波発生器１８からの電磁波を加熱室１０に供給する導波管３１、３２、３３とを備える。更に加熱調理器１００は、高周波発生器１８を冷却するための放熱フィン２０と、回路基板２１と、回路基板２１に実装された発熱部品を冷却するための放熱フィン２２と、第１送風機１６と、第２送風機１７とを備える。

高周波発生器１８は、高周波の電磁波を発生させる装置である。ここで、高周波発生器１８が発生させる電磁波の周波数帯は、マイクロ波を含む高周波であるものとする。高周波発生器１８は、発振器として、半導体式発信器又はマグネトロンを有している。半導体式発信器は、例えばＧａＮ（窒化ガリウム）などのワイドバンドギャップ半導体又はＬＤＭＯＳ（Laterally Diffused MOS）を有し、２．４５ＧＨ程度の周波数のマイクロ波を発生させる。マグネトロンから発生する電磁波の周波数は、２．４５±０．２ＧＨ程度の範囲に分布するが、半導体式発信器から発生する電磁波の周波数は、２．４５ＧＨに対してほとんど揺らぎのない安定した周波数である。また、半導体式発信器は、周波数を可変制御できる点において、マグネトロンと異なる。高周波発生器１８に半導体式発信器を採用することで、発生する電磁波の位相を精密に制御することができる。このため、電磁波が照射される食品の温度制御を精密に行うことができる。なお、これ以降の説明では、高周波発生器１８がマグネトロンである場合を例として、説明する。

本実施の形態では、複数の高周波発生器１８が設けられている。具体的に、３つの高周波発生器１８が設けられており、１つの高周波発生器１８が加熱室１０の左側方に配置され、２つの高周波発生器１８が加熱室１０の右側方に配置されている。加熱室１０の右側方に設けられた２つの高周波発生器１８は、前後方向に直線的に配置されている。３つの高周波発生器１８の配置は、左右反転していてもよい。すなわち、加熱室１０の左側方に２つの高周波発生器１８が設けられ、加熱室１０の右側方に１つの高周波発生器１８が設けられていてもよい。

このように、複数の高周波発生器１８の一部を加熱室１０の左側方に配置し、他の一部を加熱室１０の右側方に配置することで、加熱調理器１００の外郭筐体１の前後方向の寸法を小さくできる。このため、前後方向に狭いキッチン等の設置場所にも、加熱調理器１００を設置しやすい。また、複数の高周波発生器１８を、加熱室１０の外側に分散して配置することで、高周波発生器１８で生じた熱が外郭筐体１内にこもりにくい。

放熱フィン２０は、高周波発生器１８に熱的に接続されており、高周波発生器１８に発生した熱を放熱させる。放熱フィン２０は、複数の高周波発生器１８それぞれに設けられている。

回路基板２１は高周波発生器１８を駆動する整流回路７０、インバータ回路７１、二次側高圧電源回路７３、駆動制御部７７、制御装置８１（すべて図１１参照）等が実装された基板である。

放熱フィン２２は、回路基板２１に実装された回路部品等の発熱部品に熱的に接続されており、発熱部品に生じる熱を放散させる。

回路基板２１及び放熱フィン２２からなる組は、高周波発生器１８と同数設けられている。さらに本実施の形態では、回路基板２１及び放熱フィン２２からなる組は、対応する高周波発生器１８の上に配置されている。

第１送風機１６は、加熱室１０の右側方に配置された高周波発生器１８及び回路基板２１を冷却するための冷却風を生じさせる。第１送風機１６は、加熱室１０の右外側かつ後部に配置されている。本実施の形態の第１送風機１６は、遠心式の送風機であり、吸気口１６１と吹出口１６２とを有する。吸気口１６１は、前に向かって開口しており、吸気口１６１の上流側に、高周波発生器１８、放熱フィン２０、回路基板２１及び放熱フィン２２が配置されている。吸気口１６１は、筐体第１吸気口５ａ、５ｂ（図１参照）と連通している。吹出口１６２は、上に向かって開口している。吹出口１６２と対向する位置に、筐体第１排気口７（図１参照）が配置されている。

第１送風機１６が動作すると、筐体第１吸気口５ａ、５ｂ（図１参照）から外郭筐体１内に空気が冷却風として流入し、冷却風は放熱フィン２０及び放熱フィン２２の周囲を通過し、その過程において放熱フィン２０及び放熱フィン２２が冷却される。放熱フィン２０及び放熱フィン２２の周囲を通過した空気は、吸気口１６１に吸い込まれ、吹出口１６２から送出される。吹出口１６２から送出された空気は、筐体第１排気口７（図１参照）を通って外郭筐体１の外へ流出する。

第２送風機１７は、加熱室１０の左側方に配置された高周波発生器１８及び回路基板２１を冷却するための冷却風を生じさせる。第２送風機１７は、加熱室１０の左外側かつ後部に配置されている。本実施の形態の第２送風機１７は、遠心式の送風機であり、吸気口１７１と吹出口１７２とを有する。吸気口１７１は、前に向かって開口しており、吸気口１７１の上流側に、高周波発生器１８、放熱フィン２０、回路基板２１及び放熱フィン２２が配置されている。吸気口１７１は、筐体第２吸気口６ａ、６ｂ（図２参照）と連通している。吹出口１６２は、上に向かって開口している。吹出口１６２と対向する位置に、筐体第２排気口８（図２参照）が配置されている。

第２送風機１７が動作すると、筐体第２吸気口６ａ、６ｂ（図２参照）から外郭筐体１内に空気が冷却風として流入し、冷却風は放熱フィン２０及び放熱フィン２２の周囲を通過し、その過程において放熱フィン２０及び放熱フィン２２が冷却される。放熱フィン２０及び放熱フィン２２の周囲を通過した空気は、吸気口１７１に吸い込まれ、吹出口１７２から送出される。吹出口１７２から送出された空気は、筐体第２排気口８（図２参照）を通って外郭筐体１の外へ流出する。

本実施の形態では、高周波発生器１８及びこれを駆動する回路基板２１からなる組を、加熱室１０の左右の側方に分けて配置し、左右それぞれに独立して冷却風を供給するので、高周波発生器１８及びこれを駆動する回路基板２１の冷却効率を高めることができる。

導波管３１、３２、３３は、高周波発生器１８（図４参照）が発生させた電磁波を、加熱室１０内に伝搬する。本実施の形態では、３つの高周波発生器１８が設けられており、高周波発生器１８と同数の合計３つの導波管３１、３２、３３が設けられている。導波管３１、３２、３３は、左右に沿って延びる管路を内部に有し、加熱室１０の下に設けられている。本実施の形態の導波管３１、３２、３３は、内部の構造が、後述するように互いに異なる。

図４は、実施の形態１に係る加熱調理器１００の内部構造を説明する斜視図である。図４は、図１に示す状態から、扉２及び外郭筐体１が取り外された状態を、左下から見た状態を示している。

導波管３１、３２、３３は、それぞれ、いわゆるＴＥ１０モードで電磁波を伝送する方形導波管である。導波管３１、３２、３３それぞれの軸方向に垂直な断面において、導波管３１、３２、３３それぞれの長辺が、水平に延びている。導波管３１、３２、３３は、金属の薄板を加工して形成されている。導波管３１は、加熱室１０の左側に配置された高周波発生器１８からの電磁波を、加熱室１０に供給する。導波管３１の電磁波の伝送方向は、左から右に向かう方向である。導波管３２及び導波管３３は、加熱室１０の右側に配置された高周波発生器１８からの電磁波を、加熱室１０に供給する。導波管３２及び導波管３３の電磁波の伝送方向は、右から左に向かう方向である。加熱室１０の左下に配置された導波管３１は、導波管３２及び導波管３３と比べて、前後方向の幅、すなわち電磁波の伝送方向に直交する方向の幅が長い。加熱室１０の右下に配置された導波管３２と導波管３３とは、前後方向に間隔をあけて並んで配置されている。

図５は、実施の形態１に係る加熱調理器１００の加熱室１０内の構造を説明する斜視図である。加熱室１０を区画する壁の一つである底板１１には、開口４１と、開口４２ａ、４２ｂと、開口４３ａ、４３ｂとが設けられている。底板１１のうち、開口４２ａと開口４２ｂとの間の領域を、分岐部４４と称する。底板１１のうち、開口４３ａと開口４３ｂとの間の領域を、分岐部４５と称する。底板１１の上には、照射口カバー２３が設けられている。

照射口カバー２３は、底板１１に設けられた開口４１と、開口４２ａ、４２ｂと、開口４３ａ、４３ｂとを含め底板１１全体を上から覆うものである。このように照射口カバー２３が底板１１の全体を覆うことで、加熱室１０の底面が平坦になるので、加熱室１０内の清掃及びメンテナンスの作業性を向上させることができる。照射口カバー２３は、高周波の吸収が少ない材料、例えばマイカ又はセラミック等で形成されており、照射口カバー２３を高周波が通過することによる高周波の減衰を抑制している。なお、本実施の形態では、一枚の照射口カバー２３で底板１１の全体を覆う例を示すが、底板１１の開口４１と、開口４２ａ、４２ｂと、開口４３ａ、４３ｂとに、これら開口と同サイズの照射口カバー２３を嵌め込んでもよい。このようにすることで、照射口カバー２３の材料を削減できるので、加熱調理器１００の製造コストの低減につながる。

ここで、本実施の形態及び他の実施の形態において、加熱室１０の底というときには、加熱室１０において被加熱物が載置される面をいうものとし、物理的な構造として底板１１と照射口カバー２３とを含むものとする。具体的には、図５の例では、底板１１と照射口カバー２３とによって、加熱室１０の底が構成されている。

図６は、実施の形態１に係る加熱調理器１００の加熱室１０及び導波管３１、３２、３３の分解斜視図である。図６では、図５に示した照射口カバー２３が取り外された状態を示している。

加熱室１０の底板１１には、載置部５１、５２、５３を備えている。図６では、載置部５１、５２、５３は一点鎖線で示されている。載置部５１、５２、５３は、それぞれ、被加熱物が載置される位置を示す。本実施の形態では、合計３つの載置部５１、５２、５３が設けられており、３つの被加熱物を加熱室１０で同時に加熱できる。載置部５１、５２、５３のそれぞれに、容器２０１、２０２、２０３（図３参照）が載置される。載置部５１、５２、５３は、例えば、底板１１に、輪郭及び／又は領域を示す印刷を施すことにより形成される。載置部５１、５２、５３は、印刷に加えて、あるいはこれに代えて、底板１１に形成された溝あるいは突条を備えていてもよい。また、本実施の形態では、底板１１に載置部５１、５２、５３が形成された例を示すが、照射口カバー２３（図５参照）に載置部５１、５２、５３が、印刷、溝、及び突条の何れか又は複数の組み合わせによって形成されていてもよい。また、ＬＥＤ等の発光素子で加熱室１０の底に光を照射することで、載置部５１、５２、５３を表示してもよい。

載置部５１の範囲内に開口４１が形成され、載置部５２の範囲内に開口４２ａ及び開口４２ｂが形成され、載置部５３の範囲内に開口４３ａ及び４３ｂが形成されている。開口４１の下側に導波管３１が配置され、開口４２ａ、４２ｂの下側に導波管３２が配置され、開口４３ａ、４３ｂの範囲内に導波管３３が配置されている。

図７は、実施の形態１に係る導波管３１、３２、３３の分解斜視図である。図６及び図７を参照して、導波管３１、３２、３３の構造を説明する。

導波管３１は、導波管上部３１１と、導波管下部３１２とによって外殻が構成されている。導波管上部３１１と導波管下部３１２とは、溶接、カシメ、又はねじ止め等によって一体化され、導波管上部３１１と導波管下部３１２との接合部からの電磁波の漏洩が抑制されている。導波管下部３１２は、内部に電磁波を伝送する空間を有し、上面が開口している。導波管下部３１２の上面の開口に、板状の導波管上部３１１が嵌合される。導波管上部３１１には、アンテナ接続口３１３と、開口３１１１とが設けられている。導波管下部３１２内には、電磁波を伝送する空間を分ける分岐部３１４が設けられている。

アンテナ接続口３１３は、高周波発生器１８のアンテナ１９（図８参照）が挿入される穴である。アンテナ接続口３１３は、導波管３１の電磁波の伝送方向の上流側の端、すなわち本実施の形態では左側の端に設けられている。導波管３１が加熱室１０の底板１１に組み付けられた状態において、図５に示すようにアンテナ接続口３１３が設けられた部分は底板１１から左側方へはみ出した場所に位置し、導波管３１の上に高周波発生器１８が配置される。

開口３１１１は、導波管３１の電磁波の伝送方向の下流側、すなわち本実施の形態では右側に設けられている。開口３１１１は、開口４１と実質的に同形状である。導波管３１が加熱室１０の底板１１に組み付けられた状態において、開口３１１１と開口４１とは重なる。

導波管下部３１２の底は、電磁波の伝送方向において上流側は平らであるが、下流側においては、下流端に向かって上昇する傾斜を有する。導波管下部３１２の底のうち、傾斜している部分を、導波斜面３１６と称する。

分岐部３１４は、上下方向かつ電磁波の伝送方向に沿って延びる平面を有する板である。分岐部３１４は、電磁波を反射する金属で形成されている。分岐部３１４は、導波斜面３１６に接しており、導波斜面３１６から電磁波の伝送方向上流側に向かって延びている。分岐部３１４は、導波斜面３１６と対向する導波管下部３１２の壁には接触しておらず、分岐部３１４によって、導波管下部３１２の内部が部分的に仕切られる。分岐部３１４は、電磁波の伝送方向と直交する前後方向に、導波管３１内を仕切っている。分岐部３１４によって、実質的に２本の導波管が導波管３１内に形成される。

なお、分岐部３１４によって導波管３１内に形成された実質的に２本の導波管は、いずれも、いわゆるＴＥ１０モードで電磁波を伝送する方形導波管である。導波管３１の軸方向に垂直な断面において、分岐部３１４によって形成された２本の導波管それぞれの長辺が水平に延びている（図８、図１０参照）。

