JP2004302475A - 薄膜トランジスタ・アレイ基板およびアクティブマトリックス型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の活性層へ向かう光を効果的に遮断すると共に、前記活性層から周囲への熱伝導を良くして、ＴＦＴの光リーク電流を低減させる。
【解決手段】 マトリックス状に配置された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３１を含む画素マトリックス部と、ＴＦＴを含む駆動回路部とを透光性基板１上に持つ薄膜トランジスタ・アレイ基板である。画素マトリックス部のＴＦＴ３１は、当該ＴＦＴ３１と透光性基板１との間に少なくとも当該ＴＦＴ３１の活性層と重なるように形成された高熱伝導膜（第２遮光膜）５を有する。駆動回路部のＴＦＴは前記高熱伝導膜を有しない。レーザ光照射により生じるＴＦＴ３１の活性層からの熱を、高熱伝導膜５を介して周囲に伝達し、前記活性層の結晶性を低くする。【選択図】 図２

Description

本発明は、マトリックス状に配置された複数の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴともいう）を有する薄膜トランジスタ・アレイ基板（以下、ＴＦＴアレイ基板ともいう）およびそれを備えたアクティブマトリックス（active matrix）型液晶表示装置に関する。この液晶表示装置は、投射型表示装置のライトバルブとして好適に使用できるものである。

近年、壁掛け型ＴＶ（Television）や投射型ＴＶ、あるいはＯＡ（Office Automation）機器用表示装置として、液晶表示装置を用いた各種表示装置の開発が行われている。特に、能動素子であるＴＦＴをスイッチング素子として使用するアクティブマトリックス型液晶表示装置は、走査線数が増加してもコントラストや応答速度が低下しない等の利点があるため、高品位のＯＡ機器用表示装置やハイビジョンＴＶ用表示装置を実現する上で有力である。また、プロジェクタと呼ばれる投射型表示装置のライトバルブとして使用した場合には、大画面表示が容易に得られるという利点を有している。

通常、ライトバルブ用液晶表示装置では、光源から液晶表示装置に高輝度の光が入射され、入射された光が液晶表示装置を通過する際に画像情報に応じて制御される。すなわち、ＴＦＴをスイッチング駆動しながら画素毎に液晶層に電界を印加して各画素の透過率を変化させることにより、透過光の強度を調整する。そして、液晶表示装置を通過した光は、レンズなどで構成された投影用光学系を介して拡大投影される。

なお、光源は液晶表示装置の対向基板側に配置され、光学系は液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板側に配置される。そのため、液晶表示装置には、光源からの光だけでなく投影用光学系で反射した光も入射する。

アクティブマトリクス型液晶表示装置では、アモルファス・シリコン（amorphous silicon）や多結晶シリコンなどの半導体層がＴＦＴの活性層として使用されるが、この活性層へ光が照射されると、光励起によるリーク電流（すなわち、光リーク電流）が発生する。前述したように、ライトバルブ用液晶表示装置では、高輝度の光が入射するため、発生する光リーク電流も大きくなる。さらに、投射用光学系からの反射光もＴＦＴの活性層に照射されるため、光リーク電流は一層大きくなる。近年では、投射型表示装置の小型化および高輝度化が進んでおり、液晶表示装置へ入射する光の輝度が増加する傾向にあるため、この問題はより深刻なものとなっている。

そのため、従来より、ライトバルブ用アクティブマトリックス型液晶表示装置では、ＴＦＴの活性層への光の照射を防止するための遮光膜が設けられている。

図２３および図２４は、この種の従来の液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板１００の概略構成を示す。図２３は要部平面図、図２４（ａ）および（ｂ）は図２３のＧ−Ｇ線およびＨ−Ｈ線に沿った要部断面図である。なお、図２３および図２４では、一画素分の構成のみを示している。

図２３および図２４のＴＦＴアレイ基板１００は、マトリックス状に配置された複数のＴＦＴ１３１を有する透光性基板１０１を備えている。

基板１０１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜１０２を介して、タングステンシリサイド膜などからなる下部遮光膜１０３が形成されている。この下部遮光膜１０３は、マトリックスの行方向（図２３では、Ｘ方向）に沿って延在するストライプ状の部分とマトリックスの列方向（図２３では、Ｙ方向）に沿って延在するストライプ状の部分とが交差してなる格子状の平面形状を有している。下部遮光膜１０３の全体は、酸化シリコン膜１０２上に形成された酸化シリコン膜１０４で覆われている。

酸化シリコン膜１０４上には、略Ｌ字形状にパターン化された複数の多結晶シリコン膜１０７が形成されている。それらの多結晶シリコン膜１０７は、ＴＦＴ１３１の活性層として機能する。

すなわち、多結晶シリコン膜１０７の各々は、不純物がドープされていないチャネル領域１０７ｃと、不純物が低濃度にドープされたＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域１０７ｂ、１０７ｄと、不純物が高濃度にドープされたソース領域１０７ａおよびドレイン領域１０７ｅとを含んでいる。ソース領域１０７ａおよびドレイン領域１０７ｅは、チャネル領域１０７ｃを挟んで形成されている。ＬＤＤ領域１０７ｂはソース領域１０７ａとチャネル領域１０７ｃとの間に形成され、ＬＤＤ領域１０７ｄはチャネル領域１０７ｃとドレイン領域１０７ｅとの間に形成されている。

ソース領域１０７ａ、ＬＤＤ領域１０７ｂ、チャネル領域１０７ｃ、ＬＤＤ領域１０７ｄおよびドレイン領域１０７ｅは、下部遮光膜１０３と重なるように、Ｙ方向に沿って配置されている。ドレイン領域１０７ｅの一部分は、Ｘ方向に沿って延在している。多結晶シリコン膜１０７の各々は、酸化シリコン膜１０４上に形成されたゲート絶縁膜１０８で覆われている。

ゲート絶縁膜１０８上には、不純物がドープされた多結晶シリコン膜やシリサイド膜などからなる複数のゲート線１０９が形成されている。それらのゲート線１０９は、互いに平行であって、いずれもＸ方向に沿って延在している。各ゲート線１０９は、マトリックスの同じ行に属するＴＦＴ１３１のチャネル領域１０７ｃと重なるように配置され、それらのＴＦＴ１３１のゲート電極として機能する。各ゲート線１０９は、ゲート絶縁膜１０８上に形成された第１層間絶縁膜１１０で覆われている。

第１層間絶縁膜１１０上には、アルミニウム膜などからなる複数のデータ線１１１が形成されている。それらのデータ線１１１は、互いに平行であっていずれもＹ方向に沿って延在し、マトリックスの同じ列に属するＴＦＴ１３１の多結晶シリコン膜１０７と重なるように配置されている。各ＴＦＴ１３１のソース領域１０７ａ、チャネル領域１０７ｃおよびＬＤＤ領域１０７ｂ、１０７ｄの全体は、対応するデータ線１１１で覆われている。各ＴＦＴ１３１のドレイン領域１０７ｅは、対応するデータ線１１１で部分的に覆われている。各データ線１１１は、第１層間絶縁膜１１０とゲート絶縁膜１０８とを貫通するコンタクト孔１２１を介して、マトリックスの同じ列に属するＴＦＴ１３１のソース領域１０７ａに電気的に接続されている。各データ線１１１は、第１層間絶縁膜１１０上に形成された第２層間絶縁膜１１２で覆われている。

第２層間絶縁膜１１２上には、Ｘ方向およびＹ方向の各々に延在する略格子状のブラックマトリクス膜１１３が形成されている。このブラックマトリックス膜１１３は、各ゲート線１０９および各データ線１１１に重なるように配置され、ＴＦＴ１３１を覆っている。ブラックマトリックス膜１１３は、クロム膜などからなり、上部遮光膜として機能する。ブラックマトリックス膜１１３の全体は、第２層間絶縁膜１１２上に形成された第３層間絶縁膜１１４で覆われている。

第３層間絶縁膜１１４上には、略矩形状の複数の画素電極１１５が形成されている。それらの画素電極１１５は、各ゲート線１０９と各データ線１１１とによって画定された複数の画素領域１２０に各々配置されている。各画素電極１１５は、第３層間絶縁膜１１４、第２層間絶縁膜１１２、第１層間絶縁膜１１０およびゲート絶縁膜１０８を貫通するコンタクト孔１２２を介して、対応するＴＦＴ１３１のドレイン領域１０７ｅに電気的に接続されている。

上記の構成を持つ従来のＴＦＴアレイ基板１００を備えた液晶表示装置では、ＴＦＴアレイ基板１００に対向して配置された対向基板（図示せず）の表面側から入射した光をブラックマトリックス膜１１３が遮断する。また、ＴＦＴアレイ基板１００の裏面側から入射した光を下部遮光膜１０３が遮断する。

しかしながら、ＴＦＴアレイ基板１００の裏面側から入射した光がＴＦＴ１３１のＬＤＤ領域１０７ｂ、１０７ｄやチャネル領域１０７ｃに照射されるのを十分に防止できないという問題がある。

