JP2004296468A - ワイヤボンディング構造及びワイヤボンディング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体チップ12の各電極12aと、パッケージ11の各電極11aとの間を、夫々ボンディングワイヤ14により弧状のループを描くように接続する。このとき、ファーストボンディング後のセカンドボンディング位置までのウェッジの移動軌跡の制御により、ボンディングワイヤ14のループ部分を、中間部分を下方に凹ませた凹形状を有する屈曲形状とする。凹部の曲げ深さ寸法hを0以上とし、望ましくは該ループの高さ寸法Hの1/3から1/2とする。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、2つの電極間を、ボンディングワイヤにより弧状のループを描くように接続するワイヤボンディング構造及びワイヤボンディング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体圧力センサにおいては、図14に概略的に示すように、半導体チップ(圧力センサチップ)1を、パッケージ(基板)2内に接着剤3により接着し、半導体チップ1上の電極(パッド)1aと、パッケージ2に設けられた電極(リード)2aとを、例えばアルミニウム製のボンディングワイヤ4により接続するようになっている。
【0003】
この場合、一般に、超音波を用いたワイヤボンディング方法が用いられ、図示はしないが、この方法では、先端にワイヤ4を保持したボンディングツール(ウェッジ)を半導体チップ1の電極1a上に移動させ、一定の周波数の超音波振動及び圧力を付与することによってワイヤ4の先端をその電極1aに接合し(ファーストボンディング)、次いで、ワイヤ4のループを形成させながらウェッジを移動させ、パッケージ2の電極2aに同様にワイヤ4を超音波接合する(セカンドボンディング)ことにより行われるようになっている。
【0004】
ところで、このようなワイヤボンディングにおいては、セカンドボンディング時において、ウェッジの超音波振動によりワイヤ4が共振する現象が発生することがあり、このような共振が起こると、ワイヤ4のファーストボンド部のネック部にダメージを与えてしまい、接合信頼性が低下する不具合が生ずる。このとき、図15に示すように、横軸にワイヤ長を、縦軸にボンディング周波数をとった場合、ワイヤの共振領域A1〜A3(図に斜線を付して示す)は、ワイヤ長が大きくなるにつれて、順に高次のものが周期的に出現するようになる。例えばボンディング周波数が120kHzの場合、ワイヤ長がa1であると、共振領域A3に入り、共振が発生することになる。
【0005】
そこで、そのような不具合を防止するためには、ワイヤ4の長さを変えることが効果的となり、従来では、図16に示すように、電極2aのセカンドボンディングの位置座標をずらすことにより、ワイヤ5の長さを変えることが考えられている(例えば特許文献1参照)。また、ワイヤの長さを変える(長くする)ためには、図17に示すように、ワイヤ6のループ高さを高くすることも考えられる。あるいは、超音波振動子に対する発信出力信号を制御することにより、振動周波数を変更することも考えられていた(例えば特許文献2参照)。
【0006】
【特許文献1】
特開平6−61312号公報
【0007】
【特許文献2】
特開平8−31884号公報
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記したうち、セカンドボンディングの位置座標を変更したり、ループ高さを変更したりすることにより、ワイヤの長さを変えるものでは、通常、そのようなボンディング座標位置やループ高さは、設計的に寸法が最適化されているため、設計的制約から困難を伴う場合が多くなる。あるいは、変更が可能であるとしても、共振領域から少しずらすことができる程度であり、製品ばらつき等により、共振が発生する可動性を完全に回避することは難しい。また、振動周波数を変更するものでは、装置構成が複雑となり大幅なコストアップを招く問題点がある。
