JP2004283915A - フラックスバインダー系 - Google Patents

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Abstract

【課題】耐水吸収性で広範囲のフラックス成分及び/又は金属合金剤を結合させるために使用できる溶接用フラックスバインダーを提供する。
【解決手段】フラックス剤とバインダーを含む溶接用フラックスにおいて該フラックス剤が金属酸化物、金属フッ化物、金属炭酸塩及びそれらの混合物からなる群から選ばれ、該バインダーが該溶接用フラックスの少なくとも約5重量%を構成し、該バインダーがコロイド状バインダーを含み、該コロイド状バインダーが少なくとも部分的に小固体粒子から形成されており、該小固体粒子が二酸化ケイ素を含むことを特徴とする溶接用フラックス。

Description

本発明は一般的な溶接用フラックスバインダー分野、より特徴的には低い固化温度をもって形成される非−吸湿性の溶接用フラックスバインダーに関する。
アーク溶接の分野においては、3種類の形式があり、それはサブマージドアーク溶接(SAW)、シールド金属アーク溶接(SMAW)、及びフラックスコアアーク溶接(FCAW)がある。サブマージドアーク溶接においては、融合は裸の金属電極と溶接されるべき金属間を電気的なアークで加熱することによって生ずる。溶接は顆粒又は熔融物質又はフラックスで覆われる。溶接操作はフラックスの下にアークを飛ばして周囲のフラックスを融解させるための熱を生成させ、連続的な電流流れによって流体状を保つ表面下の伝導プールを形成するようにして開始される。電極末端とその直下の作業片は熔融しそして熔融フィラー金属は電極から作業板(溶接すべき金属)の上に沈積する。熔融フィラー金属はフラックスプールと置換しそして溶接を形成する。シールド金属アーク溶接においては、シールドはゆるい顆粒フラックスの覆いの代わりにフラックスコーティングによって行われる。
溶接の分野においては、これまで予め決定された方法で実施することを意図して予め決定された成分をもつタイプのフラックス組成物を発展させるために多くの努力がなされてきた。多くの組成物が溶接フラックスとしての一般的用途及び金属芯又は鞘のコーティング用途として共にアーク溶接のフラックス用に使用するために開発されてきた。フラックスはアーク安定性を調節し溶接金属組成を変性し、そして大気汚染から防御するためのアーク溶接に使用されている。アーク安定性は通常フラックスの組成を変化させることによって調節される。それゆえに、フラックス混合物中のプラズマ電荷媒体として機能する物質を含むことが望ましい。フラックスは又金属中の不純物より容易に融解しそしてこれらの不純物が金属に優先してスラッグを形成するために結合する物質を用意することによって溶接金属組成を変性する。実際上全てのスラッグ形成化合物はそれらが反応する化合物にしたがって酸性又は塩基性として分類される。最も活性な“塩基性”と見做される物質はカルシウム、マグネシウム、及びナトリウムのような、水溶液中で通常の化学反応において塩基化合物を生成する元素の化合物である。最も活性な“酸性”不純物はシリコン、チタン、ジルコニウム及びアルミニウムの化合物である。フラックスは溶接される金属及び金属中の不純物の種類によって酸性又は塩基性化合物の高含有量又は低含有量で調製される。或る場合には、スラッグの融点を下げ、スラッグの流動性を改善するために、そしてフラックス粒子のバインダーとして供するためにその他の物質を加えてもよい。
溶接工業で遭遇する問題点の一つは溶接電極のフラックスカバーによる湿分吸収である。溶接の過程で、熱は水を蒸発させそして解離させ、水素ガスを生じさせ、それは金属中に溶解する。応力下で、溶接金属中の溶解水素は潜在的に溶接の大きな失敗となりひび割れを生ずることがある。水素脆性は鋼中の水素の存在により延性の低下及び室温で鋼のひび割れが増加する可能性を生ずる現象である。水素が引き起こすひび割れは−100℃以上で150℃以下の温度で硬質鋼に十分な水素と応力が存在するときにはいつもかなりの程度で起こりうる。溶接においてこれらの応力の生成を避けることはほとんど不可能である。ひび割れ制御の方法は通常溶接中に存在する水素の量、固相化した溶接金属のミクロ構造、或いはその両方の制御を含む。水素は酸化物、線の不純物及び油を含む多くの供給源から溶接アーク雰囲気中に導入される。
バインダーはフラックス系の成分を一緒に保持し及び/又は通常の操作の過程の金属芯の周りの電極コーティングの望ましい形態を維持するために顆粒状フラックス中で及び電極コーティング中で使用される。多くの溶接フラックスの調合は酸化物ベースの材料(フラックス)及びケイ酸ナトリウム及び/又はケイ酸カリウム(水ガラス)によって一緒に結合している添加剤から構成される。この種のバインダーは特許文献1、特許文献2、特許文献3、特許文献4、特許文献5及び特許文献6に開示されており、これらのすべてはここでは参照として取り込まれている。そのようなバインダーは使用条件下で耐分解性でまたそのようなバインダーは電極製造に使用される高押し出し速度でフラックス組成物に加えられる量で適切な強度特性を与えるために特に有用である。さらに、ケイ酸ナトリウム又はケイ酸カリウムのどちらかの特性はそれぞれ溶接電極の製造を魅力的にする。例えば、乾燥特性は金属電極をコーティングするためのバインダーとして使用される液体ケイ酸塩が水を失って硬いフィルムとなるということである。フラックス中でのケイ酸塩の使用は溶接過程でのアーク安定性を増大させる。フラックス中でのケイ酸塩はフラックス中に低融点成分を与えスラッグの融点/凝固点範囲の調節を容易にする。ケイ酸塩は取り扱いや使用が容易で、バインダーとしての使用を望ましいものにする。ケイ酸塩はまた比較的安価で、フラックス組成物に低コストで加えることができる。ケイ酸ナトリウム又はケイ酸カリウムはそれらの性質がコートした電極の製造に望ましい特性を与えるために特に有用である。粉末調合物を乾燥するために液体ケイ酸ナトリウムを添加すると、得られる化合物は引き続く押し出しに適切な粘凋度にこねることができる。こねた混合物の塊は典型的には“スラッグ”を形成し、それは貯蔵時間及び押し出し操作のための混合物の加圧過程の取り扱いを容易にする。現在では、商業的に生産されるコートした電極の実質的な部分は押し出しプロセスによって製造される。線電極上のフラックスコーティングの可塑性はフラックス混合物へのケイ酸塩添加によって或る程度調節されるが、しかしまたシリカや焼成クレイに添加した又は結合した粗クレイ又はベントナイトのような他の成分によって影響を受ける。電極が押し出されると、電極は十分に固形化しそして電極がダイを出てコンベアベルトに落下するとすぐに平たくなるのを妨げる。線電極上に押し出されたフラックスコーティングの乾燥はひび割れなしでフラックスコーティングの均一乾燥を得るために初めは約100−150℃の低温で湿度を調節しながら実施される。乾燥工程はフラックスコーティングの性質に応じた低湿度で行う1以上の高温乾燥工程を伴う。電極上の乾燥フラックスコーティングの湿分含量は或る低水素電極においては0.2%以下からセルロース型の電極(例えば、E6010,E6011、等々)においては3−6%の範囲である。
高強度、低水素電極においては、ケイ酸ナトリウム及び/又はケイ酸カリウムバインダーは十分満足すべきものではない。ケイ酸ナトリウム及び/又はケイ酸カリウムバインダーは非常に吸湿性でそしてそれらを健全に保ち、ひび割れから免れるために水分を必要とする。