すなわち、図２５に示すように、対向基板の表面側からの光Ｌ１０１は、ブラックマトリックス膜１１３で遮断されるか、あるいは下部遮光膜１０３で反射されることなくＴＦＴアレイ基板１００を通過する。そのように、ブラックマトリックス膜１１３の幅、下部遮光膜１０３の幅、ブラックマトリックス膜１１３と下部遮光膜１０３との間隔などが設定されている。また、ＴＦＴアレイ基板１００の裏面側から下部遮光膜１０３に向かう光Ｌ１０２は、下部遮光膜１０３で遮断される。

ところが、図２５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１００の裏面側からブラックマトリックス膜１１３に向かう光Ｌ１０３は、ブラックマトリックス膜１１３で反射した後、下部遮光膜１０３へ向かい、下部遮光膜１０３とデータ線１１１との間で多重反射してＬＤＤ領域１０７ｂに照射される。さらに、ＴＦＴアレイ基板１００の裏面側からデータ線１１１に向かう光Ｌ１０４は、下部遮光膜１０３とデータ線１１１との間で多重反射してＬＤＤ領域１０７ｂに照射される。同様に、ＬＤＤ領域１０７ｄにも、多重反射した光が照射される。実際には、図２５に示すようなＬ１０３、Ｌ１０４だけでなく、様々な角度や方向の光がＴＦＴアレイ基板１００の裏面側から入射されるので、上記の多重反射によってチャネル領域１０７ｃにも光が照射される。

そこで、このような問題が生じないように、従来より種々の改良がなされている。

例えば、特開２０００−１８０８９９号公報には、下部遮光膜の端部をテーパ形状にした液晶表示装置が開示されている。この液晶表示装置では、下部遮光膜の幅とデータ線の幅を適宜に設定することにより、ＴＦＴアレイ基板の裏面側から入射した光が遮断されて、ＴＦＴのチャネル領域への光の照射が防止される。

また、特開２０００−３５６７８７号公報には、ＴＦＴのチャネル領域の近傍において、下部遮光膜を覆う絶縁膜にダミー・コンタクト孔を形成し、その内部に配線材料の膜を充填した液晶表示装置が開示されている。この液晶表示装置では、ダミー・コンタクト孔の内部に充填された配線材料の膜がＴＦＴアレイ基板の裏面側から入射する光を遮断するので、ＴＦＴのチャネル領域への光の照射が防止される。

なお、一般に、ブラックマトリックス膜をＴＦＴアレイ基板に形成する場合と、対向基板に形成する場合とがある。ブラックマトリックス膜を対向基板に形成する場合、ＴＦＴアレイ基板と対向基板との重ね合わせ精度を考慮すると、ブラックマトリックス膜とＴＦＴとの間に１０μｍ程度の位置合わせ誤差を見込む必要がある。そのため、ブラックマトリックスの幅を大きくしなければならない。したがって、開口率を大きくできないという欠点がある。

これに対し、ブラックマトリックス膜をＴＦＴアレイ基板に形成する場合には、半導体装置の製造工程を利用することで、ブラックマトリックス膜とＴＦＴとの間の位置合わせ精度を高めることができる。したがって、図２３および図２４のＴＦＴアレイ基板１００のように、ＴＦＴアレイ基板にブラックマトリックス膜を形成する方法が主流となりつつある。
特開２０００−１８０８９９号公報 特開２０００−３５６７８７号公報

上述したように、図２３および図２４の従来のＴＦＴアレイ基板１００を備えた液晶表示装置では、ＴＦＴアレイ基板１００の裏面側から入射した光の一部が、ＴＦＴ１３１のＬＤＤ領域１０７ｂ、１０７ｄやチャネル領域１０７ｃに照射されしまう。したがって、光リーク電流が増加して、コントラストの低下や画質の不均一性を生じさせるという問題がある。

特開２０００−１８０８９９号公報に開示された液晶表示装置では、下部遮光膜の端部をテーパ形状に加工するための製造工程が必要となるため、製造工程が複雑になるという問題がある。

特開２０００−３５６７８７号公報に開示された液晶表示装置では、下部遮光膜を覆う絶縁膜にダミー・コンタクト孔を形成し、その内部に配線材料の膜を充填するための製造工程が必要である。そのため、特開２０００−１８０８９９号公報の液晶表示装置と同様に、製造工程が複雑になるという問題がある。

さらに、特開２０００−１８０８９９号公報および特開２０００−３５６７８７号公報の液晶表示装置では、高輝度化された投射型表示装置のライトバルブに使用した場合、ＴＦＴの活性層に向かう光を十分に遮断することは困難である。

本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みなされたものである。すなわち、本発明の目的は、薄膜トランジスタの活性層へ向かう光を効果的に遮断して薄膜トランジスタの光リーク電流を低減できると共に、複雑な製造工程を必要とせず容易に製造できる薄膜トランジスタ基板およびアクティブマトリックス型液晶表示装置を提供することにある。

本発明の他の目的は、コントラストや画質の均一性を高めることのできる薄膜トランジスタ・アレイ基板およびアクティブマトリックス型液晶表示装置を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、以下の説明から明らかになる。

（１） 本発明の第１の観点の薄膜トランジスタ・アレイ基板は、
マトリックス状に配置された薄膜トランジスタを含む画素マトリックス部と、薄膜トランジスタを含む駆動回路部とを透光性基板上に有する薄膜トランジスタ・アレイ基板であって、
前記画素マトリックス部の薄膜トランジスタは、当該薄膜トランジスタと前記透光性基板との間に少なくとも当該薄膜トランジスタの活性層と重なるように形成された高熱伝導膜を有しており、
前記駆動回路部の薄膜トランジスタは、前記高熱伝導膜を有していない
ことを特徴とするものである。

（２） 本発明の第１の観点の薄膜トランジスタ・アレイ基板では、前記画素マトリックス部にある薄膜トランジスタが前記高熱伝導膜を持ち、前記駆動回路部の薄膜トランジスタが前記高熱伝導膜を持っていない。このため、レーザ・アニール工程でレアモルファス・シリコン膜にーザ光を照射して結晶化することにより前記薄膜トランジスタの活性層を形成する際に、発生する熱は、前記駆動回路部の薄膜トランジスタに比べて、前記画素マトリックス部にある前記薄膜トランジスタでは早く周囲に伝達されることになる。その結果、前記駆動回路部の薄膜トランジスタに比べると、前記画素マトリックス部の薄膜トランジスタでは結晶性の低いポリシリコン膜が得られ、光リーク電流を低減することができる。これは、コントラストや画質の均一性の向上につながる。他方、前記駆動回路部の薄膜トランジスタには、高い移動度を持たせることができる。

しかも、特開２０００−１８０８９９号公報および特開２０００−３５６７８７号公報に開示された従来の液晶表示装置のような複雑な製造工程を必要とせず、容易に製造できる。

（３） 本発明の第１の観点の薄膜トランジスタ・アレイ基板の好ましい例では、前記画素マトリックス部の薄膜トランジスタの活性層が、レーザ照射により結晶化させた半導体から形成される。

本発明の第１の観点の薄膜トランジスタ・アレイ基板の他の好ましい例では、前記高熱伝導膜と前記活性層の間に存在する絶縁膜の厚さが、１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内にある。当該絶縁膜の厚さは、１５０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内にあるのがより好ましい。

本発明の第１の観点の薄膜トランジスタ・アレイ基板の他の好ましい例では、前記高熱伝導膜が遮光膜とされる。遮光効果が良好になるからである。この場合、その遮光膜が、照射された光を吸収可能であるのが好ましい。遮光効果がいっそう良好になるからである。

本発明の第１の観点の薄膜トランジスタ・アレイ基板の他の好ましい例では、前記高熱伝導膜と前記透光性基板の間に設けられた遮光膜をさらに有している。遮光効果がさらに改善されるからである。

前記高熱伝導膜は、シリコン膜またはシリコンを含む材料の膜で形成されるのが好ましい。この場合、光リーク電流を効率よく低減できる。前記遮光膜が不純物が導入されたシリコン膜で形成されてもよい。この場合、導電性を持つ遮光膜を容易に実現できる。

（４） 本発明の第２の観点のアクティブマトリックス型液晶表示装置は、
上記（１）または（３）に記載のいずれかの薄膜トランジスタ・アレイ基板と、
前記薄膜トランジスタ・アレイ基板に対向して配置された対向基板と、
前記薄膜トランジスタ・アレイ基板と前記対向基板との間に設けられた液晶層とを備える。

（５） 本発明の第２の観点のアクティブマトリックス型液晶表示装置では、本発明の第１の観点の薄膜トランジスタ・アレイ基板の場合と同じ理由により、その薄膜トランジスタ・アレイ基板の場合と同じ効果が得られる。

本発明の薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置によれば、薄膜トランジスタの活性層へ向かう光を効果的に遮断できる。したがって、薄膜トランジスタの光リーク電流が低減し、その結果、コントラストや画質の均一性が高められる。しかも、複雑な製造工程を必要とせず、容易に製造できる。