導波管下部３１２に導波管上部３１１が組み合わせられると、図７に示す開口３１１１が分岐部３１４によって分割されて、図６に示すように照射口３１５ａと照射口３１５ｂが形成される。照射口３１５ａ及び照射口３１５ｂは、導波管３１からの電磁波の出口である。

導波管３２は、導波管上部３２１と、導波管下部３２２とによって外殻が構成されている。導波管下部３２２は、内部に電磁波を伝送する空間を有し、上面が開口している。導波管下部３２２の上面の開口に、板状の導波管上部３２１が嵌合される。導波管上部３２１には、アンテナ接続口３２３と、照射口３２５ａ、３２５ｂとが設けられている。導波管上部３２１のうち、照射口３２５ａと照射口３２５ｂとの間の部分を、分岐部３２４と称する。

アンテナ接続口３２３は、高周波発生器１８のアンテナ１９（図８参照）が挿入される穴である。アンテナ接続口３２３は、導波管３１の電磁波の伝送方向の上流側の端、すなわち本実施の形態では右側の端に設けられている。導波管３２が加熱室１０の底板１１に組み付けられた状態において、図５に示すようにアンテナ接続口３２３が設けられた部分は底板１１から右側方へはみ出した場所に位置し、導波管３２の上に高周波発生器１８が配置される。

照射口３２５ａ及び照射口３２５ｂは、導波管３２からの電磁波の出口である。導波管３２によって伝送された電磁波は、電磁波の進行方向に沿った平板面を有する分岐部３２４によって照射口３２５ａと照射口３２５ｂとに進行方向を分岐され、照射口３２５ａと照射口３２５ｂとから放射される。照射口３２５ａ及び照射口３２５ｂは、電磁波の伝送方向に沿って並んで配置されている。照射口３２５ａ及び照射口３２５ｂは、それぞれ、開口４２ａ及び開口４２ｂと実質的に同形状である。導波管３２が加熱室１０の底板１１に組み付けられた状態において、照射口３２５ａと開口４２ａとが重なり、照射口３２５ｂと開口４２ｂとが重なり、分岐部３２４と分岐部４４とが重なる。

導波管下部３２２の底は、電磁波の伝送方向において上流側は水平であるが、下流側においては、下流端に向かって上昇する傾斜を有する部分が２箇所あり、これらによって段差が形成されている。導波管下部３２２の底のうち、傾斜している部分を、導波斜面３２６ａ、３２６ｂと称し、導波斜面３２６ａと導波斜面３２６ｂとを接続する部分を接続面３２７と称する。

導波管３３は、導波管上部３３１と、導波管下部３３２とによって外殻が構成されている。導波管下部３３２は、内部に電磁波を伝送する空間を有し、上面が開口している。導波管下部３３２の上面の開口に、板状の導波管上部３３１が嵌合される。導波管上部３３１には、アンテナ接続口３３３と、照射口３３５ａ、３３５ｂと、分岐部３３４が設けられている。

アンテナ接続口３３３は、高周波発生器１８のアンテナ１９（図９参照）が挿入される穴である。アンテナ接続口３３３は、導波管３１の電磁波の伝送方向の上流側の端、すなわち本実施の形態では右側の端に設けられている。導波管３３が加熱室１０の底板１１に組み付けられた状態において、図８に示すようにアンテナ接続口３３３が設けられた部分は底板１１から右側方へはみ出した場所に位置し、導波管３３の上に高周波発生器１８が配置される。

照射口３３５ａ及び照射口３３５ｂは、導波管３３からの電磁波の出口である。導波管３３によって伝送された電磁波は、分岐部３３４によって照射口３３５ａと照射口３３５ｂとに進行方向を分岐され、照射口３３５ａと照射口３３５ｂとから放射される。照射口３３５ａ及び照射口３３５ｂは、電磁波の伝送方向に沿って並んで配置されている。照射口３３５ａ及び照射口３３５ｂは、それぞれ、開口４３ａ及び開口４３ｂと実質的に同形状である。導波管３３が加熱室１０の底板１１に組み付けられた状態において、照射口３３５ａと開口４３ａとが重なり、照射口３３５ｂと開口４３ｂとが重なり、分岐部３３４と分岐部４５とが重なる。

分岐部３３４は、導波管上部３３１から下へ突出する形状を有する。詳しくは、分岐部３３４は、下に突出する中空の部材であり、左右方向に沿った縦断面がコ字状である。電磁波の進行方向において、分岐部３３４の上流側に照射口３３５ａが位置し、下流側に照射口３３５ｂが位置している。分岐部３３４は、導波管上部３３１と一体成形されてもよいし、別部材として成形された分岐部３３４が導波管上部３３１の照射口３３５ａと照射口３３５ｂとの間に接合されてもよい。分岐部３３４を中空の部材とすることで、中実の部材とするよりも分岐部３３４を軽量化できるとともに、製造コストを低減できる。

導波管下部３２２の底は、電磁波の伝送方向において上流側は水平である。導波管下部３２２は、上面を開口した直方体形状である。

図８は、実施の形態１に係る加熱調理器１００の縦断面模式図である。図８は、導波管３１及び導波管３２を通る左右方向に沿った縦断面を示しており、容器２０１及び２０２も併せて図示されている。図９は、実施の形態１に係る加熱調理器１００の縦断面模式図である。図９は、導波管３１及び導波管３３を通る左右方向に沿った縦断面を示しており、容器２０１及び２０３も併せて図示されている。図１０は、実施の形態１に係る加熱調理器１００の横断面模式図である。図１０は、導波管３１、導波管３２及び導波管３３を通る、水平断面を示している。

ここで、図６及び図７を参照して説明したように、照射口３１５ａ、３１５ｂは、加熱室１０の底板１１の開口４１と組み合わせられ、組み合わせられた状態の開口を、図８～１０では導波口Ｅ１ａ、Ｅ１ｂと表現する。また、照射口３２５ａ、３２５ｂ、３３５ａ、３３５ｂは、それぞれ、加熱室１０の底板１１の開口４１、４２ａ、４２ｂ、４３ａ、４３ｂと組み合わせられ、組み合わせられた状態の開口を、図８～図１０では導波口Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ３ａ、Ｅ３ｂと表現する。導波口Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ３ａ、Ｅ３ｂは、加熱室１０への高周波の放射口である。導波口Ｅ１ａ、Ｅ１ｂは、載置部５１の下側かつ載置部５１の範囲内に設けられており、導波口Ｅ１ａ、Ｅ１ｂからの電磁波は、載置部５１を介して加熱室１０に供給される。導波口Ｅ２ａ、Ｅ２ｂは、載置部５２の下側かつ載置部５２の範囲内に設けられており、導波口Ｅ２ａ、Ｅ２ｂからの電磁波は、載置部５２を介して加熱室１０に供給される。導波口Ｅ３ａ、Ｅ３ｂは、載置部５３の下側かつ載置部５３の範囲内に設けられており、導波口Ｅ３ａ、Ｅ３ｂからの電磁波は、載置部５３を介して加熱室１０に供給される。

加熱室１０の天井１３には、検知部２４が設けられている。検知部２４は、温度センサと、被加熱物検知装置とを有している。温度センサは、例えば、サーミスタ、サーモカメラ、又は赤外線式の温度センサである。被加熱物検知装置は、例えば、被加熱物の外観の情報を検知するカメラである。検知部２４は、温度センサと被加熱物検知装置とがユニット化されて構成されている。検知部２４は、天井１３に設けられた開口から加熱室１０を臨むように配置され、加熱室１０内全体を視野としており、加熱室１０内に収容された複数の被加熱物それぞれの温度並びに被加熱物の種類、量及び状態を検知する。検知部２４は、温度センサ及び被加熱物検知装置としてのカメラに加えて、あるいはこれらに代えて、超音波センサ、又は光センサを備えていてもよい。また、載置部と同数の検知部２４が設けられていてもよい。また、検知部２４は、加熱室１０の側壁に配置されていてもよい。

アンテナ１９は、高周波発生器１８に一体的に設けられている。アンテナ１９は、対応する導波管３１、３２、３３のいずれかに挿入され、高周波発生器１８が発生させた高周波を放射する。アンテナ１９から導波管３１に高周波が放射されると、導波管３１内には定常波が生じる。この定常波は、高周波発生器１８の発信周波数と導波管３１の形状とによって決まる管内波長λｇを有する。管内波長λｇ＝λ０／√（１－（λ０／（２×ａ））＾２）で求められる。ここで、λ０は自由空間の波長を表し、ａは導波管３１の前後方向、すなわち電磁波の進行方向と交差する方向における内寸を示している。定常波の腹と腹（節と節）との間隔は、管内波長λｇの１／２となる。導波管３２及び導波管３３内にも、上記と同様に高周波発生器１８から高周波が供給されることによって定常波が生じる。

図８及び図１０を参照して、導波管３１及び導波管３２に係る構造及び寸法関係を説明する。

本実施の形態の加熱調理器１００の載置部５１の下には、導波口Ｅ１ａと、電磁波の伝送方向と直交する方向に導波口Ｅ１ａと並んで設けられた導波口Ｅ１ｂとが設けられている。導波管３１内には、導波口Ｅ１ａと導波口Ｅ１ｂとの間に設けられ、電磁波の伝送方向及び上下方向に沿って延び、導波管３１により伝送された電磁波を導波口Ｅ１ａと導波口Ｅ１ｂとに分岐させる分岐部３１４が設けられている。

分岐部３１４によって、導波管３１内を電磁波の伝送方向に沿って仕切ることで、導波管３１内には、電磁波の通路が複数形成される。そして、分岐部３１４によって分岐された通路を進んだ電磁波は、導波口Ｅ１ａと導波口Ｅ１ｂとから、被加熱物に分散して照射される。このため、被加熱物の加熱ムラを軽減できる。

また、本実施の形態では、導波管３１に設けられた開口３１１１及び底板１１の開口４１は、載置部５１の大半を占める開口面積を有する（図６、図７、図１０参照）。このように導波管３１からの電磁波の出口の開口面積を大きくすることで、照射エネルギーの密度が低くなり、局所的に電界強度が高い領域が生じにくい。したがって、被加熱物の加熱ムラをさらに抑制できる。

導波管３１に挿入されたアンテナ１９と、導波管３１の左側の端面、すなわちアンテナ１９が挿入された側の端面との距離の長さＷ１は、１０ｍｍ以上であることが望ましい。このようにすることで、アンテナ１９と導波管３１の左側の端面との間において、過度に電界強度が上昇することによる放電を抑制することができる。

アンテナ１９と分岐部３１４との距離の長さＷ２は、１０ｍｍ以上であることが望ましい。このようにすることで、アンテナ１９と分岐部３１４との間において、過度に電界強度が上昇することによる放電を抑制することができる。

なお、アンテナ１９と分岐部３１４との距離の長さＷ２は、１０ｍｍ以上であって、なるべく小さいことが望ましい。すなわち、導波管３１における電磁波の進行方向において、分岐部３１４によって分岐された領域の長さをなるべく長くすることが望ましい。分岐部３１４によって分岐された空間の電磁波の進行方向における長さを長くすることで、当該空間における電磁界モードを適切に形成できるので、損失少なく電磁波を伝送できる。距離Ｗ２は、望ましくは、分岐部３１４によって分割された導波管３１内の前後方向の長さＷＥ１ａ未満であることが望ましい。

導波口Ｅ１ａ、Ｅ２ａの電磁波の伝送方向における長さＷＥ１ｂは、導波管３１の高さＨ１以上であることが望ましい。このようにすることで、導波口Ｅ１ａ、Ｅ２ａの開口面積が減少することによる損失を抑制できる。

また、導波口Ｅ１ａ、Ｅ２ａの長さＷＥ１ａよりも高さＨ１を小さくするとよい。このようにすることで、導波管３１内に分岐部３１４によって形成される２つの方形導波管においては、長辺寸法に相当する長さＷＥ１ａよりも高さＨ１が小さくなるので、電磁波の伝送モードが維持されやすくなり、損失少なく電磁波が伝送される。

容器２０１の底の伝送方向に沿った長さ２０１Ｗ１は、伝送方向における導波口Ｅ１ａ、Ｅ１ｂの長さＷＥ１ｂよりも短い。そして、容器２０１の上面の開口幅の内寸の伝送方向に沿った長さ２０１Ｗ２は、長さＷＥ１ｂよりも短い。このようにすることで、容器２０１の底への局所的な加熱を軽減して、加熱ムラを抑制することができる。また、容器２０１の上面の面積を広げることで、導波口Ｅ１ａ、Ｅ１ｂの上を被加熱物が覆う比率を高めることができるので、被加熱物への電磁波の吸収を高めることができる。そして、導波口Ｅ１ａ、Ｅ１ｂから放射された電磁波は、容器２０１の被加熱物に集中的に供給され、被加熱物の加熱効率を高めることができる。

導波斜面３１６の導波管３１の底面に対する傾斜角度θは、０度超４５度以下である。導波斜面３１６は、電磁波の伝送方向に沿って上昇している。導波斜面３１６は、導波口Ｅ１ａ、Ｅ１ｂと対向している。導波斜面３１６は、導波管３１内の電磁波を、導波口Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ側へ反射させることができる。すなわち導波斜面３１６は、導波管３１内を進行する高周波の進行方向を、導波管３１の上にある加熱室１０側に変更する作用を生じさせる。導波斜面３１６により、導波管３１内の電磁波の被加熱物への入射角度が緩やかになる。このため、被加熱物の局所的な加熱を軽減して加熱ムラを軽減することができる。また、導波斜面３１６に導かれて電磁波が導波口Ｅ１ａ、Ｅ１ｂへ侵入しやすいため、容器２０１内の被加熱物を選択的に加熱でき、加熱効率を高めることができる。

