JP2004259779A

JP2004259779A - ウェーハの評価方法

Info

Publication number: JP2004259779A
Application number: JP2003046413A
Authority: JP
Inventors: Koji Ebara; 幸治江原
Original assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Current assignee: Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date: 2003-02-24
Filing date: 2003-02-24
Publication date: 2004-09-16

Abstract

【課題】被測定ウェーハの深さ方向の高い分解能を有し、かつ、今まで測定することが困難であった被測定ウェーハの表面から１０μｍ程度の深さまでのＢＭＤを観察可能とした微小内部結晶欠陥の測定によるウェーハの評価方法を提供する。
【解決手段】被測定ウェーハの主表面に厚さＤのエピタキシャル層を形成して微小内部結晶欠陥測定用エピタキシャルウェーハを作製する工程と、該微小内部結晶欠陥密度を９０°散乱光散乱トモグラフ法で測定することによって該微小結晶欠陥密度の深さ方向のプロファイルＰ_１を算出する工程と、得られた該微小内部結晶欠陥密度の深さ方向のプロファイルＰ_１を前記エピタキシャル層の厚さＤ分だけ前記被測定ウェーハの主表面方向に平行移動して該被測定ウェーハの主表面から深さ方向への微小内部結晶欠陥密度プロファイルＰ_０を算出する工程とを含むようにした。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウェーハの微小内部結晶欠陥の評価方法に関するもので、特に表面近傍の微小内部結晶欠陥評価方法に関する。
【０００２】
【関連技術】
シリコン単結晶ウェーハ内部には、単結晶育成時に酸素析出核が導入される。この酸素析出核は、その後の熱処理によって酸素析出物に成長して微小内部結晶欠陥（以下ＢＭＤ（ＢｕｌｋＭｉｃｒｏＤｅｆｅｃｔ）ということがある）と呼ばれる欠陥になる。このＢＭＤが前記シリコン単結晶から製造されるシリコンウェーハの表面近傍に存在すると、リーク電流やスリップの発生源となるため、前記ウェーハ表面に形成される半導体装置の不良の原因になる。そのため、表面近傍を含むウェーハ内部のＢＭＤを観察する必要がある。
【０００３】
ＢＭＤの観察方法としては、９０°散乱光散乱トモグラフ法（ＬｉｇｈｔＳｃａｔｔｅｒｉｎｇＴｏｍｏｇｒａｐｈｙ：以下９０°散乱ＬＳＴ法という）と全反射光散乱トモグラフ法（ＬｉｇｈｔＳｃａｔｔｅｒｉｎｇＴｏｍｏｇｒａｐｈｙ：以下全反射ＬＳＴ法という）が広く知られている（例えば非特許文献１及び特許文献１）。９０°散乱ＬＳＴ法にはｌａｙｅｒ−ｂｙ−ｌａｙｅｒ法（図８）と断面観察法（図９）があり、図をもとにこの方法を説明する。ｌａｙｅｒ−ｂｙ−ｌａｙｅｒ法では、まず劈開面１４を有する被測定ウェーハ１３を準備する。そして、レーザー発振器１７から発光された赤外線レーザー光１７ａは集光レンズ１８で集光され、被測定ウェーハ１３の劈開面１４からウェーハ内部に入射される。入射した赤外線レーザー光１７ａは結晶欠陥によって散乱するので、赤外線レーザー光１７ａの進路と直交する方向の散乱光１７ｂを被測定ウェーハ１３の主表面（鏡面）１５側から対物レンズ１９を通して集光し赤外線テレビカメラ２０で検出する。
【０００４】