溶接の過程で、熱は水を蒸発させ解離させ、溶接金属中に溶解する水素ガスを生ずる。応力下では、溶解水素は溶接金属のひび割れを生じさせる可能性がある。ケイ酸塩及び/又はケイ酸カリウムバインダーによって保持される水分量は主に乾燥する温度によって支配される。ケイ酸塩の室温乾燥は溶接で使用されるフィルム又は帯に対しては適切ではないことが知られている。失敗の可能性を減少させる試みにおいて、現在利用できる溶接電極は370−540℃又はそれ以上でフラックス中の水を0.2%まで減少させるために焼成する。この乾燥度の維持は高強度材料の溶接において重要になってきており、そしてそのような維持はこれらの電極の使用過程での吸水性水分取り込みを避けるための注意深い取り扱いを必要不可欠としている。水分取り込みは低強度溶接金属のコーティングにおいては特に問題はないが、今日の低水素コーティングの吸水性の性質は水分取り込みを制限するためにフラックスコーティングの乾燥を維持するために加熱乾燥機を使用することを必須としてきた。高強度溶接の場合は、フラックスコーティング中のケイ酸塩の吸水性は、例えば、EXX18型の電極において特にダメージが大きいので、水分含量は0.2%以下に保たなければならない。結果として、これらの電極はフラックスが空気から水分を吸収する前の限定された時間でのみ使用可能でありそしてこのように再び水分含量を減少させるために焼成しなければならない。アーク溶接におけるいくつかの意見では、低水素電極は低温で再焼成してもフラックスコーティングの水分量を十分減少させることができないとされている。そのような場合、熟練した当業者の意見では、溶接金属による水素吸収を避けるための最も適切な方法はフラックスコーティングの水分含量を最初に乾燥した後で最小に維持することであるとされている。結果として、低水素電極の水分レベルには厳格な制御が必要である。
これらの溶接フラックス、特にサブマージドアーク溶接による水吸収の問題に加えて、問題は溶接過程のCOを含む化合物の欠乏である。COを含む化合物は溶接過程でCOを発生させるためにいくつかのサブマージドアークフラックスに加えられる。これらのCOを含む化合物はアークの安定性を増大させそして溶接金属から大気中の汚染物、特にN、を取り除くか又は減少させることによってフラックスの安定性を増大させることができる。約540℃の温度でのフラックスの焼成は、炭酸カルシウムのようなフラックス中のCO源を分解させる傾向がある。結果として、フラックス組成物の乾燥時間は或るCO濃度が望まれるときフラックスからCOが逃げ出さないように減少させなければならない;しかしながら、減少した乾燥時間はフラックスの水分含量を増加させ、そしてフラックスの固化時間を少なくすることになる。
水分を取り除くために540℃又はそれ以上で焼成することの他の問題点は溶接金属の合金を与えるために加えられる金属粉(例えばAl,Mg,Ti、等々)のような、いくつかのフラックス成分が焼成操作の過程で酸化することである。金属粉は溶接すべき種々の金属又は鋼と合金化するのに必要なので添加される。フッ化物は操作温度におけるフラックスの粘度を低下させそれによって鋼の熔融フラックスの流動性を変化させるために添加される。フラックスに添加されるべき金属粉の種類の選択における自由度は鋼帯の組成変化よりも溶接電極のコストを減少させる。さらに、フラックス系に含まれる或る材料は高温でケイ酸塩(例えば、カオリン、等々)と反応する。
いくつかのフラックスバインダーはケイ酸ナトリウム及び/又はケイ酸カリウムバインダーに伴う諸問題に取り組むために開発されてきた。これらのバインダーの二つは特許文献1及び特許文献7に開示されており、共にここでは参照として取り込まれている。‘952特許はテトラアルキルオルソシリケート、Si(OR)、ここでRは−CH、−C又は−C、アルカリそしてアルカリ土類の塩である、の混合物から水和しそして重合した溶接用フラックスバインダーを開示している。このバインダーで作られた溶接用フラックスはケイ酸アルカリ−アルカリ土類、MO・M’O・SiO、ここでMはリチウム、ナトリウム、カリウム、又は周期律表の第I族のその他の元素でありそしてM’はマグネシウム、カルシウム、バリウム、又は周期律表の第II族のその他の元素である、を含みそしてさらに金属化合物を含んでいてもよい。テトラアルキルオルソシリケートはセラミックバインダーへの有機金属前駆体である。有機部分は溶接フラックスバインダーの製造過程で取り除かれ最終製品中には存在しない。ケイ酸ナトリウム及び/又はケイ酸カリウムバインダーと異なり、バインダーはアルカリ及びアルカリ土類イオンが均一に分布しておりそして吸水性ではない。これはテトラアルキルオルソシリケートの使用と、反応してCaO,MgO,BaO、又はその他のアルカリ土類酸化物を生成する化合物の存在の結果である。酸化物化合物、特にカルシウム化合物は安定剤として作用しそして焼成バインダーを非−吸水性にする。アルカリ化合物、特にカリウムはガラスの粘度をかなり減少させ、バインダーを焼結させる温度を約500−1100°Fまで低下させる。
‘067特許は実質上湿分レベルに寄与せずそして溶接前の吸水性湿分取り込みに耐性の或る被覆を作るエチルシリケートのような水和有機シリケートのバインダーを開示している。水和したエチルシリケートバインダーはフラックスの吸水性を減少させる。水和有機シリケートバインダーはケイ酸ナトリウム又はケイ酸カリウムバインダーの置き換え又は補足として使用できる。結果として、不活性ガスで保護された雰囲気中で537℃まで適切に乾燥すると、水和ケイ酸エチルは水分のないシリカに転換しそれはフラックスの湿分含量を低下させる結果となる。さらに、バインダーによる湿分の取り込みは制限されそれによりこれらの電極は湿分の取り込みなしで通常の作業所での実施より長い期間使用可能となる。
これらのバインダーはケイ酸ナトリウム及び/又はケイ酸カリウムバインダーに付随する湿分取り込みの問題点のいくつかに対応しているが、‘952特許に開示されているバインダーはなおバインダーを固化させるのに高い温度を必要とする。‘067特許に開示されているバインダーは、低い固化温度をもつが、有機バインダーの使用によってフラックス中に水素を導入してしまう。そのように加えられた水素は溶接金属中で非常に低い水素レベルを得ることを望むときには有害である。従来技術のバインダーの観点から、低吸水性、低固化温度及びフラックス系に水素を導入しないバインダーが求められている。
USP4,103,067 USP4,131,784 USP4,208,563 USP4,355,224 USP4,741,974 USP5,300,754 USP4,662,952
本発明の目的は上記した従来技術の問題点を解決し、コロイド状バインダーを含む改良されたフラックス系を提供することである。本発明の他の目的は低い乾燥及び/又は固化温度を必要とする改良されたフラックス系を提供し、それによってフラックス系で使用できる成分の種類に大きな自由度を与えることである。また別の目的はフラックス系が乾燥され及び/又は固化された後の時間を延ばした場合の耐湿分取り込み性をもつフラックス系を提供することである。さらに別の目的はフラックス系が粉砕された後の流動特性が改良されたフラックス系を提供することである。なおさらに別の目的はコロイド状バインダーと他のバインダーを組み合わせて低い固化温度、改良された流動性、及び/又は時間経過時の少ない湿分取り込みをもつフラックス系を提供することである。又さらに別の目的はフラックス系がサブマージドアーク溶接法で使用でき、電極にコートすることができ、及び/又はフラックス芯入り電極の芯で使用できるコロイド状バインダーを含むフラックス系を提供することである。なおさらに別の目的はフラックス系の1以上の成分と一緒に化学的に結合するバインダーを含むフラックス系を提供することである。また他の目的は金属電極上に押し出してコートした金属電極を形成するフラックス系を提供することである。本発明のこれらの目的と利点は添付した図に示された好ましい態様を見れば本発明と従来技術との差異は明確となるであろう。
