JP2004320007A - 電界効果型トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 式(1)で表される有機溶媒可溶性ポルフィリン化合物の塗膜を200〜350℃の加熱により変換して得られる式(2)で表されるナフトポルフィリン化合物の結晶化膜からなる有機半導体層を有し、該有機半導体層が膜厚30〜150nm、結晶粒の最大径が1μm以上であり、かつ650nm以上に強い吸収を持つ電界効果型トランジスタ。
(式中、R1、R2は水素原子、ハロゲン原子、水酸基、または炭素数1以上12以下のアルキル基、R3は水素原子またはアリール基、Mは2個の水素原子もしくは金属原子あるいは金属酸化物を示す。)
【化1】
【選択図】 なし
Description
「Japanese Journal of Applied Physics」応用物理学会、1991年、第30巻、p.596−598 「Nature」Nature Publishing Group、1999年、第401巻、p.685−687 「Advanced Materials」WILLEY−VCH Verlag GmbH、1999年、第11巻、p.480−483
本発明は、この問題を解決するためになされたもので、電界効果移動度が大きく、簡便な方法で形成された有機半導体層を有する電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。
で表されるポルフィリン化合物の塗膜を加熱して得られる下記一般式(2)
で表されるナフトポルフィリン化合物の結晶化膜により形成する工程を有することを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法である。
また、本発明に係る電界効果型トランジスタは、下記一般式(1)
で表されるポルフィリン化合物の塗膜の加熱により得られる下記一般式(2)
で表されるナフトポルフィリン化合物の結晶化膜からなる有機半導体層を有し、該有機半導体層が、結晶粒の最大径が1μm以上であり、650nm以上に強い吸収を持つことを特徴とする電界効果型トランジスタである。
前記一般式(1)で表されるポルフィリン化合物および前記一般式(2)で表されるナフトポルフィリン化合物のMが2個の水素原子であることが好ましい。
前記有機半導体層の電界効果移動度が1×10-3cm2 /V・s以上であり、かつOn/Off比が100以上であることが好ましい。
本発明に係る電界効果型トランジスタ及びその製造方法は、下記一般式(1)
で表されるポルフィリン化合物の塗膜を加熱により変換して得られる下記一般式(2)
で表されるナフトポルフィリン化合物の結晶化膜からなる有機半導体層を有する、もしくはその工程である。
また、より高い結晶性を得るためには加熱前の塗膜を布などで軽く擦るラビング処理を行うことが好ましい。ラビング処理に使用する布はレーヨン、木綿、絹などが挙げられるが、これらに限定されない。
合成例1
ビシクロポルフィリンの合成
工程(1)
1,3−シクロヘキサジエン0.77ml(8.0mmol)、亜硝酸イソアミル1.1ml、テトラヒドロフラン50mlの混合液を還流させながら、アントラニル酸1g(7.3mmol)のTHF溶液を滴下する。その後、2時間加熱還流させ、THFを除去してからクロロホルムで抽出、蒸留水と飽和食塩水とで洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム)で精製して1,4−ジヒドロ−1,4−エタノナフタレンを得た(0.89g,5.7mmol,収率78%)。
アルゴン雰囲気下中、得られた1,4−ジヒドロ−1,4−エタノナフタレン0.156g(1mmol)、クロロホルム30ml、スルフェニルクロライド0.12ml(1.0mmol)の混合液を−78℃に冷却後、1時間攪拌する。その後、溶媒を除いた後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム)で精製し2−クロロ−1,2,3,4−テトラヒドロ−3−フェニルチオ−1,4−エタノナフタレンを得た(0.286g,0.96mmol,収率96%)。
得られた2−クロロ−1,2,3,4−テトラヒドロ−3−フェニルチオ−1,4−エタノナフタレン0.286g(0.96mmol)、クロロホルム30mlの溶液を0℃に冷却した後、75%m−クロロ過安息香酸0.51gを加えた後、室温で2時間攪拌する。その後反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、クロロホルムで抽出する。蒸留水と飽和食塩水とで洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム)で精製して2−クロロ−1,2,3,4−テトラヒドロ−3−フェニルスルフォニル−1,4−エタノナフタレンを得た(0.3g,0.91mmol,収率95%)。
得られた2−クロロ−1,2,3,4−テトラヒドロ−3−フェニルスルフォニル−1,4−エタノナフタレン0.3g(0.91mmol)、無水THF15mlの溶液を0℃に冷却した後、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン2.5mlを加え、30分攪拌する。その後、希塩酸溶液を加えてからクロロホルムで抽出し、蒸留水と飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水とで洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム)で精製して1,4−ジヒドロ−2−フェニルスルフォニル1,4−エタノナフタレンを得た(0.264g,0.89mmol,収率98%)。
アルゴン雰囲気下、得られた1,4−ジヒドロ−2−フェニルスルフォニル1,4−エタノナフタレン0.296g(1.0mmol)、イソシアノ酢酸エチル0.13ml(1.15mmol)、無水THF30mlを入れ0℃まで冷却し、tert−BuOK1.7ml(1MTHF溶液)を2時間かけて滴下した後、室温で3時間攪拌した。反応終了後、希塩酸を加えてから反応混合物を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、蒸留水、飽和食塩水の順で洗浄し無水硫酸ナトリウムで乾燥した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム)で精製し、エチル−4,9−ジヒドロ−4,9−エタノ−2H−ベンズ[f]イソインドール−1−カルボキシレートを得た(0.243g,収率91%)。