一方、断面観察法でも同様の劈開面１４を有する被測定ウェーハ１３を準備する。この方法では、レーザー発振器１７から発光された赤外線レーザー光１７ａは集光レンズ１８で集光され、被測定ウェーハ１３の主表面（鏡面）１５からウェーハ内部に入射する。入射した赤外線レーザー光１７ａは結晶欠陥によって散乱するので、光の進路と直交する方向の散乱光１７ｂをウェーハ劈開面１４側から対物レンズ１９を通して集光し赤外線テレビカメラ２０で検出する。この方法は、対物レンズの倍率を変えることにより観察視野を大きく変えることができるため、多種類の欠陥を容易に観察することができる。また、赤外線レーザー光１７ａを入射させた際、ウェーハ内部を進行する赤外線レーザー光１７ａの直径範囲内に存在するＢＭＤは全て散乱光を発生させるため、この手法の分解能は入射する赤外線レーザー光１７ａの直径に等しくなる。赤外線レーザー光１７ａは集光レンズ１８によって細く絞ることができるため、この手法の分解能は極めて高いという特徴を有している。
【０００５】
次に、全反射ＬＳＴ法について図１０を参照して説明する。まず、９０°散乱ＬＳＴ法と同じく劈開面２４を有する被測定ウェーハ２３を準備する。そして、レーザー発振器２７から発光された赤外線レーザー光２７ａを集光レンズ２８で細く絞り、この赤外線レーザー光鎖２７ａを被測定ウェーハ２３の劈開面２４から低角度で入射させ、顕微鏡光軸上の被測定ウェーハ２３の主表面（鏡面）２５で全反射するようにして、顕微鏡直下の欠陥を観察する。この方法では、主表面２５の直下のＢＭＤから散乱した光２７ｂが主表面２５から出射してくるので、この散乱光２７ｂを対物レンズ２９で集光して赤外線テレビカメラ３０で検出することにより主表面２５の近傍のＢＭＤを観察することが可能である。
【０００６】
【非特許文献１】
津屋英樹編集「ウェーハ表面完全性の創成・評価技術」サイエンスフォーラム社１９９８年３月１１日ｐ２３２−ｐ２４１
【特許文献１】
特開平７−２３９３０８号公報（第２−４頁、図１）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの方法は以下の点で問題があった。ｌａｙｅｒ−ｂｙ−ｌａｙｅｒ法では、表面近傍のＢＭＤを捕らえるためには赤外線レーザー光を表面近傍へ近づけてやる必要がある。ところが、このようにすると劈開面と鏡面が成す角のだれの影響や、劈開面から鏡面に回り込んだ赤外線レーザー光が鏡面上に付着したパーティクルや劈開クズによって散乱する影響を受ける。さらに表面からの深さ方向が検出側対物レンズの焦点深度方向と一致するため深さ分解能が劣り、表面近傍のＢＭＤ検出には限界があった。
【０００８】
また、断面観察法は、深さ方向の分解能は高いものの、ウェーハの表面と空気の屈折率が異なるために赤外線レーザー光がウェーハ表面で大きく散乱してしまう。この表面散乱光のため、ウェーハ表面から１０μｍ程度までの深さに存在するＢＭＤからの散乱光はかき消されてしまい、表面近傍のＢＭＤ観察は困難であった。
【０００９】
一方、全反射ＬＳＴ法では図１１に示される通り、赤外線レーザー光２７ａがウェーハ表面で反射するため表面近傍のＢＭＤが観察可能である。観察可能範囲ΔＬは下記式１で与えられる。しかしながら、ΔＬの中心に位置する点Ａでの観察可能深さΔｚ（下記式２）とΔＬの端領域である点Ｂでの観察可能深さΔｚ´（下記式３）が異なるため、それぞれの位置で観察される散乱光の深さ情報に差が出てきて、均一な深さ方向の情報が得られないという問題点があった。また、赤外線レーザー光２７ａがウェーハの深さ方向に対し斜めに入射するため、赤外線レーザー光２７ａの照射領域が赤外線レーザー光２７ａのビーム径ｄより大きくなってしまい、深さ方向の分解能が９０°散乱ＬＳＴ法の断面観察法よりも悪くなるといった問題点もあった。さらに、全反射ＬＳＴ法による測定に際しては十分な散乱光を得る為、赤外線レーザー光２７ａのビーム径ｄを３〜４μｍまで絞る必要がある。そのため、点Ｂの観察深さΔｚは表層より約４μｍの範囲に限定されてしまい、それより深い位置のＢＭＤ観察が不可能であるといった問題点もあった。