本発明は溶接用フラックスに関するものであり、より特徴的には、耐水吸収性で広範囲のフラックス成分及び/又は金属合金剤を結合させるために使用できる溶接用フラックスバインダーに関するものである。本発明の新規なバインダーの使用を含むフラックス系はサブマージドアーク溶接及びシールド金属アーク溶接のような全ての溶接形態で使用できる。本発明のフラックス系は溶接用電極にコートすることができ、金属電極の芯に注入することができ、及び/又は顆粒状フラックスに形成することもできる。本発明の新規なバインダーは従来技術のフラックスバインダーの固化に高温度が必要な過去のフラックス系の問題点及びフラックスバインダーが乾燥された後のフラックス系の湿分吸収に伴う問題点を解決している。本発明の新規なバインダーを含むフラックス系はまたサブマージドアーク溶接法の過程で作業片へのフラックス系の注入の均一性及び/又はフラックス芯入り電極に電極を形成する前に電極にフラックス系を注入する均一性に伴う問題点を解決している。コロイド状バインダーは従来技術のケイ酸塩バインダー系よりも実質上低い温度で乾燥そして固化できる。一旦、コロイド状バインダーが乾燥し固化すると、新規なバインダーは湿分吸収を抑制し、それによって長い期間フラックス系の湿分含量を低く維持する。
新規なバインダーの低い乾燥及び固化温度はまたフラックス系で使用できるフラックス成分の数を増大させる。従来技術のフラックス系はもしフラックス系が炭酸塩及び/又は、限定はしないが、アルミニウム、マグネシウム、及びチタンのような或る種の金属合金を含むときは長時間649℃を超える温度で乾燥することはできなかった。649℃以上で乾燥すると、炭酸塩化合物は時間と共に分解し、溶接の過程でシ−ルドガスとして使用できる二酸化炭素を放出する。高温乾燥は又或る合金金属の酸化を生じさせ、溶接過程での溶接金属中に合金化剤としての金属の使用を妨げる。本発明の新規なバインダーの低い乾燥及び固化温度はフラックス系での炭酸塩の使用を可能にし、同様にフラックス系での多数の金属合金剤の使用を可能にする。
本発明の一態様においては、本発明の溶接用フラックスバインダーは1以上の金属酸化物から形成されるコロイド状バインダーを含む。コロイド状バインダーはフラックス系のフラックスバインダーの全てを作り上げることができ又はフラックス系のフラックスバインダーの1部分のみを構成することもできる。本発明の一態様においては、コロイド状バインダーを形成する金属酸化物は二酸化ケイ素を含む。二酸化ケイ素は純粋及び/又は純粋でない形態であることができる。純粋でない形態は、限定はしないが、石英、長石、マイカ、ビオタイト、かんらん石、角閃石、白雲母、輝石、及び/又は二酸化ケイ素の他の源泉を含む。この態様の一例においては、コロイド状バインダー中の少なくとも約5%の二酸化ケイ素は二酸化ケイ素の純粋形態である。純粋な二酸化ケイ素の一例としてはKemira Chemical社によってIndusil508として販売されている。この態様の別の及び/又は代替の例としては、典型的にはコロイド状バインダー中の少なくとも約10%の二酸化ケイ素は純粋な二酸化ケイ素であり、より典型的にはコロイド状バインダー中の少なくとも約20%の二酸化ケイ素は純粋な二酸化ケイ素であり、さらに典型的にはコロイド状バインダー中の少なくとも約30%の二酸化ケイ素は純粋な二酸化ケイ素であり、よりさらに典型的にはコロイド状バインダー中の少なくとも約40%の二酸化ケイ素は純粋な二酸化ケイ素であり、なおさらに典型的にはコロイド状バインダー中の少なくとも約50%の二酸化ケイ素は純粋な二酸化ケイ素であり、もっと典型的にはコロイド状バインダー中の少なくとも約60%の二酸化ケイ素は純粋な二酸化ケイ素であり、さらにもっと典型的にはコロイド状バインダー中の少なくとも約70%の二酸化ケイ素は純粋な二酸化ケイ素であり、よりさらに典型的にはコロイド状バインダー中の少なくとも約80%の二酸化ケイ素は純粋な二酸化ケイ素であり、なおさらに典型的にはコロイド状バインダー中の少なくとも約90%の二酸化ケイ素は純粋な二酸化ケイ素であり、最も典型的にはコロイド状バインダー中の少なくとも約100%の二酸化ケイ素は純粋な二酸化ケイ素である。本発明の別の及び/又は代替の態様としては、コロイド状バインダー中の固体粒子の平均粒子径はコロイド状バインダーの結合効果を達成するのに十分な程度に小さいものから選ばれる。十分小さい粒子が使用されるときは、粒子表面の化学的結合効果、ブラウニアン効果によると信じられている、はコロイド状バインダーによって1以上のフラックス成分を一緒に結合する結果を生ずる。この態様の一例としては、コロイド状バインダー中の固体粒子の平均粒子径は約100nm以下、そして典型的には約70nm以下、より典型的には約60nm以下、よりさらに典型的には約50nm以下、なおさらに典型的には約40nm以下、なおよりさらに典型的には約30nm以下、より典型的には約20nm以下、もっとさらに典型的には約10nm以下、そして最も典型的には約0.5−10nmである。限定はしないが、一例としては、コロイド状バインダー中の固体粒子の平均粒子径は約1−30nm、典型的には約2−25nm、より典型的には約5−15nm、そしてよりさらに典型的には約5−10nmである。本発明の別の及び/又は代替の一例としては、コロイド状バインダーは液体成分と固体粒子成分をもつ。一般的には、液体成分は主として水を含むが、しかしながら、付加的な及び/又は代替の液体を使用することもできる。液体は固体粒子を湿ったフラックス系の乾燥過程でフラックス系中の成分と結合させやすいように固体粒子を懸濁させるために使用される。本発明の一態様においては、液体は実質上如何なる炭化水素化合物も含まない。液体系への炭化水素化合物の導入は溶接過程で溶接金属に水素を導入することになる。或るフラックス系においては、溶接過程における望ましい溶接たまり(pool)特性を達成するためにフラックス系から水素を減らすか取り除く必要がある。この態様の一例としては、液体は約10%以下の炭化水素化合物、典型的には約5%以下の炭化水素化合物、より典型的には約2%以下の炭化水素化合物、そしてよりさらに典型的には約0.05%以下の炭化水素化合物を含む。本発明の別の及び/又は代替の態様としては、コロイド状バインダー中の固体粒子は一般的にはコロイド状バインダーの乾燥前でコロイド状バインダーの合計重量の約90%以下で構成されている。この態様の一例としては、固体粒子はコロイド状バインダーの合計重量の約60%以下で構成されており、典型的にはコロイド状バインダーの合計重量の約50%以下で構成されており、より典型的にはコロイド状バインダーの合計重量の約40%以下で構成されており、さらに典型的にはコロイド状バインダーの合計重量の約35%を超えない量で構成されており、よりさらに典型的にはコロイド状バインダーの合計重量の約5−35%で構成されており、もっと典型的にはコロイド状バインダーの合計重量の約10−35%で構成されており、もっとさらに典型的にはコロイド状バインダーの合計重量の約15−35%で構成されており、よりさらに典型的にはコロイド状バインダーの合計重量の約20−35%で構成されており、そして最も典型的にはコロイド状バインダーの合計重量の約25−35%で構成されている。
