JP2004300469A - 回転メッキ装置及び電子部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】排出メッキ液の酸化を防止できる回転メッキ装置を提供する。
【解決手段】支持盤２とリング状陰極４の間にメッキ液排出用の排液部材２１を備える回転可能なメッキ槽１と、メッキ槽１内に配置された陽極１６と、メッキ槽１を覆う上・下ケース１４，１５とを具備し、電子部品用チップＣＣが投入されたメッキ槽１を回転させ、且つ、メッキ槽１内に供給されたメッキ液ＰＬを排液部材２１を通じてメッキ槽１外に排出しながらチップＣＣへのメッキ処理を行う回転メッキ装置であって、前記上ケース１５には、メッキ槽１の排液部材２１の外部露出面と向き合う位置よりも低い位置に、不活性ガスＩＧをケース内に吹き込むためのガス吹込口１５ｂが設けられている。
【選択図】図３
【解決手段】支持盤２とリング状陰極４の間にメッキ液排出用の排液部材２１を備える回転可能なメッキ槽１と、メッキ槽１内に配置された陽極１６と、メッキ槽１を覆う上・下ケース１４，１５とを具備し、電子部品用チップＣＣが投入されたメッキ槽１を回転させ、且つ、メッキ槽１内に供給されたメッキ液ＰＬを排液部材２１を通じてメッキ槽１外に排出しながらチップＣＣへのメッキ処理を行う回転メッキ装置であって、前記上ケース１５には、メッキ槽１の排液部材２１の外部露出面と向き合う位置よりも低い位置に、不活性ガスＩＧをケース内に吹き込むためのガス吹込口１５ｂが設けられている。
【選択図】図３
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回転メッキ装置とこの回転メッキ装置を利用した電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
微小な被メッキ物、例えば図２に示すような電子部品用チップＣＣに設けられた下地金属膜ＣＣａ上にニッケル膜や錫膜や銅膜や半田膜等の金属膜を形成する装置として、図１に示すような回転メッキ装置が知られている。
【０００３】
この回転メッキ装置は、メッキ槽１と、メッキ槽１を支持する回転テーブル１１と、回転テーブル１１に連結された回転軸１２と、回転軸１２に接触状態で配置された給電ブラシ１３と、下ケース１４と、下ケース１４上に着脱自在に取り付けられた上ケース１５と、メッキ槽１内に挿入配置された籠状の陽極１６と、メッキ液ＰＬを供給するための給液パイプ１７と、陽極１６内に収容された可溶性金属体１８と、上ケース１５の開口１５ａを塞ぐ蓋板１９とを備える。
【０００４】
メッキ槽１は、円形の支持盤２と、支持盤２上に配置されたリング状の排液部材３と、排液部材３上に配置されたリング状の陰極４と、陰極５上に配置されたリング状のカバー部材５とから構成されている。このメッキ槽１は、支持盤２と排液部材３と陰極４とカバー部材５に形成されたボルト挿通孔（図示省略）に上側からボルト（図示省略）を挿入し、このボルトを回転テーブル１１のボルト穴（図示省略）にねじ込むことによって回転テーブル１１上に着脱自在に取り付けられており、陰極４はこのボルト，支持盤２，回転テーブル１１及び回転軸１２を通じて給電ブラシ１３と導通している。また、カバー部材５の中央には、陽極１６を出し入れするための開口５ａが設けられている。
【０００５】
下ケース１４は回転テーブル１１の周囲及び下側に配置され、上ケース１５の下端部は下ケース１４の上端部に着脱自在に嵌め込まれており、メッキ槽１及び回転テーブル１１は、下ケース１４及び上ケース１５により構成されたケース（符号無し）内に位置している。また、下ケース１４の中央には回転軸１２が遊挿された回転軸挿入孔１４ａが形成され、この回転軸挿入孔１４ａの周囲には環状の貯液部１４ａが形成され、この貯液部１４ａの底面には排液口１４ｃが設けられている。さらに、上ケース１５の中央には陽極１６を出し入れするための開口１５ａが形成され、その側面には窒素ガス等の不活性ガスＩＧをケース内に吹き込むためのガス吹込口１５ｂが形成されている。
【０００６】
この回転メッキ装置を用いて図２に示したチップＣＣの下地膜ＣＣａ上に所定の金属膜、例えばニッケル膜を形成するときには、メッキ槽１内に多数のチップＣＣを投入し、可溶性金属体（ニッケル塊）１８を収納した陽極１６を開口１５ａ，５ａを通じてメッキ槽１内に挿入して開口１５ａを蓋板１９で塞いだ後、給液パイプ１７からメッキ槽１内にメッキ液（ニッケルメッキ用のもの）を供給する。続いて、図示省略のモータからの回転力を変速機等を介して回転軸１２に伝え、回転テーブル１１とその上のメッキ槽１を所定方向に回転させ、チップＣＣを遠心力によって陰極４の内周面に移動させると共に、陽極１６と陰極４の間に所定の電流を流してチップＣＣの下地金属膜ＣＣａ上にニッケル膜を形成する。
【０００７】
メッキ処理時には、所期のメッキ処理が効果的に行えるように、メッキ槽１内のメッキ液ＰＬを排液部材３を通じて外部（上・下ケース１４，１５の内側）に排出し、且つ、排出量に相当するメッキ液ＰＬを給液パイプ１７からメッキ槽１内へ供給してメッキ槽１内の液面高さが一定となるように制御する。また、メッキ処理時には、陰極４の内周面に移動したチップＣＣがメッキ膜によって相互固着することを防止するため、通電を数秒毎に停止すると共にメッキ槽１を逆回転させてチップＣＣの撹拌を行う。
【０００８】
さらに、メッキ処理時には、排液部材３を通じてメッキ槽１から排出されたメッキ液ＰＬを貯液部１４ｂ及び排液口１４ｃを通じてメッキ液槽（図示省略）に戻して再利用するために、上ケース１５のガス吹込口１５ｂからケース内に不活性ガスＩＧを吹き込んでメッキ槽１から排出されたメッキ液ＰＬの酸化を防止する。
【０００９】
【特許文献１】
特開平８−２３９７９９号公報
【特許文献２】
特開平８−２９６０９４号公報
【特許文献３】
特開平１１−１１７０８７号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
メッキ槽１から排出されたメッキ液ＰＬを再利用するためには、排出後のメッキ液ＰＬの酸化を防止してメッキ液ＰＬに含まれる金属イオンの価数の変動（増加）を抑制する必要がある。例えば、メッキ処理により錫膜を形成するときにメッキ槽１から排出されるメッキ液ＰＬに含まれる錫イオンの価数は基本的には２（Ｓｎ２＋）であるが、このメッキ液ＰＬが酸素を含む空気に触れると価数が４の錫イオン（Ｓｎ４＋）が生成されてしまう。このような４価の錫イオンが含まれるメッキ液ＰＬがメッキ液槽に戻されて再利用されると、次にメッキ処理を行う際の析出効率が低下し、形成される錫膜が空隙の多い低品位のものになって信頼性が格段低下する。