【００１０】
【数１】
ΔＬ＝ｄ／ｃｏｓθ ・・・・・・・・・・・・（１）
Δｚ＝ｄ／２ｓｉｎθ ・・・・・・・・・・・・（２）
Δｚ´＝ｄ／ｓｉｎθ ・・・・・・・・・・・・（３）
【００１１】
（上記式（１）（２）（３）において、θは赤外線レーザー光と点Ｂにおける垂線との交わる角度である）
【００１２】
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、被測定ウェーハの主表面に厚さＤのエピタキシャル層を成長させた後、９０°散乱ＬＳＴ法で評価することにより、被測定ウェーハの深さ方向の高い分解能を有し、かつ、今まで測定することが困難であった被測定ウェーハの表面から１０μｍ程度の深さまでのＢＭＤを観察可能とした微小内部結晶欠陥の測定によるウェーハの評価方法を提供することを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するため、本発明のウェーハの評価方法は、被測定ウェーハの主表面に厚さＤのエピタキシャル層を形成して微小内部結晶欠陥測定用エピタキシャルウェーハを作製する工程と、該微小内部結晶欠陥測定用エピタキシャルウェーハの微小内部結晶欠陥密度を９０°散乱光散乱トモグラフ法で測定することによって該微小内部結晶欠陥密度の深さ方向のプロファイルＰ_１を算出する工程と、得られた該微小内部結晶欠陥測定用エピタキシャルウェーハの微小内部結晶欠陥密度の深さ方向のプロファイルＰ_１を前記エピタキシャル層の厚さＤ分だけ前記被測定ウェーハの主表面方向に平行移動して該被測定ウェーハの主表面から深さ方向への微小内部結晶欠陥密度プロファイルＰ_０を算出する工程とを含むことを特徴とする。前記エピタキシャル層の厚さＤは少なくとも５μｍであればよく、１０μｍ以上２０μｍ以下がより好ましい。
【００１４】
本発明方法によれば、今まで９０°散乱ＬＳＴ法で測定することが困難であった表面から１０μｍ程度の深さまでのＢＭＤを観察することが可能となる。
【００１５】
また、ＢＭＤをウェーハ内部に析出させるためには、ＢＭＤ析出熱処理を該ウェーハに行う必要があるが、ＢＭＤは前記ＢＭＤ析出熱処理前に１０００℃を超える熱処理を行うと、得られるＢＭＤ密度が熱処理を行わないウェーハに比べて変化してしまう。そのため、前記エピタキシャル層の成長は、ＢＭＤ析出熱処理前に行う場合には１０００℃以下の低温で行なうことが好ましく、８００℃以下の低温で行うことがより好ましい。
【００１６】
一方、ＢＭＤ析出熱処理後に１１００℃を超える熱処理を行うと、ＢＭＤが再溶解してしまうため、エピタキシャル層の成長は、ＢＭＤ析出熱処理後に行う場合には１１００℃以下の温度で行うことが好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明するが、図示例は例示的に示されるもので、本発明の技術思想から逸脱しない限り種々の変形が可能なことはいうまでもない。
【００１８】
図１は、本発明方法において、主表面にエピタキシャル層を形成したシリコンウェーハのＢＭＤを９０°散乱ＬＳＴ法で測定する場合の測定手順を示すフローチャートである。また、図２は本発明の方法において、エピタキシャル層を付加した内部結晶欠陥測定用エピタキシャルウェーハのＢＭＤを９０°散乱ＬＳＴ法（断面観察法）で測定する場合の測定原理を示す概略図である。図３は本発明の評価方法の評価原理を示すグラフである。
【００１９】