導波口Ｅ２ａの伝送方向に沿った幅ＷＥ２ａ及び導波口Ｅ２ｂの伝送方向に沿った幅ＷＥ２ｂは、それぞれ、導波管３２の高さ方向の寸法の長さＨ２の１／２以上であることが望ましい。このように、幅ＷＥ２ａ及び幅ＷＥ２ｂを確保して導波口Ｅ２ａ、Ｅ２ｂの開口面積を大きくすることで、導波口Ｅ２ａ、Ｅ２ｂの開口面積が小さくなることによる損失を抑制できる。また、導波口Ｅ２ａ、Ｅ２ｂの開口面積が小さくなることによる、電界強度の高い領域が形成されて被加熱物が局所的に加熱されることを軽減することができる。

導波口Ｅ２ａの幅ＷＥ２ａは、導波口Ｅ２ｂの幅ＷＥ２ｂよりも小さいことが望ましい。アンテナ１９に近い位置は、照射されるエネルギーが相対的に多くなりやすいところ、アンテナ１９に近い位置にある導波口Ｅ２ａの開口面積を相対的に小さくすることで、導波口Ｅ２ａと導波口Ｅ２ｂとの間の加熱ムラを軽減することができる。

導波管３２の導波斜面３２６ａ、３２６ｂについて説明する。導波斜面３２６ａ、３２６ｂは、電磁波の伝送方向に沿って上昇している。導波斜面３２６ａは、導波管３２の最下面から導波管３２の高さ方向の中央程度まで上昇し、導波斜面３２６ａの上端に水平な接続面３２７が連なっている。接続面３２７の左端に導波斜面３２６ｂが連なっており、導波斜面３２６ｂは導波管３２の上端に接続されている。導波斜面３２６ａは、導波口Ｅ２ａに対向し、導波斜面３２６ｂは、導波口Ｅ２ｂに対向している。導波斜面３２６ｂと導波口Ｅ２ｂとの平均距離の長さＨ２ｂは、導波斜面３２６ａと導波口Ｅ２ａとの平均距離の長さＨ２ｂよりも、大きい。すなわち、Ｈ２ｂ＜Ｈ２ａの関係にある。このように、電磁波の伝送方向において上流側にある導波口Ｅ２ａの下方で導波管３２の高さを縮小することで、電磁波は、導波口Ｅ２ａを通過する際に導波口Ｅ２ａに導かれ、導波口Ｅ２ａから加熱室１０内に放射される。

このように、本実施の形態の加熱調理器１００の導波管３２の上面には、導波口Ｅ２ａと導波口Ｅ２ｂとの間に、導波管３２により伝送された電磁波を導波口Ｅ２ａと導波口Ｅ２ｂとに分岐させる分岐部３２４及び分岐部４４が設けられている。そして、導波口Ｅ２ｂと、導波口Ｅ２ｂに対向する導波管３２の底面との距離Ｈ２ｂは、導波口Ｅ２ａと、導波口Ｅ２ａに対向する導波管３２の底面との距離Ｈ２ａよりも、短い。

このため、導波口Ｅ２ａを通過した後に電磁波が通過する空間は、導波口Ｅ２ａの下方の空間よりも狭くなる。したがって、アンテナ１９に近くエネルギー量の多い電磁波が供給されやすい導波口Ｅ２ａに導波される電磁波の量を軽減できる。これにより、導波口Ｅ２ａと導波口Ｅ２ｂとの間の電磁波の量のバランスがよくなり、載置部５２に載置される被加熱物に対する加熱ムラを軽減できる。

なお、長さＨ２ａは、長さＨ２の１／２未満であってもよい。このようにすることで、導波口Ｅ２ａの下側における空間の高さ方向の縮小度合いは、導波口Ｅ２ｂの下側における空間の高さ方向の縮小度合いよりも大きくなる。そうすると、相対的に照射されるエネルギーが多いアンテナ１９に近い導波口Ｅ２ａへの電磁波の集中を軽減できる。これにより、導波口Ｅ２ａの上に載置される被加熱物への局所的な加熱を軽減することができる。

容器２０２の底の伝送方向に沿った長さ２０２Ｗ１は、導波口Ｅ２ａの右端から導波口Ｅ２ｂの左端までの長さよりも短い。そして、容器２０２の上面の開口幅の内寸の伝送方向に沿った長さ２０２Ｗ２は、導波口Ｅ２ａの右端から導波口Ｅ２ｂの左端までの長さよりも長い。このようにすることで、容器２０２の底への局所的な加熱を軽減して、加熱ムラを抑制することができる。また、容器２０２の上面の面積を広げることで、導波口Ｅ２ａ、Ｅ２ｂの上を被加熱物が覆う比率を高めることができるので、被加熱物への電磁波の吸収を高めることができる。そして、導波口Ｅ２ａ、Ｅ２ｂから放射された電磁波は、容器２０２の被加熱物に集中的に供給され、被加熱物の加熱効率を高めることができる。

導波管３２の導波斜面３２６ａ、３２６ｂの導波管３２の底面に対する傾斜角度は、図８では図示していないが、導波斜面３１６の傾斜角度θに相当する。この傾斜角度は、０度超４５度以下である。導波斜面３２６ａ、３２６ｂを設けることによる作用効果は、導波斜面３１６について説明したものと同様である。

図９及び図１０を参照して、導波管３３に係る構造を説明する。

導波管３３内の電磁波の伝送方向に沿って、導波口Ｅ３ａ、分岐部３３４、導波口Ｅ３ｂが並んで配置されている。分岐部３３４の上面は、分岐部４５で覆われている。分岐部３３４と分岐部４５とに囲まれた空間には、電磁波は侵入しない。

このように、本実施の形態の加熱調理器１００の載置部５３の下には、導波口Ｅ３ａと、導波口Ｅ３ａよりも高周波発生器１８から離れた位置に設けられた導波口Ｅ３ｂとを備える。導波管３３の上面には、導波口Ｅ３ａと導波口Ｅ３ｂとの間に、下へ突出する形状を有し、導波管３３により伝送された電磁波を導波口Ｅ３ａと導波口Ｅ３ｂとに分岐させる分岐部３３４が設けられている。

したがって、導波口Ｅ３ａの下流側において、分岐部３３４によってその伝送空間の高さが小さくなっているため、アンテナ１９から放射された電磁波は、アンテナ１９に近い導波口Ｅ３ａに流入しやすい。このように、下へ突出する分岐部３３４によって導波口Ｅ２ａの下流側の導波管３３の高さを縮小することで、導波口Ｅ２ａと導波口Ｅ２ｂへ電磁波を分岐させることができる。

なお、分岐部３３４の高さ、すなわち下方への突出長さを調節することで、導波口Ｅ３ａと導波口Ｅ３ｂへの電磁波の分配量を調整することができる。

分岐部３３４の高さ寸法Ｈ３３４ａは、分岐部３３４の下端と導波管３３の底との間の高さ寸法Ｈ３３４ｂよりも、小さくしてもよい。このようにすることで、分岐部３３４の下側を通って導波口Ｅ３ｂに向かう電磁波を相対的に増やし、導波口Ｅ３ａから放射される電磁波を相対的に減らすことができる。アンテナ１９に近い位置は、照射されるエネルギーが相対的に多くなりやすいところ、アンテナ１９に近い位置にある導波口Ｅ３ａに電磁波が流入しにくくすることで、導波口Ｅ３ａと導波口Ｅ３ｂとの間の加熱ムラを軽減することができる。

導波管３３の左端の端部の底面は、電磁波の伝送方向に沿って上昇する導波斜面３３６を有している。導波斜面３３６の、導波管３３の水平な底面に対する得傾斜角度は、図９では図示していないが、導波斜面３１６の傾斜角度θ（図８参照）に相当する。この傾斜角度は、０度超４５度以下である。導波斜面３３６を設けることによる作用効果は、導波斜面３１６について説明したものと同様である。なお、図９では、導波斜面３３６の高さは、導波管３３の高さよりも小さく、導波斜面３３６の上には上下に延びる壁が連なっているが、導波管３３の底から上面に至る全領域に導波斜面３３６が形成されていてもよい。

導波口Ｅ３ａの伝送方向に沿った幅ＷＥ３ａ及び導波口Ｅ３ｂの伝送方向に沿った幅ＷＥ３ｂは、それぞれ、導波管３３の高さ方向の寸法の長さＨ３の１／２以上であることが望ましい。このように、幅ＷＥ３ａ及び幅ＷＥ３ｂを確保して導波口Ｅ３ａ、Ｅ３ｂの開口面積を大きくすることで、導波口Ｅ３ａ、Ｅ３ｂの開口面積が小さくなることによる損失を抑制できる。また、導波口Ｅ３ａ、Ｅ３ｂの開口面積が小さくなることによる、電界強度の高い領域が形成されて被加熱物が局所的に加熱されることを軽減することができる。

高さ寸法Ｈ３３４ｂは、導波口Ｅ３ｂの幅ＷＥ３ｂと等しくしてもよい。このようにすることで、分岐部３３４の下側から導波口Ｅ３ｂに至る空間における電磁波の伝送効率を高めることができる。あるいは、幅ＷＥ３ｂを、高さ寸法Ｈ３３４ｂよりも大きくしてもよい。このようにすることで、損失を軽減して電磁波の伝送効率を高めることができる。

容器２０３の底の伝送方向に沿った長さ２０３Ｗ１は、導波口Ｅ３ａの右端から導波口Ｅ３ｂの左端までの長さよりも短い。そして、容器２０３の上面の開口幅の内寸の伝送方向に沿った長さ２０３Ｗ２は、導波口Ｅ３ａの右端から導波口Ｅ３ｂの左端までの長さよりも長い。このようにすることで、容器２０３の底への局所的な加熱を軽減して、加熱ムラを抑制することができる。また、容器２０３の上面の面積を広げることで、導波口Ｅ３ａ、Ｅ３ｂの上を被加熱物が覆う比率を高めることができるので、被加熱物への電磁波の吸収を高めることができる。そして、導波口Ｅ３ａ、Ｅ３ｂから放射された電磁波は、容器２０３の被加熱物に集中的に供給され、被加熱物の加熱効率を高めることができる。

図１１は、実施の形態１に係る加熱調理器１００及び加熱調理器１００の制御システム１１０の機能ブロック図である。制御システム１１０は、加熱調理器１００と、ネットワーク９０を介して接続された管理装置９１とを有する。本実施の形態の制御システム１１０では、さらに、管理装置９１に、電力計測装置９２と電気機器９３とがネットワーク９０を介して接続されている。

（システム構成）
管理装置９１は、加熱調理器１００及び電気機器９３の消費電力の制御及び管理を行う装置である。また、管理装置９１は、加熱調理器１００で加熱制御に用いられる情報を管理する。本実施の形態では、加熱調理器１００の消費電力の制御及び管理と、加熱制御に用いられる情報の管理とを、一台の管理装置９１が行うものとして説明するが、同様の機能を複数台の管理装置９１で行ってもよい。管理装置９１は、加熱調理器１００及び電気機器９３との間でネットワーク９０を介して通信を行う。

管理装置９１による消費電力の制御及び管理について説明する。管理装置９１は、加熱調理器１００及び電気機器９３から、動作状態に関する情報を受信し、また、加熱調理器１００及び電気機器９３に対して動作指示に関する情報を送信する。加熱調理器１００の動作状態は、加熱室１０における加熱動作の有無、及び加熱調理器１００の実際の消費電力に関する情報を含む。加熱調理器１００への動作指示は、加熱室１０における加熱動作の有無、並びに加熱調理器１００における消費電力の低減指示及び低減指示の解除に関する情報を含む。

管理装置９１による加熱制御に関する情報の管理について説明する。管理装置９１は、第１データベース９１１と、第２データベース９１２とを備える。第１データベース９１１は、加熱調理器１００で加熱される被加熱物のコードと加熱条件とを対応づけて記憶したものである。被加熱物のコードとは、例えば、被加熱物のパッケージ等に印刷又は添付されたバーコード、二次元コード又は記号等である。加熱条件は、加熱時間、被加熱物の目標温度、加熱時の出力（火力）の大きさ等の少なくともいずれかを含む。管理装置９１は、加熱調理器１００から送信された被加熱物のコードを取得すると、第１データベース９１１を参照して取得したコードに対応づけられた加熱条件を抽出し、抽出した加熱条件を加熱調理器１００に送信する。

第２データベース９１２は、被加熱物の数量と加熱条件とを対応づけて記憶したものである。加熱条件は、加熱時間、被加熱物の目標温度、加熱時の出力（火力）の大きさ等の少なくともいずれかを含む。管理装置９１は、加熱調理器１００から送信された被加熱物の数量を取得すると、第２データベース９１２を参照して取得した数量に対応づけられた加熱条件を抽出し、抽出した加熱条件を加熱調理器１００に送信する。第２データベース９１２は、被加熱物の種類ごとに、その数量と加熱条件とを対応づけて記憶してもよい。例えば、冷凍シュウマイ、冷凍肉まんといった種類ごとに、数量とこれに対応する加熱条件が記憶される。管理装置９１は、加熱調理器１００から被加熱物の種類についての情報も取得し、取得した被加熱物の種類と数量とを用いて第２データベース９１２から加熱条件を抽出する。

管理装置９１は、例えば、ＨＥＭＳ（Home Energy Management System）コントローラ、又はＢＥＭＳ（Building and Energy Management System）コントローラである。管理装置９１は、メモリ及びメモリに格納されるプログラムを実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）を有する。管理装置９１が実行する各機能は、ソフトウェア、ファームウェア、またはソフトウェアとファームウェアとの組み合わせにより実現される。ソフトウェアやファームウェアはプログラムとして記述され、メモリに格納される。ＣＰＵは、メモリに格納されたプログラムを読み出して実行することにより、管理装置９１の各機能を実現する。また、第１データベース９１１及び第２データベース９１２もメモリに記憶される。ここで、メモリは、例えば、ＲＡＭ、ＲＯＭ、フラッシュメモリ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ等の、不揮発性または揮発性の半導体メモリである。