【0009】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、超音波を用いたワイヤボンディングを行なうにあたり、ボンディングワイヤの共振に起因する不具合の発生を効果的に防止することができ、しかもそのための構成を簡単で安価に済ませることができるワイヤボンディング構造及びワイヤボンディング方法を提供するにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の請求項1のワイヤボンディング構造は、ボンディングワイヤのループ部分を、2つ以上の節点を有する屈曲形状としたところに特徴を有する。これによれば、ループ部分が空中で屈曲形状とされることによりボンディングワイヤの長さをかせぐことができる。
【0011】
従って、ボンディング座標位置やループ高さに設計的制限があっても、それらを変更することなく、ボンディングワイヤを共振領域から外れた長さに長くすることが可能となり、これと共に、節点により、ワイヤのファーストボンド部のネック部への振動エネルギーの伝達が抑えられる作用も期待できる。この結果、ボンディングワイヤの共振の発生を効果的に防止することができる。しかも、ボンディングワイヤのループ部分を屈曲形状とするだけの簡単で安価な構成で済ませることができる。
【0012】
この場合、ボンディングワイヤの長さを、ボンディング周波数に対してワイヤ長の変化に応じて周期的に出現する共振領域のn次と(n+1)次との中間に位置する長さとすれば(請求項2の発明)、ワイヤ長を共振領域から大きく外れた長さとすることができるので、多少の製品ばらつき等があっても、共振の発生を確実に防止することができるようになり、より効果的となる。
【0013】
また、より具体的には、上記屈曲形状として、ボンディングワイヤのループ部分を、平面方向に見てほぼS字状に構成したり(請求項3の発明)、あるいは、弧状のループの中間部分を下方に凹ませた凹形状に構成したり(請求項4の発明)することができる。いずれも、比較的簡単な構成で済ませることができ、加工も容易となる。
【0014】
このとき、本発明者の研究によれば、ループ部分を凹形状に構成する場合、その凹部の曲げ深さ寸法を、該ループの高さ寸法の1/3から1/2とすることが好ましく(請求項5の発明)、これにより、ワイヤ長を共振領域から大きくずらせることができ、効果的となる。
【0015】
そして、本発明においては、上記したワイヤボンディング構造におけるボンディングワイヤのループ部分の屈曲形状を形成するために、請求項6ないし請求項9に記載のワイヤボンディング方法を採用することができる。
即ち、本発明の請求項6のワイヤボンディング方法は、ファーストボンディング後のセカンドボンディング位置までのボンディングツールの移動軌跡を、予め設定された屈曲形状となるように制御するようにしたものである。これによれば、ルーピングのプログラム制御によってボンディングワイヤのループ部分の屈曲形状を得ることができるので、作業工程の増加等を招くことなく、簡単な構成で安価で済ませることができる。
【0016】
本発明の請求項7のワイヤボンディング方法は、ファーストボンディング後のボンディングツールをセカンドボンディング位置に移動させた状態で、折曲げ治具によりループ部分を屈曲させるようにしたものである。本発明の請求項8のワイヤボンディング方法は、セカンドボンディングが完了した後、折曲げ治具によりループ部分を屈曲させるようにしたものである。いずれにおいても、折曲げ治具を用いることによって、ボンディングワイヤのループ部分の屈曲形状を、所望の形状に確実に形成することができる。
【0017】
このとき、上記折曲げ治具を、任意角度に回転可能な回転体と、この回転体にその回転軸を挟む位置に設けられた2本の棒状部材とを備えたものとし、それら棒状部材間にボンディングワイヤのループ部分を挟んだ状態で回転体を回転させることにより、ループ部分を屈曲させるようにすることができる(請求項9の発明)。これによれば、比較的簡単な構成の折曲げ治具によって、ボンディングワイヤのループ部分の屈曲形状を、確実に形成することができる。
【0018】