【００１１】
先に述べた従来の回転メッキ装置でも、メッキ処理時には排出メッキ液ＰＬの酸化を防止するためにケース内に不活性ガスＩＧを吹き込むようにしているが、ガス吹込口１５ｂがメッキ槽１の排液部材３の外部露出面よりも高い位置にあるため、メッキ槽１から排出されたメッキ液ＰＬに不活性ガスを効率良く接触させることができない。
【００１２】
要するに、窒素ガス等から成る不活性ガスＩＧは空気よりも比重が軽いため、ガス吹込口１５ｂを通じてケース内に吹き込まれた不活性ガスＩＧはその大半が排出メッキ液ＰＬに接触することなくその上端の開口１５ａと蓋板１９との隙間等から外部に放出されてしまう。また、排液部材３として連通多孔質のものが使用され、しかも、メッキ槽１が高速で回転する関係から、排液部材３から排出されるメッキ液ＰＬは気体と接触し易い霧状或いはこれに近い状態にあるため、排出メッキ液ＰＬは微量の空気と接触するだけで簡単に酸化してしまう。
【００１３】
本発明は前記事情に鑑みて創作されたもので、その目的とするところは、排出メッキ液の酸化を防止できる回転メッキ装置と、この装置を利用した電子部品の製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明に係る回転メッキ装置は、支持盤とリング状陰極の間にメッキ液排出用の排液部材を備える回転可能なメッキ槽と、メッキ槽内に配置された陽極と、メッキ槽を覆うケースとを具備し、被メッキ物が投入されたメッキ槽を回転させ、且つ、メッキ槽内に供給されたメッキ液を排液部材を通じてメッキ槽外に排出しながら被メッキ物へのメッキ処理を行う回転メッキ装置において、前記ケースには、メッキ槽の排液部材の外部露出面と向き合う位置もしくはそれよりも低い位置に、不活性ガスをケース内に吹き込むためのガス吹込口が設けられている、ことをその特徴とする。
【００１５】
この回転メッキ装置によれば、ガス吹込口がメッキ槽の排液部材の外部露出面と向き合う位置もしくはそれよりも低い位置に設けられているので、メッキ槽から排出されるメッキ液全体に不活性ガスを効果的に接触させてその酸化を防止することができ、酸化による金属イオンの価数変動（増加）を抑制して排出メッキ液の再利用を的確に行うことができる。
【００１６】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、前記の回転メッキ装置を用いて、電子部品用チップに設けられた下地金属膜上に少なくとも１層の金属膜を形成する、ことをその特徴とする。この製造方法によれば、所望の金属膜が適切に形成された電子部品を得ることができる。
【００１７】
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
［第１実施形態］
図３は本発明に係る回転メッキ装置の第１実施形態を示す。
【００１９】
この回転メッキ装置が、図１に示した従来装置と異なるところは、上ケース１５のガス吹込口１５ｂをメッキ槽１の排液部材２１の外部露出面と向き合う位置よりも低い位置に設けた点と、回転テーブル１１の下面にケース内から回転軸挿入孔１４ａへのメッキ液ＰＬの侵入を抑制する壁部材２２を設けた点と、リング状排液部材３の代わりに円形のシート状排液部材２１を用いた点にある。他の構成は図１に示した従来装置と同じであるので、同一符号を用いその説明を省略する。
【００２０】
ガス吹込口１５ｂはその上端高さ位置が排液部材２１の外部露出面の上端高さ位置よりも低くなるように形成されている。このガス吹込口１５ｂは図示省略のチューブを介してガスボンベ等の不活性ガス供給源に接続されており、窒素ガス等の不活性ガスＩＧが所定の流量で供給される。
【００２１】
壁部材２２は円筒形状を成す部品から成り、下ケース１４の回転軸挿入孔１４ａの近傍位置においてその下端が貯液部１４ｂ内に入り込むように、回転テーブル１１の下面に取り付けられている。この壁部材２２はケース内から回転軸挿入孔１４ａへのメッキ液ＰＬの侵入を抑制するためのもので、壁部材２２の下端は、貯液部１４ｂに一時的に貯留されるメッキ液ＰＬに触れないよう、その下端高さを最大貯液面高さよりも僅かに高く設定されている。
【００２２】
シート状排液部材２１は数μｍ〜数百μｍの空孔を連通状態で有する多孔質のプラスチックやセラミクスや金属焼結体等から成り、円形の支持盤２の表面形状にほぼ合致した形状を有している。また、排液部材２１は、リング状陰極４の下面が接触する外周縁を除く部分の表面によってメッキ槽１の内側底面を構成している。つまり、メッキ槽１内のメッキ液ＰＬは、排液部材２１のリング状陰極接触箇所を除く部分の表面から内部に浸透してその外周面（外部露出面）からメッキ槽１外に排出される。
【００２３】
この回転メッキ装置を用いて微小な被メッキ物、例えば図２に示すような電子部品用チップＣＣの下地金属膜ＣＣａ上に所定の金属膜、例えばニッケル膜を形成するときには、メッキ槽１内に多数のチップＣＣを投入し、可溶性金属体（ニッケル塊）１８を収納した陽極１６を開口１５ａ，５ａを通じてメッキ槽１内に挿入して開口１５ａを蓋板１９で塞いだ後、給液パイプ１７からメッキ槽１内にメッキ液（ニッケルメッキ用のもの）を供給する。続いて、図示省略のモータからの回転力を変速機等を介して回転軸１２に伝え、回転テーブル１１とその上のメッキ槽１を所定方向に回転させ、チップＣＣを遠心力によって陰極４の内周面に移動させると共に、陽極１６と陰極４の間に所定の電流を流してチップＣＣの下地金属膜ＣＣａ上にニッケル膜を形成する。
【００２４】
このメッキ処理時には、所期のメッキ処理が効果的に行えるように、メッキ槽１内のメッキ液ＰＬを排液部材２１を通じて外部（上・下ケース１４，１５の内側）に排出し、且つ、排出量に相当するメッキ液ＰＬを給液パイプ１７からメッキ槽１内へ供給してメッキ槽１内の液面高さが一定となるように制御する。また、メッキ処理時には、陰極４の内周面に移動したチップＣＣがメッキ膜によって相互固着することを防止するため、通電を数秒毎に停止すると共にメッキ槽１を逆回転させてチップＣＣの撹拌を行う。
【００２５】
さらに、メッキ処理時には、排液部材２１を通じてメッキ槽１から排出されたメッキ液ＰＬを貯液部１４ｂ及び排液口１４ｃを通じてメッキ液槽（図示省略）に戻して再利用するために、上ケース１５のガス吹込口１５ｂからケース内に不活性ガスＩＧを吹き込んで、この不活性ガスＩＧによってメッキ槽１から排出されるメッキ液ＰＬの酸化を防止する。
【００２６】