ネットワーク９０は、家庭内ネットワーク、又はビル内ネットワークである。また、ネットワーク９０は、インターネット等の広域の通信網であってもよい。ネットワーク９０は、有線通信又は無線通信のいずれであってもよい。

電力計測装置９２は、家庭内又はビル内の消費電力量を計測し、計測した情報を管理装置９１に送信する。電力計測装置９２は、分電盤に取り付けられた電力量計、又はスマート電力量メーター等である。

電気機器９３は、管理装置９１によって電力制御される。電気機器９３は、例えば、空気調和装置、給湯機、床暖房、照明、冷蔵庫、食器乾燥機、又は炊飯器等である。

以下の説明では、管理装置９１がＨＥＭＳコントローラである場合を例に説明する。なお、管理装置９１は、インターネットを通じて加熱調理器１００に接続されたサーバ装置であってもよい。

（加熱調理器の回路構成）
加熱調理器１００には、３つの高周波発生器１８が設けられている。高周波発生器１８に商用電源１２０から電力を供給して高周波発生器１８を駆動するための装置として、高周波発生器駆動装置７００を備える。高周波発生器駆動装置７００は、インバータ回路７１と、昇圧トランス７２と、二次側高圧電源回路７３とを備える。高周波発生器駆動装置７００の前段には、整流回路７０が設けられている。また、インバータ回路７１を制御する駆動制御部７７が設けられている。インバータ回路７１、昇圧トランス７２、及び二次側高圧電源回路７３からなる高周波発生器駆動装置７００は、１つの高周波発生器１８に対して一つずつ設けられている。１つの整流回路７０は、複数の高周波発生器１８で共用される。なお、図１１では、図の煩雑化を防ぐために、１つの高周波発生器１８に対応したインバータ回路７１、昇圧トランス７２、及び二次側高圧電源回路７３についてのみ、その内部構成部品について符号を付している。

整流回路７０の一対の入力端は、商用電源１２０に接続されている。整流回路７０は、商用電源１２０から供給される商用交流電源を、直流電圧に変換する。整流回路７０は、交流電圧を全波整流して直流電圧に変換するダイオードブリッジと、平滑リアクトルと、平滑コンデンサとを有する。平滑リアクトルは、ダイオードブリッジの高電位側の出力端に接続され、ダイオードブリッジから出力される直流電圧の脈流を抑制する。平滑コンデンサは、平滑リアクトルの出力端とダイオードブリッジの低電位側の出力端との間に接続され、電流の高周波リプルを抑制する。以降の説明において、平滑リアクトルと平滑コンデンサからなる回路をフィルタ回路と称する場合がある。

インバータ回路７１は、整流回路７０の出力側に接続されており、フィルタ回路を介した直流電圧の供給を受け、数十ＫＨの高周波電流を昇圧トランス７２の一次側に供給する。インバータ回路７１は、直列に接続された２つのＩＧＢＴ７１１、７１２と、ＩＧＢＴ７１１、７１２の出力側に接続されたスナバ回路７１３と、共振コンデンサ７１４、７１５とを有する。

スイッチング素子であるＩＧＢＴ７１１とＩＧＢＴ７１２とが駆動制御部７７によって交互にオン状態とオフ状態とに切り替えられることにより、昇圧トランス７２に高周波電流が出力される。２つのスイッチング素子のオン状態とオフ状態とが切り換わる周波数、すなわちインバータ回路７１から出力される高周波電流の周波数を、駆動周波数と称する。インバータ回路７１は、駆動制御部７７からの駆動周波数に応じた信号の入力に基づいて、スイッチング動作を行う。

スナバ回路７１３は、ＩＧＢＴ７１１、７１２がオフ状態からオン状態となるときに生じるスイッチング損失を抑制する。共振コンデンサ７１４はＩＧＢＴ７１１に接続され、共振コンデンサ７１５はＩＧＢＴ７１２に接続されている。

図１１に示すインバータ回路７１は、ハーフブリッジインバータ方式の２石式電流共振型インバータである。このハーフブリッジインバータ方式のインバータ回路７１は、１石式電圧共振型インバータに比べ、ＩＧＢＴ７１１、７１２等のインバータ回路７１を構成する素子の耐圧を約１／２という低い電圧に抑えられる効果がある。また、本実施の形態では、スナバ回路７１３による部分共振を用いてＩＧＢＴ７１１、７１２をソフトスイッチ化している。このため、ＩＧＢＴ７１１、７１２のスイッチングによる損失を低減できる。

インバータ回路７１の出力側には、昇圧トランス７２が接続されている。昇圧トランス７２は、一次巻線７２１と、二次巻線７２２とを有する。昇圧トランス７２の二次側には、さらにフィラメント巻線７５が設けられている。一次巻線７２１は、インバータ回路７１の出力側に接続されていて、インバータ回路７１から直接的に給電される。二次巻線７２２及びフィラメント巻線７５は、一次巻線７２１に電流が流れることによって生じる磁力により給電される。二次巻線７２２には、数ｋＶの高周波の高電圧が生成される。

昇圧トランス７２の二次巻線７２２には、二次側高圧電源回路７３が接続されている。二次側高圧電源回路７３は、３ｋＶ～５ｋＶのカットオフ電圧を生成して、高周波発生器１８に供給する。二次側高圧電源回路７３は、２つの高圧コンデンサ７３１と、２つの高圧ダイオード７３２とを有する。二次巻線７２２の一端が、２つの高圧コンデンサ７３１の中間点に接続され、二次巻線７２２の他端が、２つの高圧ダイオード７３２の中間点に接続されている。二次側高圧電源回路７３は、全波倍電圧回路であり、入力電圧を倍電圧化している。

二次側高圧電源回路７３の一端には、高周波発生器１８が接続され、他端にはフィラメント７４が接続されている。高周波発生器１８は、二次側高圧電源回路７３からカットオフ電圧が印加されて、２．４５ＧＨ程度の電磁波を発振する。

フィラメント７４は、フィラメント巻線７５に接続されていて、フィラメント巻線７５から常時給電されている。フィラメント７４は、フィラメント巻線７５からの給電によって、常時、１８００℃程度に加熱されている。

一次巻線７２１には、共振電流センサ７６が接続されている。共振電流センサ７６は、一次巻線７２１に流れる共振電流、すなわちインバータ回路７１から出力される電流を検出し、電流値に対応した信号を駆動制御部７７に入力する。駆動制御部７７は、共振電流センサ７６から入力される共振電流値に基づいて、インバータ回路７１の力率を改善するようインバータ回路７１を制御する。このようにすることで、インバータ回路７１の損失を低減して、インバータ回路７１の消費電力を低減するとともに発熱量を低下させることができる。これにより、インバータ回路７１の冷負荷を低減することができる。

本実施の形態では、複数の高周波発生器駆動装置７００に対して、一つの整流回路７０が共用される。したがって、加熱調理器１００の回路構成が簡素であり、加熱調理器１００の製造コストを低減できる。

（加熱調理器の回路構成の変形例）
図１１の例では、一つの整流回路７０から、３つのインバータ回路７１に電力を供給する例を示したが、インバータ回路７１ごとに整流回路７０を設けてもよい。この場合、商用電源１２０に対し、３つの整流回路７０を並列に接続する。インバータ回路７１ごとに整流回路７０を設けることで、インバータ回路７１間のノイズ等の干渉を軽減することができるので、インバータ回路７１から出力される高周波の交流電流の品質を高めることができる。

図１１の例では、インバータ回路７１はハーフブリッジインバータ方式であるが、準Ｅ級インバータ方式の１石式電圧共振型インバータを用いてもよい。準Ｅ級インバータ方式のインバータ回路は、ハーフブリッジインバータ方式と比べて回路を簡素化することができる。

図１１の二次側高圧電源回路７３は、全波倍電圧回路であるが、半波倍電圧回路であってもよい。半波倍電圧回路は、全波倍電圧回路と比べて低コストで製造できる。

（加熱調理器の機能構成）
加熱調理器１００は、駆動制御部７７と、制御装置８１と、通信装置８２とを有する。駆動制御部７７は、制御装置８１に制御されて、３つの高周波発生器１８の動作を制御する。具体的には、駆動制御部７７は、インバータ回路７１のＩＧＢＴ７１１及びＩＧＢＴ７１２の駆動周波数を変化させることで、各高周波発生器１８の出力が定められた値になるように制御する。

制御装置８１は、加熱調理器１００の制御を司る。制御装置８１は、回路基板２１（図５参照）に実装されている。制御装置８１は、専用のハードウェア、またはメモリに格納されるプログラムを実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）で構成される。制御装置８１が専用のハードウェアである場合、制御装置８１は、例えば、単一回路、複合回路、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field-Programmable Gate Array）、またはこれらを組み合わせたものが該当する。制御装置８１が実現する各機能部のそれぞれを、個別のハードウェアで実現してもよいし、各機能部を一つのハードウェアで実現してもよい。制御装置８１がＣＰＵの場合、制御装置８１が実行する各機能は、ソフトウェア、ファームウェア、またはソフトウェアとファームウェアとの組み合わせにより実現される。ソフトウェアやファームウェアはプログラムとして記述され、メモリに格納される。ＣＰＵは、メモリに格納されたプログラムを読み出して実行することにより、制御装置８１の各機能を実現する。ここで、メモリは、例えば、ＲＡＭ、ＲＯＭ、フラッシュメモリ、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ等の、不揮発性または揮発性の半導体メモリである。

操作部４が操作されると、操作に応じた信号が制御装置８１に入力される。また、制御装置８１には、検知部２４が検出した情報を示す信号が入力される。制御装置８１は、操作部４、検知部２４からの入力に基づいて、表示部３、第１送風機１６、第２送風機１７及び駆動制御部７７を制御する。

検知部２４が温度センサを含む場合、温度センサが検知した温度、すなわち被加熱物の温度に関する情報が制御装置８１に入力される。制御装置８１は、入力された情報に基づいて、被加熱物の温度を検出する。本実施の形態では、加熱室１０の右、左及び上のそれぞれに検知部が配置されるので、被加熱物の温度をむらなく検出することができる。温度センサが赤外線センサである場合、赤外線センサの検知した温度分布等の情報に基づいて、被加熱物の状態を検出することもできる。

検知部２４がカメラを含む場合、カメラが撮影した画像データの画像信号が制御装置８１に入力される。制御装置８１は、入力された画像信号を用いた画像認識により、被加熱物の大きさ、被加熱物の種類、被加熱物の量及び被加熱物の状態等の情報を検出する。ここでいう被加熱物の種類とは、ご飯、汁物、及び炒め物、煮物、焼き魚、焼き肉等のメニューの種類を含む。また、被加熱物の状態とは、冷凍状態であるか否か、沸騰状態であるか否か、加熱の程度等を含む。

カメラを含む検知部２４と制御装置８１は、コードリーダとして機能する。検知部２４のカメラが上から容器２００内の被加熱物のパッケージを撮影し、撮影した画像信号が制御装置８１に入力される。制御装置８１は、入力された画像信号に含まれるバーコード、二次元コード又は記号等を、画像認識によって認識する。なお、加熱調理器１００に、専用のコードリーダが設けられていてもよい。この場合、例えば加熱調理器１００の筐体の外面に、コードを読み取るカメラを設け、このカメラの前にかざされたコードをコードリーダが読み取るようにすることもできる。

検知部２４が超音波センサを含む場合、超音波センサから超音波を発信し、被加熱物又は容器から反射した超音波を超音波センサで受信し、超音波センサが受信した情報が制御装置８１に入力される。制御装置８１は、各検知部の超音波センサから入力された情報に基づいて、被加熱物又は容器の有無及び大きさを検出する。

検知部２４が光センサを含む場合、光センサから光を放射し、被加熱物又は容器から反射した光を光センサで受信し、光センサが受信した情報が制御装置８１に入力される。制御装置８１は、各検知部の光センサから入力された情報に基づいて、被加熱物又は容器の有無及び大きさを検出する。

制御装置８１は、第１送風機１６及び第２送風機１７の動作開始及び停止を制御する。制御装置８１は、高周波発生器１８の駆動を開始すると、第１送風機１６及び第２送風機１７を動作させ、高周波発生器１８の駆動を停止すると、あるいは駆動停止から所定時間が経過すると、第１送風機１６及び第２送風機１７を停止させる。制御装置８１はさらに、第１送風機１６及び第２送風機１７の動作時の回転周波数を制御してもよい。この場合、外郭筐体１内に温度センサを設け、温度センサの検出温度が高いほど第１送風機１６又は第２送風機１７の回転周波数を上げて冷却風量を増加させるとよい。このようにすることで、冷却対象の温度に応じた冷却風量で効率よく冷却対象を冷却できる。

通信装置８２は、例えば管理装置９１とネットワーク９０を介して通信する装置であり、通信回路、通信回路を動作させるＣＰＵ及びＣＰＵを動作させる情報を記憶するメモリを含む。通信装置８２は、例えば、ＩｏＴ（Internet of Things）ゲートウェイである。通信装置８２は、受信した情報を制御装置８１に伝送し、また制御装置８１からの指示によって情報を管理装置９１に送信する。

制御装置８１は、通信装置８２によって取得した情報に基づいて、駆動制御部７７を制御する。また、制御装置８１は、加熱調理器１００の動作状態に関する情報を、通信装置８２を用いて管理装置９１に送信する。

（加熱動作）
加熱調理器１００による被加熱物の加熱動作を説明する。本実施の形態の加熱調理器１００は、加熱室１０内で、容器２０１、２０２、２０３それぞれに収容された複数の被加熱物を同時に加熱する点に特徴を有しているので、複数の被加熱物の加熱動作を説明する。なお、もちろん、加熱室１０内に１つの被加熱物を入れて加熱することも可能であるが、ここでは説明を省略する。