まず、ステップ１０１（図１）では、表面近傍のＢＭＤ密度を測定する被測定ウェーハ３を用意する。この被測定ウェーハ３の主表面５にシリコンエピタキシャル層（以下Ｃａｐ層という）２を形成することによって、ＢＭＤ密度測定用ウェーハ（以下Ｃａｐウェーハという）１を作製する。Ｃａｐ層２の形成には一般に市販されているエピタキシャル装置を用いることができる。Ｃａｐ層２の導電型はｐ型、ｎ型のいずれでも良く、ドーパント濃度は赤外線が透過する０．１Ωｃｍ以上になるように設定すれば良い。また、Ｃａｐ層２の厚さＤは５μｍ以上であれば良く、より好ましくは１０μｍ以上２０μｍ以下である。５μｍ以下の場合は、シリコンウェーハ表面で散乱した入射光の影響を十分に除去できないため表面近傍のＢＭＤ観察の効果が低下する場合がある。
【００２０】
Ｃａｐ層２の厚さＤは、一般的に市販されているＦＴＩＲ（ＦｏｕｒｉｅｒＴｒａｎｓｆｏｒｍＩｎｆｒａｒｅｄ）装置を用いて測定することができる。また、市販の静電容量方式の厚み計やレーザー変位形を用いて測定し、Ｃａｐ層形成後のＣａｐウェーハ１の厚さからＣａｐ層形成前の被測定ウェーハ３の厚さを差し引く方法によって算出してもよい。このＣａｐウェーハ１を劈開することにより、劈開面４をＣａｐウェーハ１に形成する。
【００２１】
ステップ１０２（図１）では、該Ｃａｐ層２を形成したＣａｐウェーハ１をステージ６にセットし、例えば、図２に示したように９０°散乱ＬＳＴ法（断面観察法）でＢＭＤ密度を測定する。即ち、レーザー発振器７から発光された赤外線レーザー光７ａは集光レンズ８で集光され、Ｃａｐウェーハ１の表面５ａからウェーハ内部に入射し、入射した赤外線レーザー光７ａは結晶欠陥によって散乱し、光の進路と直交する方向の散乱光７ｂをウェーハ劈開面４側から対物レンズ９を通して集光し赤外線テレビカメラ１０で検出する。そして、Ｃａｐウェーハ１の深さ方向への測定を継続して行うことにより、深さ方向のＢＭＤ密度プロファイルＰ_１を測定する。
【００２２】
最後に、ステップ１０３（図１）において、図３に示したようにステップ１０２で算出されたＢＭＤ密度プロファイルＰ_１をＣａｐ層の厚さＤ分だけ主表面方向に平行移動（−Ｄ）して、被測定ウェーハ１の深さ方向のＢＭＤ密度プロファイルＰ_０を算出する。
【００２３】
Ｃａｐ層２の形成は、ＢＭＤ析出熱処理の前後のどちらでもよい。エピタキシャル成長のような熱処理を被測定ウェーハに行うと、ＢＭＤ密度が熱処理の影響を受けて変化したり、ＢＭＤ析出核が再溶解することがある。そのため、ＢＭＤ析出熱処理の前にＣａｐ層形成を行う場合には、Ｃａｐ層形成のためのエピタキシャル成長温度を１０００℃以下、より望ましくは８００℃以下の低温にすることが有効である。このようにすれば、熱処理の影響を無視することができるので、ＢＭＤ密度の変化を防ぐことができる。
【００２４】
また、Ｃａｐ層２形成のためのエピタキシャル成長をＢＭＤ析出熱処理後に行う場合には、すでにＢＭＤ析出熱処理でＢＭＤ析出核が形成されているため、１１００℃より高温で熱処理しない限り、この析出核は溶解せず、ＢＭＤ密度に影響を与えることがない。したがって、ＢＭＤ析出熱処理後にＣａｐ層を形成する場合においては、Ｃａｐ層形成のためのエピタキシャル成長は１１００℃以下の温度で行うことが好ましい。
【００２５】
なお、上記実施の形態では９０°散乱ＬＳＴ法の好ましい例として断面観察法を用いた例を示したが，ｌａｙｅｒ−ｂｙ−ｌａｙｅｒ法を同様に適用できることは勿論である。
【００２６】
【実施例】
以下に実施例をあげて本発明をさらに具体的に説明するが、これらの実施例は例示的に示されるもので限定的に解釈されるべきでないことはいうまでもない。
【００２７】
（実施例１）
