JP2004296546A

JP2004296546A - 熱電モジュール及びそのパッケージ

Info

Publication number: JP2004296546A
Application number: JP2003083762A
Authority: JP
Inventors: Koichi Tanaka; 広一田中
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2003-03-25
Filing date: 2003-03-25
Publication date: 2004-10-21
Anticipated expiration: 2023-03-25
Also published as: JP4005937B2

Abstract

【課題】配線の抵抗を低くして省電力化し、接合信頼性の高い電気的接続を行った熱電モジュールを提供し、また、ワイヤボンディングの作業性が高く、ワイヤの長さが短い省電力化を図った熱電モジュールのパッケージを提供する。
【解決手段】下部支持基板と、該下部支持基板上に配列された複数の熱電変換素子と、該複数の熱電変換素子の上に設けられた上部支持基板と、該複数の熱電変換素子間を電気的に連結する配線導体と、前記上部支持基板上に設けられ、該配線導体と電気的に連結された外部接続端子とを具備し、該外部接続端子が、平面電極と、その上に当接するように一体的に設けられたブロック状電極とを具備することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、温度制御用、保冷用、発電用として好適に使用される熱電モジュールに関する。
【０００２】
【従来技術】
熱電変換素子は、Ｐ型半導体とＮ型半導体とからなるＰＮ接合対に電流を流すと一端が発熱するとともに他端が吸熱するというペルチェ効果を利用したもので、これをモジュール化した熱電モジュールは、精密な温度制御が可能であり、小型で構造が簡単でありフロンレスの冷却装置、光検出素子、半導体製造装置等の電子冷却素子、レーザーダイオードの温度調節等への幅広い利用が期待されている。また逆に熱電変換素子の両端に温度差をつけると、電流が流れる特徴を有しており、排熱回収発電などへの利用が期待されている。
【０００３】
この熱電モジュールは通常パッケージ又は基板に、半田接合して使用される。そのため、例えば図３に示すように、支持基板３１上に設けられた熱電変換素子３２を配線導体３３が電気的に連結し、その端部に外部接続用電極３４を形成し、ＹＡＧレーザーを使用して半田３５を用いてリード線３６を外部接続用電極３４に接合することが行われていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
ところが、リード線を接続するためには、ＹＡＧレーザー等による特殊な接合技術を必要とするのに加え、接続端子の位置が熱電モジュールの内部にあるため、手作業でリード線をパッケージに接続する必要があるため、手間がかかる反面歩留まりが低くなるという問題があった。
【０００５】
そこで、図４に示すように、支持基板４１上に設けられた熱電変換素子４２と配線導体４３を電気的に連結し、ワイヤボンディングできるように電極パッド４４を設けた熱電変換モジュールが提唱されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
ところが、特許文献２に記載の方法では、例えば半導体レーザーパッケージ内部の底板に近い部位にある電極パッドと、天板に近い部位に設置された外部電極端子とを細く長いワイヤで連結するため、電気抵抗が大きくなって発熱によって消費電力が大きくなるという問題があった。
【０００７】
また、電極パッド上にブロックを設けてワイヤの長さを短くすることも提唱されているが、その場合ブロックが細長くなるため強度が不十分であるため、ワイヤボンディング時に折れ或いは曲がり、または接合部が剥離するという問題があった。特にブロックが細長い場合、垂直度及び真直度を高めることが難しく、ワイヤボンディングにおける歩留まりが低くなることが多かった。
【０００８】