本発明の請求項10のワイヤボンディング方法は、2つの電極間を、ボンディングワイヤにより弧状のループを描くように接続するものにあって、ボンディングワイヤのループ部分の途中部を、クランプ治具によりクランプした状態で、セカンドボンディングを行うようにしたところに特徴を有する。
【0019】
これによれば、ループ部分の途中部がクランプされていることによって、セカンドボンディング時のボンディングワイヤの共振が発生しにくくなり、また、共振が発生しても、ワイヤのファーストボンド部のネック部に振動エネルギーが伝達されなくなる。この結果、ボンディングワイヤの共振に起因する不具合の発生を効果的に防止することができ、しかも、ボンディングワイヤのループ部分の途中部をクランプ治具によりクランプするだけの簡単な構成で安価に済ませることができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体化したいくつかの実施例について、図1ないし図13を参照しながら説明する。尚、以下に述べる各実施例は、いずれも、例えば車両用の半導体圧力センサにおける半導体チップ(圧力センサチップ)と、パッケージの電極との間の接続に本発明を適用したものである。
【0021】
(1)第1の実施例
図1ないし図5を参照して、本発明の第1の実施例(請求項1、2、4、5、6に対応)について述べる。まず、図1に示すように、半導体圧力センサは、パッケージ(ケース)11内の凹部に、半導体圧力センサチップ12(以下、単に半導体チップ12という)を、接着剤13により装着し、それらを例えば直径が50μmのアルミニウム製のボンディングワイヤ14により電気的に接続して構成される。
【0022】
このとき、半導体チップ12の上面には、接続用の4個の電極(パッド)12aが、その一辺部(図で右辺部)に並んで形成されている。これに対し、前記パッケージ11の凹部の外側(図で右側)部分の上面部には、前記半導体チップ12の各電極12aと電気的に接続される4個の電極(リード端子)11aが、それら各電極12aと対応した位置に設けられている。
【0023】
さて、前記パッケージ11に半導体チップ12が接着された後、半導体チップ12の各電極12aと、パッケージ11の各電極11aとの間が、夫々ボンディングワイヤ14により弧状のループを描くように接続される。詳しくは後述するように、その接続には、超音波を利用した、本実施例に係るワイヤボンディング方法が用いられる。
【0024】
このとき、本実施例では、図1(a)に示すように、ボンディングワイヤ14のループ部分が、縦方向に屈曲された2つ以上の節点を有する屈曲形状、より具体的には、弧状のループの中間部分を下方に凹ませた凹形状(ほぼM字形状)に構成されている。また、その凹部の曲げ深さ寸法hは、該ループの高さ寸法Hの1/3から1/2の範囲、この場合約1/2とされている。そして、後述するように、上記屈曲形状としたことにより、ボンディングワイヤ14の長さ(ワイヤ長)a2が、ボンディング周波数に対してワイヤ長の変化に応じて周期的に出現する共振領域のn次と(n+1)次との中間に位置する長さとされている(図2参照)。
【0025】
ここで、図示はしないが、そのワイヤボンディングに用いられるワイヤボンディング装置(ウェッジボンダ)は、周知のように、半導体チップ12を搭載したパッケージ11が位置決め固定状態でセットされるボンディングステーション、カメラ等を備え前記各電極12a及び11aの位置を認識する画像認識部、ワイヤ14を超音波接合するボンディングツール、このボンディングツール(ウェッジ)をX、Y、Z方向に自在に移動させるための移動機構、全体を制御する制御装置などを備えて構成されている。
【0026】
前記ボンディングツールは、ワイヤ14を保持し加圧するためのウェッジやそのウェッジに振動を付与するための超音波振動子等を有して構成されている。本実施例では、ボンディング周波数が、例えば120kHzとされている。また、前記制御装置には、ボンディングワイヤ14のループ部分の上記した所定の屈曲形状を得るように、ウェッジを移動させるルーピングのプログラムが予め設定(入力)されている。尚、前記電極11aに対するボンディング座標位置や、ボンディングワイヤ14のループ高さHは、設計的に寸法が最適化されている。
【0027】