まず、酸素濃度が１１ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ）のｐ型、１０Ωｃｍの被測定シリコンウェーハ３（図２）を複数枚準備し、ウェーハ全体の厚さを厚さ測定器（ＡＤＥ社製ＡＤＥ−９６００）で測定した。酸素濃度が１１ｐｐｍａの場合、急速加熱・冷却熱処理（以下、ＲＴＡ（ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌ）という）を行ってからＢＭＤ析出熱処理を行わないと、ＢＭＤを析出させることができないので、まず、Ｎ_２雰囲気下でＲＴＡを行った。ＲＴＡの温度条件は室温付近より１２５０℃まで３０℃／秒で昇温した後、１０秒間保持し、その後３０℃／秒の降温速度で８００℃まで冷却し、その後加熱を切り自然冷却で室温まで下げた後に取り出した。次に、被測定シリコンウェーハ３中のＢＭＤを析出させるため、Ｎ_２雰囲気下で８００℃、４時間、次いで１０００℃で１６時間のアニールを行った。なお、ＪＥＩＤＡは日本電子工業振興協会（現在は、ＪＥＩＴＡ：日本電子情報技術産業協会に改称された。）の略である。
【００２８】
上記処理を行ったウェーハから１枚抜き取って劈開しエッチングした後、顕微鏡で劈開面のＢＭＤの析出状態を観察したところ、ウェーハ表面から９μｍの深さまではＢＭＤが析出していないＤＺ（ＤｅｎｕｄｅｄＺｏｎｅ）層が形成されていることを確認した（図４）。
【００２９】
続いて、複数の前記被測定シリコンウェーハ３をエピタキシャル成長装置に投入してエピタキシャル成長させることにより、抵抗率が１０Ω・ｃｍのｎ型エピタキシャル層２を形成してＣａｐウェーハ１（図２）を作製し、ウェーハ全体の厚さを厚さ測定器（ＡＤＥ社製ＡＤＥ−９６００）で測定した。このＣａｐ層形成後の厚さから形成前の厚さを差し引くことにより、Ｃａｐ層厚さＤを算出した。厚さＤは１５μｍであった。なお、エピタキシャル成長温度は１０５０℃とした。
【００３０】
最後に、上記Ｃａｐウェーハから１枚抜き取って劈開し、図２に示した測定原理と同様の測定原理を有する９０°散乱ＬＳＴ測定装置の測定ステージ６に載置した。そして、鏡面加工され、Ｃａｐ層２が形成された主表面５より赤外光を入射して、劈開面４から出射した散乱光を検出する９０°散乱ＬＳＴ法でＣａｐウェーハ１の深さ方向のＢＭＤ密度プロファイルＰ_１を測定した（図５）。得られたＢＭＤ密度プロファイルＰ_１をエピタキシャル層の厚さ１５μｍ分だけウェーハ主表面方向に平行移動させて被測定ウェーハのＢＭＤ密度プロファイルＰ_０を得た（図６）。
【００３１】
図６を見ると、被測定シリコンウェーハ３の表面から深さ１０μｍまでのＢＭＤ密度が正確に測定できていることがわかる。また、被測定ウェーハ３の表面から深さ６μｍまではＢＭＤ密度が０であり、ＤＺ層が形成されていることも確認できた。ここで、上記顕微鏡で確認したＤＺ層（９μｍ）と本発明の方法で確認したＤＺ層（６μｍ）の厚さに相違があるが、これは顕微鏡で確認する公知の観察方法に比べ、本発明の方法の方がより小さなＢＭＤまで検出できるため、ＢＭＤ密度が０の領域、すなわち、ＤＺ層の厚さが狭まるからであり、より正確なＤＺ層厚さは６μｍであることがわかる。
【００３２】
（比較例１）
実施例１で用いた被測定シリコンウェーハと同じバッチで処理したウェーハにＣａｐ層を形成せずに劈開して、被測定シリコンウェーハ表面を直接９０°散乱ＬＳＴ法で測定した（図７）。
【００３３】
図７を見ると、被測定シリコンウェーハの表面から深さ１０μｍまでのＢＭＤ密度は５×１０^１０ｃｍ^−３（９０°散乱ＬＳＴ法の測定上限値）となっているが、これは先述したように、鏡面加工された主表面から赤外光を入射する際に、主表面で散乱した迷光の影響である。もちろん、この測定値が被測定シリコンウェーハの表面近傍に存在するＢＭＤ密度を表す可能性もあるが、Ｃａｐ層分だけ主表面方向にデータを平行移動させる前の実施例１のデータ、すなわちＣａｐ層表面からのウェーハ深さ方向のＢＭＤ密度プロファイルＰ_１（図５）を見ると、Ｃａｐ層２の表面から深さ１０μｍまでのＢＭＤ密度は同様に５×１０^１０ｃｍ^−３となっている。エピタキシャル成長は、酸素が存在しない雰囲気下で行われるため、酸素析出物であるＢＭＤはエピタキシャル層中には形成されないことが知られている。したがって、この点からも、主表面から深さ１０μｍまでの深さで検出される５×１０^１０ｃｍ^−３という異常に多いＢＭＤ密度は、主表面で散乱した光の影響であることは明白である。