本実施形態では、ガス吹込口１５ｂがその上端高さ位置が排液部材２１の外部露出面の上端高さ位置よりも低くなるように上ケース１５に設けられているので、ガス吹込口１５ｂに送り込まれた不活性ガスＩＧは、図３中に白抜き矢印で示すように、ケース内の排液部材２１の外部露出面のやや下側に向けて吹き込まれると共にここから上方に向かって移動する。
【００２７】
つまり、ケース内に吹き込まれた不活性ガスＩＧは、排液部材２１から排出されるメッキ液ＰＬ全体と効果的に接触することになるので、窒素ガス等から成る不活性ガスＩＧが空気よりも比重が軽くても、不活性ガスＩＧによる排出メッキ液ＰＬの酸化防止を効率良く行って、酸化による金属イオンの価数変動（増加）を抑制することができる。
【００２８】
前記のメッキ処理の前または後にニッケル膜以外の金属膜、例えば銅膜や錫膜や半田膜等を、前記のメッキ処理に先立って或いは前記のメッキ処理後に続けてチップＣＣに形成するときには、メッキ槽１を回転させてメッキ槽１内のメッキ液ＰＬを排液部材２１を通じて排出し、続けて洗浄水を供給しながらメッキ槽１を回転させてメッキ後のチップＣＣの洗浄を行う。洗浄後は、ニッケル塊とは異なる可溶性金属体１８を収納した陽極１６を開口１５ａ，５ａを通じてメッキ槽１内に挿入し、この可溶性金属体１８に対応したメッキ液をメッキ槽１内に供給しながら前記と同様のメッキ処理を行う。
【００２９】
前述の回転メッキ装置によれば、ケース内に吹き込まれた不活性ガスＩＧを排出メッキ液ＰＬ全体と効果的に接触させることができるので、不活性ガスＩＧによる排出メッキ液ＰＬの酸化防止を効率良く行って酸化による金属イオンの価数変動（増加）を抑制し、排出メッキ液ＰＬの再利用を的確に行うことができる。
【００３０】
また、前述の回転メッキ装置によれば、回転テーブル１１の下面にケース内から回転軸挿入孔１４ａへのメッキ液ＰＬの侵入を抑制するための壁部材２２が設けられているので、回転軸１２の軸受部や駆動系にメッキ液ＰＬが回り込むことによる腐食の問題を防止して、これら機器の長寿命化を図ることができる。
【００３１】
さらに、前述の回転メッキ装置によれば、メッキ槽１の排液部材２１が支持盤２の表面形状にほぼ合致した形状のシートから成りメッキ槽１の内側底面を構成しているので、リング状のものに比べ排液有効面積を大きく確保することができ、リング状陰極４の近傍位置でチップＣＣが排液部材２１に付着したとしても排液部材２１を通じてメッキ槽１外に排出されるメッキ液ＰＬの量を十分に確保して所期のメッキ処理を効果的に行うことができる。しかも、排液有効面積が大きく確保されていてメッキ液ＰＬの排出量を十分に確保できることから、メッキ槽１内において下から上に向かう環流の度合が弱く、この環流の影響によってリング状陰極４の内周面に移動したチップＣＣが盛り上がった形態となることを防止して、チップＣＣとリング状陰極４の内周面との最大距離を大きく減少させることができ、これにより、チップＣＣとリング状陰極４の内周面との最大距離の増加を原因とした通電不良の発生を抑制し、メッキ膜厚のバラツキを抑えて品質向上を図ることができる。
【００３２】
尚、前述の実施形態では、ガス吹込口１５ｂとしてその上端が排液部材２１の外部露出面の上端よりも低くなる位置に形成したものを示したが、ガス吹込口１５ｂは、その上端が排液部材２１の外部露出面の下端よりも低くなる位置に形成されていても、排液部材２１の外部露出面と向き合う位置（正対する位置）に形成されていても、前記同様の作用効果を得ることができる。
【００３３】
また、前述の実施形態では、排液部材２１として支持盤２の表面を覆うシート状のものを示したが、図１に示した従来装置と同様のリング状排液部材３を排液部材２１の代わりに用いても構わない。
【００３４】
［第２実施形態］
図４は本発明に係る回転メッキ装置の第２実施形態を示す。
【００３５】
この回転メッキ装置が、図１に示した従来装置と異なるところは、上ケース１５のガス吹込口１５ｂを排除しその代わりに下ケース１４の回転軸挿入孔１４ａの下側にガス吹込口２３ａを有する筒状部品２３を設けた点（回転軸挿入孔１４ａと回転軸１２との隙間をガス吹込口として利用した点）と、回転テーブル１１の下面にケース内から回転軸挿入孔１４ａへのメッキ液ＰＬの侵入を抑制する壁部材２２を設けた点と、リング状排液部材３の代わりに円形のシート状排液部材２１を用いた点にある。他の構成は図１に示した従来装置と同じであるので、同一符号を用いその説明を省略する。
【００３６】
筒状部品２３は回転軸１２の直径よりも僅かに大きな円形孔２３ｂを中央に有し、回転軸挿入孔１４ａと回転軸１２との隙間に通じるガス吹込口２３ａをその側面に有している。このガス吹込口２３ａは図示省略のチューブを介してガスボンベ等の不活性ガス供給源に接続されており、窒素ガス等の不活性ガスＩＧが所定の流量で供給される。
【００３７】
壁部材２２は円筒形状を成す部品から成り、下ケース１４の回転軸挿入孔１４ａの近傍位置においてその下端が貯液部１４ｂ内に入り込むように、回転テーブル１１の下面に取り付けられている。この壁部材２２はケース内から回転軸挿入孔１４ａへのメッキ液ＰＬの侵入を抑制するためのもので、壁部材２２の下端は、貯液部１４ｂに一時的に貯留されるメッキ液ＰＬに触れないよう、その下端高さを最大貯液面高さよりも僅かに高く設定されている。
【００３８】
シート状排液部材２１は数μｍ〜数百μｍの空孔を連通状態で有する多孔質のプラスチックやセラミクスや金属焼結体等から成り、円形の支持盤２の表面形状にほぼ合致した形状を有している。また、排液部材２１は、リング状陰極４の下面が接触する外周縁を除く部分の表面によってメッキ槽１の内側底面を構成している。つまり、メッキ槽１内のメッキ液ＰＬは、排液部材２１のリング状陰極接触箇所を除く部分の表面から内部に浸透してその外周面（外部露出面）からメッキ槽１外に排出される。
【００３９】
この回転メッキ装置を用いて微小な被メッキ物、例えば図２に示すような電子部品用チップＣＣの下地金属膜ＣＣａ上に所定の金属膜、例えばニッケル膜を形成するときには、メッキ槽１内に多数のチップＣＣを投入し、可溶性金属体（ニッケル塊）１８を収納した陽極１６を開口１５ａ，５ａを通じてメッキ槽１内に挿入し開口１５ａを蓋板１９で塞いだ後、給液パイプ１７からメッキ槽１内にメッキ液（ニッケルメッキ用のもの）を供給する。続いて、図示省略のモータからの回転力を変速機等を介して回転軸１２に伝え、回転テーブル１１とその上のメッキ槽１を所定方向に回転させ、チップＣＣを遠心力によって陰極４の内周面に移動させると共に、陽極１６と陰極４の間に所定の電流を流してチップＣＣの下地金属膜ＣＣａ上にニッケル膜を形成する。