本発明の別の及び/又は代替の一例としては、コロイド状バインダーはフラックス系のバインダーの100%を含むか又はフラックス系のバインダーの部分から構成されている。コロイド状バインダーがバインダー系の一部を代表するときは、コロイド状バインダーは他のバインダーと混合される。そのような他のバインダーとしては、限定はしないが、水ガラス(ケイ酸カリウム及び/又はケイ酸ナトリウム)、ホウ酸、ボロックス、溶解性炭酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、酸クロライド、種々の樹脂、砂糖、デンプン、寒天、及びその類似物を含む。本発明の一態様においては、コロイド状バインダーは、バインダー合計の一部を構成しているときは、一般的には水ガラスと結合している。コロイド状バインダーが水ガラスと結合するとこれらの二つの成分は典型的にはバインダーの主成分を構成し、そしてより典型的にはバインダーの少なくとも約60%を構成しており、さらに典型的にはバインダーの少なくとも約70%を構成しており、なおさらに典型的にはバインダーの少なくとも約80%を構成しており、なおよりさらに典型的にはバインダーの少なくとも約90%を構成しており、最も典型的にはバインダーの約100%を構成している。別の及び/又は代替の態様としては、コロイド状バインダーは、バインダー合計の一部を構成しているときは、コロイド状バインダーは合計バインダーの少なくとも約5%、典型的には合計バインダーの少なくとも約10%、より典型的には合計バインダーの少なくとも約20%、さらに典型的には合計バインダーの少なくとも約30%、なおさらに典型的には合計バインダーの少なくとも約40%、なおよりさらに典型的には合計バインダーの少なくとも約50%、もっと典型的には合計バインダーの少なくとも約60%、さらに典型的には合計バインダーの少なくとも約70%、よりさらに典型的には合計バインダーの少なくとも約80%、なおよりさらに典型的には合計バインダーの少なくとも約90%、そして最も典型的には合計バインダーの少なくとも約95%を構成している。
本発明の別の及び/又は代替の一例としては、フラックス系の新規なバインダーは新規なバインダーがフラックス系の1以上の成分に悪影響を与えないような低い温度で乾燥及び固化できるように調合される。多くの従来技術のバインダー系は650℃(1200°F)を超える温度で長時間固化させる必要がある。そのような高温は典型的にはフラックス系の金属合金のいくつかを酸化させ及び/又はフラックス系の1以上の炭酸塩から二酸化炭素を放出する原因となる。フラックス系からの二酸化炭素の放出は溶接過程のフラックス系によって生ずるシールドガスを少なくする結果となる。フラックス系の1以上の金属合金の酸化は溶接金属中で合金化されていない酸化された金属合金を生じさせ、それによって望ましい溶接金属組成を製造しにくくする。従来技術のフラックス系の乾燥温度及び/又は時間を減少させるとこれらのフラックス系から放出される二酸化炭素の量及び/又はこれらフラックス系の金属合金の酸化量を減少させるが;しかしながら、そのような温度低下及び/又は乾燥時間の減少は乾燥プロセスの過程で完全に又は適切に固化されていない従来技術のフラックス系バインダーを生じさせる。そのような適切でない従来技術のフラックス系の固化又は乾燥はフラックス系の湿分含量を高くし及び/又は貯蔵過程でのフラックス系による湿分吸収の度合いを多くしてしまう。バインダーの不適切な固化はまたフラックス系の成分を内部に一緒に取り込んでしまうことになる。低温で固化できる有機化合物を含むいくつかの代替のバインダー系が提案されてきている;しかしながら、そのような有機化合物はフラックス系に或る溶接用途には望ましくない水素を発生させる。本発明の新規なフラックスバインダーは実質的に従来のバインダーより低い温度で乾燥及び固化し、そしてそのような低温でもバインダーを固化させるために炭化水素成分を含ませることを必要としない新規なバインダー系を使用することによってこれらの従来技術のフラックス系の過去の問題点を克服している。さらに、新規なバインダーは実質上フラックス系の湿分含量を除去するためにそして長時間においてフラックス系の湿分含量を維持するために乾燥することができる。本発明の一態様においては、フラックス系はフラックス系のバインダーの乾燥及び固化の過程で約760℃(1400°F)以下の温度で加熱される。フラックス系の高められた温度までの加熱はフラックス系の湿分含量を減少させるために及び/又はフラックス系のバインダーを固化させるために使用される。水素源としての水は特定のタイプの溶接操作の過程で溶接金属の性質に悪影響を与えるので、フラックス系の湿分含量の減少が望ましい。フラックス系の低湿分含量は高強度鋼の溶接ビーズの形成において特に望ましい。しかしながら、フラックスの湿分含量が望ましい溶接ビーズに対して十分高くできる場合は他の溶接用途がある。この態様の一例としては、フラックス系が乾燥及び/又は固化手順の過程で曝される温度は約705℃(1300°F)以下、典型的には約650℃(1200°F)以下、より典型的には約594℃(1100°F)以下、よりさらに典型的には約538℃(1000°F)、そして最も典型的には約482℃(900°F)以下である。十分低い温度及び/又は固化温度が使用できることは理解できるであろう。別の及び/又は代替の態様としては、約250℃(480°F)以上でのフラックス系の新規なバインダーの乾燥及び/又は固化時間は約1重量%以下の湿分含量を得るためには約10時間以下である。この態様の一例としては、約400℃(750°F)を超える温度でのフラックス系の新規なバインダーの乾燥及び/又は固化時間は約8時間以下、より典型的には約5時間以下、そしてよりさらに典型的には4時間以下である。フラックス系の新規なバインダーのより短い及び/又は長い乾燥及び/又は固化時間も使用できることは理解できるであろう。そのような時間は典型的にはフラックス系が曝される温度、フラックス系の水分含量、バインダーの固化時間、及び/又はフラックス系が乾燥された後のフラックス系の望ましい湿分含量に依存する。本発明の別の及び/又は代替の態様としては、フラックス系の乾燥及び/又は固化後のフラックス系の湿分含量は典型的には約6重量%以下、より典型的には約3重量%以下、よりさらに典型的には約1重量%以下、なおさらに典型的には約0.5重量%以下、そして最も典型的には約0.2重量%以下である。乾燥及び/又は固化プロセス後のフラックス系の湿分含量は典型的には使用されるアーク溶接プロセスのタイプに依存する。水素含量が極度に低いレベルが望ましい高張力鋼の溶接プロセスにおいて使用されるフラックス系では、フラックス系の湿分含量は典型的には約1%以下、より典型的には約0.4%以下、よりさらに典型的には約0.2%以下、そして最も典型的には約0.15%以下である。
本発明のさらに別の及び/又は代替の一例としては、本発明のフラックス系で使用される新規なバインダーは過去のフラックス系よりも改良された注入特性を示す。フラックス系が乾燥及び/又は固化した後で、フラックス系は典型的には粉砕されそしてそれからサブマージドアーク溶接プロセス及び/又はフラックス芯入り電極での使用のためにスクリーンで分粒される。典型的には、フラックス系は粉砕されそしてそれから約48メッシュ以下、より典型的には約80メッシュ以下、そして最も典型的には100メッシュ以下のフラックス系の平均粒子径を得るためにスクリーンで分粒される。サブマージドアーク溶接プロセスにおいては、粉砕されたフラックス系は典型的には作業片の溝に注入されそしてそれから金属ロッドとして電気火花(アーク)に曝され溶接金属を形成して熔融する。フラックス系はサブマージドアーク溶接プロセスの過程で作業片に注入されるので、望ましいシールド及び/又は望ましい溶接ビーズ性能を得るための溶接プロセス過程でのフラックス特性を得るためにフラックス系の或る程度の量が必要となる。過去において、種々の粉砕フラックス系は均一に注入されなかったので、溶接プロセスの過程で溶接ビーズの均一性の問題が生じていた。同様に、フラックス芯入り電極が形成されるときには、電極が芯入り電極に形状化される前に或る量の粉砕フラックスが電極上に堆積し、そこではフラックス系は電極の芯領域を満たしている。電極に注入されるフラックス系の均一性は線(ワイヤー)の縦方向長さを通して芯領域で均一なフラックス量を維持するために重要である。過去の粉砕フラックス系はそのような注入均一性の困難に遭遇してきており、そのためにフラックス芯入り電極の品質に悪影響を及ぼしていた。フラックス系のコロイド状バインダーの使用はサブマージドアーク溶接操作におけるフラックスの注入の過程で及び/又はフラックス芯入り電極の形成のために電極にフラックス系を注入することによって改善された流動性をもつ粉砕フラックス系を結果として得ることが見出されてきた。このように、本発明のフラックス系は従来のフラックス系の流動性の問題点を解決することができる。