以下、本発明の好適な実施の形態について添付図面を参照しながら説明する。
（第１実施形態）
図１および図２は、本発明の第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０の概略構成を示す。図１は要部平面図、図２（ａ）および（ｂ）は図１のＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ線に沿った要部断面図である。この基板上には、画素マトリックス部と共に駆動回路部が形成されており（図２２参照）、以下の説明は画素マトリックス部のＴＦＴについてのものである。駆動回路部のＴＦＴは、第２遮光層を有していない。

なお、図１および図２では、一画素分の構成を示している。この点については、後述する他の実施形態についても同様である。

図１および図２のＴＦＴアレイ基板３０は、マトリックス状に配置された複数のＴＦＴ３１を有する透光性基板１を備えている。この基板１は、ガラスなどの絶縁性を持つ材料で形成されている。

基板１の表面全体には、酸化シリコン膜（ＳｉＯ₂）２が形成されている。この酸化シリコン膜２は、基板１に含まれる重金属の拡散を防止するためのものである。

酸化シリコン膜２上には、マトリックスの行方向（図１では、Ｘ方向）に沿って延在するストライプ状の第１部分３ａとマトリックスの列方向（図１では、Ｙ方向）に沿って延在するストライプ状の第２部分３ｂとが交差してなる格子状の第１遮光膜３が形成されている。この第１遮光膜３は、光透過率の低い材料（例えば、タングステンシリサイド）で形成され、ＴＦＴアレイ基板３０の裏面側から直接入射する光を十分に遮断可能な膜厚を有している。第１遮光膜３の全体は、酸化シリコン膜２上に形成された酸化シリコン膜４で覆われている。

酸化シリコン膜４上には、光の吸収が可能なアモルファス・シリコン膜からなる複数の第２遮光膜５が形成されている。それらの第２遮光膜５の各々は、Ｘ方向に沿って延在するストライプ状の第１部分５ａと、Ｙ方向に沿って延在し且つＸ方向に沿って配置された互いに平行な複数の第２部分５ｂとを有している。第２遮光膜５の第１部分５ａの各々は互いに平行である。第２遮光膜５の第２部分５ｂの各々は矩形状である。第２遮光膜５の各々は、第１遮光膜３と重なるように配置され、酸化シリコン膜４上に形成された酸化シリコン膜６で覆われている。

この実施例では、第２遮光膜５が高熱伝導膜として機能する。

酸化シリコン膜６上には、略Ｌ字形状にパターン化された複数の多結晶シリコン膜７が形成されている。それらの多結晶シリコン膜７は、後述するゲート線９とデータ線１１との交差点下に各々配置されている。多結晶シリコン膜７の各々は、ＴＦＴ３１の活性層として機能する。

すなわち、多結晶シリコン膜７の各々は、不純物がドープされていないチャネル領域７ｃと、不純物が低濃度にドープされたＬＤＤ領域７ｂ、７ｄと、不純物が高濃度にドープされたソース領域７ａおよびドレイン領域７ｅとを含んでいる。ソース領域７ａおよびドレイン領域７ｅは、チャネル領域７ｃを挟んで形成されている。ＬＤＤ領域７ｂはソース領域７ａとチャネル領域７ｃとの間に形成され、ＬＤＤ領域７ｄはチャネル領域７ｃとドレイン領域７ｅとの間に形成されている。

ソース領域７ａ、ＬＤＤ領域７ｂ、チャネル領域７ｃ、ＬＤＤ領域７ｄおよびドレイン領域７ｅは、第１および第２の遮光膜３、５と重なるように、Ｙ方向に沿って配置されている。ドレイン領域７ｅの一部分は、Ｘ方向に沿って延在している。多結晶シリコン膜７の各々は、酸化シリコン膜６上に形成されたゲート絶縁膜８で覆われている。

ゲート絶縁膜８上には、不純物がドープされた多結晶シリコン膜やシリサイド膜などからなる複数のゲート線９が形成されている。それらのゲート線９は、互いに平行であって、いずれもＸ方向に沿って延在している。各ゲート線９は、マトリックスの同じ行に属するＴＦＴ３１のチャネル領域７ｃと重なるように配置され、それらのＴＦＴ３１のゲート電極として機能する。各ゲート線９は、ゲート絶縁膜８上に形成された第１層間絶縁膜１０で覆われている。

第１層間絶縁膜１０上には、アルミニウム膜などからなる複数のデータ線１１が形成されている。それらのデータ線１１は、互いに平行であっていずれもＹ方向に沿って延在し、マトリックスの同じ列に属するＴＦＴ３１の多結晶シリコン膜７と重なるように配置されている。各ＴＦＴ３１のソース領域７ａ、チャネル領域７ｃおよびＬＤＤ領域７ｂ、７ｄの全体は、対応するデータ線１１で覆われている。各ＴＦＴ３１のドレイン領域７ｅは、対応するデータ線１１で部分的に覆われている。各データ線１１は、第１層間絶縁膜１０とゲート絶縁膜８とを貫通するコンタクト孔２１を介して、マトリックスの同じ列に属するＴＦＴ３１のソース領域７ａに電気的に接続されている。各データ線１１は、第１層間絶縁膜１０上に形成された第２層間絶縁膜１２で覆われている。

第２層間絶縁膜１２上には、Ｘ方向およびＹ方向の各々に延在する略格子状のブラックマトリクス膜１３が形成されている。このブラックマトリックス膜１３は、各ゲート線９および各データ線１１に重なるように配置され、ＴＦＴ３１を覆っている。ブラックマトリックス膜１３は、クロム膜などからなり、第３遮光膜として機能する。ブラックマトリックス膜１３の全体は、第２層間絶縁膜１２上に形成された第３層間絶縁膜１４で覆われている。

第３層間絶縁膜１４上には、略矩形状の複数の画素電極１５が形成されている。それらの画素電極１４は、各ゲート線９と各データ線１１とによって画定された複数の画素領域２０に各々配置されている。各画素電極１５は、第３層間絶縁膜１４、第２層間絶縁膜１２、第１層間絶縁膜１０およびゲート絶縁膜８を貫通するコンタクト孔２２を介して、対応するＴＦＴ３１のドレイン領域７ｅに電気的に接続されている。

上記の構成を持つＴＦＴアレイ基板３０を備えた液晶表示装置では、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板３０に対向して配置された対向基板（図示せず）の表面側から入射した光Ｌ１は、ブラックマトリックス膜１３により遮断されるか、あるいは第１遮光膜３で反射されることなくＴＦＴアレイ基板３０を通過する。そのように、ブラックマトリックス膜１３の幅、第１遮光膜３の幅、ブラックマトリックス膜１３と第１遮光膜３との間隔などが設定されている。

他方、ＴＦＴアレイ基板３０の裏面側から入射して第１遮光膜３に向かう光Ｌ２は、第１遮光膜３で遮断される。ＴＦＴアレイ基板３０の裏面側から入射してブラックマトリックス膜１３に向かう光Ｌ３は、ブラックマトリックス膜１３で反射された後に、第１遮光膜３とＴＦＴ３１との間に設けられた第２遮光膜５に照射される。あるいは、ブラックマトリックス膜１３と第１遮光膜３とで反射された後に、第２遮光膜５に照射される。さらに、ＴＦＴアレイ基板３０の裏面側から入射してデータ線１１に向かう光Ｌ４は、データ線１１で反射された後に第２遮光膜５に照射される。上述したように、第２遮光膜５は、光を吸収可能なアモルファス・シリコン膜からなる。そのため、第２遮光膜５に照射されたこれらの光は、第２遮光膜５により吸収される。

このように、ＴＦＴアレイ基板３０の裏面側からの光が直接あるいはブラックマトリックス膜１３で反射されて第１遮光膜３とデータ線１１との間に入射しても、その光は第２遮光膜５で吸収される。したがって、ＴＦＴ３１のチャネル領域７ｃおよびＬＤＤ領域７ｂ、７ｄへ向かう光は、効果的且つ確実に遮断される。

なお、チャネル領域７ｃはゲート線９で覆われているため、チャネル領域７ｃへ向かう光を遮断する作用がさらに高められる。

一般に、シリコン膜は、緑色や青色の波長に対する光吸収率が高く、赤色の波長に対する光吸収率が低いという分光吸収特性を持つ。この点に関しては、第２遮光膜５を形成するアモルファス・シリコン膜や多結晶シリコン膜７においても同様である。周知の通り、ＴＦＴ３１の光リーク電流は活性層である多結晶シリコン膜７が光を吸収することによって生じるので、光リーク電流の大きさは照射される光の波長に応じて変化する。そのため、多結晶シリコン膜７と同じ傾向の分光吸収特性を持つアモルファス・シリコン膜で第２遮光膜５を形成することにより、光リーク電流を効率良く低減できる。

また、高輝度の光がＴＦＴアレイ基板３０に入射する場合、第２遮光膜５の光吸収により生じる発熱でＴＦＴ３１近傍の温度上昇が起こる。上述したように、第２遮光膜５による赤色の波長の光吸収が低いので、その分だけＴＦＴ３１近傍の温度上昇が抑制されるという利点もある。

なお、アモルファス・シリコン膜以外にも、結晶化成分を有する微結晶シリコン膜や多結晶シリコン膜などを使用しても、アモルファス・シリコン膜の場合とほぼ同様の効果が得られる。さらには、シリコンを含むシリサイド膜などについても同様である。