【００３４】
また、図６、図７を比較してみると、被測定シリコンウェーハの主表面からの深さが１０μｍを超える深さのＢＭＤ密度は、同じような値となっている。したがって、本発明の方法によるエピタキシャル層（Ｃａｐ層）の成長は、Ｃａｐ層を被測定シリコンウェーハの主表面上に形成しても該ウェーハが内部にもともと持っていたＢＭＤ密度を変化させないことがわかる。
【００３５】
【発明の効果】
以上述べたごとく、本発明のウェーハ評価方法を用いれば、被測定ウェーハの表面から１０μｍまでの深さ方向のＢＭＤ密度を簡便かつ正確に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の評価方法の工程順を示すフローチャートである。
【図２】本発明の方法においてＣａｐ層を付加した被測定ウェーハを９０°散乱ＬＳＴ法（断面観察法）で測定する場合の測定原理を示す概略図である。
【図３】本発明の評価方法の評価原理を示すグラフである．
【図４】実施例１においてＢＭＤ析出熱処理を行った後の被測定ウェーハの劈開面をエッチングした状態を示す顕微鏡観察した写真の模式図である。
【図５】実施例１で測定されたＣａｐウェーハの表面からの深さとＢＭＤ密度との関係を表すグラフである。
【図６】実施例１で測定された被測定ウェーハの表面からの深さとＢＭＤ密度との関係を表すグラフである。
【図７】比較例１で測定された被測定ウェーハの表面からの深さとＢＭＤ密度との関係を表すグラフである。
【図８】従来の９０°散乱ＬＳＴ法の測定方法の一例（ｌａｙｅｒ−ｂｙ−ｌａｙｅｒ法）を示す概略図である。
【図９】従来の９０°散乱ＬＳＴ法の測定方法の別の例（断面観察法）を示す概略図である。
【図１０】従来の全反射ＬＳＴ法の測定方法の一例を示す概略図である。
【図１１】従来の全反射ＬＳＴ法における表面での全反射の状況を表した概略図である。
【符号の説明】
１：Ｃａｐウェーハ、２：Ｃａｐ層、３，１３，２３：被測定シリコンウェーハ、４，１４，２４：劈開面、５，１５，２５：ウェーハ主表面、６，１６，２６：ステージ、７，１７，２７：レーザー発振器、８，１８，２８：集光レンズ、９，１９，２９：対物レンズ、１０，２０，３０：赤外線テレビカメラ。

Claims

被測定ウェーハの主表面に厚さＤのエピタキシャル層を形成して微小内部結晶欠陥測定用エピタキシャルウェーハを作製する工程と、該微小内部結晶欠陥測定用エピタキシャルウェーハの微小内部結晶欠陥密度を９０°散乱光散乱トモグラフ法で測定することによって該微小結晶欠陥密度の深さ方向のプロファイルＰ_１を算出する工程と、得られた該微小内部結晶欠陥測定用エピタキシャルウェーハの微小内部結晶欠陥密度の深さ方向のプロファイルＰ_１を前記エピタキシャル層の厚さＤ分だけ前記被測定ウェーハの主表面方向に平行移動して該被測定ウェーハの主表面から深さ方向への微小内部結晶欠陥密度プロファイルＰ_０を算出する工程とを含むことを特徴とするウェーハの評価方法。
前記エピタキシャル層の厚さＤが少なくとも５μｍであることを特徴とする請求項１記載のウェーハの評価方法。
前記エピタキシャル層の成長を、微小内部結晶欠陥析出熱処理前に１０００℃以下の低温で行うことを特徴とする請求項１又は２記載のウェーハの評価方法。
前記エピタキシャル層の成長を、微小内部結晶欠陥析出熱処理後に１１００℃以下の温度で行うことを特徴とする請求項１又は２記載のウェーハの評価方法。