【００４０】
このメッキ処理時には、所期のメッキ処理が効果的に行えるように、メッキ槽１内のメッキ液ＰＬを排液部材２１を通じて外部（上・下ケース１４，１５の内側）に排出し、且つ、排出量に相当するメッキ液ＰＬを給液パイプ１７からメッキ槽１内へ供給してメッキ槽１内の液面高さが一定となるように制御する。また、メッキ処理時には、陰極４の内周面に移動したチップＣＣがメッキ膜によって相互固着することを防止するため、通電を数秒毎に停止すると共にメッキ槽１を逆回転させてチップＣＣの撹拌を行う。
【００４１】
さらに、メッキ処理時には、排液部材２１を通じてメッキ槽１から排出されたメッキ液ＰＬを貯液部１４ｂ及び排液口１４ｃを通じてメッキ液槽（図示省略）に戻して再利用するために、下ケース１４の下面に設けた筒状部品２３のガス吹込口２３ａから回転軸挿入孔１４ａと回転軸１２の隙間を通じケース内に不活性ガスＩＧを吹き込んで、この不活性ガスＩＧによってメッキ槽１から排出されるメッキ液ＰＬの酸化を防止する。
【００４２】
本実施形態では、ガス吹込口２３ａが回転軸挿入孔１４ａと回転軸１２の隙間を通じるように下ケース１４の下側に設けられているので、ガス吹込口２３ａから回転軸挿入孔１４ａと回転軸１２との隙間に送り込まれた不活性ガスＩＧは、図４中に白抜き矢印で示すように、回転テーブル１１下面の壁部材２２と貯液部１４ｂの貯留メッキ液ＰＬとの隙間を通じて、ケース内の回転テーブル１４下面側に吹き込まれると共にここから上方に向かって移動する。
【００４３】
つまり、ケース内に吹き込まれた不活性ガスＩＧは、排液部材２１から排出されるメッキ液ＰＬ全体と効果的に接触することになるので、窒素ガス等から成る不活性ガスＩＧが空気よりも比重が軽くても、不活性ガスＩＧによる排出メッキ液ＰＬの酸化防止を効率良く行って、酸化による金属イオンの価数変動（増加）を抑制することができる。
【００４４】
前記のメッキ処理の前または後にニッケル膜以外の金属膜、例えば銅膜や錫膜や半田膜等を、前記のメッキ処理に先立って或いは前記のメッキ処理後に続けてチップＣＣに形成するときには、メッキ槽１を回転させてメッキ槽１内のメッキ液ＰＬを排液部材２１を通じて排出し、続けて洗浄水を供給しながらメッキ槽１を回転させてメッキ後のチップＣＣの洗浄を行う。洗浄後は、ニッケル塊とは異なる可溶性金属体１８を収納した陽極１６を開口１５ａ，５ａを通じてメッキ槽１内に挿入し、この可溶性金属体１８に対応したメッキ液をメッキ槽１内に供給しながら前記と同様のメッキ処理を行う。
【００４５】
前述の回転メッキ装置によれば、ケース内に吹き込まれた不活性ガスＩＧを排出メッキ液ＰＬ全体と効果的に接触させることができるので、不活性ガスＩＧによる排出メッキ液ＰＬの酸化防止を効率良く行って酸化による金属イオンの価数変動（増加）を抑制し、排出メッキ液ＰＬの再利用を的確に行うことができる。
【００４６】
また、前述の回転メッキ装置によれば、回転テーブル１１の下面にケース内から回転軸挿入孔１４ａへのメッキ液ＰＬの侵入を抑制するための壁部材２２が設けられているので、回転軸１２の軸受部や駆動系に排出メッキ液ＰＬが回り込むことによる腐食の問題を防止して、これら機器の長寿命化を図ることができる。しかも、不活性ガスＩＧが、回転軸挿入孔１４ａと回転軸１２との隙間から、回転テーブル１１下面の壁部材２２と貯液部１４ｂの貯留メッキ液ＰＬとの隙間を通じて、ケース内の回転テーブル１４下面側に吹き込まれるので、排出メッキ液ＰＬが回転軸挿入孔１４ａに侵入することを不活性ガスＩＧの圧力により抑制して、回転軸１２の軸受部や駆動系に排出メッキ液ＰＬが回り込むことによる腐食の問題をより確実に防止することができる。
【００４７】
さらに、前述の回転メッキ装置によれば、メッキ槽１の排液部材２１が支持盤２の表面形状にほぼ合致した形状のシートから成りメッキ槽１の内側底面を構成しているので、リング状のものに比べ排液有効面積を大きく確保することができ、リング状陰極４の近傍位置でチップＣＣが排液部材２１に付着したとしても排液部材２１を通じてメッキ槽１外に排出されるメッキ液ＰＬの量を十分に確保して所期のメッキ処理を効果的に行うことができる。しかも、排液有効面積が大きく確保されていてメッキ液ＰＬの排出量を十分に確保できることから、メッキ槽１内において下から上に向かう環流の度合が弱く、この環流の影響によってリング状陰極４の内周面に移動したチップＣＣが盛り上がった形態となることを防止して、チップＣＣとリング状陰極４の内周面との最大距離を大きく減少させることができ、これにより、チップＣＣとリング状陰極４の内周面との最大距離の増加を原因とした通電不良の発生を抑制し、メッキ膜厚のバラツキを抑えて品質向上を図ることができる。
【００４８】
尚、前述の実施形態では、下ケース１４の回転軸挿入孔１４ａの下側にガス吹込口２３ａを有する筒状部品２３を設けたものを示したが、筒状部品２３に相当する部位を下ケース１４に一体形成しても良い。勿論、回転軸挿入孔１４ａと回転軸１２との隙間をガス吹出口として利用できるものであれば筒状部品２３の代わりに他の部品（部位）を用いても良い。
【００４９】
また、前述の実施形態では、排液部材２１として支持盤２の表面を覆うシート状のものを示したが、図１に示した従来装置と同様のリング状排液部材３を排液部材２１の代わりに用いても構わない。
【００５０】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、排出メッキ液の酸化を防止してその再利用を的確に行える回転メッキ装置を提供できると共に、この装置を用いて所望の金属膜が適切に形成された電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の回転メッキ装置を示す縦断面図
【図２】電子部品用チップの斜視図
【図３】本発明に係る回転メッキ装置の第１実施形態を示す縦断面図
【図４】本発明に係る回転メッキ装置の第２実施形態を示す縦断面図
【符号の説明】
１…メッキ槽、２…支持盤、４…リング状陰極、５…カバー部材、１１…回転テーブル、１２…回転軸、１３…給電ブラシ、１４…下ケース、１４ａ…回転軸挿入孔、１５…上ケース、１５ｂ…ガス吹込口、１６陽極、１７…給液パイプ、１８…可溶性金属体、１９…蓋板、ＰＬ…メッキ液、ＣＣ…チップ、ＣＣａ…下地金属膜、２１…シート状排液部材、２２…壁部材、２３…筒状部品、２３ａ…ガス吹込口。
【発明の属する技術分野】