次に、図１および図２のＴＦＴアレイ基板３０の製造方法について、図４〜８を参照しながら説明する。

まず、図４に示すように、一般的なＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、透光性基板１の表面全体に酸化シリコン膜２を堆積する。次に、酸化シリコン膜２上にタングステンシリサイド膜（図示せず）を形成し、一般的なフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、そのタングステンシリサイド膜をパターン化することにより、第１遮光膜３を形成する。その後、ＣＶＤ法により酸化シリコン膜２上に酸化シリコン膜４を堆積し、第１遮光膜３の全体を酸化シリコン膜４で覆う。

続いて、減圧化学気相成長（Low Pressure Chemical Vapor Deposition、ＬＰＣＶＤ）法やプラズマ化学気相成長（Plasma Chemical Vapor Deposition、ＰＣＶＤ）法などを使用して、酸化シリコン膜４上にアモルファス・シリコン膜（図示せず）を堆積し、そのアモルファス・シリコン膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターン化する。こうして、酸化シリコン膜４上に複数の第２遮光膜５を形成する。

次に、図５に示すように、ＣＶＤ法により酸化シリコン膜４上に酸化シリコン膜６を堆積し、第２遮光膜５の各々を酸化シリコン膜６で覆う。続いて、ＬＰＣＶＤ法やＰＣＶＤ法などにより酸化シリコン膜６上にアモルファス・シリコン膜（図示せず）を堆積した後、そのアモルファス・シリコン膜をレーザ・アニール法などにより結晶化させる。さらに、その結晶化した膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターン化する。こうして、ＴＦＴ３１の活性層として機能する複数の多結晶シリコン膜７を酸化シリコン膜４上に形成する。

次に、図６に示すように、ＣＶＤ法により酸化シリコン膜６上に酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜８を形成し、多結晶シリコン膜７の各々をゲート絶縁膜８で覆う。さらに、不純物のドープされた多結晶シリコン膜（図示せず）とシリサイド膜（図示せず）とをその順にゲート絶縁膜８上に形成した後、それらの膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターン化して複数のゲート線９を形成する。

続いて、ゲート線９の各々をマスクに使用して、多結晶シリコン膜７の各々に低濃度の不純物を選択的にドープする。さらに、パターン化されたフォトレジスト膜（図示せず）をマスクとして、多結晶シリコン膜７の各々に高濃度の不純物を選択的にドープする。こうして、多結晶シリコン膜７の各々にソース領域７ａ、ＬＤＤ領域７ｂ、７ｄ、チャネル領域７ｃおよびドレイン領域７ｅを形成する。

次に、図７に示すように、ＣＶＤ法によりゲート絶縁膜８上に酸化シリコン膜からなる第１層間絶縁膜１０を形成し、ゲート線９の各々を第１層間絶縁膜１０で覆う。その後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により第１層間絶縁膜１０とゲート絶縁膜８とを選択的に除去し、ソース領域７ａを露出するコンタクト孔２１を形成する。続いて、スパッタ法などにより第１層間絶縁膜１０上にアルミニウム膜（図示せず）を形成し、そのアルミニウム膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターン化して複数のデータ線１１を形成する。データ線１１の各々は、コンタクト孔２１の内部にも形成されて、ソース領域２１に電気的に接続される。

次に、図８に示すように、ＣＶＤ法により第１層間絶縁膜１０上に酸化シリコン膜からなる第２層間絶縁膜１２を形成し、データ線１１の各々を第２層間絶縁膜１２で覆う。続いて、第２層間絶縁膜１２上にスパッタ法などによりクロム膜（図示せず）を形成し、そのクロム膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターン化してブラックマトリックス膜（すなわち、第３遮光膜）１３を形成する。その後、ＣＤＶ法により第２層間絶縁膜１２上に酸化シリコン膜からなる第３層間絶縁膜１４を形成して、ブラックマトリックス膜１３を第３層間絶縁膜１４で覆う。

次に、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、第３層間絶縁膜１４と第２層間絶縁膜１２と第１層間絶縁膜１０とゲート絶縁膜８とを選択的に除去し、ドレイン領域７ｅを露出するコンタクト孔２２を形成する。さらに、第３層間絶縁膜１４上にＩＴＯ（Indium Thin Oxide）膜（図示せず）を形成し、そのＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターン化して複数の画素電極１５を形成する。画素電極１５の各々は、コンタクト孔２２の内部にも形成されて、ドレイン領域７ｅに電気的に接続される。

上記の工程により、図１および図２に示すＴＦＴアレイ基板３０が得られる。

このように、ＴＦＴアレイ基板３０の製造工程は単純なものであり、容易にＴＦＴアレイ基板３０を製造することができる。

以上述べたように、この第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０では、透光性基板１とＴＦＴ３１との間に第１遮光膜３が設けられ、第１遮光膜３とＴＦＴ３１との間に第２遮光膜５が設けられる。第１および第２の遮光膜３、５は多結晶シリコン膜７（すなわち、ＴＦＴ３１の活性層）と重なるように配置され、第２遮光膜５は照射された光を吸収可能である。

そのため、ＴＦＴアレイ基板３０の裏面側から入射した光がブラックマトリックス膜１３やデータ線１１で反射され、さらに第１遮光膜３で反射されても、それらの反射光はいずれも第２遮光膜５に照射されることになる。そして、その照射された光を第２遮光膜５が吸収するので、ＴＦＴ３１のチャネル領域７ｃおよびＬＤＤ領域７ｂ、７ｄへ向かう光が効果的に遮断される。したがって、光リーク電流が低減し、その結果、液晶表示装置のコントラストや画質の均一性が高められる。

さらに、特開２０００−１８０８９９号公報および特開２０００−３５６７８７号公報に開示された従来の液晶表示装置のような複雑な製造工程を必要とせず、容易に製造できる。

第１遮光膜３と第２遮光膜５の間の絶縁膜の厚さと、第２遮光膜５と活性層７との間の絶縁膜の厚さは、本発明において重要なパラメータである。特に、第２遮光膜５と活性層７との間の絶縁膜の厚さが重要である。第２遮光膜５と活性層７との間の絶縁膜の厚さが小さいほど、遮光効果は大きい。実験によれば、これを５００ｎｍ以下とすることにより、顕著な遮光効果が得られることが判明した。

また、第２遮光膜５と活性層７との間の絶縁膜の厚さが小さくなると、ＴＦＴ３１のトランジスタ特性が影響を受け、さらに、活性層７を作製するためにアモルファス・シリコン膜をレーザ・アニール法で結晶化するプロセスも影響を受けることも判明した。そこで、本発明の遮光効果を得るには、第２遮光膜５と活性層７との間の絶縁膜の厚さは５００ｎｍ〜１００ｎｍの範囲が好適であり、１５０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲がより好適であることが分かった。これは、後述する他の実施形態においても同様である。

（第２実施形態）
図９および図１０は、本発明の第２実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ａの概略構成を示す。図９は要部平面図、図１０（ａ）および（ｂ）は図９のＣ−Ｃ線およびＤ−Ｄ線に沿った要部断面図である。

図９および図１０のＴＦＴアレイ基板３０Ａは、第２遮光膜５Ａが導電性を有し且つ対応するゲート線９に電気的に接続されている点で、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０と異なっている。それ以外の構成は、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０のそれと同じである。よって、図９および図１０において第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０と同一または対応する構成要素に図１および図２と同じ符号を付して、同一構成の部分についての説明は省略する。

ＴＦＴアレイ基板３０Ａでは、不純物の導入された多結晶シリコン膜からなる複数の第２遮光膜５Ａが酸化シリコン膜４上に形成されている。それらの第２遮光膜５Ａの各々は、マトリックスの行方向（図９では、Ｘ方向）に沿って延在するストライプ状の第１部分５Ａａと、マトリックスの列方向（図９では、Ｙ方向）に沿って延在し且つＸ方向に沿って配置された互いに平行な複数の第２部分５Ａｂとを有している。第２遮光膜５Ａの第１部分５Ａａの各々は互いに平行である。第２遮光膜５Ａの第２部分５Ａｂの各々は矩形状である。第２遮光膜５Ａの各々は第１遮光膜３と重なるように配置され、第２遮光膜５Ａの第２部分５Ａｂの各々が多結晶シリコン膜７と重なっている。

また、第２遮光膜５Ａの各々は、対応するゲート線９に内部配線４１を介して電気的に接続されている。そのため、ゲート線９がＴＦＴ３１の第１ゲート電極として機能すると共に、第２遮光膜５ＡがＴＦＴ３１の第２ゲート電極として機能する。すなわち、ＴＦＴ３１がデュアル・ゲート型電界効果トランジスタとして動作する。

このように、第２遮光膜５ＡをＴＦＴ３１の第２ゲート電極として使用した場合、ＴＦＴ３１の電極間容量が増加する。そこで、第２遮光膜５Ａの第２部分５Ａｂの長さ（すなわち、Ｙ方向に沿った長さ）Ｌを小さすることで、ＴＦＴ３１の電極間容量の増加を抑制している。