まず、ユーザは、容器２０１、２０２、２０３のそれぞれに、被加熱物を配置し、容器２０１、２０２、２０３をそれぞれ載置部５１、５２、５３の上に置く。次に、ユーザは、加熱室１０の扉２を閉める。扉２が閉められたことを図示しない扉センサからの信号入力によって制御装置８１が検出すると、制御装置８１は、加熱室１０での加熱を開始可能な状態になる。

次に、ユーザは、操作部４を操作して、加熱条件を入力する。操作部４は、加熱条件として、載置部５１、５２、５３のそれぞれに対する加熱量（火力）、加熱時間又は目標温度の少なくともいずれかを個別に入力する入力装置を備えている。ユーザは、載置部５１、５２、５３のそれぞれについて、加熱量（火力）、加熱時間又は目標温度の少なくともいずれかを操作部４を介して入力する。

操作部４は、被加熱物の種類と被加熱物の状態の何れか又は両方を入力する入力装置を備えていてもよい。例えば、ご飯が冷蔵であるか、冷凍であるか、といった情報を操作部４に入力できるようにしてもよい。また、操作部４への被加熱物の加熱条件の入力に代えて、あるいはこれに加えて、各載置部５１、５２、５３に載置された被加熱物の種類を操作部４に入力できるようにしてもよい。また、検知部２４の検知結果に基づいて、制御装置８１が被加熱物の種類、状態、及び目標温度のいずれか一つ以上を判定し、判定結果を表示部３に表示してもよい。そして、ユーザは、表示された情報の承認の有無及び承認しない場合の変更条件を操作部４に入力し、制御装置８１は承認された情報に基づいて加熱を開始する。

制御装置８１及び駆動制御部７７は、操作部４に入力された加熱条件並びに検知部２４から入力された情報に基づいて、３つの高周波発生器１８の動作を制御する。駆動制御部７７は、インバータ回路７１のＩＧＢＴ７１１、７１２の駆動周波数を変化させることで、連続的に各高周波発生器１８の出力を変動させる。このとき、動作している複数の高周波発生器１８の出力の合計は、加熱条件に応じて予め定められた値となるように制御される。

高周波発生器１８が動作すると、高周波発生器１８が電磁波を発生させる。高周波は、アンテナ１９を介して、対応する導波管３１、３２、３３のいずれかに放射される。アンテナ１９から導波管３１、３２、３３内に高周波が放射されると、導波管３１、３２、３３には定常波が生じる。定常波は、導波管３１、３２、３３内を進み、対応する導波口Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ３ａ、Ｅ３ｂを介して加熱室１０内に供給される。加熱室１０内に対し、３つの高周波発生器１８から高周波が供給される。各導波口Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ３ａ、Ｅ３ｂには、載置部５１、５２、５３のいずれかが配置されている。このため、載置部５１、５２、５３に載置された被加熱物に、各導波口Ｅ１ａ、Ｅ１ｂ、Ｅ２ａ、Ｅ２ｂ、Ｅ３ａ、Ｅ３ｂからの電磁波が選択的かつ集中的に供給される。

高周波発生器１８の出力の大きさが連続的に変動するように制御されるので、被加熱物の加熱ムラを抑制することができる。詳しくは、例えば冷凍の被加熱物を加熱する場合、高周波発生器１８が出力値一定の動作と動作停止とを交互に実行するＯＮ／ＯＦＦ制御がなされると、ＯＮ時の出力が高いために被加熱物に局所的な過加熱が生じ易く、焦げが生じてしまうこともある。局所的な過加熱を抑制するために、ＯＮ時間の後のＯＦＦ時間を調整する制御も考えられるが、被加熱物の加熱ムラの抑制は困難である。これに対し本実施の形態では、高周波発生器１８からの出力の大きさが連続的に変動するので、上述したＯＮ／ＯＦＦ制御のような局所的な過加熱が生じにくい。また、本実施の形態では、複数の導波口から容器２００内に電磁波を供給するので、容器２０１、２０２、２０３に収容された複数の被加熱物のトータルの加熱時間を短縮することができる。

複数の高周波発生器１８が同時に動作する場合の合計出力の最大出力は、１つの高周波発生器１８が動作する場合の出力の最大出力と同じである。例えば、一般的な家庭の１００Ｖ交流系統電源の電力容量である１５００Ｗが、合計出力の最大値である。複数の高周波発生器１８が同時に動作する場合、合計出力が、最大出力である１５００Ｗ以下となるように、複数の高周波発生器１８が動作する。このようにすることで、加熱調理器１００のピーク電流が抑制され、一般的な家庭の１００Ｖ交流系統電源の電力容量である１５００Ｗを超えないように加熱調理器１００を動作させることができる。また、制御装置８１は、被加熱物の加熱に必要とされる加熱量に応じて、加熱時の出力値を決め、同時に動作する１～３つの高周波発生器１８の出力の合計が、その出力値となるように駆動制御部７７を制御する。

駆動制御部７７は、３つの高周波発生器１８を同時に動作させず、１つずつ順番に動作させてもよい。この場合、載置部５１、５２、５３のそれぞれに対応した導波口Ｅ１ａ及びＥ１ｂ、導波口Ｅ２ａ及びＥ２ｂ、導波口Ｅ３ａ及びＥ３ｂのいずれかから順番に、加熱室１０に高周波が供給される。複数の高周波発生器１８から間欠的に電磁波を加熱室１０内に供給することで、被加熱物の局所的な加熱を抑制し、被加熱物の加熱状態を均一に近づけることができる。

被加熱物の加熱が終了すると、制御装置８１は駆動制御部７７を制御して高周波発生器１８の動作を停止させて、加熱室１０における加熱を終了する。

（冷却動作）
次に、加熱調理器１００を構成する発熱部品の冷却に関して説明する。高周波発生器１８及び回路基板２１の実装部品は動作中に発熱する。このため、加熱調理器１００は、高周波発生器１８の動作中には、第１送風機１６及び第２送風機１７を動作させてこれらの部品を冷却する。

高周波発生器１８が動作を開始すると、制御装置８１は、第１送風機１６及び第２送風機１７を動作させる。第１送風機１６及び第２送風機１７が動作することで、上述のように空気が外郭筐体１内に吸い込まれ、吸い込まれた空気は外郭筐体１内の発熱部品を冷却し、外郭筐体１から排気される。

以上のように本実施の形態の加熱調理器１００は、被加熱物を収容する加熱室１０と、電磁波を発生させる複数の高周波発生器１８と、複数の高周波発生器１８を制御する制御装置８１と、複数の高周波発生器１８と同数の複数の導波管３１、３２、３３とを備える。又加熱調理器１００は、加熱室１０の底に設けられ、被加熱物が載置される位置を示す複数の導波管３１、３２、３３と同数の複数の載置部５１、５２、５３を備える。複数の導波管３１、３２、３３のそれぞれは、複数の高周波発生器１８のうち対応する高周波発生器１８から放射された電磁波を伝送する。複数の載置部５１、５２、５３それぞれの下側かつ当該載置部５１、５２、５３の範囲内に、複数の導波管３１、３２、３３のいずれかと連通する複数の導波口が形成されている。具体的に、載置部５１には導波口Ｅ１ａ及びＥ１ｂが形成され、載置部５２には導波口Ｅ２ａ及びＥ２ｂが形成され、載置部５３には導波口Ｅ３ａ及びＥ３ｂが形成されている。複数の導波管３１、３２、３３それぞれが伝送した電磁波が、複数の導波口Ｅ１ａ及びＥ１ｂ、導波口Ｅ２ａ及びＥ２ｂ、又は導波口Ｅ３ａ及びＥ３ｂから、当該導波管３１、３２、３３の上に配置された載置部５１、５２、５３を介して加熱室１０に供給される。

導波口Ｅ１ａ及びＥ１ｂの近傍は加熱精度が高いところ、１つの載置部５１に対して複数の導波口Ｅ１ａ及びＥ１ｂが設けられているため、載置部５１に配置された被加熱物の加熱ムラを軽減できる。同様に、導波口Ｅ２ａ及びＥ２ｂの近傍は加熱精度が高いところ、１つの載置部５１に対して複数の導波口Ｅ２ａ及びＥ２ｂが設けられているため、載置部５２に配置された被加熱物の加熱ムラを軽減できる。同様に、導波口Ｅ３ａ及びＥ３ｂの近傍は加熱精度が高いところ、１つの載置部５３に対して複数の導波口Ｅ３ａ及びＥ３ｂが設けられているため、載置部５３に配置された被加熱物の加熱ムラを軽減できる。そして、加熱調理器１００によれば、載置部５１、５２、５３に載置された複数の被加熱物を同時に加熱できる。

実施の形態２．
本実施の形態の加熱調理器１００Ａは、実施の形態１の加熱調理器１００と同様に、加熱室１０で複数の被加熱物を同時に加熱でき、さらにそれぞれの被加熱物の加熱ムラを抑制するようにしたものである。本実施の形態の加熱調理器１００Ａは、導波管５１Ａ、５２Ａ、５３Ａの構造、高周波発生器１８の配置、及び発熱部品の冷却に係る構成が、実施の形態１と異なる。以下、実施の形態１で説明した構成に相当する構成については同じ符号を付し、異なる構成については符号に添え字Ａを付して、構成を説明する。本実施の形態では、実施の形態１との相違点を中心に説明する。

図１２は、実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの斜視図である。加熱調理器１００Ａは、実施の形態１の筐体第１吸気口５ａ、５ｂに代えて、筐体第１吸気口５Ａを備える。筐体第１吸気口５Ａは、外郭筐体１内への空気の入口の一つである。筐体第１吸気口５Ａは、外郭筐体１の右側の側壁であって、外郭筐体１内に収容される右側の高周波発生器１８及び回路基板２１（図１４参照）よりも前側の位置に、配置されている。筐体第１吸気口５Ａの上下方向の範囲は、放熱フィン２０及び放熱フィン２２（図１４参照）の高さ方向の範囲と少なくとも一部が重なっている。

加熱調理器１００Ａは、実施の形態１の筐体第１排気口７及び筐体第２排気口８に代えて、筐体第１排気口７Ａを有する。筐体第１排気口７Ａは、外郭筐体１内からの空気の入口の一つである。

図１３は、実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの扉２が取り外された状態の斜視図である。図１３は、左側前方の斜め上から見た状態を示している。

外郭筐体１の左側面には、第２筐体吸気口６Ａａ、６Ａｂが設けられている。第２筐体吸気口６Ａａ、６Ａｂは、外郭筐体１内への空気の入口の一つである。第２筐体吸気口６Ａａ、６Ａｂは、外郭筐体１の左側の側壁であって、外郭筐体１内に収容される左側の高周波発生器１８及び回路基板２１（図１５参照）と概ね対向する位置に、配置されている。第２筐体吸気口６Ａａ、６Ａｂの上下方向の範囲は、放熱フィン２０及び放熱フィン２２（図１５参照）の高さ方向の範囲と少なくとも一部が重なっている。

図１４は、実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの内部構造を説明する斜視図である。図１４は、図１２に示す状態から、扉２、外郭筐体１及び加熱室１０の天井が取り外された状態を示している。図１４では、容器２０４Ａが併せて図示されている。容器２０４Ａは、容器の内部が区切られて複数の被加熱物の収容部が形成されている、ワンプレート型の容器である。容器２０４Ａに形成された収容部を、それぞれ、容器２０１Ａ、２０２Ａ、２０３Ａと称する。容器２０１Ａ、２０２Ａ、２０３Ａは、実施の形態１の容器２０１、２０２、２０３と同位置に配置されるものとする。図１５は、実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの内部構造を説明する斜視図である。図１５は、図１４に示す加熱調理器１００を右下から見た状態を示している。

加熱調理器１００Ａに設けられた２つの高周波発生器１８及びその回路基板２１Ａａは、加熱室１０の右側方に配置され、１つの高周波発生器１８及びその回路基板２１Ａｂが加熱室１０の左後方に配置されている。このように本実施の形態では、複数の高周波発生器１８の一部が加熱室１０の外側の異なる面に分散して配置されている。

加熱室１０の右側方に配置された回路基板２１Ａａは、基板面が水平に向くように配置されている。回路基板２１Ａａの実装面は、下を向いており、この実装面に実装された発熱部品に、放熱フィン２２Ａａが熱的に接続されている。回路基板２１Ａａの下側に、冷却風雨の流路が形成される。

加熱室１０の後方に配置された回路基板２１Ａｂは、基板面が上下に向くように、配置されている。回路基板２１Ａｂの実装面は、加熱室１０の後壁と対向しており、この実装面と加熱室１０の後壁との間に、放熱フィン２２Ａｂが配置される。

加熱調理器１００Ａは、実施の形態１の第１送風機１６及び第２送風機１７に代えて、第１送風機１６を有する。加熱調理器１００Ａは、１台の第１送風機１６Ａで、外郭筐体１内の冷却を行う。

導波管３１Ａ、３２Ａ、３３Ａは、それぞれ、実施の形態１の導波管３１、３２、３３と形状が異なる。また、加熱室１０の後方に配置された高周波発生器１８に接続された導波管３１Ａは、加熱室１０の後方から加熱室１０の下方に向かって延びている点においても実施の形態１と異なる。

図１６は、実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの加熱室１０内の構造を説明する斜視図である。加熱室１０を構成する壁の一つである底板１１には、載置部５１に対応する位置に、開口４１Ａａ及び４１Ａｂが設けられている。開口４２Ａａ及び開口４１Ａｂは、それぞれ、概ね同形状の矩形の開口である。また、底板１１の載置部５２に対応する位置には、開口４２Ａａ、４２Ａｂ、４２Ａｃ、４２Ａｄが設けられている。

底板１１の載置部５２に対応する位置には、開口４２Ａａ、４２Ａｂ、４２Ａｃ、４２Ａｄが設けられている。開口４２Ａａ、４２Ａｂ、４２Ａｃ、４２Ａｄは、それぞれ、スリット状の開口である。開口４２Ａａ、４２Ａｂ、４２Ａｃ、４２Ａｄは、矩形の載置部５２の四辺それぞれの内側に沿うようにして、配置されている。