本発明は、回転メッキ装置とこの回転メッキ装置を利用した電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
微小な被メッキ物、例えば図２に示すような電子部品用チップＣＣに設けられた下地金属膜ＣＣａ上にニッケル膜や錫膜や銅膜や半田膜等の金属膜を形成する装置として、図１に示すような回転メッキ装置が知られている。
【０００３】
この回転メッキ装置は、メッキ槽１と、メッキ槽１を支持する回転テーブル１１と、回転テーブル１１に連結された回転軸１２と、回転軸１２に接触状態で配置された給電ブラシ１３と、下ケース１４と、下ケース１４上に着脱自在に取り付けられた上ケース１５と、メッキ槽１内に挿入配置された籠状の陽極１６と、メッキ液ＰＬを供給するための給液パイプ１７と、陽極１６内に収容された可溶性金属体１８と、上ケース１５の開口１５ａを塞ぐ蓋板１９とを備える。
【０００４】
メッキ槽１は、円形の支持盤２と、支持盤２上に配置されたリング状の排液部材３と、排液部材３上に配置されたリング状の陰極４と、陰極５上に配置されたリング状のカバー部材５とから構成されている。このメッキ槽１は、支持盤２と排液部材３と陰極４とカバー部材５に形成されたボルト挿通孔（図示省略）に上側からボルト（図示省略）を挿入し、このボルトを回転テーブル１１のボルト穴（図示省略）にねじ込むことによって回転テーブル１１上に着脱自在に取り付けられており、陰極４はこのボルト，支持盤２，回転テーブル１１及び回転軸１２を通じて給電ブラシ１３と導通している。また、カバー部材５の中央には、陽極１６を出し入れするための開口５ａが設けられている。
【０００５】
下ケース１４は回転テーブル１１の周囲及び下側に配置され、上ケース１５の下端部は下ケース１４の上端部に着脱自在に嵌め込まれており、メッキ槽１及び回転テーブル１１は、下ケース１４及び上ケース１５により構成されたケース（符号無し）内に位置している。また、下ケース１４の中央には回転軸１２が遊挿された回転軸挿入孔１４ａが形成され、この回転軸挿入孔１４ａの周囲には環状の貯液部１４ａが形成され、この貯液部１４ａの底面には排液口１４ｃが設けられている。さらに、上ケース１５の中央には陽極１６を出し入れするための開口１５ａが形成され、その側面には窒素ガス等の不活性ガスＩＧをケース内に吹き込むためのガス吹込口１５ｂが形成されている。
【０００６】
この回転メッキ装置を用いて図２に示したチップＣＣの下地膜ＣＣａ上に所定の金属膜、例えばニッケル膜を形成するときには、メッキ槽１内に多数のチップＣＣを投入し、可溶性金属体（ニッケル塊）１８を収納した陽極１６を開口１５ａ，５ａを通じてメッキ槽１内に挿入して開口１５ａを蓋板１９で塞いだ後、給液パイプ１７からメッキ槽１内にメッキ液（ニッケルメッキ用のもの）を供給する。続いて、図示省略のモータからの回転力を変速機等を介して回転軸１２に伝え、回転テーブル１１とその上のメッキ槽１を所定方向に回転させ、チップＣＣを遠心力によって陰極４の内周面に移動させると共に、陽極１６と陰極４の間に所定の電流を流してチップＣＣの下地金属膜ＣＣａ上にニッケル膜を形成する。
【０００７】
メッキ処理時には、所期のメッキ処理が効果的に行えるように、メッキ槽１内のメッキ液ＰＬを排液部材３を通じて外部（上・下ケース１４，１５の内側）に排出し、且つ、排出量に相当するメッキ液ＰＬを給液パイプ１７からメッキ槽１内へ供給してメッキ槽１内の液面高さが一定となるように制御する。また、メッキ処理時には、陰極４の内周面に移動したチップＣＣがメッキ膜によって相互固着することを防止するため、通電を数秒毎に停止すると共にメッキ槽１を逆回転させてチップＣＣの撹拌を行う。
【０００８】
さらに、メッキ処理時には、排液部材３を通じてメッキ槽１から排出されたメッキ液ＰＬを貯液部１４ｂ及び排液口１４ｃを通じてメッキ液槽（図示省略）に戻して再利用するために、上ケース１５のガス吹込口１５ｂからケース内に不活性ガスＩＧを吹き込んでメッキ槽１から排出されたメッキ液ＰＬの酸化を防止する。
【０００９】
【特許文献１】
特開平８−２３９７９９号公報
【特許文献２】
特開平８−２９６０９４号公報
【特許文献３】
特開平１１−１１７０８７号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
メッキ槽１から排出されたメッキ液ＰＬを再利用するためには、排出後のメッキ液ＰＬの酸化を防止してメッキ液ＰＬに含まれる金属イオンの価数の変動（増加）を抑制する必要がある。例えば、メッキ処理により錫膜を形成するときにメッキ槽１から排出されるメッキ液ＰＬに含まれる錫イオンの価数は基本的には２（Ｓｎ２＋）であるが、このメッキ液ＰＬが酸素を含む空気に触れると価数が４の錫イオン（Ｓｎ４＋）が生成されてしまう。このような４価の錫イオンが含まれるメッキ液ＰＬがメッキ液槽に戻されて再利用されると、次にメッキ処理を行う際の析出効率が低下し、形成される錫膜が空隙の多い低品位のものになって信頼性が格段低下する。
【００１１】
先に述べた従来の回転メッキ装置でも、メッキ処理時には排出メッキ液ＰＬの酸化を防止するためにケース内に不活性ガスＩＧを吹き込むようにしているが、ガス吹込口１５ｂがメッキ槽１の排液部材３の外部露出面よりも高い位置にあるため、メッキ槽１から排出されたメッキ液ＰＬに不活性ガスを効率良く接触させることができない。
【００１２】
要するに、窒素ガス等から成る不活性ガスＩＧは空気よりも比重が軽いため、ガス吹込口１５ｂを通じてケース内に吹き込まれた不活性ガスＩＧはその大半が排出メッキ液ＰＬに接触することなくその上端の開口１５ａと蓋板１９との隙間等から外部に放出されてしまう。また、排液部材３として連通多孔質のものが使用され、しかも、メッキ槽１が高速で回転する関係から、排液部材３から排出されるメッキ液ＰＬは気体と接触し易い霧状或いはこれに近い状態にあるため、排出メッキ液ＰＬは微量の空気と接触するだけで簡単に酸化してしまう。
【００１３】
本発明は前記事情に鑑みて創作されたもので、その目的とするところは、排出メッキ液の酸化を防止できる回転メッキ装置と、この装置を利用した電子部品の製造方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明に係る回転メッキ装置は、支持盤とリング状陰極の間にメッキ液排出用の排液部材を備える回転可能なメッキ槽と、メッキ槽内に配置された陽極と、メッキ槽を覆うケースとを具備し、被メッキ物が投入されたメッキ槽を回転させ、且つ、メッキ槽内に供給されたメッキ液を排液部材を通じてメッキ槽外に排出しながら被メッキ物へのメッキ処理を行う回転メッキ装置において、前記ケースには、メッキ槽の排液部材の外部露出面と向き合う位置もしくはそれよりも低い位置に、不活性ガスをケース内に吹き込むためのガス吹込口が設けられている、ことをその特徴とする。