すなわち、第２遮光膜５Ａの第２部分５Ａｂは、ＴＦＴ３１のチャネル領域７ｃおよびＬＤＤ領域７ｂ、７ｄと重なるが、ＴＦＴ３１のソース領域７ａおよびドレイン領域７ｅとほとんど重ならない。第２遮光膜５Ａの第２部分５Ａｂをこのように形成することで、ＴＦＴ３１のチャネル領域７ｃおよびＬＤＤ領域７ｂ、７ｄへ向かう光を遮断する効果を維持しながら、ＴＦＴ３１の電極間容量の増加を実用上問題のない程度にすることができる。

なお、ＴＦＴアレイ基板３０Ａは、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０とほぼ同様の製造方法により製造される。

この第２実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ａでは、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０と同様の効果が得られる。すなわち、ＴＦＴ３１のチャネル領域７ｃおよびＬＤＤ領域７ｂ、７ｄへ向かう光が効果的に遮断される。したがって、光リーク電流が低減し、その結果、液晶表示装置のコントラストや画質の均一性が高められる。しかも、複雑な製造工程を必要とせず、容易に製造できる。

さらに、第２実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ａでは、ＴＦＴ３１がデュアル・ゲート型電界効果トランジスタとして動作するため、優れたオン／オフ特性が得られるという利点がある。

（第３実施形態）
図１１は、本発明の第３実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｂの概略構成を示す要部平面図である。

図１１のＴＦＴアレイ基板３０Ｂは、１つの第２遮光膜５Ｂが設けられ、且つ第２遮光膜５Ｂに定電圧Ｖ_Cが供給されている点で、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０と異なっている。それ以外の構成は、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０のそれと同じである。よって、図１１において第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０と同一または対応する構成要素に図１および図２と同じ符号を付して、同一構成の部分についての説明は省略する。

ＴＦＴアレイ基板３０Ｂでは、第２遮光膜５Ｂが不純物の導入された多結晶シリコン膜からなる。そして、第２遮光膜５Ｂは、マトリックスの行方向（図１１では、Ｘ方向）に沿って延在するストライプ状の複数の第１部分５Ｂａと、マトリックスの列方向（図１１では、Ｙ方向）に沿って延在するストライプ状の複数の第２部分５Ｂｂとを有している。第２遮光膜５Ｂの第１部分５Ｂａの各々は互いに平行であり、第２遮光膜５Ｂの第２部分５Ｂｂの各々は互いに平行である。そして、第２遮光膜５Ｂの第１部分５Ｂａと第２部分５Ｂｂは、互いに交差して格子状の平面形状を形成している。第２遮光膜５Ｂは第１遮光膜３と重なるように配置され、第２遮光膜５Ｂの第２部分５Ｂｂの各々が多結晶シリコン膜７と重なっている。

また、第２遮光膜５Ｂには、外部端子５１を介して定電圧Ｖ_Cが供給されている。この定電圧Ｖ_Cは、第２遮光膜５Ｂを一定電位にバイアスする。そのため、定電圧Ｖ_Cの電圧値を調整することにより、ＴＦＴ３１の特性を制御することができる。

なお、ＴＦＴアレイ基板３０Ｂは、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０とほぼ同様の製造方法により製造される。

この第３実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｂでは、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０と同様の効果が得られる。すなわち、ＴＦＴ３１のチャネル領域７ｃおよびＬＤＤ領域７ｂ、７ｄへ向かう光が効果的に遮断される。したがって、光リーク電流が低減し、その結果、液晶表示装置のコントラストや画質の均一性が高められる。しかも、複雑な製造工程を必要とせず、容易に製造できる。

さらに、第３実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｂでは、第２遮光膜５Ｂに供給される定電圧Ｖ_Cを調整することにより、ＴＦＴ３１の特性を制御できるという利点がある。

（第４実施形態）
図１２および図１３は、本発明の第４実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｃの概略構成を示す。図１２は要部平面図、図１３（ａ）および（ｂ）は図１２のＥ−Ｅ線およびＦ−Ｆ線に沿った要部断面図である。

図１２および図１３のＴＦＴアレイ基板３０Ｃは、ＴＦＴ３１がデータ線１１で覆われていない形態のＴＦＴアレイ基板に本発明を適用したものである。

すなわち、ＴＦＴ３１の活性層として機能する複数の多結晶シリコン膜７’がマトリックスの行方向に沿って延在すると共に、それらの多結晶シリコン膜７’と重なるように第１遮光膜３’、第２遮光膜５’およびブラックマトリックス膜１３’が形成され、且つＴＦＴ３１がゲート線９に電気的に接続されたゲート電極９ａを有している。そして、それ以外の構成は、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０のそれと同じである。よって、図１２および図１３において第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０と同一または対応する構成要素に図１および図２と同じ符号を付して、同一構成の部分についての説明は省略する。

図１２および図１３のＴＦＴアレイ基板３０Ｃでは、酸化シリコン膜２上に形成された第１遮光膜３’が、マトリックスの行方向（図１２では、Ｘ方向）に沿って延在するストライプ状の第１部分３ａ’と、マトリックスの列方向（図１２では、Ｙ方向）に沿って延在するストライプ状の第２部分３ｂ’と、対応する画素領域２０に向かって突出する第３部分３ｃ’とを有している。そして、それらの第１、第２および第３の部分３ａ’、３ｂ’、３ｃ’により、略格子状の平面形状が形成されている。この第１遮光膜３’は、光透過率の低い材料（例えば、タングステンシリサイド）で形成され、ＴＦＴアレイ基板３０Ｃの裏面側から直接入射する光を十分に遮断可能な膜厚を有している。第１遮光膜３’の全体は、酸化シリコン膜２上に形成された酸化シリコン膜４で覆われている。

酸化シリコン膜４上には、光の吸収が可能なアモルファス・シリコン膜からなる複数の第２遮光膜５Ｃが形成されている。それらの第２遮光膜５Ｃの各々は、Ｘ方向に沿って延在するストライプ状の第１部分５Ｃａと、Ｙ方向に沿って延在し且つＸ方向に沿って配置された互いに平行な複数の第２部分５Ｃｂとを有している。第２遮光膜５Ｃの第１部分５Ｃａの各々は互いに平行である。第２遮光膜５Ｃの第２部分５Ｃｂの各々は、矩形状であり、対応する画素領域２０側に突出している。第２遮光膜５Ｃの各々は、第１遮光膜３’と重なるように配置され、酸化シリコン膜４上に形成された酸化シリコン膜６で覆われている。

酸化シリコン膜６上には、略矩形状にパターン化された複数の多結晶シリコン膜７’が形成されている。それらの多結晶シリコン膜７’は、ゲート線９とデータ線１１との交差点の各々の近傍に配置されている。多結晶シリコン膜７’の各々は、ＴＦＴ３１の活性層として機能する。

すなわち、多結晶シリコン膜７’の各々は、不純物がドープされていないチャネル領域７ｃ’と、不純物が低濃度にドープされたＬＤＤ領域７ｂ’、７ｄ’と、不純物が高濃度にドープされたソース領域７ａ’およびドレイン領域７ｅ’とを含んでいる。ソース領域７ａ’およびドレイン領域７ｅ’は、チャネル領域７ｃ’を挟んで形成されている。ＬＤＤ領域７ｂ’はソース領域７ａ’とチャネル領域７ｃ’との間に形成され、ＬＤＤ領域７ｄ’はチャネル領域７ｃ’とドレイン領域７ｅ’との間に形成されている。

ソース領域７ａ’、ＬＤＤ領域７ｂ’、チャネル領域７ｃ’、ＬＤＤ領域７ｄ’およびドレイン領域７ｅ’は、第１および第２の遮光膜３’、５Ｃと重なるように、Ｘ方向に沿って配置されている。多結晶シリコン膜７’の各々は、酸化シリコン膜６上に形成されたゲート絶縁膜８で覆われている。

ゲート絶縁膜８上には、各ＴＦＴ３１に対応する複数のゲート電極９ａと、互いに平行であっていずれもＸ方向に沿って延在する複数のゲート線９とが形成されている。それらのゲート電極９ａおよびゲート線９は、不純物がドープされた多結晶シリコン膜やシリサイド膜などからなる。各ゲート電極９ａは、Ｙ方向に沿って延在し、互いに平行である。そして、各ゲート電極９ａは、対応するＴＦＴ３１のチャネル領域７ｃ’と重なるように配置され、対応するゲート線９に電気的に接続されている。各ゲート電極９ａおよび各ゲート線９は、ゲート絶縁膜８上に形成された第１層間絶縁膜１０で覆われている。

第２層間絶縁膜１２上に形成されたブラックマトリックス膜１３’は、Ｘ方向およびＹ方向の各々に延在してなる略格子状の平面形状を有している。このブラックマトリックス膜１３’は、各ゲート線９および各データ線１１に重なるように配置されている。ブラックマトリックス膜１３’の一部分は画素領域２０に向かって突出し、その突出部分がＴＦＴ３１を覆っている。ブラックマトリックス膜１３は、クロム膜などからなり、第３遮光膜として機能する。ブラックマトリックス膜１３の全体は、第２層間絶縁膜１２上に形成された第３層間絶縁膜１４で覆われている。