次に、本実施例におけるワイヤボンディング方法(手順)について述べる。上述のように、ワイヤボンディング装置においては、まず、ボンディングステーションに、半導体チップ12を装着したパッケージ11が搬入され、位置決め固定される。この後、画像認識部により半導体チップ12の各電極12a、及びパッケージ11の各電極11aの位置認識が行われる。そして、それらの間をボンディングワイヤ14により接合する作業が行なわれる。
【0028】
このワイヤボンディングの作業では、第1に、先端にワイヤ14を保持したウェッジを、まず半導体チップ12の電極12a上に移動させ、超音波振動及び圧力を付与することによってワイヤ14の先端をその電極12aに接合するファーストボンディングが行なわれる。引続き、ウェッジを、ワイヤ14のループを形成させながら電極11a上(セカンドボンディング位置)に移動させることが行なわれる。
【0029】
このとき、本実施例では、ルーピングのプログラム制御によってファーストボンディング後のセカンドボンディング位置までのウェッジの移動軌跡が、図で右方に移動しながらの上下動を2回繰返すように、予め設定されたループ部分の屈曲形状、つまり図1(a)に示すような中間部が凹形状となる形状が得られるように制御されるのである。
【0030】
次いで、パッケージ11の電極11aに対して、ウェッジにより超音波振動及び圧力を付与することによってワイヤ14をその電極11aに接合するセカンドボンディングが行なわれる。この後、ワイヤ14が切断され、ワイヤ14の先端を保持したウェッジが次のボンディング位置(次の電極12a上)に移動される。以上の動作が4対の電極12a、11aに対し順に実行されることにより、図1(b)に示すように、4本のボンディングワイヤ14による半導体チップ12とパッケージ11との間の電気的接続が完了するのである。
【0031】
しかして、上記したワイヤボンディングにおいては、セカンドボンディング時において、ウェッジの超音波振動によりワイヤ14が共振する現象が発生することがあり、このような共振が起こると、ワイヤ14のファーストボンド部のネック部にダメージを与えてしまい、接合信頼性が低下する等の不具合が生ずる。このとき、従来技術の項(図15)でも述べたように、横軸にワイヤ長を、縦軸にボンディング周波数をとった場合、ワイヤの共振領域A1〜A3(図2に斜線を付して示す)は、ワイヤ長が大きくなるにつれて、順に高次のものが周期的に出現するようになる。
【0032】
ここで、図5は、本発明者等が行った、ボンディングワイヤ14のループ高さを様々に変更した場合の、ループ高さ(言換えればワイヤ長)と引張り強度との関係を調べた試験結果を示している。この図5から明らかなように、ボンディングワイヤ14をある長さとしたとき(楕円で囲んだ2箇所)に、引張り強度が明らかに低下する(またばらつきが大きくなる)現象が見られ、これは、ワイヤ長が共振領域に入って上記したワイヤ14の共振が発生したことに起因するものであると考えられる。
【0033】
ところが、本実施例では、ボンディングワイヤ14のループ部分を空中で縦方向の屈曲形状(中間部に凹形状を有する形状)としたことにより、ボンディング座標位置やループ高さHを変更することなく、ワイヤ長をかせぐことができ、ボンディングワイヤ14を共振領域から外れた長さとすることができた。この場合、ワイヤ14を屈曲形状とすることにより、図2に示すように、ワイヤの共振領域をA1〜A3から、夫々B1〜B3(異なる斜線を付して示す)に相対的にずらすことができ、例えばボンディング周波数が120kHzで、ワイヤ長を、共振領域B1〜B3から外れた長さa2とすることができたのである。
【0034】
これと共に、屈曲形状とされたボンディングワイヤ14の節点により、ワイヤ14のファーストボンド部のネック部への振動エネルギーの伝達が抑えられる作用も期待できる。このとき、ボンディングワイヤ14の共振は、縦方向に強い振動として発生すると考えられるが、本実施例では、ボンディングワイヤ14を縦方向(上下方向)に屈曲させていることにより、縦方向の振動の伝達を効果的に抑えることができる。
【0035】