【００１５】
この回転メッキ装置によれば、ガス吹込口がメッキ槽の排液部材の外部露出面と向き合う位置もしくはそれよりも低い位置に設けられているので、メッキ槽から排出されるメッキ液全体に不活性ガスを効果的に接触させてその酸化を防止することができ、酸化による金属イオンの価数変動（増加）を抑制して排出メッキ液の再利用を的確に行うことができる。
【００１６】
また、本発明に係る電子部品の製造方法は、前記の回転メッキ装置を用いて、電子部品用チップに設けられた下地金属膜上に少なくとも１層の金属膜を形成する、ことをその特徴とする。この製造方法によれば、所望の金属膜が適切に形成された電子部品を得ることができる。
【００１７】
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
［第１実施形態］
図３は本発明に係る回転メッキ装置の第１実施形態を示す。
【００１９】
この回転メッキ装置が、図１に示した従来装置と異なるところは、上ケース１５のガス吹込口１５ｂをメッキ槽１の排液部材２１の外部露出面と向き合う位置よりも低い位置に設けた点と、回転テーブル１１の下面にケース内から回転軸挿入孔１４ａへのメッキ液ＰＬの侵入を抑制する壁部材２２を設けた点と、リング状排液部材３の代わりに円形のシート状排液部材２１を用いた点にある。他の構成は図１に示した従来装置と同じであるので、同一符号を用いその説明を省略する。
【００２０】
ガス吹込口１５ｂはその上端高さ位置が排液部材２１の外部露出面の上端高さ位置よりも低くなるように形成されている。このガス吹込口１５ｂは図示省略のチューブを介してガスボンベ等の不活性ガス供給源に接続されており、窒素ガス等の不活性ガスＩＧが所定の流量で供給される。
【００２１】
壁部材２２は円筒形状を成す部品から成り、下ケース１４の回転軸挿入孔１４ａの近傍位置においてその下端が貯液部１４ｂ内に入り込むように、回転テーブル１１の下面に取り付けられている。この壁部材２２はケース内から回転軸挿入孔１４ａへのメッキ液ＰＬの侵入を抑制するためのもので、壁部材２２の下端は、貯液部１４ｂに一時的に貯留されるメッキ液ＰＬに触れないよう、その下端高さを最大貯液面高さよりも僅かに高く設定されている。
【００２２】
シート状排液部材２１は数μｍ〜数百μｍの空孔を連通状態で有する多孔質のプラスチックやセラミクスや金属焼結体等から成り、円形の支持盤２の表面形状にほぼ合致した形状を有している。また、排液部材２１は、リング状陰極４の下面が接触する外周縁を除く部分の表面によってメッキ槽１の内側底面を構成している。つまり、メッキ槽１内のメッキ液ＰＬは、排液部材２１のリング状陰極接触箇所を除く部分の表面から内部に浸透してその外周面（外部露出面）からメッキ槽１外に排出される。
【００２３】
この回転メッキ装置を用いて微小な被メッキ物、例えば図２に示すような電子部品用チップＣＣの下地金属膜ＣＣａ上に所定の金属膜、例えばニッケル膜を形成するときには、メッキ槽１内に多数のチップＣＣを投入し、可溶性金属体（ニッケル塊）１８を収納した陽極１６を開口１５ａ，５ａを通じてメッキ槽１内に挿入して開口１５ａを蓋板１９で塞いだ後、給液パイプ１７からメッキ槽１内にメッキ液（ニッケルメッキ用のもの）を供給する。続いて、図示省略のモータからの回転力を変速機等を介して回転軸１２に伝え、回転テーブル１１とその上のメッキ槽１を所定方向に回転させ、チップＣＣを遠心力によって陰極４の内周面に移動させると共に、陽極１６と陰極４の間に所定の電流を流してチップＣＣの下地金属膜ＣＣａ上にニッケル膜を形成する。
【００２４】
このメッキ処理時には、所期のメッキ処理が効果的に行えるように、メッキ槽１内のメッキ液ＰＬを排液部材２１を通じて外部（上・下ケース１４，１５の内側）に排出し、且つ、排出量に相当するメッキ液ＰＬを給液パイプ１７からメッキ槽１内へ供給してメッキ槽１内の液面高さが一定となるように制御する。また、メッキ処理時には、陰極４の内周面に移動したチップＣＣがメッキ膜によって相互固着することを防止するため、通電を数秒毎に停止すると共にメッキ槽１を逆回転させてチップＣＣの撹拌を行う。
【００２５】
さらに、メッキ処理時には、排液部材２１を通じてメッキ槽１から排出されたメッキ液ＰＬを貯液部１４ｂ及び排液口１４ｃを通じてメッキ液槽（図示省略）に戻して再利用するために、上ケース１５のガス吹込口１５ｂからケース内に不活性ガスＩＧを吹き込んで、この不活性ガスＩＧによってメッキ槽１から排出されるメッキ液ＰＬの酸化を防止する。
【００２６】
本実施形態では、ガス吹込口１５ｂがその上端高さ位置が排液部材２１の外部露出面の上端高さ位置よりも低くなるように上ケース１５に設けられているので、ガス吹込口１５ｂに送り込まれた不活性ガスＩＧは、図３中に白抜き矢印で示すように、ケース内の排液部材２１の外部露出面のやや下側に向けて吹き込まれると共にここから上方に向かって移動する。
【００２７】
つまり、ケース内に吹き込まれた不活性ガスＩＧは、排液部材２１から排出されるメッキ液ＰＬ全体と効果的に接触することになるので、窒素ガス等から成る不活性ガスＩＧが空気よりも比重が軽くても、不活性ガスＩＧによる排出メッキ液ＰＬの酸化防止を効率良く行って、酸化による金属イオンの価数変動（増加）を抑制することができる。
【００２８】
前記のメッキ処理の前または後にニッケル膜以外の金属膜、例えば銅膜や錫膜や半田膜等を、前記のメッキ処理に先立って或いは前記のメッキ処理後に続けてチップＣＣに形成するときには、メッキ槽１を回転させてメッキ槽１内のメッキ液ＰＬを排液部材２１を通じて排出し、続けて洗浄水を供給しながらメッキ槽１を回転させてメッキ後のチップＣＣの洗浄を行う。洗浄後は、ニッケル塊とは異なる可溶性金属体１８を収納した陽極１６を開口１５ａ，５ａを通じてメッキ槽１内に挿入し、この可溶性金属体１８に対応したメッキ液をメッキ槽１内に供給しながら前記と同様のメッキ処理を行う。
【００２９】
前述の回転メッキ装置によれば、ケース内に吹き込まれた不活性ガスＩＧを排出メッキ液ＰＬ全体と効果的に接触させることができるので、不活性ガスＩＧによる排出メッキ液ＰＬの酸化防止を効率良く行って酸化による金属イオンの価数変動（増加）を抑制し、排出メッキ液ＰＬの再利用を的確に行うことができる。
【００３０】