底板１１の載置部５３に対応する位置には、開口４３Ａａ、４３Ａｂが設けられている。開口４３Ａ、４３Ａｂが設けられている。は、それぞれ、スリット状の開口である。開口４３Ａ、４３Ａｂは、矩形の載置部５３の前側の辺と後ろ側の辺のそれぞれの内側に沿うようにして、配置されている。

図１７は、実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの加熱室１０及び導波管３１Ａ、３２Ａ、３３Ａの分解斜視図である。図１７では、図１６に示した照射口カバー２３が取り外された状態を示している。

導波管３１Ａには、照射口３１５Ａが設けられている。照射口３１５Ａは、導波管３１Ａの上面の、アンテナ接続口３１３と反対側の端部に設けられている。

導波管３２Ａには、照射口３２５Ａａ、３２５Ａｂ、３２５Ａｃ、３２５Ａｄが設けられている。照射口３２５Ａａ、３２５Ａｂ、３２５Ａｃ、３２５Ａｄは、それぞれ、底板１１に設けられた開口４２Ａａ、４２Ａｂ、４２Ａｃ、４２Ａｄと実質的に同じ形状である。導波管３２Ａが加熱室１０の底に組み付けられると、開口４２Ａａ、４２Ａｂ、４２Ａｃ、４２Ａｄのそれぞれに、照射口３２５Ａａ、３２５Ａｂ、３２５Ａｃ、３２５Ａｄのそれぞれが重なる。

導波管３３Ａには、照射口３３５Ａａ、３３５Ａｂが設けられている。照射口３３５Ａａ、３３５Ａｂは、それぞれ、底板１１に設けられた開口４３Ａａ、４３Ａｂと実質的に同じ形状である。導波管３３Ａが加熱室１０の底に組み付けられると、開口４３Ａａ、４３Ａｂのそれぞれに、照射口３３５Ａａ、３３５Ａｂのそれぞれが重なる。

図１８は、実施の形態２に係る加熱室１０の斜視図である。図１８は、加熱室１０の底板１１を、右下から見た状態を示している。加熱室１０の底板１１の下面には、載置部５１（図１６参照）に相当する位置に、導波管接続部３４Ａが設けられている。導波管接続部３４Ａは、導波管３１Ａと開口４１Ａａ及び開口４１Ａｂとの間に介在し、導波管３１Ａの照射口３１５Ａから放射された電磁波を、開口４１Ａａ及び開口４１Ａｂに導く。導波管接続部３４Ａは、内部に空間を有する直方体形状の部材である。導波管接続部３４Ａの内部に、分岐部３１４が収容されている。導波管接続部３４Ａの下面には、開口３４１Ａが形成されている。開口３４１Ａは、分岐部３１４Ａと対向する位置に設けられており、図１８に示すように開口３４１Ａから分岐部３１４Ａが視認される。

図１９は、実施の形態２に係る導波管３１Ａ、３２Ａ、３３Ａの分解斜視図である。図１７～図１９を参照して、導波管３１Ａ、３２Ａ、３３Ａの構造を説明する。

導波管３１Ａの導波管上部３１１には、アンテナ接続口３１３とは反対側の端部に、照射口３１５Ａが設けられている。照射口３１５Ａは、導波管３１Ａの電磁波の進行方向に直交する方向、すなわち左右方向における幅は、導波管３１Ａと同じである。

導波管３２Ａの導波管上部３２１には、分岐部３２４Ａが設けられている。分岐部３２４Ａは、アンテナ接続口３２３とは反対側の端部に設けられており、導波管上部３２１から下へ突出している。分岐部３２４Ａは、内部に空間を形成し上面を開口した形状を有しており、分岐部３２４Ａの底は、傾斜している。分岐部３２４Ａの平面形状は矩形であり、この分岐部３２４Ａの四辺の外側に、照射口３２５Ａａ、３２５Ａｂ、３２５Ａｃ、３２５Ａｄが設けられている。すなわち照射口３２５Ａａ、３２５Ａｂ、３２５Ａｃ、３２５Ａｄによって分岐部３２４Ａは囲まれている。分岐部３２４Ａは、高周波発生器１８からの電磁波を、照射口３２５Ａａ、３２５Ａｂ、３２５Ａｃ、３２５Ａｄに分岐させる。

導波管下部３２２には、導波部３２８Ａｂ、３２８Ａｃ、３２８Ａｄが設けられている。導波部３２８Ａｂ、３２８Ａｃ、３２８Ａｄは、それぞれ、照射口３２５Ａｂ、３２５Ａｃ、３２５Ａｄに電磁波を導く。具体的に、導波部３２８Ａｃ及び導波部３２８Ａｄは、導波管下部３２２の電磁波の伝送方向に沿って延びる部分に対して、前後方向の幅、すなわち伝送方向と交差する方向に導波管３２Ａの内部空間を広げる壁である。導波部３２８Ａｃは、導波管下部３２２の前側の側壁の、前側に向かって突出した部分である。導波部３２８Ａｄは、導波管下部３２２の後側の側壁の、後側に向かって突出した部分である。導波部３２８Ａｂは、導波部３２８Ａｃ及び導波部３２８Ａｄよりも電磁波の伝送方向下流側にあり、導波部３２８Ａｃ及び導波部３２８ｄの端部よりも進行方向に向かって突出した部分である。このような導波部３２８Ａｂ、３２８Ａｃ、３２８Ａｄが設けられていることにより、導波管下部３２２の平面形状は、十字形状を有している。

導波管下部３２２に導波管上部３２１が組み合わせられると、導波部３２８Ａｂ、３２８Ａｃ、３２８Ａｄそれぞれの上に、照射口３２５Ａｂ、３２５Ａｃ、３２５Ａｄが位置する。

導波管３３Ａの導波管上部３２１には、分岐部３３４Ａが設けられている。分岐部３３４Ａは、導波管上部３３１から下へ突出している。分岐部３３４Ａは、内部に空間を形成し上面を開口した形状を有しており、分岐部３３４Ａの底は、水平である。分岐部３３４Ａの平面形状は矩形であり、この分岐部３２４Ａの前側の辺と後ろ側の辺の外側に、照射口３３５Ａａ、３３５Ａｂが設けられている。すなわち照射口３３５Ａａ、３３５Ａｂによって分岐部３３４Ａは前後を挟まれている。分岐部３３４Ａは、高周波発生器１８からの電磁波を、照射口３３５Ａａ、３３５Ａｂに分岐させる。

電磁波の伝送方向において、分岐部３３４Ａの長さは、照射口３３５Ａａ、３３５Ａｂの長さよりも長い。分岐部３３４Ａのアンテナ接続口３３３側の端部は、照射口３３５Ａａ、３３５Ａｂのアンテナ接続口３３３側の端部よりも、アンテナ接続口３３３に近い位置にある。

導波管下部３３２には、導波部３３７Ａａ、３３７Ａｂが設けられている。導波部３３７Ａａ、３３７Ａｂは、それぞれ、照射口３３５Ａａ、３３５Ａｂに電磁波を導く。具体的に、導波部３３７Ａａ及び導波部３３７Ａｂは、導波管下部３３２の電磁波の伝送方向に沿って延びる部分に対して、前後方向の幅、すなわち伝送方向と交差する方向に導波管３３２Ａの内部空間を広げる壁である。導波部３３７Ａａは、導波管下部３３２の前側の側壁の、前側に向かって突出した部分である。導波部３３７Ａｂは、導波管下部３３２の後側の側壁の、後側に向かって突出した部分である。このような導波部３３７Ａａ、３３７Ａｂが設けられていることにより、導波管下部３３２の平面形状は、Ｔ字形状を有している。

導波管下部３３２に導波管上部３３１が組み合わせられると、導波部３３７Ａａ、３３７Ａｂそれぞれの上に、照射口３３５Ａｂ、３３５Ａｂが位置する。

図２０は、実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの縦断面模式図である。図２０は、導波管３１Ａ及び導波管３２Ａを通る左右方向に沿った縦断面を示しており、容器２０１Ａ及び２０２Ａも併せて図示されている。図２１は、実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの縦断面模式図である。図２１は、導波管３１Ａ及び導波管３３Ａを通る左右方向に沿った縦断面を示しており、容器２０１Ａ及び２０３Ａも併せて図示されている。図２２は、実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの縦断面模式図である。図２２は、導波管３２Ａ及び導波管３３Ａを通る前後方向に沿った縦断面を示しており、容器２０２Ａ及び容器２０３Ａも合わせて図示されている。図２３は、実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの縦断面模式図である。図２３は、導波管３１Ａを通る前後方向に沿った縦断面を示しており、容器２０１Ａも併せて図示されている。図２４は、実施の形態２に係る加熱調理器１００Ａの横断面模式図である。図２４は、導波管３１Ａ、導波管３２Ａ及び導波管３３Ａを通る、水平断面を示している。

ここで、加熱室１０の底板１１の開口４１Ａａ、４１Ａｂを、図２０～図２４では導波口Ｅ１１ａ、Ｅ１１ｂと表現する。また、照射口３２５Ａａ、３２５Ａｂ、３２５Ａｃ、３２５Ａｄは、それぞれ、開口４２Ａａ、４２Ａｂ、４２Ａｃ、４２Ａｄと組み合わせられ、組み合わせられた状態の開口を、図２０～図２４では導波口Ｅ１２ａ、Ｅ１２ｂ、Ｅ１２ｃ、Ｅ１２ｄと表現する。また、照射口３３５Ａａ、３３５Ａｂは、それぞれ、開口４３Ａａ、４３Ａｂと組み合わせられ、組み合わせられた開口を、図２０～図２４では導波口Ｅ１３ａ、Ｅ１３ｂと表す。導波口Ｅ１１ａ、Ｅ１１ｂ、Ｅ１２ａ、Ｅ１２ｂ、Ｅ１２ｃ、Ｅ１２ｄ、Ｅ１３ａ、Ｅ１３ｂは、加熱室１０への高周波の放射口である。導波口Ｅ１１ａ、Ｅ１１ｂは、載置部５１の下側かつ載置部５１の範囲内に設けられており、導波口Ｅ１１ａ、Ｅ１１ｂからの電磁波は、載置部５１を介して加熱室１０に供給される。導波口Ｅ１２ａ、Ｅ１２ｂ、Ｅ１２ｃ、Ｅ１２ｄは、載置部５２の下側かつ載置部５２の範囲内に設けられており、導波口Ｅ１２ａ、Ｅ１２ｂ、Ｅ１２ｃ、Ｅ１２ｄからの電磁波は、載置部５２を介して加熱室１０に供給される。導波口Ｅ１３ａ、Ｅ１３ｂは、載置部５３の下側かつ載置部５３の範囲内に設けられており、導波口Ｅ１３ａ、Ｅ１３ｂからの電磁波は、載置部５３を介して加熱室１０に供給される。

図２０、図２１、図２３及び図２４を参照して、導波管３１Ａに係る構造を説明する。

導波管接続部３４Ａ内には、図２３に示すように、分岐部３１４Ａが設けられている。分岐部３１４Ａは、下から上へ上昇する一対の傾斜面が、線対称に配置されて構成されている。分岐部３１４Ａは、図２３に示すように、断面形状がＶ字状である。分岐部３１４Ａの下に、開口３４１Ａが配置されており、開口３４１Ａと照射口３１５Ａとは重なっている。分岐部３１４Ａの傾斜面は、例えば水平方向に対して４５度傾斜している。分岐部３１４Ａの下端と、開口３４１Ａ及び照射口３５１Ａは、概ね同じ高さにあり、導波管３１Ａの電磁波は、開口３４１Ａ及び照射口３５１Ａを通って導波管接続部３４Ａに入る。導波管接続部３４Ａに入った電磁波は、分岐部３１４Ａによって水平方向に分岐されて、それぞれ導波口Ｅ１１ａ、Ｅ１１ｂに進む。電磁波は、導波口Ｅ１１ａ、Ｅ１１ｂの上に位置する載置部５１の容器２０１Ａ内の被加熱物に、放射される。

導波管接続部３４Ａの内寸の高さは、導波管３１Ａの内寸の高さの１／２とすることができる。このようにすることで、電磁波の伝送損失を低減できる。

さらに本実施の形態では、導波管３１Ａのアンテナ１９とは反対側の端部に、導波斜面３１６Ａを備えている。導波斜面３１６Ａは、実施の形態１の導波斜面３１６と同様に、導波管３１Ａの底面から上昇している。導波斜面３１６Ａは、開口３４１Ａ及び照射口３１５Ａに対向しており、実施の形態１で説明した導波斜面３１６と同様の作用効果を発揮する。

このように、本実施の形態の加熱調理器１００Ａの載置部５１の下には、導波口Ｅ１１ａと、電磁波の伝送方向に導波口Ｅ１１ａと並んで設けられた導波口Ｅ１１ｂとを備える。導波口Ｅ１１ａ及び導波口Ｅ１１ｂと導波管３１Ａとの間には、内部に空間を有する導波管接続部３４Ａが設けられている。導波管接続部３４Ａの下面には、導波管３１Ａと連通する開口３４１Ａが設けられている。導波管接続部３４Ａの内部の空間には、開口３４１Ａの上に、導波管３１Ａにより伝送された電磁波を導波口Ｅ１１ａと導波口Ｅ１１ｂとに分岐させる分岐部３１４Ａが設けられている。

このように、導波管３１Ａによって伝送された電磁波を、導波管接続部３４Ａの空間内において、分岐部３１４Ａによって分岐させる。そして、分岐させた電磁波は、導波管接続部３４Ａの空間を進んだ後に、導波口Ｅ１１ａと導波口Ｅ１１ｂとから被加熱物に照射される。分岐部３１４Ａによる分岐後の電磁波は、導波管接続部３４Ａの空間を通過することで、電磁波は拡散し、照射エネルギーの密度を低くできる。したがって、局所的に電界強度の高い領域が形成されることが抑制去れ、被加熱物の加熱ムラが軽減される。