コロイド状バインダーで形成されるフラックス系は、限定はしないが、従来技術のバインダーに対して以下のような利点を示す:
・ 新規なバインダーは乾燥後に優れた耐湿分取り込み性をもつ。
・ 新規なバインダーは低温で乾燥/固化でき、フラックス系で多くのフラックス成分を使用することを可能にする。
・ 新規なバインダーは少なくとも部分的に1以上のフラックス成分と化学的方法によって結合する。
・ 新規なバインダーは低温又は高温で乾燥/固化できる。
・ 新規なバインダーは線電極の表面にコートされるとき線電極と強い結合を形成する。
・ 新規なバインダーを含んで形成されたフラックス系は耐クラッキング性がある。
・ 新規なバインダーは乾燥できそして標準の技術で粉砕できる。
・ 新規なバインダーは他のバインダーと組み合わせて又はバインダー単独でフラックス系として使用できる。
・ 新規なバインダーはフラックス系に低融点成分(例えば、ケイ酸カリウム及び/又はケイ酸ナトリウム)を添加する必要性を少なくさせる。
・ 新規なバインダーは改良された流動特性をもつフラックス系を形成する。
・ 新規なバインダーは低い乾燥/固化温度を必要とするときに典型的に使用される有機バインダーの必要性がない。
・ 新規なバインダーはサブマージドアークフラックス、電極上にコートしたフラックス、及び/又はフラックス芯入り電極用のフラックス系を形成するために使用することができる。
・ 新規なバインダーは6価クロムの生成を減少させ、より環境に優しいフラックス系を作ることができる。
・ 新規なバインダーを使用するフラックス系は細かい粒子サイズに粉砕することができる。
図を参照して詳細を説明するが、例示は本発明の好ましい態様を説明する目的のためであって、発明を限定する目的でなされるものではない。図1は溶接フラックス系の種々のフラックス成分を一緒に結合している本発明のコロイド状バインダー系小SiO粒子の使用を示す。フラックス系の成分は典型的には金属酸化物(例えば、酸化アルミニウム、酸化ボロン、酸化カルシウム、酸化クロム、酸化鉄、酸化マグネシウム、酸化ニオブ、酸化カリウム、二酸化シリコン、酸化ナトリウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化ジルコニウム,等々)、金属炭酸塩(例えば、炭酸カルシウム、等々)、金属フッ化物(例えば、フッ化バリウム、フッ化ビスマス、フッ化カルシウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム、テフロン、等々)、及び/又は金属合金剤(例えば、アルミニウム、ボロン、カルシウム、炭素、鉄、マンガン、ニッケル、シリコン、チタン、ジルコニウム、等々)を含む。フラックス系の特定の成分は典型的には使用される溶接法のタイプ(SAW,SMAW,FCAW)及び/又は溶接される作業片のタイプに依る。
図1に示されるように、二酸化シリコンの粒子は実質上フラックス成分の粒子10より小さい。図1は二つのフラックス成分の表面の小部分の間に位置する3個の二酸化シリコン粒子を例示している。二酸化シリコンは純粋又は純粋でない原料源からのものである。典型的には、二酸化シリコンの大部分は純粋な原料源からのものである。典型的には二酸化シリコン粒子は約2−25nmの平均粒子径をもち、そしてより典型的には約8nmの平均粒子径をもつ。フラックス成分の平均粒子径は典型的には約400メッシュ(37ミクロン)又はそれ以上である。このように、二酸化シリコンの粒子径は一般的には実質上フラックス系の他の成分より小さい。例えば、約400メッシュの平均粒子径をもつフラックス成分は約8nmの平均粒子径をもつ二酸化シリコン粒子より約4625倍大きい。二酸化シリコンによる結合メカニズムは全く化学的であると信じられている。二酸化シリコン小粒子はブラウニアン力によってフラックス成分に引き寄せられると信じられている。図1に示すように、二酸化シリコン粒子は負電荷をもちそしてフラックス成分10の表面に引き寄せられる。このように、二酸化シリコン小粒子はバインダー粒子間のフラックス成分を捕捉する従来のバインダーとは異なってフラックス成分と結合する。二酸化シリコン小粒子は近傍の正電荷フラックス成分(例えば、アルカリ及び/又はアルカリ土類金属化合物)と化学的に結合する。負電荷の小粒子の正電荷の金属酸化物との結合はそのような酸化物の水和において減少する。
図2を参照すると、二酸化シリコンの小粒子形態のバインダーと在来の水ガラスバインダーは二つのフラックス成分の表面領域で一緒に結合するために使用される。水ガラスの粒子は二酸化シリコン粒子よりかなり大きいものとして示されている。典型的には、水ガラス粒子は二酸化シリコン粒子より少なくとも100倍大きい。水ガラス粒子による結合メカニズムは水ガラスの多数の粒子間へのフラックス成分の捕捉である。上述のように、二酸化シリコンの小粒子の信じられている結合メカニズムはブラウニアン効果による電子吸引力である。両方のタイプのバインダーがフラックス成分と一緒に結合させるために一緒に使用することができることが見出されてきた。二酸化シリコン小粒子を水ガラス粒子と組み合わせて使用するときは、水ガラスと二酸化シリコン粒子の組み合わせは少なくともバインダーの70重量%、そして典型的にはフラックス中のバインダーの少なくとも90重量%を構成している。
図3を参照すると、サブマージドアーク溶接での使用又はフラックス芯入り電極の芯充填のためのフラックス系の形成方法が示されている。フラックス成分及び/又は金属合金剤20のドライブレンドが調製されるか又は得ることができる。フラックス成分及び/又は金属合金剤のサイズは所望により調整される。典型的には、フラックス成分及び/又は金属合金剤の平均サイズは約100-400メッシュである。フラックス成分及び/又は金属合金剤はそれから湿式バインダー22で湿った混合物を形成するために混合される。フラックス成分が最初にバインダーと混合しそれから金属合金剤と混合するか、又は金属合金剤が最初にバインダーと混合しそれからフラックス成分と混合するか、又は如何なる他の混合順序でもよいことは理解できるであろう。バインダーは二酸化シリコン小粒子をもつコロイド状バインダーを含む。コロイド状バインダー中の小粒子は二酸化シリコン粒子の全て又は一部を含む。典型的には、コロイド状バインダー中の小粒子の80%以上が二酸化シリコン粒子である。コロイド状バインダー中の小粒子の平均粒子径は典型的には約2−25nmであり、より典型的には8nmである。コロイド状バインダーの液体成分はコロイド状バインダーの約60−85重量%を構成し、そしてより典型的にはコロイド状バインダーの約70重量%を構成している。液体は典型的には水である;しかしながら、他の及び/又は追加の液体を使用することができる。バインダーは図1に示されるのと同様なバインダー調合を形成するために100重量%のコロイド状バインダーから作ることができ、或いは図2に示されるのと同様なバインダー調合を形成するためにコロイド状バインダー部分と1以上の他のバインダー部分から作ることができる。コロイド状バインダーが1以上の他のバインダーと組み合わせられるときは、他のバインダーは典型的には水ガラスである。コロイド状バインダーはバインダーの一部を形成するときはバインダーの約0.01−99.9重量%を構成している。バインダーが主として水ガラスとコロイド状バインダーから形成されているときは、コロイド状バインダーは典型的にはバインダーの約5−75重量%そしてより典型的には20-50重量%を構成している。