また、前述の回転メッキ装置によれば、回転テーブル１１の下面にケース内から回転軸挿入孔１４ａへのメッキ液ＰＬの侵入を抑制するための壁部材２２が設けられているので、回転軸１２の軸受部や駆動系にメッキ液ＰＬが回り込むことによる腐食の問題を防止して、これら機器の長寿命化を図ることができる。
【００３１】
さらに、前述の回転メッキ装置によれば、メッキ槽１の排液部材２１が支持盤２の表面形状にほぼ合致した形状のシートから成りメッキ槽１の内側底面を構成しているので、リング状のものに比べ排液有効面積を大きく確保することができ、リング状陰極４の近傍位置でチップＣＣが排液部材２１に付着したとしても排液部材２１を通じてメッキ槽１外に排出されるメッキ液ＰＬの量を十分に確保して所期のメッキ処理を効果的に行うことができる。しかも、排液有効面積が大きく確保されていてメッキ液ＰＬの排出量を十分に確保できることから、メッキ槽１内において下から上に向かう環流の度合が弱く、この環流の影響によってリング状陰極４の内周面に移動したチップＣＣが盛り上がった形態となることを防止して、チップＣＣとリング状陰極４の内周面との最大距離を大きく減少させることができ、これにより、チップＣＣとリング状陰極４の内周面との最大距離の増加を原因とした通電不良の発生を抑制し、メッキ膜厚のバラツキを抑えて品質向上を図ることができる。
【００３２】
尚、前述の実施形態では、ガス吹込口１５ｂとしてその上端が排液部材２１の外部露出面の上端よりも低くなる位置に形成したものを示したが、ガス吹込口１５ｂは、その上端が排液部材２１の外部露出面の下端よりも低くなる位置に形成されていても、排液部材２１の外部露出面と向き合う位置（正対する位置）に形成されていても、前記同様の作用効果を得ることができる。
【００３３】
また、前述の実施形態では、排液部材２１として支持盤２の表面を覆うシート状のものを示したが、図１に示した従来装置と同様のリング状排液部材３を排液部材２１の代わりに用いても構わない。
【００３４】
［第２実施形態］
図４は本発明に係る回転メッキ装置の第２実施形態を示す。
【００３５】
この回転メッキ装置が、図１に示した従来装置と異なるところは、上ケース１５のガス吹込口１５ｂを排除しその代わりに下ケース１４の回転軸挿入孔１４ａの下側にガス吹込口２３ａを有する筒状部品２３を設けた点（回転軸挿入孔１４ａと回転軸１２との隙間をガス吹込口として利用した点）と、回転テーブル１１の下面にケース内から回転軸挿入孔１４ａへのメッキ液ＰＬの侵入を抑制する壁部材２２を設けた点と、リング状排液部材３の代わりに円形のシート状排液部材２１を用いた点にある。他の構成は図１に示した従来装置と同じであるので、同一符号を用いその説明を省略する。
【００３６】
筒状部品２３は回転軸１２の直径よりも僅かに大きな円形孔２３ｂを中央に有し、回転軸挿入孔１４ａと回転軸１２との隙間に通じるガス吹込口２３ａをその側面に有している。このガス吹込口２３ａは図示省略のチューブを介してガスボンベ等の不活性ガス供給源に接続されており、窒素ガス等の不活性ガスＩＧが所定の流量で供給される。
【００３７】
壁部材２２は円筒形状を成す部品から成り、下ケース１４の回転軸挿入孔１４ａの近傍位置においてその下端が貯液部１４ｂ内に入り込むように、回転テーブル１１の下面に取り付けられている。この壁部材２２はケース内から回転軸挿入孔１４ａへのメッキ液ＰＬの侵入を抑制するためのもので、壁部材２２の下端は、貯液部１４ｂに一時的に貯留されるメッキ液ＰＬに触れないよう、その下端高さを最大貯液面高さよりも僅かに高く設定されている。
【００３８】
シート状排液部材２１は数μｍ〜数百μｍの空孔を連通状態で有する多孔質のプラスチックやセラミクスや金属焼結体等から成り、円形の支持盤２の表面形状にほぼ合致した形状を有している。また、排液部材２１は、リング状陰極４の下面が接触する外周縁を除く部分の表面によってメッキ槽１の内側底面を構成している。つまり、メッキ槽１内のメッキ液ＰＬは、排液部材２１のリング状陰極接触箇所を除く部分の表面から内部に浸透してその外周面（外部露出面）からメッキ槽１外に排出される。
【００３９】
この回転メッキ装置を用いて微小な被メッキ物、例えば図２に示すような電子部品用チップＣＣの下地金属膜ＣＣａ上に所定の金属膜、例えばニッケル膜を形成するときには、メッキ槽１内に多数のチップＣＣを投入し、可溶性金属体（ニッケル塊）１８を収納した陽極１６を開口１５ａ，５ａを通じてメッキ槽１内に挿入し開口１５ａを蓋板１９で塞いだ後、給液パイプ１７からメッキ槽１内にメッキ液（ニッケルメッキ用のもの）を供給する。続いて、図示省略のモータからの回転力を変速機等を介して回転軸１２に伝え、回転テーブル１１とその上のメッキ槽１を所定方向に回転させ、チップＣＣを遠心力によって陰極４の内周面に移動させると共に、陽極１６と陰極４の間に所定の電流を流してチップＣＣの下地金属膜ＣＣａ上にニッケル膜を形成する。
【００４０】
このメッキ処理時には、所期のメッキ処理が効果的に行えるように、メッキ槽１内のメッキ液ＰＬを排液部材２１を通じて外部（上・下ケース１４，１５の内側）に排出し、且つ、排出量に相当するメッキ液ＰＬを給液パイプ１７からメッキ槽１内へ供給してメッキ槽１内の液面高さが一定となるように制御する。また、メッキ処理時には、陰極４の内周面に移動したチップＣＣがメッキ膜によって相互固着することを防止するため、通電を数秒毎に停止すると共にメッキ槽１を逆回転させてチップＣＣの撹拌を行う。
【００４１】
さらに、メッキ処理時には、排液部材２１を通じてメッキ槽１から排出されたメッキ液ＰＬを貯液部１４ｂ及び排液口１４ｃを通じてメッキ液槽（図示省略）に戻して再利用するために、下ケース１４の下面に設けた筒状部品２３のガス吹込口２３ａから回転軸挿入孔１４ａと回転軸１２の隙間を通じケース内に不活性ガスＩＧを吹き込んで、この不活性ガスＩＧによってメッキ槽１から排出されるメッキ液ＰＬの酸化を防止する。
【００４２】
本実施形態では、ガス吹込口２３ａが回転軸挿入孔１４ａと回転軸１２の隙間を通じるように下ケース１４の下側に設けられているので、ガス吹込口２３ａから回転軸挿入孔１４ａと回転軸１２との隙間に送り込まれた不活性ガスＩＧは、図４中に白抜き矢印で示すように、回転テーブル１１下面の壁部材２２と貯液部１４ｂの貯留メッキ液ＰＬとの隙間を通じて、ケース内の回転テーブル１４下面側に吹き込まれると共にここから上方に向かって移動する。
【００４３】