そこで、図５に示すように、熱電変換モジュールの上部支持基板５１ａ上に平面電極５４を設け、パッケージの電力供給端子５７とワイヤボンディング５８することが提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００９】
【特許文献１】
特開平４−０４９６７８号公報
【００１０】
【特許文献２】
特許第３０８２１７０号
【００１１】
【特許文献３】
特開平１１−５４８０６号公報
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特許文献３に記載の方法では、上部支持基板に電極パッドを設け、ワイヤの長さを短くする工夫がなされ、パッケージ内部配線工程単一化及び配線作業時間の短縮という利点があるものの、上部支持基板に直接ワイヤボンディングするため、その衝撃で脆い熱電変換素子が破損することや、支持基板がたわんで素子と配線電極との間に亀裂が入ることが発生するという問題があった。
【００１３】
従って、本発明の目的は、配線の抵抗を低くして省電力化し、接合信頼性の高い電気的接続を行った熱電モジュールを提供することにある。
【００１４】
また、本発明の別の目的は、ワイヤボンディングの作業性が高く、ワイヤの長さが短い省電力化を図った熱電モジュールのパッケージを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の熱電モジュールは、上部支持基板上に配線導体と電気的に連結された外部接続端子が設けられ、かつ該外部接続端子が平面電極上にブロック状電極が一体的に設けられたことを特徴としており、よってリード線を介さず、パッケージにワイヤボンディングにて電気的に接続することを可能としている。
【００１６】
本発明の熱電モジュールは、外部接続端子を上部支持基板上に設け、かつ該外部接続端子を、平面電極上にブロック状電極が一体的に設けられた構造にすることによって、リード線を介さず、パッケージにワイヤボンディングにて電気的に接続することを可能とし、ブロック状電極の高さを低くできるため、ブロック状電極の折れ、曲がりの問題を解消することができる。そのため簡便な製造が可能で、信頼性の高い電気的接続を行った熱電モジュールを提供することができる。
【００１７】
また、ブロック状電極の形状、寸法、材質を任意に選定することにより、所望の電気抵抗を設定することができ、熱電モジュールの電流−電圧特性を容易に設定することが可能となる。配線の電気抵抗を低くして省電力化に大きく寄与することができる。
【００１８】
即ち、本発明の熱電モジュールは、下部支持基板と、該下部支持基板上に配列された複数の熱電変換素子と、該複数の熱電変換素子の上に設けられた上部支持基板と、該複数の熱電変換素子間を電気的に連結する配線導体と、前記上部支持基板上に設けられ、該配線導体と電気的に連結された外部接続端子とを具備し、該外部接続端子が、平面電極と、その上に当接するように一体的に設けられたブロック状電極とを具備することを特徴とする。
【００１９】
これによりワイヤの長さを短くすることができ、電気抵抗を低くして省電力化することができる。またブロック状電極を低くすることができるため、ワイヤボンディング時に折れ或いは曲がり、または接合部が剥離するという問題を低減でき、歩留まりを向上させることができる。さらにワイヤボンディング時の衝撃をブロック状電極によって低減できるため、歩留まりを向上させるとともに、信頼性を高めることができる。
【００２０】
特に、前記上部支持基板がビア電極を具備し、前記外部接続端子と前記配線導体とが前記ビア導体を介して電気的に接続されてなることを特徴とする。これにより簡便に、上部支持基板上にブロック状電極を設けることができる。
【００２１】
また、前記ビア電極が、前記熱電変換素子の直上に設けられたことが好ましい。これにより、電気的接続に関する信頼性を高め、発熱によるエネルギーロスを低減することができる。
【００２２】
さらに、前記ブロック状電極が、Ｚｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ及びＭｇの少なくとも１種の元素を含む金属であることを特徴とする。これにより。低抵抗で消費電力の少ないブロック状電極を設けることができる。
【００２３】
さらにまた、前記ブロック状電極の最大長径の高さに対する比が、０．２〜２０であることを特徴とする。これによりワイヤボンディング時に折れ或いは曲がり、または接合部が剥離するという問題を低減でき、かつ垂直度及び真直度を高めることが容易であるため、歩留まりを高めることができる。
【００２４】
また、前記平面電極とブロック状電極とを接合する半田の溶融温度と、前記熱電変換素子と配線導体とを接合している半田の溶融温度とが異なることが好ましい。これにより半田の溶融温度差を利用し、組み立てを容易にすることができる。
【００２５】
さらに、前記平面電極とブロック状電極を局所加熱により一体化することを特徴とする。これにより簡便にブロック状電極を設けることができる。
【００２６】
さらにまた、前記ブロック状電極が、その表面にＮｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｔ及びＣｏの少なくとも１種を含む薄層を具備することを特徴とする。これにより半田の濡れ性が改善され、良好な接合状態を得ることができる。
【００２７】
また、本発明の熱電モジュールのパッケージは、容器と、該容器の内部に設けられた接続用電極と、上記の熱電モジュールとを具備し、前記ブロック状電極の上面と前記接続用電極とが略同一の高さであることを特徴とする。これによりワイヤの長さを最短にすることができ、かつワイヤボンディングの作業性が容易となる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
本発明を、一実施例を基に説明する。
【００２９】
本発明の熱電モジュールは、図１（ａ）に示したように、支持基板１ａ、１ｂの表面に、それぞれ配線導体３ａ、３ｂが形成され、さらにＮ型熱電変換素子２ａ及びＰ型熱電変換素子２ｂからなる複数の熱電変換素子２が配線導体３ａ、３ｂによって挟持されるように配置し、半田で接合されている。
【００３０】
熱電変換素子２はＮ型熱電変換素子２ａ及びＰ型熱電変換素子２ｂの２種からなり、下部支持基板１ｂの一方の主面上にマトリックス状に配列されている。Ｎ型熱電変換素子２ａ及びＰ型熱電変換素子２ｂは、Ｎ型、Ｐ型、Ｎ型、Ｐ型と交互に、且つ電気的に直列になるように配線導体３ａ、３ｂで接続し、一つの電気回路を形成する。
【００３１】
配線導体３ａ、３ｂは外部接続端子５に電気的に接続されている。この外部接続端子５には、半田によって外部配線を接続することを可能とするもので、外部から電力が供給される構造となっており、電気回路と外部の電気回路とを結び、電力を供給する役割を果たしている。
【００３２】
外部接続端子５は、上部支持基板１ａの上面、即ち熱電変換素子２が接合された面と反対側の面に設けられ、平面電極５ａ及びブロック状電極５ｂで構成されていることが重要である。即ち、上部支持基板１ａの上に、平面電極が設けられ、その上に当接するように、ブロック状電極が一体的に設けられている。
【００３３】
外部接続端子を構成する平面電極と、熱電変換素子を電気的に接続する配線導体とは、お互いに上部支持基板の反対側に対向するように設けられており、これらを接続するため、上部支持基板の外周に配線を設けても良いが、上部支持基板のエッジ部に形成するため、長期的に見ると欠けの発生や消耗によって電気的接続が不安定になることがある。
【００３４】
そのため、図１（ｂ）に示したように、下部支持基板１１ａと上部支持基板１１ｂとが、Ｎ型熱電変換素子２ａ及びＰ型熱電変換素子２ｂとからなる複数の熱電変換素子２を挟持し、それぞれ配線導体３ａ、３ｂを介して設けられ、上部支持基板１１ｂに設けられた配線導体３ｂと平面電極５ａとがビア電極を介して接続されていることが好ましい。このような配線を採用すると、ビア電極の欠けや消耗が極めて少ないため、接続信頼性、特に長期信頼性を顕著に高めることが可能となる。
【００３５】
特に、ビア電極１６が、前記熱電変換素子１２の直上に設けられ、熱電変換素子１２から平面電極１４までの距離を最短にすることで、系の電気抵抗をより小さくでき、省電力に寄与できる。また、従来の方法（例えば図５の構造）ではワイヤボンディング時に基板がたわむため、熱電変換素子１２と配線導体との間にクラックが発生するという現象が生じていたが、これを抑制し、さらに熱電モジュールの歩留りと信頼性を高めることができる。
【００３６】
このように、平面電極４を上部支持基板１ａの上面に形成することによって、外部との電気的な接続を容易にすることができる。例えば、図３に示すように、本発明の熱電モジュール２１をパッケージ２５の内部に実装し、ブロック状電極２７をパッケージ２５に設けられた外部配線２３と半田２４等を用いて接合することによって、電流を熱電モジュール２１に供給することができる。
【００３７】
平面電極５ａは、熱電変換素子２に電力を供給するためのものであり、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ等の電気抵抗が低く、熱伝導率の高い金属からなることが、発熱を抑制し、且つ熱放散性に優れるために好ましい。
【００３８】
ブロック上電極５ｂの形状は、三角柱、四角柱、六角柱や八角柱等の角柱でも良いし、円柱でも良い。これらの中で、位置決め精度、断面積の広さの点で四角柱が好ましい。また、成形性、加工性、形状精度、コストの点において特に円柱が好ましい。なお、図１においては、円柱形状で示した。
【００３９】
ブロック状電極が、Ｚｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ及びＭｇの少なくとも１種の元素を含む金属であることが、電気抵抗が低いため好ましい。またワイヤボンディング時の衝撃に耐える強度と、衝撃を吸収する適度な柔軟性を有することから、ブロック状電極の材料として好ましい。
【００４０】
ブロック状電極の最大長径の高さに対する比が、０．２〜２０特に０．５〜１５、更には１〜１０であることが好ましい。ブロック状電極が円柱の場合、最大長径は直径に相当し、楕円の場合には、長径に相当し、角柱の場合には対角線のうち最も長い対角線に相当する。このような形状にすることにより、ブロック上電極が曲がったり折れたりすることを防止でき、垂直に配置することが容易で、パッケージ及び熱電モジュールの小型化及び歩留まり向上に寄与できる。
【００４１】
例えば、ブロック状電極が円柱の場合、直径ｄに対する高さｈの比ｄ／ｈが０．２〜２０であることが好ましく、四角柱であれば、２つの対角線のうち長い対角線Ｄに対する高さｈの比Ｄ／ｈが０．２〜２０であればよい。同様に、６角柱であれば、９本の対角線のうち最も長い対角線Ｄに対する高さｈの比Ｄ／ｈが０．２〜２０であればよく、８角柱では２０本の対角線のうち最大のものを選択すれば良い。
【００４２】
配線導体及び外部接続端子は、導電性を有し、電気を容易に流しえるものであれば特に限定するものではないが、電気抵抗の低い点において、Ｚｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ及びＭｇの少なくとも１種の元素を含む金属で構成されることが好ましい。
【００４３】
平面電極とブロック状電極とを接合する半田と、前記熱電変換素子と配線導体とを接合している半田は特に限定するものではないが、溶融温度の異なる半田を利用し、平面電極とブロック状電極とを接合する工程と熱電変換素子と配線導体とを接合する工程を２工程で行うことにより、熱電モジュールの作製を容易に行うことができる。
【００４４】
また前記ブロック状電極が、その表面にＮｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｔ及びＣｏの少なくとも１種を含む薄層を具備することにより、半田の濡れ性を改善することができ、良好な電気伝導性、接合強度を得ることができる。
【００４５】
次に、本発明の熱電モジュールの製造方法について、図１の熱電モジュールの製造方法を例として説明する。
【００４６】
まず、熱電変換素子を準備する。本発明によれば、熱電変換素子は周知の方法によって得られるものを用いることができる。即ち、焼結法、単結晶法、溶製法のいずれかによって得られた結晶を使用することが可能である。
【００４７】
熱電変換素子２は、ビスマス、テルル、アンチモン、セレンのうち少なくとも２種を含む焼結体を用いることが好ましい。これらの金属や合金は、室温付近で性能の高い熱電モジュールを実現できる。熱電変換素子２の大きさは特に限定されないが、小型熱電モジュールとしては、縦０．１〜２ｍｍ、横０．１〜２ｍｍ、高さ０．１〜３ｍｍに加工したものを準備する。
【００４８】
次いで、支持基板として、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、ダイヤモンド等のセラミックスを準備する。基板形状に加工した後、表面に銅、銀、金及びアルミニウム等の導電性材料を用いて配線導体及び平面電極を、スパッタ法、ＣＶＤ法、メタライズ法、メッキ法等の公知の手法を用いて形成する。
【００４９】
次いで、配線導体の上に、熱電変換素子を配置する。この熱電変換素子は、半田の濡れ性を向上させるために、予め接合面にメタライズされたＮｉ等を介して金属表面に半田接合される。なお、熱電変換素子は、Ｎ型熱電変換素子及びＰ型熱電変換素子が交互に並ぶように配列し、且つ電気的に直列に配列される。
【００５０】
このようにして得られた熱電モジュールの上部支持基板上に、例えば直径１ｍｍ、高１ｍｍの大きさのブロック状電極をソフトビーム等で局所的に加熱、接合し、熱電モジュールを作製する。この他、ＹＡＧレーザー等でスポット溶接して熱電モジュールを作製しても構わない。
【００５１】
また、本発明の他の熱電モジュール作製方法として、先に熱電変換素子と配線導体を溶融温度２８０℃のＡｕ−Ｓｎ半田で接合してモジュール化し、しかる後に上部支持基板上の平面電極とブロック状電極を溶融温度２３０℃のＳｎ−Ｓｂ半田で接合し、熱電モジュールを完成させる。
【００５２】
このように、本発明の熱電モジュールをパッケージに搭載した熱電モジュールでは、熱電モジュールをパッケージにワイヤボンディングできるため、接続する工程を簡略化することができる。
【００５３】
本発明の熱電モジュールのパッケージは、図２に示したように、容器と、該容器の内部に設けられた接続用電極とそれと一体の外部接続端子とを具備し、内部の底面に上記の熱電モジュールが載置されている。
【００５４】
そして、ブロック状電極の上面と前記接続用電極とが略同一の高さに設けられ、両者をワイヤボンディングによって電気的に接続されている。
【００５５】
このように、ブロック状電極のボンディング面と接続用電極との略同一の高さであるため、ワイヤの長さを最短にすることができ、よって抵抗を小さくでき消費電力を低減できるという利点がある。また、狭いパッケージの内部でワイヤボンディングする必要がないため、作業が優れているという利点もある。
【００５６】
パッケージは特に限定するものではないが、放熱性に優れたＣｕ−Ｗ、Ｃ−Ｃコンポジットなどの材料が好適に用いられる。
【００５７】
【実施例】
出発原料には、Ｂｉ_２Ｔｅ_２．８５Ｓｅ_０．１５系焼結体からなる熱電変換素子を準備した。形状は、四角柱で、寸法は縦０．６ｍｍ、横０．６ｍｍ、高さ１ｍｍであった。また、上部及び下部支持基板として、大きさが６ｍｍ×８ｍｍのアルミナを用意した。
【００５８】
下部支持基板の配線導体上に、Ａｕ−Ｓｎなどの半田１からなる半田ペーストを印刷し、その上に素子を並べ、絶縁基板の反対面から加熱し、熱電変換素子を固定した。素子の数は、Ｎ型熱電変換素子及びＰ型熱電変換素子を同数ずつ用いた。同様にしてもう一面の絶縁基板と熱電変換素子を固定して熱電モジュールが得られる。半田１の溶融温度を表１に示した。
【００５９】
得られた熱電モジュールの上部支持基板上に、Ｓｎ−Ｓｂなどの半田２からなる半田ペーストを印刷し、その上に円柱状ブロック電極を並べ、下部支持基板側から加熱し、ブロック電極を固定した。半田１の溶融温度を表２に示した。
【００６０】
このようにして得られた熱電モジュールをパッケージへ実装し、下記の評価を行った。
【００６１】
歩留りについては、パッケージへの実装前後の抵抗変化（△Ｒ）を交流４端子法により測定し、△Ｒが５％を超えるものは×、５％以下を○とした。
【００６２】
作業性については、ワイヤ配線に要する時間を測定し、２０秒／本以上かかったものは×と判定した。
【００６３】
消費電力については、ＬＤを２５℃一定に保持するに必要な消費電力を測定た。
【００６４】
信頼性試験については通電サイクル試験を行った。通電サイクル試験は、電流を１．５分間印加（ＯＮ）した後、印加電流を停止して（ＯＦＦ）４．５分保持するＯＮ−ＯＦＦの通電サイクル試験（５０００サイクル）を行った後に外観検査及び抵抗変化（ΔＲ）を交流４端子法により測定した。この試験を試料番号のそれぞれについて２２個ずつ実施し、そのうち１個でもＮＧが発生した場合、×と判定した。結果を表１に示した。
【００６５】
【表１】

【００６６】
本発明の試料Ｎｏ．３〜５１は、歩留まりが９０％以上、消費電力が２Ｗ以下で、作業性、信頼性試験ともに良好であった。中でも、試料Ｎｏ．５、６、９、１０、１５、１６、１９、２０、２３、２４、２７、２８、３０〜４９は、歩留まりが９９％以上、消費電力が１．６Ｗ以下で、作業性、信頼性試験も良好であり、全ての評価において特に優れていた。
【００６７】
これに対し、下部支持基板の平面電極でリード線を接合する本発明の範囲外の試料Ｎｏ．１は、歩留まりが７０％と低く、消費電力は３Ｗと高く、作業性が本発明の試料に比べて劣っていた。
【００６８】
また、上部支持基板上に平面電極を形成し、この平面電極に本発明の範囲外の試料Ｎｏ．２は歩留まりが８０％と低く、消費電力は２．５％と高く、作業性と信頼性試験が本発明の試料に比べて劣っていた。
【００６９】
【発明の効果】
本発明は、上部支持基板上に平面電極とブロック状電極とからなる外部接続端子を設けたため、信頼性の高いワイヤボンディング接続が可能となり、そのため簡便な製造が可能で、配線の電気抵抗を低くして省電力化し、信頼性の高い電気的接続を行った熱電モジュールを提供することができる。
【００７０】
また、本発明の別の目的は、ワイヤボンディングの作業性が高く、ワイヤの長さが短い省電力化を図った熱電モジュールのパッケージを提供することにある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の熱電モジュールの構造を示すもので、（ａ）は斜視図、（ｂ）は概略断面図である。
【図２】本発明のパッケージに搭載した熱電モジュールの概略断面図である。
【図３】リード線を接続した従来の熱電モジュールの斜視図である。
【図４】従来のワイヤボンディングに対応可能な熱電モジュールの斜視図である。
【図５】従来のワイヤボンディングに対応可能な他の熱電モジュールの概略断面図である。
【符号の説明】
１・・・支持基板
１ａ・・・上部支持基板
１ｂ・・・上部支持基板
２・・・熱電変換素子
２ａ・・・Ｎ型熱電変換素子
２ｂ・・・Ｐ型熱電変換素子
３、３ａ、３ｂ・・・配線導体
５・・・外部接続電極
５ａ・・・平面電極
５ｂ・・・ブロック状電極
６・・・ビア電極
２６・・・パッケージ
２７・・・外部接続端子
２８・・・ワイヤ
２９・・・リード線
３０・・・半田

Claims

下部支持基板と、該下部支持基板上に配列された複数の熱電変換素子と、該複数の熱電変換素子の上に設けられた上部支持基板と、該複数の熱電変換素子間を電気的に連結する配線導体と、前記上部支持基板上に設けられ、該配線導体と電気的に連結された外部接続端子とを具備し、該外部接続端子が、平面電極と、その上に当接するように一体的に設けられたブロック状電極とを具備することを特徴とする熱電モジュール。
前記上部支持基板がビア電極を具備し、前記外部接続端子と前記配線導体とが前記ビア導体を介して電気的に接続されてなることを特徴とする請求項１記載の熱電モジュール。
前記ビア電極が、前記熱電変換素子の直上に設けられたことを特徴とする請求項１乃至２記載の熱電モジュール。
前記ブロック状電極が、Ｚｎ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ及びＭｇの少なくとも１種の元素を含む金属であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の熱電モジュール。
前記ブロック状電極の最大長径の高さに対する比が、０．２〜２０であることを特徴とする請求項１乃至４記載の熱電モジュール。
前記平面電極とブロック状電極とを接合する半田の溶融温度と、前記熱電変換素子と配線導体とを接合している半田の溶融温度とが異なることを特徴とする請求項１乃至５に記載の熱電モジュール。
前記ブロック状電極が、その表面にＮｉ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｔ及びＣｏの少なくとも１種を含む薄層を具備することを特徴とする請求項１乃至６に記載の熱電モジュール。
容器と、該容器の内部に設けられた接続用電極と、請求項１乃至８のいずれかに記載の熱電モジュールとを具備し、前記ブロック状電極の上面と前記接続用電極とが略同一の高さであることを特徴とする熱電モジュールのパッケージ。