フラックスバインダー中での水ガラスの使用は、限定はしないが、いくつかの利点をもっている:
・ 水ガラス成分(NaO及び/又はKO)はアーク安定性を増大させる
・ 水ガラスはフラックス系に溶接過程でのスラッグの融点/凝固点範囲を調節するのに役立つ低融点成分を与える
・ 水ガラスは取り扱いと使用が容易である
・ 水ガラスは低コストの材料である
バインダーとしてコロイドを単独で使用するか或いはバインダーとして水ガラスと組み合わせて使用するフラックス系はバインダーとして水ガラスを単独で使用するフラックス系の従来技術の、限定はしないが、以下のような問題点を解決する:
・ 水ガラスが高温(≧1400°F)で適切に固化しないときには、フラックス系はかなりの量の湿分を吸収する
・ 水ガラスは高い固化温度を必要としフラックス系で使用できる成分の種類を制限する
・ 水ガラスはカリウム及び/又はナトリウムを含み或るフラックス調合においては好ましくない
・ フラックスバインダーが水ガラスをかなりの量で含むとステンレス鋼の溶接時に6価クロムの煙を多く発生する
・ バインダーが水ガラスのときは粉砕フラックス系の粗い顆粒サイズが必要となる
一旦、バインダーとフラックス成分及び/又は合金剤が適切に一緒に混合されると、湿った混合物は乾燥工程24で乾燥される。湿った混合物はいかなる在来の装置(例えば、オーブン、等々)によっても乾燥することができる。乾燥温度は典型的には約800−1200°F(426−649℃)である;しかしながら、より高い又はより低い温度も使用できる。フラックス系が炭酸塩、アルミニウム金属、マグネシウム金属及び/又はチタン金属を含むときは、乾燥温度は典型的には炭酸塩から解離する二酸化炭素の量を減少させるために及び/又はアルミニウム金属、マグネシウム金属及び/又はチタン金属の酸化量を減少させるために1200°F(649℃)を超えない。バインダーの乾燥温度はフラックス系の所望の結合量を達成しながら湿った混合物中の湿分を追い出すために200−600°Fのような低温とすることができる。フラックス系は所望の又は許容できる湿分含量が得られるまで乾燥される。高強度溶接において使用されるフラックス系の場合は、フラックス系の湿分含量は典型的には約0.2重量%以下に減少させ且つ維持される。
一旦、フラックス系が乾燥されると、フラックス系は粉砕されそれからスクリーンにかけられ約32−200メッシュの平均粒子径のフラックス系が得られる;しかしながら、その他の平均粒子径も使用することができる。粉砕及びスクリーン工程26は標準の技術で実施されるので、これ以上は記載しない。コロイド状バインダーを含むフラックス系は水ガラスや糖蜜、等々のようなバインダーを使用する従来技術のフラックス系に比較してより細かく又は小粒子径に粉砕することができる。
図3に例示された工程によって形成されたフラックス系はサブマージドアークフラックスで使用することができ又はフラックス芯入り電極の芯として含むことができる。コロイド状バインダーを含むフラックス系は水ガラスと結合したフラックス系のような従来技術のバインダー系に比較して改良された流動特性をもつことが見出されてきた。図5Aに例示されているように、従来技術のフラックス系は分配器42によって作業片W上の積み重ね40に分散する。そのような操作は典型的にはフラックス系が作業片を溶接するように適用されそしてそれから電気火花(アーク)が熔融消費可能な線電極及びフラックス系に適用されるサブマージドアーク溶接系で行われる。フラックス系は所望のシールド及び/又は雰囲気からの溶接たまりの保護に影響を与え溶接金属、等々の性質を変性するのに十分な量で作業片の上に積み重ねられる。もしフラックス系の不適切な量(即ち、少なすぎるか又は多すぎる)が作業片に適用されると、溶接金属の望ましくない性質が生ずることになる。図5Aに例示するように、従来のフラックス系は分配器から均一には流れず、作業片上でフラックス系の凹凸の積み重ねを生ずることになる。本発明のコロイド状バインダーを含むフラックス系は改良された流動性を示す。図5に示すように、フラックス系の流れは分配器52から実質上均一であり作業片W上にフラックス系の実質上均一な積み重ね50を形成する。流れの均一性の同様な利点はフラックス芯入り電極の形成にも適用できる。
表1は標準の水ガラスバインダーを利用するいくつかのフラックス系にコロイド状バインダーを含むいくつかのフラックス系の湿分取り込みの結果を示す。
Figure 2004283915
OerlikonOP121TT,Lincoln880M,Lincolon761、及びLincoln860として同定されるフラックスは水ガラスを主なバインダーとして含む市販されているフラックス系である。実験的なDCX6、実験的なDCX7、実験的なDCX8、実験的なDCX9は合金剤含量が変更されていることを除き、上記の1以上の標準フラックスと類似のフラックス系である。実験的なDCX6、実験的なDCX7、及び実験的なDCX9はコロイド状シリカを1/3、水ガラスを2/3含有するバインダーを含む。実験的なDCX8は実験的なDCX7と同じであるが、バインダーがコロイド状シリカを全然含まない。上記に示した全てのフラックスはサブマージドアーク溶接フラックスであり−20+40メッシュでふるいにかけられ、そして引き続き80°F、80%相対湿度で湿らせる前に1時間再調整される。さらに、上記に述べた全てのフラックスは900°Fで試験する前に900°Fで1時間再調整される。受け入れ時(As Received)とは再調整後であるが、湿潤化前のフラックス系を示す。全ての実験的フラックスは約1250°Fで乾燥した。コロイド状バインダーを含むフラックス系は市販のフラックス系に比較して許容できる分解レベルを示した。
表1に示されるように、水ガラスを主なバインダーとして含む全てのフラックス系は二つの湿分試験の過程でかなりの湿分吸収を示した。バインダー中に水ガラスと組み合わせてコロイド状シリカを含むフラックス系は試験期間で非常に少ない湿分吸収を示した。種々のフラックスの湿分吸収は図6にグラフで示した。さらに、コロイド状シリカを含むフラックス系は試験期間の過程でフラックス系の二酸化炭素は実質上同じ量を維持した。表1に示された結果は図6に例示されコロイド状シリカを含むフラックス系はコロイド状シリカを含まないバインダーより耐湿分吸収性であることを示し、そしてさらにバインダー中のコロイド状シリカは時間の経過後でもフラックス系の二酸化炭素含量を維持していることを示している。
図4を参照すると、コートした電極の形成方法が例示されている。フラックス成分及び/又は金属合金剤30のドライブレンドが調製又は得られる。フラックス成分及び/又は金属合金剤のサイズが所望のとおりに調節される。典型的には、フラックス成分及び/又は金属合金剤の平均サイズは約100−400メッシュである。フラックス成分及び/又は金属合金剤それから湿ったバインダー32と混合され湿潤混合物を形成する。フラックス成分が最初にバインダーと混合しそれから金属合金剤と混合するか、又は金属合金剤が最初にバインダーと混合しそれからフラックス成分と混合するか、又は如何なる他の混合順序でもよいことは理解できるであろう。バインダーは二酸化シリコン小粒子をもつコロイド状バインダーを含む。コロイド状バインダーは上述のコロイド状バインダーと同じか類似のものである。バインダーは100重量%のコロイド状バインダーから作られ図1に例示されたものと同様のバインダーの組み合わせを形成するか、又はコロイド状バインダーと部分的に1以上の他のバインダーから作られ図2に例示されたものと同様のバインダーの組み合わせを形成する。コロイド状バインダーを1以上の他のバインダーと組み合わせるときは、他のバインダーは典型的には水ガラスを含む。コロイド状バインダーがバインダーの一部を構成するきはバインダーの約0.01−99.99重量%を構成する。バインダーが主成分として水ガラスとコロイド状バインダーから形成されるときは、コロイド状バインダーは典型的にはバインダーの約5−75重量%そしてより典型的にはバインダーの約20−50重量%から構成される。水ガラス及び/又は他のバインダーをコロイド状バインダーに含ませることは典型的には所望のフラックス組成に依存する。