さらに、本実施の形態では、導波口Ｅ１１ａと導波口Ｅ１１ｂが占める領域は、載置部５１の領域の大半を占める（図１６及び図２４参照）。このように載置部５１に対する電磁波の出口の開口面積を大きくした場合でも、導波管接続部３４Ａの空間の作用によって電界強度の偏りが軽減されているので、被加熱物の加熱ムラを軽減できる。

図２０、図２２、図２４を参照して、導波管３２Ａに係る構造を説明する。

分岐部３２４Ａの下面は、図２０に示すように左右方向においては水平であるが、図２２に示すように前後方向においては傾斜している。具体的に、分岐部３２４Ａの下面は、後ろから前に向かって下降している。このように、分岐部３２４Ａの下面が、後ろから前へ下降していることで、分岐部３２４Ａの下に形成される電磁波が通過する空間は、後ろから前に向かって狭くなっている。したがって、分岐部３２４Ａの下側においては、後ろ側よりも前側の方が電磁波が流れにくく、したがって導波口Ｅ１２ｄよりも導波口Ｅ１２ｃに向かう電磁波を少なくできる。金属を含む扉２に近い前側は、電磁波が流れやすいところ、分岐部３２４Ａの下面を傾斜させて電磁波の通過空間を狭くすることで、導波口Ｅ１２ｃと導波口Ｅ１２ｄとに分岐させる電磁波の量を調整することができる。

導波管３２Ａ内に放射された電磁波は、伝送方向に進み、分岐部３２４Ａの右端に位置する導波面３２４Ａｓに導かれて上に向かい、導波口Ｅ１２ａから加熱室１０に供給される。導波面３２４Ａｓから先に進んだ電磁波は、図２４に示すように、導波部３２８Ａｃ及び３２８Ａｄによって前後方向に広がった空間に流入し、導波口Ｅ１２ｃ、Ｅ１２ｄに向かってこれらから加熱室１０に供給される。導波部３２８Ａｃ及び３２８Ａｄから先に進んだ電磁波は、図２４に示すように、導波部３２８Ａｂに導かれて上に向かい、導波口Ｅ１２ｂから加熱室１０に供給される。

このように、本実施の形態の加熱調理器１００Ａの載置部５２の下には、導波口Ｅ１２ａと、導波口Ｅ１２ａよりも高周波発生器から離れた位置に設けられた導波口Ｅ１２ｂとを備える。さらに載置部５２の下には、電磁波の伝送方向において導波口Ｅ１２ａと導波口Ｅ１２ｂとの間に設けられた、導波口Ｅ１２ｃ及び導波口Ｅ１２ｄとを備える。導波口Ｅ１２ｃは、電磁波の伝送方向と直交する方向に導波口Ｅ１２ｄと並んで設けられている。導波管３２Ａの上面には、導波口Ｅ１２ａ、導波口Ｅ１２ｂ、導波口Ｅ１２ｃ及び導波口Ｅ１２ｄに囲まれた位置に、分岐部３２４Ａが設けられている。分岐部３２４Ａは、下へ突出する形状を有し、導波管３２Ａにより伝送された電磁波を、導波口Ｅ１２ａと、導波口Ｅ１２ｂと、導波口Ｅ１２ｃと、導波口Ｅ１２ｄとに分岐させる。

このように、分岐部３２４Ａによって導波管３２Ａ内の電磁波を４方向に分岐させて、載置部５２の上の被加熱物に電磁波を分散照射できる。このため、電界強度が高い領域の発生が抑制され、被加熱物の加熱ムラを軽減することができる。

また、下に突出した分岐部３２４Ａの底面は、分岐部３２４Ａの底面と対向する導波管３２Ａの底面と平行ではない。具体的に、本実施の形態では、導波管３２Ａの底面が水平であるところ、分岐部３２４Ａの底面は傾斜している。このため、分岐部３２４Ａの端面から、導波口Ｅ１２ａ、導波口Ｅ１２ｂ、導波口Ｅ１２ｃ及び導波口Ｅ１２ｄそれぞれまでの距離は、導波口Ｅ１２ａ、導波口Ｅ１２ｂ、導波口Ｅ１２ｃ及び導波口Ｅ１２ｄによって異なる。このように距離を異ならせることで、導波口Ｅ１２ａ、導波口Ｅ１２ｂ、導波口Ｅ１２ｃ及び導波口Ｅ１２ｄに至る電磁波の経路のインピーダンスを変更できる。したがって、この距離を調整することで、導波口Ｅ１２ａ、導波口Ｅ１２ｂ、導波口Ｅ１２ｃ及び導波口Ｅ１２ｄそれぞれからの電磁波の照射量の偏りを軽減でき、載置部４２の上に被加熱物の加熱ムラを軽減できる。

図２１、図２２、図２４を参照して、導波管３３Ａに係る構造を説明する。

導波管３３Ａの上面から下へ突出しており、導波管３３Ａの内の電磁波が通過する空間を縮小している。分岐部３３４Ａの下面は、は、図２１に示すように左右方向において水平であり、また図２２に示すように前後方向においても水平である。図２１及び図２４に示すように、分岐部３３４Ａは、導波管３３Ａの下流端から、アンテナ１９に近い位置まで延びている。

導波管３３Ａ内に放射された電磁波は、伝送方向に進み、アンテナ１９の近傍にある分岐部３３４Ａの右端に位置する導波面３３４Ａｓに導かれて下に向かう。導波面３３４Ａｓから先に進んだ電磁波は、図２４に示すように、導波部３３７Ａｂ及び３３７Ａｂによって前後方向に広がった空間に流入し、導波口Ｅ１３ａ、Ｅ１３ｄに向かってこれらから加熱室１０に供給される。

このように、本実施の形態の加熱調理器１００Ａの載置部５３の下には、導波口Ｅ１３ａと、電磁波の伝送方向と直交する方向に導波口Ｅ１３ａと並んで設けられた導波口Ｅ１３ｂとを備える。導波管３３Ａの上面には、導波口Ｅ１３ａと導波口Ｅ１３ｂとの間に、下へ突出する形状を有し、導波管３３Ａにより伝送された電磁波を導波口Ｅ１３ａと導波口Ｅ１３ｂとに分岐させる分岐部３３４Ａが設けられている。

したがって、下に突出する分岐部３３４Ａによって、導波管３３Ａ内を進む電磁波は、伝送方向と直交する方向において離れた位置にある、導波口Ｅ１３ａと導波口Ｅ１３ｂとに進む。これにより、載置部５３の上にある被加熱物に、導波口Ｅ１３ａと導波口Ｅ１３ｂとから電磁波を照射することができる。

また、分岐部３３４Ａの下へ突出する形状は、導波口Ｅ１３ａ及び導波口Ｅ１３ｂよりも、高周波発生器１８に近い位置まで延びている。すなわち、導波口Ｅ１３ａ及び導波口Ｅ１３ｂよりも上流側の位置において、分岐部３３４Ａによって導波管３３Ａ内に縮小された電磁波の通路が形成される。このため、高周波発生器１８から放射されて導波管３３Ａに流入した電磁波は、分岐部３３４Ａによって伝送方向が変更された後、分岐部３３４Ａの下側を進む過程でその伝送の乱れが軽減されて伝送モードが整う。伝送の乱れが軽減された電磁波が、導波口Ｅ１３ａ及び導波口Ｅ１３ｂから被加熱物に照射されるので、被加熱物の加熱ムラが軽減される。

（変形例）
高周波発生器と導波管の数は、複数であれば２つ又は４つ以上でもよい。この場合、実施の形態１及び実施の形態２で説明した合計６種類の導波管を、任意に組み合わせることができる。

また、実施の形態１、２では、各導波口を、加熱室１０の底板１１の開口と、各導波管の上面の照射口との組み合わせにより構成することを説明した。各載置部に対応して複数の導波口が形成されていればよく、加熱室の底板と導波管の上面のいずれかによってのみ導波口が形成されてもよいし、両者によって導波口が形成されてもよい。例えば、実施の形態１では、照射口３２５ａと照射口３２５ｂとを分岐部３２４によって分離し、開口４２ａと開口４２ｂとを底板１１の一部によって分離した例を示している。しかし、照射口３２５ａと照射口３２５ｂとを一つの開口として構成し、開口４２ａと開口４２ｂとを分離することで、２つの導波口を形成してもよい。また、開口４２ａと開口４２ｂとを一つの開口として構成し、照射口３２５ａと照射口３２５ｂとを独立した開口として設けてもよい。

また、実施の形態１では、複数の高周波発生器１８は、一部が加熱室１０の左側方に配置され、他の一部が加熱室１０の右側方に配置された例を示した。実施の形態１のこの高周波発生器１８の配置において、これらに接続される導波管の構造は、実施の形態１に示した導波管３１、３２、３３に限定されない。実施の形態２に示した導波管３１Ａ、３２Ａ、３３Ａのいずれか１つ以上が、実施の形態１の導波管３１、３２、３３のいずれか１つ以上と組み合わせられてもよい。

また、実施の形態２では、複数の高周波発生器１８は、一部が加熱室１０の左側方又は右側方に配置され、他の一部が加熱室１０の後方に配置された例を示した。実施の形態２のこの高周波発生器１８の配置において、これらに接続される導波管の構造は、実施の形態２に示した導波管３１Ａ、３２Ａ、３３Ａに限定されない。実施の形態１に示した導波管３１、３２、３３のいずれか１つ以上が、実施の形態２の導波管３１Ａ、３２Ａ、３３Ａのいずれか１つ以上と組み合わせられてもよい。

以下、本開示の諸態様を付記する。

［付記１］
被加熱物を収容する加熱室と、
電磁波を発生させる複数の高周波発生器と、
前記複数の高周波発生器を制御する制御装置と、
前記複数の高周波発生器と同数の複数の導波管と、
前記加熱室の底に設けられ、前記被加熱物が載置される位置を示す前記複数の導波管と同数の複数の載置部とを備え、
前記複数の導波管のそれぞれは、前記複数の高周波発生器のうち対応する高周波発生器から放射された電磁波を伝送し、
前記複数の載置部それぞれの下側かつ当該載置部の範囲内に、前記複数の導波管のいずれかと連通する複数の導波口が形成されており、
前記複数の導波管それぞれにて伝送された電磁波が、前記複数の導波口から、当該導波管の上に配置された前記載置部の上の前記被加熱物に照射される
加熱調理器。

［付記２］
前記複数の載置部は、第１載置部を含み、
前記複数の導波管は、前記第１載置部の下側に配置された前記複数の導波口と連通する第１導波管を含み、
前記複数の導波口は、
第１導波口と、
前記第１導波口よりも前記高周波発生器から離れた位置に設けられた第２導波口とを含み、
前記第１導波管の上面には、前記第１導波口と前記第２導波口との間に、前記第１導波管により伝送された電磁波を前記第１導波口と前記第２導波口とに分岐させる分岐部が設けられており、
前記第１導波口と、前記第１導波口に対向する前記第１導波管の底面との距離は、前記電磁波の伝送方向に沿って短くなっている
付記１記載の加熱調理器。

［付記３］
前記第１導波口と対向する前記第１導波管の前記底面及び前記第２導波口と対向する前記第１導波管の前記底面は、前記電磁波の伝送方向に沿って上昇する傾斜面を有する
付記２記載の加熱調理器。

［付記４］
前記複数の載置部は、第２載置部を含み、
前記複数の導波管は、前記第２載置部の下側に配置された複数の導波口と連通する第２導波管を含み、
前記複数の導波口は、
第１導波口と、
前記第１導波口よりも前記高周波発生器から離れた位置に設けられた第２導波口とを含み、
前記第２導波管の上面には、前記第１導波口と前記第２導波口との間に、下へ突出する形状を有し、前記第２導波管により伝送された電磁波を前記第１導波口と前記第２導波口とに分岐させる分岐部が設けられている
付記１～付記３のいずれか一つに記載の加熱調理器。

［付記５］
前記第２導波口と対向する前記第２導波管の底面は、前記電磁波の伝送方向に沿って上昇する傾斜面を有する
付記４記載の加熱調理器。

［付記６］
前記複数の載置部は、第３載置部を含み、
前記複数の導波管は、前記第３載置部の下側に配置された複数の導波口と連通する第３導波管を含み、
前記複数の導波口は、
第１導波口と、
前記電磁波の伝送方向と直交する方向に前記第１導波口と並んで設けられた第２導波口とを含み、
前記第３導波管の上面には、前記第１導波口と前記第２導波口との間に、下へ突出する形状を有し、前記第３導波管により伝送された電磁波を前記第１導波口と前記第２導波口とに分岐させる分岐部が設けられている
付記１～付記５のいずれか一つに記載の加熱調理器。

［付記７］
前記分岐部の前記下へ突出する形状は、前記第１導波口及び前記第２導波口よりも、前記高周波発生器に近い位置まで延びている
付記６記載の加熱調理器。

［付記８］
前記複数の載置部は、第４載置部を含み、
前記複数の導波管は、前記第４載置部の下側に配置された複数の導波口と連通する第４導波管を含み、
前記複数の導波口は、
第１導波口と、
前記第１導波口よりも前記高周波発生器から離れた位置に設けられた第２導波口と、
前記電磁波の伝送方向において前記第１導波口と前記第２導波口との間に設けられた、第３導波口及び第４導波口とを含み、
前記第３導波口は、前記電磁波の伝送方向と直交する方向に前記第４導波口と並んで設けられており、
前記第４導波管の上面には、前記第１導波口、前記第２導波口、前記第３導波口及び前記第４導波口に囲まれた位置に、下へ突出する形状を有し、前記第４導波管により伝送された電磁波を、前記第１導波口と、前記第２導波口と、前記第３導波口と、前記第４導波口とに分岐させる分岐部が設けられている
付記１～付記７のいずれか一つに記載の加熱調理器。