ちなみに、図3は、本実施例におけるボンディングワイヤ14のループ部分の形状と、従来例(図14)に示した通常のボンディングワイヤ4の形状とで、引張り強度を比較した試験結果を示している。この結果から、本実施例のボンディングワイヤ14の形状によって、従来に比べて引張り強度に優れたものとなったことが理解できる。
【0036】
また、図4は、従来例(図14)に示した通常の形状のボンディングワイヤ4(a)、本実施例の縦方向に屈曲形状としたボンディングワイヤ14(b)、後述する第2の実施例のように横方向に屈曲形状としたボンディングワイヤ(c)における、ボンディング周波数(横軸)と、共振の強さ(縦軸)との関係を調べた結果を示している。この結果からも、本実施例では、共振領域を確実に避けることができたことが理解できる。
【0037】
このように本実施例によれば、超音波を用いたワイヤボンディングを行なうにあたり、ボンディングワイヤ14のループ部分を屈曲形状としたことにより、セカンドボンディング時におけるボンディングワイヤ14の共振の発生を効果的に防止することができ、この結果、ボンディングワイヤ14の共振に起因して、ワイヤ14のファーストボンド部のネック部にダメージを与える等の不具合を効果的に防止することができるという優れた効果を奏する。
【0038】
しかも、ボンディングワイヤ14のループ部分を屈曲形状とするだけなので、ボンディング座標位置やループ高さHに設計的制限があっても、それらを変更することなく実現でき、また、ルーピングのプログラム制御によってボンディングワイヤ14のループ部分の屈曲形状を得ることができるので、作業工程の増加等を招くことなく、簡単な構成で安価に済ませることができるものである。
【0039】
また、特に本実施例では、ボンディングワイヤ14の長さを、ボンディング周波数に対してワイヤ長の変化に応じて周期的に出現する共振領域B1とB2との中間に位置する長さとしたので、多少の製品ばらつき等があっても、共振の発生を確実に防止することができるようになる。更には、ボンディングワイヤ14のループ部分の屈曲形状として、弧状のループの中間部分を下方に凹ませた凹形状とすると共に、その凹部の曲げ深さ寸法hを、該ループの高さ寸法Hの1/3以上としたので、簡単な構成で、ワイヤ長を共振領域から大きくずらせることができ、共振発生の防止効果に極めて優れたものとすることができたのである。
【0040】
(2)第2〜第4の実施例
次に、本発明の第2〜第4の実施例について、図6〜図11を参照しながら以下順に説明する。尚、これら第2〜第4の実施例においても、上記第1の実施例と同様に、半導体チップ12を、パッケージ(ケース)11に装着し、それらをアルミニウム製のボンディングワイヤにより接続する場合を具体例としている。従って、上記第1の実施例と同一部分には同一符号を付して詳しい説明を省略し、以下、異なる点についてのみ述べる。
【0041】
図6〜図9は、本発明の第2の実施例(請求項3、7、9に対応)を示している。この実施例が上記第1の実施例と異なる点は、半導体チップ12の各電極12aと、パッケージ11の各電極11aとの間を夫々接続するボンディングワイヤ21のループ部分の形状にあり、ここでは、図6に示すように、平面方向に見てほぼS字状をなす屈曲形状(横曲げ)に構成されている。従って、電極11a上のセカンドボンディングの座標位置やループ高さHを変更することなく、ボンディングワイヤ21の長さが長くなっている。
【0042】
そして、本実施例では、ボンディングワイヤ21のループ部分を屈曲形状とするために、ファーストボンディング後のボンディングツール(ウェッジ22)をセカンドボンディング位置に移動させた状態で、折曲げ治具23を用いてボンディングワイヤ21のループ部分を屈曲させるようにしている。
【0043】
この場合、図7及び図8に示すように、ワイヤボンディング装置は、ワイヤ21を超音波接合するためのボンディングツール(ウェッジ22)を有すると共に、折曲げ治具23を有している。この折曲げ治具23は、上下に延びる回転軸を中心に任意角度に回転可能な回転体23aと、この回転体23aの下面に、その回転軸を挟む位置に下方に延びて設けられた2本の棒状部材たるピン23bとを備えて構成されている。
【0044】