一旦、バインダーとフラックス成分及び/又は金属合金剤が適切に一緒に混合されると、湿潤混合物はビレット形成工程34でビレットに形成される。ビレットは典型的には約3−30インチ径で約10−40インチの高さをもつ大きな円筒形状に作られる。ビレットの製造方法は公知なので、ここではこれ以上の説明を要しないであろう。ビレットはそれから押し出し機に移しこで工程36に示されるような電極表面の周りにフラックス系の量を調節して押し出す。押し出し機及び電極へのフラックス系への押し出し方法は公知なので、ここではこれ以上の説明を要しないであろう。コートされた線はその後工程38に例示されているように漸次乾燥される。乾燥温度は典型的には低温(例えば、65℃)から始めそしてコートされた線が乾燥室又はオーブンをゆっくり移動する間に最高温度(例えば、649°F)まで漸次上昇させる。より高い又はより低い温度が使用できることは理解できるであろう。さらに、乾燥温度はフラックス系の乾燥過程で連続的に上昇させる必要はないが、しかし同じ温度で維持するか、時間と共に温度を下げることもできることも理解できるであろう。乾燥時間は典型的には数時間で一般的には乾燥前の湿分量及び乾燥終了時の湿分含量によって決められる。乾燥装置は公知なので、ここではこれ以上の説明を要しないであろう。
以上を要約すると、コロイド状バインダーで形成されるフラックス系は、限定はしないが、従来技術のバインダーに対して以下のような利点を示す:
・ 新規なバインダーは乾燥後に優れた耐湿分取り込み性をもつ。
・ 新規なバインダーは低温で乾燥/固化でき、フラックス系で多くのフラックス成分を使用することを可能にする。
・ 新規なバインダーは少なくとも部分的に1以上のフラックス成分と化学的方法によって結合する。
・ 新規なバインダーは低温又は高温で乾燥/固化できる。
・ 新規なバインダーは線電極の表面にコートされるとき線電極と強い結合を形成する。
・ 新規なバインダーを含んで形成されたフラックス系は耐クラッキング性がある。
・ 新規なバインダーは乾燥できそして標準の技術で粉砕できる。
・ 新規なバインダーは他のバインダーと組み合わせて又はバインダー単独でフラックス系として使用できる。
・ 新規なバインダーはフラックス系に低融点成分(例えば、ケイ酸カリウム及び/又はケイ酸ナトリウム)を添加する必要性を少なくさせる。
・ 新規なバインダーは改良された流動特性をもつフラックス系を形成する。
・ 新規なバインダーは低い乾燥/固化温度を必要とするときに典型的に使用される有機バインダーの必要性がない。
・ 新規なバインダーはサブマージドアークフラックス、電極上にコートしたフラックス、及び/又はフラックス芯入り電極用のフラックス系を形成するために使用することができる。
・ 新規なバインダーは6価クロムの生成を減少させ、より環境に優しいフラックス系を作ることができる。
・ 新規なバインダーを使用するフラックス系は細かい粒子サイズに粉砕することができる。
ここで述べたこれら態様の他の修正は、本発明の他の態様と同様に、熟練した当業者にとっては、ここで開示した内容から明らかであり容易に推測可能なものであり、このことから、これまで記述した事柄は単に本発明を例示するためのものであり本発明を限定するものではないことを明確に理解すべきである。
本発明の新規なバインダーはサブマージドアークフラックス、電極上にコートしたフラックス、及び/又はフラックス芯入り電極用のフラックス系を形成するために使用することができる。
溶接フラックス系の二つのフラックス成分を一緒に結合している本発明のコロイド状バインダー系SiO小粒子の例示である。 溶接フラックス系の二つのフラックス成分を一緒に結合している本発明のコロイド状バインダー系SiO小粒子と水ガラスの例示である。 サブマージドアーク溶接及び/又はフラックス芯入り電極の使用のための本発明のフラックス系を製造するフローチャートである。 本発明のフラックス系を製造しそれからフラックスコートした電極を形成するためのフローチャートである。 サブマージドアーク溶接に使用する作業片への従来技術のフラックス系の注入と本発明のフラックス系注入の例示である。 本発明の新規なフラックスバインダーを含む又は含まない種々のフラックス系の湿分取り込みを例示したグラフである。

Claims (50)

  1. フラックス剤とバインダーを含む溶接用フラックスにおいて該フラックス剤が金属酸化物、金属フッ化物、金属炭酸塩及びそれらの混合物からなる群から選ばれ、該バインダーが該溶接用フラックスの少なくとも約5重量%を構成し、該バインダーがコロイド状バインダーを含み、該コロイド状バインダーが少なくとも部分的に小固体粒子から形成されており、該小固体粒子が二酸化ケイ素を含むことを特徴とする溶接用フラックス。
  2. 該バインダーが少なくとも約10重量のコロイド状バインダーを含む請求項1記載の溶接用フラックス。
  3. 該バインダーが少なくとも約30重量のコロイド状バインダーを含む請求項1又は2記載の溶接用フラックス。
  4. 該バインダーが少なくとも約50重量のコロイド状バインダーを含む請求項1〜3のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  5. 該バインダーが少なくとも約100重量のコロイド状バインダーを含む請求項1〜4のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  6. 該コロイド状バインダーが液体及び該バインダーを完全に乾燥する前の該小固体粒子を含み、該小固体粒子が少なくとも約5重量%の該コロイド状バインダーから構成されている請求項1〜5のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  7. 該コロイド状バインダーが液体及び該バインダーを完全に乾燥する前の該小固体粒子を含み、該小固体粒子が少なくとも約10重量%の該コロイド状バインダーから構成されている請求項1〜6のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  8. 該コロイド状バインダーが液体及び該バインダーを完全に乾燥する前の該小固体粒子を含み、該小固体粒子が少なくとも約30重量%の該コロイド状バインダーから構成されている請求項1〜7のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  9. 該小固体粒子が少なくとも約10重量%の二酸化ケイ素を含む請求項1〜8のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  10. 該小固体粒子が少なくとも約30重量%の二酸化ケイ素を含む請求項1〜9のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  11. 該小固体粒子が少なくとも約30重量%の二酸化ケイ素を含む請求項1〜10のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  12. 