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  1. 半導体の製造に用いるフォトマスクのためのデータを用意する方法であって、
    該方法は、
    半導体の設計を表すデータを受信することであって、該データは、ウェハ上に作成されるべき複数の特徴を規定する、ことと、
    特定の特徴に対して、ルールベースの光学近接補正が使用されるべきか、モデルベースの光学近接補正が使用されるべきかを決定することと、
    モデルベースの光学近接補正によって補正されるべき該特定の特徴を補正する際に用いられる1組のモデルの中から、特定のモデルベースの光学近接補正モデルを選択することと、
    該ルールベースの光学近接補正または該モデルベースの光学近接補正のいずれかを用いて補正されるべき各特徴を選択的に補正することと、
    最終的な補正された半導体の設計データを出力することと
    を包含する、方法。
  2. 前記モデルベースの光学近接補正を用いて補正されるべき選択された特徴は、該モデルベースの光学近接補正を用いた補正の前にプレバイアスされている、請求項1に記載の方法。
  3. 前記モデルベースの光学近接補正を用いて選択された特徴を補正することは、仕様に対して前記半導体の設計を検証することを包含する、請求項1に記載の方法。
  4. 前記特徴のうちの少なくとも1つは、セグメントを含む、請求項1に記載の方法。
  5. 半導体マスクのための設計データを用意する方法であって、
    該方法は、
    半導体の設計の少なくとも一部を表すデータを受け入れることと、
    該設計データにおける特徴を処理することにより、特定の特徴に対して、ルールベースの光学近接補正が使用されるべきか、モデルベースの光学近接補正が使用されるべきか、ルールベースおよびモデルベースの両方の光学近接補正が使用されるべきか、どの補正も使用されるべきではないかを決定することと、
    該モデルベースの光学近接補正を用いて補正されるべき該特定の特徴を補正するための1組のモデルの中から、最適なモデルを決定することと、
    該処理するステップにおいて決定された光学近接補正を用いて補正されるべき各特徴を選択的に補正することと、
    該半導体の設計の少なくとも一部に対する補正された半導体の設計データを出力することと
    を包含する、方法。
  6. 前記モデルベースの光学近接補正を用いて補正されるべき選択された特徴は、該モデルベースの光学近接補正を用いた補正の前にプレバイアスされている、請求項5に記載の方法。
  7. 前記モデルベースの光学近接補正を用いて特徴を選択的に補正することは、仕様に対して前記半導体の設計を検証することを包含する、請求項5に記載の方法。
  8. 前記特徴のうちの少なくとも1つは、セグメントを含む、請求項5に記載の方法。
  9. 処理されたレイアウトから作成される半導体デバイスであって、
    該処理されたレイアウトは、
    該半導体デバイスを表す設計データにおける特徴を処理することにより、特定の特徴を補正するために、ルールベースの光学近接補正が使用されるべきか、モデルベースの光学近接補正が使用されるべきかを決定することと、
    該モデルベースの光学近接補正を用いて補正されるべき該特定の特徴を補正するための1組のモデルの中から、特定のモデルを選択することと、
    該ルールベースの光学近接補正または該モデルベースの光学近接補正のいずれかを用いて補正されるべき各特徴を選択的に補正することと、
    補正された設計データを出力することと
    によって生成される、半導体デバイス。
  10. 半導体デバイスを表す設計データにおける特徴を処理することにより、特定の特徴に対して、ルールベースの光学近接補正が使用されるべきか、モデルベースの光学近接補正が使用されるべきかを決定し、
    該モデルベースの光学近接補正を用いて補正されるべき該特定の特徴を補正するための1組のモデルの中から、特定のモデルを選択し、
    該ルールベースの光学近接補正または該モデルベースの光学近接補正のいずれかを用いて補正されるべき各特徴を選択的に補正し、
    補正された設計データを出力する
    ためのコンピュータ命令を含む、コンピュータ読み取り可能な媒体。
  11. 電磁波形に実体化されたコンピュータデータ信号であって、
    設計データにおける特徴を処理することにより、特定の特徴に対して、ルールベースの光学近接補正が使用されるべきか、モデルベースの光学近接補正が使用されるべきかを決定するためのソースコードセグメントと、
    該モデルベースの光学近接補正システムを用いて補正されるべき該特定の特徴を補正するための1組のモデルの中から、特定のモデルを選択するためのソースコードセグメントと、
    該ルールベースの光学近接補正または該モデルベースの光学近接補正のいずれかを用いて補正されるべき各特徴を選択的に補正するためのソースコードセグメントと、
    補正された設計データを出力するためのソースコードセグメントと
    を含む、コンピュータデータ信号。
  12. コンピュータ命令を処理するプロセッサと、
    設計データにおける特徴を処理することにより、特定の特徴に対して、ルールベースの光学近接補正が使用されるべきか、モデルベースの光学近接補正が使用されるべきかを決定し、該モデルベースの光学近接補正を用いて補正されるべき該特定の特徴を補正するための1組のモデルの中から特定のモデルを選択し、該ルールベースの光学近接補正または該モデルベースの光学近接補正のいずれかを用いて補正されるべき各特徴を選択的に補正し、補正された設計データを出力するための1組のコンピュータ命令を含むメモリと
    を備えた、コンピュータ装置。
  13. 半導体マスクを用意する方法であって、
    該方法は、
    半導体の設計データを受け入れることと、
    該設計データにおける特徴を処理することにより、特定の特徴に対して、ルールベースの光学近接補正が使用されるべきか、モデルベースの光学近接補正が使用されるべきかを決定することと、
    該モデルベースの光学近接補正を用いて補正されるべき該特定の特徴に対して最適化された光学近接補正モデルを選択することと、
    該ルールベースの光学近接補正または該モデルベースの光学近接補正のいずれかを用いて補正されるべき各特徴を選択的に補正することと、
    補正された半導体の設計データを出力することと
    を包含する、方法。
  14. 前記モデルベースの光学近接補正を用いて補正されるべき選択された特徴は、該モデルベースの光学近接補正を用いた補正の前にプレバイアスされている、請求項13に記載の方法。
  15. 前記モデルベースの光学近接補正システムを用いて選択された特徴を補正することは、仕様に対して前記半導体の設計データを検証することを包含する、請求項13に記載の方法。
  16. 前記特徴のうちの少なくとも1つは、セグメントを含む、請求項13に記載の方法。
  17. 半導体の設計データを受け入れ、
    該設計データにおける特徴を処理することにより、特定の特徴に対して、ルールベースの光学近接補正システムが使用されるべきか、モデルベースの光学近接補正システムが使用されるべきかを決定し、
    該モデルベースの光学近接補正システムを用いて補正されるべき該特定の特徴に対して、最適化された光学近接補正モデルを選択し、
    該ルールベースの光学近接補正システムまたは該モデルベースの光学近接補正システムを用いて補正されるべき各特徴を選択的に補正し、
    補正された半導体の設計データを出力する
    ためのコンピュータ命令を含む、コンピュータ読み取り可能な媒体。
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