［付記９］
前記下へ突出した前記分岐部の底面は、前記分岐部の前記底面と対向する前記第４導波管の底面と平行ではない
付記８記載の加熱調理器。

［付記１０］
前記複数の載置部は、第５載置部を含み、
前記複数の導波管は、前記第５載置部の下側に配置された複数の導波口と連通する第５導波管を含み、
前記複数の導波口は、
第１導波口と、
前記電磁波の伝送方向と直交する方向に前記第１導波口と並んで設けられた第２導波口とを含み、
前記第５導波管内には、前記第１導波口と前記第２導波口との間に設けられ、前記電磁波の伝送方向及び上下方向に沿って延び、前記第５導波管により伝送された電磁波を前記第１導波口と前記第２導波口とに分岐させる分岐部が設けられている
付記１～付記９のいずれか一つに記載の加熱調理器。

［付記１１］
前記第５導波管の上面には、開口が設けられており、当該開口が前記分岐部によって仕切られて、前記第１導波口と前記第２導波口が構成されている
付記１０記載の加熱調理器。

［付記１２］
前記第１導波口及び前記第２導波口の、前記電磁波の伝送方向に沿った長さは、前記第５導波管の高さ寸法よりも大きく、
前記第１導波口と対向する前記第５導波管の底面及び前記第２導波口と対向する前記第５導波管の前記底面は、前記電磁波の伝送方向に沿って上昇する傾斜面を有し、
前記傾斜面の傾斜角度は、４５度以下である
付記１０又は付記１１記載の加熱調理器。

［付記１３］
前記複数の載置部は、第６載置部を含み、
前記複数の導波管は、前記第６載置部の下側に配置された複数の導波口と連通する第６導波管を含み、
前記複数の導波口は、
第１導波口と、
前記電磁波の伝送方向に前記第１導波口と並んで設けられた第２導波口とを含み、
前記第１導波口及び前記第２導波口と前記第６導波管との間には、内部に空間を有する導波管接続部が設けられており、
前記導波管接続部の下面には、前記第６導波管と連通する開口が設けられ、
前記導波管接続部の内部の前記空間には、前記開口の上に、前記第６導波管により伝送された電磁波を前記第１導波口と前記第２導波口とに分岐させる分岐部が設けられている
付記１～付記１２のいずれか一つに記載の加熱調理器。

［付記１４］
前記開口と対向する前記第６導波管の底面は、前記電磁波の伝送方向に沿って上昇する傾斜面を有する
付記１３記載の加熱調理器。

［付記１５］
前記分岐部は、下から前記第１導波口に向かって上昇する斜面と、下から前記第２導波口に向かって上昇する斜面とを有する、縦断面がＶ字形状の部材である
付記１３又は付記１４記載の加熱調理器。

［付記１６］
前記複数の高周波発生器は、一部が前記加熱室の左側方に配置され、他の一部が前記加熱室の右側方に配置されている
付記１～付記１５のいずれか一つに記載の加熱調理器。

［付記１７］
前記複数の高周波発生器は、一部が前記加熱室の左側方又は右側方に配置され、他の一部が前記加熱室の後方に配置されている
付記１～付記１５のいずれか一つに記載の加熱調理器。

１外郭筐体、２扉、２ａ扉本体、２ｂ窓、３表示部、４操作部、５Ａ筐体第１吸気口、５ａ筐体第１吸気口、５ｂ筐体第１吸気口、６Ａａ第２筐体吸気口、６Ａｂ第２筐体吸気口、６ａ筐体第２吸気口、６ｂ筐体第２吸気口、７筐体第１排気口、７Ａ筐体第１排気口、８筐体第２排気口、１０加熱室、１１底板、１２前面開口、１３天井、１６第１送風機、１６Ａ第１送風機、１７第２送風機、１８高周波発生器、１９アンテナ、２０放熱フィン、２１回路基板、２１Ａａ回路基板、２１Ａｂ回路基板、２２放熱フィン、２２Ａａ放熱フィン、２２Ａｂ放熱フィン、２３照射口カバー、２４検知部、３１導波管、３１Ａ導波管、３２導波管、３２Ａ導波管、３３導波管、３３Ａ導波管、３４Ａ導波管接続部、４１開口、４１Ａａ開口、４１Ａｂ開口、４２Ａａ開口、４２Ａｂ開口、４２Ａｃ開口、４２Ａｄ開口、４２ａ開口、４２ｂ開口、４３Ａ開口、４３Ａａ開口、４３Ａｂ開口、４３ａ開口、４３ｂ開口、４４分岐部、４５分岐部、５１載置部、５１Ａ導波管、５２載置部、５２Ａ導波管、５３載置部、５３Ａ導波管、７０整流回路、７１インバータ回路、７２昇圧トランス、７３二次側高圧電源回路、７４フィラメント、７５フィラメント巻線、７６共振電流センサ、７７駆動制御部、８１制御装置、８２通信装置、９０ネットワーク、９１管理装置、９２電力計測装置、９３電気機器、１００加熱調理器、１００Ａ加熱調理器、１１０制御システム、１２０商用電源、１６１吸気口、１６２吹出口、１７１吸気口、１７２吹出口、２００容器、２０１容器、２０１Ａ容器、２０２容器、２０２Ａ容器、２０３容器、２０３Ａ容器、２０４Ａ容器、３１１導波管上部、３１２導波管下部、３１３アンテナ接続口、３１４分岐部、３１４Ａ分岐部、３１５Ａ照射口、３１５ａ照射口、３１５ｂ照射口、３１６導波斜面、３１６Ａ導波斜面、３２１導波管上部、３２２導波管下部、３２３アンテナ接続口、３２４分岐部、３２４Ａ分岐部、３２４Ａｓ導波面、３２５Ａａ照射口、３２５Ａｂ照射口、３２５Ａｃ照射口、３２５Ａｄ照射口、３２５ａ照射口、３２５ｂ照射口、３２６ａ導波斜面、３２６ｂ導波斜面、３２７接続面、３２８Ａｂ導波部、３２８Ａｃ導波部、３２８Ａｄ導波部、３２８ｄ導波部、３３１導波管上部、３３２導波管下部、３３２Ａ導波管、３３３アンテナ接続口、３３４分岐部、３３４Ａ分岐部、３３４Ａｓ導波面、３３５Ａａ照射口、３３５Ａｂ照射口、３３５ａ照射口、３３５ｂ照射口、３３６導波斜面、３３７Ａａ導波部、３３７Ａｂ導波部、３４１Ａ開口、３５１Ａ照射口、７００高周波発生器駆動装置、７１３スナバ回路、７１４共振コンデンサ、７１５共振コンデンサ、７２１一次巻線、７２２二次巻線、７３１高圧コンデンサ、７３２高圧ダイオード、９１１第１データベース、９１２第２データベース、３１１１開口、Ｅ１１ａ導波口、Ｅ１２ａ導波口、Ｅ１２ｂ導波口、Ｅ１２ｃ導波口、Ｅ１２ｄ導波口、Ｅ１３ａ導波口、Ｅ１ａ導波口、Ｅ２ａ導波口、Ｅ２ｂ導波口、Ｅ３ａ導波口、Ｅ３ｂ導波口。

Claims

被加熱物を収容する加熱室と、
電磁波を発生させる複数の高周波発生器と、
前記複数の高周波発生器を制御する制御装置と、
前記複数の高周波発生器と同数の複数の導波管と、
前記加熱室の底に設けられ、前記被加熱物が載置される位置を示す前記複数の導波管と同数の複数の載置部とを備え、
前記複数の導波管のそれぞれは、前記複数の高周波発生器のうち対応する高周波発生器から放射された電磁波を伝送し、
前記複数の載置部それぞれの下側かつ当該載置部の範囲内に、前記複数の導波管のいずれかと連通する複数の導波口が形成されており、
前記複数の導波管それぞれにて伝送された電磁波が、前記複数の導波口から、当該導波管の上に配置された前記載置部の上の前記被加熱物に照射される
加熱調理器。
前記複数の載置部は、第１載置部を含み、
前記複数の導波管は、前記第１載置部の下側に配置された前記複数の導波口と連通する第１導波管を含み、
前記複数の導波口は、
第１導波口と、
前記第１導波口よりも前記高周波発生器から離れた位置に設けられた第２導波口とを含み、
前記第１導波管の上面には、前記第１導波口と前記第２導波口との間に、前記第１導波管により伝送された電磁波を前記第１導波口と前記第２導波口とに分岐させる分岐部が設けられており、
前記第２導波口と、前記第２導波口に対向する前記第１導波管の底面との距離は、前記第１導波口と、前記第１導波口に対向する前記第１導波管の底面との距離よりも、短い
請求項１記載の加熱調理器。
前記第１導波口と対向する前記第１導波管の前記底面及び前記第２導波口と対向する前記第１導波管の前記底面は、前記電磁波の伝送方向に沿って上昇する傾斜面を有する
請求項２記載の加熱調理器。
前記複数の載置部は、第２載置部を含み、
前記複数の導波管は、前記第２載置部の下側に配置された複数の導波口と連通する第２導波管を含み、
前記複数の導波口は、
第１導波口と、
前記第１導波口よりも前記高周波発生器から離れた位置に設けられた第２導波口とを含み、
前記第２導波管の上面には、前記第１導波口と前記第２導波口との間に、下へ突出する形状を有し、前記第２導波管により伝送された電磁波を前記第１導波口と前記第２導波口とに分岐させる分岐部が設けられている
請求項１記載の加熱調理器。
前記第２導波口と対向する前記第２導波管の底面は、前記電磁波の伝送方向に沿って上昇する傾斜面を有する
請求項４記載の加熱調理器。
前記複数の載置部は、第３載置部を含み、
前記複数の導波管は、前記第３載置部の下側に配置された複数の導波口と連通する第３導波管を含み、
前記複数の導波口は、
第１導波口と、
前記電磁波の伝送方向と直交する方向に前記第１導波口と並んで設けられた第２導波口とを含み、
前記第３導波管の上面には、前記第１導波口と前記第２導波口との間に、下へ突出する形状を有し、前記第３導波管により伝送された電磁波を前記第１導波口と前記第２導波口とに分岐させる分岐部が設けられている
請求項１記載の加熱調理器。
前記分岐部の前記下へ突出する形状は、前記第１導波口及び前記第２導波口よりも、前記高周波発生器に近い位置まで延びている
請求項６記載の加熱調理器。
前記複数の載置部は、第４載置部を含み、
前記複数の導波管は、前記第４載置部の下側に配置された複数の導波口と連通する第４導波管を含み、
前記複数の導波口は、
第１導波口と、
前記第１導波口よりも前記高周波発生器から離れた位置に設けられた第２導波口と、
前記電磁波の伝送方向において前記第１導波口と前記第２導波口との間に設けられた、第３導波口及び第４導波口とを含み、
前記第３導波口は、前記電磁波の伝送方向と直交する方向に前記第４導波口と並んで設けられており、
前記第４導波管の上面には、前記第１導波口、前記第２導波口、前記第３導波口及び前記第４導波口に囲まれた位置に、下へ突出する形状を有し、前記第４導波管により伝送された電磁波を、前記第１導波口と、前記第２導波口と、前記第３導波口と、前記第４導波口とに分岐させる分岐部が設けられている
請求項１記載の加熱調理器。
前記下へ突出した前記分岐部の底面は、前記分岐部の前記底面と対向する前記第４導波管の底面と平行ではない
請求項８記載の加熱調理器。
前記複数の載置部は、第５載置部を含み、
前記複数の導波管は、前記第５載置部の下側に配置された複数の導波口と連通する第５導波管を含み、
前記複数の導波口は、
第１導波口と、
前記電磁波の伝送方向と直交する方向に前記第１導波口と並んで設けられた第２導波口とを含み、
前記第５導波管内には、前記第１導波口と前記第２導波口との間に設けられ、前記電磁波の伝送方向及び上下方向に沿って延び、前記第５導波管により伝送された電磁波を前記第１導波口と前記第２導波口とに分岐させる分岐部が設けられている
請求項１記載の加熱調理器。
前記第５導波管の上面には、開口が設けられており、当該開口が前記分岐部によって仕切られて、前記第１導波口と前記第２導波口が構成されている
請求項１０記載の加熱調理器。
前記第１導波口及び前記第２導波口の、前記電磁波の伝送方向に沿った長さは、前記第５導波管の高さ寸法よりも大きく、
前記第１導波口と対向する前記第５導波管の底面及び前記第２導波口と対向する前記第５導波管の前記底面は、前記電磁波の伝送方向に沿って上昇する傾斜面を有し、
前記傾斜面の傾斜角度は、４５度以下である
請求項１０記載の加熱調理器。
前記複数の載置部は、第６載置部を含み、
前記複数の導波管は、前記第６載置部の下側に配置された複数の導波口と連通する第６導波管を含み、
前記複数の導波口は、
第１導波口と、
前記電磁波の伝送方向に前記第１導波口と並んで設けられた第２導波口とを含み、
前記第１導波口及び前記第２導波口と前記第６導波管との間には、内部に空間を有する導波管接続部が設けられており、
前記導波管接続部の下面には、前記第６導波管と連通する開口が設けられ、
前記導波管接続部の内部の前記空間には、前記開口の上に、前記第６導波管により伝送された電磁波を前記第１導波口と前記第２導波口とに分岐させる分岐部が設けられている
請求項１記載の加熱調理器。
前記開口と対向する前記第６導波管の底面は、前記電磁波の伝送方向に沿って上昇する傾斜面を有する
請求項１３記載の加熱調理器。
前記分岐部は、下から前記第１導波口に向かって上昇する斜面と、下から前記第２導波口に向かって上昇する斜面とを有する、縦断面がＶ字形状の部材である
請求項１３記載の加熱調理器。
前記複数の高周波発生器は、一部が前記加熱室の左側方に配置され、他の一部が前記加熱室の右側方に配置されている
請求項１～請求項１５のいずれか一項に記載の加熱調理器。
前記複数の高周波発生器は、一部が前記加熱室の左側方又は右側方に配置され、他の一部が前記加熱室の後方に配置されている
請求項１～請求項１５のいずれか一項に記載の加熱調理器。