上記の構成を持つＴＦＴアレイ基板３０Ｃを備えた液晶表示装置においても、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０の場合とほぼ同様の遮光効果が得られる。

すなわち、図１４に示すように、ＴＦＴアレイ基板３０Ｃに対向して配置された対向基板（図示せず）の表面側から入射した光Ｌ１は、ブラックマトリックス膜１３’により遮断されるか、あるいは第１遮光膜３’で反射されることなくＴＦＴアレイ基板３０を通過する。

他方、ＴＦＴアレイ基板３０Ｃの裏面側から入射して第１遮光膜３’に向かう光Ｌ２は、第１遮光膜３’で遮断される。ＴＦＴアレイ基板３０Ｃの裏面側から入射してブラックマトリックス膜１３’に向かう光Ｌ３は、ブラックマトリックス膜１３で反射された後に、第１遮光膜３’とＴＦＴ３１との間に設けられた第２遮光膜５Ｃに照射される。あるいは、ブラックマトリックス膜１３’と第１遮光膜３’とで反射された後に、第２遮光膜５Ｃに照射される。上述したように、第２遮光膜５Ｃは、光を吸収可能なアモルファス・シリコン膜からなる。そのため、第２遮光膜５Ｃに照射されたこれらの光は、第２遮光膜５Ｃにより吸収される。

このように、ＴＦＴアレイ基板３０の裏面側からの光がブラックマトリックス膜１３’で反射され、さらに第１遮光膜３’で反射されても、それらの反射光は第２遮光膜５Ｃで吸収される。したがって、ＴＦＴ３１のチャネル領域７ｃ’およびＬＤＤ領域７ｂ’、７ｄ’へ向かう光は、効果的且つ確実に遮断される。

なお、ＴＦＴアレイ基板３０Ｃは、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０とほぼ同様の製造方法により製造される。

以上述べたように、この第４実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｃでは、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０と同様の効果が得られる。すなわち、ＴＦＴ３１のチャネル領域７ｃ’およびＬＤＤ領域７ｂ’、７ｄ’へ向かう光が効果的に遮断される。したがって、光リーク電流が低減し、その結果、液晶表示装置のコントラストや画質の均一性が高められる。しかも、複雑な製造工程を必要とせず、容易に製造できる。

（第５実施形態）
図１５は、本発明の第５実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｄの概略構成を示す要部平面図である。

図１５のＴＦＴアレイ基板３０Ｄは、第２遮光膜５Ｄが導電性を有し且つ対応するゲート線９に電気的に接続されている点で、第４実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｃと異なっている。それ以外の構成は、第４実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｃのそれと同じである。よって、図１５において第４実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｃと同一または対応する構成要素に図１２および図１３と同じ符号を付して、同一構成の部分についての説明は省略する。

ＴＦＴアレイ基板３０Ｄでは、第２遮光膜５Ｄが不純物の導入された多結晶シリコン膜からなる。それらの第２遮光膜５Ｄの各々は、Ｘ方向に沿って延在するストライプ状の第１部分５Ｄａと、Ｙ方向に沿って延在し且つＸ方向に沿って配置された互いに平行な複数の第２部分５Ｄｂとを有している。第２遮光膜５Ｄの第１部分５Ｄａの各々は互いに平行である。第２遮光膜５Ｄの第２部分５Ｄｂの各々は、矩形状であり、対応する画素領域２０側に突出している。第２遮光膜５Ｄの各々は第１遮光膜３’と重なるように配置され、第２遮光膜５Ｄの第２部分５Ｄｂが多結晶シリコン膜７’と重なっている。

また、第２遮光膜５Ｄの各々は、第２実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ａと同様に、対応するゲート線９に内部配線４１を介して電気的に接続されている。そのため、ゲート電極９ａがＴＦＴ３１の第１ゲート電極として機能すると共に、第２遮光膜５ＤがＴＦＴ３１の第２ゲート電極として機能する。すなわち、ＴＦＴ３１がデュアル・ゲート型電界効果トランジスタとして動作する。

このように、第２遮光膜５ＤをＴＦＴ３１の第２ゲート電極として使用した場合、ＴＦＴ３１の電極間容量が増加する。そこで、第２遮光膜５Ｄの第２部分５Ｄｂの幅（すなわち、Ｘ方向の長さ）Ｗを小さすることで、ＴＦＴ３１の電極間容量の増加を抑制している。

すなわち、第２遮光膜５Ｄの第２部分５Ｄｂは、ＴＦＴ３１のチャネル領域７ｃ’およびＬＤＤ領域７ｂ’、７ｄ’と重なるが、ＴＦＴ３１のソース領域７ａ’およびドレイン領域７ｅ’とほとんど重ならない。第２遮光膜５Ｄの第２部分５Ｄｂをこのように形成することで、ＴＦＴ３１のチャネル領域７ｃ’およびＬＤＤ領域７ｂ’、７ｄ’へ向かう光を遮断する効果を維持しながら、ＴＦＴ３１の電極間容量の増加を実用上問題のない程度にすることができる。

なお、ＴＦＴアレイ基板３０Ｄは、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０とほぼ同様の製造方法により製造される。

以上述べたように、この第５実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｄでは、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０と同様の効果が得られる。すなわち、ＴＦＴ３１のチャネル領域７ｃ’およびＬＤＤ領域７ｂ’、７ｄ’へ向かう光が効果的に遮断される。したがって、光リーク電流が低減し、その結果、液晶表示装置のコントラストや画質の均一性が高められる。しかも、複雑な製造工程を必要とせず、容易に製造できる。

さらに、第５実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｄでは、第２実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ａと同様に、ＴＦＴ３１がデュアル・ゲート型電界効果トランジスタとして動作するため、優れたオン／オフ特性が得られるという利点がある。

（第６実施形態）
図１６は、本発明の第６実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｅの概略構成を示す要部平面図である。

図１６のＴＦＴアレイ基板３０Ｅは、１つの第２遮光膜５Ｅが設けられ、且つ第２遮光膜５Ｅに定電圧Ｖ_Cが供給されている点で、第４実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｃと異なっている。それ以外の構成は、第４実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｃのそれと同じである。よって、図１６において第４実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｃと同一または対応する構成要素に図１２および図１３と同じ符号を付して、同一構成の部分についての説明は省略する。

ＴＦＴアレイ基板３０Ｅでは、第２遮光膜５Ｅが不純物の導入された多結晶シリコン膜からなる。そして、第２遮光膜５Ｅは、マトリックスの行方向（図１６では、Ｘ方向）に沿って延在するストライプ状の複数の第１部分５Ｅａと、マトリックスの列方向（図１６では、Ｙ方向）に沿って延在し且つＸ方向に沿って互いに平行に配置された矩形状の複数の第２部分５Ｅｂと、Ｙ方向に沿って延在するストライプ状の複数の第３部分５Ｅｃとを有している。第２遮光膜５Ｅの第１部分５Ｅａの各々は互いに平行であり、第３部分５Ｅｃの各々は互いに平行である。そして、第２遮光膜５Ｅの第１および第２の部分５Ｅａ、５Ｅｃは、互いに交差して格子状の平面形状を形成している。第２遮光膜５Ｅの第２部分５Ｅｂの各々は、対応する画素領域２０側に突出している。第２遮光膜５Ｅの各々は第１遮光膜３’と重なるように配置され、第２遮光膜５Ｅの第２部分５Ｅｂが多結晶シリコン膜７’と重なっている。

また、第２遮光膜５Ｅには、第３実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｂと同様に、外部端子５１を介して定電圧Ｖ_Cが供給されている。この定電圧Ｖ_Cは、第２遮光膜５Ｅを一定電位にバイアスする。そのため、定電圧Ｖ_Cの電圧値を調整することにより、ＴＦＴ３１の特性を制御することができる。

なお、ＴＦＴアレイ基板３０Ｂは、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０とほぼ同様の製造方法により製造される。

この第６実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｅでは、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０と同様の効果が得られる。すなわち、ＴＦＴ３１のチャネル領域７ｃ’およびＬＤＤ領域７ｂ’、７ｄ’へ向かう光が効果的に遮断される。したがって、光リーク電流が低減し、その結果、液晶表示装置のコントラストや画質の均一性が高められる。しかも、複雑な製造工程を必要とせず、容易に製造できる。

さらに、第６実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｅでは、第３実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｂと同様に、第２遮光膜５Ｅに供給される定電圧Ｖ_Cを調整することにより、ＴＦＴ３１の特性を制御できるという利点がある。

（第７実施形態）
上述した第１〜第６実施形態では、第１遮光膜３と第３遮光膜（ブラックマトリックス膜）１３に加えて、第１遮光膜３とＴＦＴ３１の間に光吸収性を持つ第２遮光膜５を設けており、それによって遮光性能の向上を図っている。

