JP2004311496A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第一主面に複数の電極が形成された半導体素子と、第一主面に電極が露出した状態で樹脂層を形成し、電極が形成された第一主面に相対する第二主面の少なくとも一箇所に半導体素子を露出させた樹脂層を形成し、第二主面に形成された樹脂層が感光性樹脂で形成されたものである。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、電子装置の小型化、軽量化により、電子装置に組み込まれる半導体装置は高密度で実装が行われており、半導体装置には小型化、軽量化、および低価格化の要求が強くなっている。そこで、従来の半導体装置としては、表面に複数の素子電極が形成された半導体素子の外囲に素子電極を露出するように封止樹脂が形成された半導体装置があった(例えば、特許文献1参照)。図3は前記特許文献1に記載された従来の半導体装置を示すものである。図3(a)〜図3(e)は従来の半導体装置の製造工程を示す断面図であり、図3(f)は従来の半導体装置の構成を示した断面図である。図3(a)〜(e)および図3(f)を用いて従来の半導体装置およびその製造工程を説明する。
【0003】
複数の半導体素子102を形成した半導体ウェハ101の表面側に複数の素子電極104を形成し、半導体ウェハ101の背面側を切削研磨する(図3(a))。
【0004】
切削研磨された半導体ウェハ101の背面側に、所定の膜厚となるよう裏面封止樹脂105を形成する(図3(b))。
【0005】
裏面封止樹脂105にレーザー(図示せず)により製品を識別するロット番号や製品番号などのマーク106を形成する(図3(c))。
【0006】
マーキング終了後、ダイシングフレーム(支持部材)107に装着されたダイシングテープ108上に、裏面封止樹脂105が対向するように半導体ウェハ101を載置する。半導体ウェハ101をダイシングテープ108上に載置した後、ダイシングにより予め定められた切断線に沿って半導体ウェハ101に切削溝103を形成する(図3(d))。
【0007】
ダイシング終了後、ダイシングテープ108を介してダイシングフレーム107に載置された状態の半導体ウェハ101に対し、その側面(周囲面)を覆うと共に、表面側に設けられた素子電極104を露出させ、切削溝103を充填するよう表面を覆う表面封止樹脂109を形成した(図3(e))後、半導体装置110を個片に分割した(図3(f))。次に半導体装置の構成を図3(f)を用いて説明する。半導体ウェハ101の表面に複数の素子電極104が形成され、素子電極104を露出するように半導体ウェハ101とその側面部との外囲を表面封止樹脂109により封止されている。素子電極104が形成された表面に対する裏面を裏面封止樹脂105により封止されている。
【0008】
【特許文献1】
特開2001−326299号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の構成では、表面封止樹脂をレーザー照射により削り取った凹部を識別マークとしていることから、マーク部とマーク部周辺とのコントラストが弱く、マークの視認性に問題がある。また、レーザーを強く照射することでマーク部とマーク部周辺とのコントラストを強くすることも考えられる。しかしながら、識別マークの深さ以上に表面封止樹脂の厚みを確保することが必要であり、半導体装置の小型化、軽量化に限界がある。さらに、近年の小型化、軽量化された半導体装置では、レーザーを強く照射すれば半導体素子自体にダメージが加わり半導体装置の特性が不具合になるという問題があった。
【0010】
そこで本発明が解決しようとする課題は、半導体素子にダメージを与えることなく、半導体装置のマーク認識に優れた小型化、軽量化出来る半導体装置とその製造方法を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、本発明の半導体装置とその製造方法は、第一主面に複数の電極が形成された半導体素子と、第一主面に電極が露出した状態で形成された樹脂層と、電極が形成された第一主面に相対する第二主面のすくなくとも一箇所に半導体素子が露出した状態で樹脂層を形成したものであり、第二主面に形成された樹脂層が感光性樹脂で形成されたものである。
【0012】
次に、半導体ウェハの第一主面に電極を形成する電極形成工程と、第一主面に樹脂層を形成する第一主面樹脂形成工程と、第一主面と相対する第二主面に樹脂層を形成する第二主面樹脂形成工程とからなり、第二主面樹脂形成工程に識別マーク形成手段を備えた半導体装置の製造方法である。これによれば、樹脂を取り除く工程を樹脂形成の段階で行うことで、レーザーを用いずに安価に行うことができる。また、封止樹脂に感光性樹脂を用いることで非常に解像度の良いマーキングを行うことが可能になる。さらに裏面が樹脂で保護されるため、裏面に直接レーザーを用いてマーキングする方法に比べ半導体素子へのダメージが少ない。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳しく説明する。
【0014】
(実施の形態)
図1(a)は本発明に係る半導体装置を示す斜視図であり、図1(b)は図1(a)のX−X’線に沿った断面図である。図1(a)、図1(b)において、1は半導体装置、2は半導体素子、3は半導体素子2の第一主面、4は半導体素子2の第二主面、5a、5bは樹脂層、6は識別マーク、7は素子電極、8は外部電極、9はスクライブレーンである。
【0015】