該小固体粒子が約100重量%の二酸化ケイ素を含む請求項1〜11のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  13. 該液体が水を含む請求項6〜12のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  14. 該小固体粒子が約100nm以下の平均粒子径をもつ請求項1〜13のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  15. 該小固体粒子が約50nm以下の平均粒子径をもつ請求項1〜14のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  16. 該小固体粒子が約2−25nmの平均粒子径をもつ請求項1〜15のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  17. 該平均フラックス粒子径が約48メッシュ以下である請求項1〜16のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  18. 該平均フラックス粒子径が約100メッシュ以下である請求項1〜17のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  19. 約1%以下の湿分含量をもつ請求項1〜18のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  20. 約0.6%以下の湿分含量をもつ請求項1〜19のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  21. 該フラックス剤がアルミニウム、マグネシウム、チタン、及びそれらの混合物からなる群から選ばれる金属合金を含む請求項1〜20のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  22. 該バインダーが該コロイド状バインダーとケイ酸金属の混合物を含み、該混合物が少なくとも約80重量%の該バインダーから構成され、該ケイ酸金属がケイ酸カリウム、ケイ酸ナトリウム及びそれらの混合物を包含する請求項1〜21のいずれか1項に記載の溶接用フラックス。
  23. コロイド状混合物からなる溶接用フラックスバインダーにおいて該コロイド状混合物が液体と少なくとも約20重量%の小粒子を含み、該液体が水を含み、該小粒子が少なくとも約30重量%の二酸化ケイ素を含み、該小粒子が約100nm以下の平均粒子径をもつことを特徴とする溶接用フラックス。
  24. 該コロイド状混合物が少なくとも約10重量%の該溶接用フラックスバインダーから構成されている請求項23記載の溶接用フラックスバインダー。
  25. 該コロイド状混合物が少なくとも約30重量%の該溶接用フラックスバインダーから構成されている請求項23又は24記載の溶接用フラックスバインダー。
  26. 該コロイド状混合物が少なくとも約50重量%の該溶接用フラックスバインダーから構成されている請求項23〜25のいずれか1項に記載の溶接用フラックスバインダー。
  27. 該コロイド状混合物が少なくとも約100重量%の該溶接用フラックスバインダーから構成されている請求項23〜26のいずれか1項に記載の溶接用フラックスバインダー。
  28. 該小粒子が少なくとも約50重量%の二酸化ケイ素から構成されている請求項23〜27のいずれか1項に記載の溶接用フラックスバインダー。
  29. 該小粒子が少なくとも約100重量%の二酸化ケイ素から構成されている請求項23〜28のいずれか1項に記載の溶接用フラックスバインダー。
  30. 該固体粒子が少なくとも約30重量%の該コロイド状混合物から構成されている請求項23〜29のいずれか1項に記載の溶接用フラックスバインダー。
  31. 該小粒子の該平均粒子径が約50nm以下である請求項23〜30のいずれか1項に記載の溶接用フラックスバインダー。
  32. 該小粒子の該平均粒子径が約2−25nm以下である請求項23〜31のいずれか1項に記載の溶接用フラックスバインダー。
  33. 該コロイド状バインダーとケイ酸金属の混合物を含み、該混合物が少なくとも約80重量%の該バインダーから構成され、該ケイ酸金属がケイ酸カリウム、ケイ酸ナトリウム及びそれらの混合物を包含する請求項23〜32のいずれか1項に記載の溶接用フラックスバインダー。
  34. 1)フラックスバインダーを形成し、ここで該フラックスバインダーはコロイド状混合物を含み、該コロイド状混合物は液体及び少なくとも20重量%の小粒子を含み、該液体は水を含み、該小粒子は少なくとも約10重量%の二酸化ケイ素を含み、且つ該小粒子は約100nm以下の平均粒子径をもつ;2)該フラックスバインダーとフラックス成分を混合してフラックス混合物を形成し、ここで該フラックス成分は金属酸化物、金属フッ化物、金属炭酸塩及びそれらの混合物からなる群から選ばれるフラックス剤を含む;そして3)該フラックスブレンド物の湿分含量が約1%以下となるまで少なくとも約400℃の温度で少なくとも30分間該フラックス混合物を乾燥する工程からなる低水分含量で且つ耐湿性をもつフラックス系を形成する方法。
  35. 該乾燥フラックス混合物を約48メッシュ以下の平均粒子径になるまで粉砕する工程を含む請求項34記載の方法。
  36. 該乾燥フラックス混合物を約100メッシュ以下の平均粒子径になるまで粉砕する工程を含む請求項34又は35記載の方法。
  37. 該粉砕フラックス混合物がサブマージドアークフラックス又はコア電極用フラックスである請求項34〜36のいずれか1項に記載の方法。
  38. 該フラックス混合物を乾燥する前に金属電極の周りに該フラックス混合物を押し出す工程を含む請求項34〜37のいずれか1項に記載の方法。
  39. 該フラックスブレンド物の湿分含量が約0.6%以下である請求項34〜38のいずれか1項に記載の方法。
  40. 該フラックスブレンド物の湿分含量が約0.2%以下である請求項34〜39のいずれか1項に記載の方法。
  41. 該フラックス成分がアルミニウム、マグネシウム、チタン、及びそれらの混合物からなる群から選ばれる金属合金を含む請求項34〜40のいずれか1項に記載の方法。
  42. 該コロイド状バインダーとケイ酸金属の混合物を含み、該混合物が少なくとも約80重量%の該バインダーから構成され、該ケイ酸金属がケイ酸カリウム、ケイ酸ナトリウム及びそれらの混合物を包含する請求項34〜41のいずれか1項に記載の方法。
  43. 該バインダーが少なくとも約10重量のコロイド状バインダーを含む請求項34〜42のいずれか1項に記載の方法。
  44. 該バインダーが少なくとも約30重量のコロイド状バインダーを含む請求項34〜43のいずれか1項に記載の方法。
  45. 該小粒子が約30重量の該コロイド状バインダーから構成されている請求項34〜44のいずれか1項に記載の方法。
  46. 該小粒子が少なくとも約30重量の二酸化珪素を含む請求項34〜45のいずれか1項に記載の方法。
  47. 該小粒子が約100重量の二酸化珪素を含む請求項34〜46のいずれか1項に記載の方法。
  48. 該小粒子が約50nm以下の平均粒子径をもつ請求項34〜47のいずれか1項に記載の方法。
  49. 該小粒子が約2−25nmの平均粒子径をもつ請求項34〜48のいずれか1項に記載の方法。
  50. 該湿分含量が約0.6%以下である請求項34〜49のいずれか1項に記載の方法。
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