アルゴン雰囲気下、得られたエチル4,9−ジヒドロ−4,9−エタノ−2H−ベンズ[f]イソインドール−1−カルボキシレート0.243g(0.91mmol)、無水THF15mlの混合溶液を0℃まで冷却し、水素化リチウムアルミニウム粉0.10g(2.7mmol)を加え、2時間攪拌した。その後、THFを除去し、クロロホルムで抽出し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、蒸留水、飽和食塩水の順で洗浄し無水硫酸ナトリウムで乾燥した。この反応溶液を濾過、アルゴン置換、遮光し、p−トルエンスルホン酸10mgを加え16時間室温で攪拌した。さらにp−クロラニル0.11gを加え16時間室温で攪拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、蒸留水、飽和食塩水の順で洗浄し無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶液を濃縮後、アルミナカラムクロマトグラフィー(クロロホルム)と再結晶(クロロホルム/メタノール)により下記の式(3)で表わされるビシクロポルフィリンを得た(0.037g,0.045mmol,収率20%)。
ビシクロポルフィリン銅錯体の合成
前記ビシクロポルフィリン0.1g(0.12mmol)と酢酸銅二水和物0.065g(0.36mmol)のクロロホルム30ml−メタノール3ml溶液を室温で3時間攪拌した。反応溶液を蒸留水と飽和食塩水とで洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶液を濃縮後、クロロホルム/メタノールで再結晶し、下記の式(4)で表わされるビシクロポルフィリン銅錯体を得た(0.11g,0.12mmol,収率100%)。
図1に本実施例における電界効果型トランジスタの構造を示す。
まず、N型のシリコン基板をゲート電極1とした。シリコン基板表層を熱酸化して得られる5000Åの酸化シリコン膜をゲート絶縁層2とした。その上にクロム、金の順に蒸着を行い、通常の光リソグラフィー技術でソース電極3、ドレイン電極4を形成した。続いて、基板をオゾンで処理することにより表面処理をした後、この基板上に合成例1で合成したビシクロポルフィリン(式(3))の1重量%クロロホルム溶液をスピンキャストした。さらに基板を290℃で加熱して下記の式(5)からなる有機半導体層5を形成した。有機半導体層の膜厚は60nmで、光学顕微鏡を用いた観察の結果、結晶粒の最大径は2.5μmであった。
同様の製膜条件で石英基板上にナフトポルフィリン化合物からなる有機半導体層5を形成した。その膜の紫外−可視吸収スペクトルを日立製作所(製)のスペクトロフォトメーターU3310(商品名)を用いて観察すると700nm付近に吸収が観測された。
実施例1に記載のビシクロポルフィリンに代えて、合成例2で合成したビシクロポルフィリン銅錯体(式(4))を使用した以外は実施例1に準じて下記の式(6)からなる有機半導体層を形成した電界効果型トランジスタを作成した。このトランジスタの電界効果移動度は1.3×10-3cm2 /V・sであり、On/Off比は500であった。有機半導体層の膜厚は60nmで、結晶粒の最大径は2.1μmであった。
実施例1に記載のビシクロポルフィリンに代えて、市販(アルドリッチ社製)の無金属フタロシアニンの蒸着膜を有機半導体層に使用した以外は実施例1に準じて電界効果型トランジスタを作成した。蒸着膜の作製条件は以下のとおりである。基板の温度は150℃、蒸着温度は約380℃、水晶振動子から算出される膜厚及び蒸着速度はそれぞれ100nm、0.5〜1.5Å/sであった。
2 ゲート絶縁膜
3 ソース電極
4 ドレイン電極
5 有機半導体層
Claims (10)
- 有機半導体層を有する電界効果型トランジスタの製造方法であって、該有機半導体層を下記一般式(1)
で表されるポルフィリン化合物からなる塗膜を加熱して得られる下記一般式(2)
で表されるナフトポルフィリン化合物の結晶化膜により形成する工程を有することを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。 - 前記一般式(1)で示されるポルフィリン化合物の塗膜を200〜350℃の加熱により前記一般式(2)で表されるナフトポルフィリン化合物を得ることを特徴とする請求項1に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記一般式(2)で表されるナフトポルフィリン化合物からなる有機半導体層が650nm以上に強い吸収を持つことを特徴とする請求項3記載の電界効果型トランジスタ。
- 一般式(2)で表されるナフトポルフィリン化合物のR2 が水素原子であることを特徴とする請求項3または4に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記一般式(2)で表されるナフトポルフィリン化合物のR3 が水素原子であることを特徴とする請求項3乃至5のいずれかの項に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記一般式(2)で表されるナフトポルフィリン化合物のMが2個の水素原子であることを特徴とする請求項3乃至6のいずれかの項に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記一般式(2)で表されるナフトポルフィリン化合物のMが1個の銅原子であることを特徴とする請求項3乃至6のいずれかの項に記載の電界効果型トランジスタ。
- 前記有機半導体層の電界効果移動度が1×10-3cm2 /V・s以上であり、かつOn/Off比が100以上であることを特徴とする請求項3乃至8のいずれかの項に記載の電界効果型トランジスタ。
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