以下に述べる第７〜第１０実施形態は、ＴＦＴ３１と第３遮光膜（ブラックマトリックス膜）１３との間に光吸収性を持つ第４遮光膜１６を設けた例である。光吸収性を持つ第４遮光膜１６をＴＦＴ３１の上部に配置した場合でも、第２遮光膜５を設けた場合と同様にして多重反射する光を低減することができ、遮光効果を向上させることが可能となる。

図１７は、本発明の第７実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｆの概略構成を示している。図１７（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図１のＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ線に沿った要部断面図である。この基板上には、画素マトリックス部と共に駆動回路部が形成されており（図２２参照）、以下の説明は画素マトリックス部のＴＦＴについてのものである。駆動回路部のＴＦＴは、第４遮光膜を有していない。

図１７に示す第７実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｆは、図２に示す第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０において、第２遮光膜５を除去し、第４遮光膜１６を追加したものである。その他の構成は、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０と同じである。このＴＦＴアレイ基板３０Ｆでは、第２遮光膜５を除去しているので、ＳｉＯ₂膜４または６は省略可能である。

第４遮光膜１６のパターンは、図１に示された第２遮光膜５のそれと同じであり、ＴＦＴ３１の活性層として機能するポリシリコン膜７のほぼ全体を覆っている。第４遮光膜１６は、ポリシリコン膜７のコンタクト孔２２の近傍の部分は覆っていない。

第４遮光膜１６は、ここでは第１層間絶縁膜１０の内部に埋設してある。このような構成は、例えば次のようにして容易に実現できる。すなわち、第１層間絶縁膜１０を２層構造とし、第１層間絶縁膜１０の下層部を形成した後、第４遮光膜１６用のアモルファス・シリコン膜を形成する。そして、このアモルファス・シリコン膜をパターン化すると、第４遮光膜１６が得られる。その後、その上に第１層間絶縁膜１０の上層部を形成する。しかし、本発明はこの構成に限定されるわけではない。例えば、第４遮光膜１６を第１層間絶縁膜１０の上に形成した後、第４遮光膜１６を他の絶縁膜で覆い、その上に第２層間絶縁膜１２を形成してもよい。

（第８実施形態）
図１８は、本発明の第８実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｇの概略構成を示している。図１８（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図１のＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ線に沿った要部断面図である。

図１８に示す第８実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｇは、図２に示す第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０において、第４遮光膜１６を追加したものである。その他の構成は、第１実施形態のＴＦＴアレイ基板３０と同じである。換言すれば、ＴＦＴアレイ基板３０Ｇは、図１７に示す第７実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｆにおいて、第２遮光膜５を追加したものである。

このＴＦＴアレイ基板３０Ｇでは、ＴＦＴ３１の上下に第４遮光膜１６と第２遮光膜５を設けているので、ＴＦＴ３１の上下両側からの光に対して遮光効果が得られる。よって、第１実施形態や第７実施形態の場合よりも高い遮光効果が得られる利点がある。

（第９実施形態）
図１９は、本発明の第９実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｈの概略構成を示している。図１９（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図１２のＥ−Ｅ線およびＦ−Ｆ線に沿った要部断面図である。

図１９に示す第９実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｈは、図１３に示す第４実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｃにおいて、第２遮光膜５Ｃを除去し、第４遮光膜１６’を追加したものである。その他の構成は、第４実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｃと同じである。このＴＦＴアレイ基板３０Ｈでは、第２遮光膜５を除去しているので、ＳｉＯ₂膜４または６は省略可能である。

第４遮光膜１６’のパターンは、図１２に示された第２遮光膜５Ｃのそれと同じであり、ＴＦＴ３１の活性層として機能するポリシリコン膜７のほぼ全体を覆っている。第４遮光膜１６’は、ポリシリコン膜７のコンタクト孔２２の近傍の部分は覆っていない。

第４遮光膜１６’は、ここでは第２層間絶縁膜１２の内部に埋設してある。このような構成は、例えば次のようにして容易に実現できる。すなわち、第２層間絶縁膜１２を２層構造とし、第２層間絶縁膜１２の下層部を形成した後、第４遮光膜１６’用のアモルファス・シリコン膜を形成する。そして、このアモルファス・シリコン膜をパターン化すると、第４遮光膜１６’が得られる。その後、その上に第２層間絶縁膜１２の上層部を形成する。しかし、本発明はこの構成に限定されるわけではない。例えば、第４遮光膜１６’を第２層間絶縁膜１２の上に形成した後、第４遮光膜１６’を他の絶縁膜で覆い、その上に第３層間絶縁膜１４を形成してもよい。

（第１０実施形態）
図２０は、本発明の第１０実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｉの概略構成を示している。図２０（ａ）および（ｂ）は、それぞれ図１２のＥ−Ｅ線およびＦ−Ｆ線に沿った要部断面図である。

図２０に示す第１０実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｉは、図１３に示す第４実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｃにおいて、第４遮光膜１６’を追加したものである。その他の構成は、第４実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｃと同じである。換言すれば、ＴＦＴアレイ基板３０Ｉは、図１９に示す第９実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｈにおいて、第２遮光膜５Ｃを追加したものである。

このＴＦＴアレイ基板３０Ｉでは、ＴＦＴ３１の上下にそれぞれ第４遮光膜１６’と第２遮光膜５Ｃを設けているので、ＴＦＴ３１の上下両側からの光に対して遮光効果が得られる。よって、第１実施形態や第７実施形態の場合よりも高い遮光効果が得られる利点がある。

図２１は、投射型表示装置のライトバルブとして使用する場合を考慮して、所定の投射光照射条件の下で画素マトリックス部のＴＦＴ３１に生じる光リーク電流特性を示す。これは発明者が行った試験により得たものである。

図２１より明らかなように、第１遮光膜と第３遮光膜を有する従来のＴＦＴアレイ基板１００（図２３と図２４を参照）では、光リーク電流が４ｐＡであったのに対し、第１遮光膜と第３遮光膜に加えて第２遮光膜を有する本発明の第４実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｃ（図１２と図１３を参照）では、活性層として機能する多結晶シリコン膜と第２遮光膜との間の絶縁膜の厚さが５００ｎｍから減少していくにつれて光リーク電流は徐々に減少し、最大では従来例の約１／３にまで減少した。

光リーク電流の低減効果は、第２遮光膜と活性層との間の絶縁膜の厚さに対して相関があり、当該絶縁膜の厚さを５００ｎｍより薄くするにつれて、その効果が大きくなった。しかし、図２１には示していないが、当該絶縁膜の厚さを１００ｎｍより小さくすると、ＴＦＴ３１のオン特性に及ぼす影響や、レーザ・アニール工程での活性層（多結晶シリコン）の結晶性低下に与える影響が大きくなり、ＴＦＴ３１のオン特性が悪化して正常動作ができなくなった。この結果から、当該絶縁膜の厚さは５００ｎｍ〜１００ｎｍの範囲とするのが適当であることが分かった。

また、第１遮光膜と第３遮光膜に加えて第２遮光膜と第４遮光膜を有する本発明の第１０実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｉ（図２０を参照）では、当該絶縁膜の厚さを２００ｎｍとした時に、光リーク電流が第４実施形態のＴＦＴアレイ基板３０Ｃの場合の約１／２にまで低減できた。これにより、第２遮光膜に加えてさらに第４遮光膜を追加することにより、より大きな光リーク電流低減効果が得られることが確認された。

（第１１実施形態）
アモルファス・シリコン膜にレーザ光を照射して活性層用の多結晶シリコン膜を形成する場合、すなわち、レーザ・アニール法によりアモルファス・シリコン膜から多結晶シリコン膜を得る場合には、アモルファス・シリコン膜の直下に熱伝導性の高い物質（高熱伝導膜）が存在すると、その物質（高熱伝導膜）によってレーザ光照射による加熱・冷却プロセスが所望のものから変化し、その結果、アモルファス・シリコン膜が結晶化する際に影響を受ける、という問題がある。このため、従来は、熱伝導性の高い物質（高熱伝導膜）が加熱・冷却プロセスに影響を与えないように、アモルファス・シリコン膜と熱伝導性の高い物質（高熱伝導膜）の間に十分な厚さの絶縁膜を配置するのが一般的であった。

他方、図２２に示すＴＦＴアレイ基板６０のように、画素マトリックス部６１と共に駆動回路部６２を同一基板上に一体形成した場合、駆動回路部６２のＴＦＴには移動度の高いトランジスタ特性が必要とされるのに対し、画素マトリックス部６１のＴＦＴには高い移動度は要求されず、むしろ低いリーク電流が要求される。特に光リーク電流については、再結合中心となるトラップが比較的多いシリコンが好適である。このため、画素マトリックス部６１のＴＦＴに対しては、駆動回路部６２のＴＦＴよりも結晶性の低い多結晶シリコン膜がむしろ望ましい。