つまり、ケース内に吹き込まれた不活性ガスＩＧは、排液部材２１から排出されるメッキ液ＰＬ全体と効果的に接触することになるので、窒素ガス等から成る不活性ガスＩＧが空気よりも比重が軽くても、不活性ガスＩＧによる排出メッキ液ＰＬの酸化防止を効率良く行って、酸化による金属イオンの価数変動（増加）を抑制することができる。
【００４４】
前記のメッキ処理の前または後にニッケル膜以外の金属膜、例えば銅膜や錫膜や半田膜等を、前記のメッキ処理に先立って或いは前記のメッキ処理後に続けてチップＣＣに形成するときには、メッキ槽１を回転させてメッキ槽１内のメッキ液ＰＬを排液部材２１を通じて排出し、続けて洗浄水を供給しながらメッキ槽１を回転させてメッキ後のチップＣＣの洗浄を行う。洗浄後は、ニッケル塊とは異なる可溶性金属体１８を収納した陽極１６を開口１５ａ，５ａを通じてメッキ槽１内に挿入し、この可溶性金属体１８に対応したメッキ液をメッキ槽１内に供給しながら前記と同様のメッキ処理を行う。
【００４５】
前述の回転メッキ装置によれば、ケース内に吹き込まれた不活性ガスＩＧを排出メッキ液ＰＬ全体と効果的に接触させることができるので、不活性ガスＩＧによる排出メッキ液ＰＬの酸化防止を効率良く行って酸化による金属イオンの価数変動（増加）を抑制し、排出メッキ液ＰＬの再利用を的確に行うことができる。
【００４６】
また、前述の回転メッキ装置によれば、回転テーブル１１の下面にケース内から回転軸挿入孔１４ａへのメッキ液ＰＬの侵入を抑制するための壁部材２２が設けられているので、回転軸１２の軸受部や駆動系に排出メッキ液ＰＬが回り込むことによる腐食の問題を防止して、これら機器の長寿命化を図ることができる。しかも、不活性ガスＩＧが、回転軸挿入孔１４ａと回転軸１２との隙間から、回転テーブル１１下面の壁部材２２と貯液部１４ｂの貯留メッキ液ＰＬとの隙間を通じて、ケース内の回転テーブル１４下面側に吹き込まれるので、排出メッキ液ＰＬが回転軸挿入孔１４ａに侵入することを不活性ガスＩＧの圧力により抑制して、回転軸１２の軸受部や駆動系に排出メッキ液ＰＬが回り込むことによる腐食の問題をより確実に防止することができる。
【００４７】
さらに、前述の回転メッキ装置によれば、メッキ槽１の排液部材２１が支持盤２の表面形状にほぼ合致した形状のシートから成りメッキ槽１の内側底面を構成しているので、リング状のものに比べ排液有効面積を大きく確保することができ、リング状陰極４の近傍位置でチップＣＣが排液部材２１に付着したとしても排液部材２１を通じてメッキ槽１外に排出されるメッキ液ＰＬの量を十分に確保して所期のメッキ処理を効果的に行うことができる。しかも、排液有効面積が大きく確保されていてメッキ液ＰＬの排出量を十分に確保できることから、メッキ槽１内において下から上に向かう環流の度合が弱く、この環流の影響によってリング状陰極４の内周面に移動したチップＣＣが盛り上がった形態となることを防止して、チップＣＣとリング状陰極４の内周面との最大距離を大きく減少させることができ、これにより、チップＣＣとリング状陰極４の内周面との最大距離の増加を原因とした通電不良の発生を抑制し、メッキ膜厚のバラツキを抑えて品質向上を図ることができる。
【００４８】
尚、前述の実施形態では、下ケース１４の回転軸挿入孔１４ａの下側にガス吹込口２３ａを有する筒状部品２３を設けたものを示したが、筒状部品２３に相当する部位を下ケース１４に一体形成しても良い。勿論、回転軸挿入孔１４ａと回転軸１２との隙間をガス吹出口として利用できるものであれば筒状部品２３の代わりに他の部品（部位）を用いても良い。
【００４９】
また、前述の実施形態では、排液部材２１として支持盤２の表面を覆うシート状のものを示したが、図１に示した従来装置と同様のリング状排液部材３を排液部材２１の代わりに用いても構わない。
【００５０】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、排出メッキ液の酸化を防止してその再利用を的確に行える回転メッキ装置を提供できると共に、この装置を用いて所望の金属膜が適切に形成された電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の回転メッキ装置を示す縦断面図
【図２】電子部品用チップの斜視図
【図３】本発明に係る回転メッキ装置の第１実施形態を示す縦断面図
【図４】本発明に係る回転メッキ装置の第２実施形態を示す縦断面図
【符号の説明】
１…メッキ槽、２…支持盤、４…リング状陰極、５…カバー部材、１１…回転テーブル、１２…回転軸、１３…給電ブラシ、１４…下ケース、１４ａ…回転軸挿入孔、１５…上ケース、１５ｂ…ガス吹込口、１６陽極、１７…給液パイプ、１８…可溶性金属体、１９…蓋板、ＰＬ…メッキ液、ＣＣ…チップ、ＣＣａ…下地金属膜、２１…シート状排液部材、２２…壁部材、２３…筒状部品、２３ａ…ガス吹込口。
Claims (5)
- 支持盤とリング状陰極の間にメッキ液排出用の排液部材を備える回転可能なメッキ槽と、メッキ槽内に配置された陽極と、メッキ槽を覆うケースとを具備し、被メッキ物が投入されたメッキ槽を回転させ、且つ、メッキ槽内に供給されたメッキ液を排液部材を通じてメッキ槽外に排出しながら被メッキ物へのメッキ処理を行う回転メッキ装置において、
前記ケースには、メッキ槽の排液部材の外部露出面と向き合う位置もしくはそれよりも低い位置に、不活性ガスをケース内に吹き込むためのガス吹込口が設けられている、
ことを特徴とする回転メッキ装置。 - メッキ槽を支持する回転テーブルと、回転テーブルに連結された回転軸とを具備し、ケースはその下部に回転軸挿入孔を有していてメッキ槽及び回転テーブルを覆う形態を備え、回転テーブルの下面にはケース内から回転軸挿入孔へのメッキ液の侵入を抑制する壁部材が設けられている、
ことを特徴とする請求項１に記載の回転メッキ装置。 - メッキ槽を支持する回転テーブルと、回転テーブルに連結された回転軸とを具備し、ケースはその下部に回転軸挿入孔を有していてメッキ槽及び回転テーブルを覆う形態を備え、ガス吹込口は回転軸挿入孔と回転軸との隙間によって構成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の回転メッキ装置。 - 回転テーブルの下面にはケース内から回転軸挿入孔へのメッキ液の侵入を抑制する壁部材が設けられている、
ことを特徴とする請求項３に記載の回転メッキ装置。 - 請求項１〜４の何れか１項に記載の回転メッキ装置を用いて、電子部品用チップに設けられた下地金属膜上に少なくとも１層の金属膜を形成する、
ことを特徴とする電子部品の製造方法。
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