ワイヤボンディングを行なうにあたっては、まず、ウェッジ22によりワイヤ21を導体チップ12の電極12aに接合するファーストボンドが行なわれ、引続き、ウェッジ22を、ワイヤ21のループを形成させながら電極11a上(セカンドボンディング位置)に移動させることが行なわれ、ウェッジ22はその状態で停止される。
【0045】
次いで、折曲げ治具23によりループ部分を屈曲させる作業が行なわれるのであるが、この作業では、まず図7に示すように、折曲げ治具23の2本のピン23b間に、ワイヤ21のループ部分を図で前後から挟んだ状態とし、引続き、図8に示すように、回転体23aを任意の角度(この場合90°強)回転させることにより、ループ部分がほぼS字状に屈曲されるのである。この後、ウェッジ22によりワイヤ21をパッケージ11の電極11aに接合するセカンドボンディングが行なわれる。
【0046】
これにて、ボンディングワイヤ21のループ部分を空中で横方向の屈曲形状(上から見てほぼS字状)としたことにより、ボンディング座標位置やループ高さHを変更することなく、ワイヤ長をかせぐことができ、ボンディングワイヤ21を共振領域から外れた長さとすることができ、これと共に、屈曲形状とされたボンディングワイヤ21の節点により、ワイヤ21のファーストボンド部のネック部への振動エネルギーの伝達が抑えられる効果も期待できる。
【0047】
ちなみに、図9は、本実施例におけるボンディングワイヤ21のループ部分の形状と、従来例(図14)に示した通常のボンディングワイヤ4の形状とで、引張り強度を比較した試験結果を示している。この結果から、本実施例の形状を備えるボンディングワイヤ21は、従来のものに比べて引張り強度に優れたものとなったことが理解できる。また、図4(c)は、上記形状のボンディングワイヤ21における、ボンディング周波数(横軸)と、共振の強さ(縦軸)との関係を調べた結果を示しており、この結果からも、共振領域を確実に避けることができたことが理解できる。
【0048】
このように本実施例によれば、超音波を用いたワイヤボンディングを行なうにあたり、ボンディングワイヤ21のループ部分を屈曲形状としたことにより、上記第1の実施例と同様に、ボンディング座標位置やループ高さHを変更することなく、セカンドボンディング時におけるボンディングワイヤ21の共振の発生を効果的に防止することができ、この結果、ボンディングワイヤ21の共振に起因する不具合の発生を防止することができる。
【0049】
そして、本実施例では、比較的簡単な構成の折曲げ治具23を用いることによって、ボンディングワイヤ21のループ部分の屈曲形状を、所望の形状に確実に形成することができ、ボンディングワイヤ21のループ部分を屈曲形状とするための構成を比較的簡単で安価に済ませることができるものである。
【0050】
図10は、本発明の第3の実施例を示している。この実施例では、半導体チップ12の各電極12aと、パッケージ11の各電極11aとの間を夫々接続するボンディングワイヤ31のループ部分の形状を、上記第2の実施例よりも屈曲度合の大きいほぼS字状(いわゆる稲妻型)に構成している。
【0051】
図11は、本発明の第4の実施例を示している。この実施例では、パッケージ11の各電極11bの位置を、図で前後方向にややずらせた状態とすると共に、半導体チップ12の各電極12a前記各電極11bとの間を夫々接続するボンディングワイヤ32のループ部分の形状を、やはり、平面方向に見てほぼS字状をなす屈曲形状としている。これら、第3、第4の実施例においても、上記第2の実施例と同様の作用、効果を得ることができる。
【0052】
尚、上記第2の実施例では、ウェッジ22(ワイヤ21)を、電極11a(セカンドボンディング位置)の上方で停止させた状態で、折曲げ治具23による屈曲作業を行なうようにしたが、ウェッジ22によりワイヤ21を電極11a上に押当てた状態で屈曲作業を行うようにしても良い。更には、セカンドボンディングが完了した後、折曲げ治具23によりループ部分を屈曲させるように構成することも可能である(請求項8に対応)。
【0053】
(3)第5の実施例、その他の実施例