そこで、本発明の第１１実施形態では、画素マトリックス部６１のＴＦＴとしては、上述した第１〜第１０実施形態のように、第２遮光膜あるいは第４遮光膜またはその両方を有するＴＦＴ３１を用いる。そして、駆動回路部６２のＴＦＴとしては、第２遮光膜あるいは第４遮光膜またはその両方を有しないＴＦＴを用いる。こうすることにより、画素マトリックス部６１のＴＦＴでは、第２遮光膜あるいは第４遮光膜またはその両方によって、レーザ光照射による熱を速やかに周囲に伝達することができ、その結果、画素マトリックス部６１のＴＦＴについいてのみ結晶性の低い多結晶シリコン膜が、当該ＴＦＴの活性層７用として形成される。こうして、遮光膜の存在による光リーク電流の抑制に加えて、多結晶シリコン膜の結晶性の程度に基づいても光リーク電流を低減することが可能となる。

（変形例）
なお、上記第１〜第１１の実施形態は、本発明の好適な例を示すものである。本発明はこれら実施形態に限定されず、種々の変更が可能なことは言うまでもない。

例えば、第１〜第６の実施形態では、透光性基板１上に酸化シリコン膜２を介して第１遮光膜３を設けているが、透光性基板１の材料に応じて酸化シリコン膜２を形成せずに透光性基板１の表面に直接、第１遮光膜３を設けてもよい。また、第３および第６の実施形態において、第２遮光膜５Ｂ、５Ｅとしてアモルファス・シリコン膜を使用し、第２遮光膜５Ｂ、５Ｅに電圧Ｖ_Cを印加しないようにしてもよい。第１および第４の実施形態の第２遮光膜５、５Ｃとして多結晶シリコン膜を使用することもできるし、第２、第３、第５および第６の実施形態の第２遮光膜５Ａ、５Ｂ、５Ｄ、５Ｅとして不純物の導入されたアモルファス・シリコン膜を使用することもできる。これらは、第７〜第１１実施形態にも同様に適用できる。

第２遮光膜と第４遮光膜を形成する材料としては、光を吸収できる材料であれば上記各実施形態で使用されたもの以外のものも使用可能である。

本発明の第１実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の概略構成を示す要部平面図である。 （ａ）は図１のＡ−Ａ線に沿った要部断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線に沿った要部断面図である。 本発明の第１実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の遮光効果を示す、図２（ａ）に対応する模式的断面図である。 本発明の第１実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法の各工程を示す、（ａ）は図２（ａ）に対応する要部断面図、（ｂ）は図２（ｂ）に対応する要部断面図である。 本発明の第１実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法の各工程を示す、（ａ）は図２（ａ）に対応する要部断面図、（ｂ）は図２（ｂ）に対応する要部断面図で、図４の続きである。 本発明の第１実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法の各工程を示す、（ａ）は図２（ａ）に対応する要部断面図、（ｂ）は図２（ｂ）に対応する要部断面図で、図５の続きである。 本発明の第１実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法の各工程を示す、（ａ）は図２（ａ）に対応する要部断面図、（ｂ）は図２（ｂ）に対応する要部断面図で、図６の続きである。 本発明の第１実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法の各工程を示す、（ａ）は図２（ａ）に対応する要部断面図、（ｂ）は図２（ｂ）に対応する要部断面図で、図７の続きである。 本発明の第２実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の概略構成を示す要部平面図である。 （ａ）は図９のＣ−Ｃ線に沿った要部断面図、（ｂ）は図９のＤ−Ｄ線に沿った要部断面図である。 本発明の第３実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の概略構成を示す要部平面図である。 本発明の第４実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の概略構成を示す要部平面図である。 （ａ）は図１２のＥ−Ｅ線に沿った要部断面図、（ｂ）は図１２のＦ−Ｆ線に沿った要部断面図である。 本発明の第４実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の遮光効果を示す、図１３（ａ）に対応する模式的断面図である。 本発明の第５実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の概略構成を示す要部平面図である。 本発明の第６実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の概略構成を示す要部平面図である。 本発明の第７実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の概略構成を示すもので、（ａ）は図１のＡ−Ａ線に沿った要部断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線に沿った要部断面図である。 本発明の第８実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の概略構成を示すもので、（ａ）は図１のＡ−Ａ線に沿った要部断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線に沿った要部断面図である。 本発明の第９実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の概略構成を示すもので、（ａ）は図１２のＥ−Ｅ線に沿った要部断面図、（ｂ）は図１２のＦ−Ｆ線に沿った要部断面図である。 本発明の第１０実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の概略構成を示すもので、（ａ）は図１２のＥ−Ｅ線に沿った要部断面図、（ｂ）は図１２のＦ−Ｆ線に沿った要部断面図である。 所定の投射光照射条件の下で画素マトリックス部のＴＦＴに生じる光リーク電流特性を示すグラフである。 本発明の第１１実施形態の薄膜トランジスタ・アレイ基板の構成を示す概略平面図である。 従来の薄膜トランジスタ・アレイ基板の概略構成を示す要部平面図である。 （ａ）は図２３のＧ−Ｇ線に沿った要部断面図、（ｂ）は図２３のＨ−Ｈ線に沿った要部断面図である。 従来の薄膜トランジスタ・アレイ基板の遮光効果を示す、図２４（ａ）に対応する模式的断面図である。

符号の説明

１ 透光性基板
２ 酸化シリコン膜
３、３’ 第１遮光膜
３ａ、３ａ’ 第１遮光膜の第１部分
３ｂ、３ｂ’ 第１遮光膜の第２部分
４ 酸化シリコン膜
５、５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄ、５Ｅ 第２遮光膜（高熱伝導膜）
５ａ、５Ａａ、５Ｂａ、５Ｃａ、５Ｄａ、５Ｅａ 第２遮光膜の第１部分
５ｂ、５Ａｂ、５Ｂｂ、５Ｃｂ、５Ｄｂ、５Ｅｂ 第２遮光膜の第２部分
５Ｅｃ 第２遮光膜の第３部分
６ 酸化シリコン膜
７、７’ 多結晶シリコン膜
７ａ、７ａ’ ソース領域
７ｂ、７ｂ’、７ｄ、７ｄ’ ＬＤＤ領域
７ｃ、７ｃ’ チャネル領域
７ｅ、７ｅ’ ドレイン領域
８ ゲート絶縁膜
９ ゲート線
９ａ ゲート電極
１０ 第１層間絶縁膜
１１ データ線
１２ 第２層間絶縁膜
１３、１３’ ブラックマトリックス膜（第３遮光膜）
１４ 第３層間絶縁膜
１５ 画素電極
１６、１６’ 第４遮光膜
２０ 画素領域
２１、２２ コンタクト孔
３０、３０Ａ 薄膜トランジスタ・アレイ基板（ＴＦＴアレイ基板）
３０Ｂ、３０Ｃ 薄膜トランジスタ・アレイ基板（ＴＦＴアレイ基板）
３０Ｄ、３０Ｅ 薄膜トランジスタ・アレイ基板（ＴＦＴアレイ基板）
３０Ｆ、３０Ｇ 薄膜トランジスタ・アレイ基板（ＴＦＴアレイ基板）
３０Ｈ、３０Ｉ 薄膜トランジスタ・アレイ基板（ＴＦＴアレイ基板）
３１ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
４１ 内部配線
５１ 外部端子
６０ 薄膜トランジスタ・アレイ基板（ＴＦＴアレイ基板）
６１ 画素マトリックス部
６２ 駆動回路部

Claims (10)

1. マトリックス状に配置された薄膜トランジスタを含む画素マトリックス部と、薄膜トランジスタを含む駆動回路部とを透光性基板上に有する薄膜トランジスタ・アレイ基板であって、
   前記画素マトリックス部の薄膜トランジスタは、当該薄膜トランジスタと前記透光性基板との間に少なくとも当該薄膜トランジスタの活性層と重なるように形成された高熱伝導膜を有しており、
   前記駆動回路部の薄膜トランジスタは、前記高熱伝導膜を有していない
   ことを特徴とする薄膜トランジスタ・アレイ基板。
2. 前記画素マトリックス部の薄膜トランジスタの活性層が、レーザ照射により結晶化させた半導体からなる請求項１に記載の薄膜トランジスタ・アレイ基板。
3. 前記高熱伝導膜と前記活性層の間に存在する絶縁膜の厚さが、１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内にある請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ・アレイ基板。
4. 前記高熱伝導膜と前記活性層の間に存在する絶縁膜の厚さが、１５０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内にある請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ・アレイ基板。
5. 前記高熱伝導膜が遮光膜である請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ・アレイ基板。
6. 前記高熱伝導膜が、照射された光を吸収可能な遮光膜である請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ・アレイ基板。
7. 前記遮光膜がシリコン膜またはシリコンを含む材料の膜で形成される請求項５または６に記載の薄膜トランジスタ・アレイ基板。
8. 前記遮光膜が不純物が導入されたシリコン膜からなる請求項５または６に記載の薄膜トランジスタ・アレイ基板。
9. 前記高熱伝導膜と前記透光性基板の間に、他の遮光膜をさらに有している請求項１〜８のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ・アレイ基板。
10. 請求項１〜９のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ・アレイ基板と、
    前記薄膜トランジスタ・アレイ基板に対向して配置された対向基板と、
    前記薄膜トランジスタ・アレイ基板と前記対向基板との間に設けられた液晶層とを備えるアクティブマトリックス型液晶表示装置。
    

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