以下に詳細な構成を説明する。例えば半導体ウェハ(図示せず)に形成された半導体素子2の第一主面3に素子電極7が形成されている。第一主面3には素子電極7を露出した状態でフェノール系樹脂などからなる樹脂層5aが形成され、さらに素子電極7と導通接続したCuやAuなどからなる外部電極8が設けられている。また、半導体素子2の第二主面4には半導体素子2の少なくとも一箇所を露出するようにフェノール系樹脂などからなる樹脂層5bが形成されている。このとき、半導体素子2を露出させた箇所が識別マーク6として作用する。これによれば、樹脂層5bと露出している半導体素子2のコントラストが大きくなり識別マーク6の視認性を向上するものである。また、識別マーク6を形成するために予め樹脂層5bを厚くする必要がなく半導体装置の小型化、軽量化に有効である。
【0016】
つぎに、実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。図2(a)〜(d)は本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法の工程フローに沿った断面図である。図1と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
【0017】
複数の半導体素子2が形成された半導体ウェハ(図示せず)の半導体素子2に素子電極7を形成する(図2(a)参照)。
【0018】
この半導体素子2の第一主面3に素子電極7を露出するようフォトリソグラフ法を用い、パターニングされた樹脂層5aを形成し、素子電極7を露出した開口部に印刷法、無電解めっき法またはめっき法などにより外部電極8を形成する(図2(b)参照)。
【0019】
半導体素子2の第二主面4にその一部に開口部を有する樹脂層5bをフォトリソグラフ法や印刷法の技術を用いて形成する(図2(c)参照)。このとき、樹脂層5bを形成する樹脂にはフェノール系樹脂などからなる感光性樹脂を用いている。これによれば、非常に微細なパターニングをすることが可能である。さらに、パターニングにより開口部を形成することにより、識別マーク6としての機能を有する。また、従来用いられていたレーザーによる方法を用いず識別マーク6を形成することができ、半導体素子2へレーザーによるダメージを軽減すると共に、より安価にマーキングを行うことが可能となる。また、識別マーク6形成のために樹脂層5bを厚くする必要がないので、半導体装置の小型化、軽量化に有効である。
【0020】
スクライブレーン9により所定の位置で個々の半導体装置に分割する(図2(d)参照)。
【0021】
本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、第二主面4への樹脂層5b形成と同時に識別マーク6を形成することが可能になるため製造工程の簡略化も図ることが可能である。
【0022】
以上、本発明による半導体装置とその製造方法について説明したが、本発明の思想に逸脱しない限り適宜変更可能である。
【0023】
【発明の効果】
以上のように本発明のマーキング方法は、樹脂形成工程の段階とマーキング工程とを一括して行うことができるため非常に安価な工程でマーキングを行うことが可能となる。また、レーザーによる加工が無いため、半導体素子にダメージを与えないマーキングを行うことが出来、品質の向上が可能になる。さらに、レーザーを用いて識別マークを形成するために従来のように樹脂層を厚くする必要がないので、半導体装置の小型化、軽量化に有利である。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の実施の形態による半導体装置を示す斜視図
(b)は本発明の図1(a)のX−X’に沿った断面図
【図2】(a)〜(d)は本発明の実施の形態1の半導体装置の製造方法の工程フローを示した断面図
【図3】(a)〜(f)は従来の半導体装置の製造方法の工程フローを示した断面図
【符号の説明】
1 半導体装置
2 半導体素子
3 第一主面
4 第二主面
5a 樹脂層
5b 樹脂層
6 識別マーク
7 素子電極
8 外部電極
9 スクライブレーン
101 半導体ウェハ
102 半導体素子
103 切削溝
104 素子電極
105 裏面封止樹脂
106 マーク
107 ダイシングフレーム
108 ダイシングテープ
109 封止樹脂
110 半導体装置
Claims (3)
- 第一主面に複数の電極が形成された半導体素子と、前記第一主面に前記電極が露出した状態で形成された樹脂層と、前記電極が形成された第一主面に相対する第二主面のすくなくとも一箇所に前記半導体素子が露出した状態で樹脂層が形成されたことを特徴とする半導体装置。
- 前記第二主面に形成された樹脂層が感光性樹脂からなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 半導体ウェハの第一主面に電極を形成する電極形成工程と、前記第一主面に樹脂層を形成する第一主面樹脂形成工程と、前記第一主面と相対する第二主面に樹脂層を形成する第二主面樹脂形成工程とからなり、前記第二主面樹脂形成工程に識別マーク形成手段を備えたことを特徴とした半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003099083A JP2004311496A (ja) | 2003-04-02 | 2003-04-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Publications (1)
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ID=33463644
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014033034A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
-
2003
- 2003-04-02 JP JP2003099083A patent/JP2004311496A/ja active Pending
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