図12及び図13は、本発明の第5の実施例(請求項10に対応)を示している。この実施例では、半導体チップ12の各電極12aと、パッケージ11の各電極11aとの間を、ボンディングワイヤ41により弧状のループを描くように接続するのであるが、ウェッジ22により電極11a上にセカンドボンディングを行う際に、ボンディングワイヤ41のループ部分の途中部を、クランプ治具42によりクランプするようにしている。
【0054】
このとき、図12に示すように、前記クランプ治具42は、一対の爪42aを有し、それらの間に、ボンディングワイヤ41をクランプしたり、クランプを解除したりすることが可能に構成されている。この場合、図12(a)に示すように、ウェッジ22によるルーピング作業時には、クランプ治具42の爪42aは開いており、図12(b)及び図13に示すように、セカンドボンディング時には、クランプ治具42の爪42aが閉じてボンディングワイヤ41のループ部分の途中部がクランプされるようになっている。セカンドボンディングが完了すると、図12(c)に示すように、クランプ治具42の爪42aが開放される。
【0055】
これにて、セカンドボンディング時のボンディングワイヤ41の共振が発生しにくくなり、また、共振が発生しても、ワイヤ41のファーストボンド部のネック部に振動エネルギーが伝達されることが阻害される。この結果、本実施例によれば、ボンディングワイヤ41の共振に起因する不具合の発生を効果的に防止することができ、しかも、ボンディングワイヤ41のループ部分の途中部をクランプ治具42によりクランプするだけの簡単な構成で安価に済ませることができるものである。
【0056】
尚、上記実施例では、本発明を半導体圧力センサに適用するようにしたが、半導体チップを基板に実装する場合など、電極間をボンディングワイヤで接続するもの全般に適用することができる。ボンディングワイヤのループ部分の屈曲形状としても、様々な変形例が考えられ、例えば4個以上の多数個の節点を有するような蛇行状に構成することも可能である。回転軸を横方向とした折曲げ治具を用いて縦曲げを行うことも可能であり、ウェッジの移動軌跡の制御により、横曲げを行なうことも可能である。
【0057】
その他、本発明は上記し図面に示した各実施例に限定されるものではなく、例えば、ボンディングワイヤの材質としてはアルミニウムに限らず、金などであっても良く、また、半導体チップ及びパッケージの電極の個数や位置、折曲げ治具やクランプ治具の構造や形状等についても種々の変形が可能であり、更にはボンディング周波数等の具体的な数値についても一例を示したに過ぎない等、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例を示すもので、ボンディングワイヤ部分の構成を概略的に示す縦断正面図(a)及び平面図(b)
【図2】ボンディングワイヤの長さと共振領域との関係を示す図
【図3】ボンディングワイヤの引張り強度の試験結果を従来のものと比較して示す図
【図4】従来例(a)、第1の実施例(b)、第2の実施例(c)のボンディングワイヤにおける、ボンディング周波数と共振の強さとの関係を調べた結果を示す図
【図5】ボンディングワイヤのループ高さ(ワイヤ長)と引張り強度との関係を調べた試験結果を示す図
【図6】本発明の第2の実施例を示すもので、図1相当図
【図7】折曲げ治具によりボンディングワイヤのループ部分を挟んだ様子を示す正面図
【図8】折曲げ治具を回転させてループ部分を屈曲させる様子を示す正面図
【図9】図3相当図
【図10】本発明の第3の実施例を示す図1相当図
【図11】本発明の第4の実施例を示す図1相当図
【図12】本発明の第5の実施例を示すもので、ルーピング時(a)、セカンドボンディング時(b)、ボンディング完了時(c)のクランプ治具とボンディングワイヤとの関係を示す側面図
【図13】セカンドボンディング時の様子を示す縦断正面図
【図14】従来例を示すもので、図1相当図
【図15】図2相当図
【図16】別の従来例を示す図1相当図
【図17】更に別の従来例を示す図1相当図
【符号の説明】
図面中、11はパッケージ、11a,11bは電極、12は半導体チップ、12aは電極、14,21,31,32,41はボンディングワイヤ、22はウェッジ(ボンディングツール)、23は折曲げ治具、23aは回転体、23bはピン(棒状部材)、42はクランプ治具を示す。
Claims (10)
- 2つの電極間を、ボンディングワイヤにより弧状のループを描くように接続するワイヤボンディング構造であって、
前記ボンディングワイヤのループ部分が、2つ以上の節点を有する屈曲形状とされていることを特徴とするワイヤボンディング構造。 - 前記ボンディングワイヤの長さが、ボンディング周波数に対してワイヤ長の変化に応じて周期的に出現する共振領域のn次と(n+1)次との中間に位置する長さとされていることを特徴とする請求項1記載のワイヤボンディング構造。
- 前記ボンディングワイヤのループ部分は、平面方向に見てほぼS字状に構成されていることを特徴とする請求項1又は2記載のワイヤボンディング構造。
- 前記ボンディングワイヤのループ部分は、弧状のループの中間部分を下方に凹ませた凹形状に構成されていることを特徴とする請求項1又は2記載のワイヤボンディング構造。
- 前記ループ部分の凹部の曲げ深さ寸法が、両端の屈曲点の頂点を結ぶ直線上より低いものの内、特に該ループの高さ寸法の1/3から1/2とされていることを特徴とする請求項4記載のワイヤボンディング構造。
- 請求項1ないし5のいずれかに記載のワイヤボンディング構造におけるボンディングワイヤのループ部分の屈曲形状を形成するためのワイヤボンディング方法であって、
ファーストボンディング後のセカンドボンディング位置までのボンディングツールの移動軌跡を、予め設定された屈曲形状となるように制御することを特徴とするワイヤボンディング方法。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載のワイヤボンディング構造におけるボンディングワイヤのループ部分の屈曲形状を形成するためのワイヤボンディング方法であって、
ファーストボンディング後のボンディングツールをセカンドボンディング位置に移動させた状態で、折曲げ治具により前記ループ部分を屈曲させることを特徴とするワイヤボンディング方法。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載のワイヤボンディング構造におけるボンディングワイヤのループ部分の屈曲形状を形成するためのワイヤボンディング方法であって、
セカンドボンディングが完了した後、折曲げ治具により前記ループ部分を屈曲させることを特徴とするワイヤボンディング方法。 - 前記折曲げ治具は、任意角度に回転可能な回転体と、この回転体にその回転軸を挟む位置に設けられた2本の棒状部材とを備えており、前記棒状部材間に前記ボンディングワイヤのループ部分を挟んだ状態で前記回転体を回転させることにより、前記ループ部分を屈曲させることを特徴とする請求項7又は8記載のワイヤボンディング方法。
- 2つの電極間を、ボンディングワイヤにより弧状のループを描くように接続するワイヤボンディング方法であって、
前記ボンディングワイヤのループ部分の途中部を、クランプ治具によりクランプした状態で、セカンドボンディングを行うようにしたことを特徴とするワイヤボンディング方法。
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JP2007208148A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Ail Kk | 半導体チップ搭載基板 |
EP2772936A3 (fr) * | 2013-03-01 | 2017-02-08 | Thales | Procédé d'interconnexion par fils paralleles ainsi qu'un procédé d'adaptation des formes de ceux-ci, et les outillages relatifs |
JP2015056412